KR20240099623A - Assembly for processing substrate edge and apparatus for processing substrate having the same - Google Patents

Abstract

기판 처리 장치는 기판 지지부, 및 에지 처리 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 기판 지지부는 기판을 지지하도록 구비될 수 있고, 상기 에지 처리 어셈블리는 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하되, 상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비될 수 있다.A substrate processing apparatus can include a substrate support and an edge processing assembly. The substrate support portion may be provided to support a substrate, and the edge processing assembly may include a front edge removal portion provided to remove a thin film formed on an edge portion of the front surface of the substrate supported by the substrate support portion, and a substrate It includes a back edge cleaning unit provided to clean the edge portion of the front surface of the substrate, and a first nozzle of the front edge removal unit for spraying a thin film removal chemical solution to the edge portion of the front surface of the substrate and the edge of the back surface of the substrate. The second nozzle of the back edge cleaning portion for spraying the cleaning liquid into the portion may be provided to be disposed in a housing having a single structure.

Description

에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{ASSEMBLY FOR PROCESSING SUBSTRATE EDGE AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE HAVING THE SAME}Edge processing assembly and substrate processing apparatus including same {ASSEMBLY FOR PROCESSING SUBSTRATE EDGE AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE HAVING THE SAME}

본 발명은 에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게 본 발명은 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거함과 아울러 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 이루어지는 에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an edge processing assembly and a substrate processing device including the same. More specifically, the present invention relates to an edge processing assembly configured to remove a thin film formed on the edge portion of the front surface of a substrate and to clean the edge portion of the rear surface of the substrate, and a substrate processing device including the same.

반도체 소자 등과 같은 집적회로 소자의 제조 공정에 있어서, 집적회로 소자로 제조하기 위한 기판 전면(前面)에 형성하는 박막 중 에지 부분에 형성하는 박막을 제대로 처리하지 않을 경우 기판 이송시 반송 부재 등과의 접촉으로 인해 파티클이 생성될 수 있을 것이다.In the manufacturing process of integrated circuit devices such as semiconductor devices, if the thin film formed on the edge of the thin film formed on the front surface of the substrate for manufacturing the integrated circuit device is not properly processed, it may come into contact with the transfer member, etc. when transferring the substrate. This may result in particles being created.

이에, 집적회로 소자의 제조에서는 기판 전면의 에지 부분에 형성하는 박막을 제거하는 에지 제거 공정을 수행할 수 있는데, 에지 제거 공정은 주로 기판 전면의 에지 부분에 박막 제거용 약액을 분사함과 아울러 기판 이면의 에지 부분에 세정액을 분사함에 의해 이루어질 수 있다.Accordingly, in the manufacture of integrated circuit devices, an edge removal process can be performed to remove the thin film formed on the edge of the front of the substrate. The edge removal process mainly involves spraying a thin film removal chemical solution on the edge of the front of the substrate, as well as removing the thin film from the edge of the front of the substrate. This can be done by spraying the cleaning liquid on the edge portion of the back side.

여기서, 에지 제거 공정을 수행하기 위한 에지 처리 어셈블리는 박막 제거용 약액을 분사하는 부재와 세정액을 분사하는 부재가 따로 구비되는 구조를 갖도록 이루어질 수 있는데, 박막 제거용 분사 부재와 세정액 분사 부재가 따로 구비되기 때문에 그 구조가 복잡해질 수 있다.Here, the edge processing assembly for performing the edge removal process may be configured to have a structure in which a member for spraying a chemical solution for thin film removal and a member for spraying a cleaning solution are separately provided. The spray member for thin film removal and the cleaning fluid spray member are provided separately. Because of this, the structure can become complicated.

그리고 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거 및 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류로 인한 흄(fume)이 기판에 흡착될 수도 있는데, 언급한 기류를 처리하기 위한 부재 또한 별도로 구비해야 하기 때문에 에지 처리 어셈블리의 구조는 더 복잡해질 수 있을 것이다.In addition, fume due to air currents generated during removal of the thin film from the edge of the front of the substrate and cleaning from the edge of the back of the substrate may be adsorbed to the substrate. A separate member to handle the air flow must also be provided. Therefore, the structure of the edge processing assembly may become more complex.

본 발명의 일 과제는 간소한 구조를 가짐에도 불구하고 기판 전면 및 이면에서의 에지 처리를 보다 효율적으로 수행할 수 있는 에지 처리 어셈블리를 제공하는데 있다.One object of the present invention is to provide an edge processing assembly that can more efficiently perform edge processing on the front and back sides of a substrate despite having a simple structure.

본 발명의 다른 과제는 간소한 구조를 가짐에도 불구하고 기판 전면 및 이면에서의 에지 처리를 보다 효율적으로 수행할 수 있는 에지 처리 어셈블리를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device including an edge processing assembly that can more efficiently perform edge processing on the front and back surfaces of a substrate despite having a simple structure.

상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 에지 처리 어셈블리는 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하는 것으로써, 상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비될 수 있다.The edge processing assembly according to exemplary embodiments for achieving the object of the present invention includes a front edge removal unit provided to remove a thin film formed on the edge portion of the front surface of the substrate, and a front edge removal unit provided on the back surface of the substrate. It includes a back edge cleaning unit provided to clean the edge portion, a first nozzle of the front edge removal portion for spraying a thin film removal chemical solution to the edge portion of the front side of the substrate, and a cleaning solution to the edge portion of the back side of the substrate. The second nozzle of the rear edge cleaning unit for spraying may be provided to be disposed in a housing having a single structure.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치될 수 있다.In exemplary embodiments, when the housing is formed as a bar structure extending vertically along a side of the substrate, the first nozzle is disposed toward an edge portion of the front surface of the substrate from the upper side of the bar structure. The second nozzle may be arranged from the lower side of the bar structure toward the edge of the back surface of the substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 바 구조에는 외부로부터 상기 박막 제거용 약액을 상기 제1 노즐로 공급할 수 있게 상기 제1 노즐과 연결되는 제1 유로, 및 외부로부터 상기 세정액을 상기 제2 노즐로 공급할 수 있게 상기 제2 노즐과 연결되는 제2 유로가 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, the bar structure includes a first flow path connected to the first nozzle to supply the thin film removal chemical solution to the first nozzle from the outside, and a first flow path connected to the first nozzle to supply the cleaning solution from the outside to the second nozzle. A second flow path connected to the second nozzle may be formed to enable supply.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징에는 상기 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거시 발생하는 기류, 및 상기 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 배기시키기 위한 배기 라인이 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, an exhaust line may be formed in the housing to exhaust air currents generated when removing a thin film from an edge portion of the front surface of the substrate and air currents generated during cleaning from an edge portion of the rear surface of the substrate. there is.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 그리고 상기 배기 라인은 상기 제1 노즐 하부와 상기 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제1 배기 라인, 및 상기 제2 노즐 상부와 상기 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제2 배기 라인으로 이루어질 수 있다.In exemplary embodiments, when the housing is formed as a bar structure extending vertically along a side of the substrate, the first nozzle is disposed toward an edge portion of the front surface of the substrate from the upper side of the bar structure. The second nozzle is disposed to face the edge portion of the back surface of the substrate from the lower side of the bar structure, and the exhaust line is configured to exhaust airflow between the lower portion of the first nozzle and the upper portion of the edge portion of the front surface of the substrate. It may be composed of a first exhaust line having a flow path structure in which an inlet is disposed, and a second exhaust line having a flow path structure in which an inlet for exhausting airflow is disposed between the upper part of the second nozzle and the lower edge portion of the back surface of the substrate. .

상기 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판 지지부, 및 에지 처리 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기 기판 지지부는 기판을 지지하도록 구비될 수 있고, 상기 에지 처리 어셈블리는 상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하되, 상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비될 수 있다.A substrate processing apparatus according to exemplary embodiments for achieving another object of the present invention may include a substrate support part and an edge processing assembly. The substrate support portion may be provided to support a substrate, and the edge processing assembly may include a front edge removal portion provided to remove a thin film formed on an edge portion of the front surface of the substrate supported by the substrate support portion, and a substrate It includes a back edge cleaning unit provided to clean the edge portion of the front surface of the substrate, and a first nozzle of the front edge removal unit for spraying a thin film removal chemical solution to the edge portion of the front surface of the substrate and the edge of the back surface of the substrate. The second nozzle of the back edge cleaning portion for spraying the cleaning liquid into the portion may be provided to be disposed in a housing having a single structure.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치될 수 있다.In exemplary embodiments, when the housing is formed as a bar structure extending vertically along a side of the substrate, the first nozzle is disposed toward an edge portion of the front surface of the substrate from the upper side of the bar structure. The second nozzle may be arranged from the lower side of the bar structure toward the edge of the back surface of the substrate.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 바 구조에는 외부로부터 상기 박막 제거용 약액을 상기 제1 노즐로 공급할 수 있게 상기 제1 노즐과 연결되는 제1 유로, 및 외부로부터 상기 세정액을 상기 제2 노즐로 공급할 수 있게 상기 제2 노즐과 연결되는 제2 유로가 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, the bar structure includes a first flow path connected to the first nozzle to supply the thin film removal chemical solution to the first nozzle from the outside, and a first flow path connected to the first nozzle to supply the cleaning solution from the outside to the second nozzle. A second flow path connected to the second nozzle may be formed to enable supply.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징에는 상기 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거시 발생하는 기류 및 상기 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 배기시키기 위한 배기 라인이 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, an exhaust line may be formed in the housing to exhaust air currents generated when removing a thin film from an edge portion of the front side of the substrate and air currents generated during cleaning from an edge portion of the back side of the substrate. .

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 그리고 상기 배기 라인은 상기 제1 노즐 하부와 상기 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제1 배기 라인, 및 상기 제2 노즐 상부와 상기 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제2 배기 라인으로 이루어질 수 있다.In exemplary embodiments, when the housing is formed as a bar structure extending vertically along a side of the substrate, the first nozzle is disposed toward an edge portion of the front surface of the substrate from the upper side of the bar structure. The second nozzle is disposed to face the edge portion of the back surface of the substrate from the lower side of the bar structure, and the exhaust line is configured to exhaust airflow between the lower portion of the first nozzle and the upper portion of the edge portion of the front surface of the substrate. It may be composed of a first exhaust line having a flow path structure in which an inlet is disposed, and a second exhaust line having a flow path structure in which an inlet for exhausting airflow is disposed between the upper part of the second nozzle and the lower edge portion of the back surface of the substrate. .

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 에지 처리 어셈블리는 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 이면 에지 세정부의 제2 노즐이 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비될 수 있기 때문에 간소한 구조를 갖도록 이루어질 수 있을 것이고, 또한 하우징에 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거 및 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 처리하기 위한 배기 라인이 더 구비될 수 있기 때문에 보다 더 간소한 구조를 갖도록 이루어질 수 있을 것이다.According to exemplary embodiments of the present invention, the edge processing assembly has a simple structure because the first nozzle of the front edge removal portion and the second nozzle of the back edge cleaning portion may be provided to be disposed in a housing having a single structure. It can be made to have a simpler structure because the housing can be further equipped with an exhaust line to handle the airflow generated when removing the thin film from the edge portion of the front side of the substrate and cleaning the edge portion from the back side of the substrate. It will be possible to have it.

따라서 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 에지 처리 어셈블리 그리고 언급한 에지 어셈블리를 포함하는 기판 처리 장치는 장치적 측면에서의 경쟁력, 특히 가격 경쟁력 측면에서 보다 우위를 점할 수 있을 것이다.Accordingly, the edge processing assembly according to exemplary embodiments of the present invention and the substrate processing device including the aforementioned edge assembly may have an advantage in terms of device competitiveness, especially in price competitiveness.

다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라보는 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라보는 도면이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 C-C 방향에서 바라보는 도면이다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치에서의 도포 챔버를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 도포 챔버에 구비되는 에지 처리 어셈블리를 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from the AA direction.
FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from the BB direction.
FIG. 4 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from the CC direction.
5 is a diagram illustrating an application chamber in a substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention.
FIG. 6 is a diagram for explaining an edge processing assembly provided in the application chamber of FIG. 5.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다.Since the present invention can be subject to various changes and can have various forms, embodiments will be described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosed form, and should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention. While describing each drawing, similar reference numerals are used for similar components. Terms such as first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The terms used in this application are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, terms such as “comprise” or “consist of” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that it does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal sense unless explicitly defined in the present application. No.

그리고 첨부한 도면들을 참조하여 예시적인 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.And exemplary embodiments will be described in more detail with reference to the attached drawings. The same reference numerals are used for the same components in the drawings, and duplicate descriptions for the same components are omitted.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 A-A 방향에서 바라보는 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 B-B 방향에서 바라보는 도면이고, 도 4는 도 1의 기판 처리 장치를 C-C 방향에서 바라보는 도면이다.FIG. 1 is a diagram for explaining a substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention, FIG. 2 is a diagram looking at the substrate processing apparatus of FIG. 1 from the direction A-A, and FIG. 3 is a diagram of the substrate processing apparatus of FIG. 1 is a view looking from the B-B direction, and FIG. 4 is a view looking at the substrate processing apparatus of FIG. 1 from the C-C direction.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에서의 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 퍼지 모듈(800) 등을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있으며, 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.1 to 4, the substrate processing device 1 in the present invention includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and development module 400, and a second It includes a buffer module 500, a pre- and post-exposure processing module 600, an interface module 700, a purge module 800, etc. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and development module 400, second buffer module 500, pre- and post-exposure processing module 600, and interface module 700. Can be sequentially arranged in a row in one direction. The purge module 800 may be provided within the interface module 700. In contrast, the purge module 800 may be located at a location where the exposure device 900 at the rear of the interface module 700 is connected, or at a side of the interface module 700. Can be provided in a variety of locations.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 칭하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and development module 400, the second buffer module 500, the pre- and post-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which 700) is arranged is called the first direction 12, and the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is called the second direction 14, and the first direction 12 and the second The direction perpendicular to the direction 14 is called the third direction 16.

기판, 즉 웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때, 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.The substrate, that is, the wafer W, is moved while stored in the cassette 20. At this time, the cassette 20 may have a structure that can be sealed from the outside. For example, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used as the cassette 20.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and development module 400, the second buffer module 500, the pre- and post-exposure processing module 600, and the interface module 700. ), and the purge module 800 will be described in detail.

로드 포트(100)는 웨이퍼(W)들이 수납된 카세트(20)가 놓이는 재치대(120)를 포함할 수 있다. 재치대(120)는 복수개가 제공될 수 있으며, 재치대(200)들은 제2 방향(14)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 일예로, 도 1에서와 같이 4개의 재치대(120)가 제공될 수 있다.The load port 100 may include a table 120 on which the cassette 20 containing the wafers W is placed. A plurality of mounts 120 may be provided, and the mounts 200 may be arranged in a row along the second direction 14. For example, four mounting tables 120 may be provided as shown in FIG. 1 .

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 구비될 수 있다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)로 이루어질 수 있다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치될 수 있다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치될 수 있다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제1 방향(12), 제2 방향(14), 제3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있게 4축 구동이 가능한 구조를 갖도록 구비될 수 있다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가질 수 있다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치될 수 있다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공될 수 있다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합될 수 있다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정 결합될 수 있다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공될 수 있다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공될 수도 있다.The index module 200 may be provided to transfer the wafer W between the cassette 20 placed on the holder 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 may be comprised of a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and may be disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300, which will be described later. The index robot 220 and guide rail 230 may be placed within the frame 210. The index robot 220 is driven in four axes so that the hand 221, which directly handles the wafer W, can move and rotate in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. It may be provided to have this possible structure. The index robot 220 may have a hand 221, an arm 222, a support 223, and a stand 224. The hand 221 may be fixedly installed on the arm 222. The arm 222 may be provided in a stretchable structure or a rotatable structure. The support 223 may be arranged along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 may be coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223 . The support 223 may be fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 may be provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14. The pedestal 224 may be coupled to the guide rail 230 to enable straight movement along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 may be further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제1 버퍼(320), 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼 로봇(360)을 갖도록 구비될 수 있다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치될 수 있다. 제1 버퍼(320), 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치될 수 있다. 냉각 챔버(350), 제2 버퍼(330), 그리고 제1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 제1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 챔버(410)와 대응되는 높이에 위치될 수 있고, 그리고 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 제1 버퍼 로봇(360)은 제2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치될 수 있다.The first buffer module 300 may be provided with a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and may be placed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, second buffer 330, cooling chamber 350, and first buffer robot 360 may be located within frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 may be sequentially arranged along the third direction 16 from below. The first buffer 320 may be located at a height corresponding to the application chamber 410 of the application and development module 400, which will be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 may be used for the application and development module 400, which will be described later. The development module 400 may be located at a height corresponding to the development module 402. The first buffer robot 360 may be positioned at a certain distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in the second direction 14.

제1 버퍼(320)와 제2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼(W)들을 일시적으로 보관하도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대(332)들을 가질 수 있다. 지지대(332)들은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제3 방향(16)을 따라 이격되게 제공될 수 있다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓일 수 있다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시하지 않음)를 갖도록 이루어질 수 있다. 제1 버퍼(320)는 제2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 갖도록 이루어질 수 있다. 다만, 제1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 챔버(410)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 갖도록 이루어질 수 있다. 제1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 개수와 제2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 개수는 동일하거나 상이할 수 있을 것이다.The first buffer 320 and the second buffer 330 may each be provided to temporarily store a plurality of wafers W. The second buffer 330 may have a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and may be spaced apart from each other along the third direction 16. One wafer W can be placed on each support 332. The housing 331 includes an index robot 220, a first buffer robot 360, and a developing robot 482 of the developing module 402, which will be described later, to place the wafer W on the support 332 within the housing 331. It may be configured to have an opening (not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing robot 482 is provided for loading or unloading. The first buffer 320 may have a structure substantially similar to that of the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 may be configured to have an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 located in the application chamber 410, which will be described later, is provided. there is. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different.

일예에 따르면, 제2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 개수는 제1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 개수보다 많을 수 있다.According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제1 버퍼 로봇(360)은 제1 버퍼(320)와 제2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시키도록 구비될 수 있다. 제1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가질 수 있다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치될 수 있다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합될 수 있다. 지지대(363)는 제2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가질 수 있다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제2 방향(14) 및 제3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.The first buffer robot 360 may be equipped to transfer the wafer W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 may have a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 may be fixedly installed on the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction 14. The arm 362 may be coupled to the support 363 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 363. The support 363 may have a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two axes along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W) 각각을 냉각하도록 제공될 수 있다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가질 수 있다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가질 수 있다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시하지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시하지 않음)를 갖도록 이루어질 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시하지 않음)이 제공될 수 있다.The cooling chamber 350 may be provided to cool each wafer W. The cooling chamber 350 may have a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 may have an upper surface on which the wafer W is placed and a cooling means 353 for cooling the wafer W. As the cooling means 353, various methods may be used, such as cooling using coolant or cooling using thermoelectric elements. Additionally, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) that positions the wafer W on the cooling plate 352. The housing 351 has the index robot 220 so that the index robot 220 and the developing robot 482 provided in the developing module 402, which will be described later, can load or unload the wafer W into or out of the cooling plate 352. The direction provided and the developing robot 482 may be configured to have an opening (not shown) in the direction provided. Additionally, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) that open and close the above-mentioned openings.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 챔버(410)와 현상 모듈(402)을 가질 수 있다. 도포 챔버(410)와 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치될 수 있다. 일예에 따르면, 도포 챔버(410)는 현상 모듈(402)의 상부에 위치될 수 있다. 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 포토레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 수행하는 구조를 갖도록 구비될 수 있다. 도포 챔버(410)는 포토레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 갖도록 구비될 수 있다. 포토레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서 포토레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치될 수 있다. 포토레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 일예로, 도 2 및 도 3에서와 같이 포토레지스트 도포 챔버(410)는 제1 방향(12) 및 제3 방향으로 각각 6개가 제공될 수 있다. 베이크 챔버(420)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 마찬가지로, 베이크 챔버(420) 또한 6개가 제공될 수 있다. 그러나 베이크 챔버(420)는 더 많은 개수로 제공될 수도 있다.The coating and developing module 400 performs a process of applying photoresist on the wafer W before the exposure process and a process of developing the wafer W after the exposure process. The coating and developing module 400 may have a substantially rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 may have an application chamber 410 and a development module 402. The application chamber 410 and the development module 402 may be arranged to be partitioned from each other in layers. According to one example, the application chamber 410 may be located on top of the development module 402. The application chamber 410 may be provided to have a structure that performs a process of applying a photoresist, such as a photoresist, to the wafer W and a heat treatment process, such as heating and cooling, of the wafer W before and after the photoresist application process. there is. The application chamber 410 may be provided with a photoresist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The photoresist application chamber 410, bake chamber 420, and transfer chamber 430 may be sequentially arranged along the second direction 14. Accordingly, the photoresist application chamber 410 and the bake chamber 420 may be positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of photoresist application chambers 410 may be provided, and a plurality of photoresist application chambers 410 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. For example, as shown in FIGS. 2 and 3 , six photoresist application chambers 410 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction. A plurality of bake chambers 420 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. Likewise, six bake chambers 420 may also be provided. However, the bake chamber 420 may be provided in larger numbers.

반송 챔버(430)는 제1 버퍼 모듈(300)의 제1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치하도록 이루어질 수 있다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치될 수 있다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가질 수 있다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 포토레지스트 도포 챔버(400)들, 제1 버퍼 모듈(300)의 제1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제2 버퍼 모듈(500)의 제1 냉각 챔버(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 구비될 수 있다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 나란하도록 배치될 수 있다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내할 수 있다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 갖도록 구비될 수 있다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치될 수 있다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공될 수 있다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합될 수 있다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합될 수 있다.The transfer chamber 430 may be positioned parallel to the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. An applicator robot 432 and a guide rail 433 may be located within the transfer chamber 430. The transfer chamber 430 may have a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes bake chambers 420, photoresist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500, which will be described later. 1 It may be provided to transfer the wafer W between cooling chambers 520. The guide rail 433 may be arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 may guide the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 may be equipped with a hand 434, an arm 435, a support 436, and a stand 437. The hand 434 may be fixedly installed on the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable structure so that the hand 434 can move in the horizontal direction. The support 436 may be provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 may be coupled to the support 436 to enable linear movement in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437, and the pedestal 437 may be coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

포토레지스트 도포 챔버(410)들은 모두 동일한 구조를 갖도록 이루어질 수 있다. 다만, 각각의 포토레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일예에 따르면, 포토레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 포토레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트를 도포하도록 이루어질 수 있다. 포토레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 갖도록 구비될 수 있다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공될 수 있다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토레지스트를 공급할 수 있다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토레지스트를 공급하도록 구비될 수 있다. 선택적으로, 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공되도록 구비될 수 있다. 또한, 추가적으로 포토레지스트 도포 챔버(410)에는 포토레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공되도록 구비될 수 있다.The photoresist application chambers 410 may all have the same structure. However, the type of photoresist used in each photoresist application chamber 410 may be different. According to one example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The photoresist application chamber 410 may be configured to apply photoresist on the wafer (W). The photoresist application chamber 410 may be provided with a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 may have a cup shape with an open top. The support plate 412 is located within the housing 411 and can support the wafer (W). The support plate 412 may be provided to be rotatable. The nozzle 413 may supply photoresist onto the wafer W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and may be provided to supply photoresist to the center of the wafer (W). Optionally, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. Additionally, the photoresist application chamber 410 may be further equipped with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the wafer W on which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리하도록 구비될 수 있다. 예컨대, 베이크 챔버(420)들은 포토레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나, 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하도록 이루어질 수 있고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하도록 이루어질 수 있다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가질 수 있다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공될 수 있다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비할 수 있고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.The bake chamber 420 may be provided to heat-treat the wafer (W). For example, the bake chambers 420 perform a prebake process in which organic matter or moisture on the surface of the wafer W is removed by heating the wafer W to a predetermined temperature before applying the photoresist, or a prebake process in which the photoresist is applied to the wafer (W). A soft bake process performed after coating on the W) may be performed, and a cooling process of cooling the wafer W may be performed after each heating process. The bake chamber 420 may have a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 may be provided with a cooling means 423 such as coolant or a thermoelectric element. Additionally, the heating plate 422 may be provided with a heating means 424 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may each be provided within one bake chamber 420. Alternatively, some of the bake chambers 420 may have only a cooling plate 421 and others may have only a heating plate 422.

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 수행하도록 이루어질 수 있다. 현상모듈(5402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 갖도록 구비될 수 있다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치하도록 구비될 수 있다. 현상 챔버(460)는 복수개가 제공되며, 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 마찬가지로, 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 개수로 제공될 수 있다.The development module 402 includes a development process of removing part of the photoresist by supplying a developer solution to obtain a pattern on the wafer W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the wafer W before and after the development process. It can be done to perform. The development module 5402 may be equipped with a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, bake chamber 470, and transfer chamber 480 may be sequentially arranged along the second direction 14. Accordingly, the development chamber 460 and the bake chamber 470 may be positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of development chambers 460 may be provided, and a plurality of development chambers 460 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six development chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. Likewise, the drawing shows an example in which six bake chambers 470 are provided. However, unlike this, the bake chamber 470 may be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제1 버퍼 모듈(300)의 제2 버퍼(330)와 제1 방향(12)으로 나란하게 위치하도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치할 수 있다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 갖도록 이루어질 수 있다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제1 버퍼 모듈(300)의 제2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제2 버퍼 모듈(500)의 제2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 이루어질 수 있다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 나란하도록 배치될 수 있다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내하도록 구비될 수 있다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가질 수 있다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치될 수 있다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 구비될 수 있다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공될 수 있다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합될 수 있다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합될 수 있다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합될 수 있다.The transfer chamber 480 may be positioned parallel to the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. A developing robot 482 and a guide rail 483 may be located within the transfer chamber 480. The transfer chamber 480 may be formed to have a generally rectangular shape. The developing robot 482 includes bake chambers 470, developing chambers 460, the second buffer 330 and cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. The wafer W may be transferred between the second cooling chambers 540 of . The guide rail 483 may be arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 may be provided to guide the developing robot 482 to move linearly in the first direction 12. The developing robot 482 may have a hand 484, an arm 485, a support 486, and a stand 487. The hand 484 may be fixedly installed on the arm 485. The arm 485 may be provided in a stretchable structure so that the hand 484 can move in the horizontal direction. The support 486 may be provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 may be coupled to the support 486 to enable linear movement in the third direction 16 along the support 486. The support 486 may be fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 may be coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버(460)들은 모두 동일한 구조를 갖도록 이루어질 수 있다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거하도록 이루어질 수 있다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거될 수 있다. 선택적으로 사용되는 포토레지스트의 종류에 따라 포토레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. 현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 갖도록 구비될 수 있다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지하도록 구비될 수 있다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공될 수 있다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급할 수 있다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급하도록 구비될 수 있다. 선택적으로, 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.The development chambers 460 may all have the same structure. However, the type of developer used in each developing chamber 460 may be different. The development chamber 460 may be configured to remove the light-irradiated area of the photo resist on the wafer W. At this time, the light-irradiated area of the protective film may also be removed. Depending on the type of photoresist selectively used, only the areas of the photoresist and the protective film that are not exposed to light may be removed. The development chamber 460 may be equipped with a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 may have a cup shape with an open top. The support plate 462 is located within the housing 461 and may be provided to support the wafer (W). The support plate 462 may be provided to be rotatable. The nozzle 463 may supply a developer onto the wafer W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and may be provided to supply a developer solution to the center of the wafer (W). Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. Additionally, the developing chamber 460 may be further provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the wafer W to which the developing solution has been supplied.

베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리하도록 구비될 수 있다. 예컨대, 베이크 챔버(470)들은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정, 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하도록 구비될 수 있다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가질 수 있다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공될 수 있다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.The bake chamber 470 may be provided to heat-treat the wafer (W). For example, the bake chambers 470 perform a post-bake process that heats the wafer (W) before the development process is performed, a hard bake process that heats the wafer (W) after the development process is performed, and a heated process after each bake process. It may be equipped to perform a cooling process for cooling the wafer. The bake chamber 470 may have a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 may be provided with a cooling means 473 such as coolant or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 472 may be provided with a heating means 474 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may each be provided within one bake chamber 470. Alternatively, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471 and others may have only a heating plate 472.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 챔버(410)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되는 구조를 갖도록 제공될 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 챔버(410)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.As described above, in the application and development module 400, the application chamber 410 and the development module 402 may be provided to have a structure that is separated from each other. Additionally, when viewed from the top, the application chamber 410 and the development module 402 may have the same chamber arrangement.

제2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서의 구성을 갖도록 제공될 수 있다. 또한, 제2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행하도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 제2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제2 버퍼 로봇(560)을 갖도록 구비될 수 있다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 제2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치될 수 있다. 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 챔버(410)에 대응하는 높이에 배치될 수 있다. 제2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치될 수 있다. 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 그리고 제2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제3 방향(16)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)는 도포 챔버(410)의 반송 챔버(430)와 제1 방향(12)을 따라 배치될 수 있다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제1 냉각 챔버(530)와 제2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치될 수 있다. 제2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반하도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치될 수 있다. 제2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 챔버(410)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들에 대해 후속 공정을 수행하도록 구비될 수 있다. 제1 냉각 챔버(530)는 도포 챔버(410)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각하도록 구비될 수 있다. 제1 냉각 챔버(530)는 제1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가질 수 있다. 에지 노광 챔버(550)는 제1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼(W)들에 대해 그 가장자리를 노광하도록 구비될 수 있다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하도록 구비될 수 있다. 제2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)들을 냉각하도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer module 500 may be provided to have a configuration as a passage through which the wafer W is transported between the coating and development module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. Additionally, the second buffer module 500 may be provided to perform a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the wafer W. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560. It can be provided to have. The frame 510 may have a rectangular parallelepiped shape. Buffer 520, first cooling chamber 530, second cooling chamber 540, edge exposure chamber 550, and second buffer robot 560 may be located within frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 may be disposed at a height corresponding to the application chamber 410. The second cooling chamber 540 may be disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 may be sequentially arranged in a line along the third direction 16. When viewed from the top, the buffer 520 may be disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application chamber 410. The edge exposure chamber 550 may be arranged to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 . The second buffer robot 560 may be provided to transport the wafer W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 may be positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may be provided in a similar structure to the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 may be provided to perform subsequent processes on the wafers W that have been processed in the coating chamber 410 . The first cooling chamber 530 may be provided to cool the wafer W on which a process has been performed in the coating chamber 410 . The first cooling chamber 530 may have a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 may be provided to expose the edges of the wafers W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 may be provided to temporarily store the wafers W that have undergone a process in the edge exposure chamber 550 before they are transported to the preprocessing module 601, which will be described later. The second cooling chamber 540 may be provided to cool the wafers W on which a process has been performed in the post-processing module 602, which will be described later, before they are transported to the development module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the wafers W that have undergone processing in the post-processing module 602 may be temporarily stored in an added buffer and then transported to the development module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리하도록 구비될 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈 (600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행하도록 구비될 수 있다. 또한, 화학증폭형 포토레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리하도록 구비될 수 있다.When the exposure apparatus 900 performs a liquid immersion exposure process, the pre- and post-exposure processing module 600 may be equipped to process a process of applying a protective film that protects the photoresist film applied to the wafer W during liquid immersion exposure. there is. Additionally, the pre- and post-exposure processing module 600 may be equipped to perform a process of cleaning the wafer W after exposure. Additionally, when the application process is performed using a chemically amplified photoresist, the pre- and post-exposure processing module 600 may be equipped to process a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하도록 이루어질 수 있고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하도록 이루어질 수 있다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치될 수 있다. 일예에 따르면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치할 수 있다. 전처리 모듈(601)은 도포 챔버(410)와 동일한 높이로 제공될 수 있다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공될 수 있다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 갖도록 구비될 수 있다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630),그리고 베이크 챔버(620)는 제2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치될 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 보호막 도포 챔버(610)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(620)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.The pre- and post-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 may be configured to perform a process for processing the wafer W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 may be configured to perform a process for processing the wafer W after the exposure process. . The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 may be arranged to be divided into layers. According to one example, the pre-processing module 601 may be located above the post-processing module 602. The pretreatment module 601 may be provided at the same height as the application chamber 410. The post-processing module 602 may be provided at the same height as the development module 402. The pretreatment module 601 may be equipped with a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 may be sequentially arranged along the second direction 14. Accordingly, the protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 may be positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided, and may be arranged along the third direction 16 to form a layer on top of each other. Optionally, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. A plurality of bake chambers 620 are provided, and may be arranged along the third direction 16 to form a layer on top of each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16.

반송 챔버(630)는 제2 버퍼 모듈(500)의 제1 냉각 챔버(530)와 제1 방향(12)으로 나란하게 위치하도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치하는 구성을 갖도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 갖도록 구비될 수 있다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 구비될 수 있다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가질 수 있다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치될 수 있다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공될 수 있다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합될 수 있다.The transfer chamber 630 may be positioned parallel to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. The transfer chamber 630 may be provided with a preprocessing robot 632 located therein. The transfer chamber 630 may be provided to have a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 operates between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700, which will be described later. It may be provided to transfer the wafer (W). The pretreatment robot 632 may have a hand 633, an arm 634, and a support base 635. The hand 633 may be fixedly installed on the arm 634. The arm 634 may be provided in a stretchable structure or a rotatable structure. The arm 634 may be coupled to the support 635 to enable linear movement in the third direction 16 along the support 635.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포하도록 구비될 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 갖도록 구비될 수 있다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공될 수 있다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급할 수 있다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급하도록 구비될 수 있다. 선택적으로, 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함할 수 있다. 보호액은 포토레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급할 수 있다.The protective film application chamber 610 may be provided to apply a protective film that protects the photoresist film on the wafer W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 may be provided with a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 may have a cup shape with an open top. The support plate 612 is located within the housing 611 and can support the wafer (W). The support plate 612 may be provided to be rotatable. The nozzle 613 may supply a protective liquid for forming a protective film onto the wafer W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and may be provided to supply protection liquid to the center of the wafer (W). Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid may include a foaming material. The protective liquid may be made of materials with low affinity for photoresist and water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 may rotate the wafer W placed on the support plate 612 and supply a protective liquid to the center area of the wafer W.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리하도록 구비될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 갖도록 구비될 수 있다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공될 수 있다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공될 수 있다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로, 베이크 챔버(620)들 중 일부는 가열 플레이트(622)만을 구비할 수 있고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621)만을 구비할 수 있다.The bake chamber 620 may be provided to heat-treat the wafer W coated with a protective film. The bake chamber 620 may be equipped with a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 may be provided with a cooling means 623 such as coolant or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 may be provided with a heating means 624 such as a heating wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may each be provided within one bake chamber 620. Alternatively, some of the bake chambers 620 may have only a heating plate 622 and others may have only a cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 갖도록 구비될 수 있다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치되는 구성을 갖도록 구비도리 수 있다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 세정 챔버(660)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로, 노광 후 베이크 챔버(670)는 제1 방향(12) 및 제3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.The post-processing module 602 may be equipped with a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 may be sequentially arranged along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 may be configured to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided, and may be arranged along the third direction 16 to form a layer on top of each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided, and may be arranged along the third direction 16 to form a layer on top of each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제2 버퍼 모듈(500)의 제2 냉각 챔버(540)와 제1 방향(12)으로 나란하게 위치하도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 갖도록 구비될 수 있다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치할 수 있다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제2 버퍼 모듈(500)의 제2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반하도록 구비될 수 있다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조를 갖도록 구비될 수 있다.The transfer chamber 680 may be positioned parallel to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from the top. The transfer chamber 680 may be provided to have a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 may be located within the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second cooling chamber 540 of the interface module 700, which will be described later. It may be provided to transport the wafer (W) between buffers 730. The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be equipped to have the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정하도록 구비될 수 있다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 갖도록 구비될 수 있다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하도록 구비될 수 있다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급할 수 있다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급하도록 이루어질 수 있다. 선택적으로, 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.The cleaning chamber 660 may be provided to clean the wafer W after the exposure process. The cleaning chamber 660 may be equipped with a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 may have a cup shape with an open top. The support plate 662 is located within the housing 661 and can support the wafer (W). The support plate 662 may be rotatable. The nozzle 663 may supply cleaning liquid onto the wafer W placed on the support plate 662. Water such as deionized water may be used as a cleaning liquid. The cleaning chamber 660 may be configured to supply cleaning liquid to the center area of the wafer W while rotating the wafer W placed on the support plate 662. Optionally, while the wafer W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center area of the wafer W to the edge area.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열하도록 구비될 수 있다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토레지스트의 성질 변화를 완성시키기 위하여 수행될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 갖도록 구비될 수 있다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공될 수 있다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.After exposure, the bake chamber 670 may be equipped to heat the wafer W on which the exposure process has been performed using far ultraviolet rays. The post-exposure bake process may be performed to complete the change in the properties of the photoresist by heating the wafer W to amplify the acid generated in the photoresist by exposure. After exposure, the bake chamber 670 may be equipped with a heating plate 672. The heating plate 672 may be provided with a heating means 674 such as a heating wire or thermoelectric element. After exposure, the bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 may be provided with a cooling means 673 such as coolant or a thermoelectric element. Additionally, optionally, a bake chamber with only a cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이, 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 이루어질 수 있다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre- and post-exposure processing module 600, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 may be completely separated from each other. Additionally, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided in the same size, so that they completely overlap each other when viewed from the top. Additionally, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided in the same size and completely overlap each other when viewed from the top. Additionally, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may be provided in the same size and completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 퍼지 모듈(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송하도록 구비될 수 있다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)을 갖도록 구비될 수 있다. 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치하도록 구비될 수 있다. 제1 버퍼(720)와 제2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치될 수 있다. 제1 버퍼(720)는 제2 버퍼(730)보다 높게 배치될 수 있다. 제1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 제1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치될 수 있다.The interface module 700 may be provided to transfer the wafer W between the pre- and post-exposure processing module 600, the purge module 800, and the exposure apparatus 900. The interface module 700 may be equipped with a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 may be positioned within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced a certain distance apart from each other and may be arranged to be stacked on top of each other. The first buffer 720 may be placed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 may be located at a height corresponding to the pre-processing module 601, and the second buffer 730 may be placed at a height corresponding to the post-processing module 602. When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in line with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the first direction 12, and the second buffer 730 is disposed in the post-processing module 602. It may be positioned to be aligned with the transfer chamber 630 along the first direction 12.

인터페이스 로봇(740)은 제1 버퍼(720) 및 제2 버퍼(730)와 제2 방향(14)으로 이격되게 위치되도록 이루어질 수 있다. 인터페이스 로봇(740)은 제1 버퍼(720), 제2 버퍼(730), 퍼지 모듈(800), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반하도록 구비될 수 있다. 인터페이스 로봇(740)은 제2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가질 수 있다. 제1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관하도록 이루어질 수 있다. 그리고 제2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관하도록 이루어질 수 있다. 제1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대(722)들을 가질 수 있다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제3 방향(16)을 따라 이격되게 제공될 수 있다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓일 수 있다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시하지 않음)를 갖도록 구비될 수 있다. 제2 버퍼(730)는 제1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가질 수 있다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시하지 않음)가 구비될 수 있다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수도 있다.The interface robot 740 may be positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 may be provided to transport the wafer W between the first buffer 720, the second buffer 730, the purge module 800, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 may have a structure generally similar to that of the second buffer robot 560. The first buffer 720 may be configured to temporarily store the wafers W that have undergone processing in the preprocessing module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900 . Additionally, the second buffer 730 may temporarily store wafers W that have completed processing in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602. The first buffer 720 may have a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and may be spaced apart from each other along the third direction 16. One wafer W can be placed on each support 722. The housing 721 is provided with an interface robot 740 and a preprocessing robot ( 632) may be provided with an opening (not shown) in the provided direction. The second buffer 730 may have a structure generally similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 may be provided with an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only buffers and a robot as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on a wafer.

퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 배치될 수 있다. 구체적으로, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 로봇(740)을 중심으로 제1 버퍼(720)와 마주보는 위치에 배치될 수 있다. 이와 달리, 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치(900)가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 배치될 수 있다. 퍼지 모듈(800)은 노광 전후 처리 모듈(600)에서 포토레지스트의 보호를 위한 보호막이 도포된 웨이퍼에 대해 가스 퍼지 공정과 린스 공정을 수행하도록 이루어질 수 있다.The purge module 800 may be disposed within the interface module 700. Specifically, the purge module 800 may be placed at a position facing the first buffer 720 with the interface robot 740 as the center. In contrast, the purge module 800 may be placed in various locations, such as at a location where the exposure device 900 is connected to the rear of the interface module 700 or at the side of the interface module 700. The purge module 800 may be configured to perform a gas purge process and a rinse process on the wafer on which a protective film for protecting the photoresist is applied in the pre- and post-exposure processing module 600.

도 5는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치에서의 도포 챔버를 나타내는 도면이고, 도 6은 도 5의 도포 챔버에 구비되는 에지 처리 어셈블리를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating a coating chamber in a substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention, and FIG. 6 is a diagram illustrating an edge processing assembly provided in the coating chamber of FIG. 5 .

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(1)에서의 도포 챔버(410)는 웨이퍼 지지부, 즉 기판 지지부(53), 에지 처리 어셈블리(51), 도포 노즐(59) 등을 갖도록 구비될 수 있다.5 and 6, the application chamber 410 in the substrate processing apparatus 1 of the present invention includes a wafer support part, that is, a substrate support part 53, an edge processing assembly 51, an application nozzle 59, etc. It can be provided to have.

기판 지지부(53)는 그 상부에 기판(W)이 놓이도록 구비될 수 있다. 기판 지지부(53)는 기판(W)이 놓인 상태에서 회전 가능하도록 구비될 수 있다. 기판 지지부(53)의 회전은 기판 지지부와 연결되는 모터 등과 같은 회전부(55)에 의해 이루어질 수 있다.The substrate support 53 may be provided so that the substrate W is placed on its top. The substrate supporter 53 may be provided to be rotatable when the substrate W is placed on it. Rotation of the substrate support unit 53 may be performed by a rotation unit 55 such as a motor connected to the substrate support unit.

도포 노즐(59)은 기판 지지부(53)에 의해 회전하는 기판(W)에 박막(F), 즉 포토레지스트를 도포하도록 구비될 수 있다. 도포 노즐(59)은 기판 중심 부분에 포토레지스트를 도포하도록 구비될 수 있다. 도포 노즐(59)에 의해 기판 중심 부분에 도포되는 포토레지스트는 기판(W)의 회전에 따른 원심력에 의해 기판 중심 부분으로부터 기판 에지 부분까지로 밀려나서 기판 전체에 고르게 도포될 수 있다. 다만, 도포 노즐(59)은 노즐 암(도시하지 않음)에 의해 이동 가능하도록 구비될 수 있다.The coating nozzle 59 may be provided to apply a thin film (F), that is, photoresist, to the substrate (W) rotated by the substrate supporter (53). The application nozzle 59 may be provided to apply photoresist to the center portion of the substrate. The photoresist applied to the center of the substrate by the coating nozzle 59 is pushed from the center of the substrate to the edge of the substrate by centrifugal force caused by the rotation of the substrate W, so that it can be evenly applied to the entire substrate. However, the application nozzle 59 may be provided to be movable by a nozzle arm (not shown).

용기(57)는 기판(W)에 포토레지스트를 도포하는 도포 공정이 이루어지는 공간을 제공하도록 구비될 수 있다. 용기(57)는 기판 지지부(53)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 용기(57)는 대체로 원통 형상을 가질 수 있다. 용기(57)는 단일 구조를 갖도록 구비될 수 있다. 이와 달리, 용기(57)는 복수 개가 차례로 둘러싸는 구조를 갖도록 구비될 수 있는데, 그 예로서는 용기(57)는 하부 용기, 하부 용기를 둘러싸는 상부 용기를 갖도록 이루어지거나, 하부 용기와 상부 용기 그리고 하부 용기와 상부 용기 사이에 배치되는 중간 용기를 갖도록 이루어질 수 있다. 도시하지 않았지만, 용기(57) 아래쪽에는 배기 유닛이 형성될 수 있는데, 배기 유닛은 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 포토레지스트, 후술하는 기판의 에지 부분에 형성되는 박막, 즉 기판의 에지 부분에서의 포토레지스트의 제거 및 세정시 발생하는 기류 등을 배기시키도록 구비될 수 있다. 배기 유닛은 주로 용기(57) 내부로 음압을 제공하여 포토레지스트, 기류 등을 용기 외부로 배기시키도록 구비될 수 있다.The container 57 may be provided to provide a space where a photoresist coating process is performed on the substrate W. The container 57 may be arranged to surround the substrate support 53 . The container 57 may have a generally cylindrical shape. The container 57 may be provided to have a single structure. Alternatively, the container 57 may be provided to have a structure in which a plurality of containers are sequentially surrounded. For example, the container 57 may have a lower container, an upper container surrounding the lower container, or a lower container, an upper container, and a lower container. It may be configured to have an intermediate container disposed between the container and the upper container. Although not shown, an exhaust unit may be formed below the container 57. The exhaust unit may include photoresist scattered by the rotation of the substrate W and a thin film formed on the edge portion of the substrate to be described later, that is, the edge portion of the substrate. It may be provided to exhaust air currents generated during removal and cleaning of photoresist. The exhaust unit may be mainly provided to provide negative pressure inside the container 57 to exhaust photoresist, air current, etc. to the outside of the container.

용기(57)와 기판 지지부(53) 사이에서의 상대적인 높이는 승강부(도시하지 않음)에 의해 조절 가능하게 제공될 수 있다. 일예에 따르면, 승강부는 용기(57)의 외측에 위치하는 플렌지, 일단이 플렌지에 고정되는 로드, 로드의 타단을 상,하로 이동시키기 위한 승강기 등을 포함할 수 있다. 이에, 승강부는 용기(57) 전체를 상하로 이동시킴에 의해 용기(57)와 기판 지지부(53)의 상면 상,하 이격 거리를 조절할 수 있을 것이다. 또한, 승강부는 기판 지지부(53)에 위치되어, 기판 지지부(53)의 상부를 상,하로 이동시키는 방식으로, 용기(57)와 기판 지지부(53)의 상면의 상,하 이격 거리를 조절할 수도 있을 것이다.The relative height between the container 57 and the substrate support 53 may be provided to be adjustable by a lifting part (not shown). According to one example, the lifting unit may include a flange located on the outside of the container 57, a rod whose one end is fixed to the flange, and an elevator for moving the other end of the rod up and down. Accordingly, the lifting unit may be able to adjust the upper and lower separation distances between the container 57 and the substrate supporter 53 by moving the entire container 57 up and down. In addition, the elevating part is located on the substrate support part 53 and moves the upper part of the substrate support part 53 up and down, so that the upper and lower separation distances between the container 57 and the upper surface of the substrate support part 53 can be adjusted. There will be.

도포 노즐(59)로부터 기판(W)으로 공급되는 포토레지스트는 유동성을 갖는 액체이므로, 기판(W)이 고속으로 회전함에 따라 포토레지스트는 원심력에 의해 기판 전면의 에지 부분까지 밀리게 된다. 기판 전면의 에지 부분까지 밀리는 포토레지스트는 표면 장력에 의해 기판 전면의 중심 부분에서 보다 더 부풀어 올라 에지 비드(기판 전면의 에지 부분에 형성되는 박막)를 형성할 수 있다. 따라서 기판의 반송 및 반출시 에지 비드는 카세트와 접촉하여 카세트에 묻어서 오염 물질로 작용할 수 있다.Since the photoresist supplied from the coating nozzle 59 to the substrate W is a fluid liquid, as the substrate W rotates at high speed, the photoresist is pushed to the edge of the front surface of the substrate by centrifugal force. Photoresist that is pushed to the edge of the front of the substrate may swell further at the center of the front of the substrate due to surface tension, forming an edge bead (a thin film formed at the edge of the front of the substrate). Therefore, when the substrate is transported and unloaded, the edge beads may come into contact with the cassette and become embedded in the cassette, acting as a contaminant.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 에지 처리 어셈블리(51)는 기판(W)에 포토레지스트의 도포시 기판 전면의 에지 부분에 형성되는 포토레지스트인 에지 비드를 제거하도록 구비될 수 있다. 에지 처리 어셈블리(51)는 기판(W)으로 박막 제거용 약액, 즉 유기 용제, 또는 신너 등과 같은 혼합 용제를 포함하는 비드 제거액을 공급하도록 구비될 수 있다. 또한, 에지 처리 어셈블리(51)는 에지 비드 제거시 발생하는 잔류물을 세정 처리하기 위하여 탈이온수 등과 같은 세정액을 공급하도록 구비될 수 있다. 에지 비드의 제거시 공급되는 비드 제거액 및 세정액은 포토레지스트의 공급이 종료된 후 공급될 수 있다. 비드 제거액 및 세정액이 공급되는 동안 기판은 회전하는 상태일 수 있다.According to exemplary embodiments of the present invention, the edge processing assembly 51 may be provided to remove an edge bead of photoresist formed on an edge portion of the front surface of the substrate W when photoresist is applied to the substrate W. The edge treatment assembly 51 may be provided to supply a thin film removal chemical solution, that is, a bead removal solution containing an organic solvent or a mixed solvent such as a thinner, to the substrate W. Additionally, the edge treatment assembly 51 may be provided to supply a cleaning liquid such as deionized water to clean residues generated when removing edge beads. The bead removal liquid and cleaning liquid supplied when removing the edge bead may be supplied after the supply of the photoresist is completed. The substrate may be in a rotating state while the bead removal solution and cleaning solution are supplied.

구체적으로, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 에지 처리 어셈블리(51)는 기판 상면, 즉 기판 전면의 에지 부분에 형성되는 박막인 에지 비드를 제거하기 위한 전면 에지 제거부(63, 67), 및 기판 하면, 즉 기판 이면의 에지 부분을 세정하기 위한 이면 에지 세정부(65, 69)를 포함할 수 있다. 전면 에지 제거부는 기판 전면의 에지 부분으로 비드 제거액을 분사하기 위한 제1 노즐(63)이 구비될 수 있고, 이면 에지 세정부는 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 제2 노즐(65)이 구비될 수 있다. 특히, 제1 노즐(63)과 제2 노즐(65)은 단일 구조를 갖는 하우징(61)에 배치되도록 구비될 수 있다.Specifically, the edge processing assembly 51 according to exemplary embodiments of the present invention includes front edge removal units 63 and 67 for removing edge beads, which are thin films formed on the upper surface of the substrate, that is, on the edge portion of the front surface of the substrate. and back edge cleaning units 65 and 69 for cleaning the bottom of the substrate, that is, the edge portion of the back of the substrate. The front edge removal unit may be provided with a first nozzle 63 for spraying the bead removal liquid to the edge portion of the front side of the substrate, and the back edge cleaning portion may be provided with a second nozzle 65 for spraying the cleaning liquid to the edge portion of the back side of the substrate. This can be provided. In particular, the first nozzle 63 and the second nozzle 65 may be disposed in a housing 61 having a single structure.

하우징(61)은 기판(W) 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조를 갖도록 제공될 수 있는 것으로써, 기판(W) 측면을 중심으로 상,하 각각으로 수직하게 연장되는 바 구조를 갖도록 제공될 수 있다. 따라서 제1 노즐(63)은 기판 전면의 에지 부분으로 비드 제거액을 분사할 수 있게 바 구조의 상부 쪽에서 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치될 수 있고, 제2 노즐(65)은 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사할 수 있게 바 구조의 하부 쪽에서 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치될 수 있다.The housing 61 may be provided to have a bar structure that extends vertically along the side of the substrate (W), and has a bar structure that extends vertically up and down, respectively, centered on the side of the substrate (W). It can be provided to have. Therefore, the first nozzle 63 can be arranged from the upper part of the bar structure toward the edge of the front of the substrate so that the bead removal liquid can be sprayed to the edge of the front of the substrate, and the second nozzle 65 can be directed to the edge of the back of the substrate. It may be arranged from the lower side of the bar structure toward the edge portion of the back side of the substrate so that the cleaning liquid can be sprayed to the portion.

하우징(61)의 바 구조에는 비드 제거액을 제1 노즐(63)로 공급하기 위한 제1 유로(67), 및 세정액을 제2 노즐(65)로 공급하기 위한 제2 유로(69)가 제공될 수 있다. 제1 유로(67)는 제1 노즐(63)로 비드 제거액을 공급할 수 있게 외부에 배치되는 비드 제거액을 저장하는 저장 부재와 연결되는 연결 라인과 제1 노즐(63) 사이를 연결하도록 구비될 수 있고, 제2 유로(69)는 제2 노즐(65)로 세정액을 공급할 수 있게 외부에 배치되는 세정액을 저장하는 저장 부재와 연결되는 연결 라인과 제2 노즐(65) 사이를 연결하도록 구비될 수 있다.The bar structure of the housing 61 is provided with a first flow path 67 for supplying the bead removal liquid to the first nozzle 63 and a second flow path 69 for supplying the cleaning liquid to the second nozzle 65. You can. The first flow path 67 may be provided to connect the first nozzle 63 and a connection line connected to a storage member that stores the bead removal liquid disposed externally so as to supply the bead removal liquid to the first nozzle 63. In addition, the second flow path 69 may be provided to connect the second nozzle 65 and a connection line connected to a storage member for storing the cleaning liquid disposed externally so as to supply the cleaning liquid to the second nozzle 65. there is.

에지 처리 어셈블리(51)를 사용한 에지 비드의 제거시 기류가 발생할 수 있다. 즉, 기판 전면의 에지 부분에서의 에지 비드의 제거에 따른 기류 및 기판 이면의 에지 부분에서의 세정에 따른 기류가 발생할 수 있다. 그런데, 기류를 제어 처리하지 않을 경우 흄이 생성되어 기판(W)에 잔류하는 상황이 발생할 수 있다. 다만, 용기(57) 내부로 음압을 제공하는 배기 유닛만으로 기류를 제어 처리하기에는 다소 역부족일 수 있다. 따라서 에지 처리 어셈블리(51)에는 기판 전면의 에지 부분에서의 에지 비드 제거시 발생하는 기류, 및 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 제어 처리하기 위한 배기 라인(75)이 제공될 수 있다.Airflow may occur upon removal of the edge bead using the edge processing assembly 51. That is, an airflow due to removal of an edge bead at the edge portion of the front side of the substrate and an airflow due to cleaning at the edge portion of the backside of the substrate may occur. However, if the air flow is not controlled, a situation may occur where fume is generated and remains on the substrate W. However, the exhaust unit that provides negative pressure into the container 57 alone may be insufficient to control the air flow. Therefore, the edge processing assembly 51 may be provided with an exhaust line 75 for controlling the air flow generated when removing the edge bead from the edge portion of the front side of the substrate and the air flow generated during cleaning from the edge portion of the back side of the substrate. there is.

배기 라인(75)은 기판 전면의 에지 부분에서 발생하는 기류를 배기시키기 위한 제1 배기 라인, 및 기판 이면의 에지 부분에서 발생하는 기류를 배기시키기 위한 제2 배기 라인으로 제공될 수 있다. 에지 처리 어셈블리(51)의 하우징(61)이 바 구조를 가짐에 따라 제1 배기 라인은 제1 노즐(63) 하부와 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구(71)가 배치되는 유로 구조를 갖도록 구비될 수 있고, 제2 배기 라인은 제2 노즐(65) 상부와 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구(73)가 배치되는 유로 구조를 갖도록 구비될 수 있다. 제1 배기 라인과 제2 배기 라인은 하우징(61)에 동일 경로를 갖도록 구비될 수 있다. 이와 달리, 제1 배기 라인가 제2 배기 라인은 하우징(61)에 서로 다른 경로를 갖도록 구비될 수 있다. 그리고 배기 라인(75)은 기류를 흡인하기 위한 음압을 제공할 수 있게 외부에 배치되는 진공 펌프 등을 포함하는 음압 제공 부재와 연결되도록 구비될 수 있다.The exhaust line 75 may be provided as a first exhaust line for exhausting airflow generated at an edge portion of the front surface of the substrate, and a second exhaust line for exhausting airflow generated at an edge portion of the rear surface of the substrate. As the housing 61 of the edge processing assembly 51 has a bar structure, the first exhaust line has an inlet 71 for exhausting airflow between the lower part of the first nozzle 63 and the upper part of the edge portion of the front surface of the substrate. The second exhaust line may be provided with a flow path structure in which an inlet 73 for exhausting airflow is disposed between the upper part of the second nozzle 65 and the lower edge portion of the back side of the substrate. there is. The first exhaust line and the second exhaust line may be provided to have the same path in the housing 61. Alternatively, the first exhaust line and the second exhaust line may be provided in the housing 61 to have different paths. Additionally, the exhaust line 75 may be connected to a negative pressure providing member including a vacuum pump disposed externally to provide negative pressure for sucking airflow.

언급한 바에 따르면, 전면 에지 제거부와 이면 에지 세정부를 단일 구조를 갖는 하우징(61)에 배치될 수 있게 제공함으로써 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치의 구조를 보다 간소할 수 있다. 더욱이, 에지 비드의 제거시 발생하는 기류를 제어 처리하기 위한 배기 라인까지도 전면 에지 제거부와 이면 에지 세정부가 배치되는 단일 구조를 갖는 하우징(61)에 배치될 수 있게 함으로써 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치의 구조를 보다 더 간소할 수 있다.As mentioned, the structure of the substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention can be simplified by providing the front edge removal unit and the back edge cleaning unit to be disposed in the housing 61 having a single structure. there is. Moreover, even the exhaust line for controlling the airflow generated when removing the edge bead can be arranged in the housing 61 having a single structure in which the front edge removal part and the back edge cleaning part are arranged, thereby providing an exemplary implementation of the present invention. The structure of the substrate processing apparatus according to the examples may be simpler.

그리고 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 웨이퍼, 즉 기판에 포토레지스트를 도포하는 도포 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에 대하여 설명하고 있지만, 이에 한정되는 않을 것이다. 다시 말해, 본 발명의 예시적인 실시예들은 기판 전면의 에지 부분에 형성되는 박막인 에지 비드를 제거하도록 구비된다면 포토레지스트가 아닌 다른 재료, 예를 들면 구리 도금층 등과 같은 박막의 형성에서의 에지 비드를 제거하기 위한 기판 처리 장치에도 적용할 수 있을 것이다.According to exemplary embodiments of the present invention, a substrate processing apparatus including a coating chamber for applying photoresist to a wafer, that is, a substrate, is described, but the present invention is not limited thereto. In other words, exemplary embodiments of the present invention are provided to remove edge beads, which are thin films formed on the edge portion of the front surface of the substrate, by removing edge beads from a material other than photoresist, for example, a thin film such as a copper plating layer. It may also be applied to a substrate processing device for removal.

본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 에지 처리 어셈블리 및 기판 처리 장치는 박막의 형성시 생성되는 에지 비드를 제거에 적용할 수 있기 때문에 디램, 낸드, 시스템 반도체, 이미지 센서 등과 같은 집적회로 소자의 제조에 보다 적극적으로 적용할 수 있을 것이다.Since the edge processing assembly and substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention can be applied to remove edge beads generated during the formation of a thin film, they can be used in the manufacture of integrated circuit devices such as DRAM, NAND, system semiconductors, image sensors, etc. It will be possible to apply it more actively.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following patent claims. You will understand that it is possible.

51 : 에지 처리 어셈블리 53 : 기판 지지부
55 : 회전부 57 : 용기
59 : 도포 노즐 61 : 하우징
63 : 제1 노즐 65 : 제2 노즐
67 : 제1 유로 69 : 제2 유로
71, 73 : 입구 75 : 배기 라인51: Edge processing assembly 53: Substrate support
55: rotating part 57: container
59: application nozzle 61: housing
63: first nozzle 65: second nozzle
67: 1st Euro 69: 2nd Euro
71, 73: inlet 75: exhaust line

Claims (10)

기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하되,
상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.It includes a front edge removal unit provided to remove the thin film formed on the edge portion of the front surface of the substrate, and a rear edge cleaning portion provided to clean the edge portion of the rear surface of the substrate,
The first nozzle of the front edge removal unit for spraying the thin film removal chemical solution to the edge portion of the front surface of the substrate and the second nozzle of the rear edge cleaning portion to spray the cleaning fluid to the edge portion of the back surface of the substrate have a single structure. An edge processing assembly, characterized in that it is provided to be disposed in a housing having. 제1 항에 있어서,
상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.According to claim 1,
When the housing is made of a bar structure extending vertically along the side of the substrate, the first nozzle is disposed toward the edge of the front surface of the substrate from the upper side of the bar structure, and the second nozzle is An edge processing assembly, characterized in that it is arranged from the lower side of the bar structure toward the edge portion of the back surface of the substrate. 제2 항에 있어서,
상기 바 구조에는 외부로부터 상기 박막 제거용 약액을 상기 제1 노즐로 공급할 수 있게 상기 제1 노즐과 연결되는 제1 유로, 및 외부로부터 상기 세정액을 상기 제2 노즐로 공급할 수 있게 상기 제2 노즐과 연결되는 제2 유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.According to clause 2,
The bar structure includes a first flow path connected to the first nozzle to supply the thin film removal chemical to the first nozzle from the outside, and a second nozzle to supply the cleaning solution to the second nozzle from the outside. An edge processing assembly, characterized in that a second flow path is formed to be connected. 제1 항에 있어서,
상기 하우징에는 상기 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거시 발생하는 기류, 및 상기 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 배기시키기 위한 배기 라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.According to claim 1,
An edge treatment assembly, wherein an exhaust line is formed in the housing to exhaust airflow generated when removing a thin film from an edge portion of the front side of the substrate and airflow generated during cleaning from an edge portion of the backside of the substrate. 제4 항에 있어서,
상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 그리고
상기 배기 라인은 상기 제1 노즐 하부와 상기 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제1 배기 라인, 및 상기 제2 노즐 상부와 상기 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제2 배기 라인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에지 처리 어셈블리.According to clause 4,
When the housing is made of a bar structure extending vertically along the side of the substrate, the first nozzle is disposed toward the edge of the front surface of the substrate from the upper side of the bar structure, and the second nozzle is disposed from the lower side of the bar structure toward the edge portion of the back side of the substrate, and
The exhaust line is a first exhaust line having a flow path structure in which an inlet for exhausting airflow is disposed between the lower portion of the first nozzle and the upper portion of the edge portion of the front surface of the substrate, and the upper portion of the second nozzle and the edge portion of the rear portion of the substrate. An edge processing assembly, characterized in that it consists of a second exhaust line having a flow path structure in which an inlet for exhausting airflow is disposed between the lower portions. 기판을 지지하는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부에 의해 지지된 상기 기판 전면(前面)의 에지 부분에 형성되는 박막을 제거하도록 구비되는 전면 에지 제거부와, 기판 이면(裏面)의 에지 부분을 세정하도록 구비되는 이면 에지 세정부를 포함하되, 상기 기판 전면의 에지 부분으로 박막 제거용 약액을 분사하기 위한 상기 전면 에지 제거부의 제1 노즐과 상기 기판 이면의 에지 부분으로 세정액을 분사하기 위한 상기 이면 에지 세정부의 제2 노즐은 단일 구조를 갖는 하우징에 배치되도록 구비되는 에지 처리 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate support portion supporting the substrate; and
It includes a front edge removal unit provided to remove a thin film formed on an edge portion of the front surface of the substrate supported by the substrate support unit, and a rear edge cleaning unit provided to clean the edge portion of the rear surface of the substrate. However, the first nozzle of the front edge removal unit for spraying the thin film removal chemical solution to the edge portion of the front surface of the substrate and the second nozzle of the rear edge cleaning portion for spraying the cleaning fluid to the edge portion of the back surface of the substrate are single. A substrate processing apparatus comprising an edge processing assembly arranged in a housing having a structure. 제6 항에 있어서,
상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to clause 6,
When the housing is made of a bar structure extending vertically along the side of the substrate, the first nozzle is disposed toward the edge of the front surface of the substrate from the upper side of the bar structure, and the second nozzle is A substrate processing device characterized in that it is arranged from the lower side of the bar structure toward the edge portion of the back surface of the substrate. 제7 항에 있어서,
상기 바 구조에는 외부로부터 상기 박막 제거용 약액을 상기 제1 노즐로 공급할 수 있게 상기 제1 노즐과 연결되는 제1 유로, 및 외부로부터 상기 세정액을 상기 제2 노즐로 공급할 수 있게 상기 제2 노즐과 연결되는 제2 유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to clause 7,
The bar structure includes a first flow path connected to the first nozzle to supply the thin film removal chemical to the first nozzle from the outside, and a second nozzle to supply the cleaning solution to the second nozzle from the outside. A substrate processing device characterized in that a connected second flow path is formed. 제6 항에 있어서,
상기 하우징에는 상기 기판 전면의 에지 부분에서의 박막 제거시 발생하는 기류 및 상기 기판 이면의 에지 부분에서의 세정시 발생하는 기류를 배기시키기 위한 배기 라인이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to clause 6,
A substrate processing apparatus, wherein an exhaust line is formed in the housing to exhaust airflow generated when removing a thin film from an edge portion of the front surface of the substrate and an airflow generated during cleaning from an edge portion of the rear surface of the substrate. 제9 항에 있어서,
상기 하우징이 상기 기판 측면을 따라 수직하게 연장되는 바(bar) 구조로 이루어질 때, 상기 제1 노즐은 상기 바 구조의 상부 쪽에서 상기 기판 전면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 상기 제2 노즐은 상기 바 구조의 하부 쪽에서 상기 기판 이면의 에지 부분을 향하도록 배치되고, 그리고
상기 배기 라인은 상기 제1 노즐 하부와 상기 기판 전면의 에지 부분 상부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제1 배기 라인, 및 상기 제2 노즐 상부와 상기 기판 이면의 에지 부분 하부 사이에서 기류를 배기시키기 위한 입구가 배치되는 유로 구조를 갖는 제2 배기 라인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to clause 9,
When the housing is made of a bar structure extending vertically along the side of the substrate, the first nozzle is disposed toward the edge of the front surface of the substrate from the upper side of the bar structure, and the second nozzle is disposed from the lower side of the bar structure toward the edge portion of the back side of the substrate, and
The exhaust line is a first exhaust line having a flow path structure in which an inlet for exhausting airflow is disposed between the lower portion of the first nozzle and the upper portion of the edge portion of the front surface of the substrate, and the upper portion of the second nozzle and the edge portion of the rear portion of the substrate. A substrate processing apparatus comprising a second exhaust line having a flow path structure in which an inlet for exhausting airflow is disposed between the lower portions.