KR880003428A - 디 램 셀의 제조방법 - Google Patents

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KR880003428A
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Abstract

내용 없음

Description

디 램 셀의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 1트랜지스터 헬 어레이의 회로도.
제2도는 1트랜지스터 셀 어레이의 레이아웃의 평면도.
제3(A)-(H)도는 본 발명에 따른 1트랜지스터 셀의 제조 공정도.

Claims (1)

  1. 반도체 메모리 셀의 제조공정에 있어서, 실리콘 산화막층(10)과 질화 실리콘층(12)을 실리콘 전면에 형성하고 필드 산화막층(16)과 채널 스톱 영역(18)을 형성하는 제1공정과, 스토리지 캐패시터를 형성하기 위한 영역(20)의 상기 질화 실리콘층(12)을 에칭하고 비소와 비소보다 확산계수가 큰 상기 비소와 동일 도전형의 불순물을 이온 타입하는 제2공정과, 상기 이온타입층 상부의 캐패시터 영역 상부에 제1폴리 실리콘층(26)을 형성하고 이층표면에 산화막 형성을 힘과 동시에 미니 필드 산화막층(30) 하부로 상기 불순물들의 사이드 확산을 하는 제3공정과, 나머지 질화 실리콘층(12)을 에칭해내고 제2폴리 실리콘층을 형성하며 소오스 및 드레인층(37)(38)을 형하는 제4공정과, 보호막층(40)을 형성하는 알루미니움의 비트 라인을 형성하는 제5공정으로 구성함을 특징으로 하는 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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