KR20230081120A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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이경민
김태근
김강설
조민희
강원영
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세메스 주식회사
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Abstract

기판 상의 코팅막을 박리시키기 위한 박리액을 기판의 전면에 동시 제공하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 방법은, 제1 노즐을 이용하여 기판 상에 제1 액체를 토출하며, 제1 액체를 이용하여 파티클을 포집한 코팅막을 형성하는 단계; 제2 노즐을 이용하여 기판 상에 제2 액체를 분사하며, 제2 액체를 이용하여 코팅막을 기판으로부터 박리시키는 단계; 및 제3 노즐을 이용하여 기판 상에 제3 액체를 토출하며, 제3 액체를 이용하여 코팅막을 기판 상에서 제거하는 단계를 포함하며, 박리시키는 단계는 제2 액체를 기판의 전면에 동시에 분사시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Substrate treating apparatus and method thereof}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판을 세정 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정은 반도체 소자 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 소자 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 팹(FAB)으로 정의되는 공간 내에 설치될 수 있다.
전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 노광 공정(Photo Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.
후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 양품과 불량을 선별하는 1차 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.
세정 공정의 경우, 파티클(Particle)을 포집할 수 있는 코팅막을 기판(Wafer) 상에 형성한 후 이를 박리 및 제거하여 기판 상에 잔류하는 파티클을 제거할 수 있다.
그런데, 종래에는 박리액을 기판의 중심 부분에 제공하여 기판의 습윤 균일도(Wetting Uniformity)가 낮은 문제가 있었다. 또한, 이로 인해 기판의 영역별로 박리 정도가 상이해지며, 세정 공정이 종료된 이후에도 코팅막의 일부가 기판 상에 여전히 잔여하는 문제도 있었다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 기판 상의 코팅막을 박리시키기 위한 박리액을 기판의 전면에 동시 제공하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면(Aspect)은, 제1 노즐을 이용하여 기판 상에 제1 액체를 토출하며, 상기 제1 액체를 이용하여 파티클을 포집한 코팅막을 형성하는 단계; 제2 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제2 액체를 분사하며, 상기 제2 액체를 이용하여 상기 코팅막을 상기 기판으로부터 박리시키는 단계; 및 제3 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제3 액체를 토출하며, 상기 제3 액체를 이용하여 상기 코팅막을 상기 기판 상에서 제거하는 단계를 포함하며, 상기 박리시키는 단계는 상기 제2 액체를 상기 기판의 전면에 동시에 분사시킨다.
상기 박리시키는 단계는 에어로졸 형태로 상기 제2 액체를 분사시킬 수 있다.
상기 박리시키는 단계는 압축 공기를 이용하여 상기 제2 액체를 분사시킬 수 있다.
상기 제2 액체는 상기 압축 공기에 의해 이동 방향이 변경될 수 있다.
상기 제2 액체는 DIW(De-Ionized Water)일 수 있다.
상기 제2 노즐은 상기 기판의 크기에 따라 높이 조절될 수 있다.
상기 제2 노즐은 회전하면서 상기 기판 상에 상기 제2 액체를 분사할 수 있다.
상기 제2 노즐은 상기 기판의 길이 방향에 수직인 방향에 대해 틸트될 수 있다.
상기 제1 액체는 폴리머 및 휘발 성분이 혼합된 액체일 수 있다.
상기 제3 액체는 IPA(Iso Propyl Alcohol)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 다른 면은, 제1 노즐을 이용하여 기판 상에 제1 액체를 토출하며, 상기 제1 액체를 이용하여 파티클을 포집한 코팅막을 형성하는 단계; 제2 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제2 액체를 분사하며, 상기 제2 액체를 이용하여 상기 코팅막을 상기 기판으로부터 박리시키는 단계; 및 제3 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제3 액체를 토출하며, 상기 제3 액체를 이용하여 상기 코팅막을 상기 기판 상에서 제거하는 단계를 포함하되, 상기 박리시키는 단계는 압축 공기를 이용하여 상기 제2 액체의 이동 방향을 변경시키며, 상기 제2 액체를 에어로졸 형태로 상기 기판의 전면에 동시에 분사시킨다.
또한, 상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면은, 상면에 기판이 안착되는 스핀 헤드를 포함하며, 상기 스핀 헤드를 작동시켜 상기 기판을 회전시키는 기판 지지 모듈; 상기 기판 지지 모듈의 측면에 마련되며, 상기 기판이 회전하는 경우 상기 기판으로부터 이탈되는 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 모듈; 및 상기 기판의 상부에 배치되는 제1 노즐, 제2 노즐 및 제3 노즐을 포함하며, 상기 기판을 처리하기 위한 액체를 순차적으로 제공하되, 상기 제1 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제1 액체를 제공하여 파티클을 포집한 코팅막을 형성시키고, 상기 제2 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제2 액체를 제공하여 상기 코팅막을 상기 기판으로부터 박리시키며, 상기 제3 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제3 액체를 제공하여 상기 코팅막을 상기 기판 상에서 제거하는 분사 모듈을 포함하며, 상기 제2 노즐은 상기 제2 액체를 상기 기판의 전면에 동시에 분사시킨다.
상기 제2 노즐은, 내부에 공간이 형성된 몸체부; 상기 몸체부의 제1측 표면을 관통하여 상기 공간과 연결되며, 상기 제2 액체를 상기 공간으로 제공하는 제1 공급 포트; 상기 몸체부의 제2측 표면을 관통하여 상기 공간과 연결되며, 압축 공기를 상기 공간으로 제공하는 제2 공급 포트; 및 상기 몸체부의 제3측 표면을 관통하여 상기 공간과 연결되며, 상기 제2 액체를 상기 기판 상으로 분사시키는 분사 포트를 포함하며, 상기 압축 공기를 이용하여 상기 제2 액체를 방향 전환시켜 상기 기판 상으로 분사시킬 수 있다.
상기 제1 공급 포트의 길이 방향은 상기 제2 공급 포트의 길이 방향 및 상기 분사 포트의 길이 방향과 다를 수 있다.
상기 제1 공급 포트의 길이 방향은 상기 제2 공급 포트의 길이 방향 및 상기 분사 포트의 길이 방향에 수직일 수 있다.
상기 제2 노즐은 에어로졸 형태로 상기 제2 액체를 분사시킬 수 있다.
상기 제2 노즐은 압축 공기를 이용하여 상기 제2 액체를 에어로졸 형태로 분사시킬 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 반도체 공정 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 구체적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 복수 개의 노즐을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 복수 개의 노즐을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다.
도 6은 도 5의 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 7은 도 5의 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 제2 노즐의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 도 5의 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제3 예시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 제2 노즐의 다양한 성능을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 제2 노즐의 다양한 성능을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))을 세정 처리하는 경우, 박리액을 기판의 전면에 동시 제공하여 파티클이 포집된 코팅막을 기판 상에서 박리 및 제거하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판의 습윤 균일도(Wetting Uniformity)를 향상시킬 수 있으며, 기판 상에서 코팅막을 전부 제거하는 것이 가능해지는 효과를 얻을 수 있다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 포함하는 반도체 공정 시스템의 내부 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1에 따르면, 반도체 공정 시스템(100)은 기판 처리 장치(110), 기판 처리액 제공 장치(120) 및 제어 장치(Controller; 130)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판 처리 장치(110)는 약액(Chemical)을 이용하여 기판을 처리하는 장치이다. 이러한 기판 처리 장치(110)는 약액을 이용하여 기판을 세정 처리하는 세정 공정 챔버(Cleaning Process Chamber)로 마련될 수 있다.
약액은 액체 상태의 물질(예를 들어, 유기용제)이거나, 기체 상태의 물질일 수 있다. 약액은 휘발성이 강하며, 흄(Fume)이 많이 발생하거나 점도가 높아 잔류성이 높은 물질들을 포함할 수 있다. 약액은 예를 들어, IPA(Iso-Propyl Alcohol) 성분을 포함하는 물질, 황산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, 황산 성분과 과산화수소 성분을 포함하는 SPM), 암모니아수 성분을 포함하는 물질(예를 들어, SC-1(H2O2+NH4OH), 불산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, DHF(Diluted Hydrogen Fluoride)), 인산 성분을 포함하는 물질 등에서 선택될 수 있다. 이하에서는 기판을 처리하는 데에 사용되는 이러한 약액들을 기판 처리액으로 정의하기로 한다.
기판 처리액 제공 장치(120)는 기판 처리 장치(110)에 기판 처리액을 제공하는 장치이다. 기판 처리액 제공 장치(120)는 이를 위해 기판 처리 장치(110)의 분사 모듈과 연결될 수 있다. 기판 처리 장치(110)의 내부 구성에 대한 보다 자세한 설명은 도면을 참조하여 후술하기로 한다.
제어 장치(130)는 기판 처리 장치(110)의 작동을 제어하는 장치이다. 제어 장치(130)는 이 경우, 예를 들어 도 2를 참조하여 후술하는 기판 지지 모듈(210)의 회전 구동부(213), 승강 모듈(230)의 제1 구동부(233), 분사 모듈(240)의 제2 구동부(244) 등의 작동을 제어할 수 있다.
제어 장치(130)는 프로세스 컨트롤러, 제어 프로그램, 입력 모듈, 출력 모듈(또는 표시 모듈), 메모리 모듈 등을 포함하여 컴퓨터나 서버 등으로 마련될 수 있다. 상기에서, 프로세스 컨트롤러는 기판 처리 장치(110)를 구성하는 각각의 구성에 대해 제어 기능을 실행하는 마이크로 프로세서를 포함할 수 있으며, 제어 프로그램은 프로세스 컨트롤러의 제어에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행할 수 있다. 메모리 모듈은 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉, 처리 레시피가 저장될 수 있다.
한편, 제어 장치(130)는 필요시 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 기판 처리 장치(110)로 기판 처리액이 공급될 수 있도록 기판 처리액 제공 장치(120)의 작동도 제어할 수 있다.
다음으로, 기판 처리 장치(110)에 대하여 설명한다. 기판 처리 장치(110)는 앞서 설명한 바와 같이 약액을 이용하여 기판을 세정 처리하는 세정 공정 챔버로 마련될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 구체적으로 도시한 도면이다.
도 2에 따르면, 기판 처리 장치(110)는 기판 지지 모듈(210), 처리액 회수 모듈(220), 승강 모듈(230) 및 분사 모듈(240)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 지지하는 것이다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 처리할 때에, 제3 방향(30)에 대해 수직 방향(제1 방향(10) 및 제2 방향(20))으로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W) 처리시 사용되는 기판 처리액을 회수하기 위해, 처리액 회수 모듈(220)의 내부에 배치될 수 있다.
기판 지지 모듈(210)은 스핀 헤드(Spin Head; 211), 회전축(212), 회전 구동부(213), 서포트 핀(Support Pin; 214) 및 가이드 핀(Guide Pin; 215)을 포함하여 구성될 수 있다.
스핀 헤드(211)는 회전축(212)의 회전 방향(제3 방향(30)의 수직 방향)을 따라 회전하는 것이다. 이러한 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 동일한 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 서로 다른 형상을 가지도록 제공되는 것도 가능하다.
회전축(212)은 회전 구동부(213)로부터 제공되는 에너지를 이용하여 회전력을 발생시키는 것이다. 이러한 회전축(212)은 회전 구동부(213)와 스핀 헤드(211)에 각각 결합되어 회전 구동부(213)에 의한 회전력을 스핀 헤드(211)에 전달할 수 있다. 스핀 헤드(211)는 회전축(212)을 따라 회전하게 되며, 이 경우 스핀 헤드(211) 상에 안착되어 있는 기판(W)도 스핀 헤드(211)와 함께 회전할 수 있다.
서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)을 위치 고정시키는 것이다. 서포트 핀(214)은 이를 위해 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)의 저면을 지지하며, 가이드 핀(215)은 기판(W)의 측면을 지지한다. 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에 각각 복수 개 설치될 수 있다.
서포트 핀(214)은 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 서포트 핀(214)은 이를 통해 기판(W)이 스핀 헤드(211)의 상부로부터 일정 거리 이격될 수 있도록 기판(W)의 저면을 지지할 수 있다.
가이드 핀(215)은 척킹 핀(Chucking Pin)으로서, 스핀 헤드(211)가 회전할 때 기판(W)이 원래 위치에서 이탈되지 않도록 기판(W)을 지지할 수 있다.
한편, 스핀 헤드(211)의 상부에는 백 노즐(Back Nozzle; 미도시)도 설치될 수 있다. 백 노즐은 기판(W)의 저면을 세정하기 위한 것이다. 이러한 백 노즐은 스핀 헤드(211)의 상부 중앙에 설치되며, 기판 처리액을 기판(W)의 저면으로 분사할 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 기판 처리액을 회수하는 것이다. 처리액 회수 모듈(220)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸도록 설치될 수 있으며, 이에 따라 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다.
기판(W)이 기판 지지 모듈(210) 상에 안착 및 고정된 후, 기판 지지 모듈(210)에 의해 회전하기 시작하면, 분사 모듈(240)이 제어기 모듈(250)의 제어에 따라 기판(W) 상에 기판 처리액을 분사할 수 있다. 그러면, 기판 지지 모듈(210)의 회전력에 의해 발생되는 원심력으로 인해 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액은 처리액 회수 모듈(220)이 위치한 방향으로 분산될 수 있다. 이 경우, 처리액 회수 모듈(220)은 유입구(즉, 후술하는 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224), 제2 회수통(222)의 제2 개구부(225), 제3 회수통(223)의 제3 개구부(226) 등)을 통해 기판 처리액이 그 내부로 유입되면 기판 처리액을 회수할 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 복수 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)은 예를 들어, 세 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)이 이와 같이 복수 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 복수 개의 회수통을 이용하여 기판 처리 공정에 사용되는 기판 처리액을 분리하여 회수할 수 있으며, 이에 따라 기판 처리액의 재활용이 가능해질 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 세 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 포함할 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 예를 들어, 보울(Bowl)로 구현될 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 서로 다른 기판 처리액을 회수할 수 있다. 예를 들어, 제1 회수통(221)은 물을 회수할 수 있고, 제2 회수통(222)은 제1 약액(예를 들어, IPA 성분을 포함하는 물질과 SPM 성분을 포함하는 물질 중 어느 하나)을 회수할 수 있으며, 제3 회수통(223)은 제2 약액(예를 들어, IPA 성분을 포함하는 물질과 SPM 성분을 포함하는 물질 중 다른 하나)을 회수할 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 그 저면에서 아래쪽 방향(제3 방향(30))으로 연장되는 회수 라인(227, 228, 229)과 연결될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 통해 회수되는 제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액은 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용 가능하게 처리될 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 제1 회수통(221)으로부터 제3 회수통(223)으로 갈수록(즉, 제2 방향(20)으로) 그 크기가 증가할 수 있다. 제1 회수통(221) 및 제2 회수통(222) 사이의 간격을 제1 간격으로 정의하고, 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 사이의 간격을 제2 간격으로 정의하면, 제1 간격은 제2 간격과 동일할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 간격은 제2 간격과 상이한 것도 가능하다. 즉, 제1 간격은 제2 간격보다 클 수 있으며, 제2 간격보다 작을 수도 있다.
승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 상하 방향(제3 방향(30))으로 직선 이동시키는 것이다. 승강 모듈(230)은 이를 통해 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 역할을 할 수 있다.
승강 모듈(230)은 브라켓(231), 제1 지지축(232) 및 제1 구동부(233)를 포함하여 구성될 수 있다.
브라켓(231)은 처리액 회수 모듈(220)의 외벽에 고정되는 것이다. 브라켓(231)은 제1 구동부(233)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1 지지축(232)과 결합할 수 있다.
기판 지지 모듈(210) 상에 기판(W)을 안착시키는 경우, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 기판 지지 모듈(210) 상에서 기판(W)을 탈착시키는 경우에도, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 상기와 같은 경우, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 하강시키는 역할을 할 수 있다.
기판(W)에 대한 처리 공정이 진행되는 경우, 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액의 종류에 따라 해당 처리액이 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 중 어느 하나의 회수통으로 회수될 수 있다. 이와 같은 경우에도, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 해당 위치까지 승강시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리액으로 제1 처리액을 사용하는 경우, 승강 모듈(230)은 기판(W)이 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224)에 대응하는 높이에 위치하도록 처리액 회수 모듈(220)을 승강시킬 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 승강 모듈(230)이 기판 지지 모듈(210)을 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 승강 모듈(230)은 기판 지지 모듈(210) 및 처리액 회수 모듈(220)을 동시에 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.
분사 모듈(240)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 액체를 기판(W) 상에 제공하는 것이다. 이러한 분사 모듈(240)은 노즐(241), 노즐 지지부(242), 제2 지지축(243) 및 제2 구동부(244)를 포함하여 구성될 수 있다.
노즐(241)은 노즐 지지부(242)의 단부에 설치되는 것이다. 이러한 노즐(241)은 제2 구동부(244)에 의해 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.
상기에서, 공정 위치는 기판(W)의 상위 영역을 말하며, 대기 위치는 공정 위치를 제외한 나머지 영역을 말한다. 노즐(241)은, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출하는 경우, 공정 위치로 이동될 수 있으며, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출한 후, 공정 위치를 벗어나 대기 위치로 이동될 수 있다.
분사 모듈(240)은 복수 개의 노즐(241)을 포함할 수 있다. 이 경우, 복수 개의 노즐(241)은 서로 다른 액체를 기판(W) 상에 제공할 수 있다. 예를 들어, 분사 모듈(240)은 세 개의 노즐(241a, 241b, 241c)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 노즐(241a)은 처리액을 기판(W) 상에 토출할 수 있으며, 제2 노즐(241b)은 박리액을 기판(W) 상에 토출할 수 있다. 그리고, 제3 노즐(241c)은 제거액을 기판(W) 상에 토출할 수 있다.
세 개의 노즐(241a, 241b, 241c)은 액체를 제공하기 위해 기판(W) 상에 위치할 때, 몇몇의 노즐은 동일한 높이에 배치되고, 다른 몇몇의 노즐은 다른 높이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이 제2 노즐(241b)이 상대적으로 높은 위치에 배치되고, 제1 노즐(241a) 및 제3 노즐(241c)은 제2 노즐(241b)보다 낮은 위치에 배치될 수 있다(H2 > H1 = H3). 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 복수 개의 노즐을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 세 개의 노즐(241a, 241b, 241c) 모두 서로 다른 높이에 배치될 수 있으며, 동일한 높이에 배치되는 것도 가능하다.
한편, 세 개의 노즐(241a, 241b, 241c)은 기판(W) 상에서 높이 조절될 수 있다. 본 실시예에서는 세 개의 노즐(241a, 241b, 241c) 중 일부의 노즐만 높이 조절 가능하게 마련될 수 있으며, 예를 들어 도 4에 도시된 바와 같이 제2 노즐(241b)이 높이 조절 가능하게 마련될 수 있다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 복수 개의 노즐을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
다시 도 2를 참조하여 설명한다.
노즐 지지부(242)는 노즐(241)을 지지하는 것이다. 이러한 노즐 지지부(242)는 스핀 헤드(211)의 길이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 노즐 지지부(242)는 그 길이 방향이 제2 방향(20)을 따라 제공될 수 있다.
노즐 지지부(242)는 노즐 지지부(242)의 길이 방향에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 제2 지지축(243)과 결합될 수 있다. 제2 지지축(243)은 스핀 헤드(211)의 높이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 제2 지지축(243)은 그 길이 방향이 제3 방향(30)을 따라 제공될 수 있다.
제2 구동부(244)는 제2 지지축(243) 및 제2 지지축(243)과 연동되는 노즐 지지부(242)를 회전 및 승강시키는 것이다. 제2 구동부(244)의 이러한 기능에 따라, 노즐(241)은 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.
다음으로, 기판 처리 장치(110)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다. 이하 설명은 도 2 및 도 5를 참조한다.
먼저, 분사 모듈(240)의 제1 노즐(241a)을 이용하여 기판(W) 상에 처리액을 토출한다(S310). 이 경우, 스핀 헤드(211)의 작동에 따라 기판(W)은 회전되고 있을 수 있다. 즉, 기판(W)이 회전하고 있는 상태에서 처리액이 기판(W) 상에 토출될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(W) 상에 토출된 처리액이 기판(W)의 전면으로 확산되어 분포하면, 기판(W)은 스핀 헤드(211)의 작동에 따라 회전되기 시작할 수도 있다.
상기에서, 처리액은 폴리머(Polymer)와 솔벤트(Solvent)를 포함하는 폴리머 솔루션(Polymer Solution)으로 마련될 수 있다. 폴리머는 예를 들어, 아크릴 수지, 페놀 수지 등의 수지 성분을 포함할 수 있다. 솔벤트는 휘발 성분을 가지는 용액으로서, 폴리머를 용해시키는 역할을 한다.
제1 노즐(241a)이 기판(W) 상에 처리액을 토출하면, 처리액은 기판(W) 상의 중심 영역에서 사방으로 퍼져 기판(W)의 전면에 도포된다. 이때, 처리액(410)은 도 6에 도시된 바와 같이 기판(W) 상에 잔류하는 파티클(430a)이나 패턴들(420) 사이에 잔류하는 파티클(430b)을 덮을 수 있다. 도 6은 도 5의 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제1 예시도이다.
앞서 설명하였지만, 처리액(410)은 휘발 성분을 가지는 솔벤트(440)를 포함한다. 따라서 솔벤트(440)를 휘발시키면, 처리액(410)은 도 7에 도시된 바와 같이 체적 수축을 일으켜 기판(W) 상에서 고화(Solidification)되며, 이에 따라 기판(W) 상에 파티클(430a, 430b)을 포집한 코팅막(450)을 형성할 수 있다(S320). 도 7은 도 5의 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제2 예시도이다.
처리액(410) 내에서의 솔벤트(440)의 휘발은 스핀 헤드(211)가 기판(W)을 회전(Spinning)시킴으로써 이루어질 수 있다. 또는, 기판 처리 장치(110) 내에 히터(Heater)를 설치하고, 상기 히터를 이용하여 처리액(410)을 가열함으로써 솔벤트(440)의 휘발을 촉진시키는 것도 가능하다. 상기 히터는 예를 들어, 열선의 형태로 스핀 헤드(211) 내에 설치될 수 있다.
또는, 기판(W) 상에 배치되는 광원을 이용하여 처리액(410)을 가열함으로써 솔벤트(440)의 휘발을 촉진시키는 것도 가능하다. 광원은 예를 들어, 램프(Lamp)로 마련될 수 있다.
또는, 기판 처리 장치(110) 내에 고온의 가스를 공급하고, 상기 고온의 가스를 통해 처리액(410)이 가열되도록 하는 것도 가능하다. 한편, 솔벤트(440)는 시간 경과에 따라 자연적으로 휘발될 수도 있으므로, 본 실시예에서는 기판(W) 상에 처리액(410)을 토출한 후 상기 처리액(410)이 고화되어 코팅막(450)을 형성할 때까지 대기하는 것도 가능하다.
다시 도 5를 참조하여 설명한다.
처리액(410)이 고화되어 기판(W) 상에 코팅막(450)이 형성되면(S320), 분사 모듈(240)의 제2 노즐(241b)을 이용하여 기판(W) 상에 박리액을 분사한다(S330). 이 경우, 제2 노즐(241b)은 박리액이 기판(W)의 전면에 동시에 도달할 수 있도록 이류체 스프레이 노즐(Spray Nozzle)로 마련될 수 있다.
제2 노즐(241b)이 이류체 스프레이 노즐로 마련되는 경우, 제2 노즐(241b)은 예를 들어 도 8에 도시된 바와 같은 구조로 형성될 수 있다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 제2 노즐의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8에 따르면, 제2 노즐(241b)은 몸체부(510), 제1 공급 포트(520), 제2 공급 포트(530) 및 분사 포트(540)를 포함하여 구성될 수 있다.
제1 공급 포트(520)는 몸체부(510)의 내부 공간(510a)으로 박리액(560)을 제공하는 것이다. 이러한 제1 공급 포트(520)는 몸체부(510)의 일측 표면을 관통하여 내부 공간(510a)과 연결될 수 있다.
도 8에는 도시되어 있지 않지만, 제1 공급 포트(520)는 제1 공급 라인과 연결될 수 있다. 제1 공급 라인은 제1 공급 포트(520)로 박리액(560)을 이송하는 라인이며, 적어도 하나의 밸브가 제1 공급 라인 상에 설치되어 박리액(560)의 공급량을 조절할 수 있다.
제2 공급 포트(530)는 몸체부(510)의 내부 공간(510a)으로 가스(570)를 제공하는 것이다. 이러한 제2 공급 포트(530)는 몸체부(510)의 타측 표면을 관통하여 내부 공간(510a)과 연결될 수 있다. 제2 공급 포트(530)는 예를 들어, 압축 공기(Compressed Air)를 몸체부(510)의 내부 공간(510a)으로 제공할 수 있다.
제2 공급 포트(530)의 길이 방향은 제1 공급 포트(520)의 길이 방향에 수직일 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(520)가 제2 방향(20)으로 길게 형성되면, 제2 공급 포트(530)는 제3 방향(30)으로 길게 형성되어 몸체부(510)의 내부 공간(510a)에서 제1 공급 포트(520)와 만날 수 있다.
한편, 도 8에는 도시되어 있지 않지만, 제2 공급 포트(530)는 제2 공급 라인과 연결될 수 있다. 제2 공급 라인은 제2 공급 포트(530)로 가스(570)(즉, 압축 공기)를 이송하는 라인이며, 적어도 하나의 밸브가 제2 공급 라인 상에 설치되어 가스(570)의 공급량을 조절할 수 있다.
분사 포트(540)는 몸체부(510)의 내부 공간(510a)으로 제공된 박리액을 기판(W) 상으로 분사하는 것이다. 제1 공급 포트(520)에 의해 몸체부(510)의 내부 공간(510a)으로 유입된 박리액(560)은 제2 공급 포트(530)를 통해 몸체부(510)의 내부 공간(510a)으로 유입되는 가스(570)에 의해 미스트화될 수 있다. 이와 같이 미스트(Mist; 580) 상태가 된 박리액은 분사 포트(540)에 의해 기판(W)의 전면에 동시에 분사될 수 있다.
분사 포트(540)의 길이 방향은 제1 공급 포트(520)의 길이 방향에 수직이고, 제2 공급 포트(530)의 길이 방향에 평행할 수 있다. 제1 공급 포트(520), 제2 공급 포트(530) 및 분사 포트(540)가 이와 같은 구조로 형성되면 박리액(560)을 미스트화시켜 기판(W)의 전면에 동시에 분사하는 데에 유리할 수 있다.
제2 노즐(241b)은 파티클(430a, 430b)을 포집한 상태로 응고된 코팅막(450) 즉, 폴리머 코팅막에 박리액을 분사하여 상기 코팅막(450)을 기판(W)으로부터 박리시킬 수 있다. 여기서, 박리액은 탈이온수(DIW; De-Ionized Water)일 수 있다.
제2 노즐(241b)은 앞서 도 8을 참조하여 설명한 구조로 형성되어, 도 9에 도시된 바와 같이 에어로졸 스프레이(Aerosol Spray) 방식으로 박리액을 분사하여 코팅막(450)을 기판(W)으로부터 박리시킬 수 있다. 도 9는 도 5의 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제3 예시도이다.
본 실시예에서는 제2 노즐(241b)의 이와 같은 역할을 통해 박리액이 기판(W)의 전면에 동시에 분사됨으로써, 기판(W)의 전면이 골고루 젖게(Wetting) 될 수 있으며, 이에 따라 습윤 균일도(Wetting Uniformity)를 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기판(W)의 전면에 걸친 박리액의 타력으로 인해 코팅막(450)의 박리가 용이해질 수 있으며, 특히 코팅막(450)의 기판 전면 균등 박리가 용이해지는 효과를 얻을 수 있다.
본 실시예에서는 박리액이 기판(W)의 전면에 동시에 분사되도록 하기 위하여, 도 10에 도시된 바와 같이 기판(W)의 크기(L1, L2)에 따라 제2 노즐(241b)의 기판(W)으로부터의 높이(H4, H5)를 조절할 수 있다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 제2 노즐의 다양한 성능을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
또는, 도 11에 도시된 바와 같이 제2 노즐(241b)을 회전시키면서 박리액을 기판(W) 상에 분사하는 것도 가능하다. 이 경우에는, 제2 노즐(241b)의 분사 가능 범위를 고려하여 제2 노즐(241b)을 소정 각도(θ2) 틸트시킨(Tilting) 상태로 제2 노즐(241b)을 회전시킬 수 있다. 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 분사 모듈의 제2 노즐의 다양한 성능을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
다시 도 5를 참조하여 설명한다.
박리액에 의해 기판(W) 상에서 코팅막(450)이 박리되면(S340), 분사 모듈(240)의 제3 노즐(241c)을 이용하여 기판(W) 상에 제거액을 토출한다(S350). 그러면, 기판(W)으로부터 박리된 뒤 기판(W) 상에 잔류하고 있는 코팅막(450) 즉, 폴리머 잔류물(Polymer Residue)은 제거액에 의해 기판(W)으로부터 제거(Rinse)될 수 있다(S360).
제3 노즐(241c)은 제거액으로 유기용제를 포함하는 린스액을 기판(W) 상에 토출할 수 있다. 제3 노즐(241c)은 예를 들어, 이소프로필 알코올(IPA; Iso-Propyl Alcohol)을 기판(W) 상에 토출할 수 있다.
이상 도 1 내지 도 11을 참조하여 기판 처리 장치(110)를 포함하는 반도체 공정 시스템(100) 및 기판 처리 장치(110)의 기판 처리 방법에 대하여 설명하였다.
본 발명은 DIW(De-Ionized Water) 에어로졸 스프레이를 이용한 폴리머 코팅막 박리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 DIW 에어로졸의 타력을 이용하여 폴리머 코팅막의 박리 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 DIW 에어로졸이 기판의 전면에 동시에 분사되어 기판 상의 DIW 습윤 균일도(Wetting Uniformity)를 향상시킬 수 있으며, 기판의 전면 균등 박리가 용이해지는 효과도 얻을 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 반도체 공정 시스템 110: 기판 처리 장치
120: 기판 처리액 제공 장치 130: 제어 장치
210: 기판 지지 모듈 211: 스핀 헤드
220: 처리액 회수 모듈 230: 승강 모듈
240: 분사 모듈 241a: 제1 노즐
241b: 제2 노즐 241c: 제3 노즐
410: 처리액 420: 패턴들
430a, 430b: 파티클 440: 솔벤트
450: 코팅막 510: 몸체부
510a: 몸체부의 내부 공간 520: 제1 공급 포트
530: 제2 공급 포트 540: 분사 포트
560: 박리액 570: 가스
580: 미스트

Claims (20)

  1. 제1 노즐을 이용하여 기판 상에 제1 액체를 토출하며, 상기 제1 액체를 이용하여 파티클을 포집한 코팅막을 형성하는 단계;
    제2 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제2 액체를 분사하며, 상기 제2 액체를 이용하여 상기 코팅막을 상기 기판으로부터 박리시키는 단계; 및
    제3 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제3 액체를 토출하며, 상기 제3 액체를 이용하여 상기 코팅막을 상기 기판 상에서 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 박리시키는 단계는 상기 제2 액체를 상기 기판의 전면에 동시에 분사시키는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박리시키는 단계는 에어로졸 형태로 상기 제2 액체를 분사시키는 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 박리시키는 단계는 압축 공기를 이용하여 상기 제2 액체를 분사시키는 기판 처리 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 액체는 상기 압축 공기에 의해 이동 방향이 변경되는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 액체는 DIW(De-Ionized Water)인 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 상기 기판의 크기에 따라 높이 조절되는 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 회전하면서 상기 기판 상에 상기 제2 액체를 분사하는 기판 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 상기 기판의 길이 방향에 수직인 방향에 대해 틸트되는 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 액체는 폴리머 및 휘발 성분이 혼합된 액체인 기판 처리 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제3 액체는 IPA(Iso Propyl Alcohol)를 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제1 노즐을 이용하여 기판 상에 제1 액체를 토출하며, 상기 제1 액체를 이용하여 파티클을 포집한 코팅막을 형성하는 단계;
    제2 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제2 액체를 분사하며, 상기 제2 액체를 이용하여 상기 코팅막을 상기 기판으로부터 박리시키는 단계; 및
    제3 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제3 액체를 토출하며, 상기 제3 액체를 이용하여 상기 코팅막을 상기 기판 상에서 제거하는 단계를 포함하되,
    상기 박리시키는 단계는 압축 공기를 이용하여 상기 제2 액체의 이동 방향을 변경시키며, 상기 제2 액체를 에어로졸 형태로 상기 기판의 전면에 동시에 분사시키는 기판 처리 방법.
  12. 상면에 기판이 안착되는 스핀 헤드를 포함하며, 상기 스핀 헤드를 작동시켜 상기 기판을 회전시키는 기판 지지 모듈;
    상기 기판 지지 모듈의 측면에 마련되며, 상기 기판이 회전하는 경우 상기 기판으로부터 이탈되는 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 모듈; 및
    상기 기판의 상부에 배치되는 제1 노즐, 제2 노즐 및 제3 노즐을 포함하며, 상기 기판을 처리하기 위한 액체를 순차적으로 제공하되, 상기 제1 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제1 액체를 제공하여 파티클을 포집한 코팅막을 형성시키고, 상기 제2 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제2 액체를 제공하여 상기 코팅막을 상기 기판으로부터 박리시키며, 상기 제3 노즐을 이용하여 상기 기판 상에 제3 액체를 제공하여 상기 코팅막을 상기 기판 상에서 제거하는 분사 모듈을 포함하며,
    상기 제2 노즐은 상기 제2 액체를 상기 기판의 전면에 동시에 분사시키는 기판 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은,
    내부에 공간이 형성된 몸체부;
    상기 몸체부의 제1측 표면을 관통하여 상기 공간과 연결되며, 상기 제2 액체를 상기 공간으로 제공하는 제1 공급 포트;
    상기 몸체부의 제2측 표면을 관통하여 상기 공간과 연결되며, 압축 공기를 상기 공간으로 제공하는 제2 공급 포트; 및
    상기 몸체부의 제3측 표면을 관통하여 상기 공간과 연결되며, 상기 제2 액체를 상기 기판 상으로 분사시키는 분사 포트를 포함하며,
    상기 압축 공기를 이용하여 상기 제2 액체를 방향 전환시켜 상기 기판 상으로 분사시키는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 공급 포트의 길이 방향은 상기 제2 공급 포트의 길이 방향 및 상기 분사 포트의 길이 방향과 다른 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 공급 포트의 길이 방향은 상기 제2 공급 포트의 길이 방향 및 상기 분사 포트의 길이 방향에 수직인 기판 처리 장치.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 상기 기판의 크기에 따라 높이 조절되는 기판 처리 장치.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 회전하면서 상기 기판 상에 상기 제2 액체를 분사하는 기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 상기 기판의 길이 방향에 수직인 방향에 대해 틸트되는 기판 처리 장치.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 에어로졸 형태로 상기 제2 액체를 분사시키는 기판 처리 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 압축 공기를 이용하여 상기 제2 액체를 에어로졸 형태로 분사시키는 기판 처리 장치.
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