KR910001203A - 방사선 감지 반도체 디바이스 - Google Patents

방사선 감지 반도체 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR910001203A
KR910001203A KR1019900009447A KR900009447A KR910001203A KR 910001203 A KR910001203 A KR 910001203A KR 1019900009447 A KR1019900009447 A KR 1019900009447A KR 900009447 A KR900009447 A KR 900009447A KR 910001203 A KR910001203 A KR 910001203A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
region
radiation sensing
additional
regions
Prior art date
Application number
KR1019900009447A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100199528B1 (ko
Inventor
페트루스 마리아 비에르호프 마르티누스
Original Assignee
프레드릭 얀 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파르리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프레드릭 얀 스미트, 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파르리켄 filed Critical 프레드릭 얀 스미트
Publication of KR910001203A publication Critical patent/KR910001203A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100199528B1 publication Critical patent/KR100199528B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/13—Optical detectors therefor
    • G11B7/131—Arrangement of detectors in a multiple array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02024—Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

내용없음

Description

방사선 감지 반도체 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방사선 감지 반도체 디바이스의 실시예인 제2도면에서, Ⅰ-Ⅰ선을 취해 절단한 단면도,
제2도는 제1도의 방사선 감지 반도체 디바이스의 평면도,
제3도는 제1도의 방사선 감지 반도체 디바이스가 내장된, 광학 기록 시스템용 증폭기의 개략도.

Claims (15)

  1. 반도체 본체 표면의 한 측면과 인접한 제1전도형의 제1반도체 영역과, 반도체 본체내에서 상기 표면과 일정거리 이격되어 평행을 이루는, 제1전도형과 극성이 반대이고 제2반도체 영역과 pn접합부를 형성하는 제2전도형의 제2반도체 영역을 갖는 반도체 본체를 구비한 방사선 감지 반도체 디바이스에 있어서, 제1반도체 본체 영역내에는, 투시적 관점에서, 적어도 2개의 추가 영역이 존재하며, 추가 영역들은 표면에 위치하고, 각 영역은 제1pn접합부와의 거리보다 작은 거리로 이격되어 표면과 평행을 이루면서 제1반도체 영역과 추가 pn접합부를 형성하며, 또한 추가 영역들은 제1반도체 영역과 같이, 측정가능한 전류 수단에 의해서 판독부재와 연결되는 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 제1반도체 영역에는 4개의 추가 영역에 존재하며, 상기 추가 영역들은 표면에 위치하고, 또한 각 추가 영역은 제1반도체 영역의 4분원내에 배열되는 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 추가 영역들은 제2전도형의 반도체 영역들이며, 상기 반도체 영역들은 제1반도체 영역안으로 표면 두께의 일부분이 함몰된 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 추가 영역들의 상대적 거리는 미소하여, 일반 차단 전압 상태에서 공핍 영역들은 표면에서 서로 접속되는 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 추가 영역들의 상대적 거리는 최대 5㎛인 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  6. 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 표면으로부터 제1pn접합부의 거리는 측정된 전자계의 수직 깊이와 최소한 동일하며, 표면으로부터 추가 pn접합부의 거리는 상기 수직 깊이에 대해서 미소하며, 반면에 반도체 영역들의 상기 거리와 도핑 농도가 선택되어서, pn접합부 양단의 일반 차단 전압 상태에서 상기 거리의 상당 부분에 걸쳐 공핍되는 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  7. 제6항에 있어서, 방사선 감지 반도체 디바이스는 전자계를 검출하는데 적합하고, 전자계의 파장은약 700nm 내지 900nm이며, 반도체 본체는 실리콘으로 구성되며, 표면으로부터 제1pn접합부로부터의 거리는 적어도 5㎛ 내지 15㎛이며, 표면으로부터 추가 pn접합부의 거리는 약 0.5㎛ 내지 3㎛인 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  8. 제7항에 있어서, 상기 방사선 감지 반도체 디바이스는 파장이 약 800㎛인 전자계를 검출하는데 적합하며, 표면으로 부터 제1pn접합부의 거리는 약 8㎛이며, 표면으로 부터 추가 pn접합부의 거리는 약 2㎛인 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  9. 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 제1반도체 영역은 제1전도형의 에피텍셜층 부분을 형성하고, 에피텍셜층은 제2전도형의 반도체 기판상에 부착되며, 반도체 기판내에 제2전도형의 제3반도체 영역이 존재하며, 제3반도체 영역은 표면으로부터 함몰되어서 반도체 기판까지 도달되어서 투시적으로 제1반도체 영역을 포괄하는 반면, 추가 영역들은 표면으로부터 함몰된 반도체 영역인 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  10. 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 표면에 위치한 그밖의 영역들은 제1전도형의 다른 반도체 영역내에서 제1반도체 영역의 외부에 위치하며, 제1반도체 영역은 제1pn 접합부 보다 짧은 거리로 이격되어 표면과 평행을 이루는 반도체 본체내에서 상기 그밖의 영역과 pn접합부를 형성하며, 측정된 전류에 의하여 추가 판독부재에 연결되는 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  11. 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 제1반도체 영역은 n전도형인 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  12. 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 제1반도체 영역, 추가 영역 또는 그밖의 영역에 접속된 반도체 부재내의 전류용 증폭기는 반도체 본체내에 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  13. 제12항에 있어서, 추가 영역 또는 그밖의 영역에 접속된 반도체 부재내의 전류용 증폭기는 B급 증폭기인 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 제1반도체 영역에 접속된 판독부재내의 전류용 증폭기는 대역 증폭기인 것을 특징으로 하는 방사선 감지 반도체 디바이스.
  15. 광기록 시스템에서 정보의 판독 또는 기록용 판독 또는 기록 장치에 있어서, 상기 장치는 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 청구된 바와같이 판독 또는 기록 장치에 있어서, 상기 장치는 선행항중의 어느 한 항에서 청구된 바와같이 방사선 감지 반도체 디바이스를 구비한 것을 특징으로 하는 판독 기록 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900009447A 1989-06-28 1990-06-26 방사 감응성 반도체 장치 KR100199528B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8901629A NL8901629A (nl) 1989-06-28 1989-06-28 Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting en uitlees- of schrijfeenheid bevattende een dergelijke stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting.
NL8901629 1989-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910001203A true KR910001203A (ko) 1991-01-30
KR100199528B1 KR100199528B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19854915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900009447A KR100199528B1 (ko) 1989-06-28 1990-06-26 방사 감응성 반도체 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5097307A (ko)
EP (1) EP0405670B1 (ko)
JP (1) JP3060233B2 (ko)
KR (1) KR100199528B1 (ko)
DE (1) DE69021956T2 (ko)
NL (1) NL8901629A (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2705326B2 (ja) * 1991-02-19 1998-01-28 日本電気株式会社 光磁気ヘッド装置
US5289015A (en) * 1991-04-25 1994-02-22 At&T Bell Laboratories Planar fet-seed integrated circuits
JP2793085B2 (ja) * 1992-06-25 1998-09-03 三洋電機株式会社 光半導体装置とその製造方法
JP2731115B2 (ja) * 1994-07-14 1998-03-25 シャープ株式会社 分割型受光素子
JP2828244B2 (ja) * 1995-09-26 1998-11-25 シャープ株式会社 受光素子
TW423103B (en) * 1997-01-27 2001-02-21 Sharp Kk Divided photodiode
DE10223202A1 (de) 2002-05-24 2003-12-11 Fraunhofer Ges Forschung Photodiode
DE10223201C1 (de) 2002-05-24 2003-05-28 Fraunhofer Ges Forschung Optikerfassungsvorrichtung
CN1708862A (zh) * 2002-11-07 2005-12-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 上下倒置的光电检测器
JP5967944B2 (ja) * 2012-01-18 2016-08-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3786264A (en) * 1973-01-02 1974-01-15 Gen Electric High speed light detector amplifier
NL8003906A (nl) * 1980-07-07 1982-02-01 Philips Nv Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting.
JPH0633537Y2 (ja) * 1984-06-30 1994-08-31 ソニ−株式会社 感光性半導体装置
JPS61154063A (ja) * 1984-12-26 1986-07-12 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
NL8500059A (nl) * 1985-01-11 1986-08-01 Philips Nv Inrichting voor het weergeven van informatie van een optisch uitleesbare registratiedrager.
NL8601719A (nl) * 1986-07-02 1988-02-01 Philips Nv Electronisch instelbare positiegevoelige stralingsdetector, focusfoutdetectiestelsel voorzien van een dergelijke stralingsdetector, en optische lees- en/of schrijfinrichting voorzien van een dergelijk focusfoutdetectiestelsel.
JP2757985B2 (ja) * 1986-10-01 1998-05-25 ソニー株式会社 受光装置とその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
NL8901629A (nl) 1991-01-16
US5097307A (en) 1992-03-17
JP3060233B2 (ja) 2000-07-10
EP0405670B1 (en) 1995-08-30
DE69021956D1 (de) 1995-10-05
DE69021956T2 (de) 1996-04-18
EP0405670A1 (en) 1991-01-02
JPH0335559A (ja) 1991-02-15
KR100199528B1 (ko) 1999-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910001203A (ko) 방사선 감지 반도체 디바이스
KR920010983A (ko) 전기 광학 감지기 어레이
FR2510260A1 (fr) Dispositif semiconducteur sensible aux ions
KR910003846A (ko) 열 이미징 시스템용 폴리이미드 열 분리 메사
KR880010335A (ko) 반도체 방사선 검출기
KR860003526A (ko) 광전자식 포커싱 오차 검출 시스템
KR860009498A (ko) 반도체 장치
US3351493A (en) Diffused radiation tracking transducer having a lateral photo voltage junction
KR880003430A (ko) 방사선용 영상탐지 장치 제조방법
TW399333B (en) Light-receiving element
US4146904A (en) Radiation detector
KR930024198A (ko) 광위치검출 반도체장치
JP5271104B2 (ja) リニアイメージセンサ
KR850004002A (ko) 블루밍현상이 없는 영상감지기장치 및 그 제조방법
US4533898A (en) Symmetrical temperature sensor
US5298776A (en) CCD line sensor
US4973935A (en) Infrared detector
JP3008210B2 (ja) アレイ型サーモパイルを用いた速度検出装置及び大きさ測定装置
US4924297A (en) Semiconductor device package structure
WO1990012423A1 (en) Image sensor
DK1145009T3 (da) Fremgangsmåde til påvisning af analytter i en målepröve samt målebærer derfor
SU1272199A1 (ru) Датчик дл определени аммиака в газовой среде
RU96119669A (ru) Лавинный детектор
JP3364989B2 (ja) 分割光センサ−用アバランシェフォトダイオ−ド
KR950007039A (ko) 전하검출소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee