KR920010656A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR920010656A
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가즈오 시바따
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세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 및 제5도는 본 발명에 따른 제1 및 제2양호한 실시예의 반도체 메모리 장치를 보여주는 회로 다이어그램.

Claims (4)

  1. 반도체 메모리 장치에 있어서, 절연체를 샌드위치하는 제1 및 제2전극을 각각 갖고 있는 용량성 메모리셀, 상기 제1전극은 1비트의 저장된 정보를 축적하고 상기 제2전극은 통상의 "기록" 및 "읽음" 작업시 소정 전압으로 정해진다. 테스트 모드 지시 신호를 수신함에 의한 테스트 작업시 상기 제2전극에 전원 전압 "Vcc", 중간 전압 "1/2Vcc" 및 접지 레벨 전압으로부터 선택된 전압을 인가하기 위한 전압 인가 회로; 및 상기 테스트 작업동안 상기 통상의 "기록" 및 "읽음"작업을 실행하기 위한 작업 실행 회로-이 회로는 상기 테스트 모드 지시 신호를 상기 통상의 "기록" 및 "읽음"동작의 지시 신호로 변환시킨다-를 구비하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전압 인가 회로는 상기 테스트 모드 지시 신호의 변화 레벨을 검출하기 위한 고전압 결정 회로를 포함하며, 상기 전원 전압 "Vcc", 상기 중간 전압 "1/2Vcc" 및 상기 접지 레벨 전압중 하나는 상기 변화 레벨에 따라서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 테스트 모드 신호는 상기 전원 전압 "Vcc"보다 큰 전압의 신호이며 상기 반도체 메모리 장치의 외부 신호 입력 핀들로부터 선택된 입력 핀에 인가되며, 상기 외부 신호 입력핀들에는 상기 전원 전압 "Vcc"와 상기 접지 레벨 전압중 하나가 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, CBR(-Before-) 동작이 실행되는지 그렇지 아닌지를 결정하는 CBR 결정 회로, 및 상기 CBR 결정 회로로부터 공급된 결정 신호를 수신하므로써 상기 테스트 모드 지시 신호의 한 레벨에 따라서 출력 신호가 "하이" 또는 "로우"가 되게 제어하는 출력 제어 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910021485A 1990-11-30 1991-11-28 반도체 메모리 장치 KR960005368B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480568B1 (ko) * 1997-10-27 2005-09-30 삼성전자주식회사 고전압검출부,및이를구비한반도체메모리장치와반도체메모리장치의모드구별방법

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0612896A (ja) * 1992-04-28 1994-01-21 Nec Corp 半導体記憶装置
JPH0612878A (ja) * 1992-06-25 1994-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
KR950003014B1 (ko) * 1992-07-31 1995-03-29 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치의 번-인 테스트회로 및 번-인 테스트방법
US6587978B1 (en) 1994-02-14 2003-07-01 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a pulse width of an internal control signal during a test mode
US5831918A (en) * 1994-02-14 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode
US5568435A (en) * 1995-04-12 1996-10-22 Micron Technology, Inc. Circuit for SRAM test mode isolated bitline modulation
US5991214A (en) * 1996-06-14 1999-11-23 Micron Technology, Inc. Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode
CA2317981A1 (en) 1999-09-14 2001-03-14 Jennmar Corporation Grit surface cable products
KR100542695B1 (ko) * 2003-11-13 2006-01-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 테스트 모드 회로
KR102246878B1 (ko) * 2014-05-29 2021-04-30 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 및 이를 포함하는 메모리 시스템

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53145431A (en) * 1977-05-24 1978-12-18 Fujitsu Ltd Test method for memory
JPS62250593A (ja) * 1986-04-23 1987-10-31 Hitachi Ltd ダイナミツク型ｒａｍ
JPS6337894A (ja) * 1986-07-30 1988-02-18 Mitsubishi Electric Corp ランダムアクセスメモリ
US5051995A (en) * 1988-03-14 1991-09-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device having a test mode setting circuit
JPH0748318B2 (ja) * 1988-03-14 1995-05-24 三菱電機株式会社 半導体記憶回路およびそのテスト方法
JPH02146175A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Nec Corp メモリセル対極電圧供給回路
JPH02255925A (ja) * 1988-11-30 1990-10-16 Hitachi Ltd メモリテスト方法および装置
JPH02177194A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Mitsubishi Electric Corp ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
JPH02197163A (ja) * 1989-01-26 1990-08-03 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体記憶装置
JPH07105160B2 (ja) * 1989-05-20 1995-11-13 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
JPH0322300A (ja) * 1989-06-16 1991-01-30 Matsushita Electron Corp 半導体記憶装置
US5134587A (en) * 1990-08-17 1992-07-28 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Semiconductor memory with automatic test mode exit on chip enable

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100480568B1 (ko) * 1997-10-27 2005-09-30 삼성전자주식회사 고전압검출부,및이를구비한반도체메모리장치와반도체메모리장치의모드구별방법

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Publication number Publication date
US5208777A (en) 1993-05-04
KR960005368B1 (ko) 1996-04-24
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EP0488425B1 (en) 1997-03-05
EP0488425A1 (en) 1992-06-03
DE69124940D1 (de) 1997-04-10
JP3050326B2 (ja) 2000-06-12
JPH04209388A (ja) 1992-07-30

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