KR850008566A - 대치용장 회로를 가진 반도체집적 회로 - Google Patents
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 및 제3도는 제1도에 표시된 회로에서 사용된 일치 검출회로의 구조에 대한 예시도.
제4도는 본 발명의 실시예에 따르는 집적회로의 블록도.
제5도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따르는 집적회로의 블록도.
제6도는 제4도 및 제5도에 표시된 회로에 사용된 일치검출회로의 구조에 대한 예시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 일치검출회로 21 : 메모리 24 : 비교회로 7: 외부접속단자 25 : 상태검출회로 31 : 제어선.
Claims (10)
- 고장회로 부분을 용장회로 부분에 의해 대치시키기 위해 고장회로부분의 어드레스 정보를 기억시키기위한 메모리 수단, 상기 메모리수단으로부터 읽혀진 데이터 및 수신된 입력 어드레스간의 일치를 검출하기 위한 비교수단, 및 상기 비교수단에 의한 비교로부터 얻어진 데이타를 외부접속단자를 통해 전달하기 위한 전달수단으로 구성되는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제1항에 있어서, 상기 비교수단이 어드레스데이타의 모든 비트에 대해 일치를 검출하도록 하는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제1항에 있어서, 상기 비교수단이 어드레스데이타의 한 비트에 대해 일치를 검출하도록 하는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리수단이 퓨우즈와 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제1항에 있어서, 하나의 메모리셀에 대응하는 특별한 어드레스 신호를 공급함으로써 다수의 메모리셀에 공통적으로 접속된 단자로부터 상기 메모리수단내의 상기 다수의 메모리셀중 하나의 기입상태를 표시하기 위한 신호를 전달하기 위해 상태검출수단을 더 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제5항에 있어서, 상기 메모리셀의 각각이 퓨우즈와 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제5항에 있어서, 상기 상태검출 수단이 검출선과 전압원 사이에 직렬로 접속된 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제5항에 있어서, 상기 상태 검출수단이 검출선 및 전압원 사이에 전속된 직렬접속 트랜지스터 및 병렬접속된 직렬접속 트랜지스터들로 구성되는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제5항에 있어서, 상기 상태검출수단이 제1 검출선과 전압원 사이에 직렬로 접속된 트랜지스터 및 제2 검출선과 전압원 사이에 직렬로 접속된 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.
- 제5항에 있어서, 상기 상태검출 수단이 검출선과 전압원사이에 직렬 접속된 직렬접속 트랜지스터들 및 병렬 접속된 직렬 접속 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로하는 반도체 집적회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US4942575A (en) * | 1988-06-17 | 1990-07-17 | Modular Computer Systems, Inc. | Error connection device for parity protected memory systems |
US5617365A (en) * | 1988-10-07 | 1997-04-01 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having redundancy circuit |
US5157634A (en) * | 1990-10-23 | 1992-10-20 | International Business Machines Corporation | Dram having extended refresh time |
US5276834A (en) * | 1990-12-04 | 1994-01-04 | Micron Technology, Inc. | Spare memory arrangement |
JPH04278299A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-02 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
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JP2888034B2 (ja) * | 1991-06-27 | 1999-05-10 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ装置 |
US5459690A (en) * | 1992-04-16 | 1995-10-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated semiconductor memory with redundancy arrangement |
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US8839053B2 (en) * | 2010-05-27 | 2014-09-16 | Microsoft Corporation | Error correcting pointers for non-volatile storage |
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US4346459A (en) * | 1980-06-30 | 1982-08-24 | Inmos Corporation | Redundancy scheme for an MOS memory |
WO1982002793A1 (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-19 | Otoole James E | Semiconductor memory redundant element identification circuit |
US4480199A (en) * | 1982-03-19 | 1984-10-30 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Identification of repaired integrated circuits |
US4538245A (en) * | 1982-04-12 | 1985-08-27 | Seeq Technology, Inc. | Enabling circuit for redundant word lines in a semiconductor memory array |
US4546454A (en) * | 1982-11-05 | 1985-10-08 | Seeq Technology, Inc. | Non-volatile memory cell fuse element |
JPS6018899A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-30 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
US4571707A (en) * | 1984-02-23 | 1986-02-18 | Nec Corporation | Memory circuit with improved redundant structure |
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