TWI791802B

TWI791802B - 工件加工用薄片及其使用方法

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Publication number: TWI791802B
Application number: TW108110665A
Authority: TW
Inventors: 小田直士; 佐伯尚哉; 坂本美紗季
Original assignee: 日商琳得科股份有限公司
Priority date: 2018-03-29
Filing date: 2019-03-27
Publication date: 2023-02-11
Also published as: JP7296944B2; TW201943819A; WO2019188817A1; JPWO2019188817A1

Abstract

提供一種工件加工用薄片，在切割時能夠抑制晶片飛散的發生，並且能夠抑制在剝離時的殘膠的發生。一種工件加工用薄片，其為具備基材、以及積層於前述基材的單面側的黏著劑層之工件加工用薄片，其特徵在於：前述黏著劑層為由含有重量平均分子量為100000以上、2500000以下的丙烯酸系共聚物、與重量平均分子量為2000以上、40000以下的活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者，前述活性能量線硬化性成分中的分子量未滿800的低分子量成分的含量為20質量%以下。

Description

工件加工用薄片及其使用方法

本發明關於能夠適用於在表面具有凹凸的工件之加工的工件加工用薄片。

矽、砷化鎵等的半導體晶圓以及各種封裝類，以大直徑的狀態製造，並將該等切斷分離(切割)為元件小片(半導體晶片)且分別剝離(拾取)之後，轉移至下一步驟之安裝步驟。此時，半導體晶圓等的被切斷物以黏貼附著於具備基材以及黏著劑層的工件加工用薄片的狀態，進行背面研磨、切割(dicing)、清洗、乾燥、擴展(expanding)、拾取(pick up)、安裝(mounting)等的加工。

近年來，使用上述的工件加工用薄片而加工玻璃板的情形增加。例如，在行動電話、智慧型手機所搭載的照相機模組的製造方面需要細微的玻璃片，此種的玻璃片可藉由在上述工件加工用薄片上切割一枚的玻璃板而得。亦即，將玻璃板貼附於工件加工用薄片之後，使用切割刀切斷該玻璃板，藉此能得到單片化的玻璃片(玻璃晶片)。

在使用工件加工用薄片進行半導體晶圓、玻璃板等的切割時，要求所形成的晶片不會產生從工件加工用薄片之非意圖的分離．脫落(晶片飛散)。

專利文獻1中揭示一種將玻璃板作為工件的工件加工用薄片，其將上述晶片飛散的抑制作為課題之一。該工件加工用薄片使用具有預定厚度以及預定拉伸模數(tensile modulus)者作為基材，並使黏著劑層成為預定的厚度，藉此抑制上述晶片飛散的發生，進而抑制晶片的切斷面的崩缺(chipping)的發生。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第3838637號公報

[發明所要解決的課題]

但是，也有使用上述的工件加工用薄片進行在表面具有凹凸的工件之加工的情形。例如，將在表面形成有電路、電極等的半導體晶圓、在表面實施有部分印刷的玻璃板等等，在工件加工用薄片上切割，以製造在表面形成有電路、電極等的半導體晶片、在表面實施有部分印刷的玻璃晶片等等。

使用工件加工用薄片對此種的具有凹凸的工件進行加工之際，有將工件加工用薄片的黏著層的與基材相反側的面(以下亦稱為「黏著面」)貼附到該工件的凹凸存在的面的情形。於此情形中，加工結束之後，在從工件加工用薄片剝離的工件上，在貼附於黏著面的表面，特別是在該表面的凹凸附近，容易產生構成黏著劑層的黏著劑的附著(殘膠)。此種殘膠可能會造成所得到的晶片或是組裝有該晶片的製品的性能的下降。特別是，玻璃晶片大多使用於要求高光線透射性的用途，在使用工件加工用薄片製造玻璃晶片的情形，強烈的要求不會產生可能使該光線透射性大幅降低的殘膠。但是，專利文獻1所揭示的習知的工件加工用薄片，無法充分的抑制殘膠的發生。

本發明是鑑於此種實情而完成者，其目的為提供一種工件加工用薄片，在切割時能夠抑制晶片飛散的發生，並且能夠抑制剝離時的殘膠的發生。 [用於解決課題的手段]

為了達成上述目的，第1本發明提供一種工件加工用薄片，其為具備基材、以及積層於前述基材的單面側的黏著劑層之工件加工用薄片，其特徵在於：前述黏著劑層為由含有重量平均分子量為100000以上、2500000以下的丙烯酸系共聚物、與重量平均分子量為2000以上、40000以下的活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者，前述活性能量線硬化性成分中的分子量未滿800的低分子量成分的含量為20質量%以下(發明1)。

上述發明(發明1)的工件加工用薄片，藉由使黏著劑層為由含有上述丙烯酸系共聚物、與上述活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者，且使該活性能量線硬化性成分的重量平均分子量以及該活性能量線硬化性成分中的預定的低分子量成分的含量分別成為上述範圍，工件加工用薄片在活性能量線的照射前，對工件發揮良好的黏著性。藉此能夠良好地抑制在切割時的晶片飛散。進而，該工件加工用薄片在照射活性能量線後，黏著劑層變成具有高凝集力者，即使工件為在其表面具有凹凸者，亦能夠抑制在剝離時的殘膠的發生。

於上述發明(發明1)中，較佳為前述活性能量線硬化性成分含有多官能丙烯酸酯(發明2)。

於上述發明(發明1、2)中，較佳為前述活性能量線硬化性成分的重量平均分子量超過2500(發明3)。

於上述發明(發明1～3)中，較佳為前述丙烯酸系共聚物為不具有活性能量線硬化性者(發明4)。

於上述發明(發明1～4)中，較佳為前述黏著劑層的厚度為10μm以上、100μm以下(發明5)。

於上述發明(發明1～5)中，較佳為前述基材為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(發明6)。

於上述發明(發明1～6)中，較佳為前述工件加工用薄片的工件為在表面具有凹凸的工件，前述黏著劑層的與前述基材相反側的面被貼附到前述工件的凹凸存在的面(發明7)。

於上述發明(發明1～7)中，較佳為將玻璃板作為工件(發明8)。

於上述發明(發明1～8)中，較佳為切割薄片(發明9)。 [發明的效果]

本發明的工件加工用薄片，能夠抑制在切割時的晶片飛散的發生，並能夠抑制在剝離時的殘膠的發生。

以下對本發明的實施型態進行說明。本實施型態的工件加工用薄片具備基材、以及積層於基材的單面側的黏著劑層。

工件加工用薄片的構成部件 (1)基材本實施型態的工件加工用薄片中，基材只要是能夠發揮工件加工用薄片的使用時所希望的功能，並沒有特別的限制。作為工件，在使用半導體晶圓之類的對活性能量線無透射性或透射性較低者的情形，較佳為基材對活性能量線具有良好的透射性。經由該基材對黏著劑層照射活性能量線，藉此能夠使該黏著劑層良好的硬化。而且，作為工件，即使是使用玻璃部件之類的對活性能量線具有良好透射性之材質所構成者的情形，但也可能會有在該玻璃部件表面存在有凹凸(例如，印刷所導致的凹凸)，且因該凹凸所引起的對活性能量線無法充分的發揮透射性的情形，較佳為基材對活性能量線具有良好的透射性。

例如，較佳為基材是以樹脂系的材料作為主要材料的樹脂薄膜，作為其具體例，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜等的聚酯系薄膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物薄膜、其他的乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等的乙烯系共聚薄膜；聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁稀薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降莰烯共聚物薄膜、降莰烯樹脂薄膜等的聚烯烴系薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等的聚氯乙烯系薄膜；(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜；聚胺基甲酸乙酯(polyurethane)薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜等。作為聚乙烯薄膜的例子，可舉出低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、線型低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等。而且，亦可以使用該等的交聯薄膜、離子聚合物薄膜等的改質薄膜。而且，基材亦可以是上述的薄膜複數積層而成的積層膜。在這些積層膜中，構成各層的材料可為相同種類，亦可為不同種類。又，本說明書中的「(甲基)丙烯酸」是表示丙烯酸以及甲基丙烯酸的雙方。其他的類似用語亦相同。

作為本實施型態的基材，在上述的薄膜中，較佳為使用聚酯系薄膜，特佳為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。聚對苯二甲酸乙二酯薄膜容易達成相對較高的彈性模數。因此，藉由將聚對苯二甲酸乙二酯薄膜作為基材使用，在工件的加工(例如，切割)之際，即使是對工件加工用薄片施加衝擊的情形，亦容易抑制工件加工用薄片的振動、變形等。藉此，容易抑制工件、加工後的工件等的破損或移動等。特別是，使用玻璃部件作為工件的情形，該部件與半導體晶圓等相比非常的脆，在工件加工用薄片上進行加工之際容易產生破裂的問題。因此，在工件加工用薄片上切割玻璃板時，容易因該切割而使所得到的玻璃晶片的切斷面發生崩缺(chipping)。因此，藉由使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜作為基材，能夠良好地抑制上述崩缺的發生。

基材亦可含有阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、平滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑等的各種添加劑。作為這些添加劑的含量並沒有特別的限制，較佳是在基材發揮所希望功能的範圍內。

在基材的積層有黏著劑層的面，為了提高與黏著劑層的密著性，亦可以實施底漆(primer)處理、電暈處理、電漿處理等的表面處理。

基材的厚度，可因應工件加工用薄片使用的方法而適當設定，通常，以20μm以上為佳，特別是以25μm以上為佳。而且，該厚度通常以450μm以下為佳，特別是以300μm以下為佳。

(2)黏著劑層本實施型態的黏著劑層為由含有重量平均分子量為100000以上、2500000以下的丙烯酸系共聚物、與重量平均分子量為2000以上、40000以下的活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者。然後，上述活性能量線硬化性成分中的分子量未滿800的低分子量成分的含量為20質量%以下。

本實施型態的工件加工用薄片，藉由使黏著劑層為由含有活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者，加工後的工件與工件加工用薄片分離之際，能夠藉由照射活性能量線使黏著劑層硬化，使工件加工用薄片的對該工件的黏著力降低。藉此，能夠容易進行上述的分離。

而且，本實施型態的工件加工用薄片，作為活性能量線硬化性成分，使用重量平均分子量為100000以上、2500000以下者，且活性能量線硬化性成分中的分子量未滿800的低分子量成分的含量為20質量%以下，藉此能夠良好地兼顧在切割時晶片飛散的抑制與在剝離時的殘膠的抑制。特別是，藉由使活性能量線硬化性成分的重量平均分子量適度小，工件加工用薄片在活性能量線的照射前，對工件以及加工後的工件發揮良好的黏著力。藉此，工件以及加工後的工件能夠良好地保持於工件加工用薄片上，特別是，在加工用薄片上切割工件以得到半導體晶片、玻璃晶片的情形，能夠良好地抑制晶片飛散。而且，藉由使活性能量線硬化性成分的重量平均分子量適度大，且上述低分子量成分的含量為20質量%以下，照射活性能量線後，黏著劑層具有高凝集力。藉此，能夠良好地抑制從工件加工用薄片分離的工件的殘膠的發生。

活性能量線硬化性成分的重量平均分子量超過40000的情形，工件加工用薄片難以達成對工件充分的黏著力，無法充分抑制在切割時的晶片飛散。依此觀點，活性能量線硬化性成分的重量平均分子量，以20000以下為佳，特別是以10000以下為佳。

而且，活性能量線硬化性成分的重量平均分子量未滿2000的情形，照射活性能量線後，黏著劑層的凝集力未充分提升，而發生殘膠。依此觀點，活性能量線硬化性成分的重量平均分子量，以2300以上為佳，特別是以超過2500為佳。

又，本說明書的重量平均分子量(Mw)是藉由凝膠滲透層析法(GPC法)測定的標準聚苯乙烯換算的值。

進而，在活性能量線化性成分中的分子量未滿800的低分子量成分的含量超過20質量%的情形，活性能量線照射後，黏著劑層的凝集力亦無法充分提升，而發生殘膠。依此觀點，上述低分子量成分的含量，以18質量%以下又。

又，較佳是活性能量線硬化性成分中實質不含有上述低分子量成分，但是，在活性能量線硬化性成分的製造時完全防止低分子量成分的殘存、生成等通常是困難的。因此，在活性能量線化性成分中的上述低分子量成分的含量的下限值，通常可為0質量%以上，特別是，亦可為1質量%以上。

又，活性能量線化性成分中的分子量未滿800的低分子量成分的含量之測定方法的細節，如同後述試驗例的記載。

(2-1)丙烯酸系共聚物本實施型態的丙烯酸系共聚物，只要是重量平均分子量為100000以上、2500000以下，並沒有特別的限制。

本實施型態的丙烯酸系共聚物的重量平均分子量為100000以上、2500000以下，在這方面與上述活性能量線硬化性成分有所區別。由黏著劑層的凝集力容易調整至所希望範圍的觀點，丙烯酸系共聚物的重量平均分子量，以150000以上為佳，特別是以300000以上為佳。而且，由容易達成所希望黏著力的觀點，丙烯酸系共聚物的重量平均分子量，以2000000以下為佳，特別是以1800000以下為佳。

本實施型態的丙烯酸系共聚物，可以是具有活性能量線硬化性者，亦可以是不具有活性能量線硬化性者。本實施型態的工件加工用薄片，是將丙烯酸系共聚物與上述活性能量線硬化性成分組合使用者，在此種組合的情形，由容易控制黏著力且藉此容易有效地抑制晶片飛散的觀點，較佳為上述丙烯酸系共聚物是不具有活性能量線硬化性者。

上述不具有活性能量線硬化性的丙烯酸系共聚物，只要是含有丙烯酸系單體作為構成聚合物的單體單元者，並沒有特別的限制，特別是，較佳為至少與(甲基)丙烯酸烷基酯單體共聚合者。作為該(甲基)丙烯酸烷基酯單體，較佳為烷基的碳數為1以上者，特佳為2以上者。而且，作為該(甲基)丙烯酸烷基酯單體，較佳為烷基的碳數為18以下者，特佳為8以下者。作為(甲基)丙烯酸烷基酯單體的具體例，可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。該等之中，由容易將本實施型態的加工用薄片的黏著力調整至所希望的範圍，且藉此能夠有效地抑制晶片飛散的觀點，以使用丙烯酸正丁酯為佳。上述的(甲基)丙烯酸烷基酯單體可單獨使用，亦可組合2種以上使用。

上述的丙烯酸系共聚物，作為構成該聚合物的單體單元，(甲基)丙烯酸烷基酯單體，以含有50質量%以上為佳，特別是以含有60質量%以上為佳。而且，丙烯酸系共聚物，作為構成該聚合物的單體單元，(甲基)丙烯酸烷基酯單體，以含有98質量%以下為佳，特別是以含有95質量%以下為佳。

而且，上述的丙烯酸系共聚物，在黏著劑組合物含有後述的交聯劑的情形，由丙烯酸系共聚物容易良好地交聯，且黏著力容易調整至所希望範圍的觀點，作為構成聚合物的單體單元，較佳是含有含官能基單體。作為含官能基單體所含有的官能基，可舉出羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等，其中，較佳為羥基及羧基，特佳為羥基。又，亦可以組合使用不同種類的含官能基單體。

使用具有羧基的單體(含羧基單體)作為含官能基單體的情形，作為其例，可舉出乙烯性不飽和羧酸，作為其具體例，可舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、伊康酸、檸康酸等。該等之中，由羧基的反應性及共聚合性的點，以丙烯酸為佳。該等可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。

使用具有羥基的單體(含羥基單體)作為含官能基單體的情形，作為其例，可舉出(甲基)丙烯酸羥烷基酯，作為其具體例，可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。該等之中，由羥基的反應性及共聚合性的點，以(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯為佳。該等可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。

上述的丙烯酸系共聚物，作為構成該聚合物的單體單元，含官能基單體，以含有0.1質量%以上為佳，特別是以含有0.5質量%以上為佳，進一步以1質量%以上為佳。而且，丙烯酸系共聚物，作為構成該聚合物的單體單元，含官能基單體，以含有30質量%以下為佳，特別是以含有20質量%以下為佳，進一步以15質量%以下為佳。

丙烯酸系共聚物，作為構成聚合物的單體單元，除了上述(甲基)丙烯酸烷基酯單體以及含官能基單體以外，亦可含有其他的單體。

作為該其他的單體，可舉出，例如，(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等的含烷氧基烷基之丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環己酯等的具有脂肪族環的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苯酯等的具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等的非交聯性的丙烯醯胺；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基丙酯等的具有非交聯性的3級胺基的(甲基)丙烯酸酯；醋酸乙烯酯；苯乙烯等。該等可以單獨使用，亦可組合2種以上使用。

丙烯酸系共聚物的聚合態樣，可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。此外，關於聚合法並無特別限制，可藉由一般的聚合法聚合。

本實施型態的丙烯酸系共聚物為具有活性能量線硬化性的丙烯酸系共聚物的情形，較佳為該丙烯酸系共聚物是在側鏈導入具有活性能量線硬化性的官能基(活性能量線硬化性基)的(甲基)丙烯酸酯聚合物。此種的(甲基)丙烯酸酯聚合物，作為構成聚合物的單體單元，較佳為含有上述的含官能基單體(以及視需要的上述(甲基)丙烯酸烷基酯單體、其他單體等)的(甲基)丙烯酸酯聚合物，與含有可與該含官能基單體所具有的官能基鍵結的官能基的含不飽和基化合物反應而得者。

上述含不飽和基化合物，只要是含有不飽和基，並且含有可與上述含官能基單體單元的官能基反應的官能基者，並沒有特別的限制。

含不飽和基化合物所含有的上述官能基，可因應上述含官能基單體的官能基的種類而適當選擇。例如，含官能基單體的官能基為羥基、胺基或取代胺基的情形，作為含不飽和基化合物所具有的官能基，以異氰酸酯基或環氧基為佳；含官能基單體的官能基為環氧基的情形，作為含不飽和基化合物所具有的官能基，以胺基、羧基或氮丙啶基(aziridinyl)為佳。

含不飽和基化合物所具有的不飽和基，以活性能量線聚合性的碳-碳雙鍵為佳。含不飽和基化合物中的該碳-碳雙鍵的數量，以1個以上為佳。而且，含不飽和基化合物中的該碳-碳雙鍵的數量，以6個以下為佳，特別是以4個以下為佳。

作為含不飽和基化合物的較佳例，可舉出2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯(2-methacryloyloxyethyl isocyanate)、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯(meta-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate)、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧甲基)乙基異氰酸酯(1,1- (bis acryloyloxymethyl) ethyl isocyanate)；二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯(polyisocyanate)化合物，與羥基乙基(甲基)丙烯酸酯反應而得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物，與多元醇化合物、及羥基乙基(甲基)丙烯酸酯的反應而得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；環氧丙基(甲基)丙烯酸酯(glycidyl acrylate)；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉(2-vinyl-2-oxazoline)、2-異丙烯基-2-噁唑啉。

使含不飽和基化合物與含有含官能基單體的(甲基)丙烯酸酯聚合物反應，藉此而得到具有活性能量線硬化性的丙烯酸系共聚物的情形，因應上述(甲基)丙烯酸酯聚合物所具有的官能基與含不飽和基化合物所具有的官能基的組合，能夠適當選擇反應的溫度、壓力、溶媒、時間、有無觸媒、觸媒的種類。藉此，上述(甲基)丙烯酸酯聚合物中所存在的官能基與含不飽和基化合物中的官能基反應，不飽和基被導入至(甲基)丙烯酸酯聚合物的側鏈，而得到具有活性能量線硬化性的丙烯酸系共聚物。

(2-2)活性能量線硬化性成分本實施型態的活性能量線硬化性成分，只要是具有活性能量線硬化性，重量平均分子量為2000以上、40000以下，且活性能量線硬化性成分中的分子量未滿800的低分子量成分的含量為20質量%以下，就沒有特別的限制。特別是，由重量平均分子量容易調整至上述範圍，且上述低分子量成分的含量容易調整至上述範圍的觀點，活性能量線硬化性成分，以多官能丙烯酸酯的寡聚物或改質物為佳。

活性能量線硬化性成分的官能基數，以2以上為佳，特別是以5以上為佳。而且，該官能基數，以20以下為佳，特別是以10以下為佳。使活性能量線硬化性成分的官能基數為上述範圍，變得容易藉由照射活性能量線而使黏著劑層硬化至所希望的程度，藉此，加工後的工件之從工件加工用薄片的分離變得更為容易，且能夠有效地抑制該工件的殘膠。

作為上述多官能丙烯酸酯的較佳例，可舉出三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯(tetramethylolmethane tetraacrylate)、新戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate)、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯(dipentaerythritol monohydroxy pentaacrylate)、二新戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等的多官能丙烯酸酯。

而且，作為上述改質物的例子，可舉出胺基甲酸乙酯改質物、環氧改質物、酯改質物等。該等之中，由重量平均分子量容易調整至上述範圍，且上述低分子量成分的含量容易調整至上述範圍的觀點，上述改質物，以胺基甲酸乙酯改質物為佳。

上述胺基甲酸乙酯改質物，較佳是上述多官能丙烯酸酯與多異氰酸酯化合物反應而成者。作為該多異氰酸酯化合物的例子，可舉出異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯等的脂環式多異氰酸酯；甲苯二異氰酸酯(tolylene diisocyanate)、二苯基甲烷二異氰酸酯(diphenylmethane diisocyanate)、二甲苯二異氰酸酯(xylylene diisocyanate)等的芳香族多異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯(hexamethylene diisocyanate)等的脂肪族多異氰酸酯等。該等之中，以脂環式多異氰酸酯為佳，特別是以異佛爾酮二異氰酸酯為佳。

作為本實施型態的活性能量線硬化性成分，以使新戊四醇三丙烯酸酯與脂環式多異氰酸酯反應而得到的多官能胺基甲酸乙酯丙烯酸酯為佳，特別是以使新戊四醇三丙烯酸酯與異佛爾酮二異氰酸酯反應而得到的2~20官能的多官能胺基甲酸乙酯丙烯酸酯為佳。

本實施型態的活性能量線硬化性成分，在該活性能量線硬化性成分中的分子量未滿1200的低分子量成分的含量，以50質量%以下為佳，特別是以45質量%以下為佳，進一步以42質量%以下為佳。藉由使分子量未滿1200的低分子量成分的含量為50質量%以下，分子量未滿800的低分子量成分的含量容易調整至前述範圍。又，分子量未滿1200的低分子量成分的含量的下限值並無特別的限制，通常為0質量%以上，特別是，亦可為1質量%以上。又，分子量未滿1200的低分子量成分的上述含量的測定方法的細節，如同後述記載。

本實施型態的黏著劑組合物中的活性能量線硬化性成分的含量，相對於上述丙烯酸系共聚物100質量份，以10質量份以上為佳，特別是以20質量份以上為佳，進一步以30質量份以上為佳。而且，該含量，以300質量份以下為佳，特別是以200質量份以下為佳，進一步以150質量份以下為佳。藉由使活性能量線硬化性成分的含量為上述範圍，活性能量線的照射後的黏著劑層具有適度的凝集力，能夠有效地抑制從工件加工用薄片分離之加工後工件的殘膠發生。而且，使活性能量線硬化性成分的含量為10質量份以上，可藉由活性能量線的照射而使黏著劑層容易良好地硬化，加工後的工件從工件加工用薄片分離之際，能夠更容易地進行分離。另一方面，藉由使活性能量線硬化性成分的含量為300質量份以下，本實施型態的工件加工用薄片對活性能量線照射前的工件容易發揮良好的黏著力，能夠有效地抑制晶片飛散。而且，藉由使活性能量線硬化性成分的含量為300質量份以下，可抑制活性能量線照射前的黏著劑層的彈性模數過低。藉此，能夠抑制工件加工時之工件加工用薄片振動、變形，能夠實現高精度的加工。特別是，使用工件加工用薄片進行切割的情形，能夠有效地抑制崩缺的發生。

(2-3)交聯劑本實施型態的黏著劑組合物，以含有交聯劑為佳。藉由使黏著劑組合物含有交聯劑，在黏著劑層中，丙烯酸系共聚物交聯且能夠形成良好的三維網絡結構。藉此，所得到的黏著劑的凝集力更為提升，且能夠有效地抑制活性能量線照射後從工件加工用薄片分離的工件中的殘膠的發生。又，黏著劑組合物含有交聯劑的情形，丙烯酸系共聚物以含有上述含官能基單體作為構成聚合物的單體單元為佳，特別是，以含有與所使用的交聯劑反應性高的官能基之含官能基單體為更佳。

作為上述交聯劑的例子，可舉出異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、胺系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、氮丙啶(aziridine)系交聯劑、肼系交聯劑、醛系交聯劑、噁唑啉(oxazoline)系交聯劑、金屬烷氧化物(metal alkoxide)系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、銨鹽系交聯劑等。這些交聯劑可因應丙烯酸系共聚物所具有的來自含官能基單體的官能基而選擇。又，這些交聯劑可單獨1種或使用2種以上而組合。

異氰酸酯系交聯劑為至少包含多異氰酸酯化合物者。作為多異氰酸酯化合物，可舉出，例如，甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等的芳香族多異氰酸酯，六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族多異氰酸酯，異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯等的脂環式多異氰酸酯等，以及該等的雙縮脲(biuret)體、異氰脲酸酯(isocyanurate)體，進而與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷，蓖麻油等的含有低分子活性氫的化合物的反應物之加成物。該等之中，以三羥甲基丙烷改質的芳香族多異氰酸酯為佳，特別是以三羥甲基丙烷改質甲苯二異氰酸酯為佳。

本實施型態的黏著劑組合物含有交聯劑的情形，黏著劑組合物中的交聯劑的含量，相對於上述丙烯酸系共聚物100質量份，以1質量份以上為佳，特別是以5質量份以上為佳。而且，該含量以20質量份以下為佳，特別是以15質量份以下為佳。藉由使交聯劑的含量為1質量份以上，容易提升活性能量線的照射後的黏著劑層的凝集力，藉此，能夠有效地抑制殘膠。而且，藉由使交聯劑的含量為20質量份以下，成為交聯的程度為適當者，黏著劑層容易發揮所希望的黏著力，藉此，能夠有效地抑制晶片飛散。

(2-4)光聚合起始劑本實施型態的黏著劑組合物，以含有光聚合起始劑為佳。藉由使黏著劑組合物含有光聚合起始劑，能夠減少照射活性能量線而使黏著劑層硬化之際的聚合硬化時間以及光線照射量。

作為光聚合起始劑的例子，可舉出二苯基酮(benzophenone)、苯乙酮、安息香、安息香甲醚(benzoin methyl ether)、安息香***、安息香異丙醚、安息香異丁醚、苯甲酸苄酯(benzoin benzoic acid)、甲基苯甲酸苄酯(benzoin benzoic acid methyl)、苯偶醯二甲縮酮(benzoin dimethyl ketal)、2,4-二乙基噻吨酮(2,4-diethylthioxanthone)、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯硫醚(benzyldiphenyl sulfide)、一硫化四甲基秋蘭姆(tetramethylthiuram monosulfide)、偶氮雙異丁腈、聯苯甲醯(benzil)、聯苄(dibenzil)、雙乙醯(diacetyl)、β-氯蒽醌(β-chloroanthraquinone)、(2,4,6-三甲基苯甲醯苯基)氧化膦((2,4,6-trimethyl benzyl diphenyl)phosphine oxide)、2-苯并噻唑-N,N-二乙基二硫代胺甲酸酯(2-benzothiazole-N,N-diethyldithiocarbamate)、寡{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}(oligo{2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-propenyl)phenyl]propanone})、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮(2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one)等。該等之中，較佳使用1-羥基環己基苯基酮。上述光聚合起始劑可以單獨使用，亦可併用2種以上。

本實施型態的黏著劑組合物含有光聚合起始劑的情形，黏著劑組合物中的光聚合起始劑的含量，相對於上述丙烯酸系共聚物100質量份，以0.1質量份以上為佳，特別是以1質量份以上為佳。而且，該含量以10質量份以下為佳，特別是以5質量份以下為佳。使光聚合起始劑的含量為上述範圍，能夠藉由照射活性能量線而使黏著劑層效率良好地硬化，藉此，能夠容易使對加工後的工件之工件加工用薄片的黏著力良好地降低，且有效地抑制該工件的殘膠的發生。

(2-5)其他成分

本實施形態的黏著劑層的黏著劑組合物，只要是不損及本實施型態的加工用薄片所造成的前述效果，可添加所希望的添加劑，例如，矽烷耦合劑、抗靜電劑、黏著賦予劑、抗氧化劑、光穩定劑、軟化劑、填充劑、折射率調整劑等。又，後述的聚合溶媒、稀釋溶媒等，並不包含於構成黏著劑組合物的添加劑。

(2-6)黏著劑組合物的製備方法

本實施型態的黏著劑組合物，能藉由製造丙烯酸系聚合物，並將所得到的丙烯酸系聚合物與活性能量線硬化性成分、以及視需要的交聯劑、光聚合起始劑及添加劑混合而製造。

丙烯酸系聚合物為不具有活性能量線硬化性者的情形，該丙烯酸系聚合物，能夠藉由將構成聚合物的單體的混合物以通常的自由基聚合法聚合而製造。該聚合較佳是視需要而使用聚合起始劑，以溶液聚合法進行。作為聚合溶媒，可舉出，例如，乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、甲苯、丙酮、己烷、甲基乙基酮等，亦可併用2種類以上。

作為聚合起始劑，可舉出偶氮系化合物、有機過化氧化物等，亦可以併用2種類以上。作為偶氮系化合物，可舉出，例如，2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(2-甲基丁腈)、1,1’-偶氮雙(環己烷-1-腈)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基-4-甲氧基戊腈)、二甲基-2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)、4,4’-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2,2’-偶氮雙(2-羥甲基丙腈)、2,2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]等。

作為有機過氧化物，可舉出，例如，過氧化苯甲醯(benzoyl peroxide)、三級丁基過氧苯甲酸酯(t-butyl perbenzoate)、異丙苯過氧化氫(cumene hydroperoxide)、二異丙基過氧化二碳酸酯(diisopropyl peroxydicarbonate)、二正丙基過氧化二碳酸酯、二(2-乙氧基乙基)過氧化二碳酸酯、三級丁基過氧化新癸酸酯(t-butyl peroxyneodecanoate)、三級丁基過氧化新戊酸酯(t-butyl peroxypivalate)、(3,5,5-三甲基己醯基)過氧化物((3,5,5-trimethylhexanoyl)peroxide)、過氧化二丙醯(dipropionyl peroxide)、過氧化二乙醯(diacetyl peroxide)等。

又，上述聚合步驟中，藉由配合2-巰基乙醇(2-mercaptoethanol)等的鏈移動劑，能夠調節所得到的聚合物的重量平均分子量。

丙烯酸系聚合物為具有活性能量線硬化性者的情形，該丙烯酸系聚合物能夠藉由下述獲得：將前述含官能基單體、以及視需要的前述(甲基)丙烯酸烷基酯單體、前述的其他單體聚合，而得到(甲基)丙烯酸酯聚合物後，藉由以往公知的方法，使該(甲基)丙烯酸酯聚合物與可與該含官能基單體所具有的官能基鍵結的含不飽和基化合物反應。

當得到丙烯酸系聚合物後，在丙烯酸系聚合物的溶液中添加活性能量線硬化性成分，以及視需要的交聯劑、光聚合起始劑、其他的添加劑以及稀釋溶劑，充分地混合，藉此能夠得到黏著劑組合物的塗佈液。又，在上述各成分的任一者中使用有固體狀物質的情形，或者是以未稀釋狀態與其他成分混合之際而產生析出的情形，亦可以將該成分單獨預先溶解或稀釋於稀釋溶媒，再與其他成分混合。

作為上述稀釋溶劑，例如，可使用己烷、庚烷、環己烷等的脂肪族烴，甲苯、二甲苯等的芳香族烴，二氯甲烷、二氯乙烷等的鹵化烴，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、1-甲氧基-2-丙醇等的醇，丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、異佛爾酮、環己酮等的酮，乙酸乙酯、乙酸丁酯等的酯，乙基賽珞蘇(ethyl cellosolve)等的賽珞蘇系溶劑等。

作為藉此而製備的塗佈溶液的濃度．黏度，只要是可塗佈的範圍即可，並沒有特別的限制，能夠因應狀況而適當選定。例如，以黏著劑組合物的濃度成為10質量%以上、60質量%以下的方式而進行稀釋。又，得到塗佈溶液之際，稀釋溶劑等的添加並非必要條件，只要黏著劑組合物為可塗佈的黏度等，亦可以不添加稀釋溶劑。在此情形中，黏著劑組合物成為直接將丙烯酸系聚合物的聚合溶媒直接作為稀釋溶劑的塗佈溶液。

(2-7)黏著劑層的厚度

本實施型態的黏著劑層的厚度，以10μm以上為佳，特別是以20μm以上為佳。而且，該厚度以100μm以下為佳，特別是以50μm以下為佳。藉由使黏著層的厚度為10μm以上，工件加工用薄片容易發揮良好的黏著力，能夠有效地抑制切割時的工件加工用薄片浮起、晶片飛散等。而且，藉由使黏著層的厚度為10μm以上，在從工件加工用薄片分離工件之際，能夠有效地抑制晶片飛散，並容易得到良好的凹凸埋入性。另一方面，藉由使黏著層的厚度為100μm以下，在活性能量線照射後的對加工後工件的黏著力適度降低，從工件加工用薄片之工件的分離變得更為容易，又，一般而言，黏著劑層的厚度較厚的情形，可提升晶片飛散的抑制、凹凸埋入性等，另一方面容易產生殘膠。但是，依照本實施型態的工件加工用薄片，在黏著劑層的厚度較厚的情形，能夠良好地兼顧晶片飛散的抑制、凹凸埋入性等的效果，與殘膠的抑制。

(3)剝離薄片本實施型態的工件加工用薄片，亦可以在黏著劑層的黏著面貼附至工件為止的期間，為了保護該黏著面的目的，而在該黏著面積層剝離薄片。剝離薄片的構成可為任意，可例示對塑膠薄膜藉由剝離劑進行了剝離處理者。作為塑膠薄膜的具體例，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜、及聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴膜。作為剝離劑，例如，可使用矽酮系、氟系、長鏈烷基系等的剝離劑，該等之中，以價廉且可得到穩定性能的矽酮系剝離劑為佳。剝離薄片的厚度並沒有特別限制，通常是20μm以上、250μm以下。

(4)其他部件本實施型態的工件加工用薄片，亦可在黏著劑層的黏著面積層接著劑。在此情形中，藉由在本實施型態的工件加工用薄片具備上述接著劑層，能夠作為切割．晶片接合薄片(dicing．die bonding sheet)使用。此種的工件加工用薄片，在接著劑層的與黏著劑層相反側的面貼附工件，並將該工件與接著劑層一併切割，能夠得到單片化的積層有接著劑層的晶片。該晶片藉由此單片化的接著劑層，能夠容易地固定至搭載該晶片的對象。作為構成上述接著劑層的材料，較佳為使用含有熱塑性樹脂與低分子量的熱固性接著成分者，或是含有B階段(半硬化狀)的熱固型接著成分者。

而且，本實施型態的工件加工用薄片，亦可在黏著劑層的黏著面積層保護膜形成層。在此情形中，本實施型態的工件加工用薄片可作為保護膜形成兼切割用薄片使用。此種的工件加工用薄片，在保護膜形成層的與黏著劑層相反側的面貼附工件，並將該工件與保護膜形成層一併切割，能夠得到單片化的積層有保護膜形成層的晶片。作為該被切斷物，較佳為使用在單面形成有電路者，在此情形中，通常在與該電路所形成的面為相反側的面積層保護膜形成層。單片化的保護膜形成層藉由在預定的時間點硬化，能夠在晶片形成具有充分耐久性的保護膜。較佳為保護膜形成層由未硬化的硬化性接著劑所形成。

2.工件加工用薄片的物性本實施型態的工件加工用薄片，在活性能量線照射前的對晶圓(鏡面加工而成的矽晶圓的該鏡面，以下相同)黏著力，以1500mN/25mm以上為佳，特別是以2000mN/25mm以上為佳，進一步以2500mN/25mm以上為佳。本實施型態的工件加工用薄片，藉由黏著劑層是由含有活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成，在活性能量線照射前容易達成上述的黏著力。然後，藉由使在活性能量線照射前的對晶圓的黏著力為1500mN/25mm以上，工件或加工後的工件容易良好地固定於工件加工用薄片上，特別是，加工後的工件為晶片時，能夠有效地抑制晶片飛散。又，上述黏著力的上限值並沒有特別的限制，例如，以20000mN/25mm以下為佳，特別是以10000mN/25mm以下為佳。而且，上述黏著力的測定方法的細節，如同後述的試驗例的記載。

本實施型態的工件加工用薄片，在活性能量線照射後的對晶圓的黏著力，以300mN/25mm以下為佳，特別是以100mN/25mm以下為佳。本實施型態的工件加工用薄片，藉由黏著劑層是由含有活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成，在活性能量線照射後容易達成上述的黏著力。然後，藉由使在活性能量線照射後的對晶圓的黏著力為300mN/25mm以下，加工後的工件能夠容易從工件加工用薄片剝離，且有效地抑制殘膠的發生。又，在活性能量線照射後的對晶圓的黏著力，以10mN/25mm以上為佳。藉此可容易抑制在活性能量線照射後之在非意圖階段的加工後的工件的分離．脫落。而且，上述黏著力的測定方法的細節，如同後述的試驗例的記載。

3.工件加工用薄片的製造方法本實施型態的工件加工用薄片的製造方法並沒有特別的限制，較佳是藉由在基材的單面側積層黏著劑層而製造。

對基材單面側的黏著劑層的積層，可使用公知的方法進行。例如，將形成於剝離薄片上的黏著劑層轉印於基材的單面側。在此情形中，製備含有構成黏著劑層的黏著劑組合物、及根據所希望而進一步含有溶媒或分散媒的塗佈液，在剝離薄片之經剝離處理的面(以下亦有稱為「剝離面」的情形)上，以模具塗佈機、淋幕塗佈機、噴塗機、狹縫塗佈機、刮刀塗佈機、施用機(applicator)等塗佈該塗佈液，以形成塗膜，藉由使該塗膜乾燥，可形成黏著劑層。塗佈液，只要可進行塗佈，其性狀並無特別限制，用於形成黏著劑層的成分，有作為溶質而含有的情形，亦有作為分散質而含有的情形。此積層體的剝離薄片，可作為步驟材料而剝離，亦可在將工件加工用薄片貼附至工件為止的期間用於保護黏著劑層的黏著面。

用於形成黏著劑層的塗佈液含有交聯劑的情形，可藉由改變上述乾燥的條件(溫度、時間等)，或藉由另外設定加熱處理，以使塗膜內的丙烯酸系聚合物與交聯劑的交聯反應進行，而使黏著劑層內以所希望的存在密度形成交聯結構。為了充分進行此交聯反應，可在藉由上述方法等在基材積層黏著劑層之後，將所得到的工件加工用薄片，例如，在23℃、相對濕度50%的環境中，進行靜置數日的熟成。

亦可於基材上直接形成黏著劑層，以取代上述的將形成在剝離薄片上的黏著劑層轉印至基材的單面側。在此情形中，將前述的用以形成黏著劑層的塗佈液塗佈於基材的單面側，以形成塗膜，藉由將該塗膜乾燥，而形成黏著劑層。

4.加工用薄片的使用方法本實施型態的加工用薄片能夠使用於工件的加工。亦即，將本實施型態的工件加工用薄片的黏著面貼附於工件之後，能夠在工件加工用薄片上進行該工件的加工。

作為使用本實施型態的工件加工用薄片所進行的加工，可舉出背面研磨、切割、擴展、拾取等。這些加工亦可以在同一的工件加工用薄片上依序進行。

而且，上述加工結束後，在將加工後的工件從工件加工用薄片分離之際，較佳是在該分離之前對黏著劑層照射活性能量線。藉此，能夠降低對加工後的工件的黏著力，容易進行上述的分離。作為上述活性能量線，通常使用紫外線、電子線等，特別是以容易操作的紫外線為佳。

上述紫外線的照射可藉由高壓水銀燈、熔融燈(fusion lamp)、氙氣燈等進行，紫外線的照射量，以照度50mW/cm² 以上、1000mW/cm² 以下為佳。紫外線的光量，以50mJ/cm² 以上，特別是以80mJ/cm² 以上為佳，進一步以100mJ/cm² 以上為佳。而且，紫外線的光量較佳為2000mJ/cm² 以下為佳，特別是以1000mJ/cm² 以下為佳，進一步以500mJ/cm² 以下為佳。

而且，在本實施型態的工件加工用薄片具備前述接著劑層的情形，該工件加工用薄片可作為切割．晶片接合薄片使用。進而，在本實施型態的工件加工用薄片具備前述保護膜形成層的情形，該工件加工用薄片可作為保護膜形成兼切割用薄片使用。

作為使用本實施型態的工件加工用薄片而實施加工的工件，並沒有特別的限制。作為該工件的例子，可舉出半導體晶圓、半導體封裝等的半導體部件、玻璃板等的玻璃部件等。依照本實施型態的工件加工用薄片，由於能夠抑制加工後的工件的殘膠，因此適合選擇要求不產生此種殘膠的工件。因此，作為本實施型態的工件加工用薄片的工件，以使用玻璃板為佳。藉由玻璃板的加工所得到的玻璃晶片等的加工物，由於大多使用於要求光線透射性高的用途，藉由使用本實施型態的工件加工用薄片而由玻璃板製作玻璃晶片，容易滿足上述的高光線透射性的要求。

而且，作為適用於本實施型態的工件加工用薄片的工件，可舉出在表面具有凹凸的工件，且為在工件加工用薄片上加工的情形，工件加工用薄片的黏著面貼附於凹凸存在的面之工件。

一般而言，在上述的具有凹凸的工件貼附工件加工用薄片之際，工件加工用薄片的黏著劑層難以充分地追隨該凹凸，在該凹凸附近容易產生工件與該黏著劑層未接觸的空隙。在產生該空隙的狀態，對工件加工用薄片照射活性能量線的情形，因空隙中所含的氧阻礙黏著劑層的硬化，藉此、在凹凸附近產生硬化不充分的黏著劑層的部分。其結果，從活性能量線照射後的工件加工用薄片分離之加工後的工件，容易在凹凸附近產生殘膠。

但是，依照本實施型態的工件加工用薄片，黏著劑層是由前述含有活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者，藉此，即使是上述的產生空隙的情形，能夠藉由活性能量線的照射而使黏著劑層良好地硬化，藉此，構成黏著劑層的黏著劑的凝集力良好地提升。其結果，即使工件在表面具有凹凸，亦能夠良好地抑制殘膠。

作為上述的在表面具有凹凸的工件之例，可舉出在表面形成有電路、電極等的半導體晶圓、半導體封裝等等，在表面實施部分地印刷的玻璃板等等。而且，作為其他的例子，可舉出表面被加工而形成有凹凸形狀的半導體晶圓、玻璃板等。

本實施型態的工件加工用薄片，黏著劑層是由前述含有活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者，藉此，在活性能量線照射前，對工件或加工後的工件具有良好的黏著力，能夠良好地抑制在切割時的晶片飛散。進而，本實施型態的工件加工用薄片，黏著劑層是由前述含有活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者，藉此，在活性能量線照射後，構成黏著劑層的黏著劑的凝集力良好地提升，而能夠良好地抑制工件剝離時的殘膠。

以上說明的實施型態是為了容易理解本發明所記載者，並非是用於限定本發明所記載者。因此，上述實施型態所揭示的各要素，為包含本發明的技術範圍所屬的全部設計變更或均等物的宗旨。

例如，在基材與黏著劑層之間，或者是在基材的與黏著劑層相反側的面，亦可以設置其他層。 [實施例]

以下藉由實施例等更為具體地說明本發明，但本發明的範圍並不限於該等實施例等。

〔實施例1〕 (1)黏著劑組合物的製備將丙烯酸丁酯91質量份與丙烯酸9質量份藉由溶液聚合法共聚合，以得到丙烯酸系共聚物。又，該丙烯酸系共聚物的重量平均分子量(Mw)以後述的方法測定時為70萬。

而且，使從聚酯系多元醇及異佛爾酮二異氰酸酯所得到的胺基甲酸乙酯寡聚物與新戊四醇三丙烯酸酯反應，以製作含有6官能型胺基甲酸乙酯丙烯酸酯(胺基甲酸乙酯丙烯酸酯A)的活性能量線硬化性成分。

將依照上述所得到的丙烯酸系共聚物100質量份(以固體成分換算，以下相同)、依照上述所得到的活性能量線硬化性成分47.6質量份、作為交聯劑的三羥甲基丙烷改質甲苯二異氰酸酯(東曹公司製，製品名「Coronate L」) 11.2質量份以及作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製，製品名「OMNIRAD 184」) 3.0質量份，在甲基乙基酮中混合，以得到固體成分濃度為30質量%的黏著劑組合物的塗佈液。

(2)工件加工用薄片的製作對厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面形成有矽酮系的剝離劑層的剝離薄片(琳得科公司製，製品名「SP-PET381031」)的剝離面，使用施用機一面調整間隙，一面塗佈上述黏著劑組合物的塗佈液。藉此所得到的塗膜在100℃乾燥2分鐘，藉此形成厚度25μm的黏著劑層，並得到該黏著劑層與剝離薄片的積層體。

將依照上述所得到的積層體的黏著劑層側的面，與作為基材的實施有易接著處理的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱化學公司製，製品名「DIAFOIL」，厚度：100μm)的該易接著處理面貼合，藉此得到具有剝離薄片/黏著劑層(25μm)/基材的構成之工件加工用薄片。

此處，上述的重量平均分子量(Mw)，是使用凝膠滲透層析法(GPC)而以下述條件測定(GPC測定)的聚苯乙烯換算的分子量。＜測定條件＞ •GPC測定裝置：東曹製，HLC-8020 •GPC管柱(以下述順序通過)：東曹公司製 TSK guard column HXL-H TSK gel GMHXL(×2) TSK gel G2000HXL •測定溶媒：四氫呋喃 •測定溫度：40℃

〔實施例2〕使從聚酯系多元醇及異佛爾酮二異氰酸酯所得到的胺基甲酸乙酯寡聚物與新戊四醇三丙烯酸酯反應，以製作含有6官能型胺基甲酸乙酯丙烯酸酯(胺基甲酸乙酯丙烯酸酯B)的活性能量線硬化性成分。除了使用該活性能量線硬化性成分以外，與實施例1同樣地製造工件加工用薄片。

〔實施例3〕將活性能量線硬化性成分的含量如表1所示進行變更，除此之外，與實施例2同樣地製造工件加工用薄片。

〔比較例1〕使從聚酯系多元醇及二異氰酸酯所得到的胺基甲酸乙酯寡聚物與新戊四醇三丙烯酸酯反應，以製作含有3官能型胺基甲酸乙酯丙烯酸酯(胺基甲酸乙酯丙烯酸酯C)的活性能量線硬化性成分。除了使用該活性能量線硬化性成分以外，與實施例1同樣地製造工件加工用薄片。

〔比較例2〕使從聚酯系多元醇及異佛爾酮二異氰酸酯所得到的胺基甲酸乙酯寡聚物與新戊四醇三丙烯酸酯反應，以製作含有6官能型胺基甲酸乙酯丙烯酸酯(胺基甲酸乙酯丙烯酸酯D)的活性能量線硬化性成分。除了使用該活性能量線硬化性成分以外，與實施例1同樣地製造工件加工用薄片。

〔比較例3〕使從聚酯系多元醇及二異氰酸酯所得到的胺基甲酸乙酯寡聚物與二新戊四醇六丙烯酸酯反應，製作含有15官能型胺基甲酸乙酯丙烯酸酯(胺基甲酸乙酯丙烯酸酯E)的活性能量線硬化性成分。除了使用該活性能量線硬化性成分以外，與實施例1同樣地製造工件加工用薄片。

〔比較例4～5〕使用以成為表1所示的含量的方式進一步添加新戊四醇三丙烯酸酯而成的黏著劑組合物，除此之外，與實施例1同樣地製造工件加工用薄片。

〔試驗例1〕(關於活性能量線硬化性成分的分子量測定) 針對將實施例以及比較例使用的活性能量線硬化性成分以四氫呋喃稀釋至1質量%所得到的分子量測定用試樣，以下述條件進行分子量的測定。該測定使用聚苯乙烯作為標準物質。由所得到的測定結果，算出活性能量線硬化性成分的重量平均分子量。結果顯示於表1。＜測定條件＞ •GPC測定裝置：東曹製，HLC-8020 •GPC管柱(以下述順序通過)：東曹公司製 TSK gel G1000H TSK gel G2000H •測定溶媒：四氫呋喃 •測定溫度：40℃

而且，關於實施例1～3以及比較例1～3，根據如同上述所得到的測定結果，分別算出活性能量線硬化性成分中的分子量未滿1200的成分的含量以及分子量未滿800的成分的含量。然後，針對該等3種成分，分別算出相對於活性能量線硬化性成分整體的比例(質量%)。結果顯示於表1。

另一方面，關於比較例4及5，首先，製備這些比較例所使用的活性能量線硬化性成分與新戊四醇三丙烯酸酯的混合物。在該混合物中的活性能量線硬化性成分與新戊四醇三丙烯酸酯的含量的比率，與比較例4及5中所使用的黏著劑組合物中的這些成分的含量為相同比率。然後，針對將上述混合物以四氫呋喃稀釋至1質量%所得到的分子量測定用試樣，與上述同樣地進行分子量的測定。由所得到的測定結果，分別算出活性能量線硬化性成分中的分子量未滿1200的成分的含量以及分子量未滿800的成分的含量。然後，針對該等3種成分，分別算出相對於活性能量線硬化性成分整體的比例(質量%)。結果顯示於表1。

〔試驗例2〕(黏著力的測定) 從實施例以及比較例所製造的工件加工用薄片將剝離薄膜剝離，在溫度23℃、濕度50%的環境下，將露出的黏著劑層的露出面與經鏡面加工的矽晶圓的鏡面重合，藉由以2kg的輥來回1趟施加荷重而貼合，放置20分鐘。藉此，得到黏著力測定用試樣。

針對所得到的黏著力測定用試樣，使用萬能型拉伸試驗機(島津製作所公司製，製品名「Autogragh AG-IS」)，以剝離速度300mm/min、剝離角度180°的條件，從矽晶圓剝離工件加工用薄片，依照JIS Z0237：2009的180°剝撕法，測定對矽晶圓的黏著力(mN/25mm)。此測定結果作為紫外線照射前(UV前)的黏著力，顯示於表1。

而且，針對與上述同樣地所得到的黏著力測定用試樣，對工件加工用薄片的黏著劑層，經由基材以下述條件進行紫外線照射。其後，與上述同樣地從矽晶圓剝離工件加工用薄片，並測定對矽晶圓的黏著力(mN/25mm)。此測定結果作為紫外線照射後(UV後)的黏著力，顯示於表1。＜紫外線照射條件＞ •使用高壓水銀燈 •照度230mW/cm² ，光量190mJ/cm² •UV照度．光量計使用Eye Graphics公司製「UVPF-A1」

〔試驗例3〕(殘膠的評價) 從實施例以及比較例所製造的工件加工用薄片將剝離薄膜剝離，將露出的黏著劑層的黏著面貼附於在表面具有凹凸的無鹼玻璃板的該凹凸存在的面。又，該凹凸為設置於玻璃板表面之長度5mm、寬度1mm及高度20μm的藉由印刷而形成的凹凸。

從上述貼附起算20分鐘之後，對工件加工用薄片的黏著劑層，經由基材以下述條件進行紫外線照射。接著，使用萬能拉伸試驗機(Orientec公司製，製品名「TENSILON RTA-T-2M」)，以剝離速度300mm/min、剝離角度180°的條件，從玻璃板剝離工件加工用薄片。＜紫外線照射條件＞ •使用高壓水銀燈 •照度230mW/cm² ，光量190mJ/cm² •UV照度．光量計使用Eye Graphics公司製「UVPF-A1」

針對工件加工用薄片被剝離的玻璃板的凹凸存在的面，一邊使用金屬鹵素燈在與該面平行的方向照射可見光，一邊以數位顯微鏡(KEYENCE公司製，製品名「VHX-5000」，倍率：1000倍)，確認有無來自黏著劑層的黏著劑的殘留(殘膠)。然後，基於以下的基準評價殘膠。結果顯示於表1。 A：無法確認有殘膠 B：因黏著劑層的凝集破壞而發生殘膠 C：因黏著劑層的轉印而發生殘膠

〔試驗例4〕(晶片飛散的評價) 從實施例及比較例所製造之在溫度23℃、濕度50%的環境放置1週的工件加工用薄片，將剝離薄膜剝離，使用貼帶機(tape mounter，琳得科公司製，製品名「Adwill RAD2500m/12」)，在黏著劑層的露出面貼附厚度200μm的100見方之玻璃板及切割用環形框。接著，配合環形框的外徑裁切工件加工用薄片。進一步使用切割裝置(DISCO公司製，產品名「DFD-6362」)，以如下切割條件進行從玻璃板側切斷的切割，而得到1mm見方的玻璃晶片。

＜切割條件＞ •切割裝置：DISCO公司製 DFD-6362 •刀片：DISCO公司製 NBC-2H 2050 27HECC •刀片寬：0.025～0.030mm •進刀量：0.640～0.760mm •刀片轉數：30000rpm •切削速度：80mm/sec •基材切入深度：20μm •切削水量：1.0L/min •切削水溫：20℃ •切割尺寸：1mm見方(平面的面積為1mm² )

切割結束後，目視觀察附著有玻璃晶片的工件加工用薄片，確認有無從工件加工用薄片的玻璃晶片的脫落。其結果顯示於表1。

又，表1所記載的縮寫等的細節如下所述。 PETA：新戊四醇三丙烯酸酯 DPHA：二新戊四醇六丙烯酸酯 IPDI：異佛爾酮二異氰酸酯 DI：二異氰酸酯

[表1]

由表1可知，實施例所得到的工件加工用薄片，能夠良好地抑制殘膠以及晶片飛散。 [產業的可利用性]

本發明的工件加工用薄片能夠適用在於表面具有凹凸的工件的加工。

無。

Claims

一種工件加工用薄片，其為具備基材、以及積層於前述基材的單面側的黏著劑層之工件加工用薄片，其特徵在於：前述基材為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，前述黏著劑層為由含有重量平均分子量為300000以上、2500000以下的丙烯酸系共聚物、與重量平均分子量為2000以上、40000以下的活性能量線硬化性成分的黏著劑組合物所形成者，前述活性能量線硬化性成分為多官能丙烯酸酯的寡聚物或改質物，前述活性能量線硬化性成分中的分子量未滿800的低分子量成分的含量為20質量%以下，前述工件加工用薄片係將玻璃板作為工件的切割薄片。
如申請專利範圍第1項所記載的工件加工用薄片，其中前述黏著劑組合物中的前述活性能量線硬化性成分的含量，相對於100質量份的前述丙烯酸系共聚物，為10質量份以上、300質量份以下。
如申請專利範圍第1項所記載的工件加工用薄片，其中前述活性能量線硬化性成分的重量平均分子量超過2500。
如申請專利範圍第1項所記載的工件加工用薄片，其中前述丙烯酸系共聚物為不具有活性能量線硬化性者。
如申請專利範圍第1項所記載的工件加工用薄片，其中前述黏著劑層的厚度為10μm以上、100μm以下。
如申請專利範圍第1項所記載的工件加工用薄片，其中前述工件加工用薄片的工件為在表面具有凹凸的工件，前述黏著劑層的與前述基材相反側的面被貼附到前述工件的凹凸存在的面。
一種工件加工用薄片的使用方法，其係如申請專利範圍第1項所記載的工件加工用薄片用於玻璃部件之切割的方法，包括：將與前述黏著劑層中的前述基材相反側的面貼附於玻璃部件的製程，以及在前述工件加工用薄片上切割前述玻璃部件的製程。