RU96119669A - Лавинный детектор - Google Patents
Лавинный детекторInfo
- Publication number
- RU96119669A RU96119669A RU96119669/25A RU96119669A RU96119669A RU 96119669 A RU96119669 A RU 96119669A RU 96119669/25 A RU96119669/25 A RU 96119669/25A RU 96119669 A RU96119669 A RU 96119669A RU 96119669 A RU96119669 A RU 96119669A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor
- semiconductor regions
- separated
- avalanche detector
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 7
Claims (1)
- Лавинный детектор, включающий полупроводниковую подложку, на поверхности которой расположены полупроводниковые области противоположного подложке типа проводимости и полевой электрод, отделенный от подложки буферным слоем, отличающийся тем, что полупроводниковые области отделены от подложки полупроводниковыми слоями с пониженной по отношению к полупроводниковым областям проводимостью, образующими с подложкой p-n-переход, причем упомянутые полупроводниковые области соединены с полевым электродом через пленочный резистор, отделенный от полупроводниковых слоев буферным слоем, а на границе полупроводниковых слоев с подложкой выполнены дополнительные полупроводниковые области с повышенной по отношению к подложке проводимостью.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96119669/25A RU2102820C1 (ru) | 1996-10-10 | 1996-10-10 | Лавинный детектор |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU96119669/25A RU2102820C1 (ru) | 1996-10-10 | 1996-10-10 | Лавинный детектор |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2102820C1 RU2102820C1 (ru) | 1998-01-20 |
| RU96119669A true RU96119669A (ru) | 1998-03-27 |
Family
ID=20186185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96119669/25A RU2102820C1 (ru) | 1996-10-10 | 1996-10-10 | Лавинный детектор |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2102820C1 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101648023B1 (ko) | 2010-12-21 | 2016-08-12 | 한국전자통신연구원 | 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어 |
| US8871557B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-10-28 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Photomultiplier and manufacturing method thereof |
| CN105765737B (zh) * | 2013-08-13 | 2017-05-31 | 泽克泰克光子学有限公司 | 多像素雪崩光电二极管 |
| RU2650417C1 (ru) * | 2017-04-25 | 2018-04-13 | Зираддин Ягуб оглы Садыгов | Полупроводниковый лавинный фотоприемник |
-
1996
- 1996-10-10 RU RU96119669/25A patent/RU2102820C1/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1999000849A3 (en) | SiC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A PN-JUNCTION AND A JUNCTION TERMINATION EXTENTION | |
| EP0834925A3 (en) | Circuit-integrating light-receiving element | |
| EP0854516A3 (en) | Partially pinned photodiode for solid state image sensors | |
| FR2434485A1 (fr) | Configuration de contact enfoui pour circuits integres cmos/sos | |
| ATE334480T1 (de) | Hochspannungs-halbleiterbauelement | |
| KR920015588A (ko) | 광 반도체장치 | |
| EP0908956A3 (en) | Photoelectric conversion apparatus and image sensor | |
| KR910019269A (ko) | 반도체 수광소자 | |
| CA2050435A1 (en) | Photo-sensing device | |
| RU96119670A (ru) | Лавинный фотодиод | |
| KR900002478A (ko) | Ccd 영상기 | |
| RU96119669A (ru) | Лавинный детектор | |
| EP1076364A3 (en) | Power semiconductor device | |
| KR970018753A (ko) | 수광소자 | |
| KR900017129A (ko) | 반도체 소자용 배면 금속화 스킴(scheme) 및 그의 제조 방법 | |
| EP1172865A3 (en) | Semiconductor photosensitive device | |
| KR880009450A (ko) | 고체촬상 장치 | |
| KR960009207A (ko) | 포토 다이오드 내장 반도체 장치 | |
| EP1115161A4 (en) | SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR | |
| EP1566841A4 (en) | SOLID STATE IMAGING DEVICE AND RADIATION IMAGING SYSTEM | |
| KR970008640A (ko) | 반도체 장치 | |
| JPS5766666A (en) | Solid state image pickup device | |
| EP0419624A1 (en) | Image sensor | |
| RU96110910A (ru) | Лавинный фотоприемник | |
| JPS5752275A (en) | Solid image pickup element |