KR930003416A - 저용량 2중 확산형 전계효과 트랜지스터 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

저용량 2중 확산형 전계효과 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 DMOSFET 실시예의 주요부분에서 확대된 단면도,
제2도는 제1도의 DMOSFET에 해당하는 회로도,
제3도는 본 발명에 따른 또다른 DMOSFET 실시예의 주요부분에서 확대된 단면도.

Claims (10)

  1. 두개의 주요표면을 갖는 제1도전형 반도체기판, 상기 반도체 기판의 상기 주요표면중의 하나위에 제공되고 드레인 단자에 접속되는 드레인 전극, 상기 반도체 기판의 상기 주요표면중의 나머지 하나에서 2중 확산수단에 의해 각각 형성된 상기 제1도전형의 소오스 영 역 및 제2도전형의 웰영역, 상기 웰 영역의 표면영역에서 상기 반도체 기판의 제1도전형 반도체 대역과 상기 소오스 영역사이에 있도록 규정되는 채널 영역, 상기 채널영역위로 절연막이 각각 제공되는 게이트 전극들, 및 상기 채널영역위로 절연막이 각각 제공되는 게이트 전극들, 및 상기 채널 영역을 포함하는 상기 웰 영역 외부에 있도록 상기 제1도전형 반도체 대역에 위치하는 상기 제2도전형의 가이드링 영역을 구비하며, 상기 소오스 영역에는 그위에 소오스 단자에 접속되는 소오스 전극이 제공되며, 상기 게이트 전극은 적어도 용량 성분수단을 통해 게이트 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 저 출력-용량 2중 확산형 전계 효과 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가아드링 영역이 또다른 용량 성분 수단을 통해서 상기 소오스 전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 용량 성분수단이 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  4. 제3항에 있어서, 상기 다이오드는 역병렬 관계로 상호 접속된 왕으로 제공되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  5. 제3항에 있어서, 상기 다이오드가 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  6. 제2항에 있어서, 상기 용량성분수단 및 또 다른 상기 용량성분수단 각각은 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  7. 제6항에 있어서, 상기 각 용량성분수단의 상기 각 다이오드가 역 병렬 관계로 상호 접속된 쌍으로 제공되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  8. 제6항에 있어서, 상기 다이오드들이 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  9. 입력신호를 수신하면 광신호를 발생하는 발광수단, 상기 발광수단으로부터 방사된 상기 광신호를 수신하면 광기전력을 발생하는 광기전력수단, 상기 광기전력 수단에 접속되고 게이트 단자를 갖는 파워 DMOSFET, 및 상기 게이트단자에 가해진 상기 광기전력에 따라서 제1임피던스 상태로 부터 제2임피던스 상태로 상기 파워 DMOSFET를 구동하기 위한 수단을 구비하며, 상기 파워 DMOSFET는 두개의 주요표면을 갖는 제1도전형 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상기 주요표면의 한면위에 제공되고 드레인 단자에 접속된 드레인 전극, 상기 반도체기판의 상기 주요표면의 나머지 면에서 2중 확산수단에 의해 각각 형성되는 제2도전형의 웰 영역 및 상기 제1도전형의 소오스 영역, 상기 웰영역의 표면영역에서 상기 반도체 기판의 제1도전형 반도체 대역과 상기 소오스 영역 사이에 있도록 규정되는 채널 영역, 상기 채널영역위로 절연막이 각각 제공되는 게이트 전극들, 및 상기 제1도전형 반도체 대역에서 상기 채널영역을 포함하는 상기 웰영역 외부에 있도록 위치된 상기 제2도전형의 가아드링 영역을 구비하며, 상기 소오스영역에는 그 위에 소오스 단자에 접속된 소오스 전극이 제공되고, 상기 게이트 전극은 제1용량 성분수단을 통해 상기 게이트단자에 접속되며, 상기 가아드링 영역은 제2용량성분수단을 통해서 상기 소오스 영역에 접속되는 것을 특징으로 하는 고체 릴레이.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복수의 파워 DMOSFET는 상기 소오스 단자와 직렬로 접속될때 공통이 되도록 제공되는 것을 특징으로 하는 릴레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012367A 1991-07-12 1992-07-11 저출력-용량 2중 확산형 전계효과 트랜지스터 KR960006107B1 (ko)

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