KR20240070490A - 배기 장치, 처리 장치 및 배기 방법 - Google Patents

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가즈야 나가세키
가즈키 모야마
도시야 마츠다
나오카즈 후루야
다츠로 오시타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 처리실의 압력의 편향을 저감하는 것을 목적으로 한다.
해결 수단으로서, 진공 분위기의 처리 공간에서 피처리체에 처리를 실시하는 처리 용기의 배기 공간에 있어서, 피처리체보다 외주측에 동축적으로 배치되며, 적어도 한쪽은 회전 가능한 제 1 날개 부재와, 제 2 날개 부재를 갖는 배기 기구와, 상기 배기 공간에 연통하며, 상기 배기 기구의 하류측에서 상기 처리 용기 내의 배기를 실행하는 배기부를 갖는, 배기 장치가 제공된다.

Description

배기 장치, 처리 장치 및 배기 방법{EXHAUSTING APPARATUS, PROCESSING APPARATUS AND EXHAUSTING METHOD}
본 발명은, 배기 장치, 처리 장치 및 배기 방법에 관한 것이다.
반도체 제조에 있어서, 진공 분위기의 처리실에서 피처리체를 처리하는 처리 장치에서는, 처리실을 소정의 압력으로 제어하기 위해서 배기 장치가 마련된다. 사용되는 배기 장치에는, 여러 가지의 타입이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조).
일본 특허 공개 제 2000-183037 호 공보
처리실의 압력에 편향이 있으면, 피처리체의 처리가 불균일해지기 때문에, 배기 장치는, 처리실의 압력에 편향이 생기지 않는 위치에 장착되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 처리 장치의 측벽 또는 저부의 외주측에 마련된 배기구에 배기 장치를 장착하면, 횡방향이나 외주 방향으로 배기의 흡인이 실행된다. 이 때문에, 배기 공간의 압력에 편향이 생기고, 그 결과, 처리실에서도 압력의 편향이 생기는 경우가 있다.
그렇지만, 처리 장치 아래에는, 고주파 전원이나 급전봉 등을 배치하거나, 피처리체의 온조용(溫調用)의 냉각 가스용의 배관이나 냉매용의 배관 등을 설치하는 경우가 있다. 이 때문에, 이들 기기를 배치하는 공간이 필요하게 되어, 처리실의 압력에 편향이 생기기 어려운 처리 장치의 중앙 아래의 위치에 배기 장치를 배치하는 것이 어려울 수 있다.
상기 과제에 대하여, 일측면에서는, 본 발명은, 처리실의 압력의 편향을 저감하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 일 태양에 의하면, 진공 분위기의 처리 공간에서 피처리체에 처리를 실시하는 처리 용기의 배기 공간에 있어서, 피처리체보다 외주측에 동축적으로 배치되며, 적어도 한쪽은 회전 가능한 제 1 날개 부재와 제 2 날개 부재를 갖는 배기 기구와, 상기 배기 공간에 연통하며, 상기 배기 기구의 하류측에서 상기 처리 용기 내의 배기를 실행하는 배기부를 갖는, 배기 장치가 제공된다.
다른 태양에 의하면, 진공 분위기의 처리 공간에서 피처리체에 처리를 실시하는 처리 용기의 배기 공간에 있어서, 피처리체보다 외주측에 동축적으로 배치되며, 적어도 한쪽은 회전 가능한 제 1 날개 부재와 제 2 날개 부재를 갖는 배기 기구와, 상기 배기 공간에 연통하며, 상기 배기 기구의 하류측에서 상기 처리 용기 내의 배기를 실행하는 배기부를 갖는, 배기 장치를 구비하는 처리 장치를 구비하는 처리 장치가 제공된다.
다른 태양에 의하면, 진공 분위기의 처리 공간에서 피처리체에 처리를 실시하는 처리 용기의 배기 공간에 있어서, 피처리체보다 외주측에 동축적으로 배치된 제 1 날개 부재와 제 2 날개 부재 중 적어도 한쪽을 회전시키며, 상기 배기 공간에 연통하며, 상기 제 1 날개 부재와 상기 제 2 날개 부재의 하류측에 배치된 배기부에 의해 상기 처리 용기 내의 배기를 실행하고, 소정의 조건에 근거하여, 상기 회전시키는 상기 제 1 날개 부재와 제 2 날개 부재 중 적어도 한쪽의 단위 시간 당의 회전수를 변화시키는, 배기 방법이 제공된다.
다른 태양에 의하면, 진공 분위기의 처리 공간에서 피처리체에 처리를 실시하는 처리 용기에 있어서, 복수의 처리실로 격리하는 벽을 갖는 상기 처리 용기의 배기 공간에서, 상기 복수의 처리실 내에 탑재된 복수의 피처리체의 각각의 외주측에 동축적으로 배치된 제 1 날개 부재와 제 2 날개 부재의 조(組)의 각각에 대하여, 해당 제 1 날개 부재와 제 2 날개 부재 중 적어도 한쪽을 회전시키며, 상기 복수의 처리실의 압력을 측정하고, 상기 측정한 복수의 처리실의 압력에 따라서, 각 처리실의 상기 제 1 날개 부재와 제 2 날개 부재 중 적어도 한쪽의 회전을 각각 독립적으로 제어하는, 배기 방법이 제공된다.
하나의 측면에 의하면, 처리실의 압력의 편향을 저감할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 처리 장치의 일 예를 도시하는 도면.
도 2는 도 1의 A1-A1 단면 및 A2-A2 단면을 도시하는 도면이다.
도 3은 도 1의 B-B 단면을 도시하는 도면이다.
도 4는 일 실시형태의 변형예에 따른 처리 장치의 일 예를 도시하는 도면.
도 5는 일 실시형태에 따른 배기 처리의 일 예를 나타내는 흐름도.
도 6은 일 실시형태에 따른 반입 및 반출시의 웨이퍼의 반송의 일 예를 도시하는 도면.
도 7은 일 실시형태에 따른 반입 및 반출시의 웨이퍼의 반송의 일 예를 도시하는 도면.
도 8은 일 실시형태에 따른 반입 및 반출시의 웨이퍼의 반송의 일 예를 도시하는 도면.
도 9는 일 실시형태에 따른 반입 및 반출시의 웨이퍼의 반송의 일 예를 도시하는 도면.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복된 설명을 생략한다.
［처리 장치의 전체 구성］
우선, 본 발명의 일 실시형태에 따른 배치형의 처리 장치와, 비교예에 따른 배치형의 처리 장치를 비교하여 설명한다. 도 1의 (a)는 비교예에 따른 배치형의 처리 장치(9)의 일 예이며, 도 1의 (b)는 본 발명의 일 실시형태에 따른 배치형의 처리 장치(1)의 일 예이다.
비교예에 따른 배치형의 처리 장치(9)와 본 실시형태에 따른 배치형의 처리 장치(1)는, 복수의 반도체 웨이퍼(W)(이하, 「웨이퍼」라 함)를 동시에 처리 가능한 장치이다. 처리 장치(1) 및 처리 장치(9)는, 예를 들면 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 원통 형상의 처리 용기(10)를 갖고 있다. 처리 용기(10)는, 접지되어 있다.
처리 용기(10)는, 원통 형상의 벽(29)에 의해 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 공간을 복수의 처리실로 격리한다. 본 예에서는, 4개의 원통 형상의 벽(29)에 의해 처리실(101, 102) 외에 2개의 처리실이 마련되며, 4매의 웨이퍼(W)가 동시에 처리 가능하다. 단, 처리실의 수는, 4개에 한정되지 않는다. 또한, 설명의 편의 상, 이하에서는, 2개의 처리실(101, 102)의 구성에 대하여 설명하며, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)에 존재하는 나머지 2개의 처리실의 구성에 대한 설명은 하지 않지만, 처리실(101, 102)과 동일 구조 및 동일 기능을 갖는 것으로 한다.
도 1의 (a)의 비교예에 따른 처리 장치(9)와 도 1의 (b)의 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)의 차이점에 대하여 설명한다. 첫번째 차이점은, 도 1의 (b)의 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대(12, 13)보다 하측의 배기 공간(17, 18)에 배기 기구(3)를 갖는 것에 반하여, 도 1의 (a)의 비교예에 따른 처리 장치(9)는, 배기 공간(17, 18)에 배기 기구를 갖지 않는 것이다. 배기 기구(3)는, 처리실(101)에 동익(30)과 정익(31)의 조를 갖고, 처리실(102)에 동익(32)과 정익(33)의 조를 갖는다.
두번째의 차이점은, 비교예에 따른 처리 장치(9)에는, 배기 공간(17, 18)과 처리 공간(처리실(101, 102))을 구획하는 배플판(21, 22)를 갖는 것에 반하여, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)에는 배플판을 갖지 않는 점이다. 단, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)는, 배플판을 가져도 좋다.
그 이외의 구성은 동일하며, 간단하게 설명하면, 탑재대(12, 13)에는, 웨이퍼(W)가 각각 탑재되어 있다. 처리 용기(10)의 천정부의 탑재대(12, 13)와 대향하는 위치에는, 처리 가스를 처리 용기(10) 내에 도입하기 위한 가스 샤워 헤드(23, 24)가 마련되어 있다. 가스 샤워 헤드(23, 24)에는, 가스 공급부(16)로부터 처리 가스가 도입된다. 처리 가스는, 가스 샤워 헤드(23, 24)의 하면에 마련된 다수의 가스 토출 구멍(23a, 24a)으로부터 처리실(101, 102) 내에 샤워 형상으로 도입된다.
탑재대(12, 13)에는, 급전봉(26, 27)이 접속되고, 추가로 매칭 회로를 거쳐서 고주파 전원(14, 15)이 접속된다. 고주파 전원(14, 15)으로부터 탑재대(12, 13)에 고주파 전력을 공급하는 것에 의해, 처리실(101, 102) 내에 처리 가스의 플라즈마가 생성되고, 이 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 등의 처리가 실시된다. 또한, 고주파 전원(14, 15)은, 소정의 고주파 전력을 하부 전극으로서 기능하는 탑재대(12, 13)에 인가하여도 좋고, 상부 전극으로서 기능하는 가스 샤워 헤드(23, 24)에 인가하여도 좋다.
처리 용기(10)의 측벽에는, 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반입 출구(28)가 마련되어 있다. 또한, 복수의 처리실을 격리하는 벽(29)에는, 웨이퍼(W)의 반입 출구(35)가 마련되어 있다. 탑재대(12, 13)의 하방은, 처리 용기(10)가 통 형상으로 처리실(101, 102)측으로 돌출되며, 탑재대(12, 13)의 외주와 연결된다. 이에 의해, 탑재대(12, 13)의 하방에는 대기 공간이 형성되어, 급전봉(26, 27)이나 고주파 전원(14, 15)을 배치하거나, 피처리체의 온조용의 냉각 가스의 배관이나 냉매용의 배관을 배치할 수 있다.
처리실(101, 102)의 하방의 배기 공간(17, 18)은, 웨이퍼(W)보다 외주측에서 둘레 방향으로 환상으로 형성되어 있다. 배기 공간(17, 18)은, 처리실(101, 102)을 격리하는 벽(29)의 하방에서 연통되며, 배기구를 거쳐서 APC(Adaptive Pressure Control)(19) 및 터보 분자 펌프(20)에 의해 배기된다. APC(19)는, 조정 밸브의 제어에 의해 압력의 제어가 가능한 컨트롤러이다. 터보 분자 펌프(20)는, 예를 들면, 드라이 펌프에 의해 러프 펌핑(rough pumping)된 후, 처리 용기(10) 내를 진공 흡인한다. APC(19) 및 터보 분자 펌프(20)는, 배기 기구(3)의 하류 측에 배치된 배기부의 일 예이다. 배기부는, APC(19)를 갖고 있지 않아도 좋다.
터보 분자 펌프(20)는 복수의 처리실(101, 102)에 대하여 공용이기 때문에, 중앙측의 배기 공간(17, 18)측으로 편향되어 배기를 흡인한다. 이에 의해, 터보 분자 펌프(20)측에 가스의 흐름이 편향되어 간다. 그렇게 하면, 도 1의 (a)의 비교예에 따른 처리 장치(9)의 경우, 지면의 내측에 나타내는 터보 분자 펌프(20)측의 배기 공간(17, 18)의 압력은, 지면의 외측에 나타내는 반대측의 배기 공간(17, 18)의 압력보다 낮아져 버린다. 그 결과, 처리실(101, 102)에 대해서도, 배기 공간의 압력 분포와 동일한 압력 분포가 생긴다. 이에 의해, 도 1의 (a)의 비교예에 따른 처리 장치(9)에서는, 처리실(101, 102) 내의 압력 분포의 불균일에 의해, 에칭 레이트 등에 둘레 방향에 있어서의 편차가 생겨 웨이퍼(W)에 균일한 처리를 실행하는 것이 곤란하게 된다.
그래서, 도 1의 (b)의 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)에서는, 처리 용기(10) 내의 압력 분포의 균일성을 향상시켜, 에칭 레이트 등의 둘레 방향에 있어서의 편차를 없애고, 웨이퍼(W)에 균일한 처리를 실행하기 위해서 배기 기구(3)가 마련되어 있다. 즉, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)의 배기를 실행하는 배기 장치는, 배기 기구(3)와, 배기 기구(3)의 하류측에 마련된 APC(19)와, 터보 분자 펌프(20)를 갖는다. 단, 본 실시형태에 따른 배기 장치는, APC(19)를 갖고 있지 않아도 좋다.
배기 기구(3)는, 동익(30)과 정익(31) 및 동익(32)과 정익(33)이 각각 조가 되며, 동익과 정익이 교대가 되어 다단으로 배치되어 있다. 동익(30, 32)은, 탑재대(12, 13)(에 탑재된 웨이퍼(W))의 중심축에 대하여 회전 가능하다. 정익(31, 33)은, 처리 용기(10)의 벽(29)에 고정되어 있다. 동익(30)과 정익(31), 및 동익(32) 및 정익(33)은, 웨이퍼(W)보다 외주측에 동축적으로 배치되며, 적어도 한쪽은 회전 가능한 제 1 날개 부재와 제 2 날개 부재의 일 예이다. 또한, 배기 기구(3)는, 하나의 식의 유닛으로서 분리, 및 탑재가 가능한 구조로 하여도 좋다.
이에 의하면, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)에서는, 동익(30, 32)을 회전시키지 않는 경우, 동익(30, 32) 및 정익(31, 33)이 배기 공간(17, 18)에 존재하기 때문에, 가스가 동익(30, 32) 및 정익(31, 33) 사이의 좁은 공간을 지나 배기된다. 이 때문에, 가스는 흐르기 어려워진다. 이에 의해, 배기 공간(17, 18)의 압력이 균일해진다. 그 결과, 처리 공간측에서도 압력의 균일성이 도모된다.
단, 동익(30, 32)을 회전시키지 않으면 가스의 배기 효율이 나빠진다. 따라서, 동익(30, 32)을 회전시켜, 배기 공간(17, 18)에서 가스의 흐름을 만드는 것이 바람직하다. 이에 의해, 배기 기구(3)보다 상류의 압력이 균일하게 되고, 그 결과, 처리 공간에 있어서의 압력의 균일성을 담보하면서, 터보 분자 펌프(20)에 의해 복수의 처리실을 동시에 진공 흡인할 수 있다. 이에 의해, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)에서는, 처리 용기(10) 내의 압력 분포의 균일성을 향상시켜, 에칭 레이트 등의 처리의 균일성을 도모할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)는, 동시에 처리 가능한 웨이퍼(W)의 매수와 동일한 개수의 동익 및 정익의 조를 갖는다. 예를 들면, 처리실이 4개인 경우, 처리 장치(1)는 4조의 동익 및 정익의 조를 갖는다. 4개의 동익의 회전수는, 독립적으로 제어 가능하다. 각 동익의 독립 제어는, 제어부(50)에 의해 실행된다. 또한, 처리 용기(10)에 마련되며, 터보 분자 펌프(20)에 연결되는 배기구는, 1개라도 좋고, 복수라도 좋다.
제어부(50)는, 처리 장치(1)의 전체의 동작을 제어한다. 제어부(50)는, CPU(Central Processing Unit)와, ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 메모리를 갖고 있다. CPU는, 메모리에 격납된 레시피에 따라서, 웨이퍼(W)에 에칭 등의 소정의 처리를 실행한다. 레시피에는 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보인 프로세스 시간, 압력(가스의 배기), 고주파 전력이나 전압, 각종 가스 유량, 처리 용기 내 온도(상부 전극 온도, 처리 용기의 측벽 온도, 웨이퍼(W)온도, 정전 척 온도 등), 냉매의 설정 온도 등이 설정되어 있다. 또한, 이들 프로그램이나 프로세스 조건을 나타내는 레시피는, 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되어도 좋다. 또한, 레시피는, CD-ROM, DVD 등의 가반성의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태에서 소정 위치에 세트되고, 판독되도록 하여도 좋다.
또한, 메모리에는 처리실의 수에 따른 개수의 동익의 독립 제어를 실행하기 위한 소정의 조건에 관한 정보가 기억되어 있다. 소정의 조건으로서는, 웨이퍼(W)를 처리할 때에 사용하는 레시피로 설정된 각 처리실의 압력 조건이나 가스의 유량 등의 프로세스 조건, 가스의 급기의 타이밍 및 가스의 배기의 타이밍 중 적어도 어느 하나라도 좋다. 제어부(50)는, 터보 분자 펌프(20)를 제어하는 것에 의해 처리 용기(10) 내의 배기를 제어하면서, 상기 소정의 조건에 근거하여 각 동익을 회전시키는 단위 시간 당의 회전수를 변화시켜도 좋다.
제어부(50)는, 복수의 처리실의 각각에 장착한 압력 센서로부터 각 처리실의 압력을 취득하고, 취득한 각 처리실의 압력에 따라서 구동부(51)를 제어하여 각 동익을 회전시키는 로터의 단위 시간 당의 회전수를 변화시켜도 좋다. 예를 들면, 제어부(50)는, 측정한 복수의 처리실의 압력의 차압에 따라서, 구동부(51)를 제어하여 각 처리실의 동익의 회전시키는 로터를 독립적으로 제어하여도 좋다.
(동익 및 정익의 배치와 동작)
동익 및 정익의 배치와 동작에 대해, 도 2 및 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 2의 (a)는, 도 1의 A1-A1 단면을 도시하는 도면이다. 도 2의 (b)는, 도 1의 A2-A2 단면을 도시하는 도면이다. 도 3은, 도 1의 B-B 단면을 도시하는 도면이다.
우선, 도 2를 참조하면, 도 2의 (a) 및 (b)는, 처리실(101)의 단면이다. 처리실(102)의 단면에 대해서도 동일 구조를 갖기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다. 처리실(101)에서는, 중심축(O)은, 웨이퍼(W), 탑재대(12) 및 처리실(101)의 통 형상의 벽에 있어서의 공통의 축이다. 동익(30)과 정익(31)은, 중심축(O)에 대하여 동축적으로 배치되어 있다.
동익(30) 및 정익(31)은, 알루미늄으로 형성되어도 좋고, 알루미늄의 표면을 알루마이트(양극 산화) 처리하여도 좋다. 동익(30) 및 정익(31)은, 알루미늄의 표면을 니켈 등의 도금으로 코팅하여도 좋다.
동익(30)은, 웨이퍼(W)(및 탑재대(12))보다 하측에 있으며 웨이퍼(W)의 외주에 격리되어 마련된 제 1 기재(30b)와, 제 1 기재(30b)에 외향으로 균등한 간격으로 장착된 다수의 제 1 블레이드(30a)를 갖는다. 제 1 기재(30b)는, 웨이퍼(W) 및 탑재대(12)의 면적보다 큰 공간을 갖는 링 형상 부재이다.
정익(31)은, 제 2 기재(31b)와, 제 2 기재(31b)에 내향으로 균등한 간격으로 장착된 다수의 제 2 블레이드(31a)를 갖는다. 제 2 기재(31b)는, 동익(30)의 면적보다 큰 공간을 갖는 링 형상 부재이다.
제 1 기재(30b)는, 웨이퍼(W)측에 배치되며, 중심축(O)에 대하여 회전 가능하게 되어 있다. 제 2 기재(31b)는 처리 용기(10)의 벽에 고정되며, 회전하지 않는 구성으로 되어 있다.
제 1 블레이드(30a)와 제 2 블레이드(31a)는, 비스듬하게 아래로 경사진 면을 갖고, 웨이퍼(W)의 중심축(O)을 중심으로 하여 둘레 방향으로 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 제 1 블레이드(30a)는, 기체 분자가 통과하기 쉬운 각도로 경사져 외향으로 배치되어 있다.
본 실시형태에서는, 제 2 블레이드(31a)는, 기체 분자가 역행하기 어려운 각도로 경사져 내향으로 배치되어 있다.
제 1 블레이드(30a)와 제 2 블레이드(31a)는, 다단으로 마련되며, 교대로 배치된다. 도 3은, 2단의 제 1 블레이드(30a)와 제 2 블레이드(31a)를 도시한다. 지면의 상측이 배기 기구(3)의 전단측(고진공측), 지면의 하측이 후단측이다. 본 실시형태에서는, 동익(30)은 회전하며, 정익(31)은 고정되어 있다. 동익(30)의 회전 방향이 지면의 오른쪽으로부터 왼쪽을 향하는 경우, 회전 방향과 제 1 블레이드(30a) 및 제 2 블레이드(31a)의 경사의 관계는 도 3에 도시하는 바와 같이 된다. 고진공측으로부터 비래한 기체 분자(가스)는, 동익(30)에 입사하고 나서 멀어질 때에, 여러 방향으로 비산하려고 한다. 그러나, 제 1 블레이드(30a) 및 제 2 블레이드(31a)의 경사와 제 1 블레이드(30a)의 회전에 의해, 기체 분자는, 배기 기구(3)의 후단 방향을 향하며, 동시에 정익(31)을 통과하기 쉬운 방향으로 향하게 된다. 또한, 후단측으로부터 정익(31)을 통과하여, 역행해 온 기체 분자는, 동익(30)에 충돌하는 것에 의해 재차 후단 방향을 향하게 된다. 제 1 블레이드(30a) 및 제 2 블레이드(31a)의 경사는, 전단측에서는 기체 분자가 통과하기 쉬운 각도, 후단측에서는 기체 분자가 역행하기 어려운 각도를 갖고 있다.
구동부(51)의 구동에 의해 제 1 기재(30b)가 회전하여, 다수의 제 1 블레이드(30a)가 회전하면, 제 1 블레이드(30a)는, 정지되어 있는 제 2 블레이드(31a)와 협동하여, 배기를 분자 영역에서 하방으로 흡인할 수 있다. 이상과 같이 구성된 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)에 있어서는, 에칭 등의 처리의 개시 전 및 처리 중에 있어서, 제 1 기재(30b)가 회전하는 동시에, 터보 분자 펌프(20)가 구동되어 처리 용기(10) 내가 진공 흡인되고, 고진공 상태로 유지된다.
이러한 구성의 배기 기구(3)와 터보 분자 펌프(20)는, 진공 분위기에서 피처리체에 처리를 실시하는 처리 용기 내를 배기하는 배기 장치의 일 예이다. 이러한 배기 장치에 의하면, 터보 분자 펌프(20)에 의해 복수의 처리실을 동시에 진공 흡인하면서, 배기 공간(17, 18)의 압력이 균일하게 되며, 이에 의해, 처리실(101, 102)의 처리 공간에 있어서의 압력의 균일성을 향상시켜, 처리의 균일성을 도모할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 배기 기구(3)는, 동익(30)을 정익(31)의 내측에 배치하는 구성으로 했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 동익(30)과 정익(31)의 배치를 바꿔, 동익(30)을 정익(31)의 외측에 배치하여도 좋다. 단, 동익(30)을 움직이는 에너지를 고려하면, 동익(30)을 정익(31)의 내측에 배치하는 편이 바람직하다. 또한, 배기 기구(3)는, 동익(30)과 정익(31)을 배치하는 대신에 2개의 동익(30)을 마련하여도 좋다. 이 경우, 2개의 동익(30)의 회전 방향은 반대 방향으로 제어한다. 이에 의해, 각 동익(30)의 회전 스피드를 반으로 하여도 동익(30)과 정익(31)의 조합의 경우와 동일한 배기 효과를 얻을 수 있다.
［변형예］
다음에, 배기 장치의 변형예에 대해 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는, 본 실시형태의 변형예 1 내지 3에 따른 배기 장치를 탑재한 처리 장치(1)의 일 예를 도시하는 도면이다. 도 4의 (a)는, 본 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 장치를 탑재한 처리 장치(1)를 도시하는 도면이다. 변형예 1에 따른 처리 장치(1)에서는, 배기 장치는, 배기 기구(3)와 APC(19)와 터보 분자 펌프(20)에 부가하여, 배기 기구(3)의 상류측에 배플판(21, 22)을 갖는다. 배플판(21, 22)은, 처리실(101, 102)마다 탑재대(12, 13)을 둘러싸도록 각각 마련된다. 배플판(21, 22)은, 배기 기구(3)의 상방에서, 웨이퍼(W)를 처리하는 처리 공간(처리실(101, 102))과 배기 공간(17, 18)으로 처리 용기(10) 내를 구획한다. 배플판(21, 22)에는 복수의 관통 구멍이 형성되어 있다.
배플판(21, 22)은, 알루미늄에 의해 형성되어도 좋다. 알루미늄판(21, 22)은, 알루미늄에 할로겐에 대한 내식성을 갖는 코팅을 하여도 좋다. 예를 들면, 알루미늄의 표면을 알루마이트(양극 산화) 처리하여도 좋고, 알루미늄에 Y2O3나 Al2O3 등을 용사하여도 좋다.
이에 의하면, 배플판(21, 22)이, 처리실(101, 102)에서 사용된 가스를 정류 하고 배기 공간(17, 18)으로 통과시킨다. 변형예 1의 경우에서도, 배기 기구(3)가 터보 분자 펌프(20)와 협동하여 동작한다. 이에 의해, 배기 공간(17, 18)의 압력의 균일성을 더욱 높여, 처리실(101, 102)의 처리 공간에 있어서의 압력의 균일성을 향상시키고, 에칭 레이트 등의 처리의 균일성을 도모할 수 있다. 또한, 배플판(21, 22)이 처리실(101, 102) 내에 생성되는 플라즈마를 차단하는 것에 의해, 배기 기구(3)가 직접 플라즈마에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
도 4의 (b)는, 본 실시형태의 변형예 2에 따른 배기 장치를 탑재한 처리 장치(1)를 도시하는 도면이다. 변형예 2에 따른 처리 장치(1)에서는, 배기 장치는, 배기 기구(3)와 터보 분자 펌프(20)에 부가하여, 배플판(21)을 갖는다. 변형예 2에 따른 처리 장치(1)에서는, 처리실은 1개이다. 이 경우에도 터보 분자 펌프(20)의 배치에 따라서는, 배기 공간(17)에 압력의 편향이 생겨, 처리실(101)의 압력 분포의 균일성이 나빠지는 경우가 있다.
따라서, 본 실시형태의 변형예 2에 따른 처리 장치(1)에서는, 처리실(101)이 1개인 경우라도, 배기 기구(3)가 터보 분자 펌프(20)와 협동하여 동작한다. 이에 의해, 배기 공간(17)의 압력의 균일성을 높여, 처리실(101)의 처리 공간에 있어서의 압력의 균일성을 향상시키고, 처리의 균일성을 도모할 수 있다.
도 4의 (c)는, 본 실시형태의 변형예 3에 따른 배기 장치를 탑재한 처리 장치(1)를 도시하는 도면이다. 변형예 3에 따른 처리 장치(1)에서는, 배기 장치는, 배기 기구(3)와 터보 분자 펌프(20)에 부가하여, 배기 기구(3)의 상류측에 복수의 배플판(21a, 21b)이, 상하 방향에 소정의 간격으로 평행하게 마련된다. 복수의 배플판(21a, 21b) 중 적어도 어느 한쪽은, 상하로의 이동 또는 회전이 가능하다. 복수의 배플판(21a, 21b)에는, 각각 복수의 관통 구멍이 마련되어 있다. 변형예 3에 따른 배기 장치에서는, 2매의 배플판(20a, 20b)을 이용한 압력 제어가 가능하게 되기 때문에, APC(19)는 마련되어 있지 않다.
예를 들면, 복수의 배플판(21a, 21b)의 각각의 관통 구멍의 위치를 어긋나게 하여 배치한다. 복수의 배플판(21a, 21b) 중 적어도 어느 한쪽이 상하동하여, 복수의 배플판(21a, 21b)이 가까워지면, 각 배플판의 관통 구멍 사이의 거리가 짧아져, 가스의 흐름을 억제시킬 수 있다.
또한, 복수의 배플판(21a, 21b) 중 적어도 어느 한쪽이 회전하여, 복수의 배플판(21a, 21b)의 관통 구멍 사이의 거리가 변화하는 것에 의해, 가스의 흐름을 변경할 수 있다.
본 실시형태의 변형예 3에 따른 처리 장치(1)에서는, 복수의 배플판(21a, 21b)에 마련된 관통 구멍의 개폐를 제어하는 것에 의해, 처리 공간 및 배기 공간의 압력을 제어할 수 있다. 따라서, 변형예 3에 의하면, 배기 기구(3)가 터보 분자 펌프(20) 및 복수의 배플판(21a, 21b)과 협동하여 동작한다. 이에 의해, 배기 공간(17)의 압력의 균일성을 더욱 높여, 처리실(101)의 처리 공간에 있어서의 압력의 균일성을 향상시키고, 처리의 균일성을 도모할 수 있다.
［배기 처리］
다음에, 본 실시형태에 따른 배기 장치를 탑재한 처리 장치(1)에서 실행되는 배기 방법의 일 예에 대하여 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5는, 일 실시형태에 따른 배기 처리의 일 예를 나타내는 흐름도이다. 본 처리는 제어부(50)에 의해 제어된다.
본 처리가 개시되면, 제어부(50)는, 각 처리실에 마련된 압력 센서를 이용하여 각 처리실의 압력의 정보를 취득한다(단계(S10)). 다음에, 제어부(50)는, 설정 압력과 취득한 압력의 정보를 비교하여, 설정 압력보다 높은 압력의 처리실이 있는지를 판정한다(단계 S12).
제어부(50)는, 설정 압력보다 높은 압력의 처리실이 없다고 판정한 경우, 단계(S16)로 진행된다. 한편, 제어부(50)는, 설정 압력보다 높은 압력의 처리실이 있다고 판정한 경우, 설정 압력과 해당 처리실의 압력의 차압에 따라서 동익(30)의 회전수를 제어하여, 해당 처리실의 동익(30)의 회전을 느리게 한다(단계(S14)).
다음에, 제어부(50)는, 설정 압력보다 낮은 압력의 처리실이 있는지를 판정한다(단계(S16)). 제어부(50)는, 설정 압력보다 낮은 압력의 처리실이 없다고 판정한 경우, 본 처리를 종료한다. 한편, 제어부(50)는, 설정 압력보다 낮은 압력의 처리실이 있다고 판정한 경우, 설정 압력과 해당 처리실의 압력의 차압에 따라서 동익(30)의 회전수를 제어하여, 해당 처리실의 동익(30)의 회전을 빠르게 하고(단계 S18), 본 처리를 종료한다.
가스 공급부(16)는 4개의 처리실에 소정 유량의 가스를 각기 공급한다. 한편, 가스의 배기는 1개의 터보 분자 펌프(20)에 의해 실행된다. 따라서, 가스 공급부(16) 및 터보 분자 펌프(20)에 의한 배기의 성능의 개체차에 의해, 각 처리실의 압력은 상이한 경우가 생길 수 있다. 이에 반하여, 본 실시형태에 따른 배기 방법에 의하면, 각 처리실에 마련된 배기 기구(3)의 동익의 회전 속도를 각각 독립적으로 제어할 수 있다. 이에 의해, 처리 장치(1)의 배기 성능의 개체차를 캔슬할 수 있다.
예를 들면, 어느 처리실 내의 가스를 배기하여 압력을 낮출 때에는, 그 처리실의 동익의 회전 속도를 높인다. 이에 의해, 단위 시간당 배기할 수 있는 가스의 분자수가, APC(19)를 완전 개방으로 하는 제어시에 단위 시간당 배기할 수 있는 가스의 분자수보다 많아진다. 이에 의해, APC(19)만의 제어시보다 빠르게 해당 처리실의 압력을 낮출 수 있다.
또한, 예를 들면, 어느 처리실 내의 가스를 공급하여 압력을 높일 때에는, 그 처리실의 동익의 회전 속도를 낮춘다. 이에 의해, 단위 시간 당 배기할 수 있는 가스의 분자 수가, APC(19)를 완전 폐쇄로 하는 제어시에 단위 시간 당 배기할 수 있는 가스의 분자 수보다 적어지게 된다. 이에 의해, APC(19)만의 제어시보다 빠르게 해당 처리실의 압력을 높일 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 배기 방법은, 각 처리실에 센서를 설치하고, 제어부(50)는, 센서로부터 각 처리실의 압력을 정기적 또는 부정기적으로 취득하고, 취득한 각 처리실의 압력에 근거하여, 상기 배기 처리를 실행하는 리얼 타임 처리가 바람직하다.
또한, 본 실시형태에 따른 배기 방법은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 설정 압력과 센서로부터 얻은 각 처리실의 압력의 차분에 따라서 각 처리실의 동익의 회전수를 제어하는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 실시형태에 따른 배기 방법은, 센서로부터 출력한 각 처리실의 압력의 차분에 따라서 각 처리실의 동익의 회전수를 제어하여도 좋다. 이에 의해서도, 가스의 배기나 급기를 고속화시키거나, 저속화시킬 수 있어서, 처리 장치(1)의 배기 성능의 개체차를 캔슬할 수 있다.
또한, 소정의 조건에 근거하여, 각 처리실의 동익의 회전수를 제어하여도 좋다. 소정의 조건에는, 센서로부터 취득한 각 처리실의 압력의 정보에 한정되지 않으며, 가스 유량 등의 프로세스 조건, 가스의 급기 및 배기의 타이밍 중 적어도 어느 하나라도 좋다.
예를 들면, 웨이퍼(W)의 에칭 처리가 멀티 단계인 프로세스에서는, 전후의 단계에서 상이한 가스를 사용하는 경우, 처리실 내의 가스의 전환이 필요하게 된다. 이 경우, 전단계에서 사용한 가스를 배기한 후, 후단계에서 사용하는 가스를 처리실 내에 공급한다. 이 때, 본 실시형태에서는, 전단계에서 사용한 가스를 배기하는 동안, 각 처리실의 동익의 회전수를 높여, 각 처리실의 압력을 낮춘다. 그리고, 후 단계의 프로세스 중에는, 각 처리실의 동익의 회전수를, 전단계에서 가스를 배기할 때의 회전수보다 낮은 회전수로 제어한다. 이에 의해, 본 실시형태에 따른 배기 방법에 의하면, 각 처리실의 동익의 회전수의 제어에 의해, APC(19)의 제어만 실행하고 있었을 때보다 각 처리실의 압력을 효율적으로 제어할 수 있다.
또한, 본 실시형태 및 그 변형예(1, 2)에 따른 처리 장치(1)에 있어서 배기 방법을 실행할 때에는, 처리 장치(1)에 APC(19)를 갖고 있어도 좋고, 갖고 있지 않아도 좋다.
［반입 및 반출시의 웨이퍼의 반송］
다음에, 본 실시형태에 따른 배치형의 처리 장치(1)의, 반입 및 반출시의 웨이퍼(W)의 반송에 대하여, 도 6 내지 도 9를 참조하면서 설명한다. 도 6 내지 도 9는, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)의 반입 및 반출시의 웨이퍼의 반송의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 6 내지 도 9의 처리 장치(1)는, 도 1에 도시한 처리 장치(1)와 동일한 구성을 갖고 있다. 도 6 내지 도 9에서는, 가스 공급부, 가스 샤워 헤드, 급전봉, 고주파 전원, 터보 분자 펌프 등의 도시는 생략하고 있다. 또한, 도 6 내지 도 9의 처리 장치(1)에는, 웨이퍼(W)의 반입 출구(35)가, 복수의 처리실을 격리하는 벽(29)에 형성되어 있다. 처리실(101)에서는 반입 출구(28)에 의해 웨이퍼(W)의 반입 및 반출이 실행되며, 처리실(102)에서는 반입 출구(28)를 통하고, 추가로 반입 출구(35)를 거쳐서 웨이퍼(W)의 반입 및 반출이 실행된다.
또한, 도 6 내지 도 9에서는, 적어도 복수의 처리실(101, 102)의 반입 출구(28, 35)에 대응한 위치의, 처리 용기(10)의 벽면에 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)가 마련되어 있다. 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)는, 처리 용기(10)의 통 형상의 벽(29)을 보호한다. 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)에는, 도시하지 않는 전자석 등을 이용한 승강 기구가 접속되어 있다. 이에 의해, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)는, 웨이퍼(W)의 반입 및 반출시에 위 또는 아래로 이동 가능하게 되며, 반입 출구(28, 35)를 개폐할 수 있다.
구체적으로는, 도 6의 (a)에 도시하는 웨이퍼(W)의 반입 및 반출시에는, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)는, 반입 출구(28, 35)보다 아래로 이동하여, 반입 출구(28, 35)를 개방한다. 도 6의 (b)에 도시하는 웨이퍼(W) 처리시(프로세스 중)에는, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)는, 반입 출구(28, 35)의 위치까지 위로 이동하여, 반입 출구(28, 35)를 폐쇄한다.
이러한 구성에 의해, 본 실시형태에 따른 처리 장치(1)에 의하면, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)에 의해 반입 출구(28, 35)를 개폐하여, 셔터를 없애는 것에 의해 셔터에 기인하는 각 처리실에 있어서의 처리의 편향을 없앨 수 있다. 또한, 셔터를 없애는 것에 의해, 셔터 자체와 셔터를 구동시키기 위한 액추에이터나 그 이외의 부품을 없앨 수 있어서, 부품 점수를 삭감할 수 있다.
실드 부재(40) 및 실드 부재(41)에 의해 반입 출구(28, 35)를 차단하는 것에 의해, 반입 출구(28, 35)를 완전하게 시일하지 않아도, 본 실시형태에 따른 복수의 처리실(101, 102)를 갖는 처리 용기 내의 횡 방향의 컨덕턴스를 낮게 할 수 있다. 특히, 본 실시형태에서는, 배기 공간에 동익(30, 32)과 정익(31, 33)을 갖고 있기 때문에, 처리 용기(10) 내의 압력을 제어할 수 있다. 이에 의해, 반입 출구(28, 35)를 완전하게 시일하지 않아도 처리 용기(10) 내의 압력 분포의 균일성을 도모할 수 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)를 처리 용기(10)의 천정부로부터 돌출하도록 상하로 이동시켜, 반입 출구(28, 35)의 개폐를 실행하여도 좋다. 또한, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)를 회전시켜, 반입 출구(28, 35)의 개폐를 실행하여도 좋다. 이 경우, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)에는, 베어링 등의 도시하지 않는 회전 기구가 접속되어 있다. 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)를 회전시키는 경우, 예를 들면, 도 7의 (a)에 도시하는 웨이퍼(W)의 반입 및 반출시에는, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)는, 처리 용기(10)의 천정부의 위치까지 회전하여, 반입 출구(28, 35)를 개방한다. 도 7의 (b)에 도시하는 웨이퍼(W) 처리시에는, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)는, 반입 출구(28, 35)의 위치까지 이동하여, 반입 출구(28, 35)를 폐쇄한다.
도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)와 배플판(21, 22)을 함께 상하로 이동 또는 회전하여, 반입 출구(28, 35)를 개폐하여도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)와 배플판(21, 22)을 함께 상하동 또는 회전시키는 것에 의해, 더욱 부품 점수를 삭감할 수 있다. 또한, 셔터에 기인하는 각 처리실에 있어서의 처리의 편향을 없앨 수 있다.
또한, 도 6 내지 도 9에 도시하는 바와 같이, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)를 구동시키면, 처리 공간과 배기 공간을 직접 연결하는 공간을 형성할 수 있다. 이에 의해, 배기하기 쉽게하여, 가스의 배기 시간을 단축할 수 있다.
또한, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)에 배플판을 대신하는 수평 방향의 부분을 마련하고, 수평 방향의 부분 또는 수직 방향의 부분 중 적어도 어느 하나의 적정 위치에 구멍을 뚫어도 좋다. 이 경우, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)를, 처리 용기(10)의 측벽으로부터 보다 내측에서 구멍을 뚫은 부분과 함께 구동시키는 것에 의해, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)에 배플판(21, 22)의 역할을 겸용시킬 수 있다. 이에 의해, 더욱 부품 점수의 삭감이 가능하게 된다. 또한, 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)의 이동에 의해, 프로세스 중의 처리 공간의 용적이 삭감되도록 실드 부재(40) 및 실드 부재(41)의 형상을 작성하는 것에 의해, 프로세스 처리에 필요한 용력(고주파 전력, 히터 전력 등)을 삭감하여, 러닝코스트를 삭감할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)를 반입출하는 경우에는, 탑재대(12, 13)가 반입 출구(28)의 위치까지 승강하고, 리프트 핀을 이용하여 웨이퍼(W)를 파지하고, 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고 받아, 반입 출구(28)로부터 반입 및 반출하여도 좋다.
이상, 처리 장치 및 배기 방법을 상기 실시형태에 의해 설명했지만, 본 발명에 따른 처리 장치 및 배기 방법은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, Capacitively Coupled Plasma(CCP), Inductively Coupled Plasma(ICP), Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR), Helicon Wave Plasma(HWP) 등의 타입에도 적용 가능하다.
1 : 처리 장치 3 : 배기 기구
10 : 처리 용기 12, 13 : 탑재대
14, 15 : 고주파 전원 16 : 가스 공급부
17, 18 : 배기 공간 19 : APC
20 : 터보 분자 펌프 21, 22 : 배플판
23, 24 : 가스 샤워 헤드 26, 27 : 급전봉
28 : 반입 출구 29 : 벽
30, 32 : 동익 30a : 제 1 블레이드
30b : 제 1 기재 31, 33 : 정익
31a : 제 2 블레이드 31b : 제 2 기재
40, 41 : 실드 부재 50 : 제어부
101, 102 : 처리실

Claims (15)

  1. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    복수의 플라즈마 처리실로서, 상기 복수의 플라즈마 처리실의 각각이 탑재대를 갖는, 상기 복수의 플라즈마 처리실과,
    상기 복수의 플라즈마 처리실의 각각의 상기 탑재대 주위에 배치된 복수의 동익 및 복수의 정익과,
    상기 복수의 동익의 회전 속도를 제어하도록 구성된 제어부와,
    상기 복수의 플라즈마 처리실 아래에 배치되는 배기 공간으로서, 상기 복수의 플라즈마 처리실의 각각에 연결되는, 상기 배기 공간
    을 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 복수의 플라즈마 처리실의 각각에 대해 독립적으로 상기 복수의 동익의 회전 속도를 제어하는
    플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 동익의 각각과 상기 복수의 정익의 각각은 경사지게 형성되고 상기 탑재대를 따라 교대로 배치되는
    플라즈마 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 동익의 각각과 상기 복수의 정익의 각각은 경사지게 형성되고 상기 탑재대를 따라 교대로 배치되는
    플라즈마 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 배기 공간에 연결된 배기 펌프를 더 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 배기 공간에 연결된 배기 펌프를 더 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 처리실 중 적어도 하나의 플라즈마 처리 공간으로부터 상기 배기 공간을 분리하도록 구성된 적어도 하나의 배플판을 더 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 처리실 중 적어도 하나의 플라즈마 처리 공간으로부터 상기 배기 공간을 분리하도록 구성된 적어도 하나의 배플판을 더 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 처리실 중 적어도 하나의 플라즈마 처리 공간으로부터 상기 배기 공간을 분리하도록 구성된 적어도 하나의 배플판을 더 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배플판은 상기 탑재대 주위를 상하로 이동하거나 회전하도록 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배플판은 상기 탑재대 주위를 상하로 이동하거나 회전하도록 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배플판은 상기 탑재대 주위를 상하로 이동하거나 회전하도록 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
  13. 플라즈마 처리 장치로서,
    제1 플라즈마 처리실과,
    상기 제1 플라즈마 처리실에 인접한 제2 플라즈마 처리실과,
    상기 제1 플라즈마 처리실 내에 배치된 제1 탑재대와,
    상기 제2 플라즈마 처리실 내에 배치된 제2 탑재대와,
    상기 제1 탑재대 주위에 배치된 제1 가동 부재 및 제1 고정 부재로서, 상기 제1 가동 부재는 복수의 제1 동익을 갖고, 상기 제1 고정 부재는 복수의 제1 정익을 갖고, 상기 복수의 제1 동익 및 상기 복수의 제1 정익은 수직 방향을 따라 교대로 배치되고, 제1 배기 공간이 상기 제1 가동 부재 및 제1 고정 부재 아래에 형성되는, 상기 제1 가동 부재 및 제1 고정 부재와,
    상기 제2 탑재대 주위에 배치된 제2 가동 부재 및 제2 고정 부재로서, 상기 제2 가동 부재는 복수의 제2 동익을 갖고, 상기 제2 고정 부재는 복수의 제2 정익을 갖고, 상기 복수의 제2 동익 및 상기 복수의 제2 정익은 상기 수직 방향을 따라 교대로 배치되고, 제2 배기 공간이 상기 제2 가동 부재 및 제2 고정 부재 아래에 형성되는, 상기 제2 가동 부재 및 제2 고정 부재와,
    상기 제1 가동 부재와 상기 제2 가동 부재를 동시에 또는 개별적으로 회전시키도록 구성된 적어도 하나의 액추에이터와,
    상기 적어도 하나의 액추에이터를 제어하도록 구성된 제어부와,
    상기 제1 배기 공간 및 상기 제2 배기 공간에 연통하는 공용의 진공 펌프를 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 처리실의 플라즈마 처리 공간으로부터 상기 제1 배기 공간을 분리하도록 구성된 적어도 하나의 배플판을 더 포함하는
    플라즈마 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 배플판은 상기 탑재대 주위를 상하로 이동하거나 회전하도록 구성되는
    플라즈마 처리 장치.
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