KR20220003966A - 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

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KR20220003966A
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히로후미 아라키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 본 개시는, 노즐의 세정 버스를 소형화하는 것이 가능한 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 설명한다.
[해결수단] 기판 처리 방법의 일례는, 기판의 표면에 처리액을 공급한 후의 노즐의 선단부를 세정 버스의 수용 오목부 내에 배치하는 것과, 선단부를 수용 오목부 내에 배치하는 것의 후에, 수용 오목부에 이르도록 세정 버스에 형성된 공급 유로를 통해 용제를 수용 오목부 내에 공급하는 것과, 용제를 공급하는 것의 후에, 공급 유로를 통해 불활성 가스를 수용 오목부 내에 공급하는 것을 포함한다.

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 {SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 개시는, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.
특허문헌 1은, 노즐로부터 기판의 표면에 약액을 공급하는 것과, 용제 저류부를 구비하는 버스 내로 노즐을 이동시켜, 용제 저류부로부터 생기는 용제의 증기를 노즐의 선단부에 공급하는 것과, 버스 내를 불활성 가스로 충만시키는 것을 포함하는 노즐의 대기 방법을 개시하고 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2010-172877호 공보
본 개시는, 노즐의 세정 버스를 소형화하는 것이 가능한 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체를 설명한다.
기판 처리 방법의 일례는, 기판의 표면에 처리액을 공급한 후의 노즐의 선단부를 세정 버스의 수용 오목부 내에 배치하는 것과, 선단부를 수용 오목부 내에 배치하는 것의 후에, 수용 오목부에 이르도록 세정 버스에 형성된 공급 유로를 통해 용제를 수용 오목부 내에 공급하는 것과, 용제를 공급하는 것의 후에, 공급 유로를 통해 불활성 가스를 수용 오목부 내에 공급하는 것을 포함한다.
본 개시에 관한 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 의하면, 노즐의 세정 버스를 소형화하는 것이 가능해진다.
도 1은, 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 2는, 도 1의 기판 처리 시스템의 내부를 개략적으로 도시하는 측면도이다.
도 3은, 도 1의 기판 처리 시스템의 내부를 개략적으로 도시하는 상면도이다.
도 4는, 액처리 유닛의 일례를 개략적으로 도시하는 측면도이다.
도 5는, 세정부의 일례를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은, 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 블록도이다.
도 7은, 컨트롤러의 하드웨어 구성의 일례를 도시하는 개략도이다.
도 8은, 노즐의 세정 순서의 일례를 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 9는, 시험 결과를 도시하는 그래프이다.
이하의 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 이용하는 것으로 하여, 중복 설명은 생략한다.
[기판 처리 시스템]
우선, 도 1∼도 3을 참조하여, 기판 처리 시스템(1)의 구성에 관해 설명한다. 기판 처리 시스템(1)은, 도포 현상 장치(2)(기판 처리 장치)와, 노광 장치(3)와, 컨트롤러(Ctr)(제어부)를 구비한다.
노광 장치(3)는, 도포 현상 장치(2)와의 사이에서 기판(W)을 전달하여, 기판(W)의 표면(Wa)(도 4 참조)에 형성되는 레지스트막의 노광 처리(패턴 노광)를 행하도록 구성되어 있다. 노광 장치(3)는, 예컨대, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 선택적으로 에너지선을 조사해도 좋다.
도포 현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리의 전에, 기판(W)의 표면(Wa)에 레지스트막을 형성하도록 구성되어 있다. 도포 현상 장치(2)는, 노광 처리후에 레지스트막의 현상 처리를 행하도록 구성되어 있다.
기판(W)은, 원판형을 나타내도 좋고, 다각형 등 원형 이외의 판형을 나타내고 있어도 좋다. 기판(W)은, 일부가 절결된 절결부를 갖고 있어도 좋다. 절결부는, 예컨대, 노치(U자형, V자형 등의 홈)이어도 좋고, 직선형으로 연장되는 직선부(소위, 오리엔테이션·플랫)이어도 좋다. 기판(W)은, 예컨대, 반도체 기판(실리콘 웨이퍼), 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 기판, 그 밖의 각종 기판이어도 좋다. 기판(W)의 직경은, 예컨대 200 mm∼450 mm 정도이어도 좋다.
도 1∼도 3에 도시된 바와 같이, 도포 현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과, 처리 블록(5)과, 인터페이스 블록(6)을 구비한다. 캐리어 블록(4), 처리 블록(5) 및 인터페이스 블록(6)은, 예컨대 수평 방향으로 일렬로 나열되어 있어도 좋다.
캐리어 블록(4)은, 캐리어 스테이션(12)과, 반입 반출부(13)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12)은, 복수의 캐리어(11)(수용 용기)를 착탈 가능하게 지지한다. 캐리어(11)는, 적어도 하나의 기판(W)을 밀봉 상태로 수용하도록 구성되어 있다(도 2 및 도 3 참조). 캐리어(11)는, 기판(W)을 출납하기 위한 개폐 도어(11a)를 포함한다.
반입 반출부(13)는, 캐리어 스테이션(12) 및 처리 블록(5)의 사이에 위치하고 있다. 반입 반출부(13)는, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 개폐 도어(13a)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12) 상에 캐리어(11)가 배치된 상태로, 개폐 도어(11a, 13a)가 동시에 개방됨으로써, 캐리어(11) 내와 반입 반출부(13) 내가 연통한다. 반입 반출부(13)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반송 아암(A1)을 내장하고 있다. 반송 아암(A1)은, 캐리어(11)로부터 기판(W)을 취출하여 처리 블록(5)에 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 기판(W)을 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시키도록 구성되어 있다.
처리 블록(5)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 모듈(PM1∼PM3)을 포함한다.
처리 모듈(PM1)은, 기판(W)의 표면 상에 하층막을 형성하도록 구성되어 있다. 처리 모듈(PM1)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 액처리 유닛(U1)(처리실)과, 열처리 유닛(U2)(처리실)과, 이들에 기판(W)을 반송하도록 구성된 반송 아암(A2)을 포함한다. 처리 모듈(PM1)의 액처리 유닛(U1)은, 예컨대, 하층막 형성용의 도포액을 기판(W)에 도포하도록 구성되어 있어도 좋다. 처리 모듈(PM1)의 열처리 유닛(U2)은, 예컨대, 액처리 유닛(U1)에 의해 기판(W)에 형성된 도포막을 경화시켜 하층막으로 하기 위한 가열 처리를 행하도록 구성되어 있어도 좋다. 하층막으로는, 예컨대, 반사 방지(SiARC)막, SOG(Spin On Glass)막, SOC(Spin On Carbon)막, 비정질 카본막 등을 들 수 있다.
처리 모듈(PM2)은, 하지막 상에 레지스트막을 형성하도록 구성되어 있다. 처리 모듈(PM2)은, 액처리 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들에 기판(W)을 반송하도록 구성된 반송 아암(A3)을 포함한다. 처리 모듈(PM2)의 액처리 유닛(U1)은, 예컨대, 레지스트막 형성용의 도포액을 기판(W)에 도포하도록 구성되어 있어도 좋다. 처리 모듈(PM2)의 열처리 유닛(U2)은, 예컨대, 액처리 유닛(U1)에 의해 기판(W)에 형성된 도포막을 경화시켜 레지스트막으로 하기 위한 가열 처리(PAB : Pre Applied Bake)를 행하도록 구성되어 있어도 좋다.
처리 모듈(PM3)은, 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행하도록 구성되어 있다. 처리 모듈(PM3)은, 액처리 유닛(U1)과, 열처리 유닛(U2)과, 이들에 기판(W)을 반송하도록 구성된 반송 아암(A4)을 포함한다. 처리 모듈(PM3)의 액처리 유닛(U1)은, 예컨대, 레지스트막을 부분적으로 제거하여 레지스트 패턴(도시하지 않음)을 형성하도록 구성되어 있어도 좋다. 처리 모듈(PM3)의 열처리 유닛(U2)은, 예컨대, 현상 처리전의 가열 처리(PEB : Post Exposure Bake), 현상 처리후의 가열 처리(PB : Post Bake) 등을 행하도록 구성되어 있어도 좋다.
처리 블록(5)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 블록(4)의 근방에 위치하는 선반 유닛(14)과, 인터페이스 블록(6)의 근방에 위치하는 선반 유닛(15)을 포함한다. 선반 유닛(14)의 근방에는 반송 아암(A6)이 설치되어 있다. 반송 아암(A6)은, 선반 유닛(14)의 셀끼리의 사이에서 기판(W)을 승강시키도록 구성되어 있다.
인터페이스 블록(6)은, 반송 아암(A7)을 내장하고 있고, 처리 블록(5)과 노광 장치(3) 사이에 배치되어 있다. 반송 아암(A7)은, 선반 유닛(15)의 기판(W)을 취출하여 노광 장치(3)에 전달하고, 노광 장치(3)로부터 기판(W)을 수취하여 선반 유닛(15)으로 복귀시키도록 구성되어 있다.
컨트롤러(Ctr)는, 도포 현상 장치(2)를 부분적 또는 전체적으로 제어하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(Ctr)의 상세에 관해서는 후술한다. 컨트롤러(Ctr)는, 노광 장치(3)의 컨트롤러와의 사이에서 신호를 송수신하여, 노광 장치(3)의 컨트롤러와의 연휴에 의해 기판 처리 시스템(1)을 전체로서 제어하도록 구성되어 있어도 좋다.
[액처리 유닛]
계속해서, 도 4 및 도 5를 참조하여, 액처리 유닛(U1)에 관해 더욱 자세히 설명한다. 액처리 유닛(U1)은, 기판 유지부(20)와, 액공급부(30)와, 세정부(40)를 구비한다.
기판 유지부(20)는, 회전부(21)와, 샤프트(22)와, 유지부(23)를 포함한다. 회전부(21)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 동작 신호에 기초하여 동작하고, 샤프트(22)를 회전시키도록 구성되어 있다. 회전부(21)는, 예컨대 전동 모터 등의 동력원이다. 유지부(23)는, 샤프트(22)의 선단부에 설치되어 있다. 유지부(23) 상에는 기판(W)이 배치된다. 유지부(23)는, 예컨대 흡착 등에 의해 기판(W)을 대략 수평으로 유지하도록 구성되어 있다. 즉, 기판 유지부(20)는, 기판(W)의 자세가 대략 수평의 상태로, 기판(W)의 표면(Wa)에 대하여 수직인 중심축(회전축) 둘레에서 기판(W)을 회전시킨다.
액공급부(30)는, 기판(W)의 표면(Wa)에 처리액(L)을 공급하도록 구성되어 있다. 처리 모듈(PM1)의 처리액(L)은, 예컨대, 하층막을 형성하기 위한 도포액(약액)이어도 좋다. 처리 모듈(PM2)의 처리액(L)은, 예컨대, 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트액이어도 좋다. 처리 모듈(PM3)의 처리액(L)은, 예컨대 현상액이어도 좋다.
액공급부(30)는, 공급 기구(31)와, 구동 기구(32)(구동부)와, 노즐(33)을 포함한다. 공급 기구(31)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 신호에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 처리액(L)을, 펌프 등의 송액 기구(도시하지 않음)에 의해 노즐(33)에 송출하도록 구성되어 있다. 구동 기구(32)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 신호에 기초하여, 노즐(33)을 높이 방향 및 수평 방향에 있어서 이동시키도록 구성되어 있다. 노즐(33)은, 공급 기구(31)로부터 공급되는 처리액(L)을, 기판(W)의 표면(Wa)에 토출하도록 구성되어 있다. 노즐(33)은, 구동 기구(32)에 의해, 기판(W)의 상측(기판 유지부(20)의 상측)과 세정부(40) 사이를 이동 가능하게 구성되어 있다.
세정부(40)는, 처리액(L)을 기판(W)의 표면(Wa)에 공급한 후의 노즐(33)의 선단부(33a)를 세정하도록 구성되어 있다. 세정부(40)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 유지부(20)와는 떨어져 위치하고 있다. 세정부(40)는, 도 5에 있어서 자세히 도시된 바와 같이, 세정 버스(41)와, 금속 부재(42)와, 공급 기구(43)(용제 공급부)와, 공급 기구(44)(가스 공급부)와, 흡인 기구(45)(흡인부)와, 배기 기구(46)(배기부)를 포함한다.
세정 버스(41)는, 예컨대, 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소 수지제이며, 노즐(33)의 선단부(33a)가 배치 가능한 수용 오목부(41a)를 포함한다. 수용 오목부(41a)는, 상하 방향으로 연장되어 있고, 상측을 향해 개구되어 있다. 상측으로부터 볼 때, 수용 오목부(41a)의 크기는 노즐(33)보다 약간 크다. 그 때문에, 수용 오목부(41a) 내에 노즐(33)이 위치하고 있는 경우, 노즐(33)이 수용 오목부(41a)의 덮개로서 기능한다. 수용 오목부(41a)의 저벽에는, 배액을 위한 드레인(41b)이 접속되어 있다.
세정 버스(41)는, 수용 오목부(41a)에 유체적으로 접속된 공급 유로(F1∼F3) 및 배기 유로(F4)를 포함한다. 공급 유로(F1)는 수평 방향을 따라 연장되어 있다. 공급 유로(F1)의 일단은, 상하 방향에 있어서 수용 오목부(41a)의 중간 부분에 개구되어 있다. 공급 유로(F2)는, 수평 방향을 따라 공급 유로(F1)와 연속하여 연장되어 있다. 그 때문에, 공급 유로(F2)의 일단은, 공급 유로(F1)의 타단과 접속되어 있다. 공급 유로(F2)의 타단은, 세정 버스(41)의 측면에 개구되어 있다.
공급 유로(F3)는 수직 방향을 따라 연장되어 있다. 공급 유로(F3)의 일단은, 공급 유로(F1, F2)의 접속 부분에 합류하고 있다. 즉, 공급 유로(F3)는, 일체적으로 연장되는 공급 유로(F1, F2)로부터 분기된 분기 유로라고도 할 수 있다. 공급 유로(F3)의 타단은, 세정 버스(41)의 상면에 개구되어 있다.
배기 유로(F4)는, 공급 유로(F1∼F3)보다 하측에 위치하고 있고, 수평 방향을 따라 연장되어 있다. 배기 유로(F4)의 일단은, 수용 오목부(41a)의 하단부에 개구되어 있다. 즉, 수용 오목부(41a)에서의 배기 유로(F4)의 개구는, 수용 오목부(41a)에서의 공급 유로(F1)의 개구보다 하측에 위치하고 있다. 배기 유로(F4)의 타단은, 세정 버스(41)의 측면에 개구되어 있다.
금속 부재(42)는, 예컨대 스테인레스강제의 판형 부재이며, 수용 오목부(41a)의 개구의 주위를 덮도록 세정 버스(41)의 상면에 배치되어 있다. 금속 부재(42)는, 수용 오목부(41a)의 개구와 대략 동일한 크기의 관통 구멍을 포함하고 있다. 상기 관통 구멍은, 수용 오목부(41a)의 개구와 연통하고 있다. 금속 부재(42)는, 도선을 통해 접지되어 있고, 수용 오목부(41a)의 개구 근방에 생긴 정전기를 제거하도록 구성되어 있다. 금속 부재(42)는, 세정 버스(41) 중 정전기가 생기기 쉬운 다른 영역에 배치되어 있어도 좋다. 금속 부재(42)는, 예컨대, 공급 유로(F3)의 타단의 개구의 주위를 덮도록 세정 버스(41)의 상면에 배치되어 있어도 좋고, 공급 유로(F1, F2)와 공급 유로(F3)가 합류하는 영역을 덮도록, 세정 버스(41)의 내부에 배치되어 있어도 좋다.
공급 기구(43)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 신호에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 용제를, 펌프 등의 송액 기구(도시하지 않음)에 의해, 공급 유로(F1, F2)를 통해 수용 오목부(41a) 내에 공급하도록 구성되어 있다. 상기 용제는, 예컨대 디부틸에테르이어도 좋다.
공급 기구(44)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 신호에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 불활성 가스를, 펌프 등의 송기 기구(도시하지 않음) 및 공급 유로(F5)에 의해, 공급 유로(F1, F3)를 통해 수용 오목부(41a) 내에 공급하도록 구성되어 있다. 상기 불활성 가스는, 예컨대, 질소, 희가스 등이어도 좋다. 공급 유로(F5)는, 공급 유로(F3)와 유체적으로 접속되어 있다.
흡인 기구(45)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 신호에 기초하여, 용기(도시하지 않음)에 저류되어 있는 작동 유체를, 펌프 등의 유체 이송 수단(도시하지 않음)에 의해, 배출 유로(F6)에 유통시키도록 구성되어 있다. 상기 작동 유체는, 예컨대, 불활성 가스(질소, 희가스 등)이어도 좋고, 액체이어도 좋다. 작동 유체가 액체인 경우, 작동 유체의 공급 유로(F1, F3)로의 혼입을 방지하기 위해, 배출 유로(F6)가 공급 유로(F1, F3)보다 하측에 위치하고 있어도 좋다.
배출 유로(F6)는, 공급 유로(F5)와 연통하도록 공급 유로(F5)에 교차하고 있다. 작동 유체는, 공급 유로(F5)를 흐르는 불활성 가스와 동일한 불활성 가스이어도 좋다. 이 경우, 공급 기구(44)의 불활성 가스의 공급원(용기)으로부터, 작동 유체로서의 불활성 가스가 배출 유로(F6)에 공급되어도 좋다. 배출 유로(F6)의 중간 부분이 공급 유로(F5)를 통해 공급 유로(F1, F3)와 유체적으로 접속되어 있기 때문에,
공급 유로(F5)에는 밸브(V1, V2)가 설치되어 있다. 밸브(V1)는, 공급 기구(44)와 배출 유로(F6) 사이에 배치되어 있다. 밸브(V2)는, 배출 유로(F6)와 공급 유로(F3) 사이에 배치되어 있다. 배출 유로(F6)에는 밸브(V3)가 설치되어 있다. 밸브(V3)는, 흡인 기구(45)와 공급 유로(F5) 사이에 배치되어 있다. 밸브(V1∼V3)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 신호에 기초하여 개폐 가능하게 구성되어 있다.
배기 기구(46)는, 컨트롤러(Ctr)로부터의 신호에 기초하여, 배기 유로(F4)를 통해 수용 오목부(41a) 내를 배기하도록 구성되어 있다. 배기 기구(46)는, 예컨대 펌프이어도 좋다.
[컨트롤러의 상세]
컨트롤러(Ctr)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 기능 모듈로서, 판독부(M1)와, 기억부(M2)와, 처리부(M3)와, 지시부(M4)을 갖는다. 이들 기능 모듈은, 컨트롤러(Ctr)의 기능을 편의상 복수의 모듈로 구획한 것에 불과하며, 컨트롤러(Ctr)를 구성하는 하드웨어가 이러한 모듈로 나뉘어져 있는 것을 반드시 의미하는 것은 아니다. 각 기능 모듈은, 프로그램의 실행에 의해 실현되는 것에 한정되지 않고, 전용의 전기 회로(예컨대 논리 회로), 또는, 이것을 집적한 집적 회로(ASIC : Application Specific Integrated Circuit)에 의해 실현되는 것이어도 좋다.
판독부(M1)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체(RM)로부터 프로그램을 판독하도록 구성되어 있다. 기록 매체(RM)는, 도포 현상 장치(2)의 각 부를 동작시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 기록 매체(RM)는, 예컨대, 반도체 메모리, 광기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광자기 기록 디스크이어도 좋다.
기억부(M2)는, 여러가지 데이터를 기억하도록 구성되어 있다. 기억부(M2)는, 예컨대, 판독부(M1)에 있어서 기록 매체(RM)로부터 독출한 프로그램, 외부 입력 장치(도시하지 않음)를 통해 오퍼레이터로부터 입력된 설정 데이터 등을 기억해도 좋다. 상기 프로그램은, 도포 현상 장치(2)의 각 부를 동작시키도록 구성되어 있어도 좋다. 기록 매체(RM)는, 예컨대, 반도체 메모리, 광기록 디스크, 자기 기록 디스크, 광자기 기록 디스크이어도 좋다.
처리부(M3)는, 각종 데이터를 처리하도록 구성되어 있다. 처리부(M3)는, 예컨대, 기억부(M2)에 기억되어 있는 각종 데이터에 기초하여, 액처리 유닛(U1), 열처리 유닛(U2) 등을 동작시키기 위한 신호를 생성해도 좋다.
지시부(M4)는, 처리부(M3)에 있어서 생성된 동작 신호를 각종 장치에 송신하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(Ctr)의 하드웨어는, 예컨대 하나 또는 복수의 제어용의 컴퓨터로 구성되어 있어도 좋다. 컨트롤러(Ctr)는, 도 7에 도시된 바와 같이, 하드웨어 상의 구성으로서 회로(C1)를 포함한다. 회로(C1)는, 전기 회로 요소(circuitry)로 구성되어 있어도 좋다. 회로(C1)는, 프로세서(C2)와, 메모리(C3)와, 스토리지(C4)와, 드라이버(C5)와, 입출력 포트(C6)를 포함하고 있어도 좋다.
프로세서(C2)는, 메모리(C3) 및 스토리지(C4)의 적어도 한쪽과 협동하여 프로그램을 실행하고, 입출력 포트(C6)를 통한 신호의 입출력을 실행함으로써, 전술한 각 기능 모듈을 구성한다. 메모리(C3) 및 스토리지(C4)는 기억부(M2)로서 기능한다. 드라이버(C5)는, 도포 현상 장치(2)의 각종 장치를 각각 구동시키는 회로이다. 입출력 포트(C6)는, 드라이버(C5)와 도포 현상 장치(2)의 각종 장치(예컨대, 액처리 유닛(U1), 열처리 유닛(U2) 등)와의 사이에서, 신호의 입출력을 행한다.
기판 처리 시스템(1)은, 하나의 컨트롤러(Ctr)를 갖추고 있어도 좋고, 복수의 컨트롤러(Ctr)에서 구성되는 컨트롤러군(제어부)를 구비하고 있어도 좋다. 기판 처리 시스템(1)이 컨트롤러군을 갖추고 있는 경우에는, 상기 기능 모듈이 각각, 하나의 컨트롤러(Ctr)에 의해 실현되어 있어도 좋고, 2개 이상의 컨트롤러(Ctr)가 조합에 의해 실현되어 있어도 좋다. 컨트롤러(Ctr)가 복수의 컴퓨터(회로(C1))로 구성되어 있는 경우에는, 상기 기능 모듈이 각각, 하나의 컴퓨터(회로(C1))에 의해 실현되어 있어도 좋고, 2개 이상의 컴퓨터(회로(C1))가 조합에 의해 실현되어 있어도 좋다. 컨트롤러(Ctr)는, 복수의 프로세서(C2)를 갖고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 기능 모듈이 각각, 하나의 프로세서(C2)에 의해 실현되어 있어도 좋고, 2개 이상의 프로세서(C2)의 조합에 의해 실현되어 있어도 좋다.
기판 처리 시스템(1)의 컨트롤러(Ctr)의 기능의 일부를 기판 처리 시스템(1)과는 별도의 장치에 설치함과 더불어, 기판 처리 시스템(1)과 네트워크를 통해 접속하여, 본 실시형태에서의 각종 동작을 실현해도 좋다. 예컨대, 복수의 기판 처리 시스템(1)의 프로세서(C2), 메모리(C3), 스토리지(C4)의 기능을 통합하여 하나 또는 복수의 별도 장치로 실현하면, 복수의 기판 처리 시스템(1)의 정보나 동작을 원격으로 일괄적으로 관리 및 제어하는 것도 가능해진다.
[노즐의 세정 방법]
계속해서, 도 5 및 도 8을 참조하여, 노즐(33)의 선단부(33a)를 세정하는 방법에 관해 설명한다. 또, 초기 상태에서는 밸브(V1∼V3)가 전부 폐쇄되어 있다.
우선, 컨트롤러(Ctr)가 구동 기구(32)에 지시하여, 세정 버스(41)의 수용 오목부(41a) 내에 대기하고 있는 노즐(33)을, 기판 유지부(20)에 유지되어 있는 기판(W) 상으로 이동시킨다(도 8의 단계 S11 참조).
다음으로, 컨트롤러(Ctr)가 공급 기구(31)에 지시하여, 처리액(L)을 기판(W)의 표면(Wa)에 공급한다(도 8의 단계 S12 참조). 기판(W)은 그 후, 열처리 유닛(U2)에 반송되어 가열된다.
다음으로, 컨트롤러(Ctr)가 구동 기구(32)에 지시하여, 노즐(33)의 선단부(33a)가 수용 오목부(41a) 내에 위치하도록, 노즐(33)을 세정 버스(41)로 이동시킨다(도 8의 단계 S13 참조). 이 상태로, 컨트롤러(Ctr)가 공급 기구(43)에 지시하여, 공급 유로(F1, F2)를 통해 용제를 수용 오목부(41a) 내에 공급한다(도 8의 단계 S14 참조). 공급된 용제는, 노즐(33)의 선단부(33a)를 세정한 후, 드레인(41b)으로부터 그 일부가 배출된다. 공급된 용제의 다른 일부는, 공급 유로(F1)에 부착되어 잔류하고 있는 경우가 있다. 용제의 수용 오목부(41a)로의 공급 시간은, 예컨대, 2초∼3초 정도이어도 좋고, 5초 정도이어도 좋다.
다음으로, 컨트롤러(Ctr)가 밸브(V2, V3)에 지시하여, 밸브(V2, V3)를 개방 상태로 한다. 또한, 컨트롤러(Ctr)가 흡인 기구(45)에 지시하여, 배출 유로(F6)에 작동 유체를 유통시킨다. 배출 유로(F6)에 작동 유체가 흐르면, 벤츄리 효과에 의해 배출 유로(F6)의 압력이 상대적으로 낮아진다. 그 때문에, 공급 유로(F1)에 용제가 잔류하고 있는 경우, 상기 잔류 용제가 공급 유로(F1, F3) 및 배출 유로(F6)를 통해 외부로 배출된다(도 8의 단계 S15 참조).
다음으로, 컨트롤러(Ctr)가 밸브(V1, V2)에 지시하여, 밸브(V2)를 폐쇄 상태로 하고, 또한, 밸브(V1)를 개방 상태로 한다. 또한, 컨트롤러(Ctr)가 공급 기구(44)에 지시하여, 공급 유로(F1, F3, F5)를 통해 수용 오목부(41a) 내에 불활성 가스를 공급한다(도 8의 단계 S16 참조). 또한, 수용 오목부(41a) 내로의 불활성 가스의 공급과 대략 동시에, 컨트롤러(Ctr)가 배기 기구(46)에 지시하여, 배기 유로(F4)를 통해 수용 오목부(41a) 내를 배기한다(도 8의 단계 S15 참조).
공급 기구(44)에 의한 수용 오목부(41a)로의 불활성 가스의 공급은, 노즐(33)의 선단부(33a)가 수용 오목부(41a) 내에 배치되고 나서 소정 시간 후에 시작되어도 좋다. 이 경우, 노즐(33)의 선단부(33a)에 불활성 가스를 공급하기 전에, 공급 유로로부터 용제를 흡인하기 위한 시간적 여유가 확보된다. 이것에 의해, 확보된 시간 내에, 공급 유로(F1, F2)를 통해, 수용 오목부(41a) 내에 체류하고 있는 용제도 흡인된다. 그 때문에, 불활성 가스의 공급시에 있어서, 수용 오목부(41a) 내에 체류하고 있는 용제의 양이 적어지는 경향이 있다. 따라서, 상기 체류 용제에 유래하는 미스트의 발생이 억제된다. 또한, 이 경우, 수용 오목부(41a)로의 불활성 가스의 공급전에, 공급 유로(F1, F3) 및 배출 유로(F6)를 통한 잔류 용제의 흡인을 행하기 위한 시간적 여유를 확보할 수 있다. 상기 소정 시간은, 예컨대 2∼3초 정도이어도 좋고, 5초 정도이어도 좋다.
배기 기구(46)에 의한 수용 오목부(41a)로부터의 배기 유량은, 배기 기구(46)에 의한 수용 오목부(41a)로의 불활성 가스의 공급 유량 이상이 되도록 설정되어 있어도 좋다. 이 경우, 도 8의 단계 S15의 처리를 거친 후에도 여전히 용제가 공급 유로(F1)에 잔류하고 있는 경우에도, 상기 잔류 용제가 배출 유로(F6)로 향하기 쉬워지는 경향이 있다. 그 때문에, 상기 잔류 용제에 유래하는 미스트가 수용 오목부(41a)의 외측으로 확산되기 어려워진다. 수용 오목부(41a)로의 불활성 가스의 공급 유량은, 예컨대, 1 리터/min∼5 리터/min 정도로 설정되어 있어도 좋다.
배기 기구(46)에 의한 수용 오목부(41a)로부터의 배기 유량은, 수용 오목부(41a)로의 불활성 가스의 공급 유량 이상이며, 예컨대, 1 리터/min∼5 리터/min 정도로 설정되어 있어도 좋다. 배기 유량이 1 리터/min 이상이면, 잔류 용제에 유래하는 미스트가 수용 오목부(41a)의 외부로 확산되기 어려운 경향이 있다. 배기 유량이 5 리터/min 이하이면, 배기 유로(F4)를 통한 배기에 의해 수용 오목부(41a)의 개구로부터 수용 오목부(41a) 내에 외기가 침입하기 어려운 경향이 있다.
이상에 의해, 노즐(33)의 선단부(33a)의 세정이 완료한다. 노즐(33)에 의한 후속 기판(W)으로의 처리액(L)의 공급이 시작될 때까지는, 이 상태가 유지된다.
[작용]
그런데, 노즐(33)로부터 처리액(L)을 기판(W)에 공급하고 나서, 후속 기판(W)에 다시 노즐(33)로부터 처리액(L)을 공급하기까지의 동안에, 대기 시간이 발생한다. 그 사이에, 노즐(33)의 선단부(33a) 내에 존재하는 처리액(L)이 공기중의 산소나 수분과 반응하여, 열화하거나 고화하거나 하는 경우가 있다. 그 경향은, 예컨대, SOG막을 형성할 때의 폴리실라잔이 처리액(L)로서 이용되고 있는 경우에 현저하며, 처리액(L)의 열화나 고화를 억제하기 위해, 대기 시간에 있어서, 기판(W)이 아니라 액받침부에 처리액(L)을 폐기하는 더미 디스펜스라는 수법이 알려져 있다. 그러나, 이 수법에서는, 비교적 고가의 처리액(L)이 폐기되어 버리기 때문에, 제조 비용의 상승으로 이어질 수 있다.
그러나, 이상의 예에 의하면, 상기 대기 시간에 있어서, 불활성 가스로 채워진 수용 오목부(41a) 내에 노즐(33)의 선단부(33a)가 배치된다. 그 때문에, 선단부(33a)의 주위가 산소나 수분으로부터 차단되기 때문에, 더미 디스펜스를 하지 않더라도, 노즐(33)의 선단부(33a) 내에 존재하는 처리액(L)의 반응이 억제된다. 따라서, 처리액(L)을 폐기할 필요가 없어지기 때문에, 제조 비용을 삭감하는 것이 가능해진다.
이상의 예에 의하면, 노즐(33)의 선단부(33a)를 세정하기 위한 용제와, 노즐(33) 내의 처리액(L)의 반응을 억제하기 위한 불활성 가스가, 동일한 공급 유로(F1)를 통해 수용 오목부(41a) 내에 공급된다. 그 때문에, 용제의 유로와 불활성 가스의 유로가 각각 독립적으로 세정 버스에 형성되어 있는 경우와 비교하여, 세정 버스(41)에 형성되는 유로가 적어진다. 따라서, 세정 버스(41)를 소형화하는 것이 가능해진다.
그런데, 잔류 용제가 공급 유로(F1)에 존재하는 상태로, 불활성 가스가 동일한 공급 유로(F1)를 통해 수용 오목부(41a)에 공급되면, 수용 오목부(41a) 내에 배치되어 있는 선단부(33a)가 수용 오목부(41a)의 덮개처럼 기능하고 있더라도, 불활성 가스의 기세에 의해, 선단부(33a)와 수용 오목부(41a) 사이의 간극으로부터 용제가 미스트가 되어 수용 오목부(41a)의 외부로 분출하는 경우가 있다. 이러한 미스트가 액처리 유닛(U1)의 분위기 중을 떠돌다가 기판(W)의 표면(Wa)에 부착되면, 처리된 기판(W)에 결함이 생길 우려가 있다. 그러나, 이상의 예에 의하면, 불활성 가스가 수용 오목부(41a)에 공급되기 전에, 공급 유로(F1)에 잔류하고 있는 용제가, 공급 유로(F1, F3) 및 배출 유로(F6)를 통해 외부로 배출된다. 그 때문에, 공급 유로(F1)로의 불활성 가스의 공급에 따라 잔류 용제가 미스트가 되어, 상기 미스트가 수용 오목부(41a)의 외측으로 확산된다고 하는 사태가 억제된다. 따라서, 상기 미스트가 기판(W)에 부착되는 것이 억제되기 때문에, 기판(W)의 처리 품질을 높이는 것이 가능해진다.
이상의 예에 의하면, 배출 유로(F6)에 작동 유체를 유통시켜, 벤츄리 효과에 의해 배출 유로(F6)를 감압하는 것에 의해, 공급 유로(F1)의 잔류 용제를 흡인 및 배출하고 있다. 그 때문에, 벤츄리 효과를 이용하여, 간이한 구성으로 간단히 공급 유로(F1) 내로부터 잔류 용제를 배출하는 것이 가능해진다.
이상의 예에 의하면, 불활성 가스가 수용 오목부(41a) 내에 공급되고 있을 때에, 배기 유로(F4)를 통해 수용 오목부(41a) 내를 배기하고 있다. 그 때문에, 배기 유로(F4)를 통해 강제적으로 잔류 용제가 배기된다. 따라서, 미스트가 수용 오목부(41a)의 외측으로 확산된다고 하는 사태를 보다 억제하는 것이 가능해진다.
이상의 예에 의하면, 불활성 가스를 공급하는 것과, 수용 오목부(41a)로부터 배기하는 것이, 대략 동일한 타이밍에 실행된다. 그 때문에, 수용 오목부(41a) 내에 있어서, 공급 유로(F1)로부터 수용 오목부(41a)의 개구로 향하는 기류보다, 공급 유로(F1)로부터 배기 유로(F4)로 향하는 기류가 발생하기 쉬워진다. 그 때문에, 배기 유로(F4)를 통해 잔류 용제가 배출되기 쉬워진다. 그 때문에, 잔류 용제에 유래하는 미스트가 수용 오목부(41a)의 외측으로 확산된다고 하는 사태를 보다 억제하는 것이 가능해진다.
이상의 예에 의하면, 수용 오목부(41a)에서의 배기 유로(F4)의 개구는, 수용 오목부(41a)에서의 공급 유로(F1)의 개구보다 하측에 위치하고 있다. 그 때문에, 수용 오목부(41a) 내에서 생기는 기류는, 공급 유로(F1)로부터, 수용 오목부(41a)의 개구와는 반대측에 위치하는 배기 유로(F4)로 향한다. 따라서, 잔류 용제가 수용 오목부(41a)의 개구로 향하기 어려워진다. 그 결과, 잔류 용제에 유래하는 미스트가 수용 오목부(41a)의 외측으로 확산된다고 하는 사태를 보다 억제하는 것이 가능해진다.
이상의 예에 의하면, 수용 오목부(41a)의 개구의 근방이나, 공급 유로(F1, F2)와 공급 유로(F3)가 합류하는 영역의 근방 등이 금속 부재(42)로 덮일 수 있다. 이 경우, 세정 버스(41)에 정전기가 생기더라도, 금속 부재(42)를 통해 상기 정전기가 제거된다. 그 때문에, 용제나 노즐(33)의 선단부(33a) 내의 처리액(L)이 정전기에 끌어 당겨져, 이들 액체가 예기치 않은 개소에 부착된다고 하는 사태를 억제하는 것이 가능해진다.
[변형예]
본 명세서에서의 개시는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 특허청구범위 및 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 이상의 예에 대하여 여러가지 생략, 치환, 변경 등이 행해져도 좋다.
(1) 이상의 예에서는, 벤츄리 효과를 이용하여 잔류 용제를 공급 유로(F1)로부터 흡인 및 배출했지만, 다른 수법에 의해, 잔류 용제를 공급 유로(F1)로부터 흡인해도 좋다. 예컨대, 공급 유로(F1)에 유체적으로 접속된 펌프 등을 이용하여, 공급 유로(F1)를 강제적으로 감압해도 좋다. 혹은, 잔류 용제를 공급 유로(F1)로부터 흡인하지 않아도 좋다.
(2) 불활성 가스의 수용 오목부(41a)로의 공급은, 노즐(33)의 선단부(33a)가 수용 오목부(41a) 내에 배치되기 전부터 행해져도 좋고, 노즐(33)의 선단부(33a)가 수용 오목부(41a)에 배치되는 것과 대략 동시에 행해져도 좋다.
(3) 수용 오목부(41a)에서의 공급 유로(F1)의 개구가, 수용 오목부(41a)에서의 배기 유로(F4)의 개구보다 하측에 위치하고 있어도 좋다.
(4) 불활성 가스를 공급하는 것과, 수용 오목부(41a)로부터 배기하는 것이, 대략 동일한 타이밍에 실행되지 않아도 좋다. 혹은, 배기 기구(46)에 의한 수용 오목부(41a)로부터의 배기가 행해지지 않아도 좋다.
(5) 세정부(40)는, 금속 부재(42)를 포함하고 있지 않아도 좋다.
(6) 수용 오목부(41a)로의 불활성 가스의 공급 유량이 수용 오목부(41a)로부터의 배기 유량보다 크게 설정되어 있어도 좋다.
(7) 배출 유로(F6)는, 공급 유로(F5)와는 연통하지 않아도 좋다. 이 경우, 배출 유로(F6)의 중간 부분으로부터 분기된 유로가 공급 유로(F3)에 접속되어 있어도 좋다.
(8) 액공급부(30)가 복수의 노즐(33)을 포함하고 있는 경우, 이들 복수의 노즐(33)에 대응하는 복수의 수용 오목부(41a)가 하나의 세정 버스(41)에 설치되어 있어도 좋다.
[시험]
여기서, 도 8의 단계 S11∼S16에 따라서 노즐(33)의 선단부(33a)를 세정 처리했을 때에, 수용 오목부(41a)의 외측으로 미스트가 확산되는 정도를 확인했다. 단계 S16에 있어서, 공급 기구(44)에 의한 수용 오목부(41a)로의 불활성 가스의 공급을, 노즐(33)의 선단부(33a)가 수용 오목부(41a) 내에 배치되고 나서 5초후에 시작했다. 다른 시험 조건은 하기와 같이 하고, 기중 파티클 카운터(LIGHTHOUSE사 제조 「SOLAIR1100+」)를 이용하여, 단계 S16 이후의 액처리 유닛(U1)의 분위기에 존재하는 0.1 μm 이상의 파티클수를 계측했다. 또, 이하에서는, 공급 기구(44)에 의한 수용 오목부(41a)로의 불활성 가스의 공급 유량을 단순히 「공급 유량」으로 칭하고, 배기 기구(46)에 의한 수용 오목부(41a)로부터의 배기 유량을 단순히 「배기 유량」으로 칭한다.
·시험 1
공급 유량 : 1 리터/min
배기 유량 : 0 리터/min
·시험 2
공급 유량 : 1 리터/min
배기 유량 : 1 리터/min
·시험 3
공급 유량 : 1 리터/min
배기 유량 : 5 리터/min
·시험 4
공급 유량 : 5 리터/min
배기 유량 : 0 리터/min
·시험 5
공급 유량 : 5 리터/min
배기 유량 : 1 리터/min
·시험 6
공급 유량 : 5 리터/min
배기 유량 : 5 리터/min
도 9에, 시험 1∼6의 결과를 나타낸다. 도 9에 있어서, 종축은, 불활성 가스의 공급 유량이 1 리터/min이고 배기 유량이 0 리터/min일 때의 파티클수를 10으로 한 경우의 상대적인 파티클수이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 불활성 가스의 공급 유량이 1 리터/min인 경우와 5 리터/min인 경우 모두, 배기 유량이 많아짐에 따라서 파티클수가 적어지는 것이 확인되었다. 또한, 배기 유량이 불활성 가스의 공급 유량 이상인 경우, 즉, 시험 2, 3, 6의 경우에는, 특히 파티클수가 적어지는 것이 확인되었다.
[다른 예]
예 1. 기판 처리 방법의 일례는, 기판의 표면에 처리액을 공급한 후의 노즐의 선단부를 세정 버스의 수용 오목부 내에 배치하는 것과, 선단부를 배치하는 것의 후에, 수용 오목부에 이르도록 세정 버스에 형성된 공급 유로를 통해 용제를 수용 오목부 내에 공급하는 것과, 용제를 공급하는 것의 후에, 공급 유로를 통해 불활성 가스를 수용 오목부 내에 공급하는 것을 포함한다. 이 경우, 노즐의 선단부를 세정하기 위한 용제와, 노즐 내의 처리액의 반응을 억제하기 위한 불활성 가스가, 동일한 공급 유로를 통해 수용 오목부 내에 공급된다. 그 때문에, 용제의 유로와 불활성 가스의 유로가 각각 독립적으로 세정 버스에 형성되어 있는 경우와 비교하여, 세정 버스에 형성되는 유로가 적어진다. 따라서, 세정 버스를 소형화하는 것이 가능해진다.
예 2. 예 1의 방법은, 용제를 공급하는 것의 후이자 불활성 가스를 공급하는 것의 전에, 공급 유로로부터 용제를 흡인하는 것을 더 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 공급 유로에 용제가 잔류했다 하더라도, 불활성 가스의 공급전에 잔류 용제가 공급 유로로부터 제거된다. 그 때문에, 공급 유로로의 불활성 가스의 공급에 따라 잔류 용제가 미스트가 되어, 상기 미스트가 수용 오목부의 외측으로 확산된다고 하는 사태가 억제된다. 따라서, 상기 미스트가 기판에 부착되는 것이 억제되기 때문에, 기판의 처리 품질을 높이는 것이 가능해진다.
예 3. 예 2의 방법에 있어서, 용제를 흡인하는 것은, 중간 부분이 공급 유로와 유체적으로 접속된 배출 유로에 작동 유체를 유통시켜, 배출 유로 내를 감압하는 것에 의해, 배출 유로를 통해 공급 유로로부터 용제를 흡인 및 배출하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 벤츄리 효과를 이용하여, 간이한 구성으로 간단히 공급 유로 내로부터 잔류 용제를 배출하는 것이 가능해진다.
예 4. 예 2 또는 예 3의 방법에 있어서, 불활성 가스를 공급하는 것은, 선단부가 수용 오목부 내에 배치되고 나서 소정 시간 후에 불활성 가스를 수용 오목부 내에 공급하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 노즐의 선단부에 불활성 가스를 공급하기 전에, 공급 유로로부터 용제를 흡인하기 위한 시간적 여유가 확보된다. 이것에 의해, 확보된 시간 내에, 공급 유로를 통해, 수용 오목부 내에 체류하고 있는 용제도 흡인된다. 그 때문에, 불활성 가스의 공급시에 있어서 수용 오목부 내에 체류하는 용제의 양이 적어진다. 따라서, 상기 체류 용제에 유래하는 미스트의 발생을 보다 억제하는 것이 가능해진다.
예 5. 예 1∼예 4의 어느 하나의 방법은, 불활성 가스가 수용 오목부 내에 공급되고 있을 때에, 수용 오목부에 유체적으로 접속된 배기 유로를 통해 수용 오목부로부터 배기하는 것을 더 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 배기 유로를 통해 강제적으로 잔류 용제가 배출된다. 그 때문에, 미스트가 수용 오목부의 외측으로 확산된다고 하는 사태를 보다 억제하는 것이 가능해진다.
예 6. 예 5의 방법에 있어서, 불활성 가스를 공급하는 것과, 수용 오목부로부터 배기하는 것은, 대략 동일한 타이밍에 실행되어도 좋다. 이 경우, 수용 오목부 내에 있어서, 공급 유로로부터 수용 오목부의 개구로 향하는 기류보다, 공급 유로로부터 배기 유로로 향하는 기류가 발생하기 쉬워지기 때문에, 배기 유로를 통해 잔류 용제가 배출되기 쉬워진다. 그 때문에, 잔류 용제에 유래하는 미스트가 수용 오목부의 외측으로 확산된다고 하는 사태를 보다 억제하는 것이 가능해진다.
예 7. 예 5 또는 예 6의 방법에 있어서, 수용 오목부에서의 배기 유로의 개구는, 수용 오목부에서의 공급 유로의 개구보다 하측에 위치하고 있어도 좋다. 이 경우, 수용 오목부 내에서 생기는 기류는, 공급 유로로부터, 수용 오목부의 개구와는 반대측에 위치하는 배기 유로로 향한다. 그 때문에, 잔류 용제가 수용 오목부의 개구로 향하기 어려워진다. 따라서, 잔류 용제에 유래하는 미스트가 수용 오목부의 외측으로 확산된다고 하는 사태를 보다 억제하는 것이 가능해진다.
예 8. 예 5∼예 7의 어느 하나의 방법에 있어서, 수용 오목부로부터의 배기 유량은, 수용 오목부로의 불활성 가스의 공급 유량 이상으로 설정되어 있어도 좋다. 이 경우, 잔류 용제가 배기 유로로 향하기 쉬워진다. 그 때문에, 잔류 용제에 유래하는 미스트가 수용 오목부의 외측으로 확산된다고 하는 사태를 보다 억제하는 것이 가능해진다.
예 9. 예 8의 방법에 있어서, 수용 오목부로부터의 배기 유량은 1 리터/min∼5 리터/min 이어도 좋다. 이 경우, 잔류 용제에 유래하는 미스트가 외측으로 확산되는 것을 억제하면서, 배기 유로를 통한 배기에 의해 수용 오목부의 개구로부터 수용 오목부 내에 외기가 침입하는 것을 억제하는 것이 가능해진다.
예 10. 예 1∼예 9의 어느 하나의 방법에 있어서, 수용 오목부의 개구의 근방, 또는, 공급 유로에 있어서 용제와 불활성 가스가 합류하는 영역의 근방이, 금속 부재로 덮여 있어도 좋다. 이 경우, 세정 버스에 정전기가 생기더라도, 금속 부재를 통해 상기 정전기가 제거된다. 그 때문에, 용제나 노즐 내의 처리액이 정전기에 끌어 당겨져, 이들 액체가 예기치 않은 개소에 부착된다고 하는 사태를 억제하는 것이 가능해진다.
예 11. 기판 처리 장치의 일례는, 기판의 표면에 처리액을 공급하도록 구성된 노즐과, 노즐의 선단부를 수용 가능한 수용 오목부와, 수용 오목부에 이르도록 연장되는 공급 유로가 형성된 세정 버스와, 노즐을 기판의 상측과 세정 버스의 사이에서 이동시키도록 구성된 구동부와, 공급 유로를 통해 수용 오목부 내에 용제를 공급하도록 구성된 용제 공급부와, 공급 유로를 통해 수용 오목부 내에 불활성 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급부를 구비한다. 이 경우, 예 1의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 12. 예 11의 장치는, 공급 유로에 잔류하는 용제를 흡인하도록 구성된 흡인부를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 2의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 13. 예 12의 장치에 있어서, 흡인부는, 중간 부분이 공급 유로와 유체적으로 접속된 배출 유로와, 배출 유로에 작동 유체를 유통시켜, 공급 유로 내를 감압하도록 구성된 유체 공급부를 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 3의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 14. 예 12 또는 예 13의 장치에 있어서, 가스 공급부는, 선단부가 수용 오목부 내에 배치되고 나서 소정 시간 후에 불활성 가스를 수용 오목부 내에 공급하도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 예 4의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 15. 예 11∼예 14의 어느 하나의 장치는, 가스 공급부에 의해 불활성 가스가 수용 오목부 내에 공급되고 있을 때에, 수용 오목부에 유체적으로 접속된 배기 유로를 통해 수용 오목부로부터 배기하도록 구성된 배기부를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 5의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 16. 예 15의 장치에 있어서, 가스 공급부 및 배기부는, 수용 오목부 내로의 불활성 가스의 공급과 수용 오목부로부터의 배기를 대략 동일한 타이밍에 실행하도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 예 6의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 17. 예 15 또는 예 16의 장치에 있어서, 수용 오목부에서의 배기 유로의 개구는, 수용 오목부에서의 공급 유로의 개구보다 하측에 위치하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 7의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 18. 예 15∼예 17의 어느 하나의 장치에 있어서, 배기부에 의한 수용 오목부로부터의 배기 유량은, 가스 공급부에 의한 수용 오목부로의 불활성 가스의 공급 유량 이상으로 설정되어 있어도 좋다. 이 경우, 예 8의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 19. 예 18의 장치에 있어서, 수용 오목부로부터의 배기 유량은 1 리터/min∼5 리터/min이어도 좋다. 이 경우, 예 9의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 20. 예 11∼예 19의 어느 하나의 장치는, 수용 오목부의 개구의 근방, 또는, 공급 유로에 있어서 용제와 불활성 가스가 합류하는 영역의 근방을 덮도록 구성된 금속 부재를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 10의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다.
예 21. 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는, 예 1∼예 10의 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있어도 좋다. 이 경우, 예 1의 방법과 동일한 작용 효과가 얻어진다. 본 명세서에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체는, 일시적이지 않은 유형(有形)의 매체(non-transitory computer recording medium)(예컨대, 각종 주기억 장치 또는 보조 기억 장치)나, 전파 신호(transitory computer recording medium)(예컨대, 네트워크를 통해 제공 가능한 데이터 신호)를 포함하고 있어도 좋다.

Claims (21)

  1. 기판의 표면에 처리액을 공급한 후의 노즐의 선단부를 세정 버스의 수용 오목부 내에 배치하는 단계와,
    상기 선단부를 배치하는 단계의 후에, 상기 수용 오목부에 이르도록 상기 세정 버스에 형성된 공급 유로를 통해 용제를 상기 수용 오목부 내에 공급하는 단계와,
    상기 용제를 공급하는 단계의 후에, 상기 공급 유로를 통해 불활성 가스를 상기 수용 오목부 내에 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 용제를 공급하는 단계의 후에, 또한 상기 불활성 가스를 공급하는 단계의 전에, 상기 공급 유로로부터 상기 용제를 흡인하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 용제를 흡인하는 단계는, 중간 부분이 상기 공급 유로와 유체적으로 접속된 배출 유로에 작동 유체를 유통시켜, 상기 공급 유로 내를 감압하는 것에 의해, 상기 배출 유로를 통해 상기 공급 유로로부터 상기 용제를 흡인 및 배출하는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 불활성 가스를 공급하는 단계는, 상기 선단부가 상기 수용 오목부 내에 배치되고 나서 미리 정해진 시간 후에 상기 불활성 가스를 상기 수용 오목부 내에 공급하는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불활성 가스가 상기 수용 오목부 내에 공급되고 있을 때에, 상기 수용 오목부에 유체적으로 접속된 배기 유로를 통해 상기 수용 오목부로부터 배기하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 불활성 가스를 공급하는 단계와, 상기 수용 오목부로부터 배기하는 단계는, 동일한 타이밍에 실행되는 것인 기판 처리 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 수용 오목부에서의 상기 배기 유로의 개구는, 상기 수용 오목부에서의 상기 공급 유로의 개구보다 하측에 위치하고 있는 것인 기판 처리 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 수용 오목부로부터의 배기 유량은, 상기 수용 오목부로의 상기 불활성 가스의 공급 유량 이상으로 설정되어 있는 것인 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 수용 오목부로부터의 배기 유량은 1 리터/min 내지 5 리터/min인 것인 기판 처리 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수용 오목부의 개구의 근방, 또는 상기 공급 유로에 있어서 상기 용제와 상기 불활성 가스가 합류하는 영역의 근방이 금속 부재로 덮여 있는 것인 기판 처리 방법.
  11. 기판의 표면에 처리액을 공급하도록 구성된 노즐과,
    상기 노즐의 선단부를 수용 가능한 수용 오목부와, 상기 수용 오목부에 이르도록 연장되는 공급 유로가 형성된 세정 버스와,
    상기 노즐을 상기 기판의 상측과 상기 세정 버스의 사이에서 이동시키도록 구성된 구동부와,
    상기 공급 유로를 통해 상기 수용 오목부 내에 용제를 공급하도록 구성된 용제 공급부와,
    상기 공급 유로를 통해 상기 수용 오목부 내에 불활성 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급부를 구비하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 공급 유로에 잔류하는 상기 용제를 흡인하도록 구성된 흡인부를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 흡인부는,
    중간 부분이 상기 공급 유로와 유체적으로 접속된 배출 유로와,
    상기 배출 유로에 작동 유체를 유통시켜, 상기 공급 유로 내를 감압하도록 구성된 유체 공급부를 포함하는 것인 기판 처리 장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 상기 선단부가 상기 수용 오목부 내에 배치되고 나서 미리 정해진 시간 후에 상기 불활성 가스를 상기 수용 오목부 내에 공급하도록 구성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  15. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 가스 공급부에 의해 상기 불활성 가스가 상기 수용 오목부 내에 공급되고 있을 때에, 상기 수용 오목부에 유체적으로 접속된 배기 유로를 통해 상기 수용 오목부로부터 배기하도록 구성된 배기부를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 가스 공급부 및 상기 배기부는, 상기 수용 오목부 내로의 상기 불활성 가스의 공급과 상기 수용 오목부로부터의 배기를 동일한 타이밍에 실행하도록 구성되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 수용 오목부에서의 상기 배기 유로의 개구는, 상기 수용 오목부에서의 상기 공급 유로의 개구보다 하측에 위치하고 있는 것인 기판 처리 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 배기부에 의한 상기 수용 오목부로부터의 배기 유량은, 상기 가스 공급부에 의한 상기 수용 오목부로의 상기 불활성 가스의 공급 유량 이상으로 설정되어 있는 것인 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 수용 오목부로부터의 배기 유량은 1 리터/min 내지 5 리터/min인 것인 기판 처리 장치.
  20. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 수용 오목부의 개구의 근방, 또는 상기 공급 유로에 있어서 상기 용제와 상기 불활성 가스가 합류하는 영역의 근방을 덮도록 구성된 금속 부재를 더 구비하는 기판 처리 장치.
  21. 제1항에 기재된 방법을 기판 처리 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7641325B2 (en) 2004-10-04 2010-01-05 Kodak Graphic Communications Group Canada Non-conductive fluid droplet characterizing apparatus and method
JP4982527B2 (ja) 2009-06-08 2012-07-25 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010172877A (ja) 2009-02-02 2010-08-12 Tokyo Electron Ltd 塗布装置及びノズルの待機方法

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