KR20220060855A - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220060855A
KR20220060855A KR1020200146941A KR20200146941A KR20220060855A KR 20220060855 A KR20220060855 A KR 20220060855A KR 1020200146941 A KR1020200146941 A KR 1020200146941A KR 20200146941 A KR20200146941 A KR 20200146941A KR 20220060855 A KR20220060855 A KR 20220060855A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
slit
unit
substrate
discharge
opening
Prior art date
Application number
KR1020200146941A
Other languages
English (en)
Inventor
이창헌
남상기
신태선
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020200146941A priority Critical patent/KR20220060855A/ko
Priority to US17/319,503 priority patent/US20220139714A1/en
Publication of KR20220060855A publication Critical patent/KR20220060855A/ko
Priority to US18/469,208 priority patent/US20240038510A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3341—Reactive etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

외부로부터 기판이 처리 공간에 삽입되는 것, 가스 공급 유닛으로부터 공정 가스를 상기 처리 공간으로 공급받는 것, 상기 공정 가스를 기초로 플라즈마를 생성하는 것, 상기 플라즈마에 포함된 이온을 통해 상기 기판에 대한 식각 공정을 수행하는 것 및 배출부를 통해 상기 공정을 통해 생성된 처리 가스를 배출시키는 것을 포함하고, 상기 배출부는 플랜지부를 관통하는 제1 슬릿 및 상기 플랜지부와 연결된 측벽부를 관통하며 상기 제1 슬릿과 연결된 제2 슬릿을 포함하며, 상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이 및 상기 제2 슬릿의 수직 방향 길이는 동일하고, 상기 제1 슬릿의 수평 방향 길이는 상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이의 5배 내지 7배이다.

Description

기판 처리 방법 및 장치{METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE AND APPARATUS THEREOF}
본 개시는 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자는 증착 공정, 이온 주입 공정, 포토리소그라피 공정 및 식각 공정과 같은 다양한 반도체 제조 공정을 통해 형성된다. 이러한 반도체 제조 공정 중 식각 공정은 공정 가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여 수행될 수 있다. 특히, V-NAND(Vertical NAND) 제품의 경우, 기판의 적층 단수가 증가하면서 기판 영역간 식각 속도 차이로 인한 불량이 발생할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 과제는 기판의 엣지(edge) 영역에서의 식각 속도를 상승시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 기판 처리 방법은 외부로부터 기판이 처리 공간에 삽입되는 것, 가스 공급 유닛으로부터 공정 가스를 상기 처리 공간으로 공급받는 것, 상기 공정 가스를 기초로 플라즈마를 생성하는 것, 상기 플라즈마에 포함된 이온을 통해 상기 기판에 대한 식각 공정을 수행하는 것 및 배출부를 통해 상기 공정을 통해 생성된 처리 가스를 배출시키는 것을 포함하고, 상기 배출부는 플랜지부를 관통하는 제1 슬릿 및 상기 플랜지부와 연결된 측벽부를 관통하며 상기 제1 슬릿과 연결된 제2 슬릿을 포함하며, 상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이 및 상기 제2 슬릿의 수직 방향 길이는 동일하고, 상기 제1 슬릿의 수평 방향 길이는 상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이의 5배 내지 7배이다.
본 개시의 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 공정 유닛, 상기 공정 유닛 상부에 배치되고, 제1 전력 유닛으로부터 제1 RF 전력이 인가되는 상부 전극 유닛. 상기 공정 유닛 하부에 배치되고, 제2 전력 유닛으로부터 제2 RF 전력이 인가되는 하부 전극 유닛 및 상기 상부 전극 유닛 및 상기 하부 전극 유닛 사이에 배치되는, 쉬라우드 유닛을 포함하고, 상기 쉬라우드 유닛은, 링 형상의 플랜지부, 상기 플랜지부의 외측벽으로부터 수직 방향으로 연장되어 형성된 측벽부, 상기 플랜지부를 관통하여 형성된 제1 슬릿 및 상기 측벽부를 관통하고 상기 제1 슬릿으로부터 수직 방향으로 연장되어 형성된 제2 슬릿을 포함하는 제1 배출부들 및 상기 측벽부 상에서, 상기 플랜지부를 관통하여 형성된 제3 슬릿을 포함하는 제2 배출부들을 포함한다.
본 개시의 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 공정 유닛, 상기 공정 유닛의 상부벽을 관통하여 형성된 공급홀, 상기 공정 유닛 상부에 배치되고, 제1 전력 유닛으로부터 제1 RF 전력이 인가되는 상부 전극 유닛, 상기 공정 유닛 하부에 배치되고, 제2 전력 유닛으로부터 제2 RF 전력이 인가되는 하부 전극 유닛, 상기 상부 전극 유닛 및 상기 하부 전극 유닛 사이에 배치되는, 쉬라우드 유닛, 상기 쉬라우드 유닛의 외측에 배치되어 상기 쉬라우드 유닛을 감싸는 개폐 유닛 및 상기 공정 유닛의 하부벽을 관통하여 형성된 배출홀을 포함하고, 상기 쉬라우드 유닛은, 링 형상의 플랜지부, 상기 플랜지부의 외측벽으로부터 수직 방향으로 연장되어 형성된 측벽부, 상기 플랜지부를 관통하여 형성된 제1 슬릿 및 상기 측벽부를 관통하고 상기 제1 슬릿으로부터 수직 방향으로 연장되어 형성된 제2 슬릿을 포함하는 배출부를 포함하고, 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿의 수직 방향 길이는 동일하다.
본 개시의 실시예에 따르면, 반도체 소자의 엣지 영역의 식각 속도가 증가함으로써, 반도체 소자의 수율이 상승할 수 있다.
도 1는 본 개시의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 수직 단면도이다.
도 2a는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 사시도이다.
도 2b는 도 2a의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 2c는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 측면도이다.
도 2d는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 저면도이다.
도 3a는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛과 개폐부에 대한 저면도이다.
도 3b는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛과 개폐부에 대한 저면도이다.
도 4a는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 사시도이다.
도 4b는 본 개시의 일 실시예에 다른 쉬라우드 유닛의 측면도이다.
도 5a는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 사시도이다.
도 5b는 본 개시의 일 실시예에 다른 쉬라우드 유닛의 측면도이다.
도 6a는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 사시도이다.
도 6b는 본 개시의 일 실시예에 다른 쉬라우드 유닛의 측면도이다.
도 7a 내지 도 7c는 본 개시의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 개략도이다.
도 1는 본 개시의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 수직 단면도이다. 도 2a는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 사시도이다. 도 2b는 도 2a의 I-I'에 따른 단면도이다. 도 2c는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 측면도이다. 도 2d는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 저면도이다. 도 3a는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛과 개폐부에 대한 저면도이다. 도 3b는 본 개시의 일 실시예에 따른 쉬라우드 유닛과 개폐부에 대한 저면도이다.
도 1 내지 도 3a를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 유닛(10) 및 가스 공급 유닛(20), 제1 전원 유닛(30) 및 제2 전원 유닛(40)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(1)는 기판에 대한 식각(etch) 공정을 수행할 수 있는 용량성 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) 장치일 수 있다.
공정 유닛(10)은 상부벽(12), 측벽(14) 및 하부벽(16)을 포함하는 챔버일 수 있다. 상부벽(12)에는 공급홀(120)이 구비될 수 있다. 공급홀(120)은 상부벽(12)을 수직 방향으로 관통하여 형성될 수 있다. 공급홀(120)은 가스 공급 라인(22)을 통해 가스 공급 유닛(20)과 연결될 수 있다. 하부벽(16)에는 배출홀(160)이 구비될 수 있다. 배출홀(160)은 하부벽(16)을 수직 방향으로 관통하여 형성될 수 있다.
공정 유닛(10)의 내부 공간에는 상부 전극 유닛(200), 하부 전극 유닛(300), 쉬라우드 유닛(400) 및 개폐 유닛(500)이 구비될 수 있다. 상부 전극 유닛(200)은 공정 유닛(10)의 내부 공간 상부에 배치될 수 있다. 상부 전극 유닛(200)은 상부 전극부(210), 분사홀(220) 및 제1 공간(230)을 포함할 수 있다. 상부 전극부(210)는 상부벽(12)과 수직 방향으로 이격되어 배치된 수평 전극 부재(212), 수평 전극 부재(212)의 일단 및 타단에서 수직 방향으로 연장되어 상부벽(12) 및 수평 전극 부재(212)를 연결하는 수직 전극 부재(214)를 포함할 수 있다.
상부 전극부(210)는 금속성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상부 전극부(210)는 알루미늄, 알루미늄 합금, 스틸, 스텐레인스 스틸, 니켈, 또는 니켈 합금(인코넬 또는 하스텔로이 등)등의 금속재나 석영(SiO2), SiC, SiN, Al2O3, AlN, Y2O3 등의 세라믹의 유전체를 포함할 수 있다. 상부 전극부(210)는 외부의 제1 전원 유닛(30)으로부터 제1 RF 전력을 인가받을 수 있다. 상부 전극부(210)는 기판(W)에 대한 공정 수행시 상부 전극의 역할을 수행할 수 있다.
분사홀(220)은 상부 전극부(210)에 배치될 수 있다. 분사홀(220)은 복수개가 수평 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 분사홀(220)은 수평 전극 부재(212)를 수직 방향으로 관통하여 형성될 수 있다. 상부 전극부(210) 및 분사홀(220)은 일체로 형성될 수 있고, 분사홀(220)이 별개로 형성되어 상부 전극부(210)에 배치될 수 있다.
제1 공간(230)은 상부벽(12) 및 상부 전극부(210)에 의해 둘러싸인 공간일 수 있다. 제1 공간(230)에는 공급홀(120)을 통해 가스 공급 유닛(20)로부터 공정 가스가 공급될 수 있다. 예를 들어, 공정 가스는 Cl 또는 F, NF3, C2F6, CF4, COS, SF6, Cl2, BCl3, C2HF5, N2, Ar 및 He등의 불활성가스, H2 및 O2를 포함할 수 있다. 제1 공간(230)에는 열 공급부(미도시)로부터 열이 공급될 수 있다. 제1 공간(230)에서 공정 가스는 가열될 수 있다.
하부 전극 유닛(300)은 공정 유닛(10)의 내부 공간 하부에 배치될 수 있다. 하부 전극 유닛(300)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 하부 전극 유닛(300)은 유전판(310), 베이스 플레이트(320) 및 링 유닛(330)을 포함할 수 있다. 유전판(310)은 원판 형상의 유전체일 수 있다. 유전판(310)의 상면에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 유전판(310)의 상면의 반경은 기판(W)의 반경보다 작을 수 있다.
유전판(310)은 내부에 정전 전극(312)을 포함할 수 있다. 정전 전극(312)의 테두리는 기판(W) 테두리와 얼라인될 수 있다. 정전 전극(312)은 외부 전원과 전기적으로 연결될 수 있다. 정전 전극(312)은 외부 전원으로부터 전력을 인가받을 수 있다. 정전 전극(312) 및 기판(W) 사이에는 정전기력이 발생할 수 있고, 유전판(310) 상면에 기판(W)이 흡착될 수 있다.
베이스 플레이트(320)는 유전판(310)의 하면에 위치할 수 있다. 베이스 플레이트(320)는 유전판(310) 및 링 유닛(330)을 지지할 수 있다. 베이스 플레이트(320)는 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 플레이트(320)는 알루미늄을 포함할 수 있다. 베이스 플레이트(320)는 제2 전원 유닛(40)과 전기적으로 연결될 수 있다. 베이스 플레이트(320)는 제2 전원 유닛(40)으로부터 제2 RF 전력을 인가받을 수 있다. 제2 RF 전력의 주파수는 제1 RF 전력의 주파수 보다 작을 수 있다. 베이스 플레이트(320)는 플라즈마의 이온을 기판(W)으로 끌어당기는 하부 전극의 기능을 수행할 수 있다.
링 유닛(330)은 베이스 플레이트(320) 상면에 배치될 수 있다. 링 유닛(330)은 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포되도록 전자기장을 제어할 수 있다. 링 유닛(330)은 내측부(332)와 외측부(334)를 포함할 수 있다. 내측부(332)는 유전판(310) 측면의 일부를 둘러쌀 수 있고, 베이스 플레이트(320) 상면의 일부를 덮을 수 있다. 외측부(334)의 테두리는 베이스 플레이트(320)의 테두리와 얼라인될 수 있고, 베이스 플레이트(320) 상면의 일부를 덮을 수 있다. 내측부(332)의 하면 및 외측부(334)의 하면은 공면을 형성할 수 있다. 내측부(332)의 높이(h1)는 외측부(334)의 높이(h2)보다 작을 수 있다. 내측부(332)의 상면 및 외측부(334)의 상면 사이에는 단차가 형성될 수 있다.
쉬라우드 유닛(400)은 내부 공간의 중심부에 배치될 수 있다. 쉬라우드 유닛(400)은 상부 전극 유닛(200) 및 하부 전극 유닛(300) 사이에 배치될 수 있다. 쉬라우드 유닛(400)은 제1 플랜지부(410), 측벽부(420), 제2 플랜지부(430), 배출부(440) 및 제2 공간(450)을 포함할 수 있다.
제1 플랜지부(410)는 하부 전극 유닛(300)의 일부를 둘러쌀 수 있다. 제1 플랜지부(410)는 링 형상일 수 있다. 제1 플랜지부(410)의 외측벽은 측벽부(420)와 연결될 수 있다.
측벽부(420)는 제1 플랜지부(410)로부터 제2 플랜지부(430)를 향해 수직 방향으로 연장될 수 있다. 측벽부(420)는 제1 플랜지부(410) 및 제2 플랜지부(430)를 연결할 수 있다. 예를 들어, 측벽부(420)는 실린더 형상일 수 있다. 제2 플랜지부(430)는 상부 전극 유닛(200)의 일부를 둘러쌀 수 있다. 제2 플랜지부(430)는 링 형상일 수 있다. 제2 플랜지부(430)의 외측벽은 측벽부(420)와 연결될 수 있다.
배출부(440)는 제1 슬릿(442) 및 제2 슬릿(444)을 포함할 수 있다. 제1 슬릿(442)은 제1 플랜지부(410)를 수직 방향으로 관통하여 형성될 수 있다. 제1 슬릿(442)은 제1 플랜지부(410)의 내측에서 외측으로 연장될 수 있다. 제1 슬릿(442)의 내측단은 폐쇄될 수 있고, 외측단은 개방될 수 있다. 예를 들어, 제1 슬릿(442)의 수직 방향 길이(L1)는 제1 플랜지부(410)의 외측벽의 높이(D1)와 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 슬릿(442)의 수직 방향 길이(L1)는 7mm 내지 15mm일 수 있다. 제1 슬릿(442)의 수평 방향 길이(L2)는 제1 슬릿(442)의 수직 방향 길이(L1)의 5배 내지 7배일 수 있다. 예를 들어, 제1 슬릿(442)의 수평 방향 길이(L2)는 35mm 내지 105mm일 수 있다. 제1 슬릿(442)의 폭(L3)은 2mm 내지 3mm일 수 있다. 제1 슬릿(442)은 복수 개일 수 있고, 제1 플랜지부(410)의 원주 방향을 따라 제1 간격(S1)으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 간격(S1)은 1.5mm 내지 2.5mm일 수 있다.
제2 슬릿(444)은 측벽부(420)를 수평 방향으로 관통하여 형성될 수 있다. 제2 슬릿(444)은 측벽부(420) 상에서 제1 플랜지부(410)를 관통하여 형성될 수 있다. 제2 슬릿(444)은 측벽부(420)의 하부에 위치할 수 있다. 제2 슬릿(444)의 상단은 폐쇄될 수 있고 하단은 개방될 수 있다. 제2 슬릿(444)은 제1 슬릿(442)과 연결될 수 있다. 제2 슬릿(444)의 수직 방향 길이(L4)는 제1 슬릿(442)의 수직 방향 길이(L1)와 동일할 수 있다. 예를 들어, 제2 슬릿(444)의 수직 방향 길이(L4)는 7mm 내지 15mm일 수 있다. 제2 슬릿(444)의 수평 방향 길이(L5)는 측벽부(420)의 두께(D2)와 동일할 수 있다. 예를 들어, 제2 슬릿(444)의 수평 방향 길이(L5)는 10mm 내지 20mm일 수 있다. 제2 슬릿의 폭(L6)은 제1 슬릿의 폭(L3)과 동일할 수 있다. 제2 슬릿(444)은 복수 개일 수 있고, 측벽부(420)의 원주 방향을 따라 제2 간격(S2)으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 간격(S2)은 2mm 내지 3mm일 수 있다.
제2 공간(450)은 제1 개구부(452), 제2 개구부(454) 및 처리 공간(456)을 포함할 수 있다. 제1 개구부(452)는 제1 플랜지부(410)의 내측면에 의해 한정될 수 있다. 제1 개구부(452)에는 상부 전극부(210)의 기판(W)과 링 유닛(330)이 위치할 수 있다. 제2 개구부(454)는 제2 플랜지부(430)의 내측면에 의해 한정될 수 있다. 제2 개구부(454)에는 수평 전극 부재(212)가 위치할 수 있다. 처리 공간(456)은 제1 개구부(452)와 제2 개구부(454) 사이에 위치할 수 있다. 처리 공간(456)은 제1 플랜지부(410), 측벽부(420) 및 제2 플랜지부(430)로 둘러싸인 공간일 수 있다. 처리 공간(456)에는 상부 전극부(210)로부터 공정 가스가 공급될 수 있다. 처리 공간(456)에는 제1 공간(230)으로부터 공정 가스가 공급될 수 있다. 공정 가스는 분사홀(220)을 통해 공급될 수 있다. 처리 공간(456)에서는 공정 가스를 기초로 플라즈마가 형성될 수 있다. 처리 공간(456)에서는 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 대한 처리가 수행될 수 있다. 처리 공간(456)에서 기판에 대한 처리가 수행되는 경우, 처리 가스가 생성될 수 있다. 예를 들어, 처리 가스는 CH, F, C, F6, NF3, NF6, CHF3, CF4, Ar 및 O2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
개폐 유닛(500)은 고정부(510), 개폐부(520) 및 구동부(530)를 포함할 수 있다. 고정부(510)는 쉬라우드 유닛(400)의 측벽부(420)의 외측에 배치될 수 있다. 고정부(510)는 측벽부(420)와 수평 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 고정부(510)는 상부벽(12)과 연결될 수 있다. 고정부(510)의 하면은 측벽부(420)의 하면과 공면을 이룰 수 있다.
개폐부(520)는 쉬라우드 유닛(400)의 하면과 수직 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 개폐부(520)는 측벽(14)과 수평 방향으로 이격될 수 있다. 예를 들어, 개폐부(520)는 측벽(14)과 적어도 6mm 내지 10mm 이격될 수 있다. 개폐부(520)는 제1 플랜지부(410)와 수직하게 중첩될 수 있다. 개폐부(520)는 측면이 사각 형상일 수 있다. 개폐부(520)는 하부 전극 유닛(300)의 적어도 일부를 둘러쌀 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 개폐부(520)는 하면이 링 형상 형상일 수 있다.
고정부(510) 및 개폐부(520)는 석영(quartz) 및 실리콘 산화물(sio2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구동부(530)는 상부벽(12)에 구비될 수 있다. 구동부(530)는 개폐부(520)에 대한 제어를 수행하여, 배출부(440)를 폐쇄하거나 개방할 수 있다. 예를 들어, 구동부(530)는 실린더 또는 모터(motor)일 수 있다. 구동부(530)는 개폐부(520)를 축소 및 확장 시키는 방식으로 제어를 수행할 수 있다. 구동부(530)의 제어에 의해 개폐부(520)의 수평 방향 길이(L7)는 증가 또는 감소할 수 있다.
처리 공간(456)에서 기판(W)에 대한 처리가 수행되는 경우, 구동부(530)는 개폐부(520)를 확장시켜 처리 공간(456)을 폐쇄할 수 있다. 구동부(530)는 처리 공간(456)에서 기판(W)에 대한 처리의 수행이 완료된 경우, 개폐부(520)를 외측에서 축소시켜 처리 공간(456)을 개방할 수 있다. 처리 공간(456)에서 생성된 처리 가스는 배출부(440)를 통해 배기 공간으로 유입될 수 있고, 배기 공간으로 유입된 처리 가스는 배출홀(160)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
도 1 및 도 3b를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 개폐부(520)는 지지 부재(522)를 포함하고, 지지 부재(522)의 내측단에서 내측 방향으로 연장된 복수의 회전 부재(524)를 더 포함할 수 있다. 회전 부재(524)의 수평 방향 길이(L8)는 제1 슬릿(442)의 수평 방향 길이(L2) 및 제2 슬릿(444)의 수평 방향 길이(L5)의 합과 동일하거나 그 이상일 수 있다. 회전 부재(524)의 폭(L9)은 제1 슬릿(442)의 폭(L3)과 동일하거나 그보다 클 수 있다. 개폐부(520)가 도 3b와 같이 구성된 경우, 구동부(530)는 개폐부(520)를 회전시키는 방식으로 처리 공간(456)을 폐쇄 또는 개방할 수 있다.
도 4a는 본 개시의 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 사시도이다. 도 4b는 본 개시의 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 측면도이다.
도 4a 내지 도 4b를 참조하면, 쉬라우드 유닛(600)은 제1 플랜지부(610), 측벽부(620), 제2 플랜지부(630), 제1 배출부(640) 및 제2 배출부(650)를 포함할 수 있다. 제1 배출부(640)는 제1 슬릿(642) 및 제2 슬릿(644)을 포함할 수 있다. 제1 슬릿(642) 및 제2 슬릿(644)은 도 2a 내지 2c에 도시된 제1 슬릿(442) 및 제2 슬릿(444)과 동일할 수 있다. 제2 배출부(650)는 제3 슬릿(652)을 포함할 수 있다. 제3 슬릿(652)는 측벽부(620)와 이격될 수 있다. 제1 슬릿(642)은 외측단이 개방되나, 제3 슬릿(652)은 외측단이 폐쇄되는 것을 제외하면 제3 슬릿(652)은 제1 슬릿(642)과 동일할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3 슬릿(652)은 제1 슬릿(642)과 수평 방향 길이가 다를 수 있다. 도면에는 제1 배출부(640) 및 제2 배출부(650)가 하나씩 번갈아서 배치되는 것으로 도시하였으나, 이는 일 예시이며, 제1 배출부(640) 및 제2 배출부(650)는 임의의 방식으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 두 개의 제1 배출부(640)가 배치된 후, 하나의 제2 배출부(650)가 배치될 수 있다.
도 5a는 본 개시의 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 사시도이다. 도 5b는 본 개시의 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 측면도이다.
도 5a 내지 도 5b를 참조하면, 쉬라우드 유닛(700)은 제1 플랜지부(710), 측벽부(720), 제2 플랜지부(730), 제1 배출부(740) 및 제2 배출부(750)를 포함할 수 있다. 제1 배출부(740)는 제1 슬릿(742) 및 제2 슬릿(744)을 포함할 수 있다. 제1 슬릿(742) 및 제2 슬릿(744)은 도 2a 내지 2c에 도시된 제1 슬릿(442) 및 제2 슬릿(444)과 동일할 수 있다. 제2 배출부(750)는 제3 슬릿(752) 및 제4 슬릿(754)을 포함할 수 있다. 제3 슬릿(752)은 제1 슬릿(742)과 동일할 수 있다. 제4 슬릿(754)은 측벽부(72)를 수평 방향으로 관통할 수 있다. 제4 슬릿(754) 제3 슬릿(752)과 연결될 수 있다. 제4 슬릿(752)의 상단은 폐쇄될 수 있고, 하단은 개방될 수 있다. 제4 슬릿(754)의 수직 방향 길이(L10)는 제1 플랜지부(710)의 두께 보다 클 수 있다. 제4 슬릿(754)의 수직 방향 길이(L10)는 제4 슬릿(754)의 수평 방향 길이(L11)보다 클 수 있다.
도 6a는 본 개시의 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 사시도이다. 도 6b는 본 개시의 실시예에 따른 쉬라우드 유닛의 측면도이다.
도 6a 내지 도 6b를 참조하면, 쉬라우드 유닛(800)은 제1 플랜지부(810), 측벽부(820), 제2 플랜지부(830) 및 배출부(840)를 포함할 수 있다. 배출부는 제1 슬릿(842) 및 제2 슬릿(844)을 포함할 수 있다. 적어도 하나 이상의 배출부(840) 사이의 간격(S3)은 나머지 배출부(840) 사이의 간격(S4)과 다를 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나 이상의 배출부(840) 사이의 간격(S3)은 제1 간격(S1)의 두배 이상일 수 있고, 나머지 배출부(840) 사이의 간격(S4)은 제1 간격(S1)과 동일할 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 개시의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 개략도이다.
도 7a를 참조하면, 처리 공간(456)에 기판(W)이 삽입될 수 있다. 개폐 유닛(500)은 개방된 쉬라우드 유닛(400)의 배출부(440)를 폐쇄할 수 있다. 개폐 유닛(500)의 구동부(530)는 개폐부(520)에 대한 제어를 수행하여 쉬라우드 유닛(400)의 배출부(440)를 폐쇄할 수 있다. 예를 들어, 개폐부(520)가 도 3a와 같이 구성된 경우, 구동부(530)는 개폐부(520)를 수평 방향으로 이동시켜 배출부(440)를 폐쇄할 수 있다. 개폐부(520)가 도 3b와 같이 구성된 경우, 구동부(530)는 개폐부(520)를 회전시켜 배출부(440)를 폐쇄할 수 있다. 배출부(440)가 폐쇄된 후, 가스 공급 유닛(20)은 공정 유닛(10)의 내부로 공정 가스(G1)를 공급할 수 있다. 공정 가스(G1)는 공급홀(120)을 통해 상부 전극 유닛(200)의 제1 공간(230)에 공급될 수 있다. 공정 가스(G1)는 열 공급부(미도시)로부터 공급받은 열에 의해 가열될 수 있다. 가열된 공정 가스(G1)는 상부 전극 유닛(200)의 분사홀(220)을 통해 쉬라우드 유닛(400)의 처리 공간(456)으로 분사될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상부 전극부(210)에는 제1 전원 유닛(30)으로부터 제1 RF 전력이 인가될 수 있다. 처리 공간(456) 내의 공정 가스(G1)가 플라즈마(PM) 상태로 여기되는 방식으로 플라즈마(PM)가 생성될 수 있다. 하부 전극 유닛(300)에는 제2 전원 유닛(40)으로부터 제2 RF 전력이 인가될 수 있다. 제2 RF 전력의 주파수는 제1 RF 전력의 주파수보다 작을 수 있다. 플라즈마(PM)의 이온은 하부 전극 유닛(300)의 유전판(310) 상에 놓인 기판(W)으로 이동하여, 기판(W)에 대한 식각 공정이 수행될 수 있다.
도 7c를 참조하면, 식각 공정에 따라, 쉬라우드 유닛(400)의 배출부(440) 내부에는 처리 가스(G2)가 생성될 수 있다. 개폐 유닛(500)은 폐쇄된 쉬라우드 유닛(400)의 배출부(440)를 개방할 수 있다. 개폐 유닛(500)의 구동부(530)는 개폐부(520)에 대한 제어를 수행하여 쉬라우드 유닛(400)의 배출부(440)를 개방할 수 있다. 예를 들어, 개폐부(520)가 도 3a와 같이 구성된 경우, 구동부(530)는 개폐부(520)를 수평방향으로 이동시켜 배출부(440)를 개방할 수 있다. 개폐부(520)가 도 3b와 같이 구성된 경우, 구동부(530)는 개폐부(520)를 회전시켜 배출부(440)를 개방할 수 있다. 처리 공간(456) 내의 처리 가스(G2)는 배출홀(160)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 따른 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
1: 기판 처리 장치 10: 공정 유닛
12: 상부벽 14: 측벽
16: 측벽 20: 가스 공급 유닛
22: 가스 공급 라인 30: 제1 전원 유닛
40: 제2 전원 유닛 120: 공급홀
160: 배출홀 200: 상부 전극 유닛
210: 상부 전극부 212: 수평 전극 부재
214: 수직 전극 부재 220: 분사홀
230: 제1 공간 300: 하부 전극 유닛
310: 유전판 312: 정전 전극
320: 베이스 플레이트 330: 링 유닛
332: 내측부 334: 외측부
400, 600, 700: 쉬라우드 유닛 410, 610, 710, 810: 제1 플랜지부\
420, 620, 720, 820: 측벽부 430, 630, 730, 830: 제2 플랜지부
440, 840: 배출부 442, 642, 742: 제1 슬릿
444, 644, 744: 제2 슬릿 450: 제2 공간
452: 제1 개구부 454: 제2 개구부
456: 처리 공간 500: 개폐 유닛
510: 고정부 520: 개폐부
522: 지지 부재 524: 회전 부재
530: 구동부 640, 740: 제1 배출부
650, 750: 제2 배출부 652, 752: 제3 슬릿
754, 754: 제4 슬릿

Claims (10)

  1. 외부로부터 기판이 처리 공간에 삽입되는 것;
    가스 공급 유닛으로부터 공정 가스를 상기 처리 공간으로 공급받는 것;
    상기 공정 가스를 기초로 플라즈마를 생성하는 것;
    상기 플라즈마에 포함된 이온을 통해 상기 기판에 대한 식각 공정을 수행하는 것; 및
    배출부를 통해 상기 공정을 통해 생성된 처리 가스를 배출시키는 것을 포함하고,
    상기 배출부는 플랜지부를 관통하는 제1 슬릿 및 상기 플랜지부와 연결된 측벽부를 관통하며 상기 제1 슬릿과 연결된 제2 슬릿을 포함하며,
    상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이 및 상기 제2 슬릿의 수직 방향 길이는 동일하고,
    상기 제1 슬릿의 수평 방향 길이는 상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이의 5배 내지 7배인, 기판 처리 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 슬릿은,
    내측단이 폐쇄되고 외측단이 개방되고,
    상기 제2 슬릿은,
    상단이 폐쇄되고 하단이 개방된, 기판 처리 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 슬릿의 폭 및 상기 제2 슬릿의 폭은 동일한, 기판 처리 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 슬릿의 수직 방향 길이는,
    7mm 내지 15mm인, 기판 처리 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 슬릿의 수평 방향 길이는,
    35mm 내지 105mm인, 기판 처리 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 슬릿의 수평 방향 길이는,
    상기 측벽부의 두께와 동일한, 기판 처리 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 슬릿의 수직 방향 길이는,
    7mm 내지 15mm인, 기판 처리 방법.
  8. 공정 유닛;
    상기 공정 유닛 상부에 배치되고, 제1 전력 유닛으로부터 제1 RF 전력이 인가되는 상부 전극 유닛;
    상기 공정 유닛 하부에 배치되고, 제2 전력 유닛으로부터 제2 RF 전력이 인가되는 하부 전극 유닛; 및
    상기 상부 전극 유닛 및 상기 하부 전극 유닛 사이에 배치되는, 쉬라우드 유닛을 포함하고,
    상기 쉬라우드 유닛은,
    링 형상의 플랜지부;
    상기 플랜지부의 외측벽으로부터 수직 방향으로 연장된 측벽부;
    상기 플랜지부를 관통하여 형성된 제1 슬릿 및 상기 측벽부를 관통하고 상기 제1 슬릿과 연결되는 제2 슬릿을 포함하는 제1 배출부들; 및
    상기 측벽부 상에서, 상기 플랜지부를 관통하여 형성된 제3 슬릿을 포함하는 제2 배출부들;
    을 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 슬릿의 형상 및 상기 제3 슬릿의 형상은 동일한, 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 배출부들은,
    상기 측벽부를 관통하며 상기 제3 슬릿과 연결된 제4 슬릿을 포함하는, 기판 처리 장치.
KR1020200146941A 2020-11-05 2020-11-05 기판 처리 방법 및 장치 KR20220060855A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200146941A KR20220060855A (ko) 2020-11-05 2020-11-05 기판 처리 방법 및 장치
US17/319,503 US20220139714A1 (en) 2020-11-05 2021-05-13 Methods of processing substrates and apparatuses thereof
US18/469,208 US20240038510A1 (en) 2020-11-05 2023-09-18 Methods of processing substrates and apparatuses thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200146941A KR20220060855A (ko) 2020-11-05 2020-11-05 기판 처리 방법 및 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220060855A true KR20220060855A (ko) 2022-05-12

Family

ID=81380406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200146941A KR20220060855A (ko) 2020-11-05 2020-11-05 기판 처리 방법 및 장치

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20220139714A1 (ko)
KR (1) KR20220060855A (ko)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
KR20030090305A (ko) * 2002-05-22 2003-11-28 동경엘렉트론코리아(주) 플라즈마 발생장치의 가스 배기용 배플 플레이트
US7552521B2 (en) * 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
US20090188625A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Carducci James D Etching chamber having flow equalizer and lower liner
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
US20110207332A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thin film coated process kits for semiconductor manufacturing tools
US9123661B2 (en) * 2013-08-07 2015-09-01 Lam Research Corporation Silicon containing confinement ring for plasma processing apparatus and method of forming thereof
US9330927B2 (en) * 2013-08-28 2016-05-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus for generating pressure pulses in small volume confined process reactor
CN105742203B (zh) * 2014-12-10 2019-08-13 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种改变气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备
KR102449621B1 (ko) * 2017-08-22 2022-09-30 삼성전자주식회사 쉬라우드 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10649006B2 (en) * 2017-10-06 2020-05-12 Lam Research Corporation Cathode RF asymmetry detection probe for semiconductor RF plasma processing equipment
US20210066051A1 (en) * 2019-08-28 2021-03-04 Applied Materials, Inc. High conductance lower shield for process chamber

Also Published As

Publication number Publication date
US20240038510A1 (en) 2024-02-01
US20220139714A1 (en) 2022-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11476093B2 (en) Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
JP7175339B2 (ja) 周期的かつ選択的な材料の除去及びエッチングのための処理チャンバ
JP5294626B2 (ja) 半導体基板処理チャンバ内のガス流を制御するための装置
JP2018125519A (ja) エッジ均一性制御のための調整可能な延長電極
US6974523B2 (en) Hollow anode plasma reactor and method
KR101552666B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN107564793B (zh) 电感耦合式等离子体(icp)反应器中的功率沉积控制
KR20200030642A (ko) 이중 매립 전극들을 갖는 기판 지지부
KR20210044906A (ko) 내장형 rf 차폐부를 갖는 반도체 기판 지지부들
TWI502619B (zh) 用於電漿處理設備之電極、電漿處理設備、以及使用電漿處理設備產生電漿的方法
TW201921580A (zh) 具有冷卻和傳導銷的基板支撐件
KR20150101785A (ko) 기판 처리 장치
JP4601104B2 (ja) プラズマ処理装置
KR20160140450A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
JP3224900U (ja) ポリマーの堆積を低減する装置
KR102656790B1 (ko) 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치
KR101590897B1 (ko) 샤워 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20220060855A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR20180080520A (ko) 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
JP7514862B2 (ja) プラズマアークを低減したプロセスチャンバ
US9117633B2 (en) Plasma processing apparatus and processing gas supply structure thereof
KR100686284B1 (ko) 상부 전극 유닛 및 이를 이용한 플라즈마 처리 장치
KR20210062299A (ko) 샤워 헤드 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
JP2005175368A (ja) プラズマ処理装置
KR20050080242A (ko) 반도체 웨이퍼 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination