KR850004002A - 블루밍현상이 없는 영상감지기장치 및 그 제조방법 - Google Patents
블루밍현상이 없는 영상감지기장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 영상감지기 장치의 실시예에 대한 개략적인 설계도,
제2도는 제1도의 영상감지기 장치에서 선Ⅱ-Ⅱ을 따라 절취한 단면도,
제3도는 제1도의 영상감지기 장치에서 선Ⅲ-Ⅲ를 따라 절취한 단면도.
Claims (6)
- 제1도전성형의 반도체 기판을 구비하고 있으며, 이 기판은 전하가 집속되어 이동되는 동작중 표면상에 존재하는 전극시스템에 직각방향으로 향하고 제2반대도전성형의 표면 진접 채널분리영역에 의해, 상호 분리되고 또한 표면과 실제로 평행으로 연장하는 제2전도율형의 반도체 영역에 인접하는 제1도전성형의 다수의 표면인접채널 영역을 갖는 영상감지기 장치에 있어서, 채널영역은 반도체 영역의 도핑농도를 초과하는 도핑농도를 갖고 반도체 영역의 도핑농도는 반도체 기판의 도핑농도를 초구하고, 반도체 영역은 채널영역과 직각방향으로 채널영역의 중심에서 최소한의 변화를 하는 두께를 갖는것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치.
- 제1항의 영상감지기 장치에 있어서, 반도체 영역은 채널영역의 중심에서 차단되어 이 면적에서 슬롯을 나타내는 것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치.
- 제2항의 영상감지기 장치에 있어서, 슬롯은 채널영역과 직각방향으로 채널분리 영역바로 옆에서 측정된 반도체 영역두께의 절반을 초과하는 면적을 갖는것을 특징으로 하는 불루밍 현상이 없는 영상감지기 장치.
- 제1,2 또는 3항의 영상감지기 장치에 있어서, 채널분리 영역은 채널분리 영역과 직각방향으로 채널분리 영역 바로옆에서 측정된 채널영역 두께의 4배보다 적은 면적을 갖는것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치.
- 선행된 항중 어느한항에 따른 영상감지기 장치 제조방법에 있어서, 제2도전성형의 영역은 제1도전성형의 반도체 기판에서 제1마스킹을 통하는 불순물의 확산에 의해서 고정된 상대중심거리에서 연장하는 창을 구비하고 채널영역을 형성하는 제1도전성형은 제2마스킹을 통하여 동일한 상대중심거리에서 연장하는 창을 구비하고 있으며, 제2마스킹은 채널영역이 제2도전성형의 영역사이의 중간에 형성되는 것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치 제조방법.
- 제5항의 방법에 있어서, 두가지 확산이 실행되어 제2도전성형의 영역은 서로 접촉하지 않고 제1도전성형의 영역에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 블루밍 현상이 없는 영상감지기 장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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GB2023340B (en) * | 1978-06-01 | 1982-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuits |
US4344222A (en) * | 1979-05-21 | 1982-08-17 | Ibm Corporation | Bipolar compatible electrically alterable read-only memory |
GB2054961B (en) * | 1979-07-26 | 1983-07-20 | Gen Electric Co Ltd | Excess charge removal oin charge transfer devices |
US4322882A (en) * | 1980-02-04 | 1982-04-06 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Method for making an integrated injection logic structure including a self-aligned base contact |
NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
US4450464A (en) * | 1980-07-23 | 1984-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state area imaging apparatus having a charge transfer arrangement |
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