KR20220029370A - 가공 장치 - Google Patents

가공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220029370A
KR20220029370A KR1020210099388A KR20210099388A KR20220029370A KR 20220029370 A KR20220029370 A KR 20220029370A KR 1020210099388 A KR1020210099388 A KR 1020210099388A KR 20210099388 A KR20210099388 A KR 20210099388A KR 20220029370 A KR20220029370 A KR 20220029370A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
cassette
processing
holding surface
cassette stage
Prior art date
Application number
KR1020210099388A
Other languages
English (en)
Inventor
아키코 기가와
노부유키 후쿠시
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20220029370A publication Critical patent/KR20220029370A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0076—Other grinding machines or devices grinding machines comprising two or more grinding tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0092—Grinding attachments for lathes or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G1/00—Storing articles, individually or in orderly arrangement, in warehouses or magazines
    • B65G1/02—Storage devices
    • B65G1/04—Storage devices mechanical
    • B65G1/0485—Check-in, check-out devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2201/00—Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
    • B65G2201/02—Articles
    • B65G2201/0297—Wafer cassette

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

[과제] 가공 유닛을 대기시키지 않고 웨이퍼를 연속적으로 가공한다.
[해결 수단] 제 1 카세트 스테이지에 재치된 제 1 카세트에 수납되어 있는 모든 웨이퍼의 가공이 종료되고 척 테이블의 유지면으로부터 최후의 웨이퍼가 반출되어 유지면이 비면, 반송 제어부의 제어에 의해, 즉시 제 2 카세트 스테이지에 재치된 제 2 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 그 유지면에 반입한다. 유지면에 유지되는 웨이퍼가 제 1 카세트로부터 반출된 웨이퍼로부터, 제 2 카세트로부터 반출된 웨이퍼로 교체되면, 전환부의 전환 제어에 의해 제 2 카세트 스테이지에 대응한 가공 조건으로 전환한다.

Description

가공 장치{PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 가공 장치에 관한 것이다.
웨이퍼를 연삭하는 연삭 장치는, 웨이퍼를 선반상으로 수납한 카세트를 카세트 스테이지에 재치하고, 카세트로부터 취출한 웨이퍼를 미리 설정한 가공 조건하에서 연삭 지석으로 연삭하고, 연삭 후의 웨이퍼를 카세트에 수납하고 있다.
연삭 장치에는, 특허문헌 1 에 나타내는 바와 같이 제 1 카세트 스테이지나 제 2 카세트 스테이지 등의 복수의 카세트 스테이지가 배치되어 있는 것이 있다. 그리고, 제 1 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 연삭한 후, 제 2 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 동일한 가공 조건으로 연삭하고 있다.
최근, 다품종의 웨이퍼를 소량 생산하기 위해서, 연삭 장치를 사용하여 제 1 카세트 스테이지에 재치한 카세트의 웨이퍼와, 제 2 카세트 스테이지에 재치한 카세트의 웨이퍼를 상이한 가공 조건으로 연삭하는 경우가 있다. 상이한 가공 조건으로 연삭하는 경우에는, 연삭 장치에 가공 조건을 설정하고, 제 1 카세트 스테이지에 재치한 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 연삭하고, 그 연삭된 웨이퍼를 제 1 카세트 스테이지에 재치한 카세트에 모두 수납한 후, 가공 조건의 설정을 변경하여 제 2 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 척 테이블로 반송하여 연삭하고 있다.
일본 공개특허공보 2014-165434호
그 때문에, 가공 조건의 설정을 변경할 때까지는 제 2 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼의 가공을 개시할 수 없다. 따라서, 제 1 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 최후의 웨이퍼가 연삭되고 척 테이블로부터 카세트에 반송될 때까지의 시간, 및 제 2 카세트 스테이지의 카세트의 최초의 웨이퍼가 척 테이블에 반송될 때까지의 시간, 연삭 지석을 대기시키고 있기 때문에 생산성이 낮다. 또, 연삭 지석이 대기하고 있는 동안에 가공실 내의 온도가 내려가면 웨이퍼의 두께가 균일하게 되지 않게 되어 버린다.
따라서, 본 발명의 목적은, 카세트 스테이지가 복수 배치된 가공 장치에 있어서, 가공 유닛을 대기시키는 일 없이 연속적으로 가공이 가능한 가공 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 가공 장치로서, 복수의 웨이퍼가 수납된 제 1 카세트가 재치되는 제 1 카세트 스테이지와, 복수의 웨이퍼가 수납된 제 2 카세트가 재치되는 제 2 카세트 스테이지와, 유지면을 갖고 그 유지면 상에 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 웨이퍼를 가공하는 가공 유닛과, 그 척 테이블의 그 유지면으로 웨이퍼를 반입하는 반입 기구와, 그 척 테이블의 그 유지면으로부터 웨이퍼를 반출하는 반출 기구와, 그 제 1 카세트 스테이지에 재치된 그 제 1 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 가공할 때의 제 1 가공 조건과, 그 제 2 카세트 스테이지에 재치된 그 제 2 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 가공할 때의 그 제 1 가공 조건과 상이한 제 2 가공 조건을 설정하는 설정부와, 그 제 1 카세트 스테이지 또는 그 제 2 카세트 스테이지 중 어느 일방의 카세트 스테이지를 선택하는 선택부와, 그 선택부에 의해 선택된 카세트 스테이지에 대응한 가공 조건에 따른, 그 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 모든 웨이퍼의 가공이 종료되고, 그 유지면으로부터 최후의 웨이퍼가 반출되어 그 유지면이 비면, 즉시 타방의 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 그 유지면에 반입하는 반송 제어부와, 그 유지면에 재치되는 웨이퍼가 그 일방의 카세트 스테이지 측으로부터 반출된 웨이퍼로부터 그 타방의 카세트 스테이지 측으로부터 반출된 웨이퍼로 교체되면, 그 타방의 카세트 스테이지에 대응한 가공 조건으로 전환하는 전환부를 구비한 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 가공 장치는, 그 유지면을 갖는 그 척 테이블이 복수 배치되고, 그 반입 기구를 사용하여 그 유지면에 웨이퍼를 반입 가능한 반입 위치와, 그 가공 유닛이 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공하는 가공 위치 사이에서 회전 가능하게 배치된 턴테이블을 추가로 구비하고, 그 반송 제어부는, 그 일방의 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼가 모두 그 유지면에 반입되어 웨이퍼의 가공이 종료되고, 그 유지면으로부터 웨이퍼를 반출한 것에 의해 복수의 그 유지면 내의 하나의 유지면이 비면, 즉시 타방의 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 그 빈 유지면에 반입시킨다.
본 발명의 가공 장치에서는 미리 설정부에 제 1 가공 조건과 제 2 가공 조건을 설정해 두고, 제 1 카세트에 수납되어 있던 모든 웨이퍼의 가공이 종료되어 유지면이 비면, 반송 제어부에 의해 제어하여 제 2 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 자동적으로 유지면에 반입시키기 때문에, 가공 유닛이 대기하고 있는 시간을 삭감할 수 있다. 이로써, 웨이퍼의 가공에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
또, 유지면에 반입된 웨이퍼가, 어느 카세트 스테이지에 재치된 카세트로부터 반송된 웨이퍼인지를 관리하여 가공 조건을 전환하므로, 카세트 스테이지마다 가공 조건이 상이해도 웨이퍼의 연속 가공이 가능하게 되었다.
도 1 은 가공 장치의 전체를 나타내는 사시도이다.
1 가공 장치의 구성
도 1 에 나타내는 가공 장치 (1) 는, 제 1 가공 유닛 (3) 및 제 2 가공 유닛 (5) 을 사용하여 3 개의 척 테이블 (2) 중 어느 것에 유지된 웨이퍼 (17) 를 가공하는 가공 장치이다. 이하, 가공 장치 (1) 의 구성에 대해 설명한다. 가공 장치 (1) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이 Y 축 방향으로 연장 형성된 베이스 (10) 를 구비하고 있다. 베이스 (10) 의 ＋Y 방향 측 또한 ＋X 방향 측에는 제 1 칼럼 (11) 이 세워 형성되어 있고, 제 1 칼럼 (11) 의 -X 방향 측에는 제 2 칼럼 (12) 이 세워 형성되어 있다. 또, 가공 장치 (1) 는 케이싱 커버 (100) 를 구비하고 있고, 가공 장치 (1) 의 각종 부재는 케이싱 커버 (100) 로 덮여 있다.
베이스 (10) 의 -Y 방향 측 또한 ＋X 방향 측에는 제 1 카세트 스테이지 (7010) 가 배치 형성되어 있고, 제 1 카세트 스테이지 (7010) 의 -X 방향 측에는 제 2 카세트 스테이지 (7020) 가 배치 형성되어 있다. 제 1 카세트 스테이지 (7010) 에는 제 1 카세트 (701) 가 재치된다. 제 1 카세트 (701) 는 웨이퍼 (17) 를 수납하는 도시되지 않은 복수의 선반을 구비하고 있고, 제 1 카세트 (701) 에는 예를 들어 가공 전의 복수의 웨이퍼 (17) 가 선반상으로 수납되어 있다. 제 2 카세트 스테이지 (7020) 에는 제 2 카세트 (702) 가 재치된다. 제 2 카세트 (702) 는 웨이퍼 (17) 를 수납하는 도시되지 않은 복수의 선반을 구비하고 있고, 제 2 카세트 (702) 에는 예를 들어 가공 전의 복수의 웨이퍼 (17) 가 선반상으로 수납되어 있다.
제 1 카세트 (701) 의 ＋Y 방향 측에는, 로봇 (71) 이 배치 형성되어 있다. 로봇 (71) 을 사용하여 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 인출하여 가거치 영역 (720) 에 반송할 수 있다. 또, 로봇 (71) 을 사용하여 제 2 카세트 (702) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 인출하여 가거치 영역 (720) 에 반송할 수 있다.
또, 로봇 (71) 은 가공 후의 웨이퍼 (17) 를 제 1 카세트 (701) 또는 제 2 카세트 (702) 중 어느 일방의 카세트에 수납할 수도 있다. 예를 들어 로봇 (71) 에 의해 제 1 카세트 (701) 로부터 인출되어 가공된 웨이퍼 (17) 는, 가공 후에 제 1 카세트 (701) 에 수납되게 된다. 한편, 로봇 (71) 에 의해 제 2 카세트 (702) 로부터 인출되어 가공된 웨이퍼 (17) 는, 가공 후에 제 2 카세트 (702) 에 수납되게 된다.
로봇 (71) 의 가동역에 있어서의 ＋X 방향 측에는, 가공 전의 웨이퍼 (17) 가 가거치되는 가거치 영역 (720) 이 형성되어 있고, 로봇 (71) 의 가동역에 있어서의 -X 방향 측에는, 가공 후의 웨이퍼 (17) 를 세정하는 세정 영역 (732) 이 형성되어 있다.
가거치 영역 (720) 에는, 위치 맞춤 기구 (72) 가 배치 형성되어 있다. 카세트 (70) 로부터 반출되어 가거치 영역 (720) 에 재치된 웨이퍼 (17) 는, 위치 맞춤 기구 (72) 에 의해 소정의 위치에 위치 맞춤되게 된다.
세정 영역 (732) 에는, 스피너 세정 유닛 (73) 이 배치 형성되어 있다. 스피너 세정 유닛 (73) 은, 웨이퍼 (17) 가 유지되는 스피너 테이블 (730) 과, 스피너 테이블 (730) 에 유지된 웨이퍼 (17) 를 향하여 세정수를 분출하는 세정수 공급 노즐 (731) 을 구비하고 있다. 예를 들어, 스피너 테이블 (730) 의 상면에 가공 후의 웨이퍼 (17) 가 유지되고 있는 상태에서, 스피너 테이블 (730) 을 회전시키면서 세정수 공급 노즐 (731) 로부터 세정수를 공급함으로써 웨이퍼 (17) 를 세정할 수 있다. 또, 스피너 테이블 (730) 의 상방에는, 세정수 공급 노즐 (731) 로부터 공급된 세정수가 세정 영역 (732) 의 주위로 비산하는 것을 방지하는 방수 커버 (733) 가 형성되어 있다.
가거치 영역 (720) 에 인접하는 위치에는, 가거치 영역 (720) 에서 위치 맞춤 기구 (72) 를 사용하여 위치 맞춤된 웨이퍼 (17) 를 3 개의 척 테이블 (2) 중 어느 것에 반입하는 반입 기구 (741) 가 배치 형성되어 있다. 반입 기구 (741) 는, 원판상의 반송 패드 (75) 및 반송 패드 (75) 를 매달아 유지하는 아암 (76) 을 구비하고 있다. 반송 패드 (75) 는 도시되지 않은 흡인원에 접속되어 있고, 반송 패드 (75) 의 하면인 유지면 (750) 에 웨이퍼 (17) 를 흡인 유지할 수 있다.
또, 아암 (76) 의 단부 (端部) 에는 축부 (77) 가 연결되어 있고, 축부 (77) 에는 Z 축 방향의 축심을 축으로 하여 축부 (77) 를 회전시키는 도시되지 않은 회전 기구가 접속되어 있다. 그 회전 기구를 사용하여 축부 (77) 를 회전시킴으로써, 축부 (77) 에 연결되어 있는 아암 (76) 을 선회시켜 반송 패드 (75) 를 수평 이동시킬 수 있다. 또한, 축부 (77) 에는 도시되지 않은 승강 기구가 배치 형성되어 있다. 그 승강 기구를 사용하여 축부 (77) 를 Z 축 방향으로 승강시킴으로써, 아암 (76) 및 반송 패드 (75) 가 Z 축 방향으로 일체적으로 승강 이동하는 구성으로 되어 있다.
예를 들어, 가거치 영역 (720) 에 웨이퍼 (17) 가 재치된 상태에서, 아암 (76) 을 선회시켜 가거치 영역 (720) 에 가거치된 웨이퍼 (17) 의 바로 위에 반송 패드 (75) 를 위치시키고 하강시키고 나서 그 흡인원을 작동시키는 것에 의해, 반송 패드 (75) 에 웨이퍼 (17) 를 흡인 유지할 수 있다. 그리고, 반송 패드 (75) 에 웨이퍼 (17) 가 흡인 유지된 상태에서, 아암 (76) 을 선회시켜 반송 패드 (75) 에 흡인 유지된 웨이퍼 (17) 를 척 테이블 (2) 의 상방에 위치시키고 나서 반송 패드 (75) 를 하강시키고, 반송 패드 (75) 에 작용하고 있는 흡인력을 해제함으로써, 웨이퍼 (17) 를 척 테이블 (2) 에 반입할 수 있다.
반입 기구 (741) 의 -X 방향 측에는, 가공 후의 웨이퍼 (17) 를 척 테이블 (2) 로부터 반출하는 반출 기구 (742) 가 배치 형성되어 있다. 반출 기구 (742) 는, 반입 기구 (741) 와 동일하게 구성되어 있으므로, 반입 기구 (741) 와 동일한 부호를 붙인다.
예를 들어, 가공 후의 웨이퍼 (17) 를 반송 패드 (75) 에 흡인 유지하고, 아암 (76) 을 선회시켜, 반송 패드 (75) 에 흡인 유지된 웨이퍼 (17) 를 스피너 테이블 (730) 의 상면에 위치시키고 나서 반송 패드 (75) 를 하강시키고, 반송 패드 (75) 에 작용되고 있는 흡인력을 해제함으로써, 웨이퍼 (17) 를 유지면 (200) 으로부터 세정 영역 (732) 으로 반출할 수 있다.
베이스 (10) 상에 있어서의 ＋Y 방향 측에는, 원판 형상의 턴테이블 (23) 이 배치 형성되어 있다. 턴테이블 (23) 의 상면 (230) 에는, 3 개의 척 테이블 (2) 이 둘레 방향으로 동등한 간격을 두고 배치 형성되어 있다. 턴테이블 (23) 은, 도시되지 않은 회전 기구에 접속되어 있고, 그 회전 기구를 사용하여 턴테이블 (23) 의 중심 (2300) 을 통과하는 Z 축 방향의 축심을 축으로 하여 회전 가능하다.
3 개의 척 테이블 (2) 은 원판 형상을 가지고 있다. 3 개의 척 테이블 (2) 은, 그 각각이 흡인부 (20) 와 흡인부 (20) 를 지지하는 프레임체 (21) 를 구비하고 있다. 흡인부 (20) 의 상면은 웨이퍼 (17) 가 유지되는 유지면 (200) 이며, 프레임체 (21) 의 상면 (210) 은 유지면 (200) 에 면일 (面一) 로 형성되어 있다.
흡인부 (20) 는, 도시되지 않은 흡인원에 접속되어 있다. 예를 들어 웨이퍼 (17) 가 유지면 (200) 에 재치되어 있는 상태에서 그 흡인원에 의해 만들어지는 흡인력을 흡인부 (20) 에 전달함으로써, 유지면 (200) 에 웨이퍼 (17) 를 흡인 유지할 수 있다.
또, 유지면 (200) 에는 유지면 (200) 의 압력의 크기를 측정하는 도시되지 않은 압력 감시 수단이 접속되어 있다. 그 압력 감시 수단에 있어서는, 그 흡인원이 작동하고 있는 상태에서 유지면 (200) 에 웨이퍼 (17) 가 흡인 유지되고 있을 때와 유지면 (200) 에 아무것도 유지되고 있지 않을 때는 상이한 크기의 압력이 측정된다.
또, 각각의 척 테이블 (2) 은 도시되지 않은 회전 기구에 접속되어 있다. 그 회전 기구를 사용함으로써, 유지면 (200) 의 중심을 통과하는 Z 축 방향의 축심을 축으로 하여 척 테이블 (2) 을 자전시킬 수 있다.
턴테이블 (23) 을 회전시킴으로써, 턴테이블 (23) 상에 배치 형성되어 있는 3 개의 척 테이블 (2) 을 턴테이블 (23) 의 중심 (2300) 을 축으로 하여 공전시킬 수 있다. 그리고, 턴테이블 (23) 을 사용하여 척 테이블 (2) 을 공전시킴으로써, 3 개의 척 테이블 (2) 의 각각을 제 1 가공 유닛 (3) 의 하방의 수평 위치인 제 1 가공 위치와, 제 2 가공 유닛 (5) 의 하방의 수평 위치인 제 2 가공 위치와, 반입 기구 (741) 를 사용하여 유지면 (200) 에 웨이퍼 (17) 를 반입할 때의 수평 위치인 반입 위치 (반출 기구 (742) 를 사용하여 웨이퍼 (17) 를 반출할 때의 반출 위치이기도 하다) 에 위치시킬 수 있다.
여기서, 제 1 가공 위치는 제 1 가공 유닛 (3) 을 사용하여 웨이퍼 (17) 를 조연삭 가공할 때의 척 테이블 (2) 의 수평 위치이며, 제 2 가공 위치는 제 2 가공 유닛 (5) 을 사용하여 웨이퍼 (17) 를 마무리 연삭 가공할 때의 척 테이블 (2) 의 수평 위치이다. 예를 들어, 3 개의 척 테이블 (2) 중 어느 것이 제 1 가공 위치에 위치되어 있을 때는, 그 밖의 2 개의 척 테이블 (2) 의 각각은 제 2 가공 위치와 반입 위치에 위치되는 것으로 한다.
제 1 칼럼 (11) 의 -Y 방향 측의 측면에는, 제 1 가공 유닛 (3) 을 승강 가능하게 지지하는 제 1 가공 이송 기구 (4) 가 배치 형성되어 있다. 제 1 가공 이송 기구 (4) 는, Z 축 방향의 회전축 (45) 을 갖는 볼 나사 (40) 와, 볼 나사 (40) 에 대해 평행하게 배치 형성된 1 쌍의 가이드 레일 (41) 과, 회전축 (45) 을 축으로 하여 볼 나사 (40) 를 회전시키는 Z 축 모터 (42) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (40) 에 나사 결합하여 측부가 가이드 레일 (41) 에 슬라이딩 접촉하는 승강판 (43) 과, 승강판 (43) 에 연결되고 제 1 가공 유닛 (3) 을 지지하는 홀더 (44) 를 구비하고 있다.
Z 축 모터 (42) 에 의해 볼 나사 (40) 가 구동되어 볼 나사 (40) 가 회전축 (45) 를 축으로 하여 회전하면, 이것에 수반하여 승강판 (43) 이 가이드 레일 (41) 에 안내되면서 Z 축 방향으로 승강 이동함과 함께, 제 1 가공 유닛 (3) 이 Z 축 방향으로 승강 이동하는 구성으로 되어 있다.
제 1 가공 유닛 (3) 은, 예를 들어 Z 축 방향의 회전축 (35) 을 갖는 스핀들 (30) 과, 스핀들 (30) 을 회전 가능하게 지지하는 하우징 (31) 과, 회전축 (35) 을 축으로 하여 스핀들 (30) 을 회전 구동하는 스핀들 모터 (32) 와, 스핀들 (30) 의 하단 (下端) 에 접속된 마운트 (33) 와, 마운트 (33) 의 하면에 착탈 가능하게 장착된 조연삭 휠 (34) 을 구비하는 조연삭 유닛이다. 조연삭 휠 (34) 은, 휠 기대 (341) 와 휠 기대 (341) 의 하면에 환상으로 배열된 대략 직방체상의 복수의 조연삭 지석 (340) 을 구비하고 있다. 조연삭 지석 (340) 의 하면 (342) 은 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 에 접촉하는 연삭면이다.
스핀들 모터 (32) 를 사용하여 스핀들 (30) 을 회전시킴으로써, 스핀들 (30) 에 접속된 마운트 (33) 및 마운트 (33) 의 하면에 장착된 조연삭 휠 (34) 이 일체적으로 회전하게 된다.
베이스 (10) 상에 있어서의 제 1 가공 유닛 (3) 의 근방에는, 제 1 두께 측정 유닛 (13) 이 배치 형성되어 있다. 제 1 두께 측정 유닛 (13) 은, 예를 들어 접촉식의 하이트 게이지 등을 갖는 것이며, 웨이퍼 (17) 의 조연삭 가공 중에 유지면 (200) 에 유지된 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 과 프레임체 (21) 의 상면 (210) 에 그 하이트 게이지를 접촉시켜 양자의 높이의 차를 측정함으로써 웨이퍼 (17) 의 두께를 측정할 수 있다.
제 2 칼럼 (12) 의 -Y 방향 측의 측면에는, 제 2 가공 유닛 (5) 을 승강 가능하게 지지하는 제 2 가공 이송 기구 (6) 이 배치 형성되어 있다. 제 2 가공 이송 기구 (6) 는, Z 축 방향의 회전축 (65) 을 갖는 볼 나사 (60) 와, 볼 나사 (60) 에 대해 평행하게 배치 형성된 1 쌍의 가이드 레일 (61) 과, 회전축 (65) 을 축으로 하여 볼 나사 (60) 를 회전시키는 Z 축 모터 (62) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (60) 에 나사 결합하고 측부가 가이드 레일 (61) 에 슬라이딩 접촉하는 승강판 (63) 과, 승강판 (63) 에 연결되고 제 2 가공 유닛 (5) 을 지지하는 홀더 (64) 를 구비하고 있다.
Z 축 모터 (62) 에 의해 볼 나사 (60) 가 구동되어, 볼 나사 (60) 가 회전축 (65) 을 축으로 하여 회전하면, 이것에 수반하여 승강판 (63) 이 가이드 레일 (61) 에 안내되어 Z 축 방향으로 승강 이동함과 함께, 홀더 (64) 에 유지되고 있는 제 2 가공 유닛 (5) 이 Z 축 방향으로 승강 이동하는 구성으로 되어 있다.
제 2 가공 유닛 (5) 은, 예를 들어 Z 축 방향의 회전축 (55) 을 갖는 스핀들 (50) 과, 스핀들 (50) 을 회전 가능하게 지지하는 하우징 (51) 과, 회전축 (55) 을 축으로 하여 스핀들 (50) 을 회전 구동하는 스핀들 모터 (52) 와, 스핀들 (50) 의 하단에 접속된 마운트 (53) 와, 마운트 (53) 의 하면에 착탈 가능하게 장착된 마무리 연삭 휠 (54) 을 구비하는 마무리 연삭 유닛이다.
마무리 연삭 휠 (54) 은, 휠 기대 (541) 와 휠 기대 (541) 의 하면에 환상으로 배열된 대략 직방체상의 복수의 마무리 연삭 지석 (540) 을 구비하고 있다. 여기서, 마무리 연삭 지석 (540) 의 지립은 조연삭 지석 (340) 의 지립보다 미세하다. 마무리 연삭 지석 (540) 의 하면 (542) 은 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 에 접촉하는 연삭면이다.
스핀들 모터 (52) 를 사용하여 스핀들 (50) 을 회전시킴으로써, 스핀들 (50) 에 접속된 마운트 (53) 및 마운트 (53) 의 하면에 장착된 마무리 연삭 휠 (54) 이 일체적으로 회전하게 된다.
베이스 (10) 상에 있어서의 제 2 가공 유닛 (5) 의 근방에는, 제 2 두께 측정 유닛 (14) 이 배치 형성되어 있다. 제 2 두께 측정 유닛 (14) 은, 제 1 두께 측정 유닛 (13) 과 동일하게 예를 들어 접촉식의 하이트 게이지 등을 가지고 있다. 웨이퍼 (17) 의 마무리 연삭 가공 중에 유지면 (200) 에 유지된 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 과 프레임체 (21) 의 상면 (210) 에 그 하이트 게이지를 접촉시켜 양자의 높이의 차를 측정함으로써 웨이퍼 (17) 의 두께를 측정할 수 있다.
가공 장치 (1) 는, 제 1 카세트 스테이지 (7010) 에 재치된 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 가공하는 제 1 가공 조건과, 제 2 카세트 스테이지 (7020) 에 재치된 제 2 카세트 (702) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 가공하는 제 2 가공 조건을 설정하는 설정부 (90) 를 구비하고 있다. 설정부 (90) 는, 예를 들어 메모리 등의 기억 소자를 구비하고 있고, 제 1 가공 조건을 기억하는 영역과 제 2 기억 영역을 기억하는 영역을 각각 가지고 있다. 제 1 가공 조건과 제 2 가공 조건은 상이한 가공 조건이다. 가공 장치 (1) 의 케이싱 커버 (100) 의 -Y 방향 측의 측면에는 터치 패널 (15) 이 형성되어 있고, 터치 패널 (15) 은 설정부 (90) 에 전기적으로 접속되어 있다. 예를 들어 터치 패널 (15) 에 터치하여 가공 조건을 설정함으로써, 설정된 가공 조건이 설정부 (90) 에 기억되는 구성으로 되어 있다.
또, 가공 장치 (1) 는, 제 1 카세트 스테이지 (7010) 또는 제 2 카세트 스테이지 (7020) 중 어느 일방의 카세트 스테이지를 선택하는 선택부 (91) 를 구비하고 있다.
가공 장치 (1) 는, 선택부 (91) 에 의해 선택된 제 1 카세트 스테이지 (7010) 에 재치된 제 1 카세트 (701), 또는 제 2 카세트 스테이지 (7020) 에 재치된 제 2 카세트 (702) 중 어느 일방의 카세트에 수납되어 있는 모든 웨이퍼 (17) 의 가공이 종료되고, 유지면 (200) 으로부터 최후의 웨이퍼 (17) 가 반출되어 유지면 (200) 이 비면, 즉시 타방의 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 유지면 (200) 에 반입한다는 제어 지령을 실시하는 반송 제어부 (92) 를 구비하고 있다.
반송 제어부 (92) 에는, 전술한 도시되지 않은 압력 감시 수단이 전기적으로 접속되어 있다. 또, 반송 제어부 (92) 에는, 미리 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 의 수를 인식하는 도시되지 않은 인식 수단과, 제 1 카세트 (701) 로부터 인출되어 가공된 웨이퍼 (17) 의 수를 카운트하는 도시되지 않은 카운터가 접속되어 있다. 그 카운터는 예를 들어 유지면 (200) 으로부터 웨이퍼 (17) 가 반출될 때 유지면 (200) 의 압력이 변화할 때마다 카운트 업한다는 기능을 가지고 있다.
반송 제어부 (92) 에 있어서는, 그 인식 수단에 의해 인식된 미리 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 의 수와, 그 카운터에 의해 카운트되는 가공된 웨이퍼 (17) 의 수에 기초하여 최후의 웨이퍼 (17) 의 가공 종료의 타이밍이 인식된다. 유지면 (200) 으로부터 최후의 웨이퍼 (17) 가 반출되어 유지면 (200) 이 비었을 때는, 그것이 그 압력 감시 수단에 의해 감시되고 있는 압력의 변화에 의해 인식되고, 반송 제어부 (92) 에 전기 신호로서 전달되는 구성으로 되어 있다.
그 인식 수단에 의해 인식된 미리 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 의 수와, 그 카운터에 의해 카운트되는 가공된 웨이퍼 (17) 의 수가 일치했을 때에, 유지면 (200) 이 빈 것을 인식해도 된다. 또, 웨이퍼를 유지면 (200) 으로부터 반출하는 반출 기구 (742) 에 압력 감시 수단과 카운트를 배치하고, 반출 기구 (742) 가 웨이퍼를 유지한 것에 의해 압력 감시 수단의 압력 변화로 카운터를 카운트 업시키고, 카운트 업한 값이, 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있던 웨이퍼 (17) 의 수와 일치하면, 유지면 (200) 이 빈 것을 인식해도 된다.
또한, 가공 장치 (1) 는, 유지면 (200) 에 유지되는 웨이퍼 (17) 가 제 1 카세트 스테이지 (7010) 또는 제 2 카세트 스테이지 (7020) 중 어느 일방의 카세트 스테이지로부터 반입된 웨이퍼 (17) 로부터 타방의 카세트 스테이지로부터 반입된 웨이퍼 (17) 로 교체된다면 타방의 카세트 스테이지에 대응한 가공 조건으로 전환하는 전환부 (93) 를 구비하고 있다. 전환부 (93) 는, 설정부 (90) 로부터 제 1 가공 조건 또는 제 2 가공 조건 중 어느 것을 판독하여 가공 장치 (1) 의 제어에 사용한다.
2 가공 장치의 동작
가공 장치 (1) 를 사용하여 웨이퍼 (17) 를 연삭 가공할 때의 가공 장치 (1) 의 동작에 대해 설명한다. 연삭 가공의 순서로서, 예를 들어 먼저 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 모든 웨이퍼 (17) 를 가공한 후, 제 2 카세트 (702) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 가공하는 경우를 예로 들어 설명한다.
가공 장치 (1) 를 사용하여 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 의 가공을 실시할 때는, 먼저 선택부 (91) 에 의해 제 1 카세트 스테이지 (7010) 가 선택된다. 이로써, 제 1 카세트 스테이지 (7010) 에 대응하는 가공 조건으로서 미리 설정부 (90) 에 설정되어 있는 제 1 가공 조건이 판독된다. 제 1 가공 조건에는, 예를 들어 조연삭 지석 (340) 및 마무리 연삭 지석 (540) 의 회전 속도나 양 연삭 지석의 가공 이송 속도 등의 조건이 있다.
그리고, 로봇 (71) 을 사용하여 제 1 카세트 (701) 에 수납된 복수의 웨이퍼 (17) 중 1 장을 인출하여 가거치 영역 (720) 에 재치하고, 위치 맞춤 기구 (72) 를 사용하여 위치 맞춤을 실시한다.
또, 턴테이블 (23) 을 회전시켜 턴테이블 (23) 에 배치 형성되어 있는 3 개의 척 테이블 (2) 중 하나를 웨이퍼 (17) 의 반입 위치에 위치시켜 둔다. 3 개의 척 테이블 (2) 중 하나를 반입 위치에 위치시키고 있는 상태에서, 반입 기구 (741) 를 사용하여 가거치 영역 (720) 에 재치되어 있는 웨이퍼 (17) 를 반입 위치에 위치되어 있는 척 테이블 (2) 의 유지면 (200) 상에 반입한다. 이어서 유지면 (200) 에 웨이퍼 (17) 가 재치된 상태에서 도시되지 않은 흡인원을 작동시킴으로써, 만들어진 흡인력이 유지면 (200) 에 전달되어, 유지면 (200) 에 웨이퍼 (17) 가 흡인 유지된다.
다음으로, 턴테이블 (23) 을 예를 들어 반시계 방향으로 120 도만큼 회전시켜, 유지면 (200) 에 웨이퍼 (17) 가 유지되고 있는 척 테이블 (2) 을 제 1 가공 유닛 (3) 의 하방으로 이동시킨다. 이로써, 유지면 (200) 에 웨이퍼 (17) 가 유지되고 있는 척 테이블 (2) 이 제 1 가공 위치에 위치된다.
또, 도시되지 않은 회전 기구를 사용하여 척 테이블 (2) 의 유지면 (200) 에 유지된 웨이퍼 (17) 를 회전시킴과 함께 스핀들 모터 (32) 를 사용하여 조연삭 지석 (340) 을 회전축 (35) 을 축으로 하여 회전시켜 둔다.
유지면 (200) 에 유지된 웨이퍼 (17) 와 조연삭 지석 (340) 이 회전하고 있는 상태에서, 제 1 가공 이송 기구 (4) 를 사용하여 조연삭 지석 (340) 을 -Z 방향으로 하강시킨다. 이로써, 조연삭 지석 (340) 의 하면 (342) 이 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 에 접촉한다.
조연삭 지석 (340) 의 하면 (342) 이 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 에 접촉하고 있는 상태에서, 제 1 가공 이송 기구 (4) 를 사용하여 조연삭 지석 (340) 을 더욱 -Z 방향으로 하강시켜 감으로써, 웨이퍼 (17) 가 조연삭 가공된다. 웨이퍼 (17) 의 조연삭 가공 중에는, 제 1 두께 측정 유닛 (13) 을 사용한 웨이퍼 (17) 의 두께 측정이 실시된다. 웨이퍼 (17) 가 소정의 두께로 연삭 가공되면, 웨이퍼 (17) 의 조연삭 가공을 종료한다.
웨이퍼 (17) 의 조연삭 가공의 종료 후, 제 1 가공 이송 기구 (4) 를 사용하여 조연삭 지석 (340) 을 ＋Z 방향으로 상승시켜 조연삭 지석 (340) 을 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 으로부터 이간시킨다.
그리고, 턴테이블 (23) 을 예를 들어 반시계 방향으로 120 도만큼 회전시켜, 조연삭 가공 후의 웨이퍼 (17) 가 유지되고 있는 척 테이블 (2) 을 제 2 가공 유닛 (5) 의 하방으로 이동시킨다. 이로써, 조연삭 가공 후의 웨이퍼 (17) 가 유지되고 있는 척 테이블 (2) 이 제 2 가공 위치에 위치된다.
또, 스핀들 모터 (52) 를 사용하여 마무리 연삭 지석 (540) 을 회전축 (55) 을 축으로 하여 회전시켜 둔다. 유지면 (200) 에 유지된 웨이퍼 (17) 와 마무리 연삭 지석 (540) 이 회전하고 있는 상태에서, 제 2 가공 이송 기구 (6) 를 사용하여 마무리 연삭 지석 (540) 을 -Z 방향으로 하강시킴으로써, 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 에 마무리 연삭 지석 (540) 의 하면 (542) 이 접촉한다. 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 에 마무리 연삭 지석 (540) 의 하면 (542) 이 접촉하고 있는 상태에서, 제 2 가공 이송 기구 (6) 를 사용하여 마무리 연삭 지석 (540) 을 더욱 -Z 방향으로 하강시킴으로써, 웨이퍼 (17) 가 마무리 연삭 가공된다.
웨이퍼 (17) 의 마무리 연삭 가공 중에는, 제 2 두께 측정 유닛 (14) 을 사용한 웨이퍼 (17) 의 두께 측정이 실시된다. 웨이퍼 (17) 가 소정의 두께로 마무리 연삭되면, 웨이퍼 (17) 의 마무리 연삭 가공을 종료한다.
웨이퍼 (17) 의 마무리 연삭 가공 종료 후, 제 2 가공 이송 기구 (6) 를 사용하여 마무리 연삭 지석 (540) 을 ＋Z 방향으로 상승시켜 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 으로부터 마무리 연삭 지석 (540) 을 이간시킨다.
그리고, 턴테이블 (23) 을 예를 들어 반시계 방향으로 120 도만큼 회전시켜 마무리 연삭 가공 후의 웨이퍼 (17) 가 유지된 척 테이블 (2) 을 반출 영역 (반입 영역과 동일) 에 위치시킨다.
마무리 연삭 가공 후의 웨이퍼 (17) 가 유지된 척 테이블 (2) 이 반출 영역에 위치되어 있는 상태에서, 반출 기구 (742) 를 사용하여 유지면 (200) 으로부터 스피너 테이블 (730) 상으로 웨이퍼 (17) 를 반출한다.
그리고, 웨이퍼 (17) 가 스피너 테이블 (730) 에 유지되고 있는 상태에서, 스피너 테이블 (730) 을 회전시키면서 세정수 공급 노즐 (731) 로부터 세정수를 분사함으로써, 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 을 유수 세정한다.
웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 의 유수 세정 후, 로봇 (71) 을 사용하여 웨이퍼 (17) 를 제 1 카세트 (701) 에 수납한다.
상기 일련의 가공의 과정에서는, 웨이퍼 (17) 를 유지한 척 테이블 (2) 이 제 1 가공 유닛 (3) 의 하방으로 이동한 직후, 그 때에 반입 위치에 위치하는 척 테이블 (2) 에 다음의 가공 대상의 웨이퍼 (17) 를 반입한다. 이렇게 하여 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 차례차례로 인출하여 제 1 가공 유닛 (3) 을 사용한 조연삭 가공 및 제 2 가공 유닛 (5) 을 사용한 마무리 연삭 가공을 순서대로 실시해 간다. 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 의 수는 미리 인식되어 있고, 또 조연삭 가공되고, 또한 마무리 연삭 가공된 웨이퍼 (17) 의 수가 카운트되고 있다.
그리고, 제 1 카세트 (701) 에 미리 수납되어 있던 웨이퍼 (17) 중 최후의 웨이퍼 (17) 의 마무리 연삭 가공이 종료되고, 반출 기구 (742) 에 의해 척 테이블 (2) 의 유지면 (200) 으로부터 반출되면 척 테이블 (2) 의 유지면 (200) 이 빈다.
여기서, 유지면 (200) 에는 전술한 바와 같이 도시되지 않은 압력 감시 수단이 접속되어 있고, 유지면 (200) 의 흡인력의 크기의 변화가 감시되고 있다. 유지면 (200) 에 최후의 웨이퍼 (17) 가 흡인 유지되고 있는 상태로부터, 반출 기구 (742) 에 의해 유지면 (200) 으로부터 반출되어 유지면 (200) 에 아무것도 유지되고 있지 않은 상태가 되면, 유지면 (200) 의 흡인력의 크기가 변화한다. 그리고, 그것이 전기 신호로서 반송 제어부 (92) 에 전달된다.
그 전기 신호가 반송 제어부 (92) 에 전달되면, 선택부 (91) 에 의해 제 2 카세트 스테이지 (7020) 가 선택된다. 그리고, 반송 제어부 (92) 에 의한 동작 제어를 받아, 제 2 카세트 스테이지 (7020) 에 재치된 제 2 카세트 (702) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 가 로봇 (71) 에 의해 인출되어 가거치 영역 (720) 에 재치된다. 그리고, 위치 맞춤 기구 (72) 를 사용한 웨이퍼 (17) 의 위치 맞춤이 실시된다.
웨이퍼 (17) 의 위치 맞춤을 실시한 후, 미리 척 테이블 (2) 이 반입 영역에 위치되어 있는 상태에서 반입 기구 (741) 를 사용하여 웨이퍼 (17) 를 척 테이블 (2) 에 반입한다. 여기서, 유지면 (200) 에 유지되는 웨이퍼 (17) 가 제 1 카세트 스테이지 (7010) 에 재치되어 있는 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 로부터, 제 2 카세트 스테이지 (7020) 에 재치되어 있는 제 2 카세트 (702) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 로 교체되면, 설정부 (90) 로부터 제 2 가공 조건이 판독되고, 가공 조건이 전환부 (93) 에 의해 제 1 가공 조건으로부터 제 2 카세트 스테이지 (7020) 에 대응한 가공 조건인 제 2 가공 조건으로 전환된다.
그 후에는, 상기와 마찬가지로 제 1 가공 유닛 (3) 을 사용하여 웨이퍼 (17) 의 조연삭 가공을 실시하고 나서 제 2 가공 유닛 (5) 을 사용하여 웨이퍼 (17) 의 마무리 연삭 가공을 실시하고, 반출 기구 (742) 를 사용하여 유지면 (200) 으로부터 스피너 테이블 (730) 로 반출한 후, 스피너 세정 유닛 (73) 을 사용하여 웨이퍼 (17) 의 상면 (170) 을 유수 세정하고 나서 로봇 (71) 을 사용하여 제 2 카세트 (702) 에 수납한다.
또한, 제 2 카세트 (702) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 차례차례로 인출하여 제 1 가공 유닛 (3) 을 사용한 조연삭 가공 및 제 2 가공 유닛 (5) 을 사용한 마무리 연삭 가공을 순서대로 실시하여 가, 제 2 카세트 (702) 에 미리 수납되어 있는 모든 웨이퍼 (17) 를 가공한다.
종래의 가공에서는, 하나의 가공 조건으로의 웨이퍼 (17) 의 가공이 종료된 후, 다른 가공 조건으로 웨이퍼 (17) 를 가공하기 위해서 새로운 가공 조건을 설정하고 있고, 그것이 보틀넥이 되고 있었다. 이에 대하여, 가공 장치 (1) 에서는 미리 설정부 (90) 에 제 1 가공 조건과 제 2 가공 조건을 설정해 두고, 제 1 카세트 (701) 에 수납되어 있던 모든 웨이퍼 (17) 의 가공이 종료되어 유지면 (200) 이 비면, 반송 제어부 (92) 를 사용하여 제어해 제 2 카세트 (702) 에 수납되어 있는 웨이퍼 (17) 를 자동적으로 유지면 (200) 에 반입시키기 때문에, 제 1 가공 유닛 (3) 및 제 2 가공 유닛 (5) 이 대기하고 있는 시간을 삭감할 수 있다. 이로써, 웨이퍼 (17) 의 가공에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
또, 유지면 (200) 에 반입된 웨이퍼 (17) 가, 어느 카세트 스테이지에 재치된 카세트로부터 반송된 웨이퍼 (17) 인지를 관리하여 전환부 (93) 에서 가공 조건을 전환하므로, 카세트 스테이지마다 가공 조건이 상이해도 웨이퍼 (17) 의 연속 가공이 가능하게 되었다.
또한, 가공 장치 (1) 는 상기와 같이 웨이퍼 (17) 의 연삭 가공을 실시하는 연삭 장치에 한정되지 않고, 웨이퍼 (17) 의 연마 가공을 실시하는 연마 장치나 웨이퍼 (17) 의 절삭 가공을 실시하는 절삭 장치여도 된다.
1 : 가공 장치
10 : 베이스
11 : 제 1 칼럼
12 : 제 2 칼럼
13 : 제 1 두께 측정 유닛
14 : 제 2 두께 측정 유닛
15 : 터치 패널
100 : 케이싱 커버
17 : 웨이퍼
170 : 상면
2 : 척 테이블
20 : 흡인부
200 : 유지면
21 : 프레임체
210 : 프레임체의 상면
23 : 턴테이블
230 : 상면
2300 : 중심
3 : 제 1 가공 유닛
30 : 스핀들
31 : 하우징
32 : 스핀들 모터
33 : 마운트
34 : 조연삭 휠
340 : 조연삭 지석
341 : 휠 기대
342 : 하면
35 : 회전축
4 : 제 1 가공 이송 기구
40 : 볼 나사
41 : 가이드 레일
42 : Z 축 모터
43 : 승강판
44 : 홀더
45 : 회전축
5 : 제 2 가공 유닛
50 : 스핀들
51 : 하우징
52 : 스핀들 모터
53 : 마운트
54 : 마무리 연삭 휠
540 : 마무리 연삭 지석
541 : 휠 기대
542 : 하면
55 : 회전축
6 : 제 2 가공 이송 기구
60 : 볼 나사
61 : 가이드 레일
62 : Z 축 모터
63 : 승강판
64 : 홀더
65 : 회전축
7010 : 제 1 카세트 스테이지
701 : 제 1 카세트
7020 : 제 2 카세트 스테이지
702 : 제 2 카세트
71 : 로봇
72 : 위치 맞춤 기구
720 : 가거치 영역
73 : 스피너 세정 유닛
730 : 스피너 테이블
732 : 세정 영역
733 : 커버
741 : 반입 기구
742 : 반출 기구
75 : 반송 패드
750 : 유지면
76 : 아암
77 : 축부
90 : 설정부
91 : 선택부
92 : 반송 제어부
93 : 전환부

Claims (2)

  1. 가공 장치로서,
    복수의 웨이퍼가 수납된 제 1 카세트가 재치되는 제 1 카세트 스테이지와,
    복수의 웨이퍼가 수납된 제 2 카세트가 재치되는 제 2 카세트 스테이지와,
    유지면을 갖고 그 유지면 상에 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과,
    웨이퍼를 가공하는 가공 유닛과,
    그 척 테이블의 그 유지면으로 웨이퍼를 반입하는 반입 기구와,
    그 척 테이블의 그 유지면으로부터 웨이퍼를 반출하는 반출 기구와,
    그 제 1 카세트 스테이지에 재치된 그 제 1 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 가공할 때의 제 1 가공 조건과, 그 제 2 카세트 스테이지에 재치된 그 제 2 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 가공할 때의 그 제 1 가공 조건과 상이한 제 2 가공 조건을 설정하는 설정부와,
    그 제 1 카세트 스테이지 또는 그 제 2 카세트 스테이지 중 어느 일방의 카세트 스테이지를 선택하는 선택부와,
    그 선택부에 의해 선택된 카세트 스테이지에 대응한 가공 조건에 따른, 그 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 모든 웨이퍼의 가공이 종료되고, 그 유지면으로부터 최후의 웨이퍼가 반출되어 그 유지면이 비면, 즉시 타방의 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 그 유지면에 반입하는 반송 제어부와,
    그 유지면에 재치되는 웨이퍼가 그 일방의 카세트 스테이지 측으로부터 반출된 웨이퍼로부터 그 타방의 카세트 스테이지 측으로부터 반출된 웨이퍼로 교체되면, 그 타방의 카세트 스테이지에 대응한 가공 조건으로 전환하는 전환부
    를 구비한 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 유지면을 갖는 그 척 테이블이 복수 배치되고, 그 반입 기구를 사용하여 그 유지면에 웨이퍼를 반입 가능한 반입 위치와, 그 가공 유닛이 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공하는 가공 위치 사이에서 회전 가능하게 배치된 턴테이블을 추가로 구비하고,
    그 반송 제어부는, 그 일방의 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼가 모두 그 유지면에 반입되어 웨이퍼의 가공이 종료되고, 그 유지면으로부터 웨이퍼를 반출한 것에 의해 복수의 그 유지면 내의 하나의 유지면이 비면, 즉시 타방의 카세트 스테이지에 재치된 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼를 그 빈 유지면에 반입시키는 가공 장치.
KR1020210099388A 2020-08-31 2021-07-28 가공 장치 KR20220029370A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-145559 2020-08-31
JP2020145559A JP2022040720A (ja) 2020-08-31 2020-08-31 加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220029370A true KR20220029370A (ko) 2022-03-08

Family

ID=80221764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210099388A KR20220029370A (ko) 2020-08-31 2021-07-28 가공 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11810807B2 (ko)
JP (1) JP2022040720A (ko)
KR (1) KR20220029370A (ko)
CN (1) CN114102309A (ko)
DE (1) DE102021209172A1 (ko)
TW (1) TW202210398A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014165434A (ja) 2013-02-27 2014-09-08 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297258A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
JP4455750B2 (ja) * 2000-12-27 2010-04-21 株式会社ディスコ 研削装置
US7457680B2 (en) * 2000-12-27 2008-11-25 Tokyo Electron Limited Conveyance method for transporting objects
JP4986568B2 (ja) * 2006-10-11 2012-07-25 株式会社ディスコ ウエーハの研削加工方法
JP5064102B2 (ja) * 2007-04-27 2012-10-31 株式会社ディスコ 基板の研削加工方法および研削加工装置
JP5149020B2 (ja) * 2008-01-23 2013-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
JP6754272B2 (ja) * 2016-10-24 2020-09-09 株式会社ディスコ 研削装置
JP2018114573A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ 研削装置
JP2019198940A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 株式会社ディスコ 加工装置
JP7469903B2 (ja) * 2020-02-21 2024-04-17 株式会社ディスコ 加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014165434A (ja) 2013-02-27 2014-09-08 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11810807B2 (en) 2023-11-07
CN114102309A (zh) 2022-03-01
DE102021209172A1 (de) 2022-03-03
US20220068685A1 (en) 2022-03-03
JP2022040720A (ja) 2022-03-11
TW202210398A (zh) 2022-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6336772B2 (ja) 研削研磨装置
JP2001135604A5 (ja) ポリッシング装置及び方法
JPS63207559A (ja) ウエ−ハ自動研削装置
KR20220029370A (ko) 가공 장치
JP2021044340A (ja) 加工装置
CN113043156B (zh) 磨削装置
TWI805897B (zh) 加工裝置
JP7273499B2 (ja) タッチパネル
KR100470230B1 (ko) 화학기계적 연마장치
TW202133240A (zh) 加工裝置
JP2021142603A (ja) 研削装置
JP2023160031A (ja) 加工装置
JP7507573B2 (ja) 研削装置
JPH0577148A (ja) 研削盤のリトラクト機構
JPH07226432A (ja) 半導体ウエハの水没収納方法
JP7474150B2 (ja) テープ研削の後ウェーハ研削する研削方法及び研削装置。
CN114952432A (zh) 磨削装置
KR20220040375A (ko) 연마 장치
JP2023171984A (ja) 研削装置及びウェーハの研削方法
JP2024053411A (ja) ウェーハの研削方法及び研削装置
JP2022134856A (ja) チャックテーブルの洗浄方法
JP2022032755A (ja) 加工システム及び加工方法
JP2023034897A (ja) 基板処理装置
KR20240064527A (ko) 가공 장치
JP2024009560A (ja) ワークの研削方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination