KR870000763A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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고우스게 오구야마
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도a는 본 밭명의 1실시예의 제조방법과 그 완성 상태를 설명하기 위한 공정단면도.
제3도a는 다른 실시예의 제조방법과 그 완성상태를 도시한 공정 단면도.
제5도a 다른 실시예의 제조 방법과 그 완성 상태를 도시한 공정 단면도.

Claims (26)

  1. 상기 MIS형 전계효과 트랜지스터는 다음 사항으로 구성된다. 상기 반도체 기판위의 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 양쪽의 상기 1반도체 영역내에 형성된 제2도전형의 소오스 또는 드레인 영역; 그리고 적어도 상기 게이트 전극 아래의 상기 제1반도체 영역내에 형성되 제2반도체 영역과, 상기 제2반도체 영역은 상기 반도체 기판의 표면 및 상기 소오스 드레인 영역의 밑바닥 부분에서 멀어져 있고, 또한 상기 소오스 및 드레인 영역과 그 양쪽끝에서 접한다. 그리고, 상기 제2반도체 영역은, 상기 제1반도체 영역과 같은 도전형이고, 또한 상기 제1반도체 영역보다 높은 불순물 농도를 갖는 반도체기판내의 제1의 도전형의 제1의 반도체 영역에 형성된 MIS형 전계효과 트랜지스터를 구비한 반도체장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 제2반도체 영역은 상기 게이트 전극 아래에 있다.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 2반도체 영역은 상기 게이트 전극 아래와 상기 소오드 드레인 전극 아래에 있다.
  4. 특허 청구의 범위 제1항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 소오스 드레인 영역의 사이의 상기 반도체기판의 표면에, 제2도전형의 반도체 영역이 형성된다.
  5. 특허 청구의 범위 제1항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 소오스, 드레인 영역은, 상기 게이트 전극을 마스크로서 형성된 제3반도체 영역과 상기 게이트 전극 및 그 양쪽에 형성된 스메이서를 마스크로서 형성된 제4반도체 영역으로 된다. 그리고, 제4반도체 영역은 상기 제3영역보다 높은 불순물 농도를 갖는다.
  6. 특허 청구의 범위 제5항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 제2반도체 영역은, 상기 제3및 제4반도체 영역에 접한다.
  7. 특허 청구의 범위 제6항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 제2반도체 영역은 상기 게이트 전극 아래와 상기 스메이서의 아래에 있다.
  8. 특허청구의 범위 제6항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 4반도체 영역은 상기 제2반도체 영역보다 깊다.
  9. 특허 청구의 범위 제5항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 제2반도체 영역은 상기 제3반도체 영역에만 접한다.
  10. 특허 청구의 범위 제9항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 제2반도체 영역은 상기 게이트 전극 아래와 상기 스메이서의 아래에 있다.
  11. 특허 청구의 범위 제9항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 제2반도체 영역은 상기 게이트 전극아래에 있다.
  12. 특허청구의 범위 제9항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 제4반도체 영역은 상기 제3반도체 영역보다 깊다.
  13. 특허 청구의 범위 제9항에 따른 반도체 장치에 있어서, 상기 제4반도체 영역은, 상기 제3반도체 영역과 대략 같은 깊이이다
  14. 반도체 기관내의 제1도전형의 제1반도체 영역에 형성된 MIS형 전계효과 트랜지스터스터를 갖춘 반도체 장치의 제조방법은 다음사항으로 된다. 상기 제1반도체 영역내에, 제2반도체 영역을 형성하는 공정과 상기 제2반도체 영역은 상기 반도체 기판의 표면에서 떨어져 있고, 상기 제2반도체 영역은 상기 제1반도체 영역과 같은 도전형이고, 또한 상기 제1반도체 영역 보다 높은 불순물 농도를 갖는다. 그리고, 상기 제2반도체 영역을 형성한 다음, 상기 반도체기판 위의 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 공정. 제2도전형의 불순물을 적어도 상기 게이트 전극을 마스크로서 사용하여, 상기 제1반도체 영역에 도입하는 제1의 도입공정, 상기 도입은 이온 주입에 의해서 행하여진다. 이로인해, 상기 제2반도체 영역중의 적어도 상기 게이트 전극의 아래. 부분을 제외한 부분을 제1도전형의 불순물 농도가 실질적으로 낮게 된다. 그리고, 제2도전형의 불순물을 적어도 상기 게이트 전극을 마스크로서 사용하여, 상기 제1반도체 영역으로 도입하는 제2의 도입 공정, 이로 인해 적어도 소오스 드레인 영역의 일부가 형성된다.
  15. 특허 청구의 범위 제14항에 따른 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1및 제2의 도입공정에서는, 상기 게이트 전극이 마스크로서 사용된다.
  16. 특허 청구의 범위 제15항에 따른 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1에 도입 공정후 상기 제2의 도입 공정이 행하여 진다. 상기 제2의 도입 공정에 의해서, 상기 소오스 드레인 영역이 형성된다.
  17. 특허청구의 범위 제14항에 따른 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1의 도입 공정에서는, 상기 게이트 진극이 마스크로서 사용된다. 상기 제2의 도입공정은, 제3의 도입 공정과, 상기 제3의 도입 공정 보다 높은 불순물 농도로 불순물을 도입하기 의한 제4의 도입공정을 포함한다. 상기 제3의 도입 공정에서는, 상기 게이트 전극이 마스크로서 사용된다. 상기 제4의 도입 공정에서는 상기 게이트 전극 및 그 양쪽에 형성된 스메이서가 마스크로서 사용된다.
  18. 특허 청구의 범위 제17항에 따른 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1의 도입 공정후, 상기 제3의 도입공정이 행하여진다. 상기 제3의 도입공정후, 상기 스메이서가 형성된다.
  19. 특허청구의 범의 제18항에 따른 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 제4의 도입 공정에 의해서 형성된 반도체 영역은, 상기 제3의 도입공정에 의해서 형성된 반도체영역보다 깊다.
  20. 특허 청구의 범위 제14항에 따른 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제1의 도입 공정에서는, 상기 게이트 전극 및 그 양쪽에 형성된 스메이서가 마스크로서 사용된다. 상기 제2의 도입 공정은 제3의 도입공징과 상기 제3의 도입 공정보다 높은 불순물 농도로 불순믈을 도입하기 위한 제4도의 도입 공정을 포함한다. 상기 제3의 도입 공정에서는 상기 게이트 전극이 마스크로서 사용된다. 상기 제4의 도입 공정에서는 상기 게이트 전극 및 그 양쪽에 형성된 스메이서가 마스크로서 사용된다.
  21. 특허청구의 범위 제20항에 따른 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제3의 도입공정후 상기 스메이서가 형성된다. 상기 제1의 도입공정후 제4의 도입공정이 행하어진다.
  22. 특허청구의 범위 제20항에 따른 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 제3의 도입 공정후, 상기 스메이서가 형성된다. 상기 제1및 제4의 도입 공정은 동시에 행하여진다. 상기 제4도의 도입공정에 의해서 형성되는 반도체 영역은 상기 제3의 도입공정에 의해서 형성되는 반도체 영역보다 깊다.
  23. 특허청구의 범위 제21항에 따른 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제4의 도입공정에 의해서 형성되는 반도체 영역은, 상기 제3의 도입공정에 의해서 형성되는 반도체 영역보다 깊다.
  24. 특허청구의 범위 제14항에 따른 반도체 장치의 제조방법으로서, 또 다음 공정으로 본다. 상기 게이트 전극 위에 그것과 같은 형상의 막을 형성하는 공정.
  25. 특허 청구의 범위 제14항에 따른 반도체 장치의 제조방법으로서, 또 다음 공정으로 된다. 상기 게이트 전극 아래의 상기 제2반도체 영역보다 얕은 부분에 제2도전형의 반도체영역을 형성하는 공정.
  26. 반도체기판 내의 제1도전형의 제1반도체 영역에 형성된 MIS형 전계효과 트랜지스터를 갖춘 반도체 장치의 제조방법으로서, 다음 사항으로 된다. 상기 반도체 기판 위의 게이트 절연언막 위에 게이트 전극을 형성하는 공정; 상기 게이트 전극을 형성한 후, 상기 제1반도체 영역내에 제2반도체영역을 이온 주입에 의해 형성하는 공정, 상기 제2반도체 영역은 상기 반도체기관의 표면에서 떨어셔 있고, 상기 게이트 전극 아래에서는 다른 부분보다 얕다. 상기 제2반도체 영역은 상기 제1반도체 영역과같은 도전형이고, 또한 상기 제1반도체 영역 보다 높은 불순물 농도를 갖는다. 제2도전형의 불순물을 상기 제2반도체 영역으로 이온 주입하는 공정; 이로 인해, 상기 제2반도체 영역중의 적어도 상기 게이트 전극의 아래의 부분을 제외한 부분의 제1도전형의 불순물 농도가 실질적으로 낮게 된다. 그리고 제2도전형의 불순물을 적어도 상기 게이트 전극을 마스크로서 사용하여, 상기 제1반도체 영역으로 도입한 공정, 이로 인해 적어도 소오스 드레인 영역의 일부가 형성된다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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