KR890008916A - 집적 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따라 형성된 케터링(gettering)층을 포함한 개선된 광학 스위치를 설명하는 예시도.
제3도 내지 제2의 스위치 배열의 제조에 있어서 여러 단계를 설명하는 예시도.
제10도는 본 발명에 따라 형성된 중간 게터링층을 포함하는 멀티 레벨 금속 실리콘 직접 회로를 설명하는 예시도.
Claims (17)
- 이온의 드리프트를 줄이기 위해 집적 소자를 본질적으로 게터링 하는 단계를 포함하는 집적소자 제조방법에 있어서, 가) 소자 기판내의 집적 소자 구조의 활성화 영역(14,16)을 형성하는 단계와, 나) 소자 구조위에 절연층(20)을 침전시키는 단계를 구비하며, 다) 상기 절연층 위의 포스포실리케이트 그라스의 케터링층(36)을 침전시키는 단계와, 라) 600℃보다 낮은 온도에서 상기 게터링층을 어니일링 시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 집적 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 집적 소자가 집적 광학 소자이며, 수행 단계 가)에서, 광학 도파관이 광학 기판에 형성되며 또한, 상기 제조방법이 마) 수행단계 가)에서 형성된 도파관위에 전극구조를 형성하는 단계와, 바) 수행단계 가)에서 침전된 최소한 모든 게터링층이 제거되도록 소자를 엣칭시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제2항에 있어서, 수행단계 바)에서 밑에 있는 절연층 일부가 또한 엣칭되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제2항에 있어서, 수행단계 가)에서 도파관이 광학 기판으로 확산되는 것을 특징으로 하는 집적 제조방법.
- 제1항에 있어서, 집적소자 반도체 기판을 사용하여 형성된 멀티 레벨 실리콘 집적 소자이며, 수행단계 가)는 반도체 기판으로 제1 및 제2도전형태의 활성 영역을 확산시키며, 이 확산단계의 미리 선정된 확산표면에 제1금속 전극 구성을 침전시키는 단계를 포함하며, 수행단계 다)는 절연층 표면에 포스포실리케이트 그라스의 게터링층을 침전시키는 단계와, 이 게터링층 표면에 제2절연층을 침전시키는 단계와, 이 제2절연층 표면에 제2금속 전극 구성을 침전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 소자 제조방법.
- 제5항에 있어서, 수행단계 나) 및 다)는 N금속 레벨 실리콘 직접소자 구조가 형성되도록 N번째 수행되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 감소된 이온 드리프트를 나타내는 집적 광학 소자를 형성하는 방법에 있어서, 상기 소자는 이온 드리프트를 일으키는 것으로 알려진 이동이 쉬운 알카리 이온을 포함하는 광학적 비등방성 물질의 기판을 사용하여 형성되며, 상기 기판 물질은 상부 및 하부 주요표면을 갖는 것으로 정의를 내리며, 가) 상부 주요 표면영역에서 상기 기판으로 광학도파관 구조를 형성하는 단계와, 나) 상기 기판의 상기 상부 주요 표면위에 절연층을 침전시키는 단계와, 다) 단계 b)에서 형성된 상기 절연층 위에 게터링층을 침전시키는 단계와, 라) 이동이 쉬운 알카리 이온을 충분히 트랩(trap)하기 위해, 기판으로부터 다른 물질의 외부 확산을 일으키는 알려진 온도보다 작은 온도에서 상기 게터링층을 어니일링 시키는 단계와, 마) 단계 가)에서 형성된 광학 도파관 구조를 충분히 오버레이(overlay)하기 위해 상기 어니일된 게터링층상에 전극구조를 형성하는 단계와, 바) 단계 마)에서 형성된 전극사이에 어떤 분류통로를 제거하기 위해 노출된 어니일링된 게터링층의 충분한 부분을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적 광학 소자를 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 수행단계 다)에서 포스포실리케이트 그라스가 게터링층 물질로서 사용되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제2항에 있어서, 수행단계 다)에서 포스포실리게이트 그라스가 스핀-온 기법을 사용하여 침전되는 것을 특징으로 하는 직접소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 수행단계 라)에서 상기 게터링층이 400℃ 내지 600°범위의 온도에서 어니일링 되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 수행단계 바)에서 노출되고 어니일링된 게터링층이 엣칭 마스크로서 전극 구조를 사용하는 엣칭액으로 제거되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제5항에 있어서, 수행단계 바)에서 어니일링된 게터링층이 완충물인 HF용액으로 엣칭되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제6항에 있어서, 수행단계 바)에서 엣칭 단계가 시간 주기 동안에 어니일링된 게터링층의 전체와, 절연층의 작은 일부를 충분히 제거되도록 수행하는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 수행단계 나)에서 상기 절연층이 약 1500 내지 3000A°범위의 두께로 침전되며, 수행단계 다)에서 게터링층이 약 200내지 500A°범위의 두께로 침전되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 수행단계 가)에서 전이 금속은 광학 도파관 구조가 형성되도록 기판의 상부 주요 표면을 통해 확산되는 것을 특징으로 하는 집적 소자 제조방법.
- 제9항에 있어서, 수행단계 가)에서 티타늄이 광학 도파관 구조가 형성되도록 사용되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 광학적 비등방성 기판이 그룹(group)으로부터 LiNbO₃와 LiTaO₃를 비교하여 선택되는 것을 특징으로 하는 집적소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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