KR20240099623A - 에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는 기판 지지부, 및 에지 처리 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 기판 지지부는 기판을 지지하도록 구비될 수 있고, 상기 에지 처리 어셈블리는 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하되, 상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비될 수 있다.

Description

에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{ASSEMBLY FOR PROCESSING SUBSTRATE EDGE AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE HAVING THE SAME}
본 발명은 에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게 본 발명은 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거함과 아울러 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 이루어지는 에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조 공정에 있어서, 집적회로 소자로 제조하기 위한 기판 전면(前面)에 형성하는 박막 중 에지 부분에 형성하는 박막을 제대로 처리하지 않을 경우 기판 이송시 반송 부재 등과의 접촉으로 인해 파티클이 생성될 수 있을 것이다.
이에, 집적회로 소자의 제조에서는 기판 전면의 에지 부분에 형성하는 박막을 제거하는 에지 제거 공정을 수행할 수 있는데, 에지 제거 공정은 주로 기판 전면의 에지 부분에 박막 제거용 약액을 분사함과 아울러 기판 이면의 에지 부분에 세정액을 분사함에 의해 이루어질 수 있다.
여기서, 에지 제거 공정을 수행하기 위한 에지 처리 어셈블리는 박막 제거용 약액을 분사하는 부재와 세정액을 분사하는 부재가 따로 구비되는 구조를 갖도록 이루어질 수 있는데, 박막 제거용 분사 부재와 세정액 분사 부재가 따로 구비되기 때문에 그 구조가 복잡해질 수 있다.
그리고 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거 및 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류로 인한 흄(fume)이 기판에 흡착될 수도 있는데, 언급한 기류를 처리하기 위한 부재 또한 별도로 구비해야 하기 때문에 에지 처리 어셈블리의 구조는 더 복잡해질 수 있을 것이다.
본 발명의 일 과제는 간소한 구조를 가짐에도 불구하고 기판 전면 및 이면에서의 에지 처리를 보다 효율적으로 수행할 수 있는 에지 처리 어셈블리를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 과제는 간소한 구조를 가짐에도 불구하고 기판 전면 및 이면에서의 에지 처리를 보다 효율적으로 수행할 수 있는 에지 처리 어셈블리를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 에지 처리 어셈블리는 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하는 것으로써, 상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 바 구조에는 외부로부터 상기 박막 제거용 약액을 상기 제1 노즐로 공급할 수 있게 상기 제1 노즐과 연결되는 제1 유로, 및 외부로부터 상기 세정액을 상기 제2 노즐로 공급할 수 있게 상기 제2 노즐과 연결되는 제2 유로가 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징에는 상기 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거시 발생하는 기류, 및 상기 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 배기시키기 위한 배기 라인이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 그리고 상기 배기 라인은 상기 제1 노즐 하부와 상기 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제1 배기 라인, 및 상기 제2 노즐 상부와 상기 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제2 배기 라인으로 이루어질 수 있다.
상기 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판 지지부, 및 에지 처리 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 기판 지지부는 기판을 지지하도록 구비될 수 있고, 상기 에지 처리 어셈블리는 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하되, 상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 바 구조에는 외부로부터 상기 박막 제거용 약액을 상기 제1 노즐로 공급할 수 있게 상기 제1 노즐과 연결되는 제1 유로, 및 외부로부터 상기 세정액을 상기 제2 노즐로 공급할 수 있게 상기 제2 노즐과 연결되는 제2 유로가 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징에는 상기 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거시 발생하는 기류 및 상기 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 배기시키기 위한 배기 라인이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 그리고 상기 배기 라인은 상기 제1 노즐 하부와 상기 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제1 배기 라인, 및 상기 제2 노즐 상부와 상기 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제2 배기 라인으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 에지 처리 어셈블리는 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 이면 에지 세정부의 제2 노즐이 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비될 수 있기 때문에 간소한 구조를 갖도록 이루어질 수 있을 것이고, 또한 하우징에 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거 및 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 처리하기 위한 배기 라인이 더 구비될 수 있기 때문에 보다 더 간소한 구조를 갖도록 이루어질 수 있을 것이다.
따라서 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 에지 처리 어셈블리 그리고 언급한 에지 어셈블리를 포함하는 기판 처리 장치는 장치적 측면에서의 경쟁력, 특히 가격 경쟁력 측면에서 보다 우위를 점할 수 있을 것이다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라보는 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라보는 도면이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 C-C 방향에서 바라보는 도면이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치에서의 도포 챔버를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 도포 챔버에 구비되는 에지 처리 어셈블리를 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
그리고 첨부한 도면들을 참조하여 예시적인 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라보는 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라보는 도면이고, 도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 C-C 방향에서 바라보는 도면이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에서의 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 퍼지 모듈(800) 등을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있으며, 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 칭하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판, 즉 웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때, 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 상세히 설명하기로 한다.
로드 포트(100)는 웨이퍼(W)들이 수납된 카세트(20)가 놓이는 재치대(120)를 포함할 수 있다. 재치대(120)는 복수개가 제공될 수 있으며, 재치대(200)들은 제2 방향(14)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 일예로, 도 1에서와 같이 4개의 재치대(120)가 제공될 수 있다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 구비될 수 있다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)로 이루어질 수 있다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치될 수 있다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치될 수 있다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제1 방향(12), 제2 방향(14), 제3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있게 4축 구동이 가능한 구조를 갖도록 구비될 수 있다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가질 수 있다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치될 수 있다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공될 수 있다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합될 수 있다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정 결합될 수 있다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공될 수 있다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공될 수도 있다.
제1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제1 버퍼(320), 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼 로봇(360)을 갖도록 구비될 수 있다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치될 수 있다. 제1 버퍼(320), 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치될 수 있다. 냉각 챔버(350), 제2 버퍼(330), 그리고 제1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 제1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 챔버(410)와 대응되는 높이에 위치될 수 있고, 그리고 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 제1 버퍼 로봇(360)은 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치될 수 있다.
제1 버퍼(320)와 제2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼(W)들을 일시적으로 보관하도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대(332)들을 가질 수 있다. 지지대(332)들은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제3 방향(16)을 따라 이격되게 제공될 수 있다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓일 수 있다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시하지 않음)를 갖도록 이루어질 수 있다. 제1 버퍼(320)는 제2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 갖도록 이루어질 수 있다. 다만, 제1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 챔버(410)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 갖도록 이루어질 수 있다. 제1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 개수와 제2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 개수는 동일하거나 상이할 수 있을 것이다.
일예에 따르면, 제2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 개수는 제1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 개수보다 많을 수 있다.
제1 버퍼 로봇(360)은 제1 버퍼(320)와 제2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시키도록 구비될 수 있다. 제1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가질 수 있다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치될 수 있다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합될 수 있다. 지지대(363)는 제2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가질 수 있다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제2 방향(14) 및 제3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W) 각각을 냉각하도록 제공될 수 있다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가질 수 있다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가질 수 있다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시하지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시하지 않음)를 갖도록 이루어질 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시하지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 챔버(410)와 현상 모듈(402)을 가질 수 있다. 도포 챔버(410)와 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치될 수 있다. 일예에 따르면, 도포 챔버(410)는 현상 모듈(402)의 상부에 위치될 수 있다. 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 포토레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 수행하는 구조를 갖도록 구비될 수 있다. 도포 챔버(410)는 포토레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 갖도록 구비될 수 있다. 포토레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서 포토레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치될 수 있다. 포토레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 일예로, 도 2 및 도 3에서와 같이 포토레지스트 도포 챔버(410)는 제1 방향(12) 및 제3 방향으로 각각 6개가 제공될 수 있다. 베이크 챔버(420)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 마찬가지로, 베이크 챔버(420) 또한 6개가 제공될 수 있다. 그러나 베이크 챔버(420)는 더 많은 개수로 제공될 수도 있다.
반송 챔버(430)는 제1 버퍼 모듈(300)의 제1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치하도록 이루어질 수 있다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치될 수 있다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가질 수 있다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 포토레지스트 도포 챔버(400)들, 제1 버퍼 모듈(300)의 제1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제2 버퍼 모듈(500)의 제1 냉각 챔버(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 구비될 수 있다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 나란하도록 배치될 수 있다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내할 수 있다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 갖도록 구비될 수 있다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치될 수 있다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공될 수 있다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합될 수 있다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합될 수 있다.
포토레지스트 도포 챔버(410)들은 모두 동일한 구조를 갖도록 이루어질 수 있다. 다만, 각각의 포토레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일예에 따르면, 포토레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 포토레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트를 도포하도록 이루어질 수 있다. 포토레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 갖도록 구비될 수 있다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공될 수 있다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토레지스트를 공급할 수 있다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토레지스트를 공급하도록 구비될 수 있다. 선택적으로, 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공되도록 구비될 수 있다. 또한, 추가적으로 포토레지스트 도포 챔버(410)에는 포토레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공되도록 구비될 수 있다.
베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리하도록 구비될 수 있다. 예컨대, 베이크 챔버(420)들은 포토레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나, 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하도록 이루어질 수 있고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하도록 이루어질 수 있다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가질 수 있다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공될 수 있다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비할 수 있고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 수행하도록 이루어질 수 있다. 현상모듈(5402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 갖도록 구비될 수 있다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치하도록 구비될 수 있다. 현상 챔버(460)는 복수개가 제공되며, 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 마찬가지로, 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 개수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제1 버퍼 모듈(300)의 제2 버퍼(330)와 제1 방향(12)으로 나란하게 위치하도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치할 수 있다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 갖도록 이루어질 수 있다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제1 버퍼 모듈(300)의 제2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제2 버퍼 모듈(500)의 제2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 이루어질 수 있다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 나란하도록 배치될 수 있다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내하도록 구비될 수 있다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가질 수 있다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치될 수 있다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 구비될 수 있다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공될 수 있다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합될 수 있다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합될 수 있다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합될 수 있다.
현상 챔버(460)들은 모두 동일한 구조를 갖도록 이루어질 수 있다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거하도록 이루어질 수 있다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거될 수 있다. 선택적으로 사용되는 포토레지스트의 종류에 따라 포토레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. 현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 갖도록 구비될 수 있다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지하도록 구비될 수 있다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공될 수 있다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급할 수 있다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급하도록 구비될 수 있다. 선택적으로, 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리하도록 구비될 수 있다. 예컨대, 베이크 챔버(470)들은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정, 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하도록 구비될 수 있다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가질 수 있다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공될 수 있다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 챔버(410)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되는 구조를 갖도록 제공될 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 챔버(410)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서의 구성을 갖도록 제공될 수 있다. 또한, 제2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행하도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 제2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제2 버퍼 로봇(560)을 갖도록 구비될 수 있다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 제2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치될 수 있다. 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 챔버(410)에 대응하는 높이에 배치될 수 있다. 제2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치될 수 있다. 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 그리고 제2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제3 방향(16)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)는 도포 챔버(410)의 반송 챔버(430)와 제1 방향(12)을 따라 배치될 수 있다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제1 냉각 챔버(530)와 제2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치될 수 있다. 제2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반하도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치될 수 있다. 제2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 챔버(410)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들에 대해 후속 공정을 수행하도록 구비될 수 있다. 제1 냉각 챔버(530)는 도포 챔버(410)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각하도록 구비될 수 있다. 제1 냉각 챔버(530)는 제1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가질 수 있다. 에지 노광 챔버(550)는 제1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼(W)들에 대해 그 가장자리를 노광하도록 구비될 수 있다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하도록 구비될 수 있다. 제2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)들을 냉각하도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리하도록 구비될 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈 (600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행하도록 구비될 수 있다. 또한, 화학증폭형 포토레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리하도록 구비될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하도록 이루어질 수 있고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하도록 이루어질 수 있다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치될 수 있다. 일예에 따르면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치할 수 있다. 전처리 모듈(601)은 도포 챔버(410)와 동일한 높이로 제공될 수 있다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공될 수 있다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 갖도록 구비될 수 있다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630),그리고 베이크 챔버(620)는 제2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치될 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 보호막 도포 챔버(610)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(620)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제2 버퍼 모듈(500)의 제1 냉각 챔버(530)와 제1 방향(12)으로 나란하게 위치하도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치하는 구성을 갖도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 갖도록 구비될 수 있다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 구비될 수 있다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가질 수 있다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치될 수 있다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공될 수 있다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합될 수 있다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포하도록 구비될 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 갖도록 구비될 수 있다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공될 수 있다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급할 수 있다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급하도록 구비될 수 있다. 선택적으로, 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함할 수 있다. 보호액은 포토레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급할 수 있다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리하도록 구비될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 갖도록 구비될 수 있다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공될 수 있다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공될 수 있다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(620)들 중 일부는 가열 플레이트(622)만을 구비할 수 있고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621)만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 갖도록 구비될 수 있다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치되는 구성을 갖도록 구비도리 수 있다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 세정 챔버(660)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 노광 후 베이크 챔버(670)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제2 버퍼 모듈(500)의 제2 냉각 챔버(540)와 제1 방향(12)으로 나란하게 위치하도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 갖도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치할 수 있다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제2 버퍼 모듈(500)의 제2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반하도록 구비될 수 있다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조를 갖도록 구비될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정하도록 구비될 수 있다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 갖도록 구비될 수 있다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하도록 구비될 수 있다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급할 수 있다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급하도록 이루어질 수 있다. 선택적으로, 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열하도록 구비될 수 있다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토레지스트의 성질 변화를 완성시키기 위하여 수행될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 갖도록 구비될 수 있다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공될 수 있다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이, 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 이루어질 수 있다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 퍼지 모듈(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 구비될 수 있다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)을 갖도록 구비될 수 있다. 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치하도록 구비될 수 있다. 제1 버퍼(720)와 제2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치될 수 있다. 제1 버퍼(720)는 제2 버퍼(730)보다 높게 배치될 수 있다. 제1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치될 수 있다.
인터페이스 로봇(740)은 제1 버퍼(720) 및 제2 버퍼(730)와 제2 방향(14)으로 이격되게 위치되도록 이루어질 수 있다. 인터페이스 로봇(740)은 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 퍼지 모듈(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반하도록 구비될 수 있다. 인터페이스 로봇(740)은 제2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가질 수 있다. 제1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관하도록 이루어질 수 있다. 그리고 제2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관하도록 이루어질 수 있다. 제1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대(722)들을 가질 수 있다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제3 방향(16)을 따라 이격되게 제공될 수 있다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓일 수 있다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시하지 않음)를 갖도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼(730)는 제1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가질 수 있다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시하지 않음)가 구비될 수 있다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수도 있다.
퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 구체적으로, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제1 버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 배치될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 노광 전후 처리 모듈(600)에서 포토레지스트의 보호를 위한 보호막이 도포된 웨이퍼에 대해 가스 퍼지 공정과 린스 공정을 수행하도록 이루어질 수 있다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치에서의 도포 챔버를 나타내는 도면이고, 도 6은 도 5의 도포 챔버에 구비되는 에지 처리 어셈블리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1)에서의 도포 챔버(410)는 웨이퍼 지지부, 즉 기판 지지부(53), 에지 처리 어셈블리(51), 도포 노즐(59) 등을 갖도록 구비될 수 있다.
기판 지지부(53)는 그 상부에 기판(W)이 놓이도록 구비될 수 있다. 기판 지지부(53)는 기판(W)이 놓인 상태에서 회전 가능하도록 구비될 수 있다. 기판 지지부(53)의 회전은 기판 지지부와 연결되는 모터 등과 같은 회전부(55)에 의해 이루어질 수 있다.
도포 노즐(59)은 기판 지지부(53)에 의해 회전하는 기판(W)에 박막(F), 즉 포토레지스트를 도포하도록 구비될 수 있다. 도포 노즐(59)은 기판 중심 부분에 포토레지스트를 도포하도록 구비될 수 있다. 도포 노즐(59)에 의해 기판 중심 부분에 도포되는 포토레지스트는 기판(W)의 회전에 따른 원심력에 의해 기판 중심 부분으로부터 기판 에지 부분까지로 밀려나서 기판 전체에 고르게 도포될 수 있다. 다만, 도포 노즐(59)은 노즐 암(도시하지 않음)에 의해 이동 가능하도록 구비될 수 있다.
용기(57)는 기판(W)에 포토레지스트를 도포하는 도포 공정이 이루어지는 공간을 제공하도록 구비될 수 있다. 용기(57)는 기판 지지부(53)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 용기(57)는 대체로 원통 형상을 가질 수 있다. 용기(57)는 단일 구조를 갖도록 구비될 수 있다. 이와 달리, 용기(57)는 복수 개가 차례로 둘러싸는 구조를 갖도록 구비될 수 있는데, 그 예로서는 용기(57)는 하부 용기, 하부 용기를 둘러싸는 상부 용기를 갖도록 이루어지거나, 하부 용기와 상부 용기 그리고 하부 용기와 상부 용기 사이에 배치되는 중간 용기를 갖도록 이루어질 수 있다. 도시하지 않았지만, 용기(57) 아래쪽에는 배기 유닛이 형성될 수 있는데, 배기 유닛은 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 포토레지스트, 후술하는 기판의 에지 부분에 형성되는 박막, 즉 기판의 에지 부분에서의 포토레지스트의 제거 및 세정시 발생하는 기류 등을 배기시키도록 구비될 수 있다. 배기 유닛은 주로 용기(57) 내부로 음압을 제공하여 포토레지스트, 기류 등을 용기 외부로 배기시키도록 구비될 수 있다.
용기(57)와 기판 지지부(53) 사이에서의 상대적인 높이는 승강부(도시하지 않음)에 의해 조절 가능하게 제공될 수 있다. 일예에 따르면, 승강부는 용기(57)의 외측에 위치하는 플렌지, 일단이 플렌지에 고정되는 로드, 로드의 타단을 상,하로 이동시키기 위한 승강기 등을 포함할 수 있다. 이에, 승강부는 용기(57) 전체를 상하로 이동시킴에 의해 용기(57)와 기판 지지부(53)의 상면 상,하 이격 거리를 조절할 수 있을 것이다. 또한, 승강부는 기판 지지부(53)에 위치되어, 기판 지지부(53)의 상부를 상,하로 이동시키는 방식으로, 용기(57)와 기판 지지부(53)의 상면의 상,하 이격 거리를 조절할 수도 있을 것이다.
도포 노즐(59)로부터 기판(W)으로 공급되는 포토레지스트는 유동성을 갖는 액체이므로, 기판(W)이 고속으로 회전함에 따라 포토레지스트는 원심력에 의해 기판 전면의 에지 부분까지 밀리게 된다. 기판 전면의 에지 부분까지 밀리는 포토레지스트는 표면 장력에 의해 기판 전면의 중심 부분에서 보다 더 부풀어 올라 에지 비드(기판 전면의 에지 부분에 형성되는 박막)를 형성할 수 있다. 따라서 기판의 반송 및 반출시 에지 비드는 카세트와 접촉하여 카세트에 묻어서 오염 물질로 작용할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 에지 처리 어셈블리(51)는 기판(W)에 포토레지스트의 도포시 기판 전면의 에지 부분에 형성되는 포토레지스트인 에지 비드를 제거하도록 구비될 수 있다. 에지 처리 어셈블리(51)는 기판(W)으로 박막 제거용 약액, 즉 유기 용제, 또는 신너 등과 같은 혼합 용제를 포함하는 비드 제거액을 공급하도록 구비될 수 있다. 또한, 에지 처리 어셈블리(51)는 에지 비드 제거시 발생하는 잔류물을 세정 처리하기 위하여 탈이온수 등과 같은 세정액을 공급하도록 구비될 수 있다. 에지 비드의 제거시 공급되는 비드 제거액 및 세정액은 포토레지스트의 공급이 종료된 후 공급될 수 있다. 비드 제거액 및 세정액이 공급되는 동안 기판은 회전하는 상태일 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 에지 처리 어셈블리(51)는 기판 상면, 즉 기판 전면의 에지 부분에 형성되는 박막인 에지 비드를 제거하기 위한 전면 에지 제거부(63, 67), 및 기판 하면, 즉 기판 이면의 에지 부분을 세정하기 위한 이면 에지 세정부(65, 69)를 포함할 수 있다. 전면 에지 제거부는 기판 전면의 에지 부분으로 비드 제거액을 분사하기 위한 제1 노즐(63)이 구비될 수 있고, 이면 에지 세정부는 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 제2 노즐(65)이 구비될 수 있다. 특히, 제1 노즐(63)과 제2 노즐(65)은 단일 구조를 갖는 하우징(61)에 배치되도록 구비될 수 있다.
하우징(61)은 기판(W) 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조를 갖도록 제공될 수 있는 것으로써, 기판(W) 측면을 중심으로 상,하 각각으로 수직하게 연장되는 바 구조를 갖도록 제공될 수 있다. 따라서 제1 노즐(63)은 기판 전면의 에지 부분으로 비드 제거액을 분사할 수 있게 바 구조의 상부 쪽에서 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치될 수 있고, 제2 노즐(65)은 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사할 수 있게 바 구조의 하부 쪽에서 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치될 수 있다.
하우징(61)의 바 구조에는 비드 제거액을 제1 노즐(63)로 공급하기 위한 제1 유로(67), 및 세정액을 제2 노즐(65)로 공급하기 위한 제2 유로(69)가 제공될 수 있다. 제1 유로(67)는 제1 노즐(63)로 비드 제거액을 공급할 수 있게 외부에 배치되는 비드 제거액을 저장하는 저장 부재와 연결되는 연결 라인과 제1 노즐(63) 사이를 연결하도록 구비될 수 있고, 제2 유로(69)는 제2 노즐(65)로 세정액을 공급할 수 있게 외부에 배치되는 세정액을 저장하는 저장 부재와 연결되는 연결 라인과 제2 노즐(65) 사이를 연결하도록 구비될 수 있다.
에지 처리 어셈블리(51)를 사용한 에지 비드의 제거시 기류가 발생할 수 있다. 즉, 기판 전면의 에지 부분에서의 에지 비드의 제거에 따른 기류 및 기판 이면의 에지 부분에서의 세정에 따른 기류가 발생할 수 있다. 그런데, 기류를 제어 처리하지 않을 경우 흄이 생성되어 기판(W)에 잔류하는 상황이 발생할 수 있다. 다만, 용기(57) 내부로 음압을 제공하는 배기 유닛만으로 기류를 제어 처리하기에는 다소 역부족일 수 있다. 따라서 에지 처리 어셈블리(51)에는 기판 전면의 에지 부분에서의 에지 비드 제거시 발생하는 기류, 및 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 제어 처리하기 위한 배기 라인(75)이 제공될 수 있다.
배기 라인(75)은 기판 전면의 에지 부분에서 발생하는 기류를 배기시키기 위한 제1 배기 라인, 및 기판 이면의 에지 부분에서 발생하는 기류를 배기시키기 위한 제2 배기 라인으로 제공될 수 있다. 에지 처리 어셈블리(51)의 하우징(61)이 바 구조를 가짐에 따라 제1 배기 라인은 제1 노즐(63) 하부와 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구(71)가 배치되는 유로 구조를 갖도록 구비될 수 있고, 제2 배기 라인은 제2 노즐(65) 상부와 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구(73)가 배치되는 유로 구조를 갖도록 구비될 수 있다. 제1 배기 라인과 제2 배기 라인은 하우징(61)에 동일 경로를 갖도록 구비될 수 있다. 이와 달리, 제1 배기 라인가 제2 배기 라인은 하우징(61)에 서로 다른 경로를 갖도록 구비될 수 있다. 그리고 배기 라인(75)은 기류를 흡인하기 위한 음압을 제공할 수 있게 외부에 배치되는 진공 펌프 등을 포함하는 음압 제공 부재와 연결되도록 구비될 수 있다.
언급한 바에 따르면, 전면 에지 제거부와 이면 에지 세정부를 단일 구조를 갖는 하우징(61)에 배치될 수 있게 제공함으로써 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치의 구조를 보다 간소할 수 있다. 더욱이, 에지 비드의 제거시 발생하는 기류를 제어 처리하기 위한 배기 라인까지도 전면 에지 제거부와 이면 에지 세정부가 배치되는 단일 구조를 갖는 하우징(61)에 배치될 수 있게 함으로써 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치의 구조를 보다 더 간소할 수 있다.
그리고 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 웨이퍼, 즉 기판에 포토레지스트를 도포하는 도포 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되는 않을 것이다. 다시 말해, 본 발명의 예시적인 실시예들은 기판 전면의 에지 부분에 형성되는 박막인 에지 비드를 제거하도록 구비된다면 포토레지스트가 아닌 다른 재료, 예를 들면 구리 도금층 등과 같은 박막의 형성에서의 에지 비드를 제거하기 위한 기판 처리 장치에도 적용할 수 있을 것이다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 에지 처리 어셈블리 및 기판 처리 장치는 박막의 형성시 생성되는 에지 비드를 제거에 적용할 수 있기 때문에 디램, 낸드, 시스템 반도체, 이미지 센서 등과 같은 집적회로 소자의 제조에 보다 적극적으로 적용할 수 있을 것이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
51 : 에지 처리 어셈블리 53 : 기판 지지부
55 : 회전부 57 : 용기
59 : 도포 노즐 61 : 하우징
63 : 제1 노즐 65 : 제2 노즐
67 : 제1 유로 69 : 제2 유로
71, 73 : 입구 75 : 배기 라인

Claims (10)

  1. 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하되,
    상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 바 구조에는 외부로부터 상기 박막 제거용 약액을 상기 제1 노즐로 공급할 수 있게 상기 제1 노즐과 연결되는 제1 유로, 및 외부로부터 상기 세정액을 상기 제2 노즐로 공급할 수 있게 상기 제2 노즐과 연결되는 제2 유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 하우징에는 상기 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거시 발생하는 기류, 및 상기 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 배기시키기 위한 배기 라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 그리고
    상기 배기 라인은 상기 제1 노즐 하부와 상기 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제1 배기 라인, 및 상기 제2 노즐 상부와 상기 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제2 배기 라인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.
  6. 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
    상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하되, 상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비되는 에지 처리 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 바 구조에는 외부로부터 상기 박막 제거용 약액을 상기 제1 노즐로 공급할 수 있게 상기 제1 노즐과 연결되는 제1 유로, 및 외부로부터 상기 세정액을 상기 제2 노즐로 공급할 수 있게 상기 제2 노즐과 연결되는 제2 유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 하우징에는 상기 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거시 발생하는 기류 및 상기 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 배기시키기 위한 배기 라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 그리고
    상기 배기 라인은 상기 제1 노즐 하부와 상기 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제1 배기 라인, 및 상기 제2 노즐 상부와 상기 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제2 배기 라인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020220181335A 2022-12-22 에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR20240099623A (ko)

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