KR850006651A - 휴즈회로를 갖는 집적회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 휴즈회로의 일 실시예도.
Claims (10)
- 제1전압을 공급하기 위한 제1전압원 수단과, 제2전압을 공급하기 위한 제1전압원 수단과, 게이트 소오스와 드레인을 갖는 제1트랜지스터와, 상기 드레인과 상기 제1전원수단간에 연결된 임피던스 소자수단과, 그리고 상기 소오스와 상기 제2전원 수단간에 연결된 휴즈로 구성하되, 상기 트랜지스터의 게이트와 소오스간의 전압은 상기 휴즈가 용단되었는가의 여부에 의해 변화되며, 상기 휴즈가 용단조건에 있을 때 상기 트랜지스터의 온상태의 저항성분은 상기 휴즈가 비용단조건에 있을때에 비해 더 큰 저항성분을 가지며 그리고, 상기 회로는 상기 휴즈가 상기 트랜지스터와 상기 휴즈조건에 대응하는 상기 임피던스 수단간의 접속점에서 용단되었는가의 여부를 판정하기 위한 전위를 발생시키는 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제1항에서, 상기 제1트랜지스터는 공핍형 트랜지스터인 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제1항에서, 상기 임피던스 소자수단은 게이트, 소오스 및 드레인을 갖고 있으며 정전류 특성을 갖는 제2트랜지스터로 구성되는 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제3항에서, 상기 임피던스 수단은 상기 트랜지스터의 게이트와 소오스간에 연결된 저항을 더 포함하며, 상기 전위는 상기 제1트랜지스터의 상기 저항과 드레인의 접속점에서 발생되는 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제4항에서, 상기 저항의 저항성분은 상기 휴즈가 비용단될 때 휴즈 저항성분의 것과 동일한 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제3항에서, 상기 제2트랜지스터는 공핍형 트랜지스터인 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제3항에서, 상기 제2트랜지스터의 포화전류는 상기 제1트랜지스터의 것보다 더 작은 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제3항에서, 상기 제1트랜지스터의 W/L의 비는 제2트랜지스터의 것보다 더 크며, 여기서 W는 채널폭 그리고 L은 상기 제 1 및 제2 트랜지스터들의 게이트 전극의 채널 길이인 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제1항에서 상기 제1트랜지스터의 상기 게이트는 상기 제2전원수단에 연결되는 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.
- 제1항에서, 상기 제1트랜지스터는 정전위를 공급받는 게이트를 갖는 고양형 트랜지스터인 것이 특징인 휴즈회로를 갖는 집적회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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GB2228091B (en) * | 1989-02-08 | 1992-09-23 | Westinghouse Brake & Signal | Current monitoring |
EP0404995B1 (de) * | 1989-06-30 | 1994-08-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierte Schaltungsanordnung |
FR2660795B1 (fr) * | 1990-04-10 | 1994-01-07 | Sgs Thomson Microelectronics Sa | Circuit de detection de fusible. |
US5151611A (en) * | 1990-12-10 | 1992-09-29 | Westinghouse Electric Corp. | Programmable device for integrated circuits |
JPH05315448A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-26 | Nec Corp | 集積回路装置およびそのレイアウト方法 |
US5418487A (en) * | 1992-09-04 | 1995-05-23 | Benchmarg Microelectronics, Inc. | Fuse state sense circuit |
FR2697673B1 (fr) * | 1992-10-29 | 1994-12-16 | Gemplus Card Int | Circuit à fusible, pour circuit intégré. |
US5361185A (en) * | 1993-02-19 | 1994-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Distributed VCC/VSS ESD clamp structure |
US5345110A (en) * | 1993-04-13 | 1994-09-06 | Micron Semiconductor, Inc. | Low-power fuse detect and latch circuit |
JP2707954B2 (ja) * | 1993-09-01 | 1998-02-04 | 日本電気株式会社 | コード設定回路 |
US5635854A (en) * | 1994-05-24 | 1997-06-03 | Philips Electronics North America Corporation | Programmable logic integrated circuit including verify circuitry for classifying fuse link states as validly closed, validly open or invalid |
US6100747A (en) * | 1994-05-30 | 2000-08-08 | Stmicroelectronics, S.R.L. | Device for selecting design options in an integrated circuit |
US5514980A (en) * | 1995-05-31 | 1996-05-07 | Integrated Device Technology, Inc. | High resolution circuit and method for sensing antifuses |
US5789970A (en) * | 1995-09-29 | 1998-08-04 | Intel Corporation | Static, low current, low voltage sensing circuit for sensing the state of a fuse device |
US5959445A (en) * | 1995-09-29 | 1999-09-28 | Intel Corporation | Static, high-sensitivity, fuse-based storage cell |
US5731733A (en) * | 1995-09-29 | 1998-03-24 | Intel Corporation | Static, low current sensing circuit for sensing the state of a fuse device |
US5748025A (en) * | 1996-03-29 | 1998-05-05 | Intel Corporation | Method and apparatus for providing high voltage with a low voltage CMOS integrated circuit |
US6096610A (en) * | 1996-03-29 | 2000-08-01 | Intel Corporation | Transistor suitable for high voltage circuit |
US5896041A (en) * | 1996-05-28 | 1999-04-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for programming anti-fuses using internally generated programming voltage |
US5841723A (en) * | 1996-05-28 | 1998-11-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for programming anti-fuses using an isolated well programming circuit |
EP0856893B1 (en) | 1996-12-31 | 2002-05-02 | STMicroelectronics, Inc. | Structure and device for selecting design options in an integrated circuit |
KR100247937B1 (ko) * | 1997-11-12 | 2000-03-15 | 윤종용 | 퓨징 장치 |
KR100287541B1 (ko) | 1998-05-29 | 2001-04-16 | 윤종용 | 반도체 메모리 장치의 리던던시 디코더 인에이블회로 |
US6191641B1 (en) * | 1999-02-23 | 2001-02-20 | Clear Logic, Inc. | Zero power fuse circuit using subthreshold conduction |
JP2000340656A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Fujitsu Ltd | トリミング回路 |
KR100317490B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2001-12-24 | 박종섭 | 안티퓨즈 회로 |
JP2002203901A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Toshiba Microelectronics Corp | フューズ回路 |
US6417720B1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-09 | Intel Corporation | High voltage sense circuit for programming of programmable devices |
JP2002217416A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
DE10156830B4 (de) | 2001-11-20 | 2005-05-12 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung mit einem programmierbaren Element und Verfahren zu ihrem Betrieb |
KR100427721B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2004-04-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전기적 퓨즈 프로그래밍 제어회로 |
WO2004102664A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Fujitsu Limited | ヒューズ回路および半導体集積回路装置 |
US7315193B2 (en) * | 2005-08-24 | 2008-01-01 | International Business Machines Corporation | Circuitry and method for programming an electrically programmable fuse |
DE102006017480B4 (de) * | 2006-04-13 | 2008-11-27 | Austriamicrosystems Ag | Schaltungsanordnung mit einer nicht-flüchtigen Speicherzelle und Verfahren |
US7888771B1 (en) | 2007-05-02 | 2011-02-15 | Xilinx, Inc. | E-fuse with scalable filament link |
JP5160164B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2013-03-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ヒューズ回路 |
US7923811B1 (en) | 2008-03-06 | 2011-04-12 | Xilinx, Inc. | Electronic fuse cell with enhanced thermal gradient |
US8564023B2 (en) * | 2008-03-06 | 2013-10-22 | Xilinx, Inc. | Integrated circuit with MOSFET fuse element |
CN104751895B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 存储器、电熔丝存储阵列的检测电路及方法 |
CN107464585B (zh) * | 2016-06-06 | 2020-02-28 | 华邦电子股份有限公司 | 电子式熔丝装置以及电子式熔丝阵列 |
US10360988B2 (en) | 2016-11-02 | 2019-07-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for protection against inadvertent programming of fuse cells |
US10255982B2 (en) * | 2016-11-02 | 2019-04-09 | Skyworks Solutions, Inc. | Accidental fuse programming protection circuits |
Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
DE2614781B2 (de) * | 1976-04-06 | 1979-04-05 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Integrierte Schaltungsanordnung |
US4329685A (en) * | 1980-06-09 | 1982-05-11 | Burroughs Corporation | Controlled selective disconnect system for wafer scale integrated circuits |
US4446534A (en) * | 1980-12-08 | 1984-05-01 | National Semiconductor Corporation | Programmable fuse circuit |
US4532607A (en) * | 1981-07-22 | 1985-07-30 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Programmable circuit including a latch to store a fuse's state |
JPS6043300A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Toshiba Corp | 感知増幅回路 |
-
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