KR900015306A - 보호회로를 구비한 반도체장치 - Google Patents
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 보호회로의 회로도,
제3도는 본 발명에 따른 보호회로에 관한 패턴레이아웃을 나타낸 도면,
제4도는 제3도의 III-III선 단면도.
Claims (6)
- 기준전압(Vss) 이 공급되는 제1단자와 전원전압(Vdd)이 공급되는 제2단자 및 내부회로에 접속되는 입력단자(10)를 구비한 반도체장치용 보호회로에 있어서, 각각 역바이어스상태로 직렬접속된 제1P-N접합(31)과 제2P-N접합(32)을 구비하여 상기 입력단자(10)와 제1단자간에 접속되는 제1보호경로(30)와, 각각 역바이어스상태로 직렬접속된 제3P-N접합(21)과 제4P-N접합(22)을 구비하여 상기 입력단자(10)와 제2단자간에 접속되는 제2보호경로(20), 각각 역바이어스상태로 직렬접속된 제5P-N접합(41)과 제6P-N접합(42)을 구비하여 상기 제1단자와 제2단자간에 접속되는 제3보호경로(40)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치용 보호회로.
- 제1항에 있어서, 상기 각 P-N집합의 직렬접속부분은 소정의 전압(Vbb) 이 공급되는 공통노오드로 되어있고, 상기 소정의 전압(Vbb)은 반도체장치의 정상적인 동작기간중 보호회로의 각P-N집합을 역바이어스시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치용 보호회로,
- 내부회로가 형성되며 소정의 전압(Vbb)을 공급받는 제1도전형의 반도체기판(50)과, 상기 내부회로에 접속되는 입력단자(10), 상기 반도체기관(10) 내에 형성되는 최소한4개의 제2도전형 확산영역(60∼69). 제1전원전압(Vss)을 상기 확산영역중 선택된 제1확산영역(60,62.64)에 공급하는 제1배선수단(200). 제2전원전압(Vdd)을 상기 확산영역증 신택된 제2확산영역(65,67,69)에 공급하는 제2배선수단(300), 상기 입력단자(10)를 나머지의 확산영역(61,63,66,68)에 접속시키기 위한 제3배선수단(100)을 구비하여 구성되고, 역바이어스상태로 직렬접속된 제lP-N접합(21,31,41)과 제2P-N접합(22,32,42)을 포함하는 다수의 보호경로가 상기 제1단자와 제2단자간, 제2단자와 입력단자(10)간, 입력단자(10)와 제1단자간에 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제3항에 있어서, 상기 확산영역들이 소정의 간격을 두고 소정의 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제4항에 있어서, 상기 확산영역들이 2개의 그룹(I,II)으로 나뉘어지고, 상기 제1그룹(I)내에서 상기 제1배선수단(200)이 제3배선수단(100)과 교호적으로 상기 확산영역들과 접속되며, 상기 제2그룹(II)내에서 상기 제2배선수단(300)이 제3배선수단(100)과 교호적으로 상기 확산영역들과 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제3항에 있어서, 반도체기판이 소자영역(82)과 데드 스페이스(83)를 포함하고 있고, 확산영역들이 상기 데드 스페이스(83)내에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61895 | 1983-04-08 | ||
JP1061895A JPH061802B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体装置 |
JP1-61895 | 1989-03-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900015306A true KR900015306A (ko) | 1990-10-26 |
KR930010085B1 KR930010085B1 (ko) | 1993-10-14 |
Family
ID=13184337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900003410A KR930010085B1 (ko) | 1989-03-14 | 1990-03-14 | 보호회로를 구비한 반도체장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5001529A (ko) |
EP (1) | EP0388180A1 (ko) |
JP (1) | JPH061802B2 (ko) |
KR (1) | KR930010085B1 (ko) |
MY (1) | MY106702A (ko) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR920015549A (ko) * | 1991-01-23 | 1992-08-27 | 김광호 | 반도체소자의 정전방전 보호장치 |
KR940009605B1 (ko) * | 1991-09-16 | 1994-10-15 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리의 정전방전 보호장치 |
JP3318774B2 (ja) * | 1992-06-29 | 2002-08-26 | ソニー株式会社 | 半導体装置および固体撮像装置 |
US5268588A (en) * | 1992-09-30 | 1993-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor structure for electrostatic discharge protection |
JP2958202B2 (ja) * | 1992-12-01 | 1999-10-06 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
JP3216743B2 (ja) * | 1993-04-22 | 2001-10-09 | 富士電機株式会社 | トランジスタ用保護ダイオード |
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US5754380A (en) * | 1995-04-06 | 1998-05-19 | Industrial Technology Research Institute | CMOS output buffer with enhanced high ESD protection capability |
JP2643904B2 (ja) * | 1995-04-20 | 1997-08-25 | 日本電気株式会社 | 静電保護素子 |
KR100323454B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-02-06 | 박종섭 | 이에스디(esd) 보호회로 |
JP2003031669A (ja) | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
US7244992B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-07-17 | Ming-Dou Ker | Turn-on-efficient bipolar structures with deep N-well for on-chip ESD protection |
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Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL176322C (nl) * | 1976-02-24 | 1985-03-18 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting met beveiligingsschakeling. |
JPS59111356A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-27 | Nec Corp | 半導体装置 |
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DE58907969D1 (de) * | 1988-02-15 | 1994-08-04 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Schutze einer integrierten Schaltung. |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP1061895A patent/JPH061802B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-20 US US07/482,052 patent/US5001529A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-14 EP EP90302720A patent/EP0388180A1/en not_active Withdrawn
- 1990-03-14 KR KR1019900003410A patent/KR930010085B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-03-14 MY MYPI90000403A patent/MY106702A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5001529A (en) | 1991-03-19 |
EP0388180A1 (en) | 1990-09-19 |
MY106702A (en) | 1995-07-31 |
KR930010085B1 (ko) | 1993-10-14 |
JPH061802B2 (ja) | 1994-01-05 |
JPH02240959A (ja) | 1990-09-25 |
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