KR20230036155A

KR20230036155A - 탄성파 장치

Info

Publication number: KR20230036155A
Application number: KR1020237005531A
Authority: KR
Inventors: 카츠야 다이몬
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2020-09-03
Filing date: 2021-08-31
Publication date: 2023-03-14
Also published as: WO2022050260A1; CN115989637A; JPWO2022050260A1; US20230208391A1

Abstract

대역 외 스퓨리어스를 억제할 수 있는 탄성파 장치를 제공한다. 지지 기판(2)과, 지지 기판(2) 상에 마련된 압전막(5)과, 압전막(5) 상에 마련된 IDT 전극(6)을 포함하고, 압전막(5)의 막 두께가 IDT 전극(6)의 전극지의 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ로 했을 때에 1λ 이하이며, 압전막(5)이, 압전막(5)의 두께방향에서 제1 영역(5a)과 제2 영역(5b)을 가지며, 제1 영역(5a)에서의 밀도인 제1 밀도와 제2 영역(5b)에서의 밀도인 제2 밀도가 다른 탄성파 장치(1).

Description

탄성파 장치

본 발명은 탄성파 공진자나 탄성파 필터에 이용되는 탄성파 장치에 관한 것이다.

하기의 특허문헌 1에는 LiTaO₃로 이루어지는 압전막을 가지는 탄성파 장치가 개시되어 있다. 이 탄성파 장치에서는 고음속 지지 기판 상에 저음속막 및 압전막이 적층되어 있다. 압전막 상에 IDT 전극이 마련되어 있다. 상기 구조에서 ITD 전극의 전극 주기로 정해지는 파장을 λ로 했을 때에, 압전막의 막 두께가 0.05λ~0.5λ의 범위로 되어 있다. 그로써, Q값을 높일 수 있다고 되어 있다.

일본 공개특허공보 특개2015-73331호

특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치와 같이, 탄성 표면파를 이용하면서 압전막의 막 두께가 비교적 얇은 경우, 대역 밖에 스퓨리어스(spurious)가 생기는 경우가 있었다. 이 탄성파 장치를 대역 통과형 탄성파 필터에 이용한 경우, 필터 특성이 열화(劣化)되는 경우가 있었다.

본 발명의 목적은 대역 외 스퓨리어스를 억제할 수 있는 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.

본원의 제1 발명은 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 마련된 압전막과, 상기 압전막 상에 마련된 IDT 전극을 포함하고, 상기 압전막의 막 두께가, 상기 IDT 전극의 전극지(電極指)의 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ로 했을 때에 1λ 이하이며, 상기 압전막이, 상기 압전막의 두께방향에서 제1 영역과 제2 영역을 가지며, 상기 제1 영역에서의 밀도를 제1 밀도, 상기 제2 영역에서의 밀도를 제2 밀도로 한 경우, 상기 제1 밀도와 상기 제2 밀도가 다른 탄성파 장치이다.

본원의 제2 발명은 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 마련된 압전막과, 상기 압전막 상에 마련된 IDT 전극을 포함하고, 상기 압전막의 막 두께가, 상기 IDT 전극의 전극지(電極指)의 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ로 했을 때에 1λ 이하이며, 상기 압전막이 제1 압전막과, 상기 제1 압전막과 직접 또는 간접적으로 적층된 제2 압전막을 가지며, 상기 제1 압전막과 상기 제2 압전막이 동일계의 압전 재료로 이루어지고, 상기 제1 압전막의 밀도를 제1 밀도, 상기 제2 압전막의 밀도를 제2 밀도로 한 경우, 상기 제1 밀도와 상기 제2 밀도가 다른 탄성파 장치이다.

제1, 제2 발명(이하, 본 발명이라고 총칭함)에 따르면, 대역 외 스퓨리어스를 억제할 수 있는 탄성파 장치를 제공할 수 있다.

도 1(a) 및 도 1(b)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면 단면도 및 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치에서의, IDT 전극의 전극지 피치(P)와 파장(λ)을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 압전막의 구조를 설명하기 위한 정면 단면도이다.
도 4는 실시예 1 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 실시예 2 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 6은 실시예 3 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 타원(A)으로 나타내진 부분을 확대해서 나타내는 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시예 4 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8의 타원(B)으로 나타내진 부분을 확대하여 나타내는 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 제1 영역의 두께와, 고차 모드의 위상의 관계를 나타내는 도면이다.
도 11은 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치에서의 압전막의 정면 단면도이다.
도 12는 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치에서의 압전막의 정면 단면도이다.
도 13은 본 발명의 탄성파 장치의 변형예를 설명하기 위한 정면 단면도이다.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써, 본 발명을 분명하게 한다.

한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.

도 1(a)는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면 단면도이며, 도 1(b)는 그의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.

탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)을 가진다. 지지 기판(2) 상에 고음속 재료층(3), 저음속 재료층(4) 및 압전막(5)이 이 순서대로 적층되어 있다. 즉, 지지 기판(2) 상에 간접적으로 압전막(5)이 마련되어 있다. 압전막(5) 상에 IDT 전극(6) 및 반사기(7, 8)가 마련되어 있다. 한편, 압전막(5), IDT 전극(6) 및 반사기(7, 8)를 덮도록, 산화규소 등으로 이루어지는 보호막이 마련되어도 된다.

도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 반사기(7, 8)가 IDT 전극(6)의 탄성파 전파 방향 양측에 마련되어 있다. 그로써, 1포트형 탄성파 공진자인 탄성 표면파 장치가 구성된다. IDT 전극(6)에서는 복수개의 제1 전극지(6a)와 복수개의 제2 전극지(6b)가 맞물려 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 전극지(6a)와 제2 전극지(6b)의 중심간 거리가 전극지 피치(P)이다. 그리고 이 제1, 제2 전극지(6a, 6b)의 배치 주기에 의해 정해지는 탄성파의 파장(λ)은 λ=2P가 된다.

지지 기판(2)은 실리콘이나 알루미나, 수정 등의 적절한 절연성 재료 혹은 반도체 재료로 이루어진다.

고음속 재료층(3)은 전파하는 벌크파의 음속이 압전막(5)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 높은 고음속 재료로 이루어진다. 고음속 재료로는 특별히 한정되지 않는데, 실리콘, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 사파이어, 탄탈산리튬, 니오브산리튬, 수정, 알루미나, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포스테라이트, 마그네시아, DLC(다이아몬드 라이크 카본; diamond-like carbon)막 또는 다이아몬드, 상기 재료를 주성분으로 하는 재료를 들 수 있다. 또한, 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화규소 및 DLC로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종이 알맞게 사용된다.

저음속 재료층(4)은 전파하는 벌크파의 음속이 압전막(5)을 전파하는 벌크파의 음속보다도 낮은 저음속 재료로 이루어진다. 저음속 재료로는 특별히 한정되지 않는데, 산화규소, 산질화규소, 산화탄탈 혹은 유리, 또는 산화규소에 불소, 탄소 혹은 붕소를 첨가한 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 저음속 재료는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 것이어도 된다.

본 실시형태에서는 고음속 재료층(3)은 질화규소로 이루어지고, 저음속 재료층(4)은 산화규소로 이루어진다.

압전막(5)은 LiTaO₃로 이루어진다. 다만, 압전막(5)은 탄탈산리튬 이외의 압전 재료, 예를 들면 니오브산리튬으로 이루어지는 것이어도 된다.

IDT 전극(6) 및 반사기(7, 8)는 적절한 금속 혹은 합금으로 이루어진다. IDT 전극(6) 및 반사기(7, 8)는 복수개의 금속막의 적층체에 의해 구성되어도 된다.

탄성파 장치(1)의 특징은 도 1(a) 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 압전막(5)이 두께방향에서 제1 영역(5a)과 제2 영역(5b)을 가지는 것에 있다. 제2 영역(5b)이 IDT 전극(6) 측에 위치한다.

제1 영역(5a)과 제2 영역(5b)은 밀도가 다르다. 즉, 제1 영역(5a)의 밀도를 제1 밀도, 제2 영역(5b)의 밀도를 제2 밀도로 한 경우, 제1 밀도와 제2 밀도가 다르다. 밀도가 다른 제1 영역(5a) 및 제2 영역(5b)은 예를 들면, 압전막(5)에 수소 이온 등을 이온 주입함으로써, 이온이 주입된 영역의 밀도를 조정하는 것에 의해 형성할 수 있다. 혹은 제1 영역(5a)을 성막한 후에 제2 영역(5b)을 성막해도 된다. 이 성막 조건을 다르게 함으로써, 제1 밀도와 제2 밀도를 다르게 할 수 있다. 본 실시형태에서는 제1 밀도가 제2 밀도보다도 높다.

한편, 압전막(5)의 제1, 제2 영역(5a, 5b)의 밀도는 X선을 이용하여 얻어지는 격자 간 맵으로부터 격자 간 거리의 변화에 의해 얻는 방법이나, 압전막(5)의 절단면 사진으로부터 색이 연한 즉 밀도가 낮은 부분의 비율을 구하고 단결정의 사진과 대비함으로써 구할 수 있다.

탄성파 장치(1)에서는 상기 밀도가 다른 제1, 제2 영역(5a, 5b)을 가지기 때문에, 대역 외 스퓨리어스를 저감할 수 있다. 이는, 상대적으로 밀도가 낮은 제2 영역(5b)에 의해 고차 모드가 누설 모드가 되어, 대역 외 스퓨리어스를 저감시키기 때문으로 생각된다. 한편, 상대적으로 밀도가 높은 제1 영역(5a)의 존재에 의해, 공진 주파수의 2.2배 부근에 발생하는 스퓨리어스가 분할된다. 그 때문에, 스퓨리어스 각각의 강도를 약화시킬 수 있고, 그로써도 대역 외 스퓨리어스를 저감시킬 수 있다.

또한, 제1 영역(5a) 및 제2 영역(5b) 중 한쪽이, 예를 들면 압전 단결정의 이론밀도인 것이 바람직하다. 예를 들면, LiTaO₃ 단결정의 경우 이론밀도는 7.454×10³(㎏/㎥)이다. 이 경우, IDT 전극(6)이 마련되는 제2 영역(5b)이, 이 이론밀도인 것이 바람직하다. 그 경우에는 양호한 압전 특성이 얻어진다.

다만, 제1 영역(5a)의 밀도 및 제2 영역(5b)의 밀도는 모두 이론밀도보다도 높아도 되고, 낮아도 된다.

상기 탄성파 장치(1)의 효과를, 이하의 실시예 1~4를 설명함으로써 분명하게 한다.

실시예 1을 이하의 설계 파라미터에 의해 구성했다.

지지 기판(2): (111면)의 실리콘 기판, ψ=46°

고음속 재료층(3): SiN막, 막 두께는 300㎚

저음속 재료층(4): SiO₂막, 막 두께는 300㎚

압전막(5): 55°Y컷의 LiTaO₃. 제1 영역(5a)의 막 두께=200㎚, 제2 영역(5b)의 막 두께=200㎚

제1 영역(5a)의 밀도=7.454×10³(㎏/㎥), 한편, 이 값은 LiTaO₃의 이론밀도와 동일하다.

제2 영역(5b)의 밀도=제1 영역(5a)의 밀도의 0.8배로 했다. 따라서, 제1 밀도＞제2 밀도이다.

IDT 전극(6) 및 반사기(7, 8): 압전막(5) 측으로부터 두께 12㎚의 Ti막, 100㎚막의 AlCu막 및 두께 4㎚의 Ti막의 적층체.

보호막으로서 두께 35㎚의 산화규소막을, IDT 전극(6) 및 반사기(7, 8)를 덮도록 마련했다.

IDT 전극(6)의 전극지 피치(P)로 정해지는 파장(λ)=2㎛, 듀티는 0.5로 했다.

비교를 위해, 두께 400㎚의 밀도 7.454×10³(㎏/㎥)의 LiTaO₃막을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 1의 탄성파 장치를 구성했다.

도 4는 상기 실시예 1 및 비교예 1의 탄성파 장치의 위상-주파수 특성을 나타낸다. 실선이 실시예 1의 결과를 나타내고, 파선이 비교예 1의 결과를 나타낸다.

상기 실시예 1 및 비교예 1의 탄성파 장치에서는 공진 주파수와 반공진 주파수 사이의 대역이 2000㎒ 부근에 존재한다. 그리고 비교예 1에서는 고차 모드에 기인한다고 생각되는 대역 외 스퓨리어스가 4600㎒ 부근에서 크게 나타나 있다. 한편, 실시예 1에서는 이 큰 스퓨리어스가 억압되어 있는 것을 알 수 있다. 이는, 압전막(5)이 상기 밀도가 다른 제1, 제2 영역(5a, 5b)을 가짐으로써, 고차 모드가 누설 모드로서 방출되었기 때문으로 생각된다.

(실시예 2)

실시예 2로서, 이하의 설계 파라미터의 탄성파 장치를 구성했다.

지지 기판(2): (111면)의 실리콘 기판, ψ=46°

고음속 재료층(3): SiN막, 막 두께는 300㎚

저음속 재료층(4): SiO₂막, 막 두께는 300㎚

제1 영역(5a)의 밀도=제2 영역(5b)의 밀도의 0.8배로 했다.

제2 영역(5b)의 밀도=7.454×10³(㎏/㎥)

실시예 2에서는 제2 영역(5b)의 밀도를 7.454×10³(㎏/㎥)로 하고, 제1 영역(5a)의 밀도를 제2 영역(5b)의 밀도의 0.8배로 했다. 따라서, 제1 밀도<제2 밀도이다. 그 밖의 구성은 실시예 2는 실시예 1과 마찬가지로 했다.

도 5는 실시예 2 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타낸다. 파선이 비교예 1의 결과를, 실선이 실시예 2의 결과를 나타낸다.

도 5로부터 분명한 바와 같이, 실시예 2에서도 4600㎒ 부근에서의 고차 모드에 의한다고 생각되는 스퓨리어스를 효과적으로 억압하는 것이 가능하다.

(실시예 3)

압전막(5)에서 제2 영역(5b)의 제2 밀도를 제1 영역(5a)의 제1 밀도의 1.1배로 했다. 그 밖의 구성은 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3의 탄성파 장치를 구성했다. 따라서, 실시예 3에서는 제1 밀도<제2 밀도가 된다.

도 6은 실시예 3 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내는 도면이다. 또한, 도 7은 도 6의 타원(A)으로 나타내는 부분을 확대하여 나타내는 위상-주파수 특성도이다. 파선이 비교예 1의 결과를, 실선이 실시예 3의 결과를 나타낸다.

도 6 및 도 7로부터 분명한 바와 같이, 4500㎒~4600㎒ 부근에서 비교예 1에서는 큰 스퓨리어스가 나타나 있음에 반해, 실시예 3에서는 2개의 스퓨리어스로 분할되어 있기 때문에, 가장 큰 스퓨리어스의 강도가 비교예 1에 비해 작은 것을 알 수 있다. 따라서, 실시예 3에서도 비교예 1에 비해 대역 외 스퓨리어스를 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.

(실시예 4)

제2 영역(5b)의 밀도를 7.454×10³(㎏/㎥)로 하고, 제1 영역(5a)의 밀도를 제2 영역(5b)의 밀도의 1.1배로 했다. 즉, 제1 밀도＞제2 밀도이다.

그 밖의 구조는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 탄성파 장치를 구성했다.

도 8은 실시예 4 및 비교예 1의 위상-주파수 특성을 나타내고, 도 9는 도 8의 타원(B)으로 나타내는 부분을 확대해서 나타내는 위상-주파수 특성도이다.

도 8 및 도 9로부터 분명한 바와 같이, 실시예 4에서도 4400㎒~4600㎒ 부근에 나타나는 고차 모드에 의한 것으로 보이는 스퓨리어스가 2개로 분할되고, 그 강도가 작아져 있다. 따라서, 비교예 1에 비해, 고차 모드에 의한 대역 외 스퓨리어스를 효과적으로 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.

상기 실시예 1~실시예 4의 결과로부터 분명한 바와 같이, 탄성파 장치(1)에서는 압전막(5)이 밀도가 다른 제1 영역(5a)과 제2 영역(5b)을 가짐으로써, 고차 모드에 의한 것으로 보이는 대역 외 스퓨리어스를 억제할 수 있다.

(실시예 5)

실시예 5에서는 제1 영역(5a)의 밀도인 제1 밀도를 7.454×10³(㎏/㎥)로 하고, 제2 영역(5b)의 밀도인 제2 밀도를 제1 밀도의 0.8배로 했다. 그리고 제1 영역(5a)과 제2 영역(5b)의 합계 두께를 0.2λ=0.4㎛로 하고, 제1 영역(5a)의 두께를 0.05㎛~0.35㎛의 범위에서 0.05㎛씩 변화시켰다. 그 밖의 구성은 실시예 1과 마찬가지로 하여, 상기 제1 영역(5a)의 두께가 다른 복수개의 탄성파 장치를 구성했다.

도 10은 상기 실시예 5에서 제1 영역(5a)의 두께와, 얻어진 탄성파 장치에서의 고차 모드의 위상의 관계를 나타내는 도면이다.

도 10으로부터 분명한 바와 같이, 제1 영역(5a)의 두께가 두꺼워지면, 고차 모드의 스퓨리어스가 작아져 가는 것을 알 수 있다. 바람직하게는 제1 영역(5a)의 두께가 0.2㎛ 이상 즉, 0.1λ 이상이며, 그 경우 고차 모드를 보다 효과적으로 억제할 수 있다.

도 11은 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치에서의 압전막(5)을 나타내는 정면 단면도이다. 제2 실시형태에서는, 압전막(5)은 제1 압전막(5A)과 제2 압전막(5B)을 가진다. 이와 같이, 본 발명에서는 압전막(5)은 밀도가 다른 제1, 제2 영역(5a, 5b)을 가지는 것에 한정되지 않고, 제1 압전막(5A) 및 제2 압전막(5B)이 적층되어 있는 구조를 가져도 된다. 이 경우에도 제1 압전막(5A)의 밀도가 제1 밀도이며, 제2 압전막(5B)의 밀도가 제2 밀도이다. 그리고 제2 압전막(5B)은 IDT 전극 측에 위치한다.

한편, 제1 압전막(5A) 및 제2 압전막(5B)에서는, 양자는 동일계의 압전 재료로 이루어진다. 여기서, 동일계의 압전 재료란, 예를 들면 압전 단결정과, 상기 압전 단결정에 불순물을 첨가 혹은 도핑한 재료 등의 조합을 생각할 수 있다. 보다 구체적으로 한 예를 들면, 탄탈산리튬에 불순물을 도핑한 재료에 의해 제1 압전막(5A)을 구성하고, 제2 압전막(5B)으로서 탄탈산리튬을 사용한 예를 들 수 있다.

도 12는 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치에서의 압전막(5)을 설명하기 위한 정면 단면도이다. 제3 실시형태에서는 압전막(5)은 제1 압전막(5A)과 제2 압전막(5B)을 가진다. 그리고 제1 압전막(5A)은 제1 부분(5A1)과, 제1 부분(5A1) 상에 적층된 제2 부분(5A2)을 가진다. 제1 부분(5A1)이 상대적으로 밀도가 낮은 저밀도 영역이며, 제2 부분(5A2)이 상대적으로 제1 부분(5A1)보다도 밀도가 높은 고밀도 영역이다. 즉, 고밀도 영역인 제2 부분(5A2)과, 저밀도 영역인 제1 부분(5A1)이 제1 압전막(5A)의 두께방향을 따라 배치되어 있다. 이와 같이, 제1 압전막(5A)이 밀도가 다른 복수개의 영역을 가지는 것이어도 된다. 이와 같은 구조는 예를 들면, 제1 부분(5A1)을 성막한 후에 한쪽 면으로부터 이온 주입함으로써 제2 부분(5A2)을 마련하는 것에 의해 얻을 수 있다. 다만, 이와 같은 밀도가 다른 제1, 제2 부분(5A1, 5A2)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다.

또한, 도 12에서는 제1 압전막(5A)이 밀도가 다른 부분(5A1, 5A2)을 가지고 있었는데, 제2 압전막(5B) 측을 밀도가 다른 복수개의 부분을 가지도록 마련해도 된다. 또한 제1 압전막(5A) 및 제2 압전막(5B) 쌍방에, 밀도가 다른 복수개의 부분을 마련해도 된다. 또한 밀도가 다른 부분의 수는 3 이상이어도 된다.

또한, 압전막(5)은 제1 압전막과 제2 압전막의 적층체에 한정되지 않고, 제1 압전막과 제2 압전막 이외에 제3 압전막이 적층된 구조를 가져도 된다.

도 1에서는 지지 기판(2)과 압전막(5) 사이에 고음속 재료층(3) 및 저음속 재료층(4)이 적층되어 있었는데, 도 13에 나타내는 변형예와 같이 고음속 지지 기판(2A)과 압전막(5) 사이에 저음속 재료층(4)이 적층된 구조이어도 된다. 고음속 지지 기판(2A)은 상술한 고음속 재료로 이루어진다. 즉, 도 1에 나타내는 지지 기판(2)과 고음속 재료층(3)을 고음속 재료에 의해 일체화해도 된다.

1: 탄성파 장치
2: 지지 기판
2A: 고음속 지지 기판
3: 고음속 재료층
4: 저음속 재료층
5: 압전막
5a, 5b: 제1, 제2 영역
5A, 5B: 제1, 제2 압전막
5A1, 5A2: 제1, 제2 부분
6: IDT 전극
6a, 6b: 제1, 제2 전극지
7, 8: 반사기

Claims

지지 기판과,
상기 지지 기판 상에 마련된 압전막과,
상기 압전막 상에 마련된 IDT 전극을 포함하고,
상기 압전막의 막 두께가, 상기 IDT 전극의 전극지(電極指)의 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ로 했을 때에 1λ 이하이며,
상기 압전막이, 상기 압전막의 두께방향에서 제1 영역과 제2 영역을 가지며,
상기 제1 영역에서의 밀도를 제1 밀도, 상기 제2 영역에서의 밀도를 제2 밀도로 한 경우, 상기 제1 밀도와 상기 제2 밀도가 다른, 탄성파 장치.
지지 기판과,
상기 지지 기판 상에 마련된 압전막과,
상기 압전막 상에 마련된 IDT 전극을 포함하고,
상기 압전막의 막 두께가, 상기 IDT 전극의 전극지(電極指)의 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ로 했을 때에 1λ 이하이며,
상기 압전막이 제1 압전막과, 상기 제1 압전막과 직접 또는 간접적으로 적층된 제2 압전막을 가지며,
상기 제1 압전막과 상기 제2 압전막이 동일계의 압전 재료로 이루어지고,
상기 제1 압전막의 밀도를 제1 밀도, 상기 제2 압전막의 밀도를 제2 밀도로 한 경우, 상기 제1 밀도와 상기 제2 밀도가 다른, 탄성파 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 영역이 상기 제1 영역보다도 상기 IDT 전극 측에 가깝게 위치하거나, 상기 제2 압전막은 상기 제1 압전막보다도 상기 IDT 전극 측에 가깝게 위치하며,
상기 제1 밀도가 상기 제2 밀도보다도 낮은, 탄성파 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 영역이 상기 제1 영역보다도 상기 IDT 전극 측에 가깝게 위치하거나, 상기 제2 압전막은 상기 제1 압전막보다도 상기 IDT 전극 측에 가깝게 위치하며,
상기 제2 밀도가 상기 제1 밀도보다도 낮은, 탄성파 장치.
제2항에 있어서,
상기 제2 압전막은 상기 제1 압전막보다도 상기 IDT 전극 측에 가깝게 위치하고,
상기 제1 압전막의 막 두께가 상기 제2 압전막의 막 두께보다도 두꺼운, 탄성파 장치.
제2항 또는 제5항에 있어서,
상기 제1 또는 상기 제2 압전막이 상대적으로 밀도가 높은 고밀도 영역과 상대적으로 밀도가 낮은 저밀도 영역을 가지며, 상기 고밀도 영역과 상기 저밀도 영역이 상기 제1 또는 상기 제2 압전막의 두께방향을 따라 위치하는, 탄성파 장치.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 압전막이 탄탈산리튬으로 이루어지는, 탄성파 장치.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 밀도 및 상기 제2 밀도 중 한쪽이 7.454×10³(㎏/㎥)보다도 낮은, 탄성파 장치.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 밀도 및 상기 제2 밀도 중 한쪽이 7.454×10³(㎏/㎥)보다도 높은, 탄성파 장치.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 압전막이 니오브산리튬으로 이루어지는, 탄성파 장치.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 기판과 상기 압전막 사이에 적층되고, 상기 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 높은 고음속 재료로 이루어지는 고음속 재료층과,
상기 고음속 재료층과 상기 압전막 사이에 적층되고, 상기 압전막을 전파하는 벌크파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 낮은 저음속 재료로 이루어지는 저음속 재료층을 더 포함하는, 탄성파 장치.
제11항에 있어서,
상기 고음속 재료가 질화알루미늄, 산화알루미늄, 질화규소 및 DLC(diamond-like carbon)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 재료이며,
상기 저음속 재료가 산화규소인, 탄성파 장치.
제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 지지 기판과 상기 고음속 재료층이 상기 고음속 재료로 이루어지는 일체의 고음속 지지 기판인, 탄성파 장치.