KR930009017A - 필드시일드분리구조의 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

필드시일드분리구조의 반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

기판상에 형성된 MOSFET를 전기장치와 전기적으로 분리하기 위해 MOSFET와 전기장치 사이의 기판에서 저면이 MOSFET와 전기장치의 확산층의 각 깊이레벨보다 깊은 레벨로 되도록 필드시일드전극이 매설된다. 이러한 필드시일드전극을 형성하기 위해 기판에서는 MOSFET와 전기장치의 확산층의 깊이레벨보다 깊은 레벨로 트렌치가 형성된다. 이 트렌치의 전체 내면을 절연한 후, 필드시일드 전극이 매설되고, 그 전극의 노출면이 절연막으로 피복된다.

Description

필드시일드분리구조의 반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 개선된 필드시일드 분리방식을 채용한 반도체장치를 나타낸 종단면도,
제3A도 내지 제3F도는 본 발명에 따른 반도체장치 어레이의 제조방법을 나타낸 종단면도,
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체장치를 나타낸 종단면도.

Claims (9)

  1. 표면을 갖춘 반도체기판과, 상기 반도체기판의 표면에 형성되고, 상기 반도체기판의 표면보다 낮은 소정의 깊이레벨의 저면을 갖춘 제1확산층, 이 제1확산층으로부터 유도된 소스, 대략 동일한 소정의 깊이레벨의 저면을 갖춘 제2확산층, 이 제2확산층으로부터 유도된 드레인 및 게이트를 갖는 MOSFET와, 상기 반도체기판의 표면내에서 상기 MOSFET에 인접하여 형성된 전기장치와, 상기 반도체기판의 표면내에 형성되어 상기 MOSFET를 상기 전기장치와 전기적으로 분리하고, 또한 상기 제1 또는 제2확산층의 저면의 소정의 깊이레벨보다 깊은 레벨로 상기 반도체기판에 매설(埋設)되는 필드시일드 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 어레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전기장치는 상기 반도체기판의 표면보다 낮은 소정의 제2깊이레벨의 저면을 갖는 확산층으로 구성되고, 상기 필스시일드전극이 매설된 깊이레벨은 소정의 제2깊이레벨보다 깊은 것을 특징으로 하는 반도체장치어레이.
  3. 제2항에 있어서, 상기 필드시일드전극은 절연재로 피복되는 것을 특징으로 하는 반도체장치어레이.
  4. 제3항에 있어서, 상기 MOSFET는 N채널형이고, 상기 필드시일드전극은 사용시 접지되는 것을 특징으로 하는 반도체장치어레이.
  5. 제3항에 있어서, 상기 MOSFET는 P채널형이고, 상기 필드시일드전극은 사용시 소정전압 공급을 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체장치어레이.
  6. 반도체기판의 표면에 최소한 하나의 MOSFET를 포함하는 반도체장치어레이의 제조방법에 있어서, MOSFET의 제2확산층보다 전기장치에 인접하여 위치하는 MOSFET의 제1확산층의 깊이레벨보다 트렌치의 저면이 더 깊은 레벨로 되도록 반도체기판의 표면에서 MOSFET와 이 MOSFET에 인접하여 형성된 전기장치와의 사이에 트렌치를 형성하고, 트랜치의 전체 내면을 절연하고, 절연된 트렌치내에서 필드시일드전극으로 작용하는 전기적 도전재를 매설하고, 상기 도전재의 노출면을 절연막으로 피복하는 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치어레이의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 스텝에서, 트렌치는 폭 2,000~20,000Å 및 깊이 2,000Å 이상을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치어레이의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 절연하는 스텝에서, 트렌치의 전체 내면은 두께 300~10,000Å을 갖는 열산화막에 의해 절연되는 것을 특징으로 하는 반도체장치어레이의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 피복하는 스텝은 CVD(chemical vapor deposition)법으로 상기 도전재의 노출면상에 산화막을 퇴적하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치어레이의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920019088A 1991-10-17 1992-10-17 필드시일드분리구조의 반도체장치 및 그 제조방법 KR100250346B1 (ko)

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