KR20240079117A - Electronic device and operation method of electronic device for controlling transmission power - Google Patents

Abstract

다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 온도 센서, 어플리케이션 프로세서, 통신 프로세서, RF 모듈,을 포함하고, 통신 프로세서는 어플리케이션 프로세서로부터 온도 센서가 측정한 전자 장치의 온도와 관련된 정보를 획득하고, 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈의 송신 전력과 관련된 파라미터를 결정하고, 결정된 파라미터에 기반하여 RF 모듈을 제어할 수 있다.
이 밖에 다양한 실시예들이 가능하다.An electronic device according to various embodiments includes a temperature sensor, an application processor, a communication processor, and an RF module. The communication processor obtains information related to the temperature of the electronic device measured by the temperature sensor from the application processor, and Based on the temperature, parameters related to the transmission power of the RF module can be determined, and the RF module can be controlled based on the determined parameters.
In addition, various embodiments are possible.

Description

송신 전력을 제어하기 위한 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법{ELECTRONIC DEVICE AND OPERATION METHOD OF ELECTRONIC DEVICE FOR CONTROLLING TRANSMISSION POWER}Electronic device and operating method of the electronic device for controlling transmission power {ELECTRONIC DEVICE AND OPERATION METHOD OF ELECTRONIC DEVICE FOR CONTROLLING TRANSMISSION POWER}

본 문서에 개시된 다양한 실시예들은, 송신 전력을 제어하기 위한 전자 장치 및 전자 장치의 동작 방법에 관한 것이다. Various embodiments disclosed in this document relate to an electronic device and a method of operating the electronic device for controlling transmission power.

5G NR이 적용된 전자 장치에서는 LTE 대비 높은 주파수 대역의 사용과 넓은 대역폭의 사용과 같은 상황으로 인하여, 전자 장치에 발열이 발생할 가능성이 높다. 카메라 개수의 증가, 고화질의 디스플레이 탑재 또한 전자 장치의 발열을 초래하여 저온 화상의 위험이 있다. 따라서, 전자 장치의 온도에 기반한 발열 제어의 필요성이 요구될 수 있다. In electronic devices to which 5G NR is applied, there is a high possibility of heat generation in the electronic device due to situations such as the use of a higher frequency band and wider bandwidth compared to LTE. Increasing the number of cameras and installing high-definition displays also cause electronic devices to generate heat, raising the risk of low-temperature burns. Accordingly, there may be a need for heat control based on the temperature of the electronic device.

발열 제한 기술 중에서는, 통신에서 송신 전력을 줄이는 방법이 있을 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 지정된 값 이상으로 발열이 되는 경우, NR Call drop 및/또는 LTE Fallback하여 전자 장치의 온도가 상승하는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, RF 모듈이 정상적으로 동작하지 않아 끊김없이 통신을 수행하기 어려울 수 있다.Among heat-limiting technologies, there may be a way to reduce transmission power in communications. For example, if the electronic device generates heat above a specified value, NR Call drop and/or LTE fallback can be performed to prevent the temperature of the electronic device from increasing. In this case, the RF module may not operate normally, making it difficult to communicate without interruption.

TAS(Time Averaged SAR)는, 시간에 따른 평균 SAR(specific absortion rate, 전자파 흡수율)을 지칭하는 것으로, 전자 장치가 표준에 정의된 기간 동안 평균 SAR을 타겟 SAR 범위에서 제어하도록 통신 모듈을 제어하는 기술일 수 있다.TAS (Time Averaged SAR) refers to the average SAR (specific absorption rate) over time, a technology that controls a communication module so that an electronic device controls the average SAR within the target SAR range during a period defined in the standard. It can be.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 온도가 지정된 값을 초과함에 대응하여, RF 모듈의 송신 전력을 제어할 수 있다. 구체적으로, 전자 장치는 온도가 지정된 값을 초과함에 대응하여, TAS 제어와 관련하여 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값(Plimit), 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값(Preserve) 및/또는 RF 모듈의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력(Pmax)을 조정하여 전자 장치의 온도가 올라가더라도, 끊김없이 통신을 할 수 있다.Electronic devices according to various embodiments of the present invention may control the transmission power of the RF module in response to the temperature exceeding a specified value. Specifically, in response to the temperature exceeding a specified value, the electronic device determines a threshold (Plimit) for transmit power to satisfy the target SAR for a specified period of time in connection with TAS control, and transmit power when the transmit power exceeds the specified value. In order to lower the value for outputting the specified power (Preserve) and/or adjust the maximum power that the transmitter of the RF module can output (Pmax), communication can be performed without interruption even if the temperature of the electronic device rises.

본 문서에서 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problem to be achieved in this document is not limited to the technical problem mentioned above, and other technical problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description below. There will be.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 온도 센서, 어플리케이션 프로세서, 통신 프로세서, RF 모듈,을 포함하고, 통신 프로세서는 어플리케이션 프로세서로부터 온도 센서가 측정한 전자 장치의 온도와 관련된 정보를 획득하고, 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈의 송신 전력과 관련된 파라미터를 결정하고, 결정된 파라미터에 기반하여 RF 모듈을 제어할 수 있다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document include a temperature sensor, an application processor, a communication processor, and an RF module, and the communication processor obtains information related to the temperature of the electronic device measured by the temperature sensor from the application processor. , Parameters related to the transmission power of the RF module can be determined based on the temperature of the electronic device, and the RF module can be controlled based on the determined parameters.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법은 어플리케이션 프로세서로부터 온도 센서가 측정한 전자 장치의 온도와 관련된 정보를 획득하는 동작, 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈의 송신 전력과 관련된 파라미터를 결정하는 동작, 및 결정된 파라미터에 기반하여 RF 모듈을 제어하는 동작을 포함할 수 있다.A method of operating an electronic device according to various embodiments disclosed in this document includes obtaining information related to the temperature of the electronic device measured by a temperature sensor from an application processor, parameters related to the transmission power of the RF module based on the temperature of the electronic device, It may include an operation of determining , and an operation of controlling the RF module based on the determined parameters.

예를 들어, 전자 장치는 전자 장치의 발열에 의하여 온도가 상승하더라도 송신 전력을 제어하여 끊김없이 통신을 수행할 수 있다.For example, an electronic device can perform uninterrupted communication by controlling transmission power even if the temperature rises due to heat generation of the electronic device.

도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
도 2는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 블록도이다.
도 3는, TAS와 관련된 시간에 따른 송신 전력 그래프이다.
도 4는, 다양한 실시예에 따른 통신 프로세서가 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈을 제어하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5a 는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가, 제 1 실시예에 따라 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈을 제어하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5b는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가, 제 1 실시예에 따라 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈을 제어할 때의 송신 전력 그래프를 도시한 도면이다.
도 6a는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가, 제 2 실시예에 따라 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈을 제어하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 6b는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가, 제 2 실시예에 따라 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈을 제어할 때의 송신 전력 그래프를 도시한 도면이다.
도 7a는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가, 제 3 실시예에 따라 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈을 제어하는 방법을 도시한 흐름도이다.
도 7b는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치가, 제 3 실시예에 따라 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈을 제어할 때의 송신 전력 그래프를 도시한 도면이다.In relation to the description of the drawings, identical or similar reference numerals may be used for identical or similar components.
1 is a block diagram of an electronic device in a network environment, according to various embodiments.
Figure 2 is a block diagram of an electronic device according to various embodiments.
Figure 3 is a graph of transmit power over time related to TAS.
FIG. 4 is a flowchart illustrating a method by which a communication processor controls an RF module based on the temperature of an electronic device, according to various embodiments.
FIG. 5A is a flowchart illustrating a method in which an electronic device according to various embodiments controls an RF module based on the temperature of the electronic device according to the first embodiment.
FIG. 5B is a diagram illustrating a transmission power graph when an electronic device according to various embodiments controls an RF module based on the temperature of the electronic device according to the first embodiment.
FIG. 6A is a flowchart illustrating a method by which an electronic device according to various embodiments controls an RF module based on the temperature of the electronic device according to a second embodiment.
FIG. 6B is a diagram illustrating a transmission power graph when an electronic device according to various embodiments controls an RF module based on the temperature of the electronic device according to a second embodiment.
FIG. 7A is a flowchart illustrating a method by which an electronic device according to various embodiments controls an RF module based on the temperature of the electronic device according to a third embodiment.
FIG. 7B is a diagram illustrating a transmission power graph when an electronic device according to various embodiments controls an RF module based on the temperature of the electronic device according to a third embodiment.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 1 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 100, according to various embodiments.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.Referring to FIG. 1, in the network environment 100, the electronic device 101 communicates with the electronic device 102 through a first network 198 (e.g., a short-range wireless communication network) or a second network 199. It is possible to communicate with at least one of the electronic device 104 or the server 108 through (e.g., a long-distance wireless communication network). According to one embodiment, the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108. According to one embodiment, the electronic device 101 includes a processor 120, a memory 130, an input module 150, an audio output module 155, a display module 160, an audio module 170, and a sensor module ( 176), interface 177, connection terminal 178, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196 , or may include an antenna module 197. In some embodiments, at least one of these components (eg, the connection terminal 178) may be omitted or one or more other components may be added to the electronic device 101. In some embodiments, some of these components (e.g., sensor module 176, camera module 180, or antenna module 197) are integrated into one component (e.g., display module 160). It can be.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The processor 120, for example, executes software (e.g., program 140) to operate at least one other component (e.g., hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can be controlled and various data processing or calculations can be performed. According to one embodiment, as at least part of data processing or computation, the processor 120 stores commands or data received from another component (e.g., sensor module 176 or communication module 190) in volatile memory 132. The commands or data stored in the volatile memory 132 can be processed, and the resulting data can be stored in the non-volatile memory 134. According to one embodiment, the processor 120 includes a main processor 121 (e.g., a central processing unit or an application processor) or an auxiliary processor 123 that can operate independently or together (e.g., a graphics processing unit, a neural network processing unit ( It may include a neural processing unit (NPU), an image signal processor, a sensor hub processor, or a communication processor). For example, if the electronic device 101 includes a main processor 121 and a secondary processor 123, the secondary processor 123 may be set to use lower power than the main processor 121 or be specialized for a designated function. You can. The auxiliary processor 123 may be implemented separately from the main processor 121 or as part of it.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다. The auxiliary processor 123 may, for example, act on behalf of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (e.g., sleep) state, or while the main processor 121 is in an active (e.g., application execution) state. ), together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (e.g., the display module 160, the sensor module 176, or the communication module 190) At least some of the functions or states related to can be controlled. According to one embodiment, co-processor 123 (e.g., image signal processor or communication processor) may be implemented as part of another functionally related component (e.g., camera module 180 or communication module 190). there is. According to one embodiment, the auxiliary processor 123 (eg, neural network processing unit) may include a hardware structure specialized for processing artificial intelligence models. Artificial intelligence models can be created through machine learning. For example, such learning may be performed in the electronic device 101 itself on which the artificial intelligence model is performed, or may be performed through a separate server (e.g., server 108). Learning algorithms may include, for example, supervised learning, unsupervised learning, semi-supervised learning, or reinforcement learning, but It is not limited. An artificial intelligence model may include multiple artificial neural network layers. Artificial neural networks include deep neural network (DNN), convolutional neural network (CNN), recurrent neural network (RNN), restricted boltzmann machine (RBM), belief deep network (DBN), bidirectional recurrent deep neural network (BRDNN), It may be one of deep Q-networks or a combination of two or more of the above, but is not limited to the examples described above. In addition to hardware structures, artificial intelligence models may additionally or alternatively include software structures.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The memory 130 may store various data used by at least one component (eg, the processor 120 or the sensor module 176) of the electronic device 101. Data may include, for example, input data or output data for software (e.g., program 140) and instructions related thereto. Memory 130 may include volatile memory 132 or non-volatile memory 134.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The program 140 may be stored as software in the memory 130 and may include, for example, an operating system 142, middleware 144, or application 146.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The input module 150 may receive commands or data to be used in a component of the electronic device 101 (e.g., the processor 120) from outside the electronic device 101 (e.g., a user). The input module 150 may include, for example, a microphone, mouse, keyboard, keys (eg, buttons), or digital pen (eg, stylus pen).

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The sound output module 155 may output sound signals to the outside of the electronic device 101. The sound output module 155 may include, for example, a speaker or a receiver. Speakers can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback. The receiver can be used to receive incoming calls. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from the speaker or as part of it.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다. The display module 160 can visually provide information to the outside of the electronic device 101 (eg, a user). The display module 160 may include, for example, a display, a hologram device, or a projector, and a control circuit for controlling the device. According to one embodiment, the display module 160 may include a touch sensor configured to detect a touch, or a pressure sensor configured to measure the intensity of force generated by the touch.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 170 can convert sound into an electrical signal or, conversely, convert an electrical signal into sound. According to one embodiment, the audio module 170 acquires sound through the input module 150, the sound output module 155, or an external electronic device (e.g., directly or wirelessly connected to the electronic device 101). Sound may be output through the electronic device 102 (e.g., speaker or headphone).

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 176 detects the operating state (e.g., power or temperature) of the electronic device 101 or the external environmental state (e.g., user state) and generates an electrical signal or data value corresponding to the detected state. can do. According to one embodiment, the sensor module 176 includes, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, an air pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, It may include a temperature sensor, humidity sensor, or light sensor.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia inteRF 모듈ace), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 177 may support one or more designated protocols that can be used to connect the electronic device 101 directly or wirelessly with an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia inteRF module (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 can be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 179 can convert electrical signals into mechanical stimulation (e.g., vibration or movement) or electrical stimulation that the user can perceive through tactile or kinesthetic senses. According to one embodiment, the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The camera module 180 can capture still images and moving images. According to one embodiment, the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 188 can manage power supplied to the electronic device 101. According to one embodiment, the power management module 188 may be implemented as at least a part of, for example, a power management integrated circuit (PMIC).

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101. According to one embodiment, the battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary battery, a rechargeable secondary battery, or a fuel cell.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다. Communication module 190 is configured to provide a direct (e.g., wired) communication channel or wireless communication channel between electronic device 101 and an external electronic device (e.g., electronic device 102, electronic device 104, or server 108). It can support establishment and communication through established communication channels. Communication module 190 operates independently of processor 120 (e.g., an application processor) and may include one or more communication processors that support direct (e.g., wired) communication or wireless communication. According to one embodiment, the communication module 190 is a wireless communication module 192 (e.g., a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (e.g., : LAN (local area network) communication module, or power line communication module) may be included. Among these communication modules, the corresponding communication module is a first network 198 (e.g., a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)) or a second network 199 (e.g., legacy It may communicate with an external electronic device 104 through a telecommunication network such as a cellular network, a 5G network, a next-generation communication network, the Internet, or a computer network (e.g., LAN or WAN). These various types of communication modules may be integrated into one component (e.g., a single chip) or may be implemented as a plurality of separate components (e.g., multiple chips). The wireless communication module 192 uses subscriber information (e.g., International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 within a communication network such as the first network 198 or the second network 199. The electronic device 101 can be confirmed or authenticated.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.The wireless communication module 192 may support 5G networks after 4G networks and next-generation communication technologies, for example, NR access technology (new radio access technology). NR access technology provides high-speed transmission of high-capacity data (enhanced mobile broadband (eMBB)), minimization of terminal power and access to multiple terminals (massive machine type communications (mMTC)), or ultra-reliable and low-latency (URLLC). -latency communications)) can be supported. The wireless communication module 192 may support high frequency bands (eg, mmWave bands), for example, to achieve high data rates. The wireless communication module 192 uses various technologies to secure performance in high frequency bands, for example, beamforming, massive array multiple-input and multiple-output (MIMO), and full-dimensional multiplexing. It can support technologies such as input/output (FD-MIMO: full dimensional MIMO), array antenna, analog beam-forming, or large scale antenna. The wireless communication module 192 may support various requirements specified in the electronic device 101, an external electronic device (e.g., electronic device 104), or a network system (e.g., second network 199). According to one embodiment, the wireless communication module 192 supports Peak data rate (e.g., 20 Gbps or more) for realizing eMBB, loss coverage (e.g., 164 dB or less) for realizing mmTC, or U-plane latency (e.g., 164 dB or less) for realizing URLLC. Example: Downlink (DL) and uplink (UL) each of 0.5 ms or less, or round trip 1 ms or less) can be supported.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RF 모듈IC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다. The antenna module 197 may transmit or receive signals or power to or from the outside (eg, an external electronic device). According to one embodiment, the antenna module 197 may include an antenna including a radiator made of a conductor or a conductive pattern formed on a substrate (eg, PCB). According to one embodiment, the antenna module 197 may include a plurality of antennas (eg, an array antenna). In this case, at least one antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 198 or the second network 199 is connected to the plurality of antennas by, for example, the communication module 190. can be selected. Signals or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the at least one selected antenna. According to some embodiments, in addition to the radiator, other components (eg, RF module IC (radio frequency integrated circuit)) may be additionally formed as part of the antenna module 197.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RF 모듈IC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the antenna module 197 may form a mmWave antenna module. According to one embodiment, the mmWave antenna module is a printed circuit board, an RF module disposed on or adjacent to a first side (e.g., bottom side) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (e.g., mmWave band). An IC, and a plurality of antennas (e.g., array antennas) disposed on or adjacent to a second side (e.g., top or side) of the printed circuit board and capable of transmitting or receiving signals in the designated high frequency band. may include.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral inteRF 모듈ace), 또는 MIPI(mobile industry processor inteRF 모듈ace))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the above components communicate with each other through a communication method between peripheral devices (e.g., bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral inteRF module (SPI), or mobile industry processor inteRF module (MIPI)). They are connected and can exchange signals (e.g. commands or data) with each other.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다. According to one embodiment, commands or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199. Each of the external electronic devices 102 or 104 may be of the same or different type as the electronic device 101. According to one embodiment, all or part of the operations performed in the electronic device 101 may be executed in one or more of the external electronic devices 102, 104, or 108. For example, when the electronic device 101 must perform a certain function or service automatically or in response to a request from a user or another device, the electronic device 101 may perform the function or service instead of executing the function or service on its own. Alternatively, or additionally, one or more external electronic devices may be requested to perform at least part of the function or service. One or more external electronic devices that have received the request may execute at least part of the requested function or service, or an additional function or service related to the request, and transmit the result of the execution to the electronic device 101. The electronic device 101 may process the result as is or additionally and provide it as at least part of a response to the request. For this purpose, for example, cloud computing, distributed computing, mobile edge computing (MEC), or client-server computing technology can be used. The electronic device 101 may provide an ultra-low latency service using, for example, distributed computing or mobile edge computing. In another embodiment, the external electronic device 104 may include an Internet of Things (IoT) device. Server 108 may be an intelligent server using machine learning and/or neural networks. According to one embodiment, the external electronic device 104 or server 108 may be included in the second network 199. The electronic device 101 may be applied to intelligent services (e.g., smart home, smart city, smart car, or healthcare) based on 5G communication technology and IoT-related technology.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document may be of various types. Electronic devices may include, for example, portable communication devices (e.g., smartphones), computer devices, portable multimedia devices, portable medical devices, cameras, wearable devices, or home appliances. Electronic devices according to embodiments of this document are not limited to the above-described devices.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.The various embodiments of this document and the terms used herein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, but should be understood to include various changes, equivalents, or replacements of the embodiments. In connection with the description of the drawings, similar reference numbers may be used for similar or related components. The singular form of a noun corresponding to an item may include one or more of the above items, unless the relevant context clearly indicates otherwise. As used herein, “A or B”, “at least one of A and B”, “at least one of A or B”, “A, B or C”, “at least one of A, B and C”, and “A Each of phrases such as “at least one of , B, or C” may include any one of the items listed together in the corresponding phrase, or any possible combination thereof. Terms such as "first", "second", or "first" or "second" may be used simply to distinguish one component from another, and to refer to those components in other respects (e.g., importance or order) is not limited. One (e.g., first) component is said to be “coupled” or “connected” to another (e.g., second) component, with or without the terms “functionally” or “communicatively.” When mentioned, it means that any of the components can be connected to the other components directly (e.g. wired), wirelessly, or through a third component.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. The term “module” used in various embodiments of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and is interchangeable with terms such as logic, logic block, component, or circuit, for example. It can be used as A module may be an integrated part or a minimum unit of the parts or a part thereof that performs one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of the present document are one or more instructions stored in a storage medium (e.g., built-in memory 136 or external memory 138) that can be read by a machine (e.g., electronic device 101). It may be implemented as software (e.g., program 140) including these. For example, a processor (e.g., processor 120) of a device (e.g., electronic device 101) may call at least one command among one or more commands stored from a storage medium and execute it. This allows the device to be operated to perform at least one function according to the at least one instruction called. The one or more instructions may include code generated by a compiler or code that can be executed by an interpreter. A storage medium that can be read by a device may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here, 'non-transitory' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain signals (e.g. electromagnetic waves). This term refers to cases where data is stored semi-permanently in the storage medium. There is no distinction between temporary storage cases.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to one embodiment, methods according to various embodiments disclosed in this document may be included and provided in a computer program product. Computer program products are commodities and can be traded between sellers and buyers. The computer program product may be distributed in the form of a machine-readable storage medium (e.g. compact disc read only memory (CD-ROM)) or through an application store (e.g. Play StoreTM) or on two user devices (e.g. It can be distributed (e.g. downloaded or uploaded) directly between smart phones) or online. In the case of online distribution, at least a portion of the computer program product may be at least temporarily stored or temporarily created in a machine-readable storage medium, such as the memory of a manufacturer's server, an application store's server, or a relay server.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.According to various embodiments, each component (e.g., module or program) of the above-described components may include a single or plural entity, and some of the plurality of entities may be separately placed in other components. there is. According to various embodiments, one or more of the components or operations described above may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, multiple components (eg, modules or programs) may be integrated into a single component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each component of the plurality of components identically or similarly to those performed by the corresponding component of the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, operations performed by a module, program, or other component may be executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the operations may be executed in a different order, or omitted. Alternatively, one or more other operations may be added.

도 2는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)의 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram of an electronic device 200 according to various embodiments.

도 2를 참조하면, 전자 장치(200) (예 : 도 1의 전자 장치(200)(101)) 는 어플리케이션 프로세서(210)(예: 도 1의 프로세서(120)), 온도 센서(260), 통신 프로세서(220) 및/또는 RF 모듈(230)를 포함할 수 있다. 도 2에 포함된 구성 요소는 전자 장치(200)에 포함된 구성들의 일부에 대한 것이며 전자 장치(200)는 이 밖에도 도 1에 도시된 것과 같이 다양한 구성요소를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the electronic device 200 (e.g., the electronic device 200 (101) of FIG. 1) includes an application processor 210 (e.g., the processor 120 of FIG. 1), a temperature sensor 260, It may include a communication processor 220 and/or an RF module 230. The components included in FIG. 2 are some of the components included in the electronic device 200, and the electronic device 200 may also include various other components as shown in FIG. 1 .

다양한 실시예에 따른 온도 센서(260)는 전자 장치(200)의 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 온도 센서(260)는 온도를 전기적인 특성 값으로 변환하기 위한 구성으로, 서미스터(thermistor), 저항 온도 계(resistance thermometer), 열 전기 쌍(thermoelectric), 실리콘 트랜스듀서, 또는 CTR(critical temperature resistor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 온도 센서(260)는 이 밖의 다양한 온도 검출용 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The temperature sensor 260 according to various embodiments may measure the temperature of the electronic device 200. For example, the temperature sensor 260 is a configuration for converting temperature into an electrical characteristic value, and may include a thermistor, a resistance thermometer, a thermoelectric pair, a silicon transducer, or a CTR ( It may include at least one of a critical temperature resistor. The temperature sensor 260 may include at least one of various other temperature detection elements.

다양한 실시예에 따른 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)로부터 전자장치의 온도와 관련된 정보를 획득하여, 통신 프로세서(220)에 전달할 수 있다.The application processor 210 according to various embodiments may obtain information related to the temperature of the electronic device from the temperature sensor 260 and transmit it to the communication processor 220.

예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)에 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 요청하고, 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도가 전기적인 특성 값으로 변환된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 통신 프로세서(220)의 요청에 응답하여 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 전달할 수 있다.For example, the application processor 210 requests information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260, and converts the temperature of the electronic device 200 into electrical characteristic values from the temperature sensor 260. information can be obtained. For example, the application processor 210 may transmit information related to the temperature of the electronic device 200 in response to a request from the communication processor 220.

다양한 실시예에 따른 통신 프로세서(220)는 RF 모듈(230)의 을 제어할 수 있다. 예를 들어, 의 송신 전력을 제어할 수 있다. 예를 들어, 통신 프로세서(220)는 어플리케이션 프로세서(210)로부터 획득한 전자 장치(200)의 온도 정보에 기반하여, RF 모듈(230)의 송신 전력을 제어할 수 있다.The communication processor 220 according to various embodiments may control the RF module 230. For example, the transmission power of can be controlled. For example, the communication processor 220 may control the transmission power of the RF module 230 based on temperature information of the electronic device 200 obtained from the application processor 210.

다양한 실시예에 따른 RF 모듈(230)는 무선 통신 네트워크를 통하여 외부 전자 장치 및/또는 서버와 통신할 수 있다. 예를 들어, RF 모듈(230)은 안테나를 통하여 외부 전자 장치 및/또는 서버와 정보를 송수신할 수 있다.The RF module 230 according to various embodiments may communicate with external electronic devices and/or servers through a wireless communication network. For example, the RF module 230 may transmit and receive information to and from an external electronic device and/or server through an antenna.

도 3는, TAS와 관련된 시간에 따른 송신 전력 그래프이다.Figure 3 is a graph of transmit power over time related to TAS.

TAS(Time Averaged SAR)는, 시간에 따른 평균 SAR(specific absortion rate, 전자파 흡수율)을 지칭하는 것으로, 전자 장치(200)가 표준에 정의된 기간 동안 평균 SAR을 타겟 SAR 범위에서 제어하도록 통신 모듈을 제어하는 기술일 수 있다.Time Averaged SAR (TAS) refers to the average SAR (specific absorption rate) over time, and the electronic device 200 uses a communication module to control the average SAR in the target SAR range during a period defined in the standard. It could be a control technology.

TAS 제어에 있어서, 송신 전력과 관련된 파라미터가 적용될 수 있다. 예를 들어, 송신 전력과 관련된 파라미터는 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터를 포함할 수 있다.In TAS control, parameters related to transmission power may be applied. For example, parameters related to transmit power may include a first parameter, a second parameter, and/or a third parameter.

예를 들어, 송신 전력의 제 1 파라미터는 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값(Plimit)으로, 최대 시간 평균 출력 전력일 수 있다.For example, the first parameter of the transmission power is a threshold value (Plimit) of the transmission power to satisfy the target SAR for a specified period, and may be the maximum time average output power.

예를 들어, 송신 전력의 제 2 파라미터는 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값(Preserve)일 수 있다.For example, the second parameter of transmission power may be a value (Preserve) that outputs a specified power in order to lower the transmission power when the transmission power exceeds a specified value.

예를 들어, 송신 전력의 제 3 파라미터는 RF 모듈(230)의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력(Pmax)일 수 있다.For example, the third parameter of transmission power may be the maximum power (Pmax) that the transmitter of the RF module 230 can produce.

예를 들어, 타겟 SAR은 TAS를 만족하기 위한 기준 SAR일 수 있다.For example, the target SAR may be a reference SAR for satisfying TAS.

예를 들어, 평균 SAR은 지정된 기간 동안의 평균 SAR 일 수 있다.For example, the average SAR may be the average SAR over a specified period of time.

전자 장치(200)는, 지정된 기간 동안 송신 전력의 평균 SAR이 타겟 SAR를 만족하기 위하여, 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.The electronic device 200 may control the RF module 230 based on the first parameter, the second parameter, and/or the third parameter so that the average SAR of the transmission power during the specified period satisfies the target SAR.

“A” 시점은, 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 이상인 시점일 수 있다. Time “A” may be a time when the temperature of the electronic device 200 is above a specified value.

전자 장치(200)는 온도 센서(260)가 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 이상임을 감지함에 대응하여, “A” 시점에서 RF 모듈(230)을 NR Call drop 및/또는 LTE Fallback할 수 있다.The electronic device 200 may perform NR Call drop and/or LTE Fallback on the RF module 230 at point “A” in response to the temperature sensor 260 detecting that the temperature of the electronic device 200 is above a specified value. there is.

이 경우, 전자 장치(200)는 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 이상 상승할 때에, RF 모듈(230)이 정상적으로 동작하지 않아 끊김없이 통신을 수행하기 어려울 수 있다.In this case, it may be difficult for the electronic device 200 to perform communication without interruption because the RF module 230 does not operate normally when the temperature of the electronic device 200 rises above a specified value.

도 4는, 다양한 실시예에 따른 통신 프로세서(220)가 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어하는 방법을 도시한 흐름도이다.FIG. 4 is a flowchart illustrating a method by which the communication processor 220 controls the RF module 230 based on the temperature of the electronic device 200 according to various embodiments.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 410에서, 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 in operation 410.

일 실시예에 따르면, 온도 센서(260)는 전자 장치(200)의 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 온도 센서(260)는 온도를 전기적인 특성 값으로 변환하기 위한 구성으로, 서미스터(thermistor), 저항 온도 계(resistance thermometer), 열 전기 쌍(thermoelectric), 실리콘 트랜스듀서, 또는 CTR(critical temperature resistor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 온도 센서(260)는 이 밖의 다양한 온도 검출용 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the temperature sensor 260 may measure the temperature of the electronic device 200. For example, the temperature sensor 260 is a configuration for converting temperature into an electrical characteristic value, and may include a thermistor, a resistance thermometer, a thermoelectric pair, a silicon transducer, or a CTR ( It may include at least one of a critical temperature resistor. The temperature sensor 260 may include at least one of various other temperature detection elements.

일 실시예에 따르면, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)에 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 요청하고, 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도가 전기적인 특성 값으로 변환된 정보를 획득할 수 있다. According to one embodiment, the application processor 210 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260. For example, the application processor 210 requests information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260, and converts the temperature of the electronic device 200 into electrical characteristic values from the temperature sensor 260. information can be obtained.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 어플리케이션 프로세서(210)로부터 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 통신 프로세서(220)의 요청에 응답하여 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 전달할 수 있다.According to one embodiment, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 from the application processor 210. For example, the application processor 210 may transmit information related to the temperature of the electronic device 200 in response to a request from the communication processor 220.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 420에서, 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 송신 전력과 관련된 파라미터를 결정할 수 있다.According to various embodiments, in operation 420, the communication processor 220 may determine a parameter related to transmission power based on the temperature of the electronic device 200.

일 실시예에 따르면, 송신 전력과 관련된 파라미터는 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터를 포함할 수 있다.According to one embodiment, parameters related to transmission power may include a first parameter, a second parameter, and/or a third parameter.

예를 들어, 송신 전력의 제 1 파라미터는 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값(Plimit)으로, 최대 시간 평균 송신 전력일 수 있다.For example, the first parameter of the transmission power is a threshold value (Plimit) of the transmission power to satisfy the target SAR during a specified period, and may be the maximum time average transmission power.

예를 들어, 송신 전력의 제 2 파라미터는 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값일 수 있다.For example, the second parameter of transmission power may be a value that outputs a specified power in order to lower the transmission power when the transmission power exceeds a specified value.

예를 들어, 송신 전력의 제 3 파라미터는 RF 모듈(230)의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력(Pmax)일 수 있다.For example, the third parameter of transmission power may be the maximum power (Pmax) that the transmitter of the RF module 230 can produce.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 송신 전력의 제 2 파라미터를 제 1 레벨, 제 2 레벨, 제 3 레벨 및/또는 제 4 레벨로 결정할 수 있다. 제 2 파라미터의 제 1 레벨, 제 2 레벨, 제 3 레벨 및/또는 제 4 레벨은 송신 전력을 낮추기 위한 지정된 값의 송신 전력과 관련된 값일 수 있다.According to one embodiment, the communication processor 220 may determine the second parameter of the transmission power as a first level, a second level, a third level, and/or a fourth level based on the temperature of the electronic device 200. there is. The first level, second level, third level and/or fourth level of the second parameter may be a value related to the transmit power of a specified value for lowering the transmit power.

일 실시예에 다르면, 통신 프로세서(220)는, 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 1 레벨, 제 2 레벨 및/또는 제 3 레벨로 결정할 수 있다. 제 1 파라미터의 제 1 레벨, 제 2 레벨 및/또는 제 3 레벨은 타겟 SAR을 만족하기 위한 지정된 값의 평균 송신 전력과 관련된 값일 수 있다.According to one embodiment, the communication processor 220 may determine the first parameter of transmission power as a first level, a second level, and/or a third level based on the temperature of the electronic device 200. The first level, second level and/or third level of the first parameter may be a value related to an average transmit power of a specified value to satisfy the target SAR.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 송신 전력의 제 3 파라미터를 지정된 값으로 결정할 수 있다. 제 3 파라미터의 지정된 값은 RF 모듈(230)의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력(Pmax)의 임계를 설정하기 위한 송신 전력과 관련된 값일 수 있다.According to one embodiment, the communication processor 220 may determine the third parameter of the transmission power to be a designated value based on the temperature of the electronic device 200. The designated value of the third parameter may be a value related to the transmission power for setting a threshold of the maximum power (Pmax) that the transmitter of the RF module 230 can emit.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 430에서, 결정된 송신 전력과 관련된 파라미터에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may control the RF module 230 based on a parameter related to the determined transmission power in operation 430.

예를 들어, 통신 프로세서(220)는 결정된 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터를 만족하도록 RF 모듈(230)을 제어하여 송신 전력을 제어할 수 있다.For example, the communication processor 220 may control the transmission power by controlling the RF module 230 to satisfy the determined first, second, and/or third parameters.

도 5a는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가, 제 1 실시예에 따라 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어하는 방법을 도시한 흐름도이다.FIG. 5A is a flowchart illustrating a method by which the electronic device 200 according to various embodiments controls the RF module 230 based on the temperature of the electronic device 200 according to the first embodiment.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 510에서, 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 in operation 510.

일 실시예에 따르면, 온도 센서(260)는 전자 장치(200)의 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 온도 센서(260)는 온도를 전기적인 특성 값으로 변환하기 위한 구성으로, 서미스터(thermistor), 저항 온도 계(resistance thermometer), 열 전기 쌍(thermoelectric), 실리콘 트랜스듀서, 또는 CTR(critical temperature resistor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 온도 센서(260)는 이 밖의 다양한 온도 검출용 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the temperature sensor 260 may measure the temperature of the electronic device 200. For example, the temperature sensor 260 is a configuration for converting temperature into an electrical characteristic value, and may include a thermistor, a resistance thermometer, a thermoelectric pair, a silicon transducer, or a CTR ( It may include at least one of a critical temperature resistor. The temperature sensor 260 may include at least one of various other temperature detection elements.

일 실시예에 따르면, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)에 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 요청하고, 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도가 전기적인 특성 값으로 변환된 정보를 획득할 수 있다. According to one embodiment, the application processor 210 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260. For example, the application processor 210 requests information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260, and converts the temperature of the electronic device 200 into electrical characteristic values from the temperature sensor 260. information can be obtained.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 어플리케이션 프로세서(210)로부터 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 통신 프로세서(220)의 요청에 응답하여 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 전달할 수 있다.According to one embodiment, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 from the application processor 210. For example, the application processor 210 may transmit information related to the temperature of the electronic device 200 in response to a request from the communication processor 220.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 송신 전력의 제 2 파라미터를 제 1 레벨, 제 2 레벨, 제 3 레벨 및/또는 제 4 레벨로 결정할 수 있다. 제 2 파라미터의 제 1 레벨, 제 2 레벨, 제 3 레벨 및/또는 제 4 레벨은 송신 전력을 낮추기 위한 지정된 값의 송신 전력과 관련된 값일 수 있다.According to one embodiment, the communication processor 220 may determine the second parameter of the transmission power as a first level, a second level, a third level, and/or a fourth level based on the temperature of the electronic device 200. there is. The first level, second level, third level and/or fourth level of the second parameter may be a value related to the transmit power of a specified value for lowering the transmit power.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 521에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 1 값 이상인지 여부를 확인할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may check whether the temperature of the electronic device 200 is greater than or equal to the first value in operation 521.

일 실시예에 따르면, 제 1 값은 약 41.5도일 수 있다.According to one embodiment, the first value may be approximately 41.5 degrees.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 531에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 1 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 521 - 아니오), 송신 전력의 제 2 파라미터를 제 1 레벨로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in operation 531, the communication processor 220 sets a second parameter of transmit power in response to the temperature of the electronic device 200 being less than the first value (e.g., operation 521 - No). The RF module 230 can be controlled by setting it to level 1.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 2 파라미터의 제 1 레벨은 전자 장치(200)의 RF 모듈(230)에 디폴트로 설정된 값일 수 있다.According to one embodiment, the first level of the second parameter of transmission power may be a default value set in the RF module 230 of the electronic device 200.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 522에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 1 값 이상임에 대응하여(예 : 동작 521 - 예), 전자 장치(200)의 온도가 제 2 값 이상인지 여부를 확인할 수 있다.According to various embodiments, in operation 522, the communication processor 220 sets the temperature of the electronic device 200 to a first value in response to the fact that the temperature of the electronic device 200 is greater than or equal to the first value (e.g., operation 521 - Yes). You can check whether the value is 2 or more.

일 실시예에 따르면, 제 2 값은 약 43도일 수 있다.According to one embodiment, the second value may be approximately 43 degrees.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 532에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 1 값 이상 제 2 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 522 - 아니오), 송신 전력의 제 2 파라미터를 제 2 레벨로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in operation 532, the communication processor 220 adjusts the transmission power in response to the temperature of the electronic device 200 being greater than or equal to the first value and less than the second value (e.g., operation 522 - No). 2 The RF module 230 can be controlled by setting the parameter to the second level.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 2 파라미터의 제 2 레벨은 제 1 레벨보다 낮은 값의 송신 전력일 수 있다.According to one embodiment, the second level of the second parameter of transmission power may be a lower value of transmission power than the first level.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 523에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 2 값 이상임에 대응하여(예 : 동작 522 - 예), 전자 장치(200)의 온도가 제 3 값 이상인지 여부를 확인할 수 있다.According to various embodiments, in operation 523, the communication processor 220 sets the temperature of the electronic device 200 to a first value in response to the fact that the temperature of the electronic device 200 is greater than or equal to the second value (e.g., operation 522 - Yes). You can check whether the value is 3 or more.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 533에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 2 값 이상 제 3 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 523 - 아니오), 송신 전력의 제 2 파라미터를 제 3 레벨으로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in operation 533, the communication processor 220 adjusts the first amount of transmission power in response to the temperature of the electronic device 200 being greater than or equal to the second value and less than the third value (e.g., operation 523 - No). 2 The RF module 230 can be controlled by setting the parameter to the third level.

일 실시예에 따르면, 제 3 값은 약 45도일 수 있다.According to one embodiment, the third value may be approximately 45 degrees.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 2 파라미터의 제 3 레벨은 제 2 레벨보다 낮은 값의 송신 전력일 수 있다.According to one embodiment, the third level of the second parameter of transmit power may be a transmit power of a lower value than the second level.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 534에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 3 값 이상임에 대응하여(예 : 동작 523 - 예), 송신 전력의 제 2 파라미터를 제 4 레벨으로 설정하여 동작하도록 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in operation 534, the communication processor 220 sets the second parameter of the transmission power to a fourth value in response to the temperature of the electronic device 200 being greater than or equal to the third value (e.g., operation 523 - Yes). The RF module 230 can be controlled to operate by setting the level.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 2 파라미터의 제 4 레벨은 제 3 레벨보다 낮은 값의 송신 전력일 수 있다.According to one embodiment, the fourth level of the second parameter of transmission power may be a lower value of transmission power than the third level.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 지정된 주기마다 동작 510 내지 534를 수행할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may perform operations 510 to 534 at designated cycles.

도 5b는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가, 제 1 실시예에 따라 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어할 때의 송신 전력 그래프를 도시한 도면이다.FIG. 5B is a diagram illustrating a transmission power graph when the electronic device 200 according to various embodiments controls the RF module 230 based on the temperature of the electronic device 200 according to the first embodiment. .

TAS 제어에 있어서, 송신 전력과 관련된 파라미터가 적용될 수 있다. 예를 들어, 송신 전력과 관련된 파라미터는 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터를 포함할 수 있다.In TAS control, parameters related to transmission power may be applied. For example, parameters related to transmit power may include a first parameter, a second parameter, and/or a third parameter.

예를 들어, 송신 전력의 제 1 파라미터 는 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값(Plimit)으로, 최대 시간 평균 출력 전력일 수 있다.For example, the first parameter of the transmission power is a threshold value (Plimit) of the transmission power to satisfy the target SAR during a specified period, and may be the maximum time average output power.

예를 들어, 송신 전력의 제 2 파라미터 는 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값일 수 있다.For example, the second parameter of transmission power may be a value that outputs a specified power in order to lower the transmission power when the transmission power exceeds a specified value.

예를 들어, 송신 전력의 제 3 파라미터는 RF 모듈(230)의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력(Pmax)일 수 있다.For example, the third parameter of transmission power may be the maximum power (Pmax) that the transmitter of the RF module 230 can produce.

예를 들어, 타겟 SAR은 TAS를 만족하기 위한 기준 SAR일 수 있다.For example, the target SAR may be a reference SAR for satisfying TAS.

예를 들어, 평균 SAR은 지정된 기간 동안의 평균 SAR 일 수 있다.For example, the average SAR may be the average SAR over a specified period of time.

전자 장치(200)는, 지정된 기간 동안 송신 전력의 평균 SAR이 타겟 SAR를 만족하기 위하여, 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.The electronic device 200 may control the RF module 230 based on the first parameter, the second parameter, and/or the third parameter so that the average SAR of the transmission power during the specified period satisfies the target SAR.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 동작 510에 따라 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 according to operation 510.

다양한 실시예에 따르면, A 시점 이전에는 전자 장치(200)의 온도가 제 1 값 미만인 상태일 수 있다.According to various embodiments, before point A, the temperature of the electronic device 200 may be lower than the first value.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 전자 장치(200)의 온도가 제 1 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 521 - 아니오), 동작 531에 따라 송신 전력의 제 2 파라미터를 제 1 레벨로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in response to the temperature of the electronic device 200 being less than the first value (e.g., operation 521 - No), the communication processor 220 sets the second parameter of the transmission power to the first value in operation 531. The RF module 230 can be controlled by setting the level.

다양한 실시예에 따르면, “A” 시점에는 전자 장치(200)의 온도가 제 1 값 이상 및 제 2 값 이하인 상태일 수 있다.According to various embodiments, at time “A”, the temperature of the electronic device 200 may be above the first value and below the second value.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 전자 장치(200)의 온도가 제 1 값 이상 및 제 2 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 522 - 아니오), 동작 532에 따라 송신 전력의 제 2 파라미터를 제 2 레벨로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 adjusts the transmission power according to operation 532 in response to the temperature of the electronic device 200 being above the first value and below the second value (e.g., operations 522 - No). 2 The RF module 230 can be controlled by setting the parameter to the second level.

이에 따라, 통신 모듈은 송신 전력의 평균 SAR 값을 타겟 이하로 유지할 수 있다.Accordingly, the communication module can maintain the average SAR value of the transmission power below the target.

도 6a는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가, 제 2 실시예에 따라 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어하는 방법을 도시한 흐름도이다.FIG. 6A is a flowchart illustrating a method by which the electronic device 200 according to various embodiments controls the RF module 230 based on the temperature of the electronic device 200 according to the second embodiment.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 610에서, 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 in operation 610.

일 실시예에 따르면, 온도 센서(260)는 전자 장치(200)의 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 온도 센서(260)는 온도를 전기적인 특성 값으로 변환하기 위한 구성으로, 서미스터(thermistor), 저항 온도 계(resistance thermometer), 열 전기 쌍(thermoelectric), 실리콘 트랜스듀서, 또는 CTR(critical temperature resistor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 온도 센서(260)는 이 밖의 다양한 온도 검출용 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the temperature sensor 260 may measure the temperature of the electronic device 200. For example, the temperature sensor 260 is a configuration for converting temperature into an electrical characteristic value, and may include a thermistor, a resistance thermometer, a thermoelectric pair, a silicon transducer, or a CTR ( It may include at least one of a critical temperature resistor. The temperature sensor 260 may include at least one of various other temperature detection elements.

일 실시예에 따르면, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)에 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 요청하고, 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도가 전기적인 특성 값으로 변환된 정보를 획득할 수 있다. According to one embodiment, the application processor 210 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260. For example, the application processor 210 requests information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260, and converts the temperature of the electronic device 200 into electrical characteristic values from the temperature sensor 260. information can be obtained.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 어플리케이션 프로세서(210)로부터 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 통신 프로세서(220)의 요청에 응답하여 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 전달할 수 있다.According to one embodiment, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 from the application processor 210. For example, the application processor 210 may transmit information related to the temperature of the electronic device 200 in response to a request from the communication processor 220.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 621에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 4 값 이상인지 여부를 확인할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may check whether the temperature of the electronic device 200 is greater than or equal to the fourth value in operation 621.

일 실시예에 따르면, 제 4 값은 약 38도일 수 있다.According to one embodiment, the fourth value may be approximately 38 degrees.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 631에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 4 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 621 - 아니오), 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 1 레벨로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in operation 631, the communication processor 220 sets a first parameter of transmit power in response to the temperature of the electronic device 200 being less than the fourth value (e.g., operation 621 - No). The RF module 230 can be controlled by setting it to level 1.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 1 파라미터의 제 1 레벨은 타겟 SAR을 1W/Kg 기준으로 설정하는 값일 수 있다.According to one embodiment, the first level of the first parameter of transmission power may be a value that sets the target SAR based on 1W/Kg.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 1 레벨로 설정하기 위하여, 통신 프로세서(220)는 송신 전력을 제 2 파라미터 값으로 유지하는 시간을 제 1 시간(예 : 50ms)으로 설정할 수 있다.According to one embodiment, in order to set the first parameter of the transmission power to the first level, the communication processor 220 may set the time for maintaining the transmission power at the second parameter value to a first time (e.g., 50 ms). there is.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 622에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 4 값 이상임에 대응하여(예 : 동작 621 - 예), 전자 장치(200)의 온도가 제 5 값 이상인지 여부를 확인할 수 있다.According to various embodiments, in operation 622, the communication processor 220, in response to the temperature of the electronic device 200 being greater than or equal to the fourth value (e.g., operation 621 - Yes), sets the temperature of the electronic device 200 to the fourth value. You can check whether the value is 5 or more.

일 실시예에 따르면, 제 5 값은 약 40도일 수 있다.According to one embodiment, the fifth value may be approximately 40 degrees.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 632에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 4 값 이상 제 5 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 622 - 아니오), 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 2 레벨로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in operation 632, the communication processor 220, in response to the fact that the temperature of the electronic device 200 is greater than or equal to the fourth value and less than the fifth value (e.g., operation 622 - No), 1 The RF module 230 can be controlled by setting the parameter to the second level.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 1 파라미터의 제 2 레벨은 타겟 SAR을 0.9W/Kg 기준으로 설정하는 값일 수 있다.According to one embodiment, the second level of the first parameter of transmission power may be a value that sets the target SAR based on 0.9W/Kg.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 2 레벨로 설정하기 위하여, 통신 프로세서(220)는 송신 전력을 제 2 파라미터 값으로 유지하는 시간을 제 2 시간(예 : 80ms)으로 설정할 수 있다.According to one embodiment, in order to set the first parameter of the transmission power to the second level, the communication processor 220 may set the time for maintaining the transmission power at the second parameter value to a second time (e.g., 80 ms). there is.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 633에서, 전자 장치(200)의 온도가 제 5값 이상임에 대응하여(예 : 동작 622 - 예), 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 3 레벨으로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in operation 633, the communication processor 220 sets the first parameter of the transmission power to a third value in response to the fact that the temperature of the electronic device 200 is greater than or equal to the fifth value (e.g., operation 622 - Yes). The RF module 230 can be controlled by setting the level.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 1 파라미터의 제 3 레벨은 타겟 SAR을 0.8W/Kg 기준으로 설정하는 값일 수 있다.According to one embodiment, the third level of the first parameter of transmission power may be a value that sets the target SAR based on 0.8W/Kg.

일 실시예에 따르면, 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 3 레벨로 설정하기 위하여, 통신 프로세서(220)는 송신 전력을 제 2 파라미터 값으로 유지하는 시간을 제 3 시간(예 : 100ms)로 설정할 수 있다.According to one embodiment, in order to set the first parameter of the transmission power to the third level, the communication processor 220 may set the time for maintaining the transmission power to the second parameter value to a third time (e.g., 100 ms). there is.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 지정된 주기마다 동작 610 내지 633를 반복하여 수행할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may repeatedly perform operations 610 to 633 at designated cycles.

도 6b는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가, 제 2 실시예에 따라 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어할 때의 송신 전력 그래프를 도시한 도면이다.FIG. 6B is a diagram illustrating a transmission power graph when the electronic device 200 according to various embodiments controls the RF module 230 based on the temperature of the electronic device 200 according to the second embodiment. .

TAS 제어에 있어서, 송신 전력과 관련된 파라미터가 적용될 수 있다. 예를 들어, 송신 전력과 관련된 파라미터는 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터를 포함할 수 있다.In TAS control, parameters related to transmission power may be applied. For example, parameters related to transmit power may include a first parameter, a second parameter, and/or a third parameter.

예를 들어, 송신 전력의 제 1 파라미터는 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값(Plimit)으로, 최대 시간 평균 출력 전력일 수 있다.For example, the first parameter of the transmission power is a threshold value (Plimit) of the transmission power to satisfy the target SAR for a specified period, and may be the maximum time average output power.

예를 들어, 송신 전력의 제 2 파라미터는 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값일 수 있다.For example, the second parameter of transmission power may be a value that outputs a specified power in order to lower the average transmission power when the transmission power exceeds a specified value.

예를 들어, 송신 전력의 제 3 파라미터는 RF 모듈(230)의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력(Pmax)일 수 있다.For example, the third parameter of transmission power may be the maximum power (Pmax) that the transmitter of the RF module 230 can produce.

예를 들어, 타겟 SAR은 TAS를 만족하기 위한 기준 SAR일 수 있다.For example, the target SAR may be a reference SAR for satisfying TAS.

예를 들어, 평균 SAR은 지정된 기간 동안의 평균 SAR 일 수 있다.For example, the average SAR may be the average SAR over a specified period of time.

전자 장치(200)는, 지정된 기간 동안 송신 전력의 평균 SAR이 타겟 SAR를 만족하기 위하여, 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.The electronic device 200 may control the RF module 230 based on the first parameter, the second parameter, and/or the third parameter so that the average SAR of the transmission power during the specified period satisfies the target SAR.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 동작 610에 따라 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 in operation 610.

다양한 실시예에 따르면, A 시점 이전에는 전자 장치(200)의 온도가 제 4 값 미만인 상태일 수 있다.According to various embodiments, before point A, the temperature of the electronic device 200 may be below the fourth value.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 전자 장치(200)의 온도가 제 4 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 621 - 아니오), 동작 631에 따라 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 1 레벨로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in response to the temperature of the electronic device 200 being less than the fourth value (e.g., operation 621 - No), the communication processor 220 sets the first parameter of the transmission power to the first value in operation 631. The RF module 230 can be controlled by setting the level.

다양한 실시예에 따르면, A 시점에는 전자 장치(200)의 온도가 제 4 값 이상 및 제 5 값 미만인 상태일 수 있다.According to various embodiments, at point A, the temperature of the electronic device 200 may be above the fourth value and below the fifth value.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 전자 장치(200)의 온도가 제 4 값 이상 및 제 5 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 622 - 아니오), 동작 632에 따라 송신 전력의 제 1 파라미터를 제 2 레벨로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 adjusts the transmission power according to operation 632 in response to the temperature of the electronic device 200 being above the fourth value and below the fifth value (e.g., operations 622 - No). 1 The RF module 230 can be controlled by setting the parameter to the second level.

이에 따라, 통신 모듈은 송신 전력의 평균 SAR을 낮출 수 있다.Accordingly, the communication module can lower the average SAR of transmission power.

도 7a는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가, 제 3 실시예에 따라 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어하는 방법을 도시한 흐름도이다.FIG. 7A is a flowchart illustrating a method by which the electronic device 200 according to various embodiments controls the RF module 230 based on the temperature of the electronic device 200 according to the third embodiment.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 710에서, 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 in operation 710.

일 실시예에 따르면, 온도 센서(260)는 전자 장치(200)의 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 온도 센서(260)는 온도를 전기적인 특성 값으로 변환하기 위한 구성으로, 서미스터(thermistor), 저항 온도 계(resistance thermometer), 열 전기 쌍(thermoelectric), 실리콘 트랜스듀서, 또는 CTR(critical temperature resistor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 온도 센서(260)는 이 밖의 다양한 온도 검출용 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the temperature sensor 260 may measure the temperature of the electronic device 200. For example, the temperature sensor 260 is a configuration for converting temperature into an electrical characteristic value, and may include a thermistor, a resistance thermometer, a thermoelectric pair, a silicon transducer, or a CTR ( It may include at least one of a critical temperature resistor. The temperature sensor 260 may include at least one of various other temperature detection elements.

일 실시예에 따르면, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 온도 센서(260)에 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 요청하고, 온도 센서(260)로부터 전자 장치(200)의 온도가 전기적인 특성 값으로 변환된 정보를 획득할 수 있다. According to one embodiment, the application processor 210 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260. For example, the application processor 210 requests information related to the temperature of the electronic device 200 from the temperature sensor 260, and converts the temperature of the electronic device 200 into electrical characteristic values from the temperature sensor 260. information can be obtained.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 어플리케이션 프로세서(210)로부터 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 프로세서(210)는 통신 프로세서(220)의 요청에 응답하여 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 전달할 수 있다.According to one embodiment, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 from the application processor 210. For example, the application processor 210 may transmit information related to the temperature of the electronic device 200 in response to a request from the communication processor 220.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 710에서, 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 이상인지 여부를 확인할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may check whether the temperature of the electronic device 200 is above a specified value in operation 710.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 731에서, 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 720 - 아니오), 송신 전력의 최대값을 제 3 파라미터 값으로 설정할 수 있다. According to various embodiments, in operation 731, in response to the temperature of the electronic device 200 being less than a specified value (e.g., operation 720 - No), the communication processor 220 sets the maximum value of the transmission power to the third parameter. It can be set to a value.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는, 동작 732에서, 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여(예 : 동작 720 - 예), 송신 전력의 최대값을 제 1 파라미터 값으로 설정할 수 있다. According to various embodiments, in operation 732, the communication processor 220 sets the maximum value of the transmission power to the first parameter value in response to the temperature of the electronic device 200 being greater than or equal to a specified value (e.g., operation 720 - Yes). It can be set to .

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 지정된 주기마다 동작 710 내지 732를 반복하여 수행할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may repeatedly perform operations 710 to 732 at designated cycles.

도 7b는, 다양한 실시예에 따른 전자 장치(200)가, 제 3 실시예에 따라 전자 장치(200)의 온도에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어할 때의 송신 전력 그래프를 도시한 도면이다.FIG. 7B is a diagram illustrating a transmission power graph when the electronic device 200 according to various embodiments controls the RF module 230 based on the temperature of the electronic device 200 according to the third embodiment. .

TAS 제어에 있어서, 송신 전력과 관련된 파라미터가 적용될 수 있다. 예를 들어, 송신 전력과 관련된 파라미터는 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터를 포함할 수 있다.In TAS control, parameters related to transmission power may be applied. For example, parameters related to transmit power may include a first parameter, a second parameter, and/or a third parameter.

예를 들어, 송신 전력의 제 1 파라미터는 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값(Plimit)으로, 최대 시간 평균 출력 전력일 수 있다.For example, the first parameter of the transmission power is a threshold value (Plimit) of the transmission power to satisfy the target SAR for a specified period, and may be the maximum time average output power.

예를 들어, 송신 전력의 제 2 파라미터는 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값일 수 있다.For example, the second parameter of transmission power may be a value that outputs a specified power in order to lower the average transmission power when the transmission power exceeds a specified value.

예를 들어, 송신 전력의 제 3 파라미터는 RF 모듈(230)의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력(Pmax)일 수 있다.For example, the third parameter of transmission power may be the maximum power (Pmax) that the transmitter of the RF module 230 can produce.

예를 들어, 타겟 SAR은 TAS를 만족하기 위한 기준 SAR일 수 있다.For example, the target SAR may be a reference SAR for satisfying TAS.

예를 들어, 평균 SAR은 지정된 기간 동안의 평균 SAR 일 수 있다.For example, the average SAR may be the average SAR over a specified period of time.

전자 장치(200)는, 지정된 기간 동안 송신 전력의 평균 SAR이 타겟 SAR를 만족하기 위하여, 제 1 파라미터, 제 2 파라미터 및/또는 제 3 파라미터에 기반하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.The electronic device 200 may control the RF module 230 based on the first parameter, the second parameter, and/or the third parameter so that the average SAR of the transmission power during the specified period satisfies the target SAR.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 동작 710에 따라 전자 장치(200)의 온도와 관련된 정보를 획득할 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 220 may obtain information related to the temperature of the electronic device 200 according to operation 710.

다양한 실시예에 따르면, A 시점 이전에는 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 미만인 상태일 수 있다.According to various embodiments, before point A, the temperature of the electronic device 200 may be below a specified value.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여(예 : 동작 720 - 아니오), 동작 731에 따라 송신 전력의 최대값을 제 3 파라미터 값으로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in response to the temperature of the electronic device 200 being less than a specified value (e.g., operation 720 - No), the communication processor 220 sets the maximum value of the transmission power to the third parameter value according to operation 731. You can control the RF module 230 by setting it to .

다양한 실시예에 따르면, A 시점에는 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 이상인 상태일 수 있다.According to various embodiments, at point A, the temperature of the electronic device 200 may be above a specified value.

다양한 실시예에 따르면, 통신 프로세서(220)는 전자 장치(200)의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여(예 : 동작 720 - 아니오), 동작 732에 따라 송신 전력의 최대값을 제 1 파라미터 값으로 설정하여 RF 모듈(230)을 제어할 수 있다.According to various embodiments, in response to the fact that the temperature of the electronic device 200 is above a specified value (e.g., operation 720 - No), the communication processor 220 sets the maximum value of the transmission power as the first parameter value according to operation 732. You can control the RF module 230 by setting it.

이에 따라, 통신 모듈은 송신 전력의 평균 SAR 값을 타겟 이하로 유지할 수 있다.Accordingly, the communication module can maintain the average SAR value of the transmission power below the target.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 온도 센서, 어플리케이션 프로세서, 통신 프로세서, RF 모듈,을 포함하고, 통신 프로세서는 어플리케이션 프로세서로부터 온도 센서가 측정한 전자 장치의 온도와 관련된 정보를 획득하고, 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈의 송신 전력과 관련된 파라미터를 결정하고, 결정된 파라미터에 기반하여 RF 모듈을 제어할 수 있다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document include a temperature sensor, an application processor, a communication processor, and an RF module, and the communication processor obtains information related to the temperature of the electronic device measured by the temperature sensor from the application processor. , parameters related to the transmission power of the RF module can be determined based on the temperature of the electronic device, and the RF module can be controlled based on the determined parameters.

일 실시예에 따르면, 송신 전력과 관련된 파라미터는 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값인 제 1 파라미터를 포함하고, 통신 프로세서는 전자 장치의 온도에 기반하여 제 1 파라미터를 결정할 수 있다.According to one embodiment, the parameter related to transmit power includes a first parameter that is a threshold value of transmit power to satisfy the target SAR for a specified period of time, and the communications processor may determine the first parameter based on the temperature of the electronic device. there is.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서는 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 제 1 파라미터를 제 1 레벨로 결정하고, 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 제 1 파라미터를 제 2 레벨로 결정할 수 있다. 제 2 레벨은 제 1 레벨보다 낮은 값의 임계값을 의미할 수 있다.According to one embodiment, the communication processor determines the first parameter to the first level in response to the temperature of the electronic device being below a specified value, and sets the first parameter to the first level in response to the temperature of the electronic device being above the specified value. It can be decided at level 2. The second level may mean a threshold value lower than the first level.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서는 제 1 파라미터의 제 1 레벨에서, RF 모듈이 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하는 시간를 제 1 시간으로 결정하고, 제 1 파라미터의 제 2 레벨에서, RF 모듈이 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하는 시간를 제 2 시간으로 결정할 수 있다. 제 2 시간은 제 1 시간보다 길 수 있다.According to one embodiment, the communication processor determines, at a first level of the first parameter, the time at which the RF module outputs the specified power to lower the average transmit power as the first time, and at the second level of the first parameter, the RF The time at which the module outputs the specified power in order to lower the average transmission power may be determined as the second time. The second time may be longer than the first time.

일 실시예에 따르면, 송신 전력과 관련된 파라미터는 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값인 제 2 파라미터를 포함하고, 통신 프로세서는 전자 장치의 온도에 기반하여 제 2 파라미터를 결정 할 수 있다.According to one embodiment, the parameter related to transmission power includes a second parameter that is a value that outputs a specified power in order to lower the average transmission power when the transmission power exceeds a specified value, and the communication processor outputs a specified power based on the temperature of the electronic device. Thus, the second parameter can be determined.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서는 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 제 2 파라미터를 제 1 레벨로 결정하고, 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 제 2 파라미터를 제 2 레벨로 결정하고, 제 2 레벨은 제 1 레벨보다 낮은 값의 송신 전력을 의미할 수 있다.According to one embodiment, the communication processor determines the second parameter to a first level in response to the temperature of the electronic device being below a specified value, and sets the second parameter to a first level in response to the temperature of the electronic device being above the specified value. Two levels are determined, and the second level may mean a lower transmission power than the first level.

일 실시예에 따르면, 송신 전력과 관련된 파라미터는 RF 모듈의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력 값인 제 3 파라미터를 포함하고, 통신 프로세서는 전자 장치의 온도에 기반하여 제 3 파라미터를 결정 할 수 있다.According to one embodiment, the parameter related to transmission power includes a third parameter that is the maximum power value that the transmitter of the RF module can emit, and the communication processor may determine the third parameter based on the temperature of the electronic device.

일 실시예에 따르면, 통신 프로세서는 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 제 3 파라미터를 제 1 레벨로 결정하고, 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 제 3 파라미터를 제 2 레벨로 결정하고, 제 2 레벨은 제 1 레벨보다 낮은 값의 송신 전력을 의미할 수 있다.According to one embodiment, the communication processor determines the third parameter to a first level in response to the temperature of the electronic device being below a specified value, and sets the third parameter to a first level in response to the temperature of the electronic device being above the specified value. Two levels are determined, and the second level may mean a lower transmission power than the first level.

일 실시예에 따른 전자 장치의 동작 방법은 어플리케이션 프로세서로부터 온도 센서가 측정한 전자 장치의 온도와 관련된 정보를 획득하는 동작, 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈의 송신 전력과 관련된 파라미터를 결정하는 동작, 및 결정된 파라미터에 기반하여 RF 모듈을 제어하는 동작을 포함할 수 있다.A method of operating an electronic device according to an embodiment includes obtaining information related to the temperature of the electronic device measured by a temperature sensor from an application processor, and determining a parameter related to the transmission power of the RF module based on the temperature of the electronic device. , and may include an operation of controlling the RF module based on the determined parameters.

Claims (16)

전자 장치에 있어서,
온도 센서;
어플리케이션 프로세서;
통신 프로세서;
RF 모듈;을 포함하고,
상기 통신 프로세서는
상기 어플리케이션 프로세서로부터 상기 온도 센서가 측정한 상기 전자 장치의 온도와 관련된 정보를 획득하고,
상기 전자 장치의 온도에 기반하여 상기 RF 모듈의 송신 전력과 관련된 파라미터를 결정하고,
상기 결정된 파라미터에 기반하여 상기 RF 모듈을 제어하는
전자 장치.
In electronic devices,
temperature Senser;
application processor;
communications processor;
Includes an RF module;
The communication processor is
Obtain information related to the temperature of the electronic device measured by the temperature sensor from the application processor,
determine parameters related to the transmit power of the RF module based on the temperature of the electronic device;
Controlling the RF module based on the determined parameters
Electronic devices.
제 1 항에 있어서,
상기 송신 전력과 관련된 파라미터는 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값인 제 1 파라미터를 포함하고,
상기 통신 프로세서는
상기 전자 장치의 온도에 기반하여 상기 제 1 파라미터를 결정하는
전자 장치.
According to claim 1,
The parameters related to the transmit power include a first parameter that is a threshold value of the transmit power to satisfy the target SAR for a specified period of time,
The communication processor is
Determining the first parameter based on the temperature of the electronic device
Electronic devices.
제 2 항에 있어서,
상기 통신 프로세서는
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 상기 제 1 파라미터를 제 1 레벨로 결정하고,
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 상기 제 1 파라미터를 제 2 레벨로 결정하고,
상기 제 2 레벨은 상기 제 1 레벨보다 낮은 값의 임계값인
전자 장치.
According to claim 2,
The communication processor is
In response to the temperature of the electronic device being below a specified value, determining the first parameter to be at a first level,
In response to the temperature of the electronic device being above a specified value, determining the first parameter to be a second level,
The second level is a threshold value lower than the first level.
Electronic devices.
제 3 항에 있어서,
상기 통신 프로세서는
상기 제 1 파라미터의 제 1 레벨에서, 상기 RF 모듈이 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하는 시간를 제 1 시간으로 결정하고,
상기 제 1 파라미터의 제 2 레벨에서, 상기 RF 모듈이 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하는 시간를 제 2 시간으로 결정하고,
상기 제 2 시간은 상기 제 1 시간보다 긴
전자 장치.
According to claim 3,
The communication processor is
At the first level of the first parameter, the time at which the RF module outputs the specified power to lower the average transmission power is determined as the first time,
At the second level of the first parameter, determine the time at which the RF module outputs a specified power to lower the average transmission power as a second time,
The second time is longer than the first time
Electronic devices.
제 1 항에 있어서,
상기 송신 전력과 관련된 파라미터는 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값인 제 2 파라미터를 포함하고,
상기 통신 프로세서는
상기 전자 장치의 온도에 기반하여 상기 제 2 파라미터를 결정하는
전자 장치.
According to claim 1,
The parameter related to the transmission power includes a second parameter that is a value for outputting a specified power in order to lower the average transmission power when the transmission power exceeds a specified value,
The communication processor is
Determining the second parameter based on the temperature of the electronic device
Electronic devices.
제 5 항에 있어서,
상기 통신 프로세서는
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 상기 제 2 파라미터를 제 1 레벨로 결정하고,
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 상기 제 2 파라미터를 제 2 레벨로 결정하고,
상기 제 2 레벨은 상기 제 1 레벨보다 낮은 값의 송신 전력인
전자 장치.
According to claim 5,
The communication processor is
In response to the temperature of the electronic device being below a specified value, determining the second parameter to be at a first level,
In response to the temperature of the electronic device being above a specified value, determining the second parameter to be a second level,
The second level is a lower transmit power than the first level.
Electronic devices.
제 1 항에 있어서,
상기 송신 전력과 관련된 파라미터는 상기 RF 모듈의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력 값인 제 3 파라미터를 포함하고,
상기 통신 프로세서는
상기 전자 장치의 온도에 기반하여 상기 제 3 파라미터를 결정하는
전자 장치.
According to claim 1,
The parameter related to the transmission power includes a third parameter that is the maximum power value that the transmitter of the RF module can emit,
The communication processor is
Determining the third parameter based on the temperature of the electronic device
Electronic devices.
제 7 항에 있어서,
상기 통신 프로세서는
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 상기 제 3 파라미터를 제 1 레벨로 결정하고,
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 상기 제 3 파라미터를 제 2 레벨로 결정하고,
상기 제 2 레벨은 상기 제 1 레벨보다 낮은 값의 송신 전력인
전자 장치.
According to claim 7,
The communication processor is
In response to the temperature of the electronic device being below a specified value, determining the third parameter to be at a first level,
In response to the temperature of the electronic device being above a specified value, determining the third parameter to be a second level,
The second level is a lower transmit power than the first level.
Electronic devices.
전자 장치의 동작 방법에 있어서,
어플리케이션 프로세서로부터 온도 센서가 측정한 상기 전자 장치의 온도와 관련된 정보를 획득하는 동작;
상기 전자 장치의 온도에 기반하여 RF 모듈의 송신 전력과 관련된 파라미터를 결정하는 동작; 및
상기 결정된 파라미터에 기반하여 상기 RF 모듈을 제어하는 동작;을 포함하는
전자 장치의 동작 방법.
In a method of operating an electronic device,
Obtaining information related to the temperature of the electronic device measured by a temperature sensor from an application processor;
determining a parameter related to transmission power of an RF module based on the temperature of the electronic device; and
An operation of controlling the RF module based on the determined parameters; including
How electronic devices work.
제 9 항에 있어서,
상기 송신 전력과 관련된 파라미터는 지정된 기간 동안 타겟 SAR을 만족하기 위한 송신 전력의 임계값인 제 1 파라미터를 포함하고,
상기 전자 장치의 온도에 기반하여 상기 제 1 파라미터를 결정하는 동작;을 포함하는
전자 장치의 동작 방법.
According to clause 9,
The parameters related to the transmit power include a first parameter that is a threshold value of the transmit power to satisfy the target SAR for a specified period of time,
An operation of determining the first parameter based on the temperature of the electronic device; comprising
How electronic devices work.
제 10 항에 있어서,
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 상기 제 1 파라미터를 제 1 레벨로 결정하는 동작; 및
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 상기 제 1 파라미터를 제 2 레벨로 결정하는 동작;을 포함하고,
상기 제 2 레벨은 상기 제 1 레벨보다 낮은 값의 임계값인
전자 장치의 동작 방법.
According to claim 10,
In response to the temperature of the electronic device being less than a specified value, determining the first parameter to be a first level; and
An operation of determining the first parameter to a second level in response to the temperature of the electronic device being greater than or equal to a specified value,
The second level is a threshold value lower than the first level.
How electronic devices work.
제 11 항에 있어서,
상기 제 1 파라미터의 제 1 레벨에서, 상기 RF 모듈이 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하는 시간를 제 1 시간으로 결정하는 동작; 및
상기 제 1 파라미터의 제 2 레벨에서, 상기 RF 모듈이 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하는 시간를 제 2 시간으로 결정하는 동작;을 포함하고,
상기 제 2 시간은 상기 제 1 시간보다 긴
전자 장치의 동작 방법.
According to claim 11,
At a first level of the first parameter, determining a time at which the RF module outputs a specified power to lower the average transmission power as a first time; and
At a second level of the first parameter, determining a time at which the RF module outputs a specified power to lower the average transmission power as a second time, comprising:
The second time is longer than the first time
How electronic devices work.
제 9 항에 있어서,
상기 송신 전력과 관련된 파라미터는 송신 전력이 지정된 값을 초과하는 경우 평균 송신 전력을 낮추기 위하여 지정된 전력을 출력하도록 하는 값인 제 2 파라미터를 포함하고,
상기 전자 장치의 온도에 기반하여 상기 제 2 파라미터를 결정하는 동작;을 포함하는
전자 장치의 동작 방법.
According to clause 9,
The parameter related to the transmission power includes a second parameter that is a value for outputting a specified power in order to lower the average transmission power when the transmission power exceeds a specified value,
An operation of determining the second parameter based on the temperature of the electronic device; comprising
How electronic devices work.
제 13 항에 있어서,
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 상기 제 2 파라미터를 제 1 레벨로 결정하는 동작; 및
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 상기 제 2 파라미터를 제 2 레벨로 결정하는 동작;을 포함하고,
상기 제 2 레벨은 상기 제 1 레벨보다 낮은 값의 송신 전력인
전자 장치의 동작 방법.
According to claim 13,
In response to the temperature of the electronic device being below a specified value, determining the second parameter to be a first level; and
An operation of determining the second parameter to a second level in response to the temperature of the electronic device being greater than or equal to a specified value,
The second level is a lower transmit power than the first level.
How electronic devices work.
제 9 항에 있어서,
상기 송신 전력과 관련된 파라미터는 상기 RF 모듈의 송신기가 낼 수 있는 최대 전력 값인 제 3 파라미터를 포함하고,
상기 전자 장치의 온도에 기반하여 상기 제 3 파라미터를 결정하는 동작;을 포함하는
전자 장치의 동작 방법.
According to clause 9,
The parameter related to the transmission power includes a third parameter that is the maximum power value that the transmitter of the RF module can emit,
An operation of determining the third parameter based on the temperature of the electronic device.
How electronic devices work.
제 15 항에 있어서,
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 미만임에 대응하여, 상기 제 3 파라미터를 제 1 레벨로 결정하는 동작; 및
상기 전자 장치의 온도가 지정된 값 이상임에 대응하여, 상기 제 3 파라미터를 제 2 레벨로 결정하는 동작;을 포함하고,
상기 제 2 레벨은 상기 제 1 레벨보다 낮은 값의 송신 전력인
전자 장치의 동작 방법.
According to claim 15,
In response to the temperature of the electronic device being below a specified value, determining the third parameter to be a first level; and
An operation of determining the third parameter to a second level in response to the temperature of the electronic device being above a specified value,
The second level is a lower transmit power than the first level.
How electronic devices work.

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