KR20230019352A - 표시 장치 - Google Patents

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김상국
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Abstract

표시 장치는 제1 전원 라인, 제2 전원 라인, IC 영역, 인쇄회로기판 영역, 및 표시 패널을 포함할 수 있다. 상기 IC 영역은 상기 제1 전원 라인으로부터 제1 전원 전압을 수신하는 로직(logic) 블록, 상기 제2 전원 라인으로부터 제2 전원 전압을 수신하는 아날로그(analog) 블록, 상기 로직 블록과 연결되는 제1 IC 그라운드, 및 상기 아날로그 블록과 연결되는 제2 IC 그라운드를 포함할 수 있다. 상기 인쇄회로기판 영역은 상기 제1 IC 그라운드 및 상기 제2 IC 그라운드와 연결되는 인쇄회로기판 그라운드, 상기 제2 전원 라인과 연결된 제1 전극 및 상기 인쇄회로기판 그라운드와 연결된 제2 전극을 포함하는 과도 억제 다이오드, 및 상기 인쇄회로기판 그라운드 및 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 기판 스위치를 포함할 수 있다. 상기 표시 패널은 상기 IC 영역과 연결될 수 있다. 표시 장치는 정전기 방전(electro static discharge; ESD)으로 인하여 발생한 ESD 전류가 상기 로직 블록에 흘러 들어가지 않도록 함으로써, 로직 블록의 오 동작(soft fail)을 방지할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 정전기 방전(electro static discharge)으로 인하여 발생하는 표시 장치의 오동작(soft fail)을 방지하는 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 표시 장치는 표시 패널 및 표시 패널 구동부를 포함한다. 표시 패널은 게이트 라인들, 데이터 라인들 및 이들에 연결되는 화소들을 포함한다. 표시 패널 구동부는 게이트 라인들을 통해 화소들에 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부, 데이터 라인들을 통해 화소들에 데이터 신호를 제공하는 데이터 구동부 및 게이트 구동부와 데이터 구동부를 제어하는 구동 제어부를 포함한다.
표시 장치내의 IC들은 인쇄회로기판을 통하여 전기적 신호를 전달받을 수 있다. 인쇄회로기판의 그라운드에 정전기 방전(electro static discharge)으로 발생한 ESD 전류가 흐르는 경우, ESD 전류는 표시 장치내의 IC들에 흘러 들어갈 수 있다. 그 결과, IC들은 오 동작(soft fail)이 발생되는 문제가 생길 수 있다.
본 발명의 일 목적은 정전기 방전(electro static discharge; ESD)으로 인하여 발생한 ESD 전류가 로직(logic) 블록에 흘러 들어가지 않도록 스위칭 동작을 하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 전원 라인, 제2 전원 라인, IC 영역, 인쇄회로기판 영역, 및 표시 패널을 포함한다. 상기 IC 영역은 상기 제1 전원 라인으로부터 제1 전원 전압을 수신하는 로직(logic) 블록, 상기 제2 전원 라인으로부터 제2 전원 전압을 수신하는 아날로그(analog) 블록, 상기 로직 블록과 연결되는 제1 IC 그라운드, 및 상기 아날로그 블록과 연결되는 제2 IC 그라운드를 포함한다. 상기 인쇄회로기판 영역은 상기 제1 IC 그라운드 및 상기 제2 IC 그라운드와 연결되는 인쇄회로기판 그라운드, 상기 제2 전원 라인과 연결된 제1 전극 및 상기 인쇄회로기판 그라운드와 연결된 제2 전극을 포함하는 과도 억제 다이오드, 및 상기 인쇄회로기판 그라운드 및 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 기판 스위치를 포함한다. 상기 표시 패널은 상기 IC 영역과 연결된다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 스위치는 상기 과도 억제 다이오드의 상기 제1 전극의 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 인쇄회로기판 영역은 상기 검출 전압을 기초로 기판 조정 검출 전압을 생성하는 기판 스위치 컨트롤러를 더 포함하고, 상기 기판 스위치는 상기 기판 조정 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 IC 영역은 상기 로직 블록과 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 IC 스위치는 상기 과도 억제 다이오드의 상기 제1 전극의 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 IC 영역은 상기 검출 전압을 기초로 IC 조정 검출 전압을 생성하는 IC 스위치 컨트롤러를 더 포함하고, 상기 IC 스위치는 상기 IC 조정 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 전원 전압은 상기 제2 전원 전압보다 작을 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 전원 라인, 제2 전원 라인, IC 영역, 인쇄회로기판 영역, 및 표시 패널을 포함한다. IC 영역은 상기 제1 전원 라인으로부터 제1 전원 전압을 수신하는 로직(logic) 블록, 상기 제2 전원 라인으로부터 제2 전원 전압을 수신하는 아날로그(analog) 블록, 상기 로직 블록과 연결되는 제1 IC 그라운드, 및 상기 아날로그 블록과 연결되는 제2 IC 그라운드를 포함한다. 상기 인쇄회로기판 영역은 상기 제1 IC 그라운드 및 상기 제2 IC 그라운드와 연결되는 인쇄회로기판 그라운드, 및 상기 제2 전원 라인과 연결된 제1 전극 및 상기 인쇄회로기판 그라운드와 연결된 제2 전극을 포함하는 과도 억제 다이오드를 포함한다. 상기 표시 패널은 상기 IC 영역과 연결된다. 상기 IC 영역은 상기 로직 블록과 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 IC 스위치는 상기 과도 억제 다이오드의 상기 제1 전극의 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 IC 영역은 상기 검출 전압을 기초로 IC 조정 검출 전압을 생성하는 IC 스위치 컨트롤러를 더 포함하고, 상기 IC 스위치는 상기 IC 조정 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 전원 전압은 상기 제2 전원 전압보다 작을 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 전원 라인, 제2 전원 라인, IC 영역, 인쇄회로기판 영역, 및 표시 패널을 포함한다. 상기 IC 영역은 상기 제1 전원 라인으로부터 제1 전원 전압을 수신하는 로직(logic) 블록, 상기 제2 전원 라인으로부터 제2 전원 전압을 수신하는 아날로그(analog) 블록, 상기 로직 블록과 연결되는 제1 IC 그라운드, 및 상기 아날로그 블록과 연결되는 제2 IC 그라운드를 포함한다. 상기 인쇄회로기판 영역은 상기 제1 IC 그라운드 및 상기 제2 IC 그라운드와 연결되는 인쇄회로기판 그라운드, 상기 제2 전원 라인과 상기 인쇄회로기판 그라운드 사이에 배치되는 ESD 검출 회로, 및 상기 인쇄회로기판 그라운드 및 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 기판 스위치를 포함하는 인쇄회로기판 영역을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 ESD 검출 회로는 검출 저항 소자 및 상기 검출 저항 소자에 직렬로 연결되는 검출 커패시터 소자를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 스위치는 상기 ESD 검출 회로의 검출 신호를 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 인쇄회로기판 영역은 상기 검출 신호를 기초로 기판 조정 검출 신호를 생성하는 기판 스위치 컨트롤러를 더 포함하고, 상기 기판 스위치는 상기 기판 조정 검출 신호를 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 IC 영역은 상기 로직 블록과 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 IC 스위치는 상기 ESD 검출 회로의 검출 신호를 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 IC 영역은 상기 검출 신호를 기초로 IC 조정 검출 신호를 생성하는 IC 스위치 컨트롤러를 더 포함하고, 상기 IC 스위치는 상기 IC 조정 검출 신호를 기초로 상기 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 인쇄회로기판 영역은 상기 제2 전원 라인과 연결된 제1 전극 및 상기 인쇄회로기판 그라운드와 연결된 제2 전극을 포함하는 과도 억제 다이오드를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 전원 전압은 상기 제2 전원 전압보다 작을 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 정전기 방전(electro static discharge; ESD)으로 인하여 발생한 ESD 전류가 로직(logic) 블록에 흘러 들어가지 않도록 함으로써, 로직 블록의 오 동작(soft fail)을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 과도 억제 다이오드의 전극의 전압을 기초로 스위칭 동작을 함으로써, IC들의 영구적 손상(hard fail)을 방지함과 동시에 로직 블록의 오 동작을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 스위칭 동작의 타이밍(timing) 및 듀레이션(duration)을 조절함으로써, 로직 블록에 흘러 들어가는 ESD 전류를 더 적절하게 막을 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 스위치를 동작시키기 위한 전류를 저항을 통하여 조절함으로써, 스위치가 과전류로 인하여 파괴되는 것을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 IC 영역 및 인쇄회로기판 영역의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 제1 전원 전압 및 제2 전원 전압이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 ESD 전류가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 표시 장치의 기판 스위치 컨트롤러를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 8는 도 7의 표시 장치에 ESD 전류가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9의 표시 장치의 IC 스위치 컨트롤러를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 13은 도 12의 표시 장치에 제1 전원 전압 및 제2 전원 전압이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 14는 도 12의 표시 장치에 ESD 전류가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 17은 도 16의 표시 장치의 ESD 검출 회로의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 18은 도 16의 표시 장치에 제1 전원 전압 및 제2 전원 전압이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 19는 도 16의 표시 장치에 ESD 전류가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 21은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 22는 도 21의 표시 장치에 ESD 전류가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 23은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(100), 인쇄회로기판(500) 및 표시 패널 구동부를 포함한다. 상기 표시 패널 구동부는 구동 제어부(200), 게이트 구동부(300), 및 데이터 구동부(400)를 포함한다.
예를 들어, 구동 제어부(200) 및 데이터 구동부(400)는 하나의 칩에 집적될 수 있다.
IC 영역(1100)은 구동 제어부(200) 및 데이터 구동부(400)를 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 영역(1100)은 구동 제어부(200) 및 데이터 구동부(400)가 집적되어 있는 칩들을 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 영역(1100)은 구동 제어부(200) 및 데이터 구동부(400)가 집적되어 있는 하나의 칩을 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 영역(1100)은 COG(chip on glass), COF(chip on film), 및 COP(chip on plastic)등의 방식으로 탑재될 수 있다.
인쇄회로기판 영역(1200)은 인쇄회로기판(500)이 포함된 영역일 수 있다. 예를 들어, 인쇄회로기판(500)은 플렉서블 인쇄회로기판(flexible printed circuit board; FPCB)일 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 표시하는 표시부(AA) 및 표시부(AA)에 이웃하여 배치되는 주변부(PA)를 포함한다. 표시 패널(100)은 IC 영역(1100)과 연결될 수 있다. 표시 패널(100)은 IC 영역(1100)으로부터 데이터 전압을 인가 받아 영상을 표시할 수 있다.
표시 패널(100)은 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 데이터 라인들(DL) 및 게이트 라인들(GL)과 데이터 라인들(DL) 각각에 전기적으로 연결된 복수의 픽셀들(P)을 포함한다. 게이트 라인들(GL)은 제1 방향(D1)으로 연장되고, 데이터 라인들(DL)은 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된다.
구동 제어부(200)는 외부의 장치(예를 들어, 그래픽 프로세싱 유닛(graphic processing unit; GPU) 등)로부터 인쇄회로기판(500)을 통하여 입력 영상 데이터(IMG) 및 입력 제어 신호(CONT)를 수신할 수 있다. 예를 들어, 입력 영상 데이터(IMG)는 적색 영상 데이터, 녹색 영상 데이터 및 청색 영상 데이터를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 입력 영상 데이터(IMG)는 백색 영상 데이터를 더 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 입력 영상 데이터(IMG)는 마젠타색(magenta) 영상 데이터, 황색(yellow) 영상 데이터 및 시안색(cyan) 영상 데이터를 포함할 수 있다. 입력 제어 신호(CONT)는 마스터 클럭 신호, 데이터 인에이블 신호를 포함할 수 있다. 입력 제어 신호(CONT)는 수직 동기 신호 및 수평 동기 신호를 더 포함할 수 있다.
구동 제어부(200)는 입력 영상 데이터(IMG) 및 입력 제어 신호(CONT)에 기초하여 제1 제어 신호(CONT1), 제2 제어 신호(CONT2), 및 데이터 신호(DATA)를 생성할 수 있다.
구동 제어부(200)는 입력 제어 신호(CONT)를 근거로 게이트 구동부(300)의 동작을 제어하기 위한 제1 제어 신호(CONT1)를 생성하여 게이트 구동부(300)에 출력한다. 제1 제어 신호(CONT1)는 수직 개시 신호 및 게이트 클럭 신호를 포함할 수 있다.
구동 제어부(200)는 입력 제어 신호(CONT)를 근거로 데이터 구동부(400)의 동작을 제어하기 위한 제2 제어 신호(CONT2)를 생성하여 데이터 구동부(400)에 출력한다. 제2 제어 신호(CONT2)는 수평 개시 신호 및 로드 신호를 포함할 수 있다.
구동 제어부(200)는 입력 영상 데이터(IMG)를 근거로 데이터 신호(DATA)를 생성한다. 구동 제어부(200)는 데이터 신호(DATA)를 데이터 구동부(400)에 출력한다.
게이트 구동부(300)는 구동 제어부(200)로부터 입력 받은 제1 제어 신호(CONT1)에 응답하여 게이트 라인들(GL)을 구동하기 위한 게이트 신호들을 생성한다. 게이트 구동부(300)는 게이트 신호들을 게이트 라인들(GL)에 출력한다. 예를 들어, 게이트 구동부(300)는 게이트 신호들을 게이트 라인들(GL)에 순차적으로 출력할 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동부(300)는 표시 패널(100)의 주변부(PA) 상에 실장될 수 있다. 예를 들어, 게이트 구동부(300)는 표시 패널(100)의 주변부(PA) 상에 집적될 수 있다.
데이터 구동부(400)는 구동 제어부(200)로부터 제2 제어 신호(CONT2) 및 데이터 신호(DATA)를 입력 받고, 데이터 구동부(400)는 데이터 신호(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 데이터 구동부(400)는 데이터 전압을 상기 데이터 라인(DL)에 출력한다.
인쇄회로기판(500)은 상기 외부의 장치로부터 수신한 입력 영상 데이터(IMG) 및 입력 제어 신호(CONT)를 구동 제어부(200)에 인가할 수 있다. 인쇄회로기판(500)은 전원 공급 장치(예를 들어, PMIC(power management integrated circuit))로부터 표시 장치(1000)의 구동에 필요한 구동 전압들을 통합 구동부(1100)로 전달할 수 있다. 상기 구동 전압들은 뒤에 언급되는 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치(1000)의 IC 영역(1100) 및 인쇄회로기판 영역(1200)의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 3은 도 1의 표시 장치(1000)에 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 3은 도 1의 표시 장치(1000)에 ESD 전류(ESD)가 흐르지 않을 때, 도 1의 표시 장치(1000)에 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 4는 도 1의 표시 장치(1000)에 ESD 전류(ESD)가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다. ESD 전류(ESD)는 정전기 방전(electro static discharge)으로 인해 발생하는 전류를 의미한다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 표시 장치(1000)는 IC 영역(1100), 인쇄회로기판 영역(1200), 제1 전원 라인(1300), 및 제2 전원 라인(1400)을 포함할 수 있다.
IC 영역(1100)은 로직(logic) 블록(1110), 아날로그(analog) 블록(1120), 제1 IC 그라운드(IGND1), 및 제2 IC 그라운드(IGND2)를 포함할 수 있다.
로직 블록(1110)은 제1 전원 라인(1300)으로부터 제1 전원 전압(VDDI)을 수신할 수 있다. 로직 블록(1110)은 로직 회로(logic circuit)를 포함하는 블록일 수 있다. 예를 들어, 로직 블록(1110)은 임의의 세팅 값이 저장되는 블록일 수 있다. 예를 들어, 로직 블록(1110)은 레지스터 세팅(register setting)을 수행하는 블록일 수 있다. 예를 들어, 로직 블록(1110)은 메모리(memory)를 포함하는 블록일 수 있다. 예를 들어, IC 영역(1100)이 COF(chip on film) 방식으로 탑재된 경우, 로직 블록(1110)은 검사 회로(test circuit)가 포함된 블록일 수 있다. 로직 블록(1110)은 제1 IC 그라운드(IGND1)의 흔들림에 민감할 수 있다. 상기 흔들림으로 인한 오 동작(soft fail)으로 로직 블록(1110)이 연산하는 값이 변하면, 표시 장치(1000)의 구동 전반은 영향을 받을 수 있다.
아날로그 블록(1120)은 제2 전원 라인(1400)으로부터 제2 전원 전압(VCI)을 수신할 수 있다. 아날로그 블록(1120)은 아날로그 데이터가 사용되는 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 아날로그 블록(1120)은 데이터 신호(DATA)를 아날로그 전압의 형태로 변환시키는 회로를 포함하는 블록일 수 있다. 예를 들어, 아날로그 블록(1120)은 데이터 구동부(400)내에 포함된 버퍼를 포함할 수 있다. 아날로그 블록(1120)은 오 동작이 발생하여도 어떠한 값을 저장하지 않으므로, 불량이 고착되지 않을 수 있다.
제1 IC 그라운드(IGND1)는 로직 블록(1110)과 연결될 수 있다. 제2 IC 그라운드(IGND2)는 아날로그 블록(1120)과 연결될 수 있다. 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)는 같은 전위를 가질 수 있다. 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)는 방향이 서로 다른 두 개의 다이오드로 연결될 수 있다.
인쇄회로기판 영역(1200)은 인쇄회로기판 그라운드(FGND), 과도 억제 다이오드(transient voltage suppressor diode; TVS diode)(1220), 및 기판 스위치VDDI)를 포함할 수 있다.
인쇄회로기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 연결될 수 있다. 인쇄회로 기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 동일한 전위를 가질 수 있다. 예를 들어, 인쇄회로 기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 복수의 핀으로 연결될 수 있다.
과도 억제 다이오드(1220)는 제2 전원 라인(1400)과 연결된 제1 전극 및 인쇄회로기판 그라운드(FGND)와 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 과도 억제 다이오드(1220)의 동작은 후술한다.
기판 스위치(1230)는 인쇄회로기판 그라운드(FGND) 및 제1 IC 그라운드(IGND1) 사이에서 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 기판 스위치(1230)는 과도 억제 다이오드(1220)의 상기 제1 전극의 검출 전압(DV)을 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치(1230)는 고속으로 스위칭 동작을 수행할 수 있는 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치(1230)는 인버터(inverter) 및 PMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치(1230)는 고속 릴레이(relay)일 수 있다. 기판 스위치(1230)의 동작은 후술한다.
제1 전원 라인(1300)은 제1 전원 전압(VDDI)이 인가될 수 있다. 제2 전원 라인(1400)은 제2 전원 전압(VCI)이 인가될 수 있다. 실시예에 따라, 제1 전원 전압(VDDI)은 제2 전원 전압(VCI)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 전압(VDDI)은 로직 회로를 포함하는 로직 블록(1110)에 인가되므로, 제1 전원 전압(VDDI)은 아날로그 블록(1120)에 인가되는 제2 전원 전압(VCI)보다 작을 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 과도 억제 다이오드(1220)는 ESD 전류(ESD)가 흐를 때 턴-온 상태가 되고, ESD 전류가 흐르지 않을 때 턴-오프 상태가 될 수 있다. 기판 스위치(1230)는 검출 전압(DV)의 전압 값이 제2 전원 전압(VCI)의 전압 값과 동일한 경우 턴-온 상태일 수 있다. 기판 스위치(1230)는 ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우 턴-오프 상태일 수 있다.
예를 들어, 기판 스위치(1230)는 검출 전압(DV)이 인가되는 인버터 및 상기 인버터와 연결된 제어전극을 포함하는 p-타입 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, 기판 스위치(1230)는 턴-온 될 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)의 다이나믹 저항(dynamic resistance)으로 ESD 전류(ESD)가 흐름으로써, 검출 전압(DV)은 큰 음의 전압이 걸릴 수 있다. 상기 다이나믹 저항이 낮은 저항임에도 ESD 전류(ESD)의 크기 때문에 검출 전압(DV)은 큰 음의 전압이 걸릴 수 있다. 큰 음의 전압이 인버터를 통과함으로써, 기판 스위치(1230)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
예를 들어, 기판 스위치(1230)는 고속 릴레이일 수 있다. 상기 고속 릴레이는 검출 전압(DV)의 크기가 기 설정된 기준 전압 이상 변화한 경우 턴-오프 상태가 될 수 있다. 상기 기준 전압은 제2 전원 전압(VCI)보다 큰 값일 수 있다. 따라서, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, 기판 스위치(1230)는 턴-온 상태일 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)의 다이나믹 저항으로 ESD 전류(ESD)가 흐름으로써, 검출 전압(DV)은 상기 기준 전압 이상으로 변화할 수 있다. 이로 인하여, 기판 스위치(1230)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
도 3을 참조하면, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)는 턴-오프 상태이고 기판 스위치(1230)는 턴-온 상태일 수 있다. 제1 전원 전압(VDDI)은 제1 전원 라인(1300)을 통하여 로직 블록(1110)에 인가될 수 있다. 제1 전원 전압(VDDI)으로 인하여 발생한 전류는 제1 전원 라인(1300)을 통하여 로직 블록(1110)으로 흐르고, 로직 블록(1110)에서 제1 IC 그라운드(1130) 및 인쇄회로기판 그라운드(1210)로 흐를 수 있다. 제2 전원 전압(VCI)은 제2 전원 라인(1400)을 통하여 아날로그 블록(1120)에 인가될 수 있다. 제2 전원 전압(VCI)으로 인하여 발생한 전류는 제2 전원 라인(1400)을 통하여 아날로그 블록(1120)으로 흐르고, 아날로그 블록(1120)에서 제2 IC 그라운드(1140) 및 인쇄회로기판 그라운드(1210)로 흐를 수 있다.
도 4를 참조하면, ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)는 턴-온 상태이고 기판 스위치(1230)는 턴-오프 상태일 수 있다. 도 4에는 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)을 미도시 했지만, 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)은 인가되고 있을 수 있다. ESD 전류(ESD)는 인쇄회로기판 그라운드(FGND)에 흘러 들어오고, ESD 전류(ESD)의 많은 부분은 과도 억제 다이오드(1220)로 흐를 수 있다. 따라서, 과도 억제 다이오드(1220)로 인하여 로직 블록(1110) 및 아날로그 블록(1120)에 포함된 IC들의 영구적 손상(hard fail)은 방지될 수 있다. 기판 스위치(1230)가 없는 경우, ESD 전류(ESD)의 일부는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)를 향해 흐름으로써, 로직 블록(1110)은 오 동작이 발생할 수 있다. 하지만, 기판 스위치(1230)가 ESD 전류(ESD)가 제1 IC 그라운드(IGND1)로 흐르는 것을 막음으로써, 로직 블록(1110)의 오 동작은 방지될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다. 도 6은 도 5의 표시 장치의 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 제외하면, 도 1의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 인쇄회로기판 영역(1200)은 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 검출 전압(DV)을 기초로 기판 조정 검출 전압(BDV)을 생성할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 스위치(1230)는 기판 조정 검출 전압(BDV)을 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 검출 전압(DV)을 조정함으로써 기판 스위치(1230)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍(timing) 및/또는 듀레이션(duration)을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치를 실제 동작시켰을 때 예상과 다른 결과가 도출되는 경우 검출 전압(DV)을 조정하여 기판 조정 검출 전압(BDV)을 생성함으로써, 기판 스위치(1230)는 더 효율적으로 ESD 전류(ESD)를 차단할 수 있다.
도 6을 참조하면, 실시예에 따라, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 기판 컨트롤러부(1241) 및 기판 전류 제어 저항(1242)을 포함할 수 있다. 기판 컨트롤러부(1241)는 기판 스위치(1230)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍 및/또는 듀레이션을 조절하기 위한 임시 기판 조정 검출 전압(BDV')을 생성할 수 있다. 기판 전류 제어 저항(1242)은 기판 스위치(1230)에 인가되는 전류를 감소시킬 수 있다. 따라서, 기판 조정 검출 전압(BDV)은 임시 기판 조정 검출 전압(BDV')보다 전압 값이 작을 수 있다. 그 결과, 기판 스위치(1230)가 과전류로 인하여 파괴되는 것은 방지될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다. 도 8는 도 7의 표시 장치에 ESD 전류(ESD)가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 IC 스위치(1150)를 제외하면, 도 1의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, IC 영역(1100)은 로직 블록(1110)과 제1 IC 그라운드(IGND1) 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치(1150)를 포함할 수 있다. IC 스위치(1150)는 과도 억제 다이오드(1220)의 상기 제1 전극의 검출 전압(DV)을 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속으로 스위칭 동작을 수행할 수 있는 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 인버터 및 PMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속 릴레이일 수 있다. IC 스위치(1150)의 동작은 후술한다.
도 8을 참조하면, IC 스위치(1150)는 검출 전압(DV)의 전압 값이 제2 전원 전압(VCI)의 전압 값과 동일한 경우 턴-온 상태일 수 있다. IC 스위치(1150)는 ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우 턴-오프 상태일 수 있다.
예를 들어, IC 스위치(1150)는 검출 전압(DV)이 인가되는 인버터 및 상기 인버터와 연결된 제어전극을 포함하는 p-타입 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, IC 스위치(1150)는 턴-온 될 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)의 다이나믹 저항으로 ESD 전류(ESD)가 흐름으로써, 검출 전압(DV)은 큰 음의 전압이 걸릴 수 있다. 상기 다이나믹 저항이 낮은 저항임에도 ESD 전류(ESD)의 크기 때문에 검출 전압(DV)은 큰 음의 전압이 걸릴 수 있다. 큰 음의 전압이 인버터를 통과함으로써, IC 스위치(1150)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속 릴레이일 수 있다. 상기 고속 릴레이는 검출 전압(DV)의 크기가 기 설정된 기준 전압 이상 변화한 경우 턴-오프 상태가 될 수 있다. 상기 기준 전압은 제2 전원 전압(VCI)보다 큰 값일 수 있다. 따라서, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, IC 스위치(1150)는 턴-온 상태일 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)의 다이나믹 저항으로 ESD 전류(ESD)가 흐름으로써, 검출 전압(DV)은 상기 기준 전압 이상으로 변화할 수 있다. 이로 인하여, 기판 스위치(1230)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
도 8을 참조하면, ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)는 턴-온 상태이고 기판 스위치(1230) 및 IC 스위치(1150)는 턴-오프 상태일 수 있다. 도 8에는 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)을 미도시 했지만, 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)은 인가되고 있을 수 있다. ESD 전류(ESD)는 인쇄회로기판 그라운드(FGND)에 흘러 들어오고, ESD 전류(ESD)의 많은 부분은 과도 억제 다이오드(1220)로 흐를 수 있다. 따라서, 과도 억제 다이오드(1220)로 인하여 로직 블록(1110) 및 아날로그 블록(1120)에 포함된 IC들의 영구적 손상(hard fail)은 방지될 수 있다. 기판 스위치(1230)가 없는 경우, ESD 전류(ESD)의 일부는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)를 향해 흐름으로써, 로직 블록(1110)은 오 동작이 발생할 수 있다. IC 스위치(1150)가 없는 경우, ESD 전류(ESD)의 일부는 로직 블록(1110)을 향해 흐름으로써, 로직 블록(1110)은 오 동작이 발생할 수 있다. 하지만, 기판 스위치(1230)가 ESD 전류(ESD)가 제1 IC 그라운드(IGND1)로 흐르는 것을 막음으로써, 로직 블록(1110)의 오 동작은 방지될 수 있다. 또한, IC 스위치(1150)는 기판 스위치(1230)가 미쳐 막지 못한 ESD 전류(ESD)가 로직 블록(1110)으로 흐르는 것을 막음으로써, 로직 블록(1110)의 오 동작은 방지될 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다. 도 10은 도 9의 표시 장치의 IC 스위치 컨트롤러(1160)를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 IC 스위치 컨트롤러(1160)를 제외하면, 도 7의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, IC 영역(1100)은 IC 스위치 컨트롤러(1160)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따라, IC 스위치 컨트롤러(1160)는 검출 전압(DV)을 기초로 IC 조정 검출 전압(IDV)을 생성할 수 있다. 실시예에 따라, IC 스위치(1150)는 IC 조정 검출 전압(IDV)을 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치 컨트롤러(1160)는 검출 전압(DV)을 조정함으로써 IC 스위치(1150)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍 및/또는 듀레이션을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치를 실제 동작시켰을 때 예상과 다른 결과가 도출되는 경우 검출 전압(DV)을 조정하여 IC 조정 검출 전압(IDV)을 생성함으로써, 기판 스위치(1230)는 더 효율적으로 ESD 전류(ESD)를 차단할 수 있다.
도 10을 참조하면, 실시예에 따라, IC 스위치 컨트롤러(1160)는 IC 컨트롤러부(1161) 및 IC 전류 제어 저항(1162)을 포함할 수 있다. IC 컨트롤러부(1161)는 IC 스위치(1150)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍 및/또는 듀레이션을 조절하기 위한 임시 기판 조정 검출 전압(IDV')을 생성할 수 있다. IC 전류 제어 저항(1162)은 IC 스위치(1150)에 인가되는 전류를 감소시킬 수 있다. 따라서, IC 조정 검출 전압(IDV)은 임시 기판 조정 검출 전압(IDV')보다 전압 값이 작을 수 있다. 그 결과, IC 스위치(1150)가 과전류로 인하여 파괴되는 것은 방지될 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 제외하면, 도 9의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 인쇄회로기판 영역(1200)은 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 검출 전압(DV)을 기초로 기판 조정 검출 전압(BDV)을 생성할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 스위치(1230)는 기판 조정 검출 전압(BDV)을 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 검출 전압(DV)을 조정함으로써 기판 스위치(1230)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍 및/또는 듀레이션을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치를 실제 동작시켰을 때 예상과 다른 결과가 도출되는 경우 검출 전압(DV)을 조정하여 기판 조정 검출 전압(BDV)을 생성함으로써, 기판 스위치(1230)는 더 효율적으로 ESD 전류(ESD)를 차단할 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다. 도 13은 도 12의 표시 장치에 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 13은 도 12의 표시 장치에 ESD 전류(ESD)가 흐르지 않을 때, 도 12의 표시 장치에 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 14는 도 12의 표시 장치에 ESD 전류(ESD)가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12 내지 도 14를 참조하면, 도 12의 표시 장치는 IC 영역(1100), 인쇄회로기판 영역(1200), 제1 전원 라인(1300), 및 제2 전원 라인(1400)을 포함할 수 있다.
IC 영역(1100)은 로직 블록(1110), 아날로그 블록(1120), 제1 IC 그라운드(IGND1), 제2 IC 그라운드(IGND2), 및 IC 스위치(1150)를 포함할 수 있다.
로직 블록(1110)은 제1 전원 라인(1300)으로부터 제1 전원 전압(VDDI)을 수신할 수 있다. 로직 블록(1110)은 로직 회로를 포함하는 블록일 수 있다. 예를 들어, 로직 블록(1110)은 임의의 세팅 값이 저장되는 블록일 수 있다. 예를 들어, 로직 블록(1110)은 레지스터 세팅을 수행하는 블록일 수 있다. 예를 들어, 로직 블록(1110)은 메모리를 포함하는 블록일 수 있다. 예를 들어, IC 영역(1100)이 COF 방식으로 탑재된 경우, 로직 블록(1110)은 검사 회로가 포함된 블록일 수 있다. 로직 블록(1110)은 제1 IC 그라운드(IGND1)의 흔들림에 민감할 수 있다. 상기 흔들림으로 인한 오 동작으로 로직 블록(1110)이 연산하는 값이 변하면, 표시 장치(1000)의 구동 전반은 영향을 받을 수 있다.
아날로그 블록(1120)은 제2 전원 라인(1400)으로부터 제2 전원 전압(VCI)을 수신할 수 있다. 아날로그 블록(1120)은 아날로그 데이터가 사용되는 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 아날로그 블록(1120)은 데이터 신호(DATA)를 아날로그 전압의 형태로 변환시키는 회로를 포함하는 블록일 수 있다. 예를 들어, 아날로그 블록(1120)은 데이터 구동부(400)내에 포함된 버퍼를 포함할 수 있다. 아날로그 블록(1120)은 오 동작이 발생하여도 어떠한 값을 저장하지 않으므로, 불량이 고착되지 않을 수 있다.
제1 IC 그라운드(IGND1)는 로직 블록(1110)과 연결될 수 있다. 제2 IC 그라운드(IGND2)는 아날로그 블록(1120)과 연결될 수 있다. 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)는 같은 전위를 가질 수 있다. 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)는 방향이 서로 다른 두 개의 다이오드로 연결될 수 있다.
IC 영역(1100)은 로직 블록(1110)과 제1 IC 그라운드(IGND1) 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치(1150)를 포함할 수 있다. IC 스위치(1150)는 과도 억제 다이오드(1220)의 상기 제1 전극의 검출 전압(DV)을 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속으로 스위칭 동작을 수행할 수 있는 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 인버터 및 PMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속 릴레이일 수 있다. IC 스위치(1150)의 동작은 후술한다.
인쇄회로기판 영역(1200)은 인쇄회로기판 그라운드(FGND), 과도 억제 다이오드(1220)를 포함할 수 있다.
인쇄회로기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 연결될 수 있다. 인쇄회로 기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 동일한 전위를 가질 수 있다. 예를 들어, 인쇄회로 기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 복수의 핀으로 연결될 수 있다.
과도 억제 다이오드(1220)는 제2 전원 라인(1400)과 연결된 제1 전극 및 인쇄회로기판 그라운드(FGND)와 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. 과도 억제 다이오드(1220)의 동작은 후술한다.
제1 전원 라인(1300)은 제1 전원 전압(VDDI)이 인가될 수 있다. 제2 전원 라인(1400)은 제2 전원 전압(VCI)이 인가될 수 있다. 실시예에 따라, 제1 전원 전압(VDDI)은 제2 전원 전압(VCI)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 전원 전압(VDDI)은 로직 회로를 포함하는 로직 블록(1110)에 인가되므로, 제1 전원 전압(VDDI)은 아날로그 블록(1120)에 인가되는 제2 전원 전압(VCI)보다 작을 수 있다.
도 13을 참조하면, 과도 억제 다이오드(1220)는 ESD 전류(ESD)가 흐를 때 턴-온 상태가 되고, ESD 전류가 흐르지 않을 때 턴-오프 상태가 될 수 있다. IC 스위치(1150)는 검출 전압(DV)의 전압 값이 제2 전원 전압(VCI)의 전압 값과 동일한 경우 턴-온 상태일 수 있다. IC 스위치(1150)는 ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우 턴-오프 상태일 수 있다.
예를 들어, IC 스위치(1150)는 검출 전압(DV)이 인가되는 인버터 및 상기 인버터와 연결된 제어전극을 포함하는 p-타입 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, IC 스위치(1150)는 턴-온 될 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)의 다이나믹 저항으로 ESD 전류(ESD)가 흐름으로써, 검출 전압(DV)은 큰 음의 전압이 걸릴 수 있다. 상기 다이나믹 저항이 낮은 저항임에도 ESD 전류(ESD)의 크기 때문에 검출 전압(DV)은 큰 음의 전압이 걸릴 수 있다. 큰 음의 전압이 인버터를 통과함으로써, IC 스위치(1150)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속 릴레이일 수 있다. 상기 고속 릴레이는 검출 전압(DV)의 크기가 기 설정된 기준 전압 이상 변화한 경우 턴-오프 상태가 될 수 있다. 상기 기준 전압은 제2 전원 전압(VCI)보다 큰 값일 수 있다. 따라서, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, IC 스위치(1150)는 턴-온 상태일 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)의 다이나믹 저항으로 ESD 전류(ESD)가 흐름으로써, 검출 전압(DV)은 상기 기준 전압 이상으로 변화할 수 있다. 이로 인하여, 기판 스위치(1230)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
도 13을 참조하면, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)는 턴-오프 상태이고 IC 스위치(1150)는 턴-온 상태일 수 있다. 제1 전원 전압(VDDI)은 제1 전원 라인(1300)을 통하여 로직 블록(1110)에 인가될 수 있다. 제1 전원 전압(VDDI)으로 인하여 발생한 전류는 제1 전원 라인(1300)을 통하여 로직 블록(1110)으로 흐르고, 로직 블록(1110)에서 제1 IC 그라운드(1130) 및 인쇄회로기판 그라운드(1210)로 흐를 수 있다. 제2 전원 전압(VCI)은 제2 전원 라인(1400)을 통하여 아날로그 블록(1120)에 인가될 수 있다. 제2 전원 전압(VCI)으로 인하여 발생한 전류는 제2 전원 라인(1400)을 통하여 아날로그 블록(1120)으로 흐르고, 아날로그 블록(1120)에서 제2 IC 그라운드(1140) 및 인쇄회로기판 그라운드(1210)로 흐를 수 있다.
도 14를 참조하면, ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 과도 억제 다이오드(1220)는 턴-온 상태이고 IC 스위치(1150)는 턴-오프 상태일 수 있다. 도 14에는 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)을 미도시 했지만, 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)은 인가되고 있을 수 있다. ESD 전류(ESD)는 인쇄회로기판 그라운드(FGND)에 흘러 들어오고, ESD 전류(ESD)의 많은 부분은 과도 억제 다이오드(1220)로 흐를 수 있다. 따라서, 과도 억제 다이오드(1220)로 인하여 로직 블록(1110) 및 아날로그 블록(1120)에 포함된 IC들의 영구적 손상은 방지될 수 있다. IC 스위치(1150)가 없는 경우, ESD 전류(ESD)의 일부는 로직 블록(1110)을 향해 흐름으로써, 로직 블록(1110)은 오 동작이 발생할 수 있다. 하지만, IC 스위치(1150)가 ESD 전류(ESD)가 로직 블록(1110)으로 흐르는 것을 막음으로써, 로직 블록(1110)의 오 동작은 방지될 수 있다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 IC 스위치 컨트롤러(1160)를 제외하면, 도 12의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 15를 참조하면, IC 영역(1100)은 IC 스위치 컨트롤러(1160)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따라, IC 스위치 컨트롤러(1160)는 검출 전압(DV)을 기초로 IC 조정 검출 전압(IDV)을 생성할 수 있다. 실시예에 따라, IC 스위치(1150)는 IC 조정 검출 전압(IDV)을 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치 컨트롤러(1160)는 검출 전압(DV)을 조정함으로써 IC 스위치(1150)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍 및/또는 듀레이션을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치를 실제 동작시켰을 때 예상과 다른 결과가 도출되는 경우 검출 전압(DV)을 조정하여 IC 조정 검출 전압(IDV)을 생성함으로써, 기판 스위치(1230)는 더 효율적으로 ESD 전류(ESD)를 차단할 수 있다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다. 도 17은 도 16의 표시 장치의 ESD 검출 회로(1250)의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 18은 도 16의 표시 장치에 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 18은 도 16의 표시 장치에 ESD 전류(ESD)가 흐르지 않을 때, 도 16의 표시 장치에 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)이 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 19는 도 16의 표시 장치에 ESD 전류(ESD)가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 인쇄회로기판 영역(1200)을 제외하면, 도 1의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 16을 참조하면, 도 16의 표시 장치는 IC 영역(1100), 인쇄회로기판 영역(1200), 제1 전원 라인(1300), 및 제2 전원 라인(1400)을 포함할 수 있다.
인쇄회로기판 영역(1200)은 인쇄회로기판 그라운드(FGND), ESD 검출 회로(1250), 및 기판 스위치VDDI)를 포함할 수 있다.
인쇄회로기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 연결될 수 있다. 인쇄회로 기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 동일한 전위를 가질 수 있다. 예를 들어, 인쇄회로 기판 그라운드(FGND)는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)와 복수의 핀으로 연결될 수 있다.
ESD 검출 회로(1250)는 제2 전원 라인(1400)과 연결된 제1 전극 및 인쇄회로기판 그라운드(FGND)와 연결된 제2 전극을 포함할 수 있다. ESD 검출 회로(1250)의 동작은 후술한다.
기판 스위치(1230)는 인쇄회로기판 그라운드(FGND) 및 제1 IC 그라운드(IGND1) 사이에서 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 기판 스위치(1230)는 ESD 검출 회로(1250)의 검출 신호(DS)를 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치(1230)는 고속으로 스위칭 동작을 수행할 수 있는 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치(1230)는 PMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치(1230)는 고속 릴레이일 수 있다. 기판 스위치(1230)의 동작은 후술한다.
도 17을 참조하면, ESD 검출 회로(1250)는 검출 저항 소자(R) 및 검출 커패시터 소자(C)를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, ESD 검출 회로(1250)는 검출 저항 소자(R) 및 검출 커패시터 소자(C)가 직렬로 연결될 수 있다. ESD 검출 회로(1250)는 ESD 전류(ESD)가 발생하면 검출 신호(DS)를 출력할 수 있다. 예를 들어, ESD 전류(ESD)가 순간적으로 인쇄회로기판 그라운드(FGND)에 흐르는 경우, 검출 커패시터 소자(C)로 인하여 검출 신호(DS)는 발생될 수 있다. 도 17은 검출 커패시터 소자(C)가 인쇄회로기판 그라운드(FGND)와 연결되었지만 이는 예시에 불과하다. 실시예에 따라, 검출 커패시터 소자(C)가 제2 전원 라인(1400)과 연결되면, ESD 검출 회로(1250)는 제2 전원 라인(1400)에 흐르는 ESD 전류(ESD)를 검출할 수 있다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 기판 스위치(1230)는 검출 신호(DS)를 수신하면 턴-오프 상태가 될 수 있다. 기판 스위치(1230)는 검출 신호(DS)가 인가되지 않고 제2 전원 전압(VCI)보다 작거나 같은 전압을 수신하는 경우 턴-온 상태가 될 수 있다.
예를 들어, 기판 스위치(1230)는 검출 신호(DS)가 인가되는 제어전극을 포함하는 p-타입 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, 기판 스위치(1230)는 턴-온 될 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 검출 신호(DS)는 높은 전압 값을 가질 수 있다. 그로 인하여, 기판 스위치(1230)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
예를 들어, 기판 스위치(1230)는 고속 릴레이일 수 있다. 상기 고속 릴레이는 검출 신호(DS)의 크기가 기 설정된 기준 전압 이상 변화한 경우 턴-오프 상태가 될 수 있다. 상기 기준 전압은 제2 전원 전압(VCI)보다 큰 값일 수 있다. 따라서, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, 기판 스위치(1230)는 턴-온 상태일 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 검출 신호(DS)의 전압 값은 기준 전압 이상으로 변화할 수 있다. 이로 인하여, 기판 스위치(1230)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
도 18을 참조하면, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, 기판 스위치(1230)는 턴-온 상태일 수 있다. 제1 전원 전압(VDDI)은 제1 전원 라인(1300)을 통하여 로직 블록(1110)에 인가될 수 있다. 제1 전원 전압(VDDI)으로 인하여 발생한 전류는 제1 전원 라인(1300)을 통하여 로직 블록(1110)으로 흐르고, 로직 블록(1110)에서 제1 IC 그라운드(1130) 및 인쇄회로기판 그라운드(1210)로 흐를 수 있다. 제2 전원 전압(VCI)은 제2 전원 라인(1400)을 통하여 아날로그 블록(1120)에 인가될 수 있다. 제2 전원 전압(VCI)으로 인하여 발생한 전류는 제2 전원 라인(1400)을 통하여 아날로그 블록(1120)으로 흐르고, 아날로그 블록(1120)에서 제2 IC 그라운드(1140) 및 인쇄회로기판 그라운드(1210)로 흐를 수 있다.
도 19를 참조하면, ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 기판 스위치(1230)는 턴-오프 상태일 수 있다. 도 19에는 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)을 미도시 했지만, 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)은 인가되고 있을 수 있다. 기판 스위치(1230)가 없는 경우, ESD 전류(ESD)의 일부는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)를 향해 흐름으로써, 로직 블록(1110)은 오 동작이 발생할 수 있다. 하지만, 기판 스위치(1230)가 ESD 전류(ESD)가 제1 IC 그라운드(IGND1)로 흐르는 것을 막음으로써, 로직 블록(1110)의 오 동작은 방지될 수 있다.
도 20은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 제외하면, 도 16의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 20을 참조하면, 인쇄회로기판 영역(1200)은 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 검출 신호(DS)를 기초로 기판 조정 검출 신호(BDS)를 생성할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 스위치(1230)는 기판 조정 검출 신호(BDS)를 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 검출 신호(DS)를 조정함으로써 기판 스위치(1230)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍 및/또는 듀레이션을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치를 실제 동작시켰을 때 예상과 다른 결과가 도출되는 경우 검출 신호(DS)를 조정하여 기판 조정 검출 신호(BDS)를 생성함으로써, 기판 스위치(1230)는 더 효율적으로 ESD 전류(ESD)를 차단할 수 있다.
도 21은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다. 도 22는 도 21의 표시 장치에 ESD 전류(ESD)가 흐르는 일 예를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 IC 스위치(1150)를 제외하면, 도 20의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 21을 참조하면, IC 영역(1100)은 로직 블록(1110)과 제1 IC 그라운드(IGND1) 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치(1150)를 포함할 수 있다. IC 스위치(1150)는 ESD 검출 회로(1250)의 검출 신호(DS)를 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속으로 스위칭 동작을 수행할 수 있는 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 PMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속 릴레이일 수 있다. IC 스위치(1150)의 동작은 후술한다.
도 22를 참조하면, IC 스위치(1150)는 검출 신호(DS)를 수신하면 턴-오프 상태가 될 수 있다. IC 스위치(1150)는 검출 신호(DS)가 인가되지 않고 제2 전원 전압(VCI)보다 작거나 같은 전압을 수신하는 경우 턴-온 상태가 될 수 있다.
예를 들어, IC 스위치(1150)는 검출 신호(DS)가 인가되는 제어전극을 포함하는 p-타입 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, IC 스위치(1150)는 턴-온 될 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 검출 신호(DS)는 높은 전압 값을 가질 수 있다. 그로 인하여, IC 스위치(1150)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
예를 들어, IC 스위치(1150)는 고속 릴레이일 수 있다. 상기 고속 릴레이는 검출 신호(DS)의 크기가 기 설정된 기준 전압 이상 변화한 경우 턴-오프 상태가 될 수 있다. 상기 기준 전압은 제2 전원 전압(VCI)보다 큰 값일 수 있다. 따라서, ESD 전류(ESD)가 흐르지 않는 경우, IC 스위치(1150)는 턴-온 상태일 수 있다. ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 검출 신호(DS)의 전압 값은 기준 전압 이상으로 변화할 수 있다. 이로 인하여, IC 스위치(1150)는 턴-오프 상태가 될 수 있다.
도 22를 참조하면, ESD 전류(ESD)가 흐르는 경우, 기판 스위치(1230) 및 IC 스위치(1150)는 턴-오프 상태일 수 있다. 도 22에는 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)을 미도시 했지만, 제1 전원 전압(VDDI) 및 제2 전원 전압(VCI)은 인가되고 있을 수 있다. 기판 스위치(1230)가 없는 경우, ESD 전류(ESD)의 일부는 제1 IC 그라운드(IGND1) 및 제2 IC 그라운드(IGND2)를 향해 흐름으로써, 로직 블록(1110)은 오 동작이 발생할 수 있다. IC 스위치(1150)가 없는 경우, ESD 전류(ESD)의 일부는 로직 블록(1110)을 향해 흐름으로써, 로직 블록(1110)은 오 동작이 발생할 수 있다. 하지만, 기판 스위치(1230)가 ESD 전류(ESD)가 제1 IC 그라운드(IGND1)로 흐르는 것을 막음으로써, 로직 블록(1110)의 오 동작은 방지될 수 있다. 또한 IC 스위치(1150)가 ESD 전류(ESD)가 로직 블록(1110)으로 흐르는 것을 막음으로써, 로직 블록(1110)의 오 동작은 방지될 수 있다.
도 23은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 IC 스위치 컨트롤러(1160)를 제외하면, 도 21의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 23을 참조하면, IC 영역(1100)은 IC 스위치 컨트롤러(1160)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따라, IC 스위치 컨트롤러(1160)는 검출 신호(DS)를 기초로 IC 조정 검출 신호(IDS)를 생성할 수 있다. 실시예에 따라, IC 스위치(1150)는 IC 조정 검출 신호(IDS)를 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, IC 스위치 컨트롤러(1160)는 검출 신호(DS)를 조정함으로써 IC 스위치(1150)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍 및/또는 듀레이션을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치를 실제 동작시켰을 때 예상과 다른 결과가 도출되는 경우 검출 신호(DS)를 조정하여 IC 조정 검출 신호(IDS)를 생성함으로써, 기판 스위치(1230)는 더 효율적으로 ESD 전류(ESD)를 차단할 수 있다.
도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 제외하면, 도 23의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 24를 참조하면, 인쇄회로기판 영역(1200)은 기판 스위치 컨트롤러(1240)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 검출 신호(DS)를 기초로 기판 조정 검출 신호(BDS)를 생성할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 스위치(1230)는 기판 조정 검출 신호(BDS)를 기초로 스위칭 동작을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판 스위치 컨트롤러(1240)는 검출 신호(DS)를 조정함으로써 기판 스위치(1230)가 수행하는 스위칭 동작의 타이밍 및/또는 듀레이션을 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치를 실제 동작시켰을 때 예상과 다른 결과가 도출되는 경우 검출 신호(DS)를 조정하여 기판 조정 검출 신호(BDS)를 생성함으로써, 기판 스위치(1230)는 더 효율적으로 ESD 전류(ESD)를 차단할 수 있다.
도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 도면이다.
본 실시예에 따른 표시 장치는 과도 억제 다이오드(1220)을 제외하면, 도 16의 표시 장치와 실질적으로 동일하므로, 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.
도 25를 참조하면, 도 25의 표시 장치는 제2 전원 라인(1400)과 연결된 제1 전극 및 인쇄회로기판 그라운드(FGND)와 연결된 제2 전극을 포함하는 과도 억제 다이오드(1220)을 더 포함할 수 있다. 따라서, 도 25의 표시 장치는 과도 억제 다이오드(1220)를 통하여 IC 영역(1100)내의 IC들의 영구 손상을 방지하고, ESD 검출 회로(1250)를 통하여 IC 영역(1100)내의 IC들의 오 동작을 방지할 수 있다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 디지털 TV, 3D TV, 휴대폰, 스마트 폰, 태블릿 컴퓨터, VR 기기, PC, 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터, PDA, PMP, 디지털 카메라, 음악 재생기, 휴대용 게임 콘솔, 내비게이션 등에 적용될 수 있다.
이상 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 표시 패널 200: 구동 제어부
300: 게이트 구동부 400: 데이터 구동부
500: 인쇄회로기판 1000: 표시 장치
1100: IC 영역 1200: 인쇄회로기판 영역
1300: 제1 전원 라인 1400: 제2 전원 라인
1110: 로직 블록 1120: 아날로그 블록
1130: 제1 IC 그라운드 1140: 제2 IC 그라운드
1150: IC 스위치 1160: IC 스위치 컨트롤러
1210: 인쇄회로기판 그라운드 1220: 과도 억제 다이오드
1230: 기판 스위치 1240: 기판 스위치 컨트롤러
1250: ESD 검출 회로

Claims (20)

  1. 제1 전원 라인;
    제2 전원 라인;
    상기 제1 전원 라인으로부터 제1 전원 전압을 수신하는 로직(logic) 블록, 상기 제2 전원 라인으로부터 제2 전원 전압을 수신하는 아날로그(analog) 블록, 상기 로직 블록과 연결되는 제1 IC 그라운드, 및 상기 아날로그 블록과 연결되는 제2 IC 그라운드를 포함하는 IC 영역;
    상기 제1 IC 그라운드 및 상기 제2 IC 그라운드와 연결되는 인쇄회로기판 그라운드, 상기 제2 전원 라인과 연결된 제1 전극 및 상기 인쇄회로기판 그라운드와 연결된 제2 전극을 포함하는 과도 억제 다이오드, 및 상기 인쇄회로기판 그라운드 및 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 기판 스위치를 포함하는 인쇄회로기판 영역; 및
    상기 IC 영역과 연결된 표시 패널을 포함하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 스위치는
    상기 과도 억제 다이오드의 상기 제1 전극의 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 인쇄회로기판 영역은 상기 검출 전압을 기초로 기판 조정 검출 전압을 생성하는 기판 스위치 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 기판 스위치는 상기 기판 조정 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 IC 영역은
    상기 로직 블록과 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 IC 스위치는
    상기 과도 억제 다이오드의 상기 제1 전극의 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 IC 영역은 상기 검출 전압을 기초로 IC 조정 검출 전압을 생성하는 IC 스위치 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 IC 스위치는 상기 IC 조정 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 전원 전압은 상기 제2 전원 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 전원 라인;
    제2 전원 라인;
    상기 제1 전원 라인으로부터 제1 전원 전압을 수신하는 로직(logic) 블록, 상기 제2 전원 라인으로부터 제2 전원 전압을 수신하는 아날로그(analog) 블록, 상기 로직 블록과 연결되는 제1 IC 그라운드, 및 상기 아날로그 블록과 연결되는 제2 IC 그라운드를 포함하는 IC 영역;
    상기 제1 IC 그라운드 및 상기 제2 IC 그라운드와 연결되는 인쇄회로기판 그라운드, 및 상기 제2 전원 라인과 연결된 제1 전극 및 상기 인쇄회로기판 그라운드와 연결된 제2 전극을 포함하는 과도 억제 다이오드를 포함하는 인쇄회로기판 영역; 및
    상기 IC 영역과 연결된 표시 패널을 포함하고,
    상기 IC 영역은
    상기 로직 블록과 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 IC 스위치는
    상기 과도 억제 다이오드의 상기 제1 전극의 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 IC 영역은 상기 검출 전압을 기초로 IC 조정 검출 전압을 생성하는 IC 스위치 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 IC 스위치는 상기 IC 조정 검출 전압을 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 전원 전압은 상기 제2 전원 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1 전원 라인;
    제2 전원 라인;
    상기 제1 전원 라인으로부터 제1 전원 전압을 수신하는 로직(logic) 블록, 상기 제2 전원 라인으로부터 제2 전원 전압을 수신하는 아날로그(analog) 블록, 상기 로직 블록과 연결되는 제1 IC 그라운드, 및 상기 아날로그 블록과 연결되는 제2 IC 그라운드를 포함하는 IC 영역; 및
    상기 제1 IC 그라운드 및 상기 제2 IC 그라운드와 연결되는 인쇄회로기판 그라운드, 상기 제2 전원 라인과 상기 인쇄회로기판 그라운드 사이에 배치되는 ESD 검출 회로, 및 상기 인쇄회로기판 그라운드 및 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 기판 스위치를 포함하는 인쇄회로기판 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 ESD 검출 회로는
    검출 저항 소자 및 상기 검출 저항 소자에 직렬로 연결되는 검출 커패시터 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 기판 스위치는
    상기 ESD 검출 회로의 검출 신호를 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 인쇄회로기판 영역은 상기 검출 신호를 기초로 기판 조정 검출 신호를 생성하는 기판 스위치 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 기판 스위치는 상기 기판 조정 검출 신호를 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 IC 영역은
    상기 로직 블록과 상기 제1 IC 그라운드 사이에서 스위칭 동작을 수행하는 IC 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 IC 스위치는
    상기 ESD 검출 회로의 검출 신호를 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 IC 영역은 상기 검출 신호를 기초로 IC 조정 검출 신호를 생성하는 IC 스위치 컨트롤러를 더 포함하고,
    상기 IC 스위치는 상기 IC 조정 검출 신호를 기초로 상기 스위칭 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제 12 항에 있어서, 상기 인쇄회로기판 영역은
    상기 제2 전원 라인과 연결된 제1 전극 및 상기 인쇄회로기판 그라운드와 연결된 제2 전극을 포함하는 과도 억제 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 전원 전압은 상기 제2 전원 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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