KR900002449A - 반도체 소자의 콘택 배선방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 배선방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 (A)-(H)는 본 발명의 콘택 배선방법을 설명하기 위한 각 공정별 수직 단면도이다.
Claims (1)
- 산화막(2)이 형성된 실리콘기판(1)에 콘택을 내고, 상기 콘택내에서 폴리실리콘(4)을 데포지션하여 콘택의 단차를 줄이기 위한 통상의 공정 이후 기판 전면에 티타늄(5)을 데포지션하고 금속열처리로 상기 폴리실리콘(4)을 티타늄 실리사이드(6)화 하는 공정과, 상기 티타늄(5)을 제거하고 금속(7)을 데포지션하는 공정과로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 배선방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880008950A KR900002449A (ko) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 반도체 소자의 콘택 배선방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880008950A KR900002449A (ko) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 반도체 소자의 콘택 배선방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900002449A true KR900002449A (ko) | 1990-02-28 |
Family
ID=68233604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880008950A KR900002449A (ko) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 반도체 소자의 콘택 배선방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900002449A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463597B1 (ko) * | 1997-09-29 | 2005-02-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
| KR100503663B1 (ko) * | 2001-06-08 | 2005-07-25 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
-
1988
- 1988-07-18 KR KR1019880008950A patent/KR900002449A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463597B1 (ko) * | 1997-09-29 | 2005-02-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
| KR100503663B1 (ko) * | 2001-06-08 | 2005-07-25 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 듀플렉서 및 통신 장치 |
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