KR930017207A - Mosfet 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따르면 MOSFET 제조공정에서 드레인 및 소오스영역이 형성될 실리콘 기판을 식각시킨 후에 이온주입을 실시하여 드레인 및 소오스영역을 형성시켰기 때문에 채널이 기판표면보다 아래에 형성되어 핫 케리어 효과를 예방한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 MOSFET제조 공정 단면도
Claims (1)
- 제1도전형을 갖는 실리콘 기판위에 필드영역과 액티브영역을 한정한 후 상기 액티브영역의 소정부분에 게이트와 캡게이트 절연막을 형성하는 공정과, 게이트와 필드영역사이의 액티브영역의 상기 실리콘 기판을 소정깊이까지 식각한 후 상기 식각된 실리콘 기판내에 제1도전형과 반대되는 극성을 갖는 저농도의 제2도전형을 갖는 이온주입을 실시하여 저농도의 드레인 및 소오스영역을 형성시키는 공정과, 상기 게이트의 양측에 측벽을 형성시킨 후 상기 고농도의 드레인 및 소오스영역내에 고농도의 제2도전형을 갖는 이온주입을 실시하여 고농도의 드레인 및 소오스영역을 형성시키는 공정을 순차적으로 실시함을 특징으로 하는 MOSFET 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920000479A KR930017207A (ko) | 1992-01-15 | 1992-01-15 | Mosfet 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920000479A KR930017207A (ko) | 1992-01-15 | 1992-01-15 | Mosfet 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930017207A true KR930017207A (ko) | 1993-08-30 |
Family
ID=65515315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920000479A KR930017207A (ko) | 1992-01-15 | 1992-01-15 | Mosfet 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930017207A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504546B1 (ko) * | 2000-07-24 | 2005-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1992
- 1992-01-15 KR KR1019920000479A patent/KR930017207A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504546B1 (ko) * | 2000-07-24 | 2005-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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