KR20210083816A - 발광 소자 및 터치 구조물을 포함하는 터치 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 소자를 덮는 봉지 부재 상에 터치 구조물이 위치하는 터치 디스플레이 장치에 관한 것이다. 상기 터치 구조물의 터치 전극 및 브릿지 전극 사이에는 터치 절연막이 위치할 수 있다. 상기 터치 절연막은 상기 발광 소자로부터 방출된 빛의 경로 상에 위치하는 가이드 개구부를 포함할 수 있다. 상기 가이드 개구부의 측면은 상기 터치 전극에 의해 덮일 수 있다. 이에 따라, 상기 터치 디스플레이 장치에서는 정면 휘도가 향상될 수 있다.
Description
본 발명은 발광 소자를 덮는 봉지 부재 상에 터치 구조물이 위치하는 터치 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 모니터, TV, 노트북, 디지털 카메라와 같은 전자 기기는 이미지의 구현을 위하여 디스플레이 장치를 포함한다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 적어도 하나의 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 특정한 색을 나타내는 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자는 제 1 발광 전극과 제 2 발광 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 사용자 및/또는 도구의 터치를 감지하여 특정 프로그램을 구동하거나, 특정 신호를 입력할 수 있다. 예를 들어, 상기 디스플레이 장치는 터치 구조물을 포함할 수 있다. 상기 터치 구조물은 터치 전극들 및 인접한 터치 전극들을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 브릿지 전극을 포함할 수 있다. 상기 터치 구조물은 상기 발광 소자에 가까이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 구조물은 상기 발광 소자를 덮는 봉지 부재 상에 위치할 수 있다.
상기 터치 구조물의 상기 터치 전극들 및 상기 브릿지 전극은 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 구조물의 상기 터치 전극들 및 상기 브릿지 전극은 상기 발광 소자와 이격될 수 있다. 상기 발광 소자로부터 일정 경사를 가지며 방출된 빛은 상기 터치 전극들 및/또는 상기 브릿지 전극에 의해 내측 방향으로 반사될 수 있다. 이에 따라, 상기 디스플레이 장치에서는 광추출 효율이 저하될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광추출 효율을 높일 수 있는 터치 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 각 화소 영역의 정면 휘도를 향상할 수 있는 터치 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 앞서 언급한 과제들로 한정되지 않는다. 여기서 언급되지 않은 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 터치 디스플레이 장치는 소자 기판을 포함한다. 소자 기판 상에는 발광 소자 및 봉지 부재가 위치한다. 봉지 부재는 발광 소자를 덮는다. 봉지 부재 상에는 터치 구조물이 위치한다. 터치 구조물은 터치 전극들 및 적어도 하나의 브릿지 전극을 포함한다. 브릿지 전극은 인접한 터치 전극들 사이를 전기적으로 연결한다. 터치 전극들과 브릿지 전극 사이에는 터치 절연막이 위치한다. 터치 절연막은 가이드 개구부를 포함한다. 가이드 개구부는 발광 소자와 중첩한다. 가이드 개구부의 측면은 터치 전극들에 의해 덮인다.
가이드 개구부의 측면은 소자 기판과 대향하는 봉지 부재의 상부면을 기준으로 일정 경사각을 갖는 경사면일 수 있다.
가이드 개구부의 측면 상에 위치하는 터치 전극의 일부 영역은 소자 기판과 대향하는 터치 절연막의 상부면 상에 위치하는 해당 터치 전극의 일부 영역보다 큰 반사율을 가질 수 있다.
각 터치 전극은 제 1 터치 전극층 및 제 2 터치 전극층의 적층 구조일 수 있따. 제 2 터치 전극층은 제 1 터치 전극층보다 낮은 반사율을 가질 수 있다. 제 2 터치 전극층은 터치 절연막의 가이드 개구부와 이격될 수 있다.
터치 절연막은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
가이드 개구부의 외측에서 소자 기판과 대향하는 터치 절연막의 상부면은 평평한 평면일 수 있다.
소자 기판 상에는 터치 패드가 위치할 수 있다. 터치 패드는 봉지 부재와 이격될 수 있다. 터치 구조물은 터치 라우팅 라인에 의해 터치 패드와 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 라우팅 라인은 봉지 부재의 표면을 따라 연장할 수 있다.
터치 패드는 터치 절연막의 외측에 위치할 수 있다.
브릿지 전극은 발광 소자의 외측에 위치할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 터치 디스플레이 장치는 소자 기판을 포함한다. 소자 기판 상에는 제 1 발광 전극, 발광층 및 제 2 발광 전극이 순서대로 적층된다. 제 2 발광 전극 상에는 봉지 부재가 위치한다. 봉지 부재 상에는 터치 절연막이 위치한다. 터치 절연막은 발광 소자와 중첩하는 가이드 개구부를 포함한다. 봉지 부재와 터치 절연막 사이에는 브릿지 전극이 위치한다. 브릿지 전극은 터치 절연막의 가이드 개구부와 이격된다. 소자 기판과 대향하는 터치 절연막의 상부면 상에는 터치 전극이 위치한다. 터치 전극은 브릿지 전극과 전기적으로 연결된다. 터치 전극은 가이드 개구부의 측면 상으로 연장한다.
터치 전극은 제 1 발광 전극, 발광층 및 제 2 발광 전극을 포함하는 발광 소자의 외측에 위치할 수 있다.
터치 전극은 다중층 구조를 가질 수 있다. 터치 절연막의 상부면 상에서 터치 전극의 적층 구조는 가이드 개구부의 측면 상에서 터치 전극의 적층 구조와 다를 수 있다.
터치 절연막의 상부면 상에서 터치 전극은 제 1 터치 전극층, 제 2 터치 전극층 및 제 3 터치 전극층을 포함할 수 있다. 가이드 개구부의 측면 상에서 터치 전극은 제 1 터치 전극층 및 제 2 터치 전극층을 포함할 수 있다. 제 3 터치 전극층의 반사율은 제 2 터치 전극층의 반사율보다 작을 수 있다.
제 2 터치 전극층은 금속을 포함할 수 있다.
소자 기판 상에는 뱅크 절연막이 위치할 수 있다. 뱅크 절연막은 제 1 발광 전극의 가장 자리를 덮을 수 있다. 뱅크 절연막에 의해 노출된 제 1 발광 전극의 일부 영역은 터치 절연막의 가이드 개구부보다 작은 폭을 가질 수 있다.
브릿지 전극은 뱅크 절연막과 중첩할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 터치 디스플레이 장치는 발광 소자를 덮는 봉지 부재 상에 위치하는 터치 구조물 및 상기 터치 구조물의 터치 전극과 브릿지 전극 사이에 위치하는 터치 절연막을 포함하되, 상기 터치 절연막이 상기 발광 소자와 중첩하는 가이드 개구부를 포함하고, 상기 터치 전극이 상기 가이드 개구부의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자로부터 일정 경사를 가지며 방출된 빛이 상기 가이드 개구부의 측면 상에 위치하는 상기 터치 전극의 일부 영역에 의해 외부로 반사될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 광추출 효율 및 각 화소 영역의 정면 휘도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치의 상면을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 4는 도 2의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 6 내지 8은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치를 나타낸 도면들이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치의 상면을 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 4는 도 2의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 6 내지 8은 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치를 나타낸 도면들이다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 이에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 여기서, 본 발명의 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위하여 제공되는 것이므로, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않도록 다른 형태로 구체화될 수 있다.
또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호로 표시된 부분들은 동일한 구성 요소들을 의미하며, 도면들에 있어서 층 또는 영역의 길이와 두께는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 덧붙여, 제 1 구성 요소가 제 2 구성 요소 "상"에 있다고 기재되는 경우, 상기 제 1 구성 요소가 상기 제 2 구성 요소와 직접 접촉하는 상측에 위치하는 것뿐만 아니라, 상기 제 1 구성 요소와 상기 제 2 구성 요소 사이에 제 3 구성 요소가 위치하는 경우도 포함한다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성 요소를 설명하기 위한 것으로, 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 다만, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서는 제 1 구성 요소와 제 2 구성 요소는 당업자의 편의에 따라 임의로 명명될 수 있다.
본 발명의 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용되는 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 예를 들어, 단수로 표현된 구성 요소는 문맥상 명백하게 단수만을 의미하지 않는다면 복수의 구성 요소를 포함한다. 또한, 본 발명의 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다"등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
덧붙여, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
(실시 예)
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치의 상면을 나타낸 도면이다. 도 3은 도 2의 A 영역을 확대한 도면이다. 도 4는 도 2의 I-I'선을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다. 도 5는 도 4의 P 영역을 확대한 도면이다.
도 1 내지 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치는 소자 기판(110)을 포함할 수 있다. 상기 소자 기판(110)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(110)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 소자 기판(110) 상에는 신호 배선들(GL, DL, VDD)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 배선들(GL, DL, VDD)은 게이트 신호를 전달하는 게이트 라인(GL), 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인(DL) 및 전원전압을 공급하는 전원전압 공급라인(VDD)을 포함할 수 있다. 상기 신호 배선들(GL, DL, VDD)은 화소 영역들(PA)을 정의할 수 있다. 각 화소 영역(PA)은 상기 신호 배선들(GL, DL, VDD)을 통해 인가된 신호를 이용하여 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)은 구동 회로 및 발광 소자(130)를 포함할 수 있다.
상기 구동 회로는 상기 게이트 신호에 따라 상기 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동 회로는 제 1 박막 트랜지스터(T1), 제 2 박막 트랜지스터(T2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 박막 트랜지스터(T1)는 상기 게이트 신호에 따라 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)를 턴-온/오프할 수 있다. 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)는 상기 데이터 신호에 대응하는 구동 전류를 생성할 수 있다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 동작을 한 프레임 동안 유지할 수 있다.
상기 제 1 박막 트랜지스터(T1) 및 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)는 반도체 패턴(121), 게이트 절연막(122), 게이트 전극(123), 층간 절연막(124), 소스 전극(125) 및 드레인 전극(126)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 패턴(121)은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(121)은 실리콘을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(121)은 산화물 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(121)은 IGZO와 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 상기 반도체 패턴(121)은 소스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역은 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치할 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 채널 영역보다 높은 전기 전도도를 가질 수 있다.
상기 게이트 절연막(122)은 상기 반도체 패턴(121) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(121)은 상기 소자 기판(110)과 상기 게이트 절연막(122) 사이에 위치할 수 있다. 상기 게이트 절연막(122)은 상기 반도체 패턴(121)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(121)의 측면은 상기 게이트 절연막(122)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 게이트 절연막(122)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(122)은 실리콘 산화물(SiO) 및/또는 실리콘 질화물(SiN)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(122)은 고유전율을 갖는 물질(High-K material)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(122)은 하프늄 산화물(HfO)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 절연막(122)은 다중층 구조일 수 있다.
상기 게이트 전극(123)은 상기 게이트 절연막(122) 상에 위치할 수 있다. 상기 게이트 전극(123)은 상기 반도체 패턴(121)의 상기 채널 영역과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 패턴(121)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은 상기 게이트 전극(123)의 외측에 위치할 수 있다. 상기 게이트 전극(123)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(123)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)와 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 층간 절연막(124)은 상기 게이트 전극(123) 상에 위치할 수 있다. 상기 층간 절연막(124)은 상기 반도체 패턴(121)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 전극(123)의 측면은 상기 층간 절연막(124)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 층간 절연막(124)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(124)은 실리콘 산화물(SiO)을 포함할 수 있다.
상기 소스 전극(125)은 상기 층간 절연막(124) 상에 위치할 수 있다. 상기 소스 전극(125)은 상기 반도체 패턴(121)의 상기 소스 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(122) 및 상기 층간 절연막(124)은 상기 반도체 패턴(121)의 상기 소스 영역을 부분적으로 노출하는 소스 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(125)은 상기 소스 컨택홀을 통해 상기 반도체 패턴(121)의 상기 소스 영역과 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(125)은 상기 반도체 패턴(121)의 상기 소스 영역과 중첩하는 영역을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(125)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스 전극(125)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 소스 전극(125)은 상기 게이트 전극(123)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 드레인 전극(126)은 상기 층간 절연막(124) 상에 위치할 수 있다. 상기 드레인 전극(126)은 상기 반도체 패턴(121)의 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 드레인 전극(126)은 상기 소스 전극(125)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연막(122) 및 상기 층간 절연막(124)은 상기 반도체 패턴(121)의 상기 드레인 영역을 부분적으로 노출하는 드레인 컨택홀을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(126)은 상기 드레인 컨택홀을 통해 상기 반도체 패턴(121)의 상기 드레인 영역과 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(126)은 상기 반도체 패턴(121)의 상기 드레인 영역과 중첩하는 영역을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(126)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(126)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 드레인 전극(126)은 상기 소스 전극(125)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 드레인 전극(126)은 상기 게이트 전극(123)과 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 상기 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 게이트 전극(123)은 상기 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 소스 전극은 상기 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있다. 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 소스 전극(125)은 상기 전원전압 공급라인(VDD)과 연결될 수 있다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 제 1 박막 트랜지스터(T1)의 상기 드레인 전극과 연결되는 제 1 커패시터 전극 및 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 드레인 전극(126)과 연결되는 제 2 커패시터 전극을 포함할 수 있다.
상기 소자 기판(110)과 상기 구동 회로 사이에는 소자 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 박막 트랜지스터(T1), 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2) 및 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 상기 소자 버퍼층(111) 상에 위치할 수 있다. 상기 소자 버퍼층(111)은 상기 구동 회로의 형성 공정에서 상기 소자 기판(110)에 의한 오염을 방지할 수 있다. 상기 소자 버퍼층(111)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiO) 및/또는 실리콘 질화물(SiN)을 포함할 수 있다. 상기 소자 버퍼층(111)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiO)로 이루어진 절연막과 실리콘 질화물(SiN)로 이루어진 절연막의 적층 구조일 수 있다.
상기 구동 회로 상에는 하부 보호막(112)이 위치할 수 있다. 상기 하부 보호막(112)은 외부 수분 및 충격에 의한 상기 구동 회로의 손상을 방지할 수 있다. 상기 하부 보호막(112)은 상기 소자 기판(110)과 대향하는 상기 구동 회로의 표면을 따라 연장할 수 있다. 상기 하부 보호막(112)은 상기 구동 회로의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(112)은 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 소스 전극(125) 및 상기 드레인 전극(126)을 덮을 수 있다. 상기 하부 보호막(112)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 하부 보호막(112)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(112)은 실리콘 산화물(SiO) 또는 실리콘 질화물(SiN)을 포함할 수 있다.
상기 하부 보호막(112) 상에는 오버 코트층(113)이 위치할 수 있다. 상기 오버 코트층(113)은 상기 구동 회로에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)에 의한 단차는 상기 오버 코트층(113)에 의해 제거될 수 있다. 상기 소자 기판(110)과 대향하는 상기 오버 코트층(113)의 표면은 평평한 평면(flat surface)일 수 있다. 상기 오버 코트층(113)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 오버 코트층(113)은 상대적으로 유동성이 큰 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코트층(113)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자(130)는 상기 오버 코트층(113) 상에 위치할 수 있다. 상기 발광 소자(130)는 특정한 색을 나타내는 빛을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(130)는 상기 오버 코트층(113) 상에 순서대로 적층된 제 1 발광 전극(131), 발광층(132) 및 제 2 발광 전극(133)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 발광 전극(131)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 발광 전극(131)은 상대적으로 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 발광 전극(131)은 알루미늄(Al) 및 은(Ag)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 제 1 발광 전극(131)은 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 발광 전극(131)은 ITO 및 IZO와 같은 투명한 도전성 물질로 형성된 투명 전극들 사이에 금속으로 형성된 반사 전극이 위치하는 구조일 수 있다.
상기 발광층(132)은 상기 제 1 발광 전극(131)과 상기 제 2 발광 전극(133) 사이의 전압 차에 대응하는 휘도의 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광층(132)은 발광 물질을 포함하는 발광 물질층(Emission Material Layer; EML)일 수 있다. 상기 발광 물질은 유기 물질, 무기 물질 또는 하이브리드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치는 유기 물질의 발광층(132)을 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치일 수 있다.
상기 제 2 발광 전극(133)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 발광 전극(133)은 상기 제 1 발광 전극(131)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 발광 전극(133)은 ITO 및 IZO와 같은 투명한 도전성 물질로 형성된 투명 전극일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 발광층(132)에 의해 생성된 빛이 상기 제 2 발광 전극(133)을 통해 방출될 수 있다.
상기 발광 소자(130)는 상기 제 1 발광 전극(131)과 상기 발광층(132) 사이 및/또는 상기 발광층(132)과 상기 제 2 발광 전극(133) 사이에 위치하는 발광 기능층을 더 포함할 수 있다. 상기 발광 기능층은 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transmitting Layer; HTL), 전자 수송층(Electron Transmitting Layer; ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자(130)의 발광 효율이 향상될 수 있다.
각 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)는 해당 화소 영역(PA)의 상기 구동 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(112) 및 상기 오버 코트층(113)은 각 구동 회로의 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)를 부분적으로 노출하는 전극 컨택홀들을 포함할 수 있다. 각 화소 영역(PA)의 상기 제 1 발광 전극(131)은 해당 전극 컨택홀을 통해 해당 화소 영역(PA)의 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 각 발광 소자(130)의 상기 제 1 발광 전극(131)은 해당 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 드레인 전극(126)과 전기적으로 연결될 수 있다.
각 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)는 인접한 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)와 독립적으로 제어될 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)의 상기 제 1 발광 전극(131)은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 제 1 발광 전극(131)과 절연될 수 있다. 각 화소 영역(PA)의 상기 제 1 발광 전극(131)은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 제 1 발광 전극(131)과 이격될 수 있다. 인접한 제 1 발광 전극들(131) 사이의 공간에는 뱅크 절연막(114)이 위치할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(114)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(114)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(114)은 상기 오버 코트층(113) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 절연막(114)은 인접한 제 1 발광 전극들(131) 사이에서 상기 오버 코트층(113)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(114)은 상기 오버 코트층(113)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 뱅크 절연막(114)은 각 제 1 발광 전극(131)의 가장 자리를 덮을 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132) 및 상기 제 2 발광 전극(133)은 상기 뱅크 절연막(114)에 의해 노출된 해당 제 1 발광 전극(131)의 일부 영역 상에 적층될 수 있다.
각 화소 영역(PA)은 인접한 화소 영역(PA)과 다른 색을 구현할 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132)은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 각 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132)은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132)은 상기 뱅크 절연막(114) 상에 위치하는 단부를 포함할 수 있다. 각 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132)은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132)과 다른 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)의 상기 발광층(132)은 미세 금속 마스크(Fine Metal Mask; FMM)를 이용한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
각 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)에는 인접한 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)과 동일한 전압이 인가될 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)과 전기적으로 연결될 수 있다. 각 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 각 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)의 상기 제 2 발광 전극(133)은 상기 뱅크 절연막(114) 상으로 연장할 수 있다.
각 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)는 인접한 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)와 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 각 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)는 인접한 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)와 동일한 발광 기능층을 포함할 수 있다. 각 화소 영역(PA)의 상기 발광 기능층은 인접한 화소 영역(PA)의 상기 발광 기능층과 연결될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 적어도 하나가 상기 뱅크 절연막(114) 상으로 연장할 수 있다.
각 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130) 상에는 봉지 부재(140)가 위치할 수 있다. 상기 봉지 부재(140)는 외부 수분 및 충격에 의한 상기 발광 소자들(130)의 손상을 방지할 수 있다. 상기 봉지 부재(140)는 상기 제 2 전극(133)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지 부재(140)는 상기 오버 코트층(113), 상기 뱅크 절연막(114) 및 상기 발광 소자들(130)을 덮을 수 있다.
상기 봉지 부재(140)는 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지 부재(140)는 상기 제 2 발광 전극(133) 상에 순서대로 적층된 제 1 봉지층(141), 제 2 봉지층(142) 및 제 3 봉지층(143)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 봉지층(141), 상기 제 2 봉지층(142) 및 상기 제 3 봉지층(143)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 봉지층(142)은 상기 제 1 봉지층(141) 및 상기 제 3 봉지층(143)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 봉지층(141) 및 상기 제 3 봉지층(143)은 무기 절연 물질을 포함하고, 상기 제 2 봉지층(142)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 외부 수분 및 충격에 의한 상기 발광 소자들(130)의 손상이 효과적으로 방지될 수 있다. 상기 발광 소자(130)에 의한 단차는 상기 제 2 봉지층(142)에 의해 제거될 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(110)과 대향하는 상기 봉지 부재(140)의 상부면은 상기 소자 기판(110)의 표면과 평행할 수 있다.
상기 봉지 부재(140) 상에는 터치 구조물들(310, 320)이 위치할 수 있다. 상기 터치 구조물들(310, 320)은 사용자 또는 도구의 터치를 감지할 수 있다. 예를 들어, 각 터치 구조물(310, 320)은 터치 전극들(311, 321) 및 브릿지 전극들(312, 322)을 포함할 수 있다. 각 브릿지 전극(312, 322)은 인접한 터치 전극들(311, 321) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 봉지 부재(140)와 상기 터치 구조물들(310, 320) 사이에는 터치 버퍼막(200)이 위치할 수 있다. 상기 터치 버퍼막(200)은 상기 터치 구조물들(310, 320)의 형성 공정에 의한 상기 발광 소자들(130) 및 상기 봉지 부재(140)의 손상을 방지할 수 있다. 상기 터치 버퍼막(200)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 버퍼막(200)은 실리콘 질화물(SiN) 및/또는 실리콘 산화물(SiO)을 포함할 수 있다.
상기 터치 전극들(311, 321)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 터치 전극들(311, 321)은 상대적으로 저항이 낮은 물질을 포함할 수 있다. 상기 터치 전극들(311, 321)은 상대적으로 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 전극들(311, 321)은 알루미늄(Al)과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 브릿지 전극들(312, 322)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 브릿지 전극들(312, 322)은 상대적으로 저항이 낮은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 브릿지 전극들(312, 322)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)와 같은 금속을 포함할 수 있다.
상기 터치 전극들(311, 321) 및 상기 브릿지 전극들(312, 322)은 상기 발광 소자(130)의 외측에 위치할 수 있다. 상기 터치 전극들(311, 321) 및 상기 브릿지 전극들(312, 322)은 상기 발광 소자(130)와 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 전극들(311, 321) 및 상기 브릿지 전극들(312, 322)은 상기 뱅크 절연막(114)과 중첩할 수 있다. 각 터치 전극(311, 321)은 메쉬(mesh) 형상일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 발광 소자들(130)로부터 상기 소자 기판(110)의 표면에 수직한 방향으로 방출된 빛이 상기 터치 전극들(311, 321) 및 상기 브릿지 전극들(312, 322)에 의해 차단되지 않을 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)로부터 인접한 화소 영역(PA) 방향으로 방출된 빛이 상기 터치 전극들(311, 321) 및 상기 브릿지 전극들(312, 322)에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 인접 화소 영역(PA)에서 방출된 빛의 섞임에 의한 이미지의 품질 저하가 방지될 수 있다.
상기 터치 구조물들(310, 320)은 제 1 터치 구조물들(310) 및 제 2 터치 구조물들(320)로 구성될 수 있다. 각 제 1 터치 구조물(310)은 제 1 터치 전극들(311) 및 적어도 하나의 제 1 브릿지 전극(312)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 터치 전극들(311)은 상기 제 1 브릿지 전극(312)에 의해 제 1 방향으로 연결될 수 있다. 각 제 2 터치 구조물(320)은 제 2 터치 전극들(321) 및 적어도 하나의 제 2 브릿지 전극(322)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 터치 전극들(321)은 상기 제 2 브릿지 전극(322)에 의해 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 터치 전극들(321)은 상기 제 1 터치 전극들(311)과 나란히 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 터치 전극들(321)은 상기 제 1 터치 전극들(311)과 동일한 층 상에 위치할 수 있다. 상기 제 2 브릿지 전극(322)은 상기 제 1 브릿지 전극(312)과 교차할 수 있다. 상기 제 2 브릿지 전극(322)은 상기 제 1 브릿지 전극(312)과 절연될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 브릿지 전극(322)은 상기 제 1 브릿지 전극(312)과 다른 층 상에 위치할 수 있다.
상기 제 1 브릿지 전극(312)과 상기 제 2 브릿지 전극(322) 사이에는 터치 절연막(340)이 위치할 수 있다. 상기 제 2 브릿지 전극(322)은 상기 터치 버퍼막(200)과 상기 터치 절연막(340) 사이에 위치할 수 있다. 상기 제 1 터치 전극들(311) 및 상기 제 2 터치 전극들(321)은 상기 터치 절연막(340) 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 브릿지 전극(312)은 상기 제 1 터치 전극들(311) 및 상기 제 2 터치 전극들(321)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 브릿지 전극(312)은 상기 제 1 터치 전극들(311)과 직접 접촉하 수 있다. 상기 제 2 브릿지 전극(322)은 상기 제 1 브릿지 전극(312)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 터치 절연막(340)은 상기 제 2 브릿지 전극(322)의 일부 영역을 노출하는 터치 컨택홀들을 포함할 수 있다. 상기 제 2 터치 전극들(321)은 상기 터치 컨택홀을 통해 상기 제 2 브릿지 전극(322)과 연결될 수 있다.
상기 터치 절연막(340)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 터치 절연막(340)은 상기 제 2 브릿지 전극(322)에 의한 단차를 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 소자 기판(110)과 대향하는 상기 터치 절연막(340)의 상부면은 평평한 평면일 수 있다. 상기 터치 절연막(340)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 터치 절연막(340)은 각 발광 소자(130)와 중첩하는 다수의 가이드 개구부(340h)를 포함할 수 있다. 각 가이드 개구부(340h)의 측면(340s)은 상기 터치 전극들(311, 321)에 의해 덮일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 화소 영역(PA)의 상기 발광 소자(130)로부터 해당 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s) 방향으로 방출된 빛(L2)이 해당 화소 영역(PA)의 내측 방향으로 반사될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 광추출 효율이 향상될 수 있다.
각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s)은 상기 봉지 부재(140)의 상기 상부면을 기준으로 일정 경사각을 갖는 경사면일 수 있다. 예를 들어, 각 가이드 개구부(340h)의 폭(W2)은 상기 봉지 부재(140)로부터 멀어질수록 증가할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s)에 의해 반사된 빛에 의한 간섭이 방지될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s)에서 반사된 빛에 의한 각 화소 영역(PA)의 정면 휘도가 효과적으로 향상될 수 있다.
각 가이드 개구부(340h)의 폭(W2)은 상기 뱅크 절연막(114)에 의해 노출된 해당 제 1 발광 전극(131)의 일부 영역의 폭(W1)보다 클 수 있다. 예를 들어, 각 발광 소자(130)로부터 일정 이하의 경사를 갖는 빛(L1)은 해당 가이드 개구부(340h)를 통과하여 외부로 방출될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 발광 소자(130)로부터 방출된 빛(L1)의 방출 각도가 상기 터치 구조물들(310, 320)에 의해 결정될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 디스플레이 장치에서는 상기 터치 절연막(340)의 상기 가이드 개구부들(340h)에 의해 시야각이 제어될 수 있다.
상기 소자 기판(110) 상에는 패드들(104, 304)이 위치할 수 있다. 상기 패드들(104, 304)은 상기 봉지 부재(140)와 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 패드들(104, 304)은 상기 봉지 부재(140)의 외측에 위치할 수 있다. 상기 봉지 부재(140)와 상기 패드들(104, 304) 사이에는 적어도 하나의 댐(106)이 위치할 수 있다. 상기 댐(106)은 상대적으로 높은 유동성을 갖는 상기 제 2 봉지층(142)의 흐름을 차단할 수 있다. 예를 들어, 상기 댐(106)은 상기 제 2 봉지층(142)에 의해 덮이는 영역을 정의할 수 있다. 상기 댐(106)은 상기 소자 기판(110)의 가장 자리를 따라 연장할 수 있다. 상기 댐(106)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 상기 댐(106)은 상기 소자 기판(110)과 상기 발광 소자들(130) 사이에 형성되는 절연막들 중 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 댐(106)은 상기 오버 코트층(113)과 동시에 형성될 수 있다.
상기 패드들(104, 304)은 표시 패드들(104) 및 터치 패드들(304)로 구성될 수 있다. 각 표시 패드(104)는 상기 신호 배선들(GL, DL, VDD) 중 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 표시 패드들(104)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 표시 패드들(104)은 상기 구동 회로를 구성하는 전극들 중 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 패드(104)는 상기 제 2 박막 트랜지스터(T2)의 상기 소스 전극(125) 및 상기 드레인 전극(126)과 동시에 형성될 수 있다.
각 터치 패드(304)는 상기 터치 구조물들(310, 320) 중 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 각 터치 구조물(310, 320)은 상기 봉지 부재(140)의 표면을 따라 연장하는 터치 라우팅 라인들(330) 중 하나를 통해 해당 터치 패드(304)와 전기적으로 연결될 수 있다. 각 터치 라우팅 라인(330)은 해당 터치 구조물(310, 320)의 상기 터치 전극들(311, 321)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 라우팅 라인들(330)은 상기 터치 전극들(311, 321)과 동시에 형성될 수 있다. 상기 터치 절연막 각 터치 라우팅 라인(330)은 해당 터치 구조물(310, 320)의 상기 터치 전극들(311, 321)과 직접 접촉할 수 있다.
각 터치 패드(304)는 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 각 터치 패드(304)는 상기 표시 패드들(104)과 동일한 층 상에 위치하는 하부 패드층(304a) 및 상기 터치 라우팅 라인들(330)과 동일한 층 상에 위치하는 상부 패드층(304b)을 포함할 수 있다. 상기 하부 패드층(304a)은 상기 표시 패드들(104)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 상부 패드층(304b)은 상기 라우팅 라인들(330)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 터치 패드(304)의 상기 상부 패드층(304b)은 해당 라우팅 라인(330)과 직접 연결될 수 있다. 상기 하부 보호막(112) 및 상기 터치 버퍼막(200)은 상기 댐(106)의 외측으로 연장할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 보호막(112) 및 상기 터치 버퍼막(200)은 각 터치 패드(304)의 상기 하부 패드층(304a)을 부분적으로 노출하는 패드 컨택홀을 포함할 수 있다. 각 터치 패드(304)의 상기 상부 패드층(304b)은 해당 패드 컨택홀 내에서 해당 터치 패드(304)의 상기 하부 패드층(304a)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 표시 패널들(104) 및 상기 터치 패드들(304)은 상기 터치 절연막(340)의 외측에 위치할 수 있다. 상기 터치 절연막(340)은 상기 표시 패드들(104) 및 상기 터치 패드들(304)과 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 절연막(340)은 상기 댐(106)에 의해 정의된 영역 내에만 위치할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 터치 패드(304)의 상기 하부 패드층(304a)과 상기 상부 패드층(304b) 사이에 상기 터치 절연막(340)에 의한 단차가 형성되지 않을 수 있다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 터치 패드(304)의 상기 하부 패드층(304a)을 부분적으로 노출하는 상기 패드 컨택홀들의 깊이가 상기 터치 절연막(340)의 두께와 무관할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 터치 패드(304)의 상기 하부 패드층(304a)과 상기 상부 패드층(304b)이 안정적으로 연결될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치는 발광 소자들(130)을 덮는 봉지 부재(140) 상에 위치하는 제 1 터치 구조물들(310) 및 제 2 터치 구조물들(320)을 포함하되, 각 제 1 터치 구조물(310)의 제 1 브릿지 전극(312)과 각 제 2 터치 구조물(320)의 제 2 브릿지 전극(322) 사이를 절연하는 터치 절연막(340)이 상기 발광 소자들(130)과 중첩하는 가이드 개구부들(340h)을 포함하고, 각 가이드 개구부(340h)의 측면(340s)이 상기 터치 구조물들(310, 320)의 터치 전극들(311, 321)에 의해 덮일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 광추출 효율 및 각 화소 영역(PA)의 정면 휘도가 향상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 이미지의 품질이 향상될 수 있다.
도 6은 도 4의 K 영역을 확대한 도면이다. 도 4 및 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치는 각 터치 전극(311, 321)이 다중층 구조일 수 있다. 예를 들어, 각 터치 전극(311, 321)은 상기 터치 절연막(340) 상에 순서대로 적층된 제 1 터치 전극층(321a), 제 2 터치 전극층(321b) 및 제 3 터치 전극층(321c)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 터치 전극층(321a), 상기 제 2 터치 전극층(321b) 및 상기 제 3 터치 전극층(321c)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 1 터치 전극층(321a), 상기 제 2 터치 전극층(321b) 및 상기 제 3 터치 전극층(321c)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 터치 전극층(321a)은 상대적으로 상기 터치 절연막(340)과 접착성이 좋은 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 3 터치 전극층(321c)은 상기 제 2 터치 전극층(321b)보다 낮은 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 터치 전극층(321a) 및 상기 제 3 터치 전극층(321c)은 티타늄(Ti)을 포함하고, 상기 제 2 터치 전극층(321b)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
상기 소자 기판(110)과 대향하는 상기 터치 절연막(340)의 상부면 상에서 상기 터치 전극들(311, 321)의 적층 구조는 각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s) 상에서 상기 터치 전극들(311, 321)의 적층 구조와 다를 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s) 상에 상기 제 3 터치 전극층(321c)이 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s) 상에 위치하는 각 터치 전극(311, 321)의 일부 영역이 상기 소자 기판(110)과 대향하는 상기 터치 절연막(340)의 상부면 상에 위치하는 해당 터치 전극(311, 321)의 일부 영역보다 큰 반사율을 가질 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 터치 전극들(311, 321)에 의한 외광 반사가 방지되며, 각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s)을 이용하여 광추출 효율 및 각 화소 영역(PA)의 정면 휘도가 향상될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치는 각 가이드 개구부(340h)의 측면(340s) 상에서 상기 터치 전극들(311, 321)이 상대적으로 적은 적층 수를 갖는 것으로 설명된다. 그러나, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 터치 전극(311, 321)이 각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s) 상에서 상기 소자 기판(110)과 대향하는 상기 터치 절연막(340)의 상부면보다 많은 층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 터치 전극(311, 321)이 저저항 금속층(321a) 및 반사 전극층(321d)을 포함할 수 있다. 상기 저저항 금속층(321a)은 상기 터치 절연막(340)의 표면을 따라 연장할 수 있다. 상기 반사 전극층(321d)은 각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s)과 중첩할 수 있다. 상기 저저항 금속층(321a)은 각 가이드 개구부(340h)의 상기 측면(340s)과 상기 반사 전극층(321d) 사이로 연장할 수 있다. 상기 반사 전극층(321d)은 상기 소자 기판(110)과 대향하는 상기 터치 절연막(340)의 상부면 상에 위치하는 단부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 터치 전극(311, 321)의 상기 반사 전극층(321d)은 상기 브릿지 전극들(312, 322)의 외측에 위치할 수 있다.
상기 저저항 금속층(321a)은 상대적으로 낮은 저항을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 저저항 금속층(321a)은 크롬(Cr), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 상기 반사 전극층(321d)은 상대적으로 높은 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 전극층(321d)은 알루미늄(Al) 및 은(Ag)을 포함할 수 있다. 상기 반사 전극층(321d)의 반사율은 상기 저저항 금속층(321a)의 반사율보다 높을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 영역 별로 반사율이 다른 터치 전극들(311, 321)의 형성 공정에 대한 자유도가 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 터치 전극들(311, 321)에 의한 외광 반사가 최소화되고, 상기 가이드 개구부(340)의 상기 측면(340s) 상에서 상기 터치 전극들(311, 321)에 의한 반사가 최대화될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치는 각 터치 전극(311, 321)의 단부가 상기 뱅크 절연막(114)과 중첩하는 것으로 설명된다. 그러나, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 각 가이드 개구부(340h) 내에서 상기 터치 전극들(321) 사이의 거리가 상기 뱅크 절연막(114)에 의해 노출된 각 제 1 발광 전극(131)의 일부 영역의 폭(W3)과 동일할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 상기 터치 전극들(321)에 의해 시야각이 제어될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치는 상기 터치 전극들(321)을 이용하여 협시야각을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 터치 디스플레이 장치에서는 사용자에게 제공되는 이미지의 품질이 향상될 수 있다.
110: 소자 기판 130: 발광 소자
140: 봉지 부재 200: 터치 버퍼층
310: 제 1 터치 구조물 311: 제 1 터치 전극
312: 제 1 브릿지 전극 320: 제 2 터치 구조물
321: 제 2 터치 전극 322: 제 2 브릿지 전극
340: 터치 절연막
140: 봉지 부재 200: 터치 버퍼층
310: 제 1 터치 구조물 311: 제 1 터치 전극
312: 제 1 브릿지 전극 320: 제 2 터치 구조물
321: 제 2 터치 전극 322: 제 2 브릿지 전극
340: 터치 절연막
Claims (15)
- 소자 기판 상에 위치하는 발광 소자;
상기 소자 기판 상에 위치하고, 상기 발광 소자를 덮는 봉지 부재;
상기 봉지 부재 상에 위치하고, 터치 전극들 및 인접한 터치 전극들 사이를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 브릿지 전극을 포함하는 터치 구조물; 및
상기 터치 전극들과 상기 브릿지 전극 사이에 위치하는 터치 절연막을 포함하되,
상기 터치 절연막은 상기 발광 소자와 중첩하는 가이드 개구부를 포함하고,
상기 가이드 개구부의 측면은 상기 터치 전극들에 의해 덮이는 터치 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 가이드 개구부의 상기 측면은 상기 소자 기판과 대향하는 상기 봉지 부재의 상부면을 기준으로 일정 경사각을 갖는 경사면인 터치 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 가이드 개구부의 상기 측면 상에 위치하는 터치 전극의 일부 영역은 상기 소자 기판과 대향하는 상기 터치 절연막의 상부면 상에 위치하는 해당 터치 전극의 일부 영역보다 큰 반사율을 갖는 큰 터치 디스플레이 장치. - 제 3 항에 있어서,
각 터치 전극은 제 1 터치 전극층 및 상기 제 1 터치 전극층보다 낮은 반사율을 갖는 제 2 터치 전극층의 적층 구조이되,
상기 제 2 터치 전극층은 상기 터치 절연막의 상기 가이드 개구부와 이격되는 터치 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 터치 절연막은 유기 절연 물질을 포함하는 터치 디스플레이 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 가이드 개구부의 외측에서 상기 소자 기판과 대향하는 상기 터치 절연막의 상부면은 평평한 평면인 터치 디스플레이 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 소자 기판 상에 위치하고, 상기 봉지 부재와 이격되는 터치 패드; 및
상기 봉지 부재의 표면을 따라 연장하여 상기 터치 구조물을 상기 터치 패드와 전기적으로 연결하는 터치 라우팅 라인을 더 포함하되,
상기 터치 패드는 상기 터치 절연막의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 브릿지 전극은 상기 발광 소자의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 장치. - 소자 기판 상에 순서대로 적층된 제 1 발광 전극, 발광층 및 제 2 발광 전극을 포함하는 발광 소자;
상기 발광 소자의 상기 제 2 발광 전극 상에 위치하는 봉지 부재;
상기 봉지 부재 상에 위치하고, 상기 발광 소자와 중첩하는 가이드 개구부를 포함하는 터치 절연막;
상기 봉지 부재와 상기 터치 절연막 사이에 위치하고, 상기 터치 절연막의 상기 가이드 개구부와 이격되는 브릿지 전극; 및
상기 소자 기판과 대향하는 상기 터치 절연막의 상부면 상에 위치하고, 상기 브릿지 전극과 전기적으로 연결되는 터치 전극을 포함하되,
상기 터치 전극은 상기 가이드 개구부의 측면 상으로 연장하는 터치 디스플레이 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 터치 전극은 상기 발광 소자의 외측에 위치하는 터치 디스플레이 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 터치 전극은 다중층 구조를 가지되,
상기 터치 절연막의 상기 상부면 상에서 상기 터치 전극의 적층 구조는 상기 가이드 개구부의 상기 측면 상에서 상기 터치 전극의 적층 구조와 다른 터치 디스플레이 장치. - 제 11 항에 있어서,
상기 터치 절연막의 상기 상부면 상에서 상기 터치 전극은 제 1 터치 전극층을 포함하고,
상기 가이드 개구부의 상기 측면 상에서 상기 터치 전극은 상기 제 1 터치 전극층 및 상기 제 2 터치 전극층을 포함하되,
상기 제 2 터치 전극층의 반사율은 상기 제 1 터치 전극층의 반사율보다 큰 터치 디스플레이 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 터치 전극층 및 상기 제 2 터치 전극층은 금속을 포함하는 터치 디스플레이 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 소자 기판 상에 위치하고, 상기 제 1 발광 전극의 가장 자리를 덮는 뱅크 절연막을 더 포함하되,
상기 뱅크 절연막에 의해 노출된 상기 제 1 발광 전극의 일부 영역은 상기 터치 절연막의 상기 가이드 개구부보다 작은 폭을 갖는 터치 디스플레이 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 브릿지 전극은 상기 뱅크 절연막과 중첩하는 터치 디스플레이 장치.
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