KR890001092A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR890001092A
KR890001092A KR1019880007695A KR880007695A KR890001092A KR 890001092 A KR890001092 A KR 890001092A KR 1019880007695 A KR1019880007695 A KR 1019880007695A KR 880007695 A KR880007695 A KR 880007695A KR 890001092 A KR890001092 A KR 890001092A
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고지 가와따
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세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 메모리 소자의 일반적 배열을 도시하는 평면도.
제2도는 주변 회로가 있는 셀 배열의 개략적인 블록 다이어그램.
제3도는 다이나믹 메모리 셀의 개략적인 회로.

Claims (5)

  1. 반도체 장치로서, 행 및 열로 배열된 다수의 메모리 셀을 갖는 적어도 하나 이상의 메모리 배열을 구비하며, 상기 메모리 셀 각각은 저장 캐패시터 및 전계효과 트랜지스터를 포함하며, 상기 열의 상기 배열의 양주변을 따라 두 외부열과는 다른 내부열의 메모리 셀의 저장 캐패시터는 제1용량을 가지며, 상기 두 외부열내의 메모리 셀의 저장 캐패시터는 상기 제1용량보다 큰 제2용량을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1용량에 대한 상기 제2용량의 비는 1.2 내지 2의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 다수의 워드 라인은 상기 메모리 어레이의 상기 행에 배열되며 다수의 비트 라인은 상기 열에 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2캐패시터는 상기 행의 방향으로 상기 캐패시터의 폭보다 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 반도체 메모리 장치로서, 행으로 배열된 워드라인, 열로 배열된 비트라인, 행 및 열로 배열되며 워드라인 및 비트 라인에 결합된 다수의 메모리셀을 갖는 메모리셀 배열 및 상기 한 워드라인을 동작식으로 선택하도록 상기 메모리 셀 배열의 외부에 배열된 주변회로를 구비하며, 상기 메모리셀 각각은 저장 캐패시터와, 이 저장 캐패시터와 상기 비트 라인중 한 라인간에 결합된 전달장치와, 한 워드라인에 결합된 제어전극을 가지며, 상기 배열의 양측을 따라 상기 두열이 아닌 내부열내의 메모리 셀의 저장 캐패시터는 제1용량을 가지며, 상기 두 측열내의 메모리 셀의 저장 캐패시터는 상기 제1용량보다 큰 제2용량을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007695A 1987-06-25 1988-06-25 반도체 메모리 장치 KR910003385B1 (ko)

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JP62159324A JPS643893A (en) 1987-06-25 1987-06-25 Semiconductor storage device
JP159324 1987-06-25

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KR890001092A true KR890001092A (ko) 1989-03-18
KR910003385B1 KR910003385B1 (ko) 1991-05-28

Family

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KR1019880007695A KR910003385B1 (ko) 1987-06-25 1988-06-25 반도체 메모리 장치

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JP (1) JPS643893A (ko)
KR (1) KR910003385B1 (ko)
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KR920007909B1 (ko) * 1989-11-18 1992-09-19 삼성전자 주식회사 램 테스트시 고속 기록방법
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5363938A (en) * 1976-11-19 1978-06-07 Hitachi Ltd Dynamic memory unit
JPS5982761A (ja) * 1982-11-04 1984-05-12 Hitachi Ltd 半導体メモリ
US4675848A (en) * 1984-06-18 1987-06-23 Visic, Inc. Dynamic RAM memory
JPS61150366A (ja) * 1984-12-25 1986-07-09 Nec Corp Ｍｉｓ型メモリ−セル

Also Published As

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EP0296586A1 (en) 1988-12-28
JPS643893A (en) 1989-01-09
EP0296586B1 (en) 1992-06-10
DE3871863D1 (de) 1992-07-16
DE3871863T2 (de) 1992-12-03
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