KR20230099095A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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장호진
조아라
박재훈
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세메스 주식회사
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Abstract

현상 공정에서 액막의 두께를 일정하게 유지하기 위한 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 방법은, 기판을 제1 속도로 회전시키는 단계; 기판 상에 제1 유량으로 기판 처리액을 제공하는 단계; 기판의 회전 속도에 따라 기판 처리액의 유량을 제어하면서 기판을 처리하는 단계; 기판을 세정하는 단계; 및 기판을 건조시키는 단계를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Substrate treating apparatus and method thereof}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 소자 제조 공정에 적용될 수 있는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 팹(Fab)으로 정의되는 반도체 제조 공장, 예를 들어 클린 룸(Clean Room) 내에 설치될 수 있다.
전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 포토 공정(Photo Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.
후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 우량품과 불량품을 선별하는 1차 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.
포토 공정 중 현상 공정(Development Process)에서는 기판(예를 들어, 웨이퍼) 상에 원하는 패턴을 형성하기 위해, 기판을 회전시키는 상태에서 현상액을 기판의 중심부에 토출할 수 있다.
그런데 퍼들 공정(Puddle Process)을 위해 기판의 회전 속도를 감소시키게 되면 현상액이 기판의 중심부에 축적되며, 이로 인해 기판 상에 액막이 평탄하게 형성되지 못하는 문제가 발생한다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 현상 공정에서 액막의 두께를 일정하게 유지하기 위한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면(Aspect)은, 기판을 제1 속도로 회전시키는 단계; 상기 기판 상에 제1 유량으로 기판 처리액을 제공하는 단계; 상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 기판 처리액의 유량을 제어하면서 상기 기판을 처리하는 단계; 상기 기판을 세정하는 단계; 및 상기 기판을 건조시키는 단계를 포함한다.
상기 처리하는 단계는 상기 기판의 회전 속도를 단계적으로 감소시키며, 상기 기판의 회전 속도에 대응하여 상기 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시켜 상기 기판을 처리할 수 있다.
상기 처리하는 단계는 상기 기판이 더이상 회전하지 않을 때까지 상기 기판의 회전 속도를 단계적으로 감소시킬 수 있다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 처리하는 단계와 상기 세정하는 단계 사이에 수행되는 단계로서, 상기 기판 처리액에 의해 상기 기판 상에 형성된 액막의 두께가 기준값 이상인지 여부를 판별하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 액막의 두께가 기준값 이상인 것으로 판별되면, 상기 세정하는 단계와 상기 건조시키는 단계를 차례대로 수행하고, 상기 액막의 두께가 기준값 미만인 것으로 판별되면, 상기 기판의 회전 속도와 상기 기판 처리액의 유량을 변경하여 상기 기판을 재처리하는 단계를 수행할 수 있다.
상기 재처리하는 단계는 상기 기판의 회전 속도와 상기 기판 처리액의 유량을 증가시켜 상기 기판을 재처리할 수 있다.
상기 재처리하는 단계는 일정 시간이 경과한 후, 상기 기판의 회전 속도를 단계적으로 감소시키며, 상기 기판의 회전 속도에 대응하여 상기 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시켜 상기 기판을 재처리할 수 있다.
상기 기판 처리 방법은 현상 공정에 적용될 수 있다.
또한, 상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면은, 기판을 지지하며, 스핀 헤드를 이용하여 상기 기판을 회전시키는 기판 지지 모듈; 상기 기판을 처리하는 데에 이용된 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 모듈; 상기 기판 지지 모듈을 승강시키는 승강 모듈; 및 노즐을 포함하며, 상기 노즐을 통해 상기 기판 처리액을 상기 기판 상에 제공하는 분사 모듈을 포함하며, 상기 기판을 처리하는 경우, 상기 노즐은 상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 기판 처리액의 유량을 제어한다.
상기 스핀 헤드는 상기 기판의 회전 속도를 단계적으로 감소시키며, 상기 노즐은 상기 기판의 회전 속도에 대응하여 상기 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시킬 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 반도체 소자를 제조하는 데에 적용되는 기판 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 흐름에 따라 순차적으로 설명한 제1 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 흐름에 따라 순차적으로 설명한 제2 예시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 흐름에 따라 순차적으로 설명한 제3 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 퍼들 공정(Puddle Process)을 위해 액막의 두께를 일정하게 유지시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.
도 1은 반도체 소자를 제조하는 데에 적용되는 기판 처리 시스템의 내부 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 따르면, 기판 처리 시스템(100)은 기판 처리 장치(110), 기판 처리액 제공 장치(120) 및 제어 장치(Controller; 130)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판 처리 장치(110)는 약액(예를 들어, 케미칼(Chemical))을 이용하여 기판을 처리하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치(110)는 포토 공정(Photo Lithography Process), 예를 들어 현상 공정(Development Process)에 적용될 수 있으며, 기판 상에 원하는 패턴을 형성하기 위해 기판이 회전될 때에 약액을 기판 상에 제공할 수 있다.
약액은 예를 들어, 현상액일 수 있다. 이하에서는 기판을 처리하는 데에 사용되는 약액을 기판 처리액으로 정의하기로 한다.
기판 처리 장치(110)는 앞서 설명한 바와 같이 현상 공정에 적용되는 경우, 기판을 회전시키고 기판 상에 약액을 제공할 수 있다. 기판 처리 장치(110)가 이와 같이 액처리 챔버로 마련되는 경우, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 기판 지지 모듈(210), 처리액 회수 모듈(220), 승강 모듈(230) 및 분사 모듈(240)을 포함하여 구성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.
기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 지지하는 것이다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W)을 처리할 때에, 제3 방향(30)에 대해 수직 방향(제1 방향(10) 및 제2 방향(20))으로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 모듈(210)은 기판(W) 처리시 사용되는 기판 처리액을 회수하기 위해, 처리액 회수 모듈(220)의 내부에 배치될 수 있다.
기판 지지 모듈(210)은 스핀 헤드(Spin Head; 211), 회전축(212), 회전 구동부(213), 서포트 핀(Support Pin; 214) 및 가이드 핀(Guide Pin; 215)을 포함하여 구성될 수 있다.
스핀 헤드(211)는 회전축(212)의 회전 방향(제3 방향(30)의 수직 방향)을 따라 회전하는 것이다. 이러한 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 동일한 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 서로 다른 형상을 가지도록 제공되는 것도 가능하다.
회전축(212)은 회전 구동부(213)로부터 제공되는 에너지를 이용하여 회전력을 발생시키는 것이다. 이러한 회전축(212)은 회전 구동부(213)와 스핀 헤드(211)에 각각 결합되어 회전 구동부(213)에 의한 회전력을 스핀 헤드(211)에 전달할 수 있다. 스핀 헤드(211)는 회전축(212)을 따라 회전하게 되며, 이 경우 스핀 헤드(211) 상에 안착되어 있는 기판(W)도 스핀 헤드(211)와 함께 회전할 수 있다.
서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)을 위치 고정시키는 것이다. 서포트 핀(214)은 이를 위해 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)의 저면을 지지하며, 가이드 핀(215)은 기판(W)의 측면을 지지한다. 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에 각각 복수 개 설치될 수 있다.
서포트 핀(214)은 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 서포트 핀(214)은 이를 통해 기판(W)이 스핀 헤드(211)의 상부로부터 일정 거리 이격될 수 있도록 기판(W)의 저면을 지지할 수 있다.
가이드 핀(215)은 척킹 핀(Chucking Pin)으로서, 스핀 헤드(211)가 회전할 때 기판(W)이 원래 위치에서 이탈되지 않도록 기판(W)을 지지할 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 기판 처리액을 회수하는 것이다. 처리액 회수 모듈(220)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸도록 설치될 수 있으며, 이에 따라 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다.
기판(W)이 기판 지지 모듈(210) 상에 안착 및 고정된 후, 기판 지지 모듈(210)에 의해 회전하기 시작하면, 분사 모듈(240)이 제어기 모듈(250)의 제어에 따라 기판(W) 상에 기판 처리액을 분사할 수 있다. 그러면, 기판 지지 모듈(210)의 회전력에 의해 발생되는 원심력으로 인해 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액은 처리액 회수 모듈(220)이 위치한 방향으로 분산될 수 있다. 이 경우, 처리액 회수 모듈(220)은 유입구(즉, 후술하는 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224), 제2 회수통(222)의 제2 개구부(225), 제3 회수통(223)의 제3 개구부(226) 등)을 통해 기판 처리액이 그 내부로 유입되면 기판 처리액을 회수할 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 복수 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)은 예를 들어, 세 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 모듈(220)이 이와 같이 복수 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 복수 개의 회수통을 이용하여 기판 처리 공정에 사용되는 기판 처리액을 분리하여 회수할 수 있으며, 이에 따라 기판 처리액의 재활용이 가능해질 수 있다.
처리액 회수 모듈(220)은 세 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 포함할 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 예를 들어, 보울(Bowl)로 구현될 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 서로 다른 기판 처리액을 회수할 수 있다. 예를 들어, 제1 회수통(221)은 린스액(예를 들어, DI Water(Deionized Water))을 회수할 수 있고, 제2 회수통(222)은 제1 약액을 회수할 수 있으며, 제3 회수통(223)은 제2 약액을 회수할 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 그 저면에서 아래쪽 방향(제3 방향(30))으로 연장되는 회수 라인(227, 228, 229)과 연결될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 통해 회수되는 제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액은 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용 가능하게 처리될 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 기판 지지 모듈(210)을 둘러싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 제1 회수통(221)으로부터 제3 회수통(223)으로 갈수록(즉, 제2 방향(20)으로) 그 크기가 증가할 수 있다. 제1 회수통(221) 및 제2 회수통(222) 사이의 간격을 제1 간격으로 정의하고, 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 사이의 간격을 제2 간격으로 정의하면, 제1 간격은 제2 간격과 동일할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 간격은 제2 간격과 상이한 것도 가능하다. 즉, 제1 간격은 제2 간격보다 클 수 있으며, 제2 간격보다 작을 수도 있다.
승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 상하 방향(제3 방향(30))으로 직선 이동시키는 것이다. 승강 모듈(230)은 이를 통해 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 역할을 할 수 있다.
승강 모듈(230)은 브라켓(231), 제1 지지축(232) 및 제1 구동부(233)를 포함하여 구성될 수 있다.
브라켓(231)은 처리액 회수 모듈(220)의 외벽에 고정되는 것이다. 브라켓(231)은 제1 구동부(233)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1 지지축(232)과 결합할 수 있다.
기판 지지 모듈(210) 상에 기판(W)을 안착시키는 경우, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 기판 지지 모듈(210) 상에서 기판(W)을 탈착시키는 경우에도, 기판 지지 모듈(210)은 처리액 회수 모듈(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 상기와 같은 경우, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 하강시키는 역할을 할 수 있다.
기판(W)에 대한 처리 공정이 진행되는 경우, 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액의 종류에 따라 해당 처리액이 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 중 어느 하나의 회수통으로 회수될 수 있다. 이와 같은 경우에도, 승강 모듈(230)은 처리액 회수 모듈(220)을 해당 위치까지 승강시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리액으로 제1 처리액을 사용하는 경우, 승강 모듈(230)은 기판(W)이 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224)에 대응하는 높이에 위치하도록 처리액 회수 모듈(220)을 승강시킬 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 승강 모듈(230)이 기판 지지 모듈(210)을 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 승강 모듈(230)은 기판 지지 모듈(210) 및 처리액 회수 모듈(220)을 동시에 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 모듈(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 모듈(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.
분사 모듈(240)은 기판(W) 처리시 기판(W) 상에 기판 처리액을 공급하는 것이다. 이러한 분사 모듈(240)은 기판 처리 유닛(120) 내에 적어도 하나 설치될 수 있다. 분사 모듈(240)이 기판 처리 유닛(120) 내에 복수 개 설치되는 경우, 각각의 분사 모듈(240)은 서로 다른 기판 처리액을 기판(W) 상에 분사할 수 있다.
분사 모듈(240)은 노즐(241), 노즐 지지부(242), 제2 지지축(243) 및 제2 구동부(244)를 포함하여 구성될 수 있다.
노즐(241)은 노즐 지지부(242)의 단부에 설치되는 것이다. 이러한 노즐(241)은 제2 구동부(244)에 의해 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.
상기에서, 공정 위치는 기판(W)의 상위 영역을 말하며, 대기 위치는 공정 위치를 제외한 나머지 영역을 말한다. 노즐(241)은, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출하는 경우, 공정 위치로 이동될 수 있으며, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출한 후, 공정 위치를 벗어나 대기 위치로 이동될 수 있다.
노즐 지지부(242)는 노즐(241)을 지지하는 것이다. 이러한 노즐 지지부(242)는 스핀 헤드(211)의 길이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 노즐 지지부(242)는 그 길이 방향이 제2 방향(20)을 따라 제공될 수 있다.
노즐 지지부(242)는 노즐 지지부(242)의 길이 방향에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 제2 지지축(243)과 결합될 수 있다. 제2 지지축(243)은 스핀 헤드(211)의 높이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 제2 지지축(243)은 그 길이 방향이 제3 방향(30)을 따라 제공될 수 있다.
제2 구동부(244)는 제2 지지축(243) 및 제2 지지축(243)과 연동되는 노즐 지지부(242)를 회전 및 승강시키는 것이다. 제2 구동부(244)의 이러한 기능에 따라, 노즐(241)은 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
기판 처리액 제공 장치(120)는 기판 처리 장치(110)에 기판 처리액을 제공하는 것이다. 기판 처리액 제공 장치(120)는 이를 위해 기판 처리 장치(110)의 분사 모듈(240)과 연결될 수 있으며, 제어 장치(130)의 제어에 따라 작동할 수 있다.
제어 장치(130)는 기판 처리 장치(110)의 작동을 제어하는 것이다. 구체적으로, 제어 장치(130)는 기판 지지 모듈(210)의 회전 구동부(213), 승강 모듈(230)의 제1 구동부(233) 및 분사 모듈(240)의 제2 구동부(244)의 작동을 제어할 수 있다.
제어 장치(130)는 프로세스 컨트롤러, 제어 프로그램, 입력 모듈, 출력 모듈(또는 표시 모듈), 메모리 모듈 등을 포함하여 컴퓨터나 서버 등으로 구현될 수 있다. 상기에서, 프로세스 컨트롤러는 기판 처리 장치(110)를 구성하는 각각의 구성에 대해 제어 기능을 실행하는 마이크로 프로세서를 포함할 수 있으며, 제어 프로그램은 프로세스 컨트롤러의 제어에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행할 수 있다. 메모리 모듈은 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉, 처리 레시피가 저장되는 것이다.
한편, 제어 장치(130)는 필요시 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 기판 처리 장치(110)로 기판 처리액이 공급될 수 있도록 기판 처리액 제공 장치(120)의 작동도 제어할 수 있다.
현상 공정에서는 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 상에 기판 처리액(즉, 현상액)을 제공하여 기판(W) 상에 액막이 형성되게 할 수 있다. 이때, 액막의 원활한 형성을 위해 스핀 헤드(211)는 기판(W)을 저속 회전시킬 수 있다.
그런데 기판 처리액이 일정하게 계속적으로 공급되고 있는 상황에서 기판(W)의 회전 속도가 감소하게 되면, 기판 처리액이 기판(W)의 중심부에서 외측 방향으로 이동하지 못하고 기판(W)의 중심부에 축적된다. 그러면 기판(W) 상에 액막의 두께가 불균일하게 형성되는 문제가 발생할 수 있다. 즉, 퍼들 공정(Puddle Process) 전에 액막의 두께가 고르게 유지되어야 하는데, 저(低) RPM 구간에서 DEV(Development) 센터(Center) 디스펜스(Dispense)시 타력에 의해 기판 처리액이 스핀 아웃(Spin Out)되며, 이에 따라 센터 언디벨로프(Center Undevelop) 현상이 발생할 수 있다. 또한, 상기 센터 언디벨로프 현상으로 인해 CD 레인지(CD Range)가 증가할 수 있다.
본 실시예에서는 기판(W) 상에 형성되는 액막의 두께를 일정하게 유지시키기 위해 기판(W)의 회전 속도에 따라 기판 처리액의 유량(또는 유속)을 제어하는 것을 특징으로 한다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 흐름에 따라 순차적으로 설명한 제1 예시도이다. 이하 설명은 도 3을 참조한다.
스핀 헤드(211) 상에 기판(W)이 안착되고, 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)에 의해 기판(W)이 위치 고정되면, 스핀 헤드(211)는 기판(W)을 고속 회전시킨다(S310). 스핀 헤드(211)는 예를 들어, 제1 속도(단위: RPM)로 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
이후, 분사 모듈(240)의 노즐(241)이 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 공급된 기판 처리액을 기판(W) 상에 토출한다(S320). 노즐(241)은 기판(W) 상의 중심부에 기판 처리액을 토출할 수 있으며, 이 경우 노즐(241)의 유량은 예를 들어, 제1 유량(단위: cc/min)일 수 있다.
상기에서, 노즐(241)은 스핀 헤드(211)가 기판(W)을 회전시키고 있을 때에 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출할 수 있다. 노즐(241)은 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 스핀 헤드(211)가 기판(W)을 회전시키고 있을 때에 기판(W)의 중심 영역(420) 상에 기판 처리액(410)을 제1 유량으로 토출할 수 있다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 예시도이다.
상기에서, 노즐(241)이 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출하는 경우, 스핀 헤드(211)는 그 이전(S310)과 동일한 속도로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 스핀 헤드(211)는 예를 들어, 제1 속도로 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
다시 도 3을 참조하여 설명한다.
이후, 소정의 시간이 경과한 후, 퍼들 공정(Puddle Process)을 위해 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 회전 속도를 감소시킬 수 있다(S330). 상기에서, 퍼들 공정은 기판(W)을 초저속(예를 들어, 10RPM 이하)으로 회전시키거나 회전시키지 않는 상황에서 기판(W) 상에 토출된 기판 처리액(현상액)이 표면장력을 이용하여 현상을 실행할 수 있도록 하는 공정을 말한다.
본 실시예에서는 앞서 설명한 바와 같이 기판(W)의 회전 속도에 따라 기판 처리액의 유량을 제어할 수 있다. 따라서 스핀 헤드(211)가 기판(W)의 회전 속도를 감소하게 되면, 노즐(241) 역시 기판 처리액의 유량을 감소시킨다(S340).
퍼들 공정을 위해, 스핀 헤드(211)는 기판(W)이 더이상 회전하지 않을 때까지 기판(W)의 회전 속도를 감소시킬 수 있다. 이 경우, 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 회전 속도가 0이 될 때까지 기판(W)의 회전 속도를 단계적으로 감소시킬 수 있다. 즉, 기판(W)의 회전 속도 감축을 N회 반복할 수 있다(여기서, N은 1 이상의 자연수). 예를 들어, 스핀 헤드(211)는 t1 시간 동안 제1 속도보다 느린 제2 속도로 기판(W)을 회전시키고, 이후 t2 시간 동안 제2 속도보다 느린 제3 속도로 기판(W)을 회전시키고, 이후 t3 시간 동안 기판(W)을 회전시키지 않을 수 있다.
상기에서, t1, t2 및 t3는 모두 같지 않은 시간일 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. t1, t2 및 t3는 모두 같은 시간이거나, 몇몇은 같고 다른 몇몇은 다를 수도 있다.
기판(W)의 회전 속도가 상기와 같이 단계적으로 감축되는 경우, 기판 처리액의 유량도 기판(W)의 회전 속도와 마찬가지로 단계적으로 감축될 수 있다. 즉, 기판(W)의 회전 속도가 감축될 때마다 기판 처리액의 유량도 감축될 수 있다. 예를 들어, 스핀 헤드(211)가 t1 시간 동안 제2 속도로 기판(W)을 회전시키면 노즐(241)은 제1 유량보다 적은 제2 유량으로 기판 처리액을 공급하고, 이후 스핀 헤드(211)가 t2 시간 동안 제3 속도로 기판(W)을 회전시키면 노즐(241)은 제2 유량보다 적은 제3 유량으로 기판 처리액을 공급하고, 이후 t3 시간 동안 스핀 헤드(211)가 기판(W)을 회전시키지 않으면 노즐(241)은 제3 유량보다 적은 제4 유량으로 기판 처리액을 공급할 수 있다.
퍼들 공정 즉, t3 시간 동안 스핀 헤드(211)가 기판(W)을 회전시키지 않고, 노즐(241)이 제3 유량으로 기판 처리액을 기판(W) 상에 제공하여 기판(W)을 처리하기까지의 과정이 완료되면, 기판(W)을 세정하는 작업이 수행될 수 있다. 이 경우, 스핀 헤드(211)는 기판(W)을 회전시키며, 노즐(241)은 기판(W) 상에 린스액(예를 들어, DI(Deionized) Water)을 제공한다(S350).
상기에서, 린스액을 사용하여 기판(W)을 세정 처리하는 경우, 스핀 헤드(211)는 제4 속도로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 여기서, 제4 속도는 제1 속도보다 빠른 속도일 수 있다.
또한, 스핀 헤드(211)는 기판(W)을 세정 처리하는 동안 기판(W)의 회전 속도를 증가시킬 수 있다. 즉, 스핀 헤드(211)는 N회 반복하여 기판(W)의 회전 속도를 단계적으로 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 스핀 헤드(211)는 t4 시간 동안 제4 속도로 기판(W)을 회전시키고, 이후 t5 시간 동안 제4 속도보다 빠른 제5 속도로 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
상기에서, t4 및 t5는 서로 다른 값일 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. t4 및 t5는 서로 같은 값일 수도 있다.
한편, 린스액을 사용하여 기판(W)을 세정 처리한 후에는, 기판(W)을 건조시키는 공정이 수행될 수 있다(S360). 기판(W)을 건조시키는 경우, 스핀 헤드(211)는 기판(W)을 회전시킬 수 있으나, 본 실시예에서는 기판(W)을 회전시키지 않을 수도 있다.
이상 도 3을 참조하여 설명한 기판 처리 공정에서는 기판(W)의 회전 속도를 감소시키고 기판 처리액의 유량을 감소시키면서 기판(W)을 처리한 후(S310 ~ S340), 이어서 세정 공정(S350)과 건조 공정(S360)을 차례대로 수행하였다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(W)의 회전 속도를 다시 증가시키고 기판 처리액의 유량을 증가시키면서 기판(W)을 재차 처리하는 것도 가능하다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
품질이 우수한 반도체 소자를 제조하기 위해서는 현상 공정에서 원하는 두께의 액막이 기판(W) 상에 형성될 필요가 있다. 본 실시예에서는 기판(W) 상에 형성된 액막의 두께가 기준값 미만인 경우, 기판(W)의 처리 과정을 다시 반복할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 흐름에 따라 순차적으로 설명한 제2 예시도이다. 이하 설명은 도 5를 참조한다.
기판(W)이 스핀 헤드(211) 상에 안착된 후 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)에 의해 기판(W)이 위치 고정되면, 스핀 헤드(211)는 기판(W)을 고속 회전시킨다(S510).
이후, 분사 모듈(240)의 노즐(241)이 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 공급된 기판 처리액을 기판(W) 상에 토출한다(S520).
소정의 시간이 경과한 후, 스핀 헤드(211)는 기판(W) 상에 액막이 형성될 수 있도록 N회에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도를 단계적으로 감소시키며(S530), 이 경우 노즐(241)도 N회에 걸쳐 기판(W) 상에 공급하는 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시킨다(S540). 상기 과정(S530 및 S540)은 기판(W)이 회전하지 않을 때까지 계속될 수 있으며, 기판(W)이 초저속(예를 들어, 10RPM 이하)으로 회전할 때까지 계속되는 것도 가능하다.
이후, 기판(W) 상에 형성된 액막의 두께를 측정하고, 액막의 두께가 기준값 이상인지 여부를 판별한다(S550). 상기 판별 결과에 따라 액막의 두께가 기준값 이상이면, 린스액을 이용한 세정 공정(S580) 및 건조 공정(S590)을 차례대로 수행한다.
반면, 액막의 두께가 기준값 미만인 것으로 판별되면, 스핀 헤드(211)를 이용하여 기판(W)의 회전 속도를 증가시키고, 노즐(241)을 이용하여 기판(W) 상에 공급되는 기판 처리액의 유량도 증가시킨다(S560).
스핀 헤드(211)는 기판(W)의 회전 속도를 증가시키는 경우, 기판(W)의 회전 속도가 제2 속도와 동일한 값을 가지도록 증가시킬 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 회전 속도가 제2 속도보다 큰 값을 가지도록 증가시킬 수 있으며, 기판(W)의 회전 속도가 제2 속도보다 작은 값을 가지도록 증가시키는 것도 가능하다.
마찬가지로, 노즐(241)은 기판 처리액의 유량을 증가시키는 경우, 기판 처리액의 유량이 제2 유량과 동일한 값을 가지도록 증가시킬 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 노즐(241)은 기판 처리액의 유량이 제2 유량보다 큰 값을 가지도록 증가시킬 수 있으며, 기판 처리액의 유량이 제2 유량보다 작은 값을 가지도록 증가시키는 것도 가능하다.
스핀 헤드(211)는 기판(W)의 회전 속도를 증가시킨 후, 앞서 S330 단계 및 S340 단계를 통해 설명한 바와 같이 N회에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도를 단계적으로 감소시킬 수 있다. 이 경우, 기판(W)의 회전 속도가 0이 될 때까지 기판(W)의 회전 속도가 단계적으로 감소됨은 물론이다.
마찬가지로, 노즐(241)은 기판 처리액의 유량을 증가시킨 후, 앞서 S330 단계 및 S340 단계를 통해 설명한 바와 같이 N회에 걸쳐 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시킬 수 있다(이상 S570).
한편, S570 단계 이후에는 S550 단계가 다시 수행될 수 있으며, 그 결과에 따라 S560 단계 및 S570 단계가 다시 수행되거나, S580 단계 및 S590 단계가 이어서 수행될 수도 있다.
한편, 본 실시예에서는 액막의 두께에 따라 기판 처리액을 이용한 기판 처리 과정을 반복적으로 수행하지 않고, 공정 횟수에 따라 기판 처리액을 이용한 기판 처리 과정을 반복적으로 수행하는 것도 가능하다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 흐름에 따라 순차적으로 설명한 제3 예시도이다. 이하 설명은 도 3을 참조한다.
기판(W)이 스핀 헤드(211) 상에 안착된 후 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)에 의해 기판(W)이 위치 고정되면, 스핀 헤드(211)는 기판(W)을 고속 회전시킨다(S610).
이후, 분사 모듈(240)의 노즐(241)이 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 공급된 기판 처리액을 기판(W) 상에 토출한다(S620).
소정의 시간이 경과한 후, 스핀 헤드(211)는 기판(W) 상에 액막이 형성될 수 있도록 N회에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도를 단계적으로 감소시키며(S630), 이 경우 노즐(241)도 N회에 걸쳐 기판(W) 상에 공급하는 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시킨다(S640). 상기 과정(S630 및 S640)은 기판(W)이 회전하지 않을 때까지 계속될 수 있으며, 기판(W)이 초저속(예를 들어, 10RPM 이하)으로 회전할 때까지 계속되는 것도 가능하다.
이후, 상기 과정(S630 및 S640)이 K회 이상 수행되었는지 여부를 판별한다(S650). 상기 판별 결과에 따라 상기 과정(S630 및 S640)이 K회 이상 수행된 것으로 판별되면, 린스액을 이용한 세정 공정(S680) 및 건조 공정(S690)을 차례대로 수행한다.
반면, 상기 과정(S630 및 S640)이 K회 이상 수행되지 않은 것으로 판별되면, 스핀 헤드(211)를 이용하여 기판(W)의 회전 속도를 증가시키고, 노즐(241)을 이용하여 기판(W) 상에 공급되는 기판 처리액의 유량도 증가시킨다(S660).
스핀 헤드(211)는 기판(W)의 회전 속도를 증가시키는 경우, 기판(W)의 회전 속도가 제2 속도와 동일한 값을 가지도록 증가시킬 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 회전 속도가 제2 속도보다 큰 값을 가지도록 증가시킬 수 있으며, 기판(W)의 회전 속도가 제2 속도보다 작은 값을 가지도록 증가시키는 것도 가능하다.
마찬가지로, 노즐(241)은 기판 처리액의 유량을 증가시키는 경우, 기판 처리액의 유량이 제2 유량과 동일한 값을 가지도록 증가시킬 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 노즐(241)은 기판 처리액의 유량이 제2 유량보다 큰 값을 가지도록 증가시킬 수 있으며, 기판 처리액의 유량이 제2 유량보다 작은 값을 가지도록 증가시키는 것도 가능하다.
스핀 헤드(211)는 기판(W)의 회전 속도를 증가시킨 후, 앞서 S330 단계 및 S340 단계를 통해 설명한 바와 같이 N회에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도를 단계적으로 감소시킬 수 있다. 이 경우, 기판(W)의 회전 속도가 0이 될 때까지 기판(W)의 회전 속도가 단계적으로 감소됨은 물론이다.
마찬가지로, 노즐(241)은 기판 처리액의 유량을 증가시킨 후, 앞서 S330 단계 및 S340 단계를 통해 설명한 바와 같이 N회에 걸쳐 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시킬 수 있다(이상 S670).
한편, S670 단계 이후에는 S650 단계가 다시 수행될 수 있으며, 그 결과에 따라 S660 단계 및 S670 단계가 다시 수행되거나, S680 단계 및 S690 단계가 이어서 수행될 수도 있다.
이상 도 1 내지 도 6을 참조하여 기판 처리 장치(110) 및 기판 처리 방법에 대하여 설명하였다. 본 발명은 고점도 Bump CD 개선 Recipe에 관한 것이다. 본 발명은 저 RPM 구간에서 유량을 선택적으로 가변 적용하여 토출 유속을 낮추는 것을 목적으로 하며, 이에 따라 Center 액막 두께를 높이고 Puddle 형성시 Center Undevelop 현상을 개선하는 효과를 얻을 수 있다.
Puddle(0 RPM ) 구간 전 고른 액막 두께가 유지되어야 하나 고(高) RPM에서 저(低) RPM으로 가변하는 구간에서 원심력에 의해 Center로 모이는 현상액을 지속 동일한 토출 유속으로 인해 Center에 수막이 원하는 두께만큼 쌓이지 못하여 Center Undevelop 현상이 발생하며, 수력 도약 전후 불연속성이 증가하는 현상이 발생한다.
h ~ rin 2q-1/2 = rin 2(πrin 2u)-1/2 ~ rin/(u1/2)
상기 수학식에 따르면, 수력 도약 직전 지점에서의 액막의 Center 영역의 두께(h)는 노즐 반경(rin)에 비례하고 노즐 토출 유속(u)의 1/2승에 반비례함을 알 수 있다.
따라서 본 발명에서는 상기에서 언급한 문제를 해결하기 위해 고 RPM DEV 토출 ~ 저 RPM Puddle 형성전에 유량 가변을 적용할 수 있다. 즉, Puddle 형성 전에 저 RPM 구간에서의 가변 적용으로 토출 유속을 감소시킬 수 있으며, 토출 유속에 비례하여 Center 액막 두께를 높이고 이에 따라 Center Undevelop 현상을 개선하는 효과를 얻을 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 처리 시스템 110: 기판 처리 장치
120: 기판 처리액 제공 장치 130: 제어 장치
210: 기판 지지 모듈 211: 스핀 헤드
212: 회전축 213: 회전 구동부
220: 처리액 회수 모듈 230: 승강 모듈
240: 분사 모듈 241: 노즐
410: 기판 처리액 420: 기판의 중심 영역

Claims (10)

  1. 기판을 제1 속도로 회전시키는 단계;
    상기 기판 상에 제1 유량으로 기판 처리액을 제공하는 단계;
    상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 기판 처리액의 유량을 제어하면서 상기 기판을 처리하는 단계;
    상기 기판을 세정하는 단계; 및
    상기 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리하는 단계는 상기 기판의 회전 속도를 단계적으로 감소시키며, 상기 기판의 회전 속도에 대응하여 상기 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시켜 상기 기판을 처리하는 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리하는 단계는 상기 기판이 더이상 회전하지 않을 때까지 상기 기판의 회전 속도를 단계적으로 감소시키는 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리액에 의해 상기 기판 상에 형성된 액막의 두께가 기준값 이상인지 여부를 판별하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 액막의 두께가 기준값 이상인 것으로 판별되면, 상기 세정하는 단계와 상기 건조시키는 단계를 차례대로 수행하고,
    상기 액막의 두께가 기준값 미만인 것으로 판별되면, 상기 기판의 회전 속도와 상기 기판 처리액의 유량을 변경하여 상기 기판을 재처리하는 단계를 수행하는 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 재처리하는 단계는 상기 기판의 회전 속도와 상기 기판 처리액의 유량을 증가시켜 상기 기판을 재처리하는 기판 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 재처리하는 단계는 일정 시간이 경과한 후, 상기 기판의 회전 속도를 단계적으로 감소시키며, 상기 기판의 회전 속도에 대응하여 상기 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시켜 상기 기판을 재처리하는 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은 현상 공정에 적용되는 기판 처리 방법.
  9. 기판을 지지하며, 스핀 헤드를 이용하여 상기 기판을 회전시키는 기판 지지 모듈;
    상기 기판을 처리하는 데에 이용된 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 모듈;
    상기 기판 지지 모듈을 승강시키는 승강 모듈; 및
    노즐을 포함하며, 상기 노즐을 통해 상기 기판 처리액을 상기 기판 상에 제공하는 분사 모듈을 포함하며,
    상기 기판을 처리하는 경우, 상기 노즐은 상기 기판의 회전 속도에 따라 상기 기판 처리액의 유량을 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 스핀 헤드는 상기 기판의 회전 속도를 단계적으로 감소시키며,
    상기 노즐은 상기 기판의 회전 속도에 대응하여 상기 기판 처리액의 유량을 단계적으로 감소시키는 기판 처리 장치.
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