KR900007487B1 - 이중방위각 박막 자기헤드와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

이중방위각 박막 자기헤드와 그 제조방법

제1도 내지 제3도는 본 발명의 여러 실시예에 따르는 이중방위각 박막 자기헤드의 개략도.

제4도 a 내지 j는 본 발명의 1실시예에 따르는 이중방위각 박막 자기헤드를 제조하는 방법을 도시한 도면.

제5도 및 제6도는 본 발명이 변형된 실시예의 도면.

제7도는 모조 갭(pseudo gap)의 형성을 도시한 도면.

제8도 및 제9도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 도면.

본 발명은 서로 다른 방위각으로 된 2개의 갭을 갖는 이중방위각 박막 자기헤드에 관한 것으로, 보통은 비디오 테이프 레코더(VTR)에 사용되며, 특히 정지화상재생 및 저속화상재생등의 특별한 재생에 주로 사용되는 이중방위각 박막 자기헤드와 그 제조방법에 관한 것이다.

VTR에 있어서, 특별 재생을 하는데 프레임 재생의 불안정이나 노이즈를 없애려면, 사로 다른 각도로 2개의 헤드가 헤드 지지대의 같은 회전 궤적상에 서로 가깝게 배치되어 있는 이중방위각 헤드가 필요하다. 종래에는 방위각이 서로 다른 2개의 헤드를 개별적으로 제조하여 최종공정에서 서로 접합시켰었다. 그래서, 이렇게 형성한 이중방위각 헤드는 제조과정, 치수상의 정밀도 및 2개의 헤드 부분 사이의 성능의 동등성등에 문제가 있었다.

이와 같은 문제를 해결하기 위하여 2개의 헤드를 반도체 박막 기술을 사용하여 동시에 접적해서 구성하는 기술이 일본국 특허 공개공보 소화 60-47219(1985년 3월 14일)와 특허 공개공보 소화 60-59514(1985년 4월 5일)에 발표되어 있다. 상기 기술에 따르면, 2개의 헤드가 하나의 기판위에 같은 조건에서 형성되므로, 치수상의 정밀도와 두 헤드 사이의 성능의 동등성이 향상되어서 이중방위각 박막 자기헤드의 양산성을 크게 향상시킨다. 그러나, 장시간 기록에 대처하기 위해서는, 2개의 헤드 부분의 갭 부분을 규정하는 트랙 에지사이에 계단식 레벨 차를 갖는 트랙 폭의 차이가 있는 2개의 헤드 부분을 갖는 이중방위각 헤드가 필요하다. 그래서, 고정밀도의 그런 이중방위각 헤드를 실현할 수 있는 새로운 기술이 매우 필요하였다. 이것과 관련해서, 일본국 특허 공개공보 소화 61-39211호(1986년 2월 25일)에는 다수의 자성막이 비자성막을 갖는 비자성기판 위에 형성되어 있고, 비자성막 사이에 끼워져 있는 이중방위각 헤드로 되었는데, 여기서는 중심코어 부재에 형성되는 모조갭을 방지하기 위해서 바자성 갭 스페이서막이 중심코어 부재위에 일반적으로 U자형의 단면이 연속적으로 스므스하게 변화하도록 형성되어 있는 것이 기재되어 있다.

본 발명의 목적은 기록/재생 모드동작 뿐만 아니라, 특별한 기록/재생과 장시간 또는 연장시간 기록/재생모드동작에도 적합한 이중방위각 박막 자기헤드를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 다른 방위각인 2개의 갭을 갖고, 트랙폭 및 계단식 트랙 에지차(2개의 헤드 부분의 갭 부분을 규정하는 트랙 에지 사이에 계단식 레벨차)를 고정밀도로 실현할 수 있는 이중방위각 헤드 구조를 제공하는 것이다. 이 계단식 트랙 에지차는 2개의 갭의 중심선을 트랙방향으로 위치맞춤하는데 필요한 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기한 이중방위각 자기헤드를 고정밀도로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 한 특징에 따르면 중심코어 부재와 2개의 사이드코어부재(이 모든 코어부재는, 예를들어 연성자성층으로 형성된다)가 이중방위각 박막 자기헤드에 자기통로를 형성하도록 치수를 정하는 것은 사이드코어부재의 두께를 대향하는 중심코어부재보다 얇게 만드는 것에 의해 헤드의 트랙폭을 규정할 수 있게 된다.

계단식 트랙 에지차(2개의 갭부분을 규정하는 트랙 에지 사이에 계단식 레벨차)를 마련하기 위해서 두께가 각 갭 위치에 가깝게 비연속적으로 변화하는 적어도 하나의 비자성부재(비자성층 아래에 있는 적어도 하나)가 중심 및 사이드코어부재와 이 코어부재를 지지하는 기판 사이에 배치되어 있다.

통상의 기록/재생 코드뿐 아니라 장시간 기록/재생 모드에서도 동작하는 이중방위각 자기헤드는 1986년 5월 1일에 일본국 특허 공개공보 소화 61-85614호 이전에 공개되어 있다.

상기 이전의 출원에 공개된 자기헤드에서, 중심코어부재와 중심코어부재를 사이에 끼우는 2개의 사이드코어부재로 구성되는 2개의 갭은 트랙방향으로 측정된 2개의 갭 사이의 거리가 중심코어부재와 사이드코어부재를 지지하는 비자성기판과 떨어진 다른 레벨보다 작은 레벨이 되도록 배치되고, 이 트랙폭과 계단식 트랙에지차는 중심코어부재의 두께와 위치로 규정된다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상술한 2개의 갭 사이의 거리가 기판과 떨어진 다른 레벨보다 큰 레벨로 만들어진다. 일반적으로 말하면, 중심코어부재의 자기저항은 단면적이 작아질수록 커지므로, 헤드의 기록/재생 효율을 감소시키게 된다. 갭 사이의 거리를 상기와 같이 규정하면, 중심코어부재의 두께가 트랙폭(즉, 사이드코어부재의 두께)에 제한되지 않고 크게 만들 수 있으므로, 중심코어부재의 자기저항이 바람직하지 못하게 증가하는 것을 방지해서 헤드의 기록/재생 효율의 감소를 막게 된다.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 중심코어부재의 폭은 그 기록매체의 인접 끝에서 적당한 간격으로 떨어져 있는 그 뒤쪽 부분이 기록매체 인접끝을 포함하는 그 앞쪽 부분에서 보다 크게 만들어져서 중심코어부재의 자기저항을 쉽게 감소시키게 된다. 이렇게 하므로써 중심코어부재를 매우 자유롭게 설계할 수 있게 된다.

이하, 본 발명의 구성에 대해서 실시예와 함께 설명한다.

또, 실시예를 설명하기 위한 모든 도면에서 동일한 기능을 갖는 것은 동일한 부호를 붙이고 그 반복적인 설명은 생략한다.

제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 이중방위각 박막 자기헤드를 도시한 것이고, 일반적으로 (10)으로 나타낸다. 동일 도면에서, (1)은 비자성기판을 나타내고, (2a),(2b)는 연성자기 재질로 만들어진 한쌍의 사이드코어부재를 나타내는 것으로써, 이는 일반적으로 헤드(10)의 기록매체 인접면에 대해 수직인 면내에서 C자 형으로 형성된다. (3)은 일반적으로 I자 형이고, 연성자기 재질로 만들어진 중심코어부재를 나타낸다. 사이드코어부재(2a)와 (2b)는 비자성재의 2개의 갭막(4a)와 (4b)를 통해서 중심코어부재(3)을 사이에 끼우고 있거나 부재(3)에 접하고 있다. 사이드코어부재(2a),(2b) 및 중심코어부재(3)의 아래면과 비자성기판(1) 사이에는 비자성금속등으로 만들어지는 것으로써, 3개의 레벨(5a),(5b)와 (5c)의 면을 갖는 제1의 비자성층이 마련된다. 제1의 비자성층(5)는 헤드의 2개의 갭의 중심선을 트랙방향으로 위치맞춤하기 위해 갭막(4a),(4b), 사이드코어부재(2a),(2b) 및 중심코어부재(3)의 치수와 배치를 결정하는데 작용한다. 한편, 사이드코어부재의 위면에는 비자성 금속등으로 만들어진 제2의 비자성층(6a)와 (6b)가 각각 마련되고, 제2의 비자성층의 위면 전부는 패시베이션 또는 보호막(7)로 덮혀 있다. (8a)와 (8b)는 2개의 감기(9a)와 (9b)가 각각 통과해서 만들어진 감기구멍을 나타낸다.

앞서 언급한 부품등을 보다 상세히 설명한다.

비자성기판(1)은 내마모성이 좋은 결정화된 유리나 세라믹으로 만들어지고, 이 형상은 약 2mm×2mm의 사각형으로 0.1∼0.3mm 두께인 형상이며, 열팽창계수는 100×10^-7/℃∼130×10^-7/℃가 적당하다. 사이드코어부재(2a),(2b)와 중심코어부재(3)은 부정형의 연성 자기 얼로이(코발트를 포함)의 얇은 층이다. 또는 이 부재들은 샌더스트(sendust)로 만들어도 된다. 이 코어부재들의 두께를 (2a)는 W₁로, (2b)는 W₂로, (3)은 W₃으로 나타내면, W₁과 W₂는 해당하는 트래폭(예를 들면, 각각 15㎛와 21㎛)과 같게 하고, W₃은 이값보다 큰 값으로 한다. 사이드코어부재(2a)와 (2b)는 중심코어부재(3)보다 그 위쪽면이 기판(1)에 더 가깝고, 사이드코어부재는 중심코어부재보다 아래쪽면이 기판(1)에서 더 멀리 있다. 예를 들면, W₁과 W₂는 10∼30㎛로, W₃은 이보다 1∼10㎛ 정도 크게 정해져도 된다.

중심코어부재(3)의 중심 레벨에서 측정한 폭

은 예를 들면, 0.3∼0.6mm 정도의 소정의 갭 간격으로 정해질 수 있다. 중심코어부재(3)와 사이드코어부재(2a),(2b)중에 적어도 하나는 얇은 자성층이 층간재(예를 들면, SiO₂이다)로, 5∼10㎛ 같은 간격으로 절연된 다층 구조(또는 얇은 적층구조)로 구성되어서 비디오주파수 범위에서의 코어 손실을 억제시키도록 된다. 그러나, 필요한 경우에는 모든 코어부재를 단층구조로 구성할 수도 있다. 이는 다른 실시예에 적용한다.

갭막(4a)와 (4b)는 SiO₂등으로 두께 0.2∼0.3㎛로 만들어진다. 갭의면, 즉 비자성갭의 막면의 방향은 비자성기판(1)에 수직인 선에 대해 소정의 방위각이 θ₁과 θ₂로 기울어져 만들어져서 갭 막 사이의 거리가 다른 종이에서의 기판 사이의 거리보다 크게 된다. 이런 목적을 달성하기 위하여, 중심코어부재(3)은 중심코어부재(3)의 폭이 앞서 언급한 레벨에서 보다 기판(1)에서 떨어진 다른 레벨에서 커지도록 일반적으로 U자형의 단면이 테이핑된다. θ₁과 θ₂는 θ₁=θ₂=10°로 정해진다. 비자성 갭막(4a)와 (4b)는 헤드면에 인접하는 기록매체에 대해 완전히 수직인 방향으로 형성된다. 감기구멍(8a),(8b)보다 헤드의 기록매체 인접면에 가까운 갭막(4a),(4b)의 부분만이 필수적이며, 다른 부분은 형성하지 않을 수도 있다. 이외에도, 갭막은 제조과정상의 편의를 위해서, 중심코어부재(3)과 레벨(5c)를 갖는 제1의 비자성층(5)의 면부분 사이의 경계에 형성되어도 된다. 갭막을 이렇게 형성하여도 헤드의 성능에는 악영향이 전혀 나타나지 않는다.

크롬이나 지르코늄 같은 비자성재로 만들어진 제1의 비자성층(5)는 갭막(4a),(4b) 및 코어부재(2a),(2b)와 (3)의 치수와 배치를 결정하는데 작용된다.

레벨(5a),(5b),(5c)에 해당하는 두께를 T₁,T₂,T₃으로 각각 가정하면, T₁과 T₂는 바라는 계단식 트랙에지차(2개의 갭부분을 규정하는 트랙에지 사이의 계단식 레벨차)를 얻도록, 즉 차 △T=T_l-T₂트래폭 W₁과 W₂에 대응하는 2개의 갭의 중심선이 위치맞춤되도록 결정되게 된다. 그러므로, T₃은 T₁과 T₂보다 작게 만들어진다. 예를 들면, 계단식 트랙 에지차 △T=3um를 얻으려면, 두께차 △T는 T₁=6,T₂=3,T₃=1um으로 설정해서 얻어진다.

제2의 비자성층(6a)와 (6b)는 제1의 지바성층(5)와 같은 재질로, 예를 들면 1 10um 두께로 만들어진다. 이 제2의 비자성층(6a)와 (6b)의 두께는 그 위면이 중심코어부재(3)의 위면을 갖는 레벨이 되도록 하는 두께이다. 이 의미는 덮는 보호막(17)이 헤드를 다른 부재에 장착 또는 부착하는 일을 용이하게 하는 면을 제공함을 의미한다. 보호막(7)은 알루미나(alumina)나 포스테리트(forsterite)등의 내수성이 강한 재질로 두께 30∼50㎛로 만들어진다.

본 실시예에 따르면, 사이드코어부재(2a)와 (2b)는 그 두께가 각각 바라는 트랙폭 W₁, W₂와 같도록 형성되고, 중심코어부재(3)은 그 두께 W₃이 트랙폭 W₁과 W₂보다 크도록 형성되고, 그 위면은 사이드코어부재(2a),(2b)의 위면과 기판(1) 사이의 거리보다 기판과의 거리가 멀고, 그 아래면도 사이드코어부재의 아래면과 기판사이의 거리보다 기판과의 거리가 멀도록 형성된다. 이외에도, 제1의 비자성층(5)의 레벨(5a), (5b)와 (5c)에 대응하는 T_l,T₂와 T₃은 T₁과 T₂가 바라는 계단식 트랙 에지차가 적당히 결정된

T=T₁-T₂가 되고, T₃은 T₁과 T₂보다 작도록 정해진다. 그래서, 이중방위각 헤드에 필요한 트랙폭과 계단식 트랙에지차의 값은 사이드코어부재(2a) 및 (2b)의 두께와 제1의 비자성층(5)의 레벨(5a) 및 (5b)에서의 두께에 의해 균일하게 결정된다. 모든 이런 값들은 이후에 설명할 박막 기술에 의해서 상당히 정확하게 실현될 수 있다.

제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 이중방위각 박막 자기헤드를 도시한 것이다. 그 구조는 제1도에서 제2의 비자성층(6a) 및 (6b)를 생략한 것과 사이드코어부재(2a),(2b)의 위면과 중심코어부재(3)의 부분들이 갭막(4a)와 (4b)의 위쪽끝에서 서로 일치하도록 만들어진 것 이외에는 제1도의 경우와 같다. 보호막(7')는 코어(2a),(3)과 (2b)와 갭막의 위쪽끝을 덮는다. 본 실시예에서, 하나의 트랙폭 W₁은 하나의 갭을 포함하고, 중심코어부재(3)에 도달하고, 두께

T'를 갖는 위쪽 계단식 변위부(11)을 필요한 만큼 마련하는 것에 의해 실현된다.

또한, 본 실시예에서 트랙폭은 이온에칭과 같은 상기의 박막 기술을 사용하여 위쪽 계단식 변위부를 마련하는 것에 의해 고정밀도로 실현할 수 있다.

제3도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이중방위각 박막 자기헤드를 도시한 것이다. 본 실시예에서, 2개의 제1의 비자성층(51)과 (52)는 위쪽 계단식 변위부(1')와 함께 갭주위에 마련되어 있고, 코어부재 두께 W₁,W₂와 W₃과 2개의 비자성층(51),(52)의 두께는 바라는 갭의 배치에 의해 규정되는 소정의 값으로 설정된다. 특히, 비자성층(51)과 (52)는 서로 등간격으로 분리되어 비자성기판(1)위에 형성되어 있고, 비자성층(51)이 사이드코어부재(2a), 갭(4a)와 중심코어부재(3)의 일부와 접합하는 2개의 레벨을 갖는 면을 가지고, 반면 다른 비자성층(52)가 중심코어부재(3), 갭(4b)와 사이드코어부재(2b)의 다른 일부와 접합하는 면을 가지고 있다. 보호막(7")는 제2도의 실시예에서와 같이 코어부재(2a),(3)과 (2b)와 갭(4a)와 (4b)의 위쪽끝위에 마련되어 있다.

또한, 본 실시예에 따르면 트랙폭과 계단식 트랙 에지차는 앞에서 언급한 실시예에서처럼 고정밀도로 실현할 수 있다. 이외에도, 헤드의 기록/재생 효율은 자속이 통과하는 단면적을 보다 작게 마련하기 위해 갭 부분에서의 자기회로를 다른 부분에서보다 제한된 구조로 형성하므로, 매우 향상시킬 수 있게 된다.

그러므로, 본 발명에 따른 이중방위각 박막 자기헤드의 세가지 실시예를 설명한 바에 따르면, 본 기술분야에 종사하는 사람에게는 본 발명의 이중방위각 박막 자기헤드가 본 세가지 실시예의 조합이나, 제1, 제2의 비자성층과 위쪽 계단식 변위부를 수정한 여러 구조로 실시될 수도 있음이 명백할 것이다.

본 발명의 1실시예에 따라서 이중방위각 박막 자기헤드를 제조하는 방법을 제4도 a 내지 j를 참조하여 설명한다. 설명의 편의를 위하여 상기 도면에서 하나의 헤드만 나타내겠지만, 실제로는 수많은 헤드가 하나 또는 다수의 기판에서 동시에 제조된다.

공정(a) : 감기구멍(12)는 비자성기판(1)이 감광성 유리인 경우에 비자성기판(1)을 절단하거나 포토에칭하는 것에 의해 만들어진다(제4도 a).

공정(b) : 제1의 비자성층(5)는 기판(1)위에 스퍼터링으로 형성된다. 다음에, 계단식 변위는 제1의 비자성층의 표면에 마스크된 스퍼터링이나 에칭으로 층(5)의 두께 T₁과 T₂를 갖도록 만들어진다. T₁과 T₂는 퍼터링이나 에칭시간을 제어하여 1㎛ 정도나 그 이하의 오차의 정밀도로 제어될 수 있다(제4도 b).

공정(c) : 예를 들어, 연성자기 얼로이 등으로 된 층(21)은 스퍼터링으로 형성되는 것으로써, 사이드코어부재로 작용된다. 이층은 층간재로 되는 SiO₂등으로 만들어진 비자성층을 갖는 자성층-비자성층의 얇은 적층구조를 갖도록 형성될 수도 있다. 다음에, 계단식 변위는 코어두께 W₁과 W₂를 마련하도록 마스크된 스퍼터링이나 에칭으로 층(21)로 주어진다. W₁과 W₂는 1㎛나 그 이하의 오차를 갖는 정밀도로 제어될 수 있다(제4도 c).

공정(d) : 층(21) 사이드코어부재(2a),(2b)(위쪽면 사이의 레벨차)에서 계단식 변위보다 큰 두께를 갖는 제2의 비자성층(6)이 스퍼터링으로서 형성된다(제4도 d).

공정(e) : 보통 U자형인 채널(13)이 중심코어부재가 형성된 곳에 형성된다. 층(21)은 채널(13)에 의해서 사이드코어부재(2a)와 (2b)로 되는 제1, 제2의 자기층부분으로 분리된다. 이 경우에는 채널의 사이드벽을 매끈한 직선으로 마련하여 채널 바닥벽에 수직인 선과 사이드벽 사이의 각도 θ₁, θ₂와 체널폭

을 고정밀도로 마련하는 것이 필요하다. 이는 다이아몬드 절단기수단을 사용하여 실현할 수 있고, 또 거치름을 가공하는데 사용되는 이온에칭과 마무리하는데 사용되는 다이아몬드 절단수단을 조합해서 사용함으로써 보다 효과적으로 실현할 수 있다. 다음에, 다이아몬드 절단기수단에 가해지는 부담을 줄이기 위해서, 채널바닥벽은 두께 T₃이 되도록 제1의 비자성층(5)에 끼워넣어진다.(제4도 e).

공정(f) : SiO₂등의 비자성막을 스퍼터링으로 채널(13)의 사이드벽에 퇴적하여 갭(4a)와 (4b)를 마련하고, 보이지는 않았지만 채널바닥벽과 제2의 비자성막(6a),(6b)에도 제2의 비자성층(5)위에 상기 비자성막을 퇴적하여도 된다. 그 다음에 연성자기 얼로이 등의 층(23)을 상기 공정의 완성품의 전표면에 형성한다. 이 층(23)이나 중심코어부재(3)은 층간재로 되는 SiO₂등으로 만들어진 비자성층을 갖는 자성층-비자성층의 얇은 적층구조로 형성되어도 된다(제4도 f).

공정(g) : 사이드코어부재(2a)와 (2b)위에 위치된 자성층(23)부분들은 양쪽의 사이드코어부재위의 제2의 비자성층부분(6a)와 (6b)가 노출될 때까지 연마하여 평탄면을 만들도록 제거된다. 그래서, 중심코어부재(3)을 형성한다(제4도 g).

공정(h) : 감기구멍(8a)와 (8b)는 구멍(8a)와 (8b)가 공정(a)에서 비자성기판(1)에 미리 만들어진 감기구멍(12)와 통하는 곳에 에칭으로 만들어진다. 감기구멍(8a)와 (8b)의 모양은 감기구멍(12)의 모양과 동일할 필요는 없다.

본 실시예에서는 감기구멍(8a)와 (8b)를 감기구멍(12)보다 약간 크게 사다리꼴모양으로 만들었다(제4도 h).

공정(i) : 보호막(7)을 감기구멍(8a)와 (8b)를 제외한 모든 완성면에 스퍼터링이나 진공증착으로 피복한다(제4도 i).

공정(j) : 상기 공정으로 만들어진 완성품의 기록매체 인접끝을 둥글게 연마해서 최종적인 감기(9a)와 (9b)를 만든다(제4도 j).

그래서, 제1도에 도시한 이중방위각 박막 자기헤드가 완성된다. 제2도, 제3도에 도시한 헤드는 상기 공정에 약간의 변형을 제공하여도 상술한 방법으로 마찬가지로 제조될 수 있다.

이런 변형은 이 기술분야에 종사하는 사람에게는 명백한 것이므로 이 설명은 생략하기로 한다. 앞서 언급한 과정에서 제1, 제2의 비자성층과 사이드코어부재의 두께는 ±1㎛ 이내의 정밀도로 제어해서 바라는 트랙폭과 계단식 트랙 에지차를 1㎛ 정도의 높은 정밀도로 실현시킬 수 있다. 그러므로, 본 발명에 따른 이중방위각 자기헤드는 VTR을 장시간 기록/재생하고, 정지화상이나 저속화상 같은 특별한 기록/재생을 재생의 불안정성과 노이즈를 억제하는 높은 성능을 가능하게 하여 준다.

변형된 형태의 채널코어부재와 채널형태를 제5도 내지 제9도를 참조하여 설명한다.

제5도는 제4도 e의 공정에 따라서 만들어진 채널의 변형된 형태(13')로 도시한 것이다. 도면에서 도시된 바와 같이 채널(13')는 헤드의 기록매체 인접끝에서 적당한 거리로 떨어진 부분 즉, 그 뒤쪽 사이드부분에서 이어지는 앞쪽 사이드부분보다 뒤쪽 사이드부분이 크도록 형성해서 갭이 되도록 만든다.

채널이 이런 형태가 되면, 형성된 중심코어부재(3)의 자기저항을 감소시켜서 헤드의 기록/재생효율을 감소시키게 된다. 제6도는 제4도 h에 도시한 공정에 따라 채널(13')에 형성한 중심코어부재(3')를 도시한 헤드의 개략도이다. 제6도에 도시한 바와 같이 중심코어부재(3')는 기록매체에 인접하는 앞쪽 사이드부분과 앞쪽 사이드부분보다 큰 폭을 갖는 뒤쪽 사이드부분으로 구성된다. (4a'),(4b')는 중심코어부재(3')의 양쪽 사이드벽의 갭을 만들도록 형성된 비자성막들이다.

또 다른 변형 형태의 채널(13")와 중심코어부재(3")가 제8도와 제9도에 도시되어 있다. 이 채널(13")는 그 바닥벽이 그 양쪽 사이드벽과 상당히 연속되어 있다는 점이 특징이다. 채널(13")가 이렇게 형성된 이유는 이하에 설명한다.

제4도 e에 도시한 공정에서 다이아몬드 절단기수단을 사용하는 채널(13)의 형성은 그 사이드벽과 바닥벽사이의 경계선이 되는 날카로운 모서리로 사이드벽과 바닥벽이 연결되게 된다. 이런 채널에 자성층(23)을 진공증착이나 스퍼터링으로 만들고(제4도 f), 층(23)을 평탄화해서(제4도 g) 얻은 중심코어부재는 자성층이 채널의 사이드벽과 바닥벽에서 서로 다른 방향으로 성장해 나가므로, 제7도에 도시한 것과 같이 비연속적인 면(100)을 만들게 된다.

어떤 경우에는 이 비연속적인 면이 모조갭을 만들어서 헤드의 성능을 감소시킬 수도 있다.

상기 모조갭이 발생하는 것은 채널의 사이드벽과 바닥벽에 뚜렷한 경계선이 없는 연속된 형태로 제4도 e에 도시한 것과 같은 채널(13)을 만듬으로써 방지할 수 있다.

제8도에는 바라는 블레이드(blade)의 형상을 갖는 다이아몬드 절단기수단이나 이온 밀링(milling)을 사용해서 사이드벽과 바닥벽이 서로 연속되게 만든 채널(13")를 도시한 것이다.

제9도는 제7도에 도시한 채널(13")의 사이드벽과 바닥벽위에 형성된 갭층(4)와 갭층위에 형성된 중심코어부재(3")를 도시한 것이다.

본 기술분야에 익숙한 사람에게는 헤드가 채널의 모양과 갭으로 작용하는 비자성층을 제5도 및 제6도, 제8도 및 제9도에 도시한 것처럼 조합하여 적절히 제조할 수도 있다는 것이 명백할 것이다.

제5도, 제6도, 제8도 및 제9도에 관하여 상기한 변형된 실시예들이 제1도 내지 제3도 및 제4도 a 내지 j와 함께 설명한 것들과 마찬가지의 기능적 효과와 장점을 갖는다는 것은 물론이다.

본 발명에서 헤드의 중심코어부재는 중심코어부재의 두께를 사이드코어부재의 두께에 제한 받지 않고 설계할 수 있고, 중심 코어부재의 뒤쪽 부분을 자기 저항을 줄이도록 앞쪽 부분보다 큰 폭으로 할 수 있다는 점을 특히 주의할 필요가 있다.

Claims (15)

1. 다른 방위각의 갭을 갖는 2개의 헤드부분을 포함하는 이중방위각 박막 자기헤드에 있어서, 하나의 비자성기판(1), 상기 비자성기판(1)위에 형성되고, 2개의 헤드부분의 갭과 코어의 치수 및 배치를 결정하는 적어도 하나의 비자성층(5), 적어도 상기 비자성층(5)에 각각 형성되고, 중심코어부재가 제1의 사이드코어부재(2a)와 중심코어부재(3) 사이 및 상기 중심코어부재와 제2의 사이드코어부재(2b) 사이에 각각 끼워진 제1 및 제2의 비자성막(4a,4b)와 함께 상기 제1 및 제2의 사이드코어부재(2a,2b)에 의해 샌드위치되고, 또 레벨에서 측정된 상기 중심코어부재의 폭이 상기 레벨에서보다 상기 비자성층(5)에서 떨어진 다른 레벨에서 크도록 끝이 뾰족해진 U자형 횡단면을 갖고, 상기 중심코어부재(3), 상기 제1 및 제2의 사이드코어부재(2a,2b) 및 제1 및 제2의 비자성막(4a,4b)가 2개의 헤드부분에 대하여 다른 방위각의 갭으로 되는 중심코어부재(3)과 제1 및 제2의 사이드코어부재(2a,2b)와 상기 제1 및 제2의 비자성막(4a,4b)와 상기 제1 및 제2의 사이드코어부재(2a,2b)의 노출된 끝부와 상기 중심코어부재(3)을 걸쳐서 형성된 보호막(7,11,11')를 포함하는 이중방위각 박막 자기헤드.
2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 비자성층(5)는 각각 상기 제1의 사이드코어부재(2a), 중심코어부재(3) 및 제2의 사이드코어부재(2b)에 인접하는 서로 다른 제1, 제2 및 제3의 레벨(5a,5c,5b)의 면을 갖는 하나의 비자성층(5)로 되고, 상기 제2의 레벨은 상기 하나의 비자성층(5)가 제2의 레벨(5c)상에 있는 상기 중심코어부재(3)과 상기 제1 및 제2의 비자성막(4a,4b)와 함께 U자형 횡단면을 갖도록 상기 제2의 레벨(5c)는 상기 제1 및 제3의 레벨(5a,5b) 양쪽보다 상기 기판에 가까운 이중방위각 박막 자기헤드.
3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 또 상기 중심 및 사이드코어부재(3,2a,2b)와 상기 보호막(7,11,11') 사이에 형성된 제2의 비자성층(6a,6b)를 포함하는 이중방위각 박막 자기헤드.
4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 비자성층(5)는 등간격으로 상기 기판(1)위에 형성된 제1 및 제2의 비자성층(51,52)로 되고, 상기 제1 및 제2의 사이드코어부재(2a,2b)와 상기 중심코어부재(3)이 상기 기판상에 부분적으로 있도록 상기 제1의 비자성층(51)은 상기 제1의 사이드코어부재(2a)의 일부, 상기 제1의 비자성막(4a) 및 상기 중심코어부재(3)의 제1의 부분에 인접하는 제1 및 제2의 레벨의 면을 갖고, 상기 제2의 비자성층(52)는 상기 중심코어부재(3)의 제2의 부분, 상기 제2의 비자성막(4b) 및 상기 제2의 사이드코어부재(2b)의 일부에 인접하는 제3 및 제4의 레벨의 면을 갖는 이중방위각 박막 자기헤드.
5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 중심코어부재(3')는 기록매체와 인접하는 앞쪽 사이드부분과 상기 앞쪽 사이드부분에서 연속하는 뒤쪽 사이드부분으로 구성되고, 상기 뒤쪽 사이드부분의 폭은 상기 앞쪽 사이드부분보다 넓어서 상기 중심코어부재(3)의 자기저항을 저감시키는 이중방위각 박막 자기헤드.
6. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 하나의 비자성층(5)의 상기 U자형 횡단면은 바닥벽과 연속적인 사이드벽을 갖는 이중방위각 박막 자기헤드.
7. 다른 방위각의 갭을 갖는 2개의 헤드부분을 포함하는 이중방위각 박막 자기헤드를 각각 제조하는 방법에 있어서, 비자성기판(1)을 마련하는 공정, 상기 비자성기판(1)위에 멀티 레벨 비자성층(5)를 형성하는 공정, 상기 멀티 레벨 비자성층(5)위에 제1의 자성층(21)을 형성하는 공정, 상기 제1의 자성층(21)에 대하여 제1의 자성층의 두께 방향과 수직인 중심면을 결정하도록 상기 제1의 자성층의 일부의 두께를 감소시키는 공정, 상기 제1의 자성층(21)이 다른 두께를 갖는 2개의 제1의 자성층부분(2a,2b)로 분리되도록상기 제1의 자성층을 통과하여 상기 멀티 레벨 비자성층에 관입하고, 사이드벽 사이의 간격이 바닥벽에서 떨어진 제2의 레벨에서보다 크며 제1의 레벨에서 보다 크게 끝이 뾰족해진 채널을 형성하는 공정, 상기채널의 각각의 상기 사이드벽위에 적어도 비자성막(4a,4b)를 피복하는 공정, 상기 제1 및 제2의 헤드부분의 트랙폭이 상기 2개의 제1의 자성층부분의 다른 두께로 규정되고, 상기 하나의 제1의 자성층부분과 상기 제2의 자성층(3)을 포함하는 상기 사이드벽중의 하나에 피복된 상기 2개의 제1의 자성층부분중의 하나와 비자성막(4a)가 제1의 방위각인 제1의 헤드부분으로 되고, 또 상기 다른 제1의 자성층부분과 상기 제2의 자성층(3)을 포함하는 다른 사이드벽위에 피복된 다른 제1의 자성층부분(2b)와 비자성막(4b)가 제2의 방위각인 제2의 헤드부분으로 되도록 상기 비자성막이 피복된 상기 사이드벽을 갖는 상기 채널을 적어도 충전하도록 제2의 자성층을 형성하는 공정과 상기 제1 및 제2의 자성층과 상기 비자성막을 걸쳐서 보호막을 형성하는 공정을 포함하는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.
8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 멀티 레벨 비자성층(5)는 상기 기판위에 균일한 두께를 비자성층을 퇴적하고, 균일한 두께의 상기 비자성층을 부분적으로 에칭하는 것에 의해 형성되는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.
9. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 멀티 레벨 비자성층(5)는 마스크된 스퍼터링으로 비자성층을 퇴적하는 것에 의해 형성되는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.
10. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 제1의 자성층(21)은 자성재의 박막 및 비자성재의 박막을 상기 멀티 레벨 비자성층(5)위에 교대로 적층하는 것에 의해 형성되는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.
11. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 채널은 다이아몬드 절단기 수단을 사용하는 것에 의해 형성되는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.
12. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 채널은 이온에칭과 다이아몬드 절단기 수단을 조합해서 사용하는 것에 의해 형성되는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.
13. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 제2의 자성층(3)은 상기 채널을 적어도 충전하도록 자성재의 박막 및 비자성재의 박막을 교대로 적층하는 것에 의해 형성되는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.
14. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 채널은 바닥벽이 2개의 사이드벽의 양쪽이 연속하도록 형성되는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.
15. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 채널(13')는 뒤쪽사이드부분이 상기 뒤쪽사이드부분에서 연속하는 앞쪽 사이드부분에서보다 넓은 폭을 갖도록 형성되어 상기 갭을 형성하는 이중방위각 박막 자기헤드의 제조 방법.

Images