JP2000183037A - 真空処理装置 - Google Patents
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空ポンプの占有床面積を低減することによ
り、装置全体の小型化を図ることができる真空処理装置
を提供すること。 【解決手段】 真空雰囲気で被処理体にエッチング処理
を施すエッチング処理装置２０は、搬入された半導体ウ
エハＷにエッチング処理を施すための処理容器２１と、
この処理容器２１のサセプタ２２の下方側に処理容器２
１と同軸的に配置され、処理容器２１内の排気を吸引し
て真空引きするための真空ポンプ３０とを具備する。
り、装置全体の小型化を図ることができる真空処理装置
を提供すること。 【解決手段】 真空雰囲気で被処理体にエッチング処理
を施すエッチング処理装置２０は、搬入された半導体ウ
エハＷにエッチング処理を施すための処理容器２１と、
この処理容器２１のサセプタ２２の下方側に処理容器２
１と同軸的に配置され、処理容器２１内の排気を吸引し
て真空引きするための真空ポンプ３０とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程等
において、半導体ウエハ等の被処理体を真空雰囲気で処
理する真空処理装置に関する。
において、半導体ウエハ等の被処理体を真空雰囲気で処
理する真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、真空引き可
能な処理容器内に半導体ウエハを搬入し、真空雰囲気
で、成膜処理、エッチング処理等を施している。このよ
うな真空処理においては、真空引きを行うための真空ポ
ンプとしてターボ分子ポンプが多用されている。
能な処理容器内に半導体ウエハを搬入し、真空雰囲気
で、成膜処理、エッチング処理等を施している。このよ
うな真空処理においては、真空引きを行うための真空ポ
ンプとしてターボ分子ポンプが多用されている。
【０００３】このようなターボ分子ポンプにより処理容
器内を真空引きする構造としては、図３および図４に示
すように、例えば、プラズマエッチングの処理装置１に
おいて、処理容器２内に、ウエハＷを載置するためのサ
セプタ３が設けられ、このサセプタ３の下側に、サセプ
タ３を昇降して駆動するための駆動機構４が配置されて
いる。また、処理容器２の上方には、ＣＦ４等の処理ガ
スを処理容器２内に導入するためのシャワーヘッド５が
設けられ、処理容器２の側方には、処理容器２内を排気
して真空引きするための例えば２つの排気管６が接続さ
れている。
器内を真空引きする構造としては、図３および図４に示
すように、例えば、プラズマエッチングの処理装置１に
おいて、処理容器２内に、ウエハＷを載置するためのサ
セプタ３が設けられ、このサセプタ３の下側に、サセプ
タ３を昇降して駆動するための駆動機構４が配置されて
いる。また、処理容器２の上方には、ＣＦ４等の処理ガ
スを処理容器２内に導入するためのシャワーヘッド５が
設けられ、処理容器２の側方には、処理容器２内を排気
して真空引きするための例えば２つの排気管６が接続さ
れている。
【０００４】この処理装置１の両側には、２つの排気管
６に接続されて一対のターボ分子ポンプ１０が配置され
ている。各ターボ分子ポンプ１０内には、その中心軸と
してモータステータ１１が設けられ、軸受１２を介し
て、モータロータ１３が回転自在に設けられている。こ
のモータロータ１３の上方には、気体を分子領域で下方
に吸引する多数のロータ１４が設けられ、ハウジング１
５側には、多数のステータ１６が設けられている。
６に接続されて一対のターボ分子ポンプ１０が配置され
ている。各ターボ分子ポンプ１０内には、その中心軸と
してモータステータ１１が設けられ、軸受１２を介し
て、モータロータ１３が回転自在に設けられている。こ
のモータロータ１３の上方には、気体を分子領域で下方
に吸引する多数のロータ１４が設けられ、ハウジング１
５側には、多数のステータ１６が設けられている。
【０００５】したがって、ターボ分子ポンプ１０のモー
タロータ１３が回転されると、多数のロータがステータ
１６に対して回転され、排気管６を介して、処理容器２
内の排気が分子領域で吸引され、処理容器２内が略真空
状態に維持される。
タロータ１３が回転されると、多数のロータがステータ
１６に対して回転され、排気管６を介して、処理容器２
内の排気が分子領域で吸引され、処理容器２内が略真空
状態に維持される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、処理容器２を真空引きするために、処理ユニッ
ト１の両側に一対のターボ分子ポンプ１０をそれぞれ設
ける場合には、これらターボ分子ポンプ１０の占有床面
積が大きいといった問題がある。今後さらなる半導体ウ
エハの大口径化が進むと、このような真空ポンプの占有
床面積がますます大きくなり、処理施設の大型化を招く
ことにもなることから、このような真空ポンプの占有床
面積を極力低減したいといという要望が大きくなってい
る。
ように、処理容器２を真空引きするために、処理ユニッ
ト１の両側に一対のターボ分子ポンプ１０をそれぞれ設
ける場合には、これらターボ分子ポンプ１０の占有床面
積が大きいといった問題がある。今後さらなる半導体ウ
エハの大口径化が進むと、このような真空ポンプの占有
床面積がますます大きくなり、処理施設の大型化を招く
ことにもなることから、このような真空ポンプの占有床
面積を極力低減したいといという要望が大きくなってい
る。
【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、真空ポンプの占有床面積を低減することによ
り、装置全体の小型化を図ることができる真空処理装置
を提供することを目的とする。
であり、真空ポンプの占有床面積を低減することによ
り、装置全体の小型化を図ることができる真空処理装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明によれば、真空雰囲気で基板に所定の処理を
施すための真空処理装置であって、搬入された被処理体
に所定の処理を施すための処理容器と、この処理容器の
下方側または上方側に処理容器と同軸的に配置され、処
理容器内の排気を吸引して真空引きするための真空ポン
プとを具備することを特徴とする真空処理装置が提供さ
れる。
め、本発明によれば、真空雰囲気で基板に所定の処理を
施すための真空処理装置であって、搬入された被処理体
に所定の処理を施すための処理容器と、この処理容器の
下方側または上方側に処理容器と同軸的に配置され、処
理容器内の排気を吸引して真空引きするための真空ポン
プとを具備することを特徴とする真空処理装置が提供さ
れる。
【０００９】このように、真空ポンプが処理容器の下方
側または上方側に処理容器と同軸的に配置すれば、処理
容器の側方に真空ポンプが存在していた場合に比較し、
真空ポンプの占有床面積を著しく低減することができ、
処理装置全体の小型化を図ることができる。そのため、
今後、被処理体の大口径化のにともない処理容器の大型
化を招来するような場合であっても、装置全体の占有床
面積が著しく増加することを防止することができる。
側または上方側に処理容器と同軸的に配置すれば、処理
容器の側方に真空ポンプが存在していた場合に比較し、
真空ポンプの占有床面積を著しく低減することができ、
処理装置全体の小型化を図ることができる。そのため、
今後、被処理体の大口径化のにともない処理容器の大型
化を招来するような場合であっても、装置全体の占有床
面積が著しく増加することを防止することができる。
【００１０】ここで、処理容器内に被処理体を載置する
ためのサセプタが設けられている場合に、真空ポンプを
このサセプタの下方側の部分にサセプタと同軸的に配置
することにより、占有面積を特に小さくすることができ
る。この場合に、真空ポンプをサセプタおよびその下方
の他の機構の周囲に筒状に配置することができ、占有床
面積を著しく小さくすることができる。サセプタの下方
にこのサセプタを昇降するための駆動機構が設けられて
いる場合に、その周囲に真空ポンプを設けるようにすれ
ば、大掛かりな駆動機構の周囲に真空ポンプが存在して
いることになり、占有床面積を小さくする効果が特に大
きい。
ためのサセプタが設けられている場合に、真空ポンプを
このサセプタの下方側の部分にサセプタと同軸的に配置
することにより、占有面積を特に小さくすることができ
る。この場合に、真空ポンプをサセプタおよびその下方
の他の機構の周囲に筒状に配置することができ、占有床
面積を著しく小さくすることができる。サセプタの下方
にこのサセプタを昇降するための駆動機構が設けられて
いる場合に、その周囲に真空ポンプを設けるようにすれ
ば、大掛かりな駆動機構の周囲に真空ポンプが存在して
いることになり、占有床面積を小さくする効果が特に大
きい。
【００１１】本発明の真空処理装置に適用する真空ポン
プとしては、ターボ分子ポンプを用いることができる。
具体的には、このような真空ポンプとしては、処理容器
に同軸的に配置された筒状の内ハウジングと、この筒状
の内ハウジングの外方に配置された筒状のモータステー
タと、この筒状のモータステータに対して回転自在に設
けられた多数のロータと、これらのロータの外方に設け
られた筒状の外ハウジングと、この筒状の外ハウジング
に固定され、多数のロータの間に延在された多数のステ
ータとを有するものを用いることができる。このよう
に、ロータのような回転部材を有するモータにおいて、
回転部材の回転軸を筒状にし、その中の空間部分に他の
機構を配置するという発想は従来なかったものである。
プとしては、ターボ分子ポンプを用いることができる。
具体的には、このような真空ポンプとしては、処理容器
に同軸的に配置された筒状の内ハウジングと、この筒状
の内ハウジングの外方に配置された筒状のモータステー
タと、この筒状のモータステータに対して回転自在に設
けられた多数のロータと、これらのロータの外方に設け
られた筒状の外ハウジングと、この筒状の外ハウジング
に固定され、多数のロータの間に延在された多数のステ
ータとを有するものを用いることができる。このよう
に、ロータのような回転部材を有するモータにおいて、
回転部材の回転軸を筒状にし、その中の空間部分に他の
機構を配置するという発想は従来なかったものである。
【００１２】本発明において、処理容器内に設けられ、
真空ポンプに連通する排気口は、処理容器の床面に環状
をなすように形成されていることが好ましい。この場合
に、処理容器の床面に複数の排気口を環状をなすように
形成することもできるし、環状の排気口を一つ形成する
こともできる。このように、排気口を床面に環状をなす
ように形成することにより、処理容器の側方から吸引す
る場合に比べて、処理容器内の排気を均一かつ迅速に行
うことができる。この場合に、前記環状に形成された排
気口は、基板を載置するためのサセプタの周囲に配置さ
れていることが好ましい。
真空ポンプに連通する排気口は、処理容器の床面に環状
をなすように形成されていることが好ましい。この場合
に、処理容器の床面に複数の排気口を環状をなすように
形成することもできるし、環状の排気口を一つ形成する
こともできる。このように、排気口を床面に環状をなす
ように形成することにより、処理容器の側方から吸引す
る場合に比べて、処理容器内の排気を均一かつ迅速に行
うことができる。この場合に、前記環状に形成された排
気口は、基板を載置するためのサセプタの周囲に配置さ
れていることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態に係る真空処理装置を図面を参照しつつ説明
する。図１は本発明の実施の形態に係るプラズマエッチ
ング処理装置の断面図であり、図２は図１のII−II線に
沿った断面図である。
実施の形態に係る真空処理装置を図面を参照しつつ説明
する。図１は本発明の実施の形態に係るプラズマエッチ
ング処理装置の断面図であり、図２は図１のII−II線に
沿った断面図である。
【００１４】図１に示すように、プラズマエッチング処
理装置２０の処理容器２１内には、半導体ウエハＷを載
置するためのサセプタ２２が設けられ、このサセプタ２
２の下側には、サセプタ２２を昇降するための駆動機構
２３が配置されている。また、このサセプタ２２内に
は、搬入されたウエハＷを受け取って昇降するための複
数のリフトピン２４が設けられている。さらに、この駆
動機構２３の周囲には、真空雰囲気の処理容器２１内と
大気雰囲気とを区画するために、ベローズ２５が設けら
れている。
理装置２０の処理容器２１内には、半導体ウエハＷを載
置するためのサセプタ２２が設けられ、このサセプタ２
２の下側には、サセプタ２２を昇降するための駆動機構
２３が配置されている。また、このサセプタ２２内に
は、搬入されたウエハＷを受け取って昇降するための複
数のリフトピン２４が設けられている。さらに、この駆
動機構２３の周囲には、真空雰囲気の処理容器２１内と
大気雰囲気とを区画するために、ベローズ２５が設けら
れている。
【００１５】処理容器２１の上部のサセプタ２２と対向
する位置には、ＣＦ４等の処理ガスを処理容器２１内に
導入するためのシャワーヘッド２６が設けられている。
シャワーヘッド２６は、ガス供給源（図示せず）からの
処理ガスを導入するための導入部２６ａと、下面に設け
られた多数のガス吐出孔２６ｂとを有する。
する位置には、ＣＦ４等の処理ガスを処理容器２１内に
導入するためのシャワーヘッド２６が設けられている。
シャワーヘッド２６は、ガス供給源（図示せず）からの
処理ガスを導入するための導入部２６ａと、下面に設け
られた多数のガス吐出孔２６ｂとを有する。
【００１６】シャワーヘッド２６には、マッチング回路
２８を介して高周波電源２９が接続されており、この高
周波電源２９からシャワーヘッド２６に高周波電力を供
給することにより、処理容器２１内に処理ガスのプラズ
マが生成し、このプラズマにより半導体ウエハＷに対し
てエッチング処理が施される。
２８を介して高周波電源２９が接続されており、この高
周波電源２９からシャワーヘッド２６に高周波電力を供
給することにより、処理容器２１内に処理ガスのプラズ
マが生成し、このプラズマにより半導体ウエハＷに対し
てエッチング処理が施される。
【００１７】処理容器２１の側方には、半導体ウエハＷ
を搬入出するためのゲートバルブ２７が設けられてい
る。半導体ウエハＷを搬入出する場合には、サセプター
２２がゲートバルブ２７に対応する位置まで下降され
る。
を搬入出するためのゲートバルブ２７が設けられてい
る。半導体ウエハＷを搬入出する場合には、サセプター
２２がゲートバルブ２７に対応する位置まで下降され
る。
【００１８】このプラズマエッチングの処理ユニット２
１の下方側は、処理容器２１内の排気を吸引して真空引
きするためのターボ分子ポンプ３０が処理容器２１およ
びサセプタ２２と同軸的に配置されている。このターボ
分子ポンプ３０は、図２にも示すように、その全体とし
て筒状に構成されており、処理容器２１の床面に形成さ
れ排気口３１を介して処理容器２１内に連通されてい
る。排気口３１は処理容器２２の床面に、サセプタ２２
と同軸の環状部分に沿って形成されている。この場合
に、排気口３１は環状部分に沿って複数形成してもよい
し、環状をなす一つの排気口であってもよい。
１の下方側は、処理容器２１内の排気を吸引して真空引
きするためのターボ分子ポンプ３０が処理容器２１およ
びサセプタ２２と同軸的に配置されている。このターボ
分子ポンプ３０は、図２にも示すように、その全体とし
て筒状に構成されており、処理容器２１の床面に形成さ
れ排気口３１を介して処理容器２１内に連通されてい
る。排気口３１は処理容器２２の床面に、サセプタ２２
と同軸の環状部分に沿って形成されている。この場合
に、排気口３１は環状部分に沿って複数形成してもよい
し、環状をなす一つの排気口であってもよい。
【００１９】全体的に筒状に構成されたターボ分子ポン
プ３０は、その径方向内方に、内ハウジング３２を有
し、この内ハウジング３２は、駆動機構２３を取り囲む
ように配置されている。また、ターボ分子ポンプ３０
は、その径方向外方に、外ハウジング３３を有してい
る。
プ３０は、その径方向内方に、内ハウジング３２を有
し、この内ハウジング３２は、駆動機構２３を取り囲む
ように配置されている。また、ターボ分子ポンプ３０
は、その径方向外方に、外ハウジング３３を有してい
る。
【００２０】さらに、内ハウジング３２の外方には、筒
状のモータステータ３４が取り付けられ、この筒状のモ
ータステータ３４に対して軸受３５を介して、モータロ
ータ３６が回転自在に設けられている。
状のモータステータ３４が取り付けられ、この筒状のモ
ータステータ３４に対して軸受３５を介して、モータロ
ータ３６が回転自在に設けられている。
【００２１】このモータロータ３６の上方には、気体を
分子領域で下方に吸引する多数のロータ３７が設けら
れ、外ハウジング３３側には、多数のロータ３７の間に
延在された多数のステータ３８が固定されている。
分子領域で下方に吸引する多数のロータ３７が設けら
れ、外ハウジング３３側には、多数のロータ３７の間に
延在された多数のステータ３８が固定されている。
【００２２】このロータ３７には、図２に示すように、
径方向外方に延びる多数のフィン３７ａが形成されてい
ると共に、図示しないが、ステータ３８にも、多数のフ
ィンが設けられている。したがって、ロータ３７が回転
され、多数のフィン３７ａが回転されると、多数のフィ
ン３７ａは、静止したステータ３８のフィンと協働し
て、排気を分子領域で下方に吸引することができる。
径方向外方に延びる多数のフィン３７ａが形成されてい
ると共に、図示しないが、ステータ３８にも、多数のフ
ィンが設けられている。したがって、ロータ３７が回転
され、多数のフィン３７ａが回転されると、多数のフィ
ン３７ａは、静止したステータ３８のフィンと協働し
て、排気を分子領域で下方に吸引することができる。
【００２３】以上のように構成されたエッチング処理装
置２０においては、プラズマエッチングの処理の開始前
に、ターボ分子ポンプ３０が駆動されて処理容器２２内
が真空引きされ、高真空状態に維持される。
置２０においては、プラズマエッチングの処理の開始前
に、ターボ分子ポンプ３０が駆動されて処理容器２２内
が真空引きされ、高真空状態に維持される。
【００２４】そして、シャワーヘッド２６を介して処理
容器２２内に処理ガスが供給されるとともに、高周波電
源２９からマッチング回路２８を介してシャワーヘッド
２６に高周波電力が供給され、これにより処理容器２２
内に処理ガスのプラズマが生成し、半導体ウエハＷがプ
ラズマによりエッチング処理される。
容器２２内に処理ガスが供給されるとともに、高周波電
源２９からマッチング回路２８を介してシャワーヘッド
２６に高周波電力が供給され、これにより処理容器２２
内に処理ガスのプラズマが生成し、半導体ウエハＷがプ
ラズマによりエッチング処理される。
【００２５】上記真空引きに際しては、ターボ分子ポン
プ３０のモータロータ３６が回転されると、ロータ３７
が回転され、多数のフィン３７ａが回転されて静止した
ステータ３８のフィンと協働し、排気口３１を介して、
処理容器２１内の排気が分子領域で吸引され、処理容器
２１内が略真空状態に維持される。
プ３０のモータロータ３６が回転されると、ロータ３７
が回転され、多数のフィン３７ａが回転されて静止した
ステータ３８のフィンと協働し、排気口３１を介して、
処理容器２１内の排気が分子領域で吸引され、処理容器
２１内が略真空状態に維持される。
【００２６】この場合に、ターボ分子ポンプ３０が処理
容器２１の下方側のサセプタ２２および駆動機構２３の
周囲部分に、処理容器２１と同軸的に配置されているた
め、ターボ分子ポンプ３０の占有床面積を著しく低減す
ることができ、エッチング処理装置２０全体の小型化を
図ることができる。
容器２１の下方側のサセプタ２２および駆動機構２３の
周囲部分に、処理容器２１と同軸的に配置されているた
め、ターボ分子ポンプ３０の占有床面積を著しく低減す
ることができ、エッチング処理装置２０全体の小型化を
図ることができる。
【００２７】また、ターボ分子ポンプ３０は、処理容器
２１の床面の排気口３１を介して処理容器２１内に連通
されており、排気口３１から排気されるが、排気口３１
が処理容器２１の床面におけるサセプタ２２の周囲の環
状部分に沿って形成されているため、処理容器２１の側
方から吸引する場合や床面の１箇所から吸引する場合に
比べて、処理容器２１内をまんべんなく排気することが
できるため、従来に比べて、排気の均一性を向上させる
ことができるとともに、排気口の面積が従来よりも広い
ため、排気効率を向上させることができる。
２１の床面の排気口３１を介して処理容器２１内に連通
されており、排気口３１から排気されるが、排気口３１
が処理容器２１の床面におけるサセプタ２２の周囲の環
状部分に沿って形成されているため、処理容器２１の側
方から吸引する場合や床面の１箇所から吸引する場合に
比べて、処理容器２１内をまんべんなく排気することが
できるため、従来に比べて、排気の均一性を向上させる
ことができるとともに、排気口の面積が従来よりも広い
ため、排気効率を向上させることができる。
【００２８】次に、図１および図２に示す本実施形態の
装置と図３および図４に示す従来の装置とで、排気の均
一性を比較したシミュレーション結果について説明す
る。図５は図１および図２に示す装置の排気の流線を示
し、図６は図１および図２に示す装置内部の圧力分布を
示す。また、図７は図３および図４に示す装置の排気の
流線を示し、図８は図３および図４に示す装置内部の圧
力分布を示す。図６および図８の中央部に同心的に描か
れている線は等圧線である。
装置と図３および図４に示す従来の装置とで、排気の均
一性を比較したシミュレーション結果について説明す
る。図５は図１および図２に示す装置の排気の流線を示
し、図６は図１および図２に示す装置内部の圧力分布を
示す。また、図７は図３および図４に示す装置の排気の
流線を示し、図８は図３および図４に示す装置内部の圧
力分布を示す。図６および図８の中央部に同心的に描か
れている線は等圧線である。
【００２９】図５と図７とを比較すると、図１および図
２に示す装置は図３および図４に示す従来の装置に比べ
て流線に乱れがないことがわかる。このことより、本実
施形態の装置が従来装置よりも排気の均一性が高いこと
が確認された。また、図６と図８とを比較すると、図１
および図２に示す装置では圧力が円形分布をしているの
に対し、図３および図４に示す従来の装置では四角状に
分布していることがわかる。本実施形態の装置は排気が
均一な結果、圧力が円形分布をしており、従来装置の四
角状の分布に比較して均一な圧力分布を得やすい。すな
わち、円形分布の場合には、サセプタを上下する等で均
一圧力分布が得られるが、円形分布からそれた場合に
は、ガスの流量を分布させる等、プロセス条件を調整す
る必要があり、任意のプロセス条件で均一な圧力分布を
得ることができない。
２に示す装置は図３および図４に示す従来の装置に比べ
て流線に乱れがないことがわかる。このことより、本実
施形態の装置が従来装置よりも排気の均一性が高いこと
が確認された。また、図６と図８とを比較すると、図１
および図２に示す装置では圧力が円形分布をしているの
に対し、図３および図４に示す従来の装置では四角状に
分布していることがわかる。本実施形態の装置は排気が
均一な結果、圧力が円形分布をしており、従来装置の四
角状の分布に比較して均一な圧力分布を得やすい。すな
わち、円形分布の場合には、サセプタを上下する等で均
一圧力分布が得られるが、円形分布からそれた場合に
は、ガスの流量を分布させる等、プロセス条件を調整す
る必要があり、任意のプロセス条件で均一な圧力分布を
得ることができない。
【００３０】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、ターボ分子ポンプ３０は、処理容器２１の下方側
に処理容器２１およびサセプタ２２と同軸的に配置され
た場合について示したが、これに限らず、処理容器２１
の上方側に、処理容器２１と同軸的に配置するようにし
てもよい。この場合には、処理容器２１の上方に設けら
れているマッチング回路等の機構の周囲にポンプ３０が
配置されるようにすれば、装置の小型化に対する効果が
大きい。
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、ターボ分子ポンプ３０は、処理容器２１の下方側
に処理容器２１およびサセプタ２２と同軸的に配置され
た場合について示したが、これに限らず、処理容器２１
の上方側に、処理容器２１と同軸的に配置するようにし
てもよい。この場合には、処理容器２１の上方に設けら
れているマッチング回路等の機構の周囲にポンプ３０が
配置されるようにすれば、装置の小型化に対する効果が
大きい。
【００３１】また、真空ポンプとして、ターボ分子ポン
プ３０を用いた場合について示したが、これに限らず、
例えば、拡散ポンプ、ドラッグポンプ、スパッタイオン
ポンプ、クライオポンプ、ソープションポンプ等の他の
ポンプが適用可能なことはいうまでもない。この場合
に、使用するポンプとしては構造的に軸対称となってい
るものが好ましい。
プ３０を用いた場合について示したが、これに限らず、
例えば、拡散ポンプ、ドラッグポンプ、スパッタイオン
ポンプ、クライオポンプ、ソープションポンプ等の他の
ポンプが適用可能なことはいうまでもない。この場合
に、使用するポンプとしては構造的に軸対称となってい
るものが好ましい。
【００３２】さらに、上記実施の形態では、エッチング
装置について示したが、これに限らず、成膜装置等の他
の真空処理装置に適用することも可能である。さらにま
た、被処理体として、半導体ウエハを用いた場合につい
て説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例
えばＬＣＤ基板であってもよいことはもちろんである。
装置について示したが、これに限らず、成膜装置等の他
の真空処理装置に適用することも可能である。さらにま
た、被処理体として、半導体ウエハを用いた場合につい
て説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例
えばＬＣＤ基板であってもよいことはもちろんである。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空ポンプが処理容器の下方側または上方側に処理容器
と同軸的に配置すれば、処理容器の側方に真空ポンプが
存在していた場合に比較し、真空ポンプの占有床面積を
著しく低減することができ、処理装置全体の小型化を図
ることができる。そのため、今後、被処理体の大口径化
のにともない処理容器の大型化を招来するような場合で
あっても、装置全体の占有床面積が著しく増加すること
を防止することができる。
真空ポンプが処理容器の下方側または上方側に処理容器
と同軸的に配置すれば、処理容器の側方に真空ポンプが
存在していた場合に比較し、真空ポンプの占有床面積を
著しく低減することができ、処理装置全体の小型化を図
ることができる。そのため、今後、被処理体の大口径化
のにともない処理容器の大型化を招来するような場合で
あっても、装置全体の占有床面積が著しく増加すること
を防止することができる。
【００３４】また、上記構造であれば、真空ポンプに連
通する排気口を、処理容器の床面に環状をなすように形
成することができ、これにより、処理容器の側方から吸
引する場合に比べて、処理容器内の排気を均一かつ迅速
に行うことができる。
通する排気口を、処理容器の床面に環状をなすように形
成することができ、これにより、処理容器の側方から吸
引する場合に比べて、処理容器内の排気を均一かつ迅速
に行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマエッチング
処理装置を示す断面図。
処理装置を示す断面図。
【図２】図１のII−II線に沿った断面図。
【図３】一対のターボ分子ポンプを有する従来のエッチ
ング処理装置を示す平面図。
ング処理装置を示す平面図。
【図４】一対のターボ分子ポンプを有する従来のエッチ
ング処理装置を示す断面図。
ング処理装置を示す断面図。
【図５】図１および図２に示す装置の排気をシミュレー
ションした際における排気の流線を示す図。
ションした際における排気の流線を示す図。
【図６】図１および図２に示す装置の排気をシミュレー
ションした際における処理容器内の圧力分布を示す図。
ションした際における処理容器内の圧力分布を示す図。
【図７】図３および図４に示す装置の排気をシミュレー
ションした際における排気の流線を示す図。
ションした際における排気の流線を示す図。
【図８】図３および図４に示す装置の排気をシミュレー
ションした際における処理容器内の圧力分布を示す図。
ションした際における処理容器内の圧力分布を示す図。
２０；エッチング処理装置 ２１；処理容器 ２２；サセプタ ２３；駆動機構 ２６； シャワーヘッド ３０；ターボ分子ポンプ（真空ポンプ） ３１；環状の排気口 ３２；内ハウジング ３３；外ハウジング ３４；モータステータ ３５；軸受 ３６；モータロータ ３７；ロータ ３７ａ；フィン ３８；ステータ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3H031 DA02 EA00 EA06 FA01 FA36 FA37 FA40 5F004 AA16 BA04 BB13 BB18 BC08 BD03 DA01 5F045 AA08 BB10 EF05 EF20 EG01 EG03 EH05 EH14 EM10
Claims (8)
- 【請求項１】 真空雰囲気で被処理体に所定の処理を施
すための真空処理装置であって、 搬入された被処理体に所定の処理を施すための処理容器
と、 この処理容器の下方側または上方側に処理容器と同軸的
に配置され、処理容器内の排気を吸引して真空引きする
ための真空ポンプとを具備することを特徴とする真空処
理装置。 - 【請求項２】 前記処理容器内には、被処理体を載置す
るためのサセプタが設けられ、前記真空ポンプは、この
サセプタの下方側の部分に処理容器と同軸的に配置され
ていることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装
置。 - 【請求項３】 前記真空ポンプは、その全体が筒状に構
成されていることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の真空処理装置。 - 【請求項４】 前記サセプタの下方には、このサセプタ
を昇降するための駆動機構が設けられ、前記真空ポンプ
は、この駆動機構の周囲に同軸的に配置されていること
を特徴とする請求項３に記載の真空処理装置。 - 【請求項５】 前記真空ポンプは、ターボ分子ポンプで
あることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれ
か１項に記載の真空処理装置。 - 【請求項６】 前記真空ポンプは、 前記処理容器に同軸的に配置された筒状の内ハウジング
と、 この筒状の内ハウジングの外方に配置された筒状のモー
タステータと、 この筒状のモータステータに対して回転自在に設けられ
た多数のロータと、 これらのロータの外方に設けられた筒状の外ハウジング
と、 この筒状の外ハウジングに固定され、多数のロータの間
に延在された多数のステータとを有してることを特徴と
する請求項５に記載の真空処理装置。 - 【請求項７】 前記処理容器内に設けられ、真空ポンプ
に連通する排気口は、処理容器の床面に環状をなすよう
に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求
項６のいずれか１項に記載の真空処理装置。 - 【請求項８】 前記環状をなすように形成された排気口
は、基板を載置するためのサセプタの周囲に配置されて
いることを特徴とする請求項７に記載の真空処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352648A JP2000183037A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | 真空処理装置 |
| US09/457,295 US6355109B2 (en) | 1998-12-11 | 1999-12-09 | Vacuum processing apparatus |
| US10/066,598 US6702899B2 (en) | 1998-12-11 | 2002-02-06 | Vacuum processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352648A JP2000183037A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183037A true JP2000183037A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18425492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10352648A Pending JP2000183037A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | 真空処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (2) | US6355109B2 (ja) |
| JP (1) | JP2000183037A (ja) |
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| JP2004063925A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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| JP2022009504A (ja) * | 2017-12-05 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2022075229A1 (ja) | 2020-10-09 | 2022-04-14 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプとこれを用いた真空排気システム |
| JP2023033356A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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| CN113764322B (zh) * | 2021-09-03 | 2024-05-31 | 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 | 承载装置、晶片转移装置、腔体装置、和晶片处理设备 |
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- 1998-12-11 JP JP10352648A patent/JP2000183037A/ja active Pending
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1999
- 1999-12-09 US US09/457,295 patent/US6355109B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-02-06 US US10/066,598 patent/US6702899B2/en not_active Expired - Fee Related
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