KR930005172A - 진공 마이크로 전자소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

진공 마이크로 전자소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제5도는 본 발명의 양호한 실시예를 형성하는 과정을 단계별로 나타낸 도면.

Claims (13)

  1. 반도체 기판상의 마이크로전자 소자에 있어서, 기판과 접하는 베이스 전극, 상기 베이스 전극과 접하는 에미터접점, 에미터, 베이스 전극으로부터 분리되어 위에 놓여 있는 그리드 금속, 및 상기 그리드 금속, 에미터, 및 베이스 전극에서 분리되어 덮고 있는 애노드금속을 포함하고, 상기 에미터 접점, 그리드 금속, 애노드 금속이 다수의 유기 스페이서 재료층을 인가하고 제거하는 단계들에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베이스 전그이 텅스텐 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 그리드 금속이 삼극관을 형성하기 위해서 상기 마이크로 전자 소자내에 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 그리드 금속이 이극관을 형성하기 위해서 상기 마이크로 전자 소자내에 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제1항에 있어서, 에미터 금속과 밀봉체가 상기 마이크로전자 소자의 처리된 진공에 상기 그리드 금속과 상기 에미터를 유지시키는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 기판재료의 기판과 절연 유전체 상에 진공 마이크로 전자 소자를 형성하는 방법에 있어서, 절연 유전테상에 베이스 전극을 형성하는 단계; 상기 베이스 전극의 일부를 노출시키기 위한 개구를 가지는 제1유기 스페이서로 베이스 전극을 덮는단계; 금속이 상기 베이스 전극과 접촉하여 에미터 접점을 형성하기 위해 상기 개구에 들어가도록 상기 제1유기 스페이서 위에 금속을 인가하는 단계; 상기 제1유기 스페이서로부터 상기 금속을 제거하는 단계; 상기 에미터와 베이스 전극 상에 제2유기 스페이서를 형성하는 단계; 상기 에미터와 베이스 전극위에 있는 상기 제2유기 스페이서의 일부가 노출되도록 상기 제2유기 스페이서 상에 그리드 금속을 인가하는 단계; 상기 노출된 제2유기 스페이서 내의 그리드 금속상에 제3유기 스페이서를 형성하는 단계; 다수의 접근 개구가 있어 제3유기 스페이서를 노출시킬수 있는 애노드 금속을 제3유기 스페이서 위에 인가하는 단계; 상기 애노드 금속과 상기 그리도 금속, 그리고 상기 그리드 금속과 상기 에미터사이에 공간을 만들기 위해 상기 애노드 금속과 그리드 금속내에서 상기 제2및 제3유기 스페이서를 비우는 단계, 및 상기 접근 개구를 금속 밀봉체로 밀봉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 베이스 전극을 형성하는 단계가 기판 위에 상기 베이스 전극을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 베이스 전극을 덮는 단계가 상기 베이스 전극 위에 포토레지스트를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 금속을 제거하는 단계가 상기 기판에서 상기 금속을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 그리드 금속을 인가하는 단계가 상기 제2유기 스페이서 상에 상기 그리드 금속을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제3유기 스페이서를 형성하는 단계가 상기 그리드 금속위에 포토레지스트층을 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제6항에 있어서, 상기 애노드 금속을 인가하는 단계가 상기 애노드 금속을 상기 유기 스페이서 위에 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제6항에 있어서, 상기 제3및 제2유기 스페이서를 비우는 단계가 상기 제3및 제2유기 스페이서를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920013780A 1991-08-01 1992-07-31 진공 마이크로 전자 소자 및 그 제조 방법 KR100235159B1 (ko)

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