KR20230105239A - 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 이면 연삭(wafer back grinding 또는 wafer lapping 또는 wafer thinning) 공정에서 웨이퍼의 표면을 보호하기 위하여 사용되는 점착 필름을 제공할 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명은 범프(bump)가 형성된 웨이퍼 이면 연삭 공정에서, 균일한 점착력 및 우수한 웨이퍼 표면 보호 효과(완충 효과)를 가지면서, 이와 동시에 이면 연삭 후 점착 필름을 제거(박리)할 때에 점착제의 잔류물(residue)의 발생을 감소 또는 억제하여 우수한 가공성을 가진 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 제공할 수 있다.

Description

웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름{ADHESIVE FILM FOR WAFER BACK GRINDING}
본 발명은 웨이퍼의 이면 연삭(wafer back grinding 또는 wafer lapping 또는 wafer thinning) 공정에서 웨이퍼의 표면을 보호하기 위하여 사용되는 점착 필름에 관한 것이다.
보다 구체적으로, 본 발명은 범프(bump)가 형성된 웨이퍼 이면 연삭 공정에서, 균일한 점착력, 굴곡에 대한 우수한 매립성 및 우수한 웨이퍼 표면 보호 효과(완충 효과)를 가지면서, 이와 동시에 이면 연삭 후 점착 필름을 제거(박리)할 때에 점착제의 잔류물(residue)의 발생을 감소 또는 억제하여 우수한 가공성을 가진 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름에 관한 것이다.
최근 기술의 발달에 따라, 반도체 칩의 소형화, 고밀도화 및 박형화가 요구되며, 이에 따라, 웨이퍼에 대해서도 박형화가 요구된다. 웨이퍼 칩의 박형화를 위한 대표적인 방법은 웨이퍼의 이면을 연삭하여 두께를 감소시키는 것이며, 반도체 칩이 사용되는 전자 장치의 종류 또는 사양에 따라 연삭 공정을 진행하여 웨이퍼의 박형화를 달성할 수 있다.
반도체 칩의 웨이퍼의 이면 연삭은 물리적 충격이 가해지는 과정이기 때문에, 웨이퍼의 표면을 보호하기 위하여, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 부착한 상태에서 웨이퍼의 이면 연삭이 수행된다.
반도체 웨이퍼의 회로 형성면에는, 회로뿐만 아니라 범프(bump) 등의 비교적 큰 단차를 갖는 요철이 형성될 수 있다. 이러한 범프 구조 때문에, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 부착할 때에, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름과 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 요철과의 사이에 간극이 형성되면, 반도체 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭할 때 에 반도체 웨이퍼 면 내에 응력 분포가 생겨, 반도체 웨이퍼가 파손되기 쉽다는 문제점이 있다.
또한, 웨이퍼의 이면 연삭을 진행한 후에, 웨이퍼 표면으로부터 웨이퍼 이면 연삭 공정용 점착 필름을 제거하기 위해서는, 에너지선을 조사하여 점착력을 저하시켜 박리하게 된다. 이 때, 범프 구조로 인해 형성되는 간극에는 조사되는 에너지선이 충분히 도달되지 않아, 음영 영역이 존재하게 될 수 있다. 이와 같은 음영 영역에서는 에너지선의 경화가 불충분하여 점착 필름의 박리력이 낮아지게 되므로, 결과적으로는 웨이퍼 표면에 점착 필름에서 유래하는 점착제 잔류물이 쉽게 남게 되므로, 가공성을 저해하고, 결과적으로는 제조된 반도체 칩의 품질에 악영향을 미친다는 문제점도 존재한다.
본 발명은 웨이퍼, 특히 범프(bump) 구조를 가진 웨이퍼의 이면 연삭 공정시, 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있고, 웨이퍼 이면 연삭 공정 후에 제거될 때의 잔류물을 최소화 할 수 있는 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 관점에서, 본 발명의 일 양태에 따르면, 광산란 패턴이 형성된 강성 기재층; 상기 강성 기재층 위에 배치된 제1 점착층; 상기 제1 점착층 위에 배치된 제2 점착층; 및 상기 제2 점착층 위에 배치된 제3 점착층;을 포함하고, 상기 제2 점착층은 제2 (메트)아크릴레이트계 점착 수지 및 연화점이 30~70℃인 에폭시계 바인더 수지를 포함하는 제2 점착 조성물로 형성되는 것인, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 제공할 수있다.
상기 제2 점착 조성물 100 중량부를 기준으로, 상기 에폭시계 바인더 수지를 5~45 중량부 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름의 전투과율은 70% 이상이고, 확산 투과율은 6% 이상일 수 있다.
상기 제2 점착층의 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.1~10 MPa일 수 있다.
상기 제1 점착층은 제1 (메트)아크릴레이트계 점착 수지를 포함하는 제1 점착 조성물을 형성될 수 있고, 상기 제1 점착층의 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.01~1 MPa일 수 있다.
상기 제3 점착층은 제3 (메트)아크릴레이트계 점착 수지를 포함하는 제3 점착 조성물로 형성될 수 있고, 상기 제3 점착층의 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.01~1 MPa일 수 있다.
상기 강성 기재층은 23℃에서의 인장탄성률이 1,000 MPa 이상일 수 있다.
상기 강성 기재층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 재질의 기재층을 포함할 수 있다.
상기 강성 기재층의 전투과율은 80% 이상이고, 확산 투과율은 5~20%일 수 있다.
상기 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름은 하기 관계식 (1)을 만족할 수 있다.
[관계식 (1)] : T(S)×0.05 ≤ Tmax(P) ≤ T(S)×0.5
상기 관계식 (1)에서, T(S)는 상기 강성 기재층의 두께이고, Tmax(P)는 상기 광산란 패턴의 최대 높이이다.
상기 광산란 패턴은 ASTM D 3363에 의거하여 측정한 연필경도가 2H 이상인 재질로 형성되는 것일 수 있다.
상기 광산란 패턴은, 우레탄 (메트)아크릴레이트 올리고머; 다관능성 (메트)아크릴레이트 단량체; 및 광개시제를 포함하는 코팅 조성물을 광경화시켜 형성되는 것을 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름은 하기 관계식 (2) 및 (3)을 만족할 수 있다.
[관계식 (2)] : T(PSA_1) ≤ T(PSA_2) ≤ T(PSA_1) ×10
[관계식 (3)] : T(PSA_3) ≤ T(PSA_2) ≤ T(PSA_3) ×10
상기 관계식 (2) 및 (3)에서, T(PSA_1), T(PSA_2) 및 T(PSA_3)은 각각 상기 제1 점착층의 두께, 제2 점착층의 두께 및 제3 점착층의 두께를 의미한다.
상기 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름은 범프(bump)가 형성된 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 적용될 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 웨이퍼 이면 연삭 공정에 적용하면, 웨이퍼의 범프 구조로 인한 공극이 존재하더라도 응력 분포 불균형으로 인한 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있고, 이와 동시에 이면 연삭 공정 후에 점착 필름을 제거할 때, 점착제 잔류물의 발생을 현저히 감소 또는 억제할 수 있어, 웨이퍼 처리 공정성 및 제조되는 반도체 칩의 품질을 향상시킬 수 있다.
상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름의 단면도를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 양태에 따른 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름의 입체도면을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 양태에 따른 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름의 강성 기재층 상에 형성된 광산란 패턴의 확대 단면도를 도시한 것이다.
도 4는 웨이퍼 표면에 형성된 범프(bump) 구조의 단면의 일 예시를 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 일 양태에 따른 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 웨이퍼 이면 연삭 공정에 적용 및 이후 박리하는 과정의 흐름도를 간략히 도시한 것이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다.
본 명세서에서 기재되지 않은 내용 중 이 기술 분야의 통상의 기술자라면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것은 그 설명을 생략하기로 한다.
본 명세서에 있어서, "범프 구조, 굴곡, 광산란 패턴 등에 대한 매립성이 우수하다"는 것은 i) 반도체 웨이퍼에 점착 필름을 부착시킬 때 반도체 웨이퍼 상에 형성된 범프 구조 등으로 인해 존재하는 굴곡에 대하여 점착 필름이 들뜨거나 공극의 형성 없이 굴곡을 따라 우수하게 밀착되는 것, ii) 본 발명의 점착 필름의 각 점착층을 합지시킬 때, 강성 기재층에 형성된 광산란 패턴의 굴곡에 대하여 우수하게 밀착되는 것을 의미할 수 있다.
본 명세서 있어서, "상온"이란 특별한 온도 수치의 한정이 없는 한, 대략 23~25℃의 온도를 나타내는 것으로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서,"전 투과율(Total Transmittance; 'T.T로 약칭)(또는 전체 광 투과율, 전체 투과율)(%)”및 “확산 투과율(Diffuse Transmittance; 'D.T'로 약칭)"은 헤이즈미터 장비(Nippon Denshoku社, NDH5000)를 이용하여 ASTM D1003 방법에 의거하여 측정한다.
본 명세서에서 "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 모두 포함하는 의미일 수 있다.
본 명세서에서 구성요소의 "상부 (또는 하부)" 또는 구성요소의 "상 (또는 하)"에 임의의 구성이 배치된다는 것은, 임의의 구성이 상기 구성요소의 상면 (또는 하면)에 접하여 배치되는 것뿐만 아니라, 상기 구성요소와 상기 구성요소 상에 (또는 하에) 배치된 임의의 구성 사이에 다른 구성이 개재될 수 있음을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 "일면", "타면", "양면" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함한다", "함유한다", “갖는다(가진다)” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼용 점착 필름은 범프(bump) 구조가 형성되어 있는 웨이퍼(wafer)에 대한 이면 연삭 공정에서 발생하는 한계점을 개선하여, 범프 구조에 대한 매립성이 우수하여 웨이퍼 파손을 방지할 수 있고 점착 필름 제거시의 잔류물을 최소화 또는 제거하기 위한 목적에서 안출되었는바, 이에 대해 상세히 설명한다.
먼저, 도 4는 웨이퍼(200)의 표면에 형성된 범프(300) 구조의 실제 확대 사진 이미지로서, 상기 범프(300)의 둥근 형상 때문에, 웨이퍼(200)와 범프(300) 사이에 공극(점선 원으로 예시적으로 표시함)이 형성된다. 도 4는 범프 한 개의 구조인데, 웨이퍼 상에 수많은 범프가 형성됨에 따라, 공극의 영역도 증가하게 된다. 따라서, 웨이퍼 이면 연삭시 가해지는 응력이 공극으로 인해 웨이퍼에 불균일하게 분포됨에 따라, 웨이퍼가 파손되는 문제점이 발생하게 되는 것이다. 또한, 상기 공극은 웨이퍼 처리용 점착 필름을 제거하기 위해 조사되는 에너지선이 도달하지 못하는 음영 영역으로서 작용하게 되는바, 이는 웨이퍼 이면 연삭 공정을 도시한 도 5를 참조하여 자세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 양태에 따른 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)을 웨이퍼에 적용하고, 이면 연삭 이후 에너지선을 조사함으로써 점착력을 저하시켜 박리하는 공정의 흐름도를 예시적으로 도시한 것이다.
구체적으로, 도 5의 S1은 웨이퍼 이면 연삭 공정 전 웨이퍼를 준비하는 단계(웨이퍼 로딩)로서, 웨이퍼(200)의 표면에 범프(300)가 형성되어 있는 것을 나타낸 것이며, 상기 범프(300)는 간략하게 도시하기 위하여 면을 가진 층 구조로 도시하였을 뿐, 실제로 층 구조를 갖는 것은 아니다.
도 5의 S2는 본 발명의 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)을 웨이퍼의 표면 측에 부착(또는 첩부)하는 단계로서, 이로써 이면 연삭시 웨이퍼(200)의 표면을 보호하는 역할을 하게 된다.
도 5의 S3은 이면 연삭 공정을 수행하는 것을 개략적으로 나타낸 것이며, 이면 연삭 공정은 본 기술분야에서 사용되는 다양한 백그라인딩 장비가 제한없이 사용될 수 있으며, 예컨대, 척 테이블(chuck table) 상에 웨이퍼를 로딩(loading)시킨 뒤 그라이인딩 휠(grinding wheel)을 회전시킬 수 있는 장비 등이 사용될 수 있다.
도 5의 S4는 이면 연삭 공정 후, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)을 박리하기 위하여 에너지선(대표적으로, 자외선(UV))을 조사하는 단계로서, 이면 연삭 공정 전의 웨이퍼(200)에 비하여, 이면 연삭 공정 후의 웨이퍼(210)의 두께가 얇아진 것을 간략히 도시한 것이다. 이에 따라, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)의 점착층은 에너지선 경화성 점착 조성물로 형성되는 것이 일반적이다.
도 5의 S5는 이면 연삭 공정 후, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)을 박리하는 단계를 간략히 나타낸 것이다. 이 때, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)에 도달하는 에너지선의 노광이 부족하게 되면, 양호하게 박리될 수 있을 정도로 점착력이 충분히 저하되지 않게 되므로, 박리 단계에서 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)의 잔류물이 남게 될 수 있다. 상기와 같이 점착제의 잔류물이 남는 영역(R)을 도 5에 예시적으로 표시하였다.
웨이퍼 상에 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)의 잔류물이 남게 되면, 공정성 및 제조되는 반도체 칩의 품질에 악영향을 미치는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 웨이퍼(200)에 형성된 범프로 인한 공극과 굴곡의 정도가 심할수록, 에너지선이 도달하지 못하는 음영 영역이 더 증가하게 되므로, 상기 문제는 더욱 심화된다.
본 발명자는 상기와 같은 문제점에 착안하여 예의 연구한 결과, 웨이퍼 이면 연삭시의 응력이 골고루 분포될 수 있도록 범프 구조에 대한 매립성이 우수하고, 점착 필름을 제거시 조사되는 에너지선이 균일하고 충분하게 도달할 수 있는 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름에 관한 발명을 완성하였다.
본 발명의 바람직한 일 양태로서, 도 1 및 2에 도시된 것과 같이, 본 발명의 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)은, 광산란 패턴(P)이 형성된 강성 기재층(S), 상기 강성 기재층(S) 위에 배치된 제1 점착층(10); 상기 제1 점착층(10) 위에 배치된 제2 점착층(20); 및 상기 제2 점착층(20) 위에 배치된 제3 점착층(30);을 포함하는 구조를 가질 수 있는바, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)과 이의 각 구조층에 대해 상세히 설명한다.
광산란 패턴(P)이 형성된 강성 기재층(S)
본 발명의 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름의 기재층은, 높은 인장 탄성률을 갖는 강성 재질로 형성된 강성 기재층(S)일 수 있고, 바람직하게는 1,000 MPa 이상, 예를 들어 1,200 MPa 이상, 1,500 MPa 이상, 2,000 MPa 이상, 3,000 MPa 이상의 인장 탄성률을 가질 수 있고, 이 때의 인장 탄성률은 23℃에서의 측정치를 기준으로 한다. 인장 탄성률이 1,000 MPa 미만으로 상대적으로 낮은 경우 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 지지력이 낮아, 이면 연삭 공정(백그라인딩 공정)에서 반도체 칩의 충돌이 발생하는 문제점이 있을 수 있다.
상기 강성 기재층(S)은, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리카보네이트(PC), 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤 및 2 축 연신 폴리프로필렌(Oriented Poly-propylene)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재질의 기재층을 포함할 수 있고, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 재질의 기재층을 포함할 수 있다.
본 발명의 강성 기재층(S)은 광산란 패턴(P)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하며, 상기 광산란 패턴(P)은 범프 구조로 인한 음영 영역에도 에너지선이 골고루 도달할 수 있도록 광을 산란시킬 수 있도록 형성된다. 상기 광산란 패턴(P)은 웨이퍼 이면 연삭 공정의 응력을 견디기 위한 관점에서, ASTM D 3363에 의거하여 측정한 연필경도가 2H 이상인 재질, 바람직하게는 3H 이상인 재질, 보다 바람직하게는 4H 이상인 재질, 가장 바람직하게는 5H 이상인 재질로 형성될 수 있고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 것이라면 재질의 종류에는 특별히 제한은 없다.
예를 들어, 상기 광산란 패턴은, 우레탄 (메트)아크릴레이트 올리고머; 다관능성 (메트)아크릴레이트 단량체; 및 광개시제를 포함하는 코팅 조성물을 광경화시켜 형성할 수 있고, 바람직하게는 상기 다관능성 (메트)아크릴레이트 단량체의 예로는 (디)펜타에리스리톨을 포함하는 4~6 관능성 (메트)아크릴레이트 단량체를 포함할 수 있고, 상기 광개시제로는 본 기술분야에서 사용되는 통상적인 광개시제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 아세토페논계 광개시제를 포함할 수 있다.
또한, 도 3에 예시적으로 도시한 것처럼, 광산란 패턴(P)의 기하학적 형상은 특별히 제한 없이 적용될 수 있고, 예를 들어, 패턴의 형상은 직사각형, 정사각형, 삼각형, 사다리꼴형, 반구형 등일 수 있다. 도 3의 실선 화살표는 강성 기재층(S) 방향으로 조사되는 에너지선을, 점선 화살표는 조사된 에너지선이 광산란 패턴(P)으로 인해 산란되는 것을 모식화한 것이다.
상기 강성 기재층(S)의 전투과율은 80% 이상이고, 확산 투과율은 5~20%일 수 있다. 상기 강성 기재층의 전투과율이 80% 미만이면, UV 노광 시 웨이퍼용 점착제의 경화도가 낮아져 충분히 낮은 점착력을 확보하기 어려워 테이프의 제거 시 웨이퍼 칩이 깨지는 등 파손의 문제가 있을 수 있고, 확산 투과율이 5% 미만이면 범프에 의한 음영 부분에 잔류 점착제가 발생하는 문제가 있을 수 있고, 20%를 초과하면 헤이즈가 높아져 패턴 시인성이 어려워지는 문제가 있을 수 있다.
또한, 강성 기재층(S) 및 광산란 패턴(P)의 두께 관계는 하기 관계식 (1)을 만족할 수 있다.
[관계식 (1)] : T(S)×0.05 ≤ Tmax(P) ≤ T(S)×0.5
상기 관계식 (1)에서, T(S)는 상기 강성 기재층의 두께이고, Tmax(P)는 상기 광산란 패턴의 최대 높이이다.
제1 점착층(10)
본 발명의 제1 점착층(10)은 강성 기재층 위에 배치되는 것으로서, 제2 점착층(20) 및 강성 기재층(S) 사이에 위치하여 층간 점착층 역할을 하게 되므로, 제1 점착층(10)에 요구되는 물성은 제2 점착층(20)과 강성 기재층(S)의 특성과 관련되어 있다.
구체적으로는, 후술하는 바와 같이 제2 점착층(20)이 높은 전단 저장탄성률 값을 갖기 때문에, 이에 따라 제2 점착층(20)과 강성 기재층(S) 사이의 밀착력을 확보해야 한다. 또한, 강성 기재층(S)은 그 위에 형성되어 있는 광산란 패턴(P)으로 인해 두께가 불균일하게 되므로 이를 보완해야 할 필요가 있으며, 웨이퍼 상의 범프로 인한 공극에 대한 매립성도 고려해야 한다.
이러한 관점에서, 제1 점착층(10)은 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.01~1 MPa인 것이 바람직하고, 0.05~1 MPa인 것이 보다 바람직하고, 0.05~0.5 MPa인 것이 가장 바람직하다. 제1 점착층(10)의 전단 저장탄성률이 0.01 MPa 미만이면 웨이퍼에 테이프를 부착 후 커팅할 때 점착제가 칼날에 묻어나는 문제가 있을 수 있고, 1 MPa 초과하면 강성 기재층과 합지시킬 때 광산란 패턴에 대한 매립성이 부족하여 기포가 발생하여 강성 기재층과 제1 점착층의 계면 간 합지성에 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 제1 점착층(10)은 제1 (메트)아크릴레이트계 점착 수지를 포함하는 제1 점착 조성물을 열경화시켜 형성시켜 형성될 수 있다.
상기 제1 (메트)아크릴레이트계 점착 수지는, 본 기술분야에서 일반적으로 사용되는 것으로서 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서 제한없이 선택될 수 있다. 예를 들어, 탄소수 1~14인 알킬기를 가지는 (메트)아크릴계 모노머의 중합체일 수 있고, 구체적으로는 에틸헥실아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 히드록시에틸아크릴레이트, 및 히드록시부틸아크릴레이트로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 중합체일 수 있으며, 바람직하게는 카르복실기 또는 히드록실기가 결합된 모노머를 포함하는 단량체를 포함하여 중합시킨 중합체일 수 있다.
또한, 상기 제1 점착 조성물은 가교제를 더 포함할 수 있고, 본 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 종류가 한정되지는 않고, 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제를 사용할 수 있다.
한편, 제1 점착층(10)의 두께는 특별히 한정되지는 않으며, 예를 들어, 대략 10~100㎛의 두께일 수 있고, 예를 들어 대략 10~70㎛의 두께일 수 있고, 예를 들어 대략 10~50㎛의 두께일 수 있다.
제2 점착층(20)
본 발명의 제2 점착층(20)은 웨이퍼 이면 연삭시의 응력을 견딜 수 있으면서도, 범프 구조로 인해 형성되는 굴곡(요철) 및 공극에 대한 우수한 매립성을 구현하기 위한 것으로서, 요철 흡수층으로서 작용할 수 있다.
본 발명의 제2 점착층(20)은, 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.1~10 MPa인 것이 바람직하고, 0.1~5 MPa인 것이 보다 바람직하다. 제2 점착층(20)의 전단 저장탄성률이 0.1 MPa 미만이면 연삭시 웨이퍼 칩을 고정 및 지지하는데 문제가 있을 수 있고, 10 MPa 초과하면 범프에 대한 매립성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
한편, 일반적으로 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름에 포함되는 점착층은 아크릴계 점착 수지를 포함할 수 있는데, 이러한 종래의 점착층으로는 범프로 인한 공극을 가진 웨이퍼에 대한 우수한 밀착성(충진성)을 확보하기 어려웠다.
이러한 관점에서 본 발명자들은 예의 연구한 결과, (메트)아크릴레이트계 점착 수지에, 연화점이 30~70℃인 첨가제를 점착층 제조 시 조성물에 부가하여 제조하게 되면, 일반적인 합지 공정 온도 구간인 상온 ~ 70℃의 범위에서 범프로 인한 공극에 대한 밀착성(충진성)이 현저히 향상됨으로써, 웨이퍼와 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름 사이의 들뜸 또는 공극이 생기는 현상을 해결할 수 있음을 실험적으로 확인하였다.
보다 구체적으로, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 웨이퍼의 이면 연삭 공정을 위해, 웨이퍼에 합지시킬 때 대략 상온~70℃의 온도에서 라미네이션(lamination)하게 되기 때문이므로 첨가제로 사용하는 바인더 수지의 연화점은 30~70℃인 것이 바람직하고, 30~60℃인 것이 보다 바람직하며, 상기와 같은 연화점을 가진 바인더 수지로는 에폭시계 바인더 수지인 것이 바람직하다.
따라서, 상기 제2 점착층은 제2 (메트)아크릴레이트계 점착 수지 및 연화점이 30~70℃인 에폭시계 바인더 수지를 포함하는 제2 점착 조성물로 형성될 수 있다.
상기 에폭시계 바인더 수지는 연화점이 30~70℃인 것이라면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 비스페놀 A 형(Bisphenol A type) 에폭시 수지, 비스페놀 F 형(Bisphenol F type) 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 형(cresol novolac type) 에폭시 수지, 오르쏘-크레졸 노볼락 형(ortho-cresol novolac type) 에폭시 수지, 자일록형(xylok type) 에폭시 수지 등일 수 있고, 바람직하게는 오르쏘-크레졸 노블락 타입인 YDCN-500-1P(국도화학)일 수 있다.
또한, 상기 제2 점착 조성물은 가교제를 더 포함할 수 있고, 본 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 종류가 한정되지는 않고, 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제를 사용할 수 있다.
상기 제2 (메트)아크릴레이트계 점착 수지는 본 기술분야에서 일반적으로 사용되는 것으로서 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서 제한없이 선택될 수 있으며, 구체적인 종류는 상기 '제1 (메트)아크릴레이트계 점착 수지'와 관련하여 상술한 것과 동일하다.
상기 제2 점착 조성물 100 중량부를 기준으로, 상기 에폭시계 바인더 수지를 5~45 중량부 포함할 수 있고, 예를 들어 5~40 중량부, 예를 들어 5~30 중량부, 예를 들어 5~20 중량부, 예를 들어 10~20 중량부로 포함할 수 있다. 상기 에폭시 바인더 수지의 함량이 5 중량부 미만이면 상온에서 모듈러스가 낮아져 연삭시 웨이퍼 칩에 대한 지지 기능이 낮아져 문제될 수 있고, 45 중량부를 초과하면 웨이퍼에 합지시 범프에 대한 매립성이 문제될 수 있다.
한편, 제2 점착층(20)의 두께는 특별히 한정되지는 않으며, 예를 들어, 대략 10~200㎛의 두께일 수 있고, 20~150㎛의 두께일 수 있고, 30~100㎛의 두께일 수 있다.
제3 점착층(30)
본 발명의 제3 점착층(30)은 웨이퍼와 부착되는 점착(또는 부착)되는 부분이다. 제3 점착층(30)은 상온에서 적당한 점착성을 갖는 한 특별히 한정은 되지 않으며, 공지된 UV(자외선) 경화성 점착 조성물인 아크릴계 점착 조성물, 실리콘계 점착 조성물, 폴리에스테르계 점착 조성물, 폴리아미드계 점착 조성물, 우레탄계 점착 조성물, 스티렌-디엔 블록 공중합체 점착 조성물 등의 다양한 점착 조성물로 형성될 수 있으나, 바람직하게는 아크릴계 점착 조성물로 형성될 수 있다.
본 발명의 제3 점착층(30)은 제3 (메트)아크릴레이트계 점착 수지를 포함하는 제3 점착 조성물을 광경화시켜 형성될 수 있고, 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.01~1 MPa인 것이 바람직하다. 23℃에서의 전단 저장탄성률이 0.01 MPa 미만이면 응집도가 너무 낮아져 테이프 제거 시 전사의 문제가 있을 수 있고, 1 MPa를 초과하면 웨이퍼에 합지 시 밀착력에 문제가 있을 수 있다.
상기 제3 점착 조성물은 광중합 개시제 및 가교제를 더 포함할 수 있으며, 본 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정되지 않는다.
상기 광중합 개시제는 UV조사에 의해 UV 경화 반응을 개시하는 물질로서 수지 조성물의 경화속도 등을 고려하여, 그 종류와 함량을 적절히 선택하여 사용하며,
예를 들어, 광중합 개시제로는 히드록시시클로헥실페닐케톤(Irgacure 184), 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노-프로판-1-온(Irgacure 907), α,α-메톡시-α-하이드록시아세토페논(Irgacure 651), 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(Irgacure 1173) 등이 있을 수 있다.
또한, 상기 제3 점착 조성물은 가교제를 더 포함할 수 있고, 본 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 종류가 한정되지는 않고, 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제를 사용할 수 있다.
상기 제3 (메트)아크릴레이트계 점착 수지는 본 기술분야에서 일반적으로 사용되는 것으로서 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서 제한없이 선택될 수 있으며, 구체적인 종류는 상기 '제1 (메트)아크릴레이트계 점착 수지'와 관련하여 상술한 것과 동일하다.
한편, 제3 점착층(30)의 두께는 특별히 한정되지는 않으며, 예를 들어, 대략 10~100㎛의 두께일 수 있고, 10~70㎛의 두께일 수 있고, 10~50㎛의 두께일 수 있다.
웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)
본 발명의 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)은 범프(bump)가 형성된 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 적용할 때, 범프로 인한 공극과 굴곡 및 에너지선 조사시 문제되는 음영 영역으로 인한 문제를 해결함에 있어서 우수한 효과를 가질 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)은 전투과율은 70% 이상이고, 확산 투과율은 6% 이상인 것이 바람직하다.
구체적으로, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)을 웨이퍼로부터 박리하기 위하여, 점착력을 감소시키고자 에너지선(대표적으로, UV)을 조사하여 경화 반응이 진행되도록 한다. 이 때, 에너지선에 의한 경화 반응이 충분히 진행될 수 있도록, 전투과율은 70% 이상인 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 강성 기재층(S)은 광산란 패턴(P)을 포함하에 따라, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100) 전체 구조에 광 산란 또는 광 확산 효과가 발현되게 된다. 이와 같이 광 산란 또는 광 확산 효과가 충분히 나타나기 위해서는 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100) 전체 구조에 대한 확산 투과율은 6% 이상인 것이 바람직하다.
또한, 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름(100)의 제1 점착층(10), 제2 점착층(20) 및 제3 점착층(30)의 두께는 다양한 범프의 높이에 대한 충분한 매립성의 관점에서 하기 관계식 (2) 및 (3)을 만족할 수 있다. 하기 관계식 (2) 및 (3)은 제2 점착층(20)의 두께가 제1 점착층(10) 및 제3 점착층(30) 각각 두께의 1~10배의 범위 내여야 한다는 것을 한정한 것이다.
[관계식 (2)] : T(PSA_1) ≤ T(PSA_2) ≤ T(PSA_1) ×10
[관계식 (3)] : T(PSA_3) ≤ T(PSA_2) ≤ T(PSA_3) ×10
상기 관계식 (2) 및 (3)에서, T(PSA_1), T(PSA_2) 및 T(PSA_3)은 각각 상기 제1 점착층의 두께, 제2 점착층의 두께 및 제3 점착층의 두께를 의미한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다. 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야의 통상의 기술자라면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
제조예 1 : 제1 점착층을 형성하기 위한 제1 점착 조성물의 제조
부틸아크릴레이트 42 중량부, 에틸헥실아크릴레이트 10 중량부, 메틸아크릴레이트 30 중량부, 2-히드록실에틸 아크릴레이트 5 중량부, 아크릴산 13 중량부, 아조비스이소부티로니트릴 0.05 중량부, 아세트산에틸 100 중량부를 혼합하여 얻은 혼합물을, 질소 분위기하에서 60℃에서 6 시간 동안 중합하여, 중량 평균 분자량 60만의 아크릴계 점착 수지를 수득하였다.
상기 아크릴계 점착 수지 100 중량부를 기준으로, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 3 중량부를 첨가한 후 충분히 혼합하여, 제1 점착층을 형성하기 위한 제1 점착 조성물을 제조하였다.
제조예 2 : 제2 점착층을 형성하기 위한 제2 점착 조성물의 제조
부틸아크릴레이트 20 중량부, 에틸헥실아크릴레이트 10 중량부, 메틸아크릴레이트 55 중량부, 2-히드록실에틸 아크릴레이트 7 중량부, 아크릴산 8 중량부, 아조비스이소부티로니트릴 0.1 중량부, 아세트산에틸 100 중량부를 혼합하여 얻은 혼합물을, 질소 분위기하에서 60℃에서 6 시간 동안 중합하여, 중량 평균 분자량 50만의 아크릴계 점착 수지를 수득하였다.
상기 아크릴계 점착 수지 100 중량부를 기준으로, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 3 중량부를 첨가한 후 충분히 혼합하여, 제2 점착층을 형성하기 위한 제2 점착 조성물을 제조하였다.
제조예 3: 제3 점착층을 형성하기 위한 제3 점착 조성물의 제조
질소가스가 환류되고 온도조절이 용이하도록 냉각장치를 설치한 반응기에 하기 부틸 아크릴레이트(BA) 50g, 메틸 아크릴레이트(MA) 40g와 히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 4g로 구성되는 모노머의 혼합물을 투입하였다.
이어서, 상기 모노머 혼합물 100 중량부에 대하여 용제로써 에틸아세테이트(EAc) 100 중량부를 투입하고, 상기 반응기 내에 산소를 제거하기 위해 질소를 주입하면서 30℃에서 30분 이상 충분히 혼합하였다. 이후 온도는 상승시켜 50℃로 유지하고, 반응 개시제인 아조비스이소부티로니트릴 0.1 중량부 농도를 투입하고 반응을 개시시킨 후 24시간 중합하여 1차 반응물을 제조하였다.
상기 1차 반응물에 2-메타크로일옥시에틸이소시아네이트(MOI) 4중량부 및 MOI 대비 1중량%의 촉매(DBTDL:dibutyl tin dilaurate)를 배합하고, 40℃에서 24시간 동안 반응시켜 중량 평균 분자량 50만의 아크릴계 점착 수지를 수득하였다.
상기 아크릴계 점착 수지 100 중량부를 기준으로, 광중합 개시제로서 Irgacure 184(BASF社)를 0.1 중량부 및 가교제로서 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교社, 상품명: 코로네이트 C)를 2 중량부 첨가한 후 충분히 혼합하여, 제3 점착층을 형성하기 위한 제3 점착 조성물을 제조하였다.
제조예 4 : 광산란 패턴이 형성된 강성 기재층의 제조
펜타에리스리톨 디아크릴레이트 3 중량%, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트 52 중량%, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트 45 중량%의 중량비로 혼합된 혼합물 1030g을 투입한 후, 70℃로 승온하여 1시간 동안 이소포론 디이소시아네이트 2당량을 적하한 다음 6시간 동안 유지시켜 반응을 진행하였다.
적외선 분광 광도법(IR) 으로 NCO 피크가 없는 것을 확인한 후 60℃로 냉각한 후, 2-하이드록시에틸 메타아크릴레이트 537.3g으로 희석하여 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 제조하였다.
상기 제조된 우레탄 아크릴레이트 올리고머 50 중량%, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트 31 중량%, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트 10 중량%, 아세토페논계 광개시제인 1-하이드록시디메틸 페닐 케톤 8 중량% 및 첨가제 1 중량%를 균일하게 혼합하여 UV 경화형 코팅 조성물을 제조하였다.
상기 UV 경화형 코팅 조성물에 에틸아세테이트/부틸아세테이트의 1:1 혼합 용제로 50 중량%로 희석한 다음, 강성 기재층인 PET 필름(두께 : 50㎛, 인장 탄성률: 2400MPa)에 코팅 조성물을 도포한 다음 두께 5㎛로 코팅하였다. 그런 다음, 특정 형상을 가진 패턴 형성 롤(roll)을 통과시킨 후, 자외선 경화기(800∼2)를 이용하여 UV 완전 경화하여 광산란 패턴을 형성하였다.
실시예 1
제조예 4에서 곡면(반원 형상)으로 광확산 패턴(최대 높이 : 5㎛)이 형성된 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 두께 50㎛) 상에 제조예 1의 제1 점착 조성물을 코팅하여 제1 점착층의 두께가 20㎛가 되도록 코팅하고 이형 처리된 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 두께 50㎛) 상에 제조예 2의 제2 점착 조성물에 에폭시계 바인더 수지인 YDCN-500-1P를 10 중량부를 첨가하여 100㎛ 두께로 코팅한 후 접합하여 두께 225㎛의 제1 점착층과 제 2 점착층을 가지는 제1 복합 필름을 제작하였다.
이어서 제조예 3의 제3 점착 조성물 100 중량부 기준으로, 두께 25㎛의 이축연신 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 상에 두께가 25㎛가 되도록 코팅하여 두께 50㎛인 제2 점착층을 가지는 제2 복합 필름을 제작하였다.
상기 제1 복합 필름의 이형 처리된 PET를 제거하고 제2 복합 필름을 접합하여, 전체 두께 200㎛(전체 두께에서는 이형 PET의 두께는 제외됨)의 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 제조하였다.
실시예 2
상기 실시예 1과 동일하게 점착 필름을 제조하되, 제2 점착 조성물 제조시 에폭시계 바인더 수지인 YDCN-500-1P를 10 중량부가 아닌 20 중량부 포함한 점에서 차이가 있고, 곡면 패턴 형성 롤이 아닌, 사다리꼴 패턴(최대 높이: 5㎛) 형성 롤을 사용하여 광산란 패턴을 형성한 점에서 차이가 있었다.
실시예 3
상기 실시예 1과 동일하게 점착 필름을 제조하되, 제2 점착 조성물 제조시 에폭시계 바인더 수지인 YDCN-500-1P를 10 중량부가 아닌 40 중량부 포함한 점에서 차이가 있고, 곡면 패턴 형성 롤이 아닌, 삼각형 패턴(최대 높이: 5㎛) 형성 롤을 사용하여 광산란 패턴을 형성한 점에서 차이가 있었다.
비교예 1
상기 실시예 1과 동일하게 점착 필름을 제조하되, 제2 점착 조성물 제조시 에폭시계 바인더 수지인 YDCN-500-1P를 10 중량부가 아닌 50 중량부 포함한 점에서 차이가 있었다.
비교예 2
상기 실시예 1과 동일하게 점착 필름을 제조하되, 제1 점착층 없이, 강성 기재층 상에 제2 점착층을 바로 합지시킨 점에서 차이가 있었다.
비교예 3
상기 실시예 1과 동일하게 점착 필름을 제조하되, 제2 점착 조성물 제조시 에폭시계 바인더 수지인 YDCN-500-1P를 제외한 점에서 차이가 있었다.
비교예 4
상기 실시예 1과 동일하게 점착 필름을 제조하되, 강성 기재층으로서 PET 필름(두께 : 50㎛, 인장 탄성률: 2400MPa)만을 사용하였고, 광산란 패턴을 형성하지 않은 점에서 차이가 있었다.
비교예 5
상기 실시예 1과 동일하게 점착 필름을 제조하되, 제2 점착 조성물 제조시 에폭시계 바인더 수지인 YDCN-500-1P 대신 YDCN-90P(연화점: 90℃)를 30 중량부 포함한 점에서 차이가 있었다.
상기 제조예, 실시예 및 비교예에서 제조한 대상에 대하여, 하기 실험예 1~4에 따라 측정 및 평가한 결과를 하기 표 1~3에 나타냈다.
실험예 1 : 광 특성 평가
제조예 4에서 제조한 강성 기재층 및 실시예와 비교예에서 제조한 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름 각각에 대하여, 헤이즈미터(hazemeter) 장비(Nippon Denshoku社, NDH5000)를 이용하여 전투과율(T.T, %) 및 확산 투과율(D.T, %)을 측정하였다.
실험예 2 : 전단 저장탄성률 측정
전단 저장탄성률 측정장치인 Rheometer(TA instruments社; ARES-G2)를 사용하여, 제조예 1~3 각각에서 제조한 제1 점착 조성물, 제2 점착 조성물 및 제3 점착 조성물 용액으로 형성된 단층의 점착층을 적층시켜 얻은 직경 8 mm × 두께 1mm 사이즈의 샘플을 1Hz에서 -20℃부터 120℃의 환경 하에서 전단 저장탄성률을 측정하여, 23℃에서의 전단 저장탄성률을 기록하였다.
실험예 3 : 딤플(dimple) 측정
웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 범프가 형성된 반도체 회로 면(=웨이퍼 표면)에 부착한 후, 백그라인딩 장비(DISCO社; DGP8760)을 사용하여 두께 725 ㎛의 웨이퍼를 두께 80 ㎛까지 이면 연삭을 실시하였다.
이면 연삭 공정 종료 후, 웨이퍼의 연삭면을 반사광으로 두께 단차 발생을 확인하고 3차원 프로파일러(Profilm3D, FILMETRICS)의 스테이지 상에 연삭면이 위로 향하게 올려 둔 다음, 두께 단차를 측정하여 정상으로 연삭된 표면보다 깊이가 ±1㎛ 이상 차이가 있으면 '불량(×)'으로, ±1㎛ 미만으로 차이가 있으면 '양호(○)'로 평가하였다.
실험예 4 : 웨이퍼의 크랙 발생 평가
웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 반도체 회로 면(=웨이퍼 표면)에 부착한 후, 백그라인딩 장비(DISCO社; DGP8760)을 사용하여 두께 725 ㎛의 웨이퍼를 두께 100 ㎛까지 이면 연삭을 실시하였다.
이면 연삭 공정 종료 후, 웨이퍼의 상/하/좌/우/중앙 위치에서 각각 3개의 칩에 대해 샘플링하여 현미경으로 관찰하여 크랙의 개수를 관찰하였다. 크랙의 개수 3개 미만이면 '양호(○)'로, 3개 이상이면 '불량(X)'으로 평가하였다.
실험예 5 : 웨이퍼 이면 연삭 후 잔류물 테스트
웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름을 반도체 회로 면(=웨이퍼 표면)에 부착한 후, 백그라인딩 장비(DISCO社; DGP8760)을 사용하여 두께 725 ㎛의 웨이퍼를 두께 80 ㎛까지 이면 연삭을 실시하였다.
이면 연삭 공정 종료 후, 노광 장비(세명백트론社; TRSJ-3000)를 이용하여 UV A 300 mJ/㎠을 조사하였다. 그런 다음, Heat Sealing tape(MBS-100R)를 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름의 한쪽 외곽부에 230℃로 열압착한 후 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름를 제거하였다.
이면 연삭 공정 후, 점착 필름이 제거된 웨이퍼의 표면의 20개 포인트에 현미경 관찰 통해 점착제 잔류물 발생 여부를 확인하였으며, 구체적인 방법은 다음과 같다.
이면 연삭된 웨이퍼 내의 20개 포인트에서의 잔류물의 크기를 측정하여, 잔류물이 없는 경우 '양호(○)'로, 10㎛ 이상 크기의 잔류물 발생한 경우 '불량(×)'으로 평가하였다.
강성 기재층의 광학 특성 이면 연삭용 점착 필름의 광학 특성
전투과율 (%) 확산 투과율 (%) 전투과율 (%) 확산 투과율 (%)
실시예1 85.9 12.1 78.2 13.7
실시예2 84.7 16.3 77.1 17.2
실시예3 81.2 19.4 73.9 21.1
비교예1 85.9 12.1 78.2 13.7
비교예2 85.9 12.1 78.2 13.7
비교예3 85.9 12.1 78.2 13.7
비교예4 90.3 3.4 90.3 3.5
비교예5 90.3 3.3 90.3 3.5
제1 점착층의
전단 저장 탄성률(MPa)		 제2 점착층의
전단 저장 탄성률(MPa)		 제3 점착층의
전단 저장 탄성률(MPa)
실시예1 0.08 1.6 0.13
실시예2 0.08 3.4 0.13
실시예3 0.08 7.4 0.13
비교예1 0.08 12.6 0.13
비교예2 - 1.6 0.13
비교예3 0.08 0.08 0.13
비교예4 0.08 5.8 0.13
비교예5 0.08 6.2 0.13
딤플 측정 크랙 발생 평가 잔류물 테스트
실시예1 o o o
실시예2 o o o
실시예3 o o o
비교예1 o x o
비교예2 x x o
비교예3 o x o
비교예4 o o x
비교예5 x x x
이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 실시예를 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.

Claims (14)

  1. 광산란 패턴이 형성된 강성 기재층;
    상기 강성 기재층 위에 배치된 제1 점착층;
    상기 제1 점착층 위에 배치된 제2 점착층; 및
    상기 제2 점착층 위에 배치된 제3 점착층;
    을 포함하고,
    상기 제2 점착층은 제2 (메트)아크릴레이트계 점착 수지 및 연화점이 30~70℃인 에폭시계 바인더 수지를 포함하는 제2 점착 조성물로 형성되는 것인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 점착 조성물 100 중량부를 기준으로, 상기 에폭시계 바인더 수지를 5~45 중량부 포함하는,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름의 전투과율은 70% 이상이고, 확산 투과율은 6% 이상인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 점착층의 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.1~10 MPa인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 점착층은 제1 (메트)아크릴레이트계 점착 수지를 포함하는 제1 점착 조성물을 형성되는 것이며,
    상기 제1 점착층의 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.01~1 MPa인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제3 점착층은 제3 (메트)아크릴레이트계 점착 수지를 포함하는 제3 점착 조성물로 형성되는 것이며,
    상기 제3 점착층의 23℃에서의 전단 저장탄성률은 0.01~1 MPa인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 강성 기재층은 23℃에서의 인장탄성률이 1,000 MPa 이상인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 강성 기재층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 재질의 기재층을 포함하는,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 강성 기재층의 전투과율은 80% 이상이고, 확산 투과율은 5~20%인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  10. 제1항에 있어서,
    하기 관계식 (1)을 만족하는,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름:
    [관계식 (1)] : T(S)×0.05 ≤ Tmax(P) ≤ T(S)×0.5
    상기 관계식 (1)에서, T(S)는 상기 강성 기재층의 두께이고, Tmax(P)는 상기 광산란 패턴의 최대 높이이다.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 광산란 패턴은 ASTM D 3363에 의거하여 측정한 연필경도가 2H 이상인 재질로 형성되는 것인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 광산란 패턴은, 우레탄 (메트)아크릴레이트 올리고머; 다관능성 (메트)아크릴레이트 단량체; 및 광개시제를 포함하는 코팅 조성물을 광경화시켜 형성되는 것인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
  13. 제1항에 있어서,
    하기 관계식 (2) 및 (3)을 만족하는,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름:
    [관계식 (2)] : T(PSA_1) ≤ T(PSA_2) ≤ T(PSA_1) ×10
    [관계식 (3)] : T(PSA_3) ≤ T(PSA_2) ≤ T(PSA_3) ×10
    상기 관계식 (2) 및 (3)에서, T(PSA_1), T(PSA_2) 및 T(PSA_3)은 각각 상기 제1 점착층의 두께, 제2 점착층의 두께 및 제3 점착층의 두께를 의미한다.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    범프(bump)가 형성된 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 적용되는 것인,
    웨이퍼 이면 연삭용 점착 필름.
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