KR880700099A - 진공실에서 피복을 아아크 증착하는 장치 및 공정 - Google Patents

진공실에서 피복을 아아크 증착하는 장치 및 공정

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KR880700099A
KR880700099A KR1019870700459A KR870700459A KR880700099A KR 880700099 A KR880700099 A KR 880700099A KR 1019870700459 A KR1019870700459 A KR 1019870700459A KR 870700459 A KR870700459 A KR 870700459A KR 880700099 A KR880700099 A KR 880700099A
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Abstract

내용 없음

Description

진공실에서 피복을 아아크 증착하는 장치 및 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 장치를 부분단면도와 부분 개략도로써 나타낸 측면도.

Claims (32)

  1. 양극으로 부터 거리가 떨어져 있는 증발끝 표면을 가지는 고체음극으로 부터 원료물질을 진공실에서 물체에 피복시키기 위한 공정에 있어서, 음극의 증발끝 표면과 양극 사이에 전기아아크를 발생시켜서, 증발끝 표면의 원자, 이온화원자,분자 및 이온화분자중 어느 하나 또는 그 이상을 가지는 플라즈마를 형성하는 단계; 음극의 증발끝 표면을 넘어서,0 보다 더 큰 예정된 최소거리 "X"를 뻗은, 열린끝을 가지며, 양극과 음극으로 부터 거리가 떨어져 있고, 양극과 음극 사이에 놓여 있는 길쭉한 부재로 음극을 둘러싸는 단계; 가스가 진공실로 들어오기 전에, 가스가 적어도 거리 "X"에 걸쳐서 전기 아아크를 둘러쌓도록, 가스의 흐름을 음극실 내의 플라즈마를 통해서 진공실 내로 향하게 하여, 가스의 원자, 이온화원자, 분자 및 이온화분자 중의 어느 하나 또는 그 이상을 음극실 내의 플라즈마에 제공하는 단계; 진공실로 부터 가스를 회수하여, 진공실 내에 예정된 압력을 유지하는 단계로 이루어지는 양극으로 부터 거리가 떨어져 있는 증발끝 표면을 가지는 고체음극으로 부터 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  2. 제1항에 있어서, 길쭉한 부재가 음극을 둘러싸서, 길쭉한 부재와 음극 사이에 좁은 공간을 형성함을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  3. 제2항에 있어서, 가스가 좁은 공간에 도입됨을 특징으로 하는 원료물질을 진공실내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  4. 제3항에 있어서, 가스는 불활성이고, 아르곤, 네온, 크립톤, 크세논, 헬륨 및 그들의 조합물로 구성되는 종류로 부터 선택됨을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  5. 제3항에 있어서, 가스는 반응성이고, 질소, 산소, 탄화수소, 이산화탄소, 일산화탄소, 디보란, 공기, 실란 및 그들의 조합물로 이루어진 그룹으로 부터 선택됨을 특징으로 하는 원료물질을 진공실내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  6. 제3항에 있어서, 가스는 음극과 길쭉한 부재 사이에 절연체에서 역활을 함을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에세 물체에 피복시키기 위한 공정.
  7. 제3항에 있어서, 길쭉한 부재가 음극의 기하학적 형상과 실질적으로 일치하는 기하학적 형상을 가짐을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  8. 제7항에 있어서, 약극에 대해서 부전압이 물체에 가해짐을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  9. 제8항에 있어서, 물체는 두 양극과 음극에 대해서 부전압이 물체에 가해짐을 특징으로 하는 원료 물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  10. 제7항에 있어서, 길쭉한 부재가 음극의 증발끝 표면 위에 걸쳐 있어, 0.07 내지 2 사이의 X/d의 가로세로비(여기서 d는 음극증발끝 표면의 긴 직경임)를 가짐을 특징으로 하는 원료물질을 진공실내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  11. 제10항에 있어서, 좁은 공간이 환상의 단면을 이루면서, 음극과 길쭉한 부재가 원통형임을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정,
  12. 제11항에 있어서, 진공실이 10-1내지 5×10-4토르의 작동압력으로 진공됨을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  13. 제12항에 있어서, 음극물질이, 음극실 내의 길쭉한 부재상에 증착되어, 0 보다 더 크고 0.4cm 보다 더 작은 노즐개구를 가지는 수렴노즐을 형성함을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  14. 제13항에 있어서, 물체가 내화금속, 수우퍼알로이, 스테이레스강, 세라믹복합체 및 티타늄합금으로 이루어지는 그룹으로 부터 선택된 물질로 구성됨을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  15. 제14항에 있어서, 물체가 고체 음극증발끝 표면과 전기절연면 사이에 놓임을 특징으로 하는 원료물질을 진공실 내에서 물체에 피복시키기 위한 공정.
  16. 양극과 물체로 부터 거리가 떨어져 있는, 증발끝 표면을 가지는 음극으로 부터 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치에 있어서, 음극의 증발끝 표면과 양극 사이에 전기 아아크를 일으키기 위한 수단 : 양극과 음극으로 부터 거리가 떨어져 있고, 양극과 음극 사이에 놓여 있으며 음극의 증빌끝 표면을 넘어서, 0 보다 더 큰 예정된 최소거리 "X"를 뻗은 열린 끝을 가지며, 음극을 둘러싸는 수단, 가스가 진공실 내로 들어오기 전에, 가스가 음극실 내의 전기아아크를 둘러쌓도록, 가스의 흐름을 음극실을 통해서 진공실 내로 향하게 하기 위한 수단 및 진공실 내로 주입된 가스를 회수하여, 진공실 내를 예정된 압력으로 유지시키는 수단으로 이루어짐을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 전기아아크를 일으키기 위한 수단이 진공실의 바깥에 놓인 전원공급 수단을 포함함을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  18. 제17항에 있어서, 음극을 둘러싸고, 최소길이 "X"만큼 돌출한 수단이 비자성물질로 이루어진 길쭉한 중공부재임을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  19. 제18항에 있어서, 길쭉한 중공부재가, 음극의 기하학적 형상에 실질적으로 일치하는 기하학적 형상을 가짐을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 길쭉한 부재의 단면치수가, 음극의 해당하는 단면치수보다 더 커서, 음극과 길쭉한 부재 사이에 좁은 공간은 형성함을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  21. 제20항에 있어서, 좁은 공간이 환상의 단면을 이루면서 길쭉한 부재와 음극이 원통형임을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  22. 제20항에 있어서, 길쭉한 부재가 음극의 증발끝 표면 위에 걸쳐 있어서, 0.07 내지 2 사이의 X/d의 가로 세로비(여기서 d는 음극증발끝 표면의 긴직경임)를 가짐을 특징으로 하는 진공실내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  23. 제22항에 있어서, 물체가 양극에 대해서 부전압이 걸림을 특징으로 하는 진공실내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  24. 제23항에 있어서, 물체가 양극과 음극에 대해서 부전압이 걸림을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  25. 제24항에 있어서, 부전압이 50 내지 400볼트 임을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  26. 제24항에 있어서, 양극이 진공실의 일체부품임을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  27. 제26항에 있어서, 양극이 접지전압에 연결됨을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  28. 제23항에 있어서, 양극이 진공실로 부터 절연됨을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  29. 제27항에 있어서, 절연부재의 면이 음극증발끝 표면의 맞은편에 놓임을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  30. 제29항에 있어서, 물체가 절연부재의 면과 음극의 증발끝표면 사이에 놓임을 특징으로 하는 진공실내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  31. 제27,28,29 또는 30항에 있어서, 진공실이 10-1내지 5×10-1토르의 작동압력에 있음을 특징으로 하는 진공실내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
  32. 제31항에 있어서, 음극이 Si,Cu,Al,W,Mo,Cr,Ta,Nb,V,Hf,Zr,Ti,Ni,Co,Fe 및 그들의 합금으로 구성된 그룹에서 선택됨을 특징으로 하는 진공실 내의 물체상에 원료물질을 증착하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8601824A (nl) * 1986-07-11 1988-02-01 Hauzer Holding Werkwijze en inrichting voor het met een geleidend plasmakanaal ontsteken van een boog.
DE3728420A1 (de) * 1987-08-26 1989-03-09 Detlev Dipl Phys Dr Repenning Verfahren zur herstellung von schichten mit hochharten und/oder reibarmen eigenschaften
EP0309733A1 (de) * 1987-09-26 1989-04-05 Detlev Dr. Repenning Verfahren zur Herstellung von wenigstens 2-komponentigen Schichten mit hochharten und/oder reibarmen Eigenschaften
DE3741127A1 (de) * 1987-12-04 1989-06-15 Repenning Detlev Verfahren zur herstellung waermestabiler schichten mit hochharten und/oder reibarmen eigenschaften
US4904528A (en) * 1987-12-24 1990-02-27 United Technologies Corporation Coated gas turbine engine compressor components
CS275226B2 (en) * 1989-09-13 1992-02-19 Fyzikalni Ustav Csav Method of arc discharge's cathode vaporization with cathode spots and macroparticles' reduced emission and device for realization of this method
ATE168819T1 (de) * 1991-03-25 1998-08-15 Commw Scient Ind Res Org Makroteilchenfilter in lichtbogenquelle
WO1992019788A1 (en) * 1991-04-29 1992-11-12 Nauchno-Proizvodstvennoe Predpriyatie 'navatekh' Device for electric arc evaporation of metals
WO1992019785A1 (en) * 1991-04-29 1992-11-12 Nauchno-Proizvodstvennoe Predpriyatie 'novatekh' Method and device for treatment of articles in gas-discharge plasma
WO1992021787A1 (en) * 1991-05-31 1992-12-10 Kharkovsky Fiziko-Tekhnichesky Institut Method and device for thermochemical treatment of articles
GB9503305D0 (en) 1995-02-20 1995-04-12 Univ Nanyang Filtered cathodic arc source
GB2360790A (en) * 2000-03-28 2001-10-03 Gehan Anil Joseph Amaratunga Low friction coatings produced by cathodic arc evaporation

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3278407A (en) * 1963-06-26 1966-10-11 Ibm Deposition of thin film by sputtering
US3391071A (en) * 1963-07-22 1968-07-02 Bell Telephone Labor Inc Method of sputtering highly pure refractory metals in an anodically biased chamber
AU8288282A (en) * 1981-05-04 1982-11-11 Optical Coating Laboratory, Inc. Production and utilization of activated molecular beams
JPS58136775A (ja) * 1982-02-08 1983-08-13 Hitachi Ltd 蒸着方法及び装置
DE3326043A1 (de) * 1983-07-20 1985-02-07 Licentia Gmbh Verfahren zur herstellung eines aerosolstromes und dessen verwendung
US4895765A (en) * 1985-09-30 1990-01-23 Union Carbide Corporation Titanium nitride and zirconium nitride coating compositions, coated articles and methods of manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
KR910009841B1 (ko) 1991-11-30
DE3672819D1 (de) 1990-08-23
AU594979B2 (en) 1990-03-22
EP0238643A1 (en) 1987-09-30
WO1987002072A1 (en) 1987-04-09
AU6407086A (en) 1987-04-24
EP0238643B1 (en) 1990-07-18

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