DE69205640T2 - Verfahren zur Herstellung eines Mikroelektronisches Bauelement. - Google Patents

Description

Technischer Bereich der Erfindung
• Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Verfahren zur Herstellung von Mikroelektronikbauelementen und insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung von Vakuum-Mikroelektronik-Trioden -oder Dioden unter Verwendung von organischem Abstandshaltermaterial.
Hintergrund der Erfindung
• Beim Aufkommen der Halbleitertechnologie gingen die Hersteller von Mikrowellentransistoren und die Entwickler anderer elektronischer Systeme einen Kompromiß in bezug auf Leistung und Geschwindigkeit für die ausschlaggebenden wirtschaftlichen und technologischen Vorteile der Halbleitertechnologie ein. Zwei prinzipielle Vorteile der Halbleitertechnologie sind die geringe Größe der Bauelemente und die Möglichkeit, Tausende von einzelnen identischen Bauelementen mit wenigen Prozeßschritten herstellen zu können. Im Zuge wachsender Ansprüche an die Leistung elektronischer Systeme und der Anforderung, daß die Systeme auch bei noch höheren Frequenzen arbeiten, überprüfen die Entwickler elektronischer Komponenten indes erneut die Konstruktion von Halbleiterbauelementen. Insbesondere betrachten einige Entwickler die Möglichkeit, die Vorteile der Vakuumröhrentechnologie in der mikroelektronischen Größenordnung der Halbleiterbauelemente miteinzubeziehen.
• Es wurden Versuche unternommen, eine eingeschlossene Kammer mit einem Emitter, einem Gitter und einer Anode, auf einem Siliziumsubstrat aufgebaut, mittels Halbleiterprozeßtechnologie herzustellen. Die offensichtlichen Vorteile dieser Methode sind die Kosteneffektivität, die Benutzung der Halbleiterprozeßtechnologie und der Ausstoß von großen Stückzahlen wie es für diese Methoden charakteristisch ist. Bis heute aber blieben diese Versuche erfolglos. Ein bemerkenswerter Versuch bestand darin, innerhalb eines Siliziumsubstrats eine Oxidbasis, auf der ein Hochtemperatur-Metall aufgebracht und eine Elektrode gebildet ist, zu errichten. Zum Beispiel beschreibt C.A. Spindt, et al., "Physical Properties of Thin-Film Field Emission Cathodes with Molybdenum Cones, " J. App. Physics, Vol. 47, No. 12 (Dec. 1976) einen Halbleiterprozeß zur Herstellung einer Dünnschicht-Feldemissionskathode mittels Halbleitertechnologie. Andere neuere Versuche konnten erfolgreich ein Gitter bilden, welches für eine mikroelektronische Triode oder Diode benutzt werden kann. Jedoch hat es bis heute keine erfolgreichen Versuche gegeben, eine Vakuum-Mikroelektronikkammer mit einem Emitter, einem Gitter und einer Anode zur Benutzung als Vakuum-Mikroelektroniktriode oder -diode herzustellen. Insbesondere gab es keine erfolgreichen Versuche, ein Vakuum innerhalb eines Mikroelektronikbauelements dieser Art unter alleiniger Verwendung von Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente abzudichten.
• Diejenigen Versuche, die erfolgreich eine Kathode oder einen Emitter oder sogar ein Gitter produziert haben, benutzen die bereits beschriebene Oxid- und Hochtemperaturmetall- Kombination. Beim Herstellen der Emitter- und Gitterstrukturen in diesen Prozessen ist es notwendig, das Oxid zu entfernen. Das Oxid aber kann im Halbleiterherstellungsprozeß nicht durch isotropes Plasmaätzen entfernt werden. Es muß in einem heißen Naßätzprozeß weggeätzt werden. Merkliche Probleme verbinden sich mit dem Entfernen des Oxids mittels eines Naßätzprozesses. Beispielsweise werden stets Reste des Naßätzmaterials auf dem Emitter und dem Gitter zurückbleiben. Außerdem entfernen die Naßätzprozesse, die das Oxid entfernen, auch das Metall und das selbst bei solchen Metallen, die erst bei hohen Temperaturen schmelzen. Bei Verwendung der Oxid und Hochtemperaturmetall- Verfahren konnte bis jetzt nicht gezeigt werden, daß ein Vakuumabschluß erreicht werden kann. In US-A-5,012,153 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Vakuumfeldeffekttransistors offenbart. Dieses Verfahren beginnt mit der Herstellung eines Stapels von Schichten, in die ein Loch geätzt wird, auf dessen Boden der Emitter hergestellt wird.
• Folglich besteht ein Bedürfnis nach einem Verfahren zur Herstellung von Vakuum-Mikroelektronikbauelementen wie einer Triode oder einer Diode, welches, die Vorteile der Halbleiterprozeßtechnologie beinhaltend, die Vorteile der Vakuumröhrentechnologie wie hohe Leistung und Geschwindigkeit einschließt.
• Es besteht das Bedürfnis nach einem Verfahren zur Herstellung eines Mikroelektronikbauelements, das erfolgreich eine Vakuumkammer auf einem Halbleitersubstrat erzeugt.
• Es besteht ferner das Bedürfnis nach einem Verfahren zur Herstellung eines Vakuum-Mikroelektronikbauelements, das die Probleme mit den Rückständen und die Metallätzprobleme, die mit den bekannten Methoden zur Herstellung eines Emitters und eines Gitters auf einem Halbleitersubstrat verbunden sind, vermeidet.
• Ferner besteht das Bedürfnis nach einem Verfahren zur Herstellung eines Vakuum-Mikroelektronikbauelements, welches in einem einfachen Prozeß eine Vielzahl von Vakuumkammern mit einem Emitter, einem Gitter und einer Anode zur Bildung einer mikroelektronische Triode oder Diode auf einem Halbleitersubstrat erzeugt.
Zusammenfassung der Erfindung
• Gemäß der in Anspruch 1 definierten Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung von Vakuum-Mikroelektronikbauelementen geschaffen, das die Einschränkungen überwindet und die oben erwähnten Bedürfnisse befriedigt. Gemäß einem Gesichtspunkt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Vakuum-Mikroelektronikbauelements auf einem Substratmaterial geschaffen, das als ersten Schritt die Bildung eines isolierenden Dielektrikums auf dem Substrat enthält.
• Auf dem isolierenden Dielektrikum wird ein Elektrodensockel gebildet, der dann mit einem ersten organischen Abstandshalter bedeckt wird. Dieser erste organische Abstandshalter hat eine zylindrische Öffnung, um einen Teil der Elektrode freizulegen. Der nächste Schritt ist das Aufbringen eines Metalls über dem ersten organischen Abstandshalter, so daß das Metall in die Öffnung eintritt, um einen Emitterpunkt in Kontakt mit dem Elektrodensockel zu bilden. Der nächste Schritt ist das Entfernen des Metalls vom ersten organischen Abstandshalter und das Bilden eines zweiten organischen Abstandshalters über dem Emitter und dem Elektrodensockel. Über dem zweiten organischen Abstandshalter wird ein Gittermetall in der Weise angebracht, daß ein Abschnitt des zweiten organischen Abstandshalters über dem Emitter und dem Elektrodensockel freigelegt wird. Dann wird ein dritter organischer Abstandshalter über dem Gittermetall und dem freigelegten Teil des zweiten organischen Abstandshalters gebildet. Als nächstes erfordert das Verfahren das Aufbringen eines Anodenmetalldeckels über dem dritten organischen Abstandshalter.
• Das Anodenmaterial weist mehrere Zugangsöffnungen zum Freilegen des dritten organischen Abstandshalters auf. Der nächste Schritt ist das Entfernen des dritten und zweiten organischen Abstandshalters, die unterhalb des Anodenmaterialdeckels und des Gittermetalls liegen, mittels eines Plasmaätzprozesses, bei dem das Plasma durch die Öffnungen des Anodenmetalldeckels eintritt und den dritten und zweiten organischen Abstandshalter wegätzt, um einen Raum zwischen dem Emitter und dem Elektrodensockel und einen Raum zwischen dem Gitter und dem Anodenmetalldeckel zu schaffen. Danach wird eine Metalldichtung über dem Anodenmetalldeckel angebracht, die die Öffnungen im Anodenmetalldeckel abschließt, um das Vakuum unterhalb der Metalldichtung zu erhalten, wenn das Vakuum-Mikroelektronikbauelement das Vakuum der Prozeß kammer verläßt.
• Ein technischer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß durch sie ein einfaches und effektives Verfahren zur Herstellung eines Vakuum-Mikroelektronikbauelements, das als Triode oder Diode verwendet werden kann, geschaffen wird.
• Ein weiterer technischer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß sie vorhandene Halbleiterprozeßtechnologie verwendet, um vordem nicht verfügbare Mikroelektronikbauelemente herzustellen, welche das Potential besitzen, den Entwicklern elektronischer Komponenten die Leistungs- und Geschwindigkeitsvorteile der Vakuumröhrentechnologie innerhalb eines kleinen, in großen Stückzahlen herstellbaren, Bauelements zurückzugeben.
• Noch ein weiterer technischer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß durch sie nicht nur ein neuartiges Verfahren zur Herstellung von Vakuum-Mikroelektronikbauelementen geschaffen wird, sondern ebenso die Probleme vermieden werden, die mit dem Naßätzen von Oxidmaterial und dem notwendigen Gebrauch von Metallen, die erst bei hohen Temperaturen schmelzen, verbunden sind.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
• Sowohl die Erfindung als auch ihre Gebrauchsarten und weitere Vorteile lassen sich am besten unter Bezugnahme auf die nachfolgende Beschreibung im Hinblick auf die Ausführungsbeispiele verstehen, wenn sie in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen gelesen werden, in denen:
• FIG. 1 eine schematische Seitenansicht eines Bauelements ist, das mittels einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde; und
• FIG. 2-5 fortschreitende Stufen des Verfahrens gemäß der bevorzugten Ausführungform veranschaulichen.
Genaue Beschreibung der Erfindung
• Die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung läßt sich am besten unter Bezugnahme auf die FIG. 1-6 der Zeichnungen verstehen, wobei gleiche Ziffern für gleiche und entsprechende Teile der verschiedenen Zeichnungen verwendet wurden.
• FIG. 1 ist eine schematische Seitenansicht des Bauelements, das gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde. Das Vakuum-Mikroelektronikbauelement 10 kann als Vakuumtriode- oder diode benutzt werden und kann mittels bekannter Halbleiterbauelemente-Herstellungstechnologien auf einem Halbleitersubstrat hergestellt werden. Unter speziellem Hinweis auf das Mikroelektronikbauelement 10 in FIG. 1 erscheint auf dem Substratmaterial 12 das isolierende Dielektrium 14. Das isolierende Dielektrikum 14 trägt den Elektrodensockel 16, auf dem der Emitter 18 befestigt ist. Der Elektrodensockel 16 und der Emitter 18 sind vom Gitter 20 durch den Zwischenraum 21 getrennt. Das Gitter 20 ist vom Anodenmaterial 22 durch den Zwischenraum 24 getrennt. Die Metalldichtung 26, die das Anodenmetall 22 bedeckt, stellt ein Vakuum in den Zwischenräumen 24 und 21 in bezug zum Umgebungsluftdruck 28 her. Sowohl das Anodenmetall 22 und die Metalldichtung 26 als auch das Gitter 20 sind auf dem isolierenden Dielektrikum 14 befestigt. Innerhalb des Zwischenrauins 24 erscheinen zwei kleine Abscheidungen 30 und 32 vom Metall der Metalldichtung 26, die durch die Öffnungen 34 und 36 der Anodenschicht 22 gefallen sind. Es ist zu erkennen, daß die Öffnung 38 des Gittermaterials 20 den Zwischenraum 21 mit dem Zwischenraum 24 verbindet, um die gesamte Vakuumkammer 40 zu bilden.
• FIG. 2-5 veranschaulichen die bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens der Herstellung des Vakuum-Mikroelektronikbauelements 10. Bezugnehmend auf FIG. 2 befinden sich auf dem Substrat 12 und dem isolierenden Dielektrikum 14 ein aufgesputterter Elektrodensockel 16 sowie eine Struktur aus Photoresist 42, die als organischer Abstandshalter fungiert. Der Photoresist 42 schließt Öffnung 44 ein, die eine Weite oder einen Durchmesser besitzt, die ungefähr der Höhe der Photoresistschicht 42 über dem Elektrodensockel 16 entsprechen.
• FIG. 3 veranschaulicht den nächsten Schritt des Verfahrens in der bevorzugten Ausführungsform. Über dem Photoresist 42 und dem isolierenden Dielektrikum 44 wird eine Emittermetallschicht 46 angebracht, die eine Tiefe besitzt, die ungefähr der Weite der Öffnung 44 entspricht. Das Emittermetall 46 über der Öffnung 44 wird sich durch die Öffnung 44 im Photoresist 42 auf dem Elektrodensockel 16 ablagern. Während die Emittermetallschicht 46 an Dicke zunimmt, nimmt die Menge des Metalls, das in die Öffnung 44 tropft in einer konischen Form ab und bildet so den Emitter 18, der eine Höhe hat, die ungefähr dem Abstand zwischen der oberen Fläche des Photoresists 42 und dem Punkt, an dem der Photoresist 42 den Elektrodensockel 16 berührt, entspricht. Danach erfordert das Verfahren der bevorzugten Ausführungsform das Entfernen des Emittermetalls 46 und des Photoresists 42 durch einen üblichen Lift-Off-Prozeß.
• FIG. 4 zeigt den nächsten Schritt bei der Herstellung des Vakuum-Mikroelektronikbauelements in der bevorzugten Ausführungsform. Zuerst wird eine Photoresistschicht 48 über dem Emitter 18 und dem Elektrodensockel 16 auf das isolierenden Dielektrikum 14 aufgebracht. Als nächstes wird das Gittermetallmuster 20 über dem Photoresist 48 in Kontakt mit dem isolierenden Dielektrikum 14 aufgebracht, wobei es die Öffnung 38 über dem Emitter 18 und dem Elektrodensockel 16 aufweist. Der nächste Schritt, in FIG. 5 zu sehen, ist das Aufbringen einer dritten Photoresistschicht 50 über dem Gittermetall 20 und dem Photoresist 48 bei der Öffnung 38. Dieser Photoresist 50 dient als organischer Abstandshalter über dem das Anodenmetall 22 aufgebracht werden kann. Das Anodenmetall 22 wird dann über der Photoresistschicht 50 aufgebracht. Das Anodenmetall 22 enthält die kleinen Öffnungen 34 und 36.
• Hier findet nun ein Plasmaätzprozeß statt, um ein Plasma durch die Öffnungen 34 und 36 einzuführen, das die dritte Photoresistschicht 50 und die zweite Photoresistschicht 48 entfernen soll. Wegen des Vorhandenseins der Öffnung 38 gelangt das Plasma, nachdem es die Photoresistschicht 50 weggeätzt hat, durch die Öffnung 38, um die Photoresistschicht 48 zu entfernen.
• Nachdem der gesamte Photoresist durch den Plasmaätzprozeß entfernt worden ist, erfordert das Verfahren die Abdichtung der verbleibenden Zwischenräume. Betrachtet man erneut FIG. 1, so wird dort das Ergebnis des Abdichtungsschritts gezeigt. Gemäß FIG. 1 ist die Metalldichtung 26 über dem Anodenmetall 22 angeordnet, um die Öffnungen 34 und 36 abzudichten und ein Vakuum im Bereich des Anodenmetalls 22, 24 und im Bereich des Gittermetalls 20, 21 zu erzeugen. Die Metalldichtung 26 hat eine ausreichende Dicke, um den Effekt des Herabtropfens von Metall durch die Öffnungen 34 und 36 zu überwinden und um das Anodenmetall 22 abzuschließen und wirklich abzudichten. Es sei bemerkt, daß aus den Öffnungen 34 und 36 kleine Abscheidungen 30 bzw. 32 von Metalldichtungsmaterial 26 auf das isolierende Dielektrikum 14 fallen. Vorausgesetzt, daß diese Abscheidungen weder das Anodenmetall 22 noch das Gittermetall 20 berühren, sollte daraus keine Beeinträchtigung des Betriebs des mikroelektronischen Bauelements resultieren. Es sei bemerkt, daß die oben erwähnten Schritte, wie bei Halbleiterherstellungsprozessen im allgemeinen üblich, in einer Vakuum-Umgebung durchgeführt werden. Das Vakuum der Umgebung des Prozesses bleibt innerhalb der Zwischenräume 24 und 21 der bevorzugten Ausführungsform aufrechterhalten, wenn das Mikroelektronikbauelement 10 die Prozeßumgebung verläßt. Das ist der hermetischen Verkappung durch die Metalldichtung 26 zu verdanken.
• Bei Anwendung des Verfahrens der bevorzugten Ausführungsform werden die Zwischenräume 24 und 21 viel reiner und weisen weniger Rückstände auf als bei der Verwendung von Oxid-Materialien, die durch einen Naßätzprozeß entfernt werden müssen. Darüberhinaus besteht wegen der Verwendung des organischen Abstandshalters keine Notwendigkeit, Metalle einzusetzen, die erst bei hohen Temperaturen schmelzen und sich für die Oxidbeseitigungsverfahren eignen. Eine Reihe von Metallen, die nicht mit dem Plasma reagieren, das die organischen Abstandshalter 48 und 50 wegätzt, kann verwendet werden. Das macht den Herstellungsprozeß des Vakuum-Mikroelektronikbauelements 10 viel einfacher als bei der Verwendung von Oxid-Abstandshalter-Verfahren. Außerdem wird der Dichtungseffekt ausgenutzt, wenn die Metalldichtung 26 über das Anodenmetall 22 gelegt wird. Folglich erlaubt das Verfahren in der bevorzugten Ausführungsform die Herstellung von Vakuum-Mikroelektronikbauelementen unter Verwendung der verfügbaren Herstellungstechnologie für Halbleiterbauelemente.
• Unter Verwendung des Verfahrens der bevorzugten Ausführungsform ist es möglich, eine Vakuumdichtung zu erzeugen, ohne daß eine Dichtungsmetall oder Dichtungsmaterial mechanisch darüber angebracht werden muß. Das ist das einzige bisher verwendete Verfahren, ein Gitter und eine Emitterstruktur abzudichten, um eine mikroelektronische Triode oder Diode zu erzeugen. Im Gegensatz dazu findet die vorliegende Erfindung vollkommen wie ein Herstellungsprozeß für Halbleiterbauelemente statt und erfordert nicht die äußere oder mechanische Überdeckung mit einem Dichtungsmetall. Das schließt jede Form der Justierung oder andere Fehler aus, die bei der äußeren oder mechanichen Verbindung des Dichtungsmaterials auftreten können.
• Das Substrat 12 kann irgendeine Art von Siliziummaterial sein, wie es typischerweise für die Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, z. B. Siliziumdioxid. Das isolierende Dielektrikum 14 kann irgendeine Art von isolierendem Dielektrikum sein, die im Einklang mit den Zwecken der vorliegenden Erfindung steht. Der Elektrodensockel der bevorzugten Ausführungsform ist aus Wolfram. Der Grund dafür sind dessen Festigkeit und die Fähigkeit, hohen elektrischen Potentialen zu widerstehen, wie sie an den Emitter 18 angelegt sind. Aber alle schwer schmelzenden Metalle wie Molybdän oder Nickel, die eine ausreichende Festigkeit und Fähigkeit besitzen, den elektrischen Potentialen zu widerstehen, können verwendet werden. Für den Photoresist oder die organischen Abstandshalter 42, 48 und 50 kann Material, das für das Plasmaätzen geeignet ist und aus der Technologie der Bauelemente mit verformbaren Spiegelelemente bekannt ist, für die vorliegende Erfindung verwendet werden. Der Photoresist ist ein kunststoffartiges Material, das für das Plasmaätzen von Halbleiterbauelementprozessen geeignet ist.
• Anstelle der Anordnung von FIG. 3 kann es wünschenswert sein, eine kontinuierliche Schicht des Photoresists 42 zu bilden, die die sich über die ganze Oberfläche des isolierenden Dielektrikums 14 erstreckende Öffnung 44 enthält, und anstelle der erhöhten Struktur der Metallschicht 46 eine kontinuierliche Metallschicht über die kontinuierliche Schicht aus Photoresist zu legen, um so wie bisher den Emitter 18 zu bilden, aber in einem einzigen Ablösungsschritt das Entfernen sowohl der Photoresistschicht 42 als auch der Metallschicht 46 zu ermöglichen und auf dem isolierenden Dielektrikum 14 den Elektrodensockel 16 und den Emitter 18 zurückzulassen. Danach kann, wie in FIG. 4 gezeigt ist, der Photoresist 48 über dem Emitter 18 und dem Elektrodensockel 16 aufgebracht werden.
• Anstatt die Zugangsöffnungen 34 und 36 vorzusehen, kann es möglich sein, das Anodenmetall 22 so herzustellen, daß ein Teil des Anodenmetalls 22 in einiger Entfernung vom Gittermetall 20 den Photoresist 50 nicht bedeckt. Bei solch einer Anordnung wäre es allerdings notwendig, eine ausreichende konstruktive Unterstützung sicherzustellen, um das Anodenmaterial 22 nach der Entfernung des Photoresists 50 in der gleichen Form zu erhalten. Wenn das Anodenmaterial so geformt werden soll, daß zwar die Öffnungen 34 und 36 nicht existieren, aber immer noch ein Zugang zum Photoresist 50 vorhanden ist, kann der Plasmaätzprozeß auf alle Fälle stattfinden, um anschließend den Photoresist 50 und den Photoresist 48 zu entfernen. Danach könnte natürlich die Metalldichtung 26 benutzt werden, um das Anodenmetall 22 vollständig abzudichten.
• In der bevorzugten Ausführungsform des Vakuum-Mikroelektronikbauelements 10 sind die Abmessungen für die verschiedenen Schichten die folgenden: der Elektrodensockel 16, das Gittermetall 20, das Anodenmetall 22 und die Metalldichtung 26 sollten alle jeweils eine Dicke von ungefähr einem Mikrometer haben. Der Emitter 18 hat eine Höhe von ungefähr einem Mikrometer und die Öffnung 38 eine Weite zwischen einem und zwei Mikrometern. Der Abstand vom isolierenden Dielektrikum 14 zur inneren Seite der Gitterelektrode 20 sollte zwischen zwei und drei Mikrometern liegen, während der Abstand vom isolierenden Dielektrikum 14 zur inneren Seite des Anodenmetalls 22 ungefähr 4 bis 5 Mikrometer betragen sollte. Der Durchmesser der Öffnungen 34 und 36 sollte so schmal wie möglich sein und ungefähr 0.5 Mikrometer betragen.
• Die strukturellen Eigenschaften der verschiedenen Materialien für das Vakuum-Mikroelektronikbauelement 10 sollten ebenso betrachtet werden wie die elektrischen Eigenschaften des Emitters 18, des Gitters 20 und der Anode 22. Darüber hinaus können die Erfordernisse für die Anschlußdrähte zu jedem dieser Elemente die Größe eines jeden Elements innerhalb des Vakuum-Mikroelektronikbauelements 10 bestimmen.
• Obwohl die Erfindung mit Hinweis auf die oben erwähnte spezifische Ausführungsform beschrieben wurde, soll diese Beschreibung nicht in einem beschränkenden Sinne ausgelegt werden. Sowohl verschiedene Abwandlungen der offenbarten Ausführungsform als auch verschiedene Ausführungsformen der Erfindung werden für Fachleute auf diesem Gebiet mit Bezug auf die obige Beschreibung offenkundig werden.

Claims (8)

1. Verfahren zum Aufbauen eines Vakuum-Mikroelektronikbauelements (10) auf einem Substratsockel aus Substratmaterial (12) und einem isolierenden Dielektrikum (14), enthaltend die Schritte:

Bilden eines Elektrodensockels (16) auf dem isolierenden Dielektrikum (14);

Bedecken des Elektrodensockels (16) mit einem ersten organischen Abstandshalter (42), wobei der erste organische Abstandshalter (42) eine Öffnung (44) zum Freilegen eines Abschnitts des Elektrodensockels (16) aufweist;

Aufbringen eines Metalls (46) über dem ersten organischen Abstandshalter (42), so daß das Metall (46) in die Öffnung (44) eintritt, um einen Emitterpunkt (18) in Kontakt mit dem Elektrodensockel (16) zu bilden;

Entfernen des Metalls (46) und des ersten organischen Abstandshalters (42) in der Weise, daß nur das Metall, das nur an dem ersten organischen Abstandshalter (42) haftet, entfernt wird, wobei das Metall, das mit dem Elektrodensockel (46) in Kontakt steht, zurückbleibt;

Bilden eines zweiten organischen Abstandshalters (48) über dem Emitter (18) und dem Elektrodensockel (16); Aufbringen eines Gittermetalls (20) über dem zweiten organischen Abstandshalter (48) in der Weise, daß ein Abschnitt des zweiten organischen Abstandshalters (48) über dem Emitter (18) und dem Elektrodensockel (16) freigelegt wird;

Bilden eines dritten organischen Abstandshalters (50) über dem Gittermetall (20) in dem freigelegten zweiten organischen Abstandshalter (48); Aufbringen eines Anodenmetalls (22) über dem dritten organischen Abstandshalter (50), wobei das Anodenmetall (22) mehrere Zugangsöffnungen (34, 36) zum Freilegen des dritten organischen Abstandshalters (50) aufweist;

Entfernen des dritten und des zweiten organischen Abstandshalters (50, 48) aus dem Bereich innerhalb des Anodenmetalls (22) und des Gittermetalls (20), damit ein Raum zwischen dem Anodenmetall (22) und dem Gittermetall (20) und zwischen dem Gittermetall (20) und dem Emitter (18) gebildet wird; und

Abdichten der Zugangsöffnungen (34, 36) mit einer Metalldichtung (26).

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem der Schritt des Bildens des Elektrodensockels den Schritt des Aufstäubens des Elektrodensockels (16) auf dem Substratsockel umfaßt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem der Schritt des Überziehens des Elektrodensockels den Schritt des Anbringens einer Beschichtung aus Photoresist auf dem Elektrodensockel (16) umfaßt.

4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei welchem der Schritt des Entfernens von Metall den Schritt des Abätzens des Metalls (46) von dem Substrat umfaßt.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei welchem der Schritt des Aufbringens des Gittermetalls den Schritt des Aufstäubens des Gittermetalls (20) auf den zweiten organischen Abstandshalter (48) umfaßt.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei welchem der Schritt zur Bildung des dritten organischen Abstandshalters den Schritt des Anbringens einer Schicht aus Photoresist auf dem Gittermetall (20) umfaßt.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei welchem der Schritt des Aufbringens der Anode den Schritt des Aufstäubens des Anodenmetalls (22) auf den dritten organischen Abstandshalter (50) umfaßt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei welchem der Schritt zum Entfernen des dritten und des zweiten organischen Abstandshalters den Schritt des Abätzens des dritten und des zweiten organischen Abstandshalters (50, 48) umfaßt.