TWI755961B - 具有發光裝置及觸控結構的觸控顯示設備 - Google Patents

具有發光裝置及觸控結構的觸控顯示設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI755961B
TWI755961B TW109143096A TW109143096A TWI755961B TW I755961 B TWI755961 B TW I755961B TW 109143096 A TW109143096 A TW 109143096A TW 109143096 A TW109143096 A TW 109143096A TW I755961 B TWI755961 B TW I755961B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
touch
electrode
layer
insulating layer
display device
Prior art date
Application number
TW109143096A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202138979A (zh
Inventor
金成祐
李榮福
Original Assignee
南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 filed Critical 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司
Publication of TW202138979A publication Critical patent/TW202138979A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI755961B publication Critical patent/TWI755961B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供一種觸控顯示設備。在該觸控顯示設備中，一觸控結構可以設置在覆蓋一發光裝置的一封裝元件上。一觸控絕緣層可以設置在一觸控電極與該觸控結構的一橋接電極之間。該觸控絕緣層可以包含一引導開口，位於從該發光裝置發射的一光路徑上。該引導開口的一側可以由該觸控電極覆蓋。因此，在該觸控顯示設備中，可以改善前側亮度。

Description

具有發光裝置及觸控結構的觸控顯示設備
本發明涉及一種觸控顯示設備，其中觸控結構設置在覆蓋發光裝置的封裝元件上。
一般來說，電器設備，如顯示器、電視、筆記型電腦和數位相機，包括實現影像的顯示設備。例如，顯示設備可以包含至少一個發光裝置。發光裝置可以發出顯示特定顏色的光。例如，發光裝置可以包含在第一發射電極與第二發射電極之間的發光層。
顯示設備可以透過使用者或工具的觸碰來執行特定的程式或輸入特定的訊號。例如，顯示設備可以包含觸控結構。觸控結構可以包含觸控電極以及至少一個與相鄰電極電性連接的橋接電極。觸控結構可以設置在發光裝置的附近。例如，觸控結構可以設置在覆蓋發光裝置的封裝元件上。
觸控電極及觸控結構的橋接電極可以包含具有相對低電阻的金屬。例如，觸控電極及觸控裝置的橋接電極可以與發光元件間隔開。從具有斜度的發光裝置斜射出的光可以由觸控電極及/或橋接電極向內反射。因此，在顯示設備中，光萃取效率可能會降低。
因此，本發明涉及一種觸控顯示設備，該設備基本上消除了一個或多個由現有技術的限制和缺點而導致的問題。
本發明的一個或多個實施例提供一種能提高光萃取效率的觸控顯示設備。
本發明的一個或多個實施例提供一種能改善每個像素區域的前側亮度的觸控顯示設備。
本發明的其他優勢、技術上的效益與特徵將在下述中部分闡述，對於所屬技術領域中具有通常知識者來說將部分地變得顯而易見，或者可以從本發明的實踐中獲悉。本發明的優勢可以透過書面描述和其請求項以及附圖中特別指出的結構來實現和達成。
為了達成這些技術上的效益，本發明提供一種觸控顯示設備，包括一基板。一發光裝置和一封裝元件設置在該基板上。該封裝元件覆蓋或部分地覆蓋該發光裝置。一觸控結構設置在該封裝元件上。該觸控結構包含觸控電極以及至少一個橋接電極。該橋接電極與相鄰的觸控電極電性連接。一觸控絕緣層設置在該觸控電極與該橋接電極之間。該觸控絕緣層包含一引導開口。該引導開口與該發光裝置重疊。該引導開口的一側可以部分地被該些觸控電極的其中之一覆蓋。
該引導開口的該側可以為一傾斜表面，該傾斜表面具有相對於該基板對面的該封裝元件的一上表面的傾斜角度。
設置在該引導開口的該側上之該觸控電極的區域可以具有比設置在該基板對面的該觸控絕緣層的上表面上所相應的該觸控電極的區域較高的反射率。
該些觸控電極的每一個可以具有其中堆疊一第一觸控電極層和一第二觸控電極層的結構。該第二觸控電極層可以具有比該第一觸控電極層較低的反射率。該第二觸控電極層與該觸控絕緣層的該引導開口可以間隔開。
該觸控絕緣層可以包含有機絕緣材料。
該基板對面的該觸控絕緣層的上表面在該引導開口的外部處可以為一平坦表面。
一觸控板可以設置在該基板上。該觸控板可以與該封裝元件間隔開。該觸控結構可以透過一觸控路由線與該觸控板電性連接。該觸控路由線可以沿該封裝元件的一表面延伸。
該觸控板可以設置在該觸控絕緣層外部。
該橋接電極可以設置在該發光裝置外部。
在另一實施例中，觸控顯示設備包括一基板。一發光裝置包含依序堆疊在該基板上的一第一發射電極、一發光層和一第二發射電極。一封裝元件設置在該第二發射電極上。一觸控絕緣層設置在該封裝元件上。該觸控絕緣層可以包含與該發裝裝置重疊的一引導開口。一橋接電極設置在該封裝元件與該觸控絕緣層之間。該橋接電極與該觸控絕緣層的該引導開口間隔開。一觸控電極設置在該基板對面的該觸控絕緣層的上表面上。該觸控電極與該橋接電極電性連接。該觸控電極延伸到該引導開口的一側上。
該觸控結構可以設置在該發光裝置外部。
該觸控電極可以具有多層結構。位於該觸控絕緣層的該上表面上的該觸控電極的堆疊結構可以與該引導開口的該側上的堆疊結構不同。
該觸控電極可以包含位於該觸控絕緣層該上表面上的一第一觸控電極層、以及位於該引導開口該側上的一第二觸控電極層。該第一觸控電極層可以在該引導開口的該側與第二觸控電極層之間延伸。該第二觸控電極層的反射率可以比該第一觸控電極層的反射率高。
該第一觸控電極層和第二觸控電極層可以包含金屬。
一堤絕緣層可以設置在該基板上。該堤絕緣層可以至少部分地覆蓋該第一發射電極的邊緣。由該堤絕緣層暴露的該第一發射電極的一部分的寬度可以比觸控絕緣層的該引導開口小。
該橋接電極可以與該堤絕緣層重疊。
104:面板、顯示面板
106:壩
110:基板
111:裝置緩衝層
112:下鈍化層
113:覆膜層
114:堤絕緣層
121:半導體圖案
122:閘極絕緣層
123:閘極電極
124:層間絕緣層
125:源極電極
126:汲極電極
130:發光裝置
131:第一發射電極
132:發光層
133:第二發射電極
140:封裝元件
141:第一封裝層
142:第二封裝層
143:第三封裝層
200:觸控緩衝層
304:面板、觸控面板
304a:下面板層
304b:上面板層
310:觸控結構、第一觸控結構
311:觸控電極、第一觸控電極
312:橋接電極、第一橋接電極
320:觸控結構、第二觸控結構
321:觸控電極、第二觸控電極
321a:第一觸控電極層
321a':低電阻金屬層
321b:第二觸控電極層
321c:第三觸控電極層
321d:反射電極層
322:橋接電極、第二橋接電極
330:觸控路由線
340:觸控絕緣層
340h:引導開口
340s:引導開口的側面
400:觸控覆蓋層
A,P,K:區域
T1:第一薄膜電晶體
T2:第二薄膜電晶體
W1,W2,W3:寬度
L1,L2:光
DL:資料線
GL:閘極線
PA:像素區域
Cst:儲存電容器
VSS:低功率供電線
VDD:高功率供電線
附圖包含在本說明書內，來對本發明概念提供進一步理解，並且併入並構成本說明書一部分，繪示了本發明概念之例示性具體實施例，並且連同本說明書闡釋本發明概念的原理。在圖式中：
圖1為示意性地顯示根據本發明一實施例的觸控顯示設備的視圖；
圖2為顯示根據本發明實施例的觸控顯示設備的上表面的視圖；
圖3為圖2中之A區的放大圖；
圖4為沿圖2之I-I'線所擷取的視圖；
圖5為圖4中之P區的放大圖；以及
圖6至圖8為顯示根據本發明另一實施例的觸控顯示設備的視圖。
下文中，將透過以下詳述與配合繪示本發明一些實施例的附圖，使本發明的實施例的目的、技術配置及操作效果有關的細節被清楚地理解。在此，提供本發明的實施例是為了使本發明的技術精神被滿意地轉移給所屬技術領域中具有通常知識者，因此，本發明可以其他形式實施，並且不限於下述的實施例。
另外，在整份說明書中，相同或極其相似的元件可以由相同的標記來表示，並且，附圖中分層和區域可以能為了方便而誇大其長度和厚度。所應知悉，當第一元件被稱為在第二元件「上方」時，第一元件可以設置在第二元件上以與第二元件接觸，第一元件與第二元件之間也可以***第三元件。
在此，可以使用諸如「第一」和「第二」這樣的術語來將任何一個元素與另一個元素區分。然而，第一元件和第二元件可以在不脫離本發明技術的精神下，為了所屬技術領域中具有通常知識者的方便任意命名。
在本發明的說明書中使用的術語僅是為了描述特定實施例而使用的，並且無意於限制本發明的範圍。例如，除非上下文另外明示，否則以單數形式描述的元件旨在包括多個元件。另外，在本發明的說明書中，將進一步理解，術語「包括」和「包含」指明了所述特徵、整數、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在，但不排除存在或增加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或組合。
除非另有定義，本發明實施例中使用的所有術語(包括技術和科學術語)，其含意與所屬技術領域中具有通常知識者所理解的相同。另外，諸如在常用字典中定義的術語，應該以與其在所屬領域的含義來做相同的解釋，除非在此明確定義，不應以理想化或過於形式化的含義來解釋。
圖1為示意性地顯示根據本發明一實施例的觸控顯示設備的視圖。圖2為顯示根據本發明一實施例的觸控顯示設備的上表面的視圖。圖3為圖2中之A區的放大圖。圖4為沿圖2之I-I'線所截取的視圖。圖5為圖4中之P區的放大圖。
參閱圖1至圖5，根據本發明實施例的觸控顯示設備可以包括基板110。基板110可以包含絕緣材料。例如，基板110可以包含玻璃或塑膠。
訊號線路GL、DL、VDD和VSS可以設置在基板110上。例如，訊號線路GL、DL、VDD和VSS可以包含用於傳輸閘極訊號的閘極線GL；用於傳輸資料訊號的資料線DL；用於供應高功率電壓的高功率供電線VDD；以及用於供應低功率電壓的低功率供電線VSS。訊號線路GL、DL、VDD和VSS可以界定複數個像素區域PA。每個像素區域PA可以使用透過訊號線路GL、DL、VDD和VSS施加的訊號來發光。例如，每個像素區域PA可以包含驅動電路以及發光裝置130。
驅動電路可以根據閘極訊號產生與資料訊號對應的驅動電流。例如，驅動電路可以包含第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2、以及儲存電容器Cst。第一薄膜電晶體T1可以根據閘極訊號啟動/關閉第二薄膜電晶體T2。第二薄膜電晶體T2可以根據資料訊號產生驅動電流。儲存電容器Cst可以在一個圖框中維持第二薄膜電晶體T2的操作。
第一薄膜電晶體T1和第二薄膜電晶體T2可以具有相同或相似的結構。例如，第二薄膜電晶體T2可以包含半導體圖案(pattern)121、閘極絕緣層122、閘極電極123、層間絕緣層124、源極電極125、以及汲極電極126。
半導體圖案121可以包含半導體材料。例如，半導體圖案121可以包含矽。半導體圖案121可以包含氧化物半導體。舉例來說，半導體圖案121可以包含金屬氧化物，例如IGZO。半導體圖案121可以包含源極區、通道區、以及汲極區。通道區可以設置在源極區與汲極區之間。源極區和汲極區可以具有高於通道區的導電率。
閘極絕緣層122可以設置在半導體圖案121上。例如，半導體圖案121可以設置在基板110與閘極絕緣層122之間。閘極絕緣層122可以延伸超出半導體圖案121。例如，半導體圖案121的側面可以與閘極絕緣層122直接接觸。閘極絕緣層122可以包含絕緣材料。例如，閘極絕緣層122可以包含氧化矽(SiO)及/或氮化矽(SiN)。閘極絕緣層122可以包含具有高介電常數的材料。舉例來說，閘極絕緣層122可以包含高介電材料，例如氧化鉿(HfO)。閘極絕緣層122可以具有多層結構。
閘極電極123可以設置在閘極絕緣層122上。閘極電極123可以與半導體圖案121的源極區重疊。例如，半導體圖案121的源極區和汲極區可以設 置在閘極電極123外部。閘極電極123可以包含導電材料。舉例來說，閘極電極123可以包含金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)和銅(Cu)。
層間絕緣層124可以設置在閘極電極123上。層間絕緣層124可以延伸超出半導體圖案121。例如，閘極電極123的側面可以與層間絕緣層124直接接觸。層間絕緣層124可以包含絕緣材料。例如，層間絕緣層124可以包含氧化矽(SiO)。
源極電極125可以設置在層間絕緣層124上。源極電極125可以與半導體圖案121的源極區電性連接。例如，閘極絕緣層122和層間絕緣層124可以包含源極接觸孔，其部分地暴露半導體圖案121的源極區。源極電極125可以經由源極接觸孔與半導體圖案121的源極區連接。例如，源極電極125可以包含與半導體圖案121的源極區重疊的部分。源極電極125可以包含導電材料。舉例來說，源極電極125可以包含金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)。源極電極125可以包含與閘極電極123不同的材料。
汲極電極126可以設置在層間絕緣層124上。汲極電極126可以與半導體圖案121的汲極區電性連接。汲極電極126可以與源極電極125間隔開。例如，閘極絕緣層122和層間絕緣層124可以包含部分暴露半導體圖案121的汲極區的汲極接觸孔。汲極電極126可以經由汲極接觸孔與半導體圖案121的汲極區連接。例如，汲極電極126可以包含與半導體圖案121的汲極區重疊的部分。汲極電極126可以包含導電材料。舉例來說，汲極電極126可以包含金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)。汲極電極126可以包含與源極電極125相同的材料。例如，汲極電極126可以包含與閘極電極123不同的材料。
第一薄膜電晶體T1的閘極電極可以與閘極線GL電性連接。第二薄膜電晶體T2的閘極電極123可以與第一薄膜電晶體T1的汲極電極電性連接。第一薄膜電晶體T1的源極電極可以與資料線DL連接。第二薄膜電晶體T2的源極電極125可以與高功率供電線VDD連接。儲存電容器Cst可以包含連接到第一薄膜電晶體T1的汲極電極的第一電容器電極、以連接到第二薄膜電晶體T2的汲極電極126的第二電容器電極。
裝置緩衝層111可以設置在基板110與驅動電路之間。例如，每個驅動電路的第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2、以及儲存電容器Cst可以設 置在裝置緩衝層111上。裝置緩衝層111可以防止在形成驅動電路的過程中來自基板110的污染。裝置緩衝層111可以包含絕緣材料。例如，裝置緩衝層111可以包含氧化矽(SiO)及/或氮化矽(SiN)。裝置緩衝層111可以具有多層結構。例如，裝置緩衝層111可以具有其中堆疊由氧化矽(SiO)形成的絕緣層和由氮化矽(SiN)形成的絕緣層的結構。
下鈍化層112可以設置在驅動電路上。下鈍化層112可以防止由於外部濕氣和衝擊而造成驅動電路的損壞。下鈍化層112可以沿著基板110對面的每個驅動電路的表面延伸。下鈍化層112可以延伸超出每個驅動電路。例如，下鈍化層112可以至少部分地覆蓋每個第二薄膜電晶體T2的源極電極125和汲極電極126。下鈍化層112可以包含絕緣材料。下鈍化層112可以包含無機絕緣材料。例如，下鈍化層112可以包含氧化矽(SiO)及/或氮化矽(SiN)。
覆膜層113可以設置在下鈍化層112上。覆膜層113可以消除因驅動電路所造成的厚度差異。例如，每個第二薄膜電晶體T2造成的厚度差異可以被覆膜層113消除。覆膜層113於基板110對面的表面可以是一平坦表面。覆膜層113可以包含絕緣材料。覆膜層113可以包含具有相對高流動度的材料。例如，覆膜層113可以包含有機絕緣材料。
發光裝置130可以設置在覆膜層113上。發光裝置130可以發出顯示特定顏色的光。例如，發光裝置130可以包含依序堆疊在覆膜層113上的第一發射電極131、發光層132、以及第二發射電極133。
第一發射電極131可以包含導電材料。第一發射電極131可以包含具有相對高反射率的材料。例如，第一發射電極131可以包含金屬，例如鋁(Al)和銀(Ag)。第一發射電極131可以具有多層結構。例如，第一發射電極131可以具有其中由金屬形成的反射電極設置在由透明導電材料(例如ITO和IZO)形成的透明電極之間的結構。
發光層132可以產生具有對應於第一發射電極131和第二發射電極133之間的電壓差的亮度的光。例如，發光層132可以是包含發射材料的發射材料層(EML)。該發射材料可以包含有機材料、無機材料或混成材料。例如，根據本發明實施例的觸控顯示設備可以是有機發光顯示設備，其具有發光層132的有機材料。
第二發射電極133可以包含導電材料。第二發射電極133可以包含與第一發射電極131不同的材料。例如，第二發射電極133可以是由例如ITO和IZO的透明導電材料形成的透明電極。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，由發光層132產生的光可以從第二發射電極133發出。
發光裝置130還可以包含在第一發射電極131與發光層132之間、及/或在發光層132與第二發射電極133之間的發光功能層。該發光功能層可以包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、和電子注入層(EIL)的至少其中之一。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以改善發光裝置130的發光效率。
每個像素區域PA的發光裝置130可以與對應的像素區域PA的驅動電路電性連接。例如，下鈍化層112和覆膜層113可以包含電極接觸孔，其部份地暴露每個驅動電路的第二薄膜電晶體T2。每個像素區域PA的第一發射電極131可以經由對應的電極接觸孔與對應的像素區域PA的第二薄膜電晶體T2電性連接。例如，每個發光裝置130的第一發射電極131可以與對應的第二薄膜電晶體T2的汲極電極126電性連接。
每個像素區域PA的發光裝置130可以從相鄰像素區域PA的發光裝置130獨立地控制。例如，每個像素區域PA的第一發射電極131可以與相鄰的像素區域PA的第一發射電極131絕緣。每個像素區域PA的第一發射電極131可以與相鄰像素區域PA的第一發射電極131間隔開。堤絕緣層114可以設置在相鄰第一發射電極131之間的空間中。堤絕緣層114可以包含絕緣材料。例如，堤絕緣層114可以包含有機絕緣材料。堤絕緣層114可以設置在覆膜層113上。例如，堤絕緣層114可以與相鄰第一發射電極131之間的覆膜層113直接接觸。堤絕緣層114可以包含與覆膜層113不同的材料。堤絕緣層114可以至少部分地覆蓋第一發射電極131的邊緣。例如，每個像素區域PA的發光層132和第二發射電極133可以堆疊在對應的第一發射電極131的一部分上，該部分由堤絕緣層114暴露。
每個像素區域PA可以實現與相鄰像素區域PA不同的顏色。例如，每個像素區域PA的發光層132可以包含與相鄰像素區域PA的發光層132不同的材料。每個像素區域PA的發光層132可以與相鄰像素區域PA的發光層132間隔開。例如，每個像素區域PA的發光層132可以包含在堤絕緣層114上的一端。每個像素區域PA的發光層132可以透過與相鄰像素區域PA的發光層132不同的過 程來形成。例如，每個像素區域PA的發光層132可以透過使用高精度金屬遮罩(FMM)的沉積過程來形成。
每個像素區域PA的第二發射電極133可以與相鄰像素區域PA的第二發射電極133施加相同的電壓。例如，每個像素區域PA的第二發射電極133可以與相鄰像素區域PA的第二發射電極133電性連接。每個像素區域PA的第二發射電極133可以包含與相鄰像素區域PA的第二發射電極133相同的材料。每個像素區域PA的第二發射電極133可以與相鄰像素區域PA的第二發射電極133接觸。例如，每個像素區域PA的第二發射電極133可以延伸到堤絕緣層114上。
每個像素區域PA的發光裝置130可以具有與相鄰像素區域PA的發光裝置130相同的結構。例如，每個像素區域PA的發光裝置130可以包含與相鄰像素區域PA的發光裝置130相同的發光功能層。每個像素區域PA的發光功能層可以與相鄰像素區域PA的發光功能層連接。例如，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)，和電子注入層(EIL)的至少其中之一可以延伸至堤絕緣層114上。
封裝元件140可以設置在每個像素區域PA的發光裝置130上。封裝元件140可以防止由於外部濕氣和衝擊而造成發光裝置130的損壞。封裝元件140可以延伸超出第二發射電極133。例如，封裝元件140可以至少部分地覆蓋覆膜層113、堤絕緣層114、以及發光裝置130。
封裝元件140可以具有多層結構。例如，封裝元件140可以包含依序堆疊在第二發射電極133上的第一封裝層141、第二封裝層142、以及第三封裝層143。第一封裝層141、第二封裝層142、以及第三封裝層143可以包含絕緣材料。第二封裝層142可以包含與第一封裝層141和第三封裝層143不同的材料。例如，第一封裝層141和第三封裝層143可以包含無機絕緣材料，而第二封裝層142可以包含有機絕緣材料。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以防止由於外部濕氣和衝擊而造成發光裝置130的損壞。因為發光裝置130所造成的厚度差異可以被第二封裝層142消除。例如，在基板110對面的封裝元件140的上表面可以與基板110的一個表面平行。
觸控結構310和320可以設置在封裝元件140上。觸控結構310和320可以偵測使用者或工具的觸碰。例如，每個觸控結構310和320可以包含觸控電極311和321、以及至少一個橋接電極312和322。每個橋接電極312和322可以 與相鄰觸控電極311和321電性連接。觸控緩衝層200可以設置在封裝元件140與觸控結構310和320之間。觸控緩衝層200可以防止由於形成觸控結構310和320的過程而對發光裝置130和封裝元件140所造成的損壞。觸控緩衝層200可以包含絕緣材料。例如，觸控緩衝層200可以包含氧化矽(SiO)及/或氮化矽(SiN)。
觸控電極311和321可以包含導電材料。觸控電極311和321可以包含具有相對低電阻的材料。觸控電極311和321可以包含具有相對高反射率的材料。例如，觸控電極311和321可以包含金屬，例如鋁(Al)。
橋接電極312和322可以包含導電材料。橋接電極312和322可以包含具有相對低電阻的材料。舉例來說，橋接電極312和322可以包含金屬，例如鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)和銅(Cu)。
觸控電極311和321以及橋接電極312和322可以設置在發光裝置130外部。觸控電極311和321以及橋接電極312和322可以與發光裝置130間隔開。例如，觸控電極311和321以及橋接電極312和322可以與堤絕緣層114重疊。每個觸控電極311和321可以是一個網狀，其具有與發光裝置130重疊的孔徑。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，從發光裝置130發出與基板110表面垂直的光可以不被觸控電極311和321以及橋接電極312和322阻擋。並且，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，從每個像素區域PA的發光裝置130發出朝相鄰像素區域PA的方向的光可以被觸控電極311和321以及橋接電極312和322阻擋。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以防止由於從相鄰像素區域PA發出的光的混合而造成的影像品質惡化。
觸控結構310和320可以由第一觸控結構310和第二觸控結構320構成。每個第一觸控結構310可以包含第一觸控電極311以及至少一個第一橋接電極312。第一觸控電極311可以透過第一橋接電極312在第一方向上連接。每個第二觸控結構320可以包含第二觸控電極321以及至少一個第二橋接電極322。第二觸控電極321可以透過第二橋接電極322在與第一方向垂直的第二方向上連接。第二觸控電極321可以與第一觸控電極311並排設置。例如，第二觸控電極321可以與第一觸控電極311設置在同一層上。第二橋接電極322可以與第一橋接電極312相交。第二橋接電極322可以與第一橋接電極312絕緣。例如，第二橋接電極322可以與第一橋接電極312設置在不同層上。
觸控絕緣層340可以設置在第一橋接電極312與第二橋接電極322之間。第二橋接電極322可以設置在觸控緩衝層200與觸控絕緣層340之間。第一觸控電極311和第二觸控電極321可以設置在觸控絕緣層340上。例如，第一橋接電極312可以包含與第一觸控電極311和第二觸控電極321相同的材料。第一橋接電極312可以與第一觸控電極311直接接觸。第二橋接電極322可以包含與第一橋接電極312不同的材料。觸控絕緣層340可以包含接觸孔，該接觸孔暴露第二橋接電極322的一部分。第二接觸電極321可以經由該接觸孔與第二橋接電極322連接。
觸控絕緣層340可以包含絕緣材料。觸控絕緣層340可以消除因第二橋接電極322所造成的厚度差異。觸控絕緣層340於基板110對面的上表面可以是一平坦表面。觸控絕緣層340可以包含有機絕緣材料。
觸控絕緣層340可以包含複數個與發光裝置130重疊的引導開口340h。每個引導開口340h的側面340s可以至少部分地被觸控電極311和321覆蓋。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，從每個像素區域PA的發光裝置130在對應的引導開口340h的側面340s的方向上發射的光L2可以在對應像素區域PA的內部方向上反射。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以改善光萃取效率。
如圖5所示，每個引導開口340h的側面340s可以為傾斜表面，該傾斜表面具有相對於基板對面的封裝元件140的上表面的傾斜角度θ。例如，每個引導開口340h的寬度W2可以隨著與封裝元件140距離的增長而增加。亦即，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以防止被每個引導開口340h的側面340s反射的光所造成的干擾。因此，在據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以透過由每個引導開口340h的側面340s反射的光來改善每個像素區域PA的前側亮度。
每個引導開口340h的寬度W2可以大於對應的第一發射電極131由堤絕緣層114暴露的一部分的寬度W1。例如，以一定傾角或更小傾角從每個發光裝置130發出的光L1可以通過相應的引導開口340h。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，從發光裝置130發出的光L1的發射角可以由觸控結構310和320判斷。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以由觸控絕緣層340的引導開口340h來控制視角。
在一些實施例中，額外的元件像是觸控緩衝層200可以包含在觸控隔絕層340與封裝元件140之間。在這些範例中，每個引導開口340h的側面340s可以具有傾斜角θ，該傾斜角θ形成為引導開口340h的側面340s與觸控緩衝層200的上表面(例如，頂表面)之間的角度。在其他實施例中，可以基於進一步覆蓋(或部分地覆蓋)引導開口340h的側面340s的附加元件來不同定義每個引導開口340h的寬度W2。例如，若觸控電極321在引導開口340h的側面340s上，則每個引導開口340h的寬度W2可以定義為觸控電極321的端部之間所界定的開口(例如，觸控電極的第一端和在第一端對面的相鄰觸控電極的第二端。)
觸控覆蓋層400可以設置在觸控結構310和320上。觸控覆蓋層400可以防止由於外部影響而造成觸控結構310和320的損壞。觸控覆蓋層400可以包含絕緣材料。
面板104和304可以設置在基板110上。面板104和304可以與封裝元件140間隔開。例如，面板104和304可以設置在封裝元件140外部。至少一個壩106可以設置在封裝元件140與面板104和304之間。壩106可以阻擋具有相對高流動度的第二封裝層142的流動。例如，壩106可以界定至少被第二封裝層142部分地覆蓋的區域。壩106可以沿基板110的一邊緣延伸。壩106可以包含絕緣材料。壩106可以包含與形成在基板110與發光裝置130之間的其中一個隔絕層相同的材料。例如，壩106可以與覆膜層113同步形成。
面板104和304可以由顯示面板104和觸控面板304構成。每個顯示面板104可以與訊號線路GL,DL,VDD和VSS的其中之一電性連接。顯示面板104可以包含導電材料。顯示面板104可以包含與由驅動電路構成的其中一個電極相同的材料。例如，顯示面板104可以與每個第二薄膜電晶體T2的源極電極125和汲極電極126同步形成。
每個顯示面板304可以與觸控結構310和320的其中之一電性連接。例如，每個觸控結構310和320可以透過沿封裝元件140的一表面延伸的觸控路由線330的其中一條來與對應的觸控面板304電性連接。每條觸控路由線330可以包含與對應的觸控結構310和320的觸控電極311和321相同的材料。例如，每條觸控路由線330可以與對應的觸控結構310和320的觸控電極311和321同步形成。每條觸控路由線330可以與對應的觸控結構310和320的觸控電極311和321直接接觸。
每個觸控面板304可以具有多層結構。例如，每個觸控面板304可以包含設置在與顯示面板104相同層上的下面板層304a；以及設置在與觸控路由線330相同層上的上面板層304b。下面板層304a可以包含與顯示面板104相同的材料。上面板層304b可以包含與觸控路由線330相同的材料。例如，每個觸控面板304的上面板層304b可以直接與對應的觸控路由線330連接。下鈍化層112和觸控緩衝層200可以延伸至壩106的外部上。例如，下鈍化層112和觸控緩衝層200可以包含電極接觸孔，其部份地暴露每個觸控面板304的下面板層304a。每個觸控面板304的上面板層304b可以在相應的面板接觸孔中與所對應的觸控面板304的下面板層304a直接接觸。
顯示面板104和觸控面板304可以設置在觸控絕緣層340外部。觸控絕緣層340可以與顯示面板104和觸控面板304間隔開。例如，觸控絕緣層340可以僅設置在由壩106界定的區域中。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，因觸控絕緣層340所造成的厚度差異可能不會在每個觸控面板304的下面板層304a與上面板層304b之間形成。亦即，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，部分地暴露每個觸控面板304的下面板層304a的面板接觸孔的深度可以不受觸控絕緣層340的厚度影響。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，每個觸控面板304的下面板層304a和上面板層可以穩定地連接。
因此，根據本發明實施例的觸控顯示設備可以包括封裝元件140上的第一觸控結構310和第二觸控結構320，封裝元件140至少部分覆蓋發光裝置130，其中，將每個第一觸控結構310的第一橋接電極312與每個第二觸控結構320的第二橋接電極322絕緣的觸控絕緣層340可以包括與發光裝置130重疊的引導開口340h，以及其中每個引導開口340h的側面340可以至少部分地被觸控結構310和320的觸控電極311和321的其中之一覆蓋。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以改善每個像素區域PA的光萃取效率和前側亮度。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以改善影像品質。
圖6為圖4中之K區的放大圖。參閱圖4至圖6，根據本發明另一實施例的觸控顯示設備可以包括具有多層結構的觸控電極311和321。例如，每個觸控電極311和321可以包含依序堆疊在觸控絕緣層340上的第一觸控電極層321a、第二觸控電極層321b、以及第三觸控電極層321c。第一觸控電極層321a、第二觸控電極層321b以及第三觸控電極層321c可以包含導電材料。第一觸控電 極層321a、第二觸控電極層321b以及第三觸控電極層321c可以包含與彼此不同的材料。例如，第一觸控電極層321a和第三觸控電極層321c可以包含鈦(Ti)，而第二觸控電極層321b可以包含鋁(Al)。
位於觸控絕緣層340之與基板110相對的上表面上的觸控電極311和321的堆疊結構可以與每個引導開口340h的側面340s上的觸控電極311和321的堆疊結構不同。例如，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，第三觸控電極層321c可以不形成在每個引導開口340h的側面340s上。第三觸控電極層321c可以具有低於第二觸控電極層321b的反射率。因此，在根據本發明另一實施例的觸控顯示設備中，設置在每個引導開口340h的側面340s上之觸控電極311和321的區域可以具有比設置在基板110對面的觸控絕緣層340的上表面上所對應的觸控電極311和321的區域較高的反射率。因此，在根據本發明另一實施例的觸控顯示設備中，可以防止由於觸控電極311和321所引起的外部光的反射，並且可以使用每個引導開口340h的側面340s來改善每個像素區域PA的光萃取效率和前側亮度。
根據本發明另一實施例的觸控顯示設備描述了觸控電極311和321可以在每個引導開口340h的側面340s上具有相對少量的堆疊。然而，在根據本發明另一實施例的觸控顯示設備中，每個觸控電極311和321可以具有在每個引導開口340h的側面340上，比在基板110對面的觸控絕緣層340的上表面堆疊更多層的結構。例如，在根據本發明另一實施例的觸控顯示設備中，每個觸控電極311和321可以包含如圖7所示之低電阻金屬層321a'以及反射電極層321d。低電阻金屬層321a'可以沿觸控隔絕層340的一表面延伸。反射電極層321d可以與每個引導開口340h的側面340s重疊。低電阻金屬層321a'可以在每個引導開口340h的側面340s與反射電極層321d之間延伸。反射電極層321d可以包含設置在基板110對面的觸控絕緣層340的上表面上的一端。例如，每個觸控電極層311和321的反射電極層321d可以設置在橋接電極312和322外部。
低電阻金屬層321a'可以包含具有相對低電阻的材料。舉例來說，低電阻金屬層321a'可以包含金屬，例如鉻(Cr)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鎢(W)。反射電極層321d可以包含具有相對高反射率的材料。例如，反射電極層321d可以包含金屬，例如鋁(Al)和銀(Ag)。反射電極層321d的反射率可以高於低電阻金屬層321a'的反射率。因此，在根據本發明另一實施 例的觸控顯示設備中，可以提高根據區域對形成具有不同反射率的觸控電極311和321的過程的自由度。並且，在根據本發明另一實施例的觸控顯示設備中，可以減少或最小化由於觸控電極311和321所引起的外部光的反射，並可以增加或最大化由每個引導開口340h的側面340s上的觸控電極311和321所引起的反射。
根據本發明另一實施例的觸控顯示設備描述了每個觸控電極311和321的一端可以與堤絕緣層114重疊。然而，如圖8所示，在根據本發明另一實施例的觸控顯示設備中，在每個引導開口340h中的觸控電極321之間的距離可以與每個第一發射電極131之由堤絕緣層114暴露的部分的寬度W3相同或實質相同。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以由觸控電極321控制視角。例如，根據本發明實施例的觸控顯示設備可以使用觸控電極321實現窄視角。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以改善提供給使用者的影像品質。
因此，根據本發明實施例的觸控顯示設備可以包括在至少部分地覆蓋發光裝置的封裝元件上的觸控結構、以及在觸控結構的觸控電極與橋接電極之間的觸控絕緣層，其中，觸控絕緣層可以包括與發光裝置重疊的引導開口，以及其中每個引導開口的側面可以至少部分地被觸控電極的其中之一覆蓋。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，從發光裝置傾斜發出的光可以由設置在每個引導開口的側面上的觸控電極的區域反射到外部。因此，在根據本發明實施例的觸控顯示設備中，可以改善每個像素區域PA的光萃取效率和前側亮度。
上述各個實施例可以加以組合以提供其他實施例。本說明書所提及的及/或在申請資料表中所列出的所有美國專利、美國專利申請公開案、美國專利申請案、外國專利，外國專利申請案和非專利出版物均以引用的方式全部納入本文。如有必要，可以對實施例的各個方面進行修改，以採用各種專利、應用和出版物的概念來提供其他實施例。
根據上方詳述，可以對實施例進行這些和其它的改變。一般來說，在以下請求項中所使用的術語不應解釋為將請求項界定於說明書和申請專利範圍中所揭露的具體實施例中，而應解釋為包含所有可能的實施例以及這些請求項所享有的全部同等範圍。因此，請求項並不限於本發明的說明書。
本申請主張於2019年12月27日提出之韓國專利申請第 10-2019-0176475號的優先權，該文獻完整引用作為本說明書的揭示內容。
106:壩
110:基板
111:裝置緩衝層
112:下鈍化層
113:覆膜層
114:堤絕緣層
121:半導體圖案
122:閘極絕緣層
123:閘極電極
124:層間絕緣層
125:源極電極
126:汲極電極
130:發光裝置
131:第一發射電極
132:發光層
133:第二發射電極
140:封裝元件
141:第一封裝層
142:第二封裝層
143:第三封裝層
200:觸控緩衝層
304:面板、觸控面板
304a:下面板層
304b:上面板層
312:橋接電極、第一橋接電極
320:觸控結構、第二觸控結構
321:觸控電極、第二觸控電極
322:橋接電極、第二橋接電極
330:觸控路由線
340:觸控絕緣層
340h:引導開口
400:觸控覆蓋層
P,K:區域
T2:第二薄膜電晶體

Claims (15)

  1. 一種觸控顯示設備，包括：一發光裝置，位於一基板上；一封裝元件，位於該基板上，該封裝元件至少部分地覆蓋該發光裝置；一觸控結構，位於該封裝元件上，該觸控結構包含複數個觸控電極以及至少一個與相鄰觸控電極電性連接的橋接電極；一觸控絕緣層，位於該些觸控電極與該橋接電極之間；以及一引導開口，位於該觸控絕緣層中，其中該引導開口與該發光元件重疊，以及其中該引導開口的一側至少部分地被該些觸控電極的其中之一覆蓋，其中，該引導開口的該側為一傾斜表面，該傾斜表面具有相對於該基板對面的該封裝元件的一上表面的一傾斜角度。
  2. 如請求項1所述之觸控顯示設備，其中，設置在該引導開口的該側上之該觸控電極的區域具有比設置在該基板對面的該觸控絕緣層的一上表面上所相應的該觸控電極的區域較高的反射率。
  3. 如請求項2所述之觸控顯示設備，其中，該些觸控電極中的每一個具有其中堆疊一第一觸控電極層和一第二觸控電極層的結構，其中，該第二觸控電極層具有比該第一觸控電極較低的反射率，以及該第二觸控電極層與該觸控絕緣層的該引導開口間隔開。
  4. 如請求項1所述之觸控顯示設備，其中，該觸控絕緣層包含一有機絕緣材料。
  5. 如請求項4所述之觸控顯示設備，其中，該基板對面的該觸控絕緣層的一上表面在該引導開口的外部處實質上為一平坦表面。
  6. 如請求項4所述之觸控顯示設備，進一步包括：一觸控板，位於該基板上，該觸控板與該封裝元件間隔開；以及一觸控路由線，沿著該封裝元件的一表面延伸，其中，該觸控結構透過該觸控路由線與該觸控板電性連接，其中，該觸控板設置在該觸控絕緣層外部。
  7. 如請求項1所述之觸控顯示設備，其中，該橋接電極設置在該發光裝置外部。
  8. 一種觸控顯示設備，包括：一發光裝置，包含依序堆疊在一基板上的一第一發射電極、一發光層、和一第二發射電極；一封裝元件，位於該發光裝置的該第二發射電極上；一觸控絕緣層，位於該封裝元件上；一引導開口，位於該觸控絕緣層中，該引導開口與該發光裝置重疊；一橋接電極，位於該封裝元件與該觸控絕緣層間，該橋接電極與該觸控絕緣層的該引導開口間隔開；以及一觸控電極，位於該基板對面的該觸控絕緣層的一上表面上，該觸控電極與該橋接電極電性連接，其中，該觸控電極延伸到該引導開口的一側上，以及其中，該引導開口的該側為一傾斜表面，該傾斜表面具有相對於該基板對面的該封裝元件的一上表面的一傾斜角度。
  9. 如請求項8所述之觸控顯示設備，其中，該觸控電極位於該發光裝置外部。
  10. 如請求項8所述之觸控顯示設備，其中，該觸控電極具有一多層結構，以及位於該觸控絕緣層的該上表面上的該觸控電極的堆疊結構與位於該引導開口的該側上的堆疊結構不同。
  11. 如請求項10所述之觸控顯示設備，其中，該觸控電極包含位於該觸控絕緣層的該上表面上的一第一觸控電極層；以及位於該引導開口該側上的一第二觸控電極層，其中，該第一觸控電極層在該引導開口的該側與該第二觸控電極層之間延伸，以及該第二觸控電極層的反射率比該第一觸控電極層的反射率高。
  12. 如請求項11所述之觸控顯示設備，其中，該第一觸控電極層和該第二觸控電極層包含一金屬。
  13. 如請求項8所述之觸控顯示設備，進一步包括位於該基板上的一堤絕緣層，該堤絕緣層至少部分地覆蓋該第一發射電極的一邊緣，其中，由該堤絕緣層暴露的該第一發射電極的一部分的寬度比該觸控絕緣層的該引導開口小。
  14. 如請求項13所述之觸控顯示設備，其中，該橋接電極與該堤絕緣層重疊。
  15. 如請求項8所述之觸控顯示設備，還包括位於該基板上的一堤絕緣層，該堤絕緣層覆蓋該第一發射電極的一邊緣，其中，由該堤絕緣層暴露的該第一發射電極的一部分具有與該觸控絕緣層的該引導開口相同的或實質上相同的寬度。
TW109143096A 2019-12-27 2020-12-07 具有發光裝置及觸控結構的觸控顯示設備 TWI755961B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0176475 2019-12-27
KR1020190176475A KR20210083816A (ko) 2019-12-27 2019-12-27 발광 소자 및 터치 구조물을 포함하는 터치 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202138979A TW202138979A (zh) 2021-10-16
TWI755961B true TWI755961B (zh) 2022-02-21

Family

ID=74188890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109143096A TWI755961B (zh) 2019-12-27 2020-12-07 具有發光裝置及觸控結構的觸控顯示設備

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11301073B2 (zh)
JP (1) JP7045441B2 (zh)
KR (1) KR20210083816A (zh)
CN (1) CN113050817A (zh)
DE (1) DE102020133564A1 (zh)
GB (1) GB2591607B (zh)
TW (1) TWI755961B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210145027A (ko) * 2020-05-22 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN111665993B (zh) * 2020-06-17 2021-09-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组及显示装置
KR20220051896A (ko) * 2020-10-19 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 입력센서를 포함하는 표시장치 및 입력센서의 제조방법
JP2022114193A (ja) * 2021-01-26 2022-08-05 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 タッチセンサ機能付き表示パネル及びタッチセンサ機能付き表示パネルの製造方法
US11816282B2 (en) 2021-10-18 2023-11-14 Lg Display Co., Ltd. Touch display device
WO2024103410A1 (zh) * 2022-11-18 2024-05-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103941930A (zh) * 2013-01-23 2014-07-23 北京京东方光电科技有限公司 电容式触摸屏传感器及其制作方法
TW201712508A (zh) * 2015-06-26 2017-04-01 三星顯示器有限公司 可撓性顯示裝置
TW201823949A (zh) * 2016-09-30 2018-07-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示模組
TW201828012A (zh) * 2017-01-25 2018-08-01 財團法人工業技術研究院 感測顯示裝置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10168844B2 (en) 2015-06-26 2019-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
KR102428711B1 (ko) 2015-12-28 2022-08-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102562896B1 (ko) 2016-03-18 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101926527B1 (ko) * 2016-09-30 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180076688A (ko) 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US10541281B2 (en) 2016-12-30 2020-01-21 Lg Display Co., Ltd. In-cell touch organic light-emitting display device
US10496204B2 (en) * 2016-12-30 2019-12-03 Lg Display Co., Ltd. Display device with integrated touch screen and mirror function, and method for fabricating the same
KR20180078860A (ko) 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 안테나 일체형 편광판 및 이를 이용한 플렉서블 표시 장치
KR102283011B1 (ko) 2017-03-15 2021-07-29 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서, 이를 구비하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102438255B1 (ko) * 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102357521B1 (ko) 2017-06-02 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102329084B1 (ko) * 2017-06-30 2021-11-18 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 터치 스크린 일체형 표시 장치
KR102374754B1 (ko) * 2017-09-27 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 터치 구조물을 포함하는 디스플레이 장치
KR102526215B1 (ko) 2017-10-27 2023-04-26 엘지디스플레이 주식회사 터치패널 및 이를 포함하는 터치표시장치
KR102498978B1 (ko) 2018-05-02 2023-02-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103941930A (zh) * 2013-01-23 2014-07-23 北京京东方光电科技有限公司 电容式触摸屏传感器及其制作方法
TW201712508A (zh) * 2015-06-26 2017-04-01 三星顯示器有限公司 可撓性顯示裝置
TW201823949A (zh) * 2016-09-30 2018-07-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示模組
TW201828012A (zh) * 2017-01-25 2018-08-01 財團法人工業技術研究院 感測顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US11301073B2 (en) 2022-04-12
CN113050817A (zh) 2021-06-29
TW202138979A (zh) 2021-10-16
US20210200358A1 (en) 2021-07-01
GB2591607A (en) 2021-08-04
JP7045441B2 (ja) 2022-03-31
JP2021108114A (ja) 2021-07-29
KR20210083816A (ko) 2021-07-07
GB2591607B (en) 2022-07-20
DE102020133564A1 (de) 2021-07-01
GB202019803D0 (en) 2021-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI755961B (zh) 具有發光裝置及觸控結構的觸控顯示設備
US11429214B2 (en) Display device with touch structure and method of forming the same
US11188162B2 (en) Display apparatus having a touch electrode on an encapsulating element
US11462710B2 (en) Display device having a reflective electrode
US11894506B2 (en) Display apparatus having a pad spaced away from an encapsulating element and a black matrix on the encapsulating element
US11309526B2 (en) Display apparatus having a light-emitting device
TWI758790B (zh) 具有觸控電極之顯示裝置
US20220149319A1 (en) Display Apparatus Having a Light-Emitting Device and a Touch Electrode
US20220199715A1 (en) Display Apparatus Realizing a Narrow Viewing Angle
US10916177B2 (en) Display apparatus having a unit pixel composed of four sub-pixels
US11171191B2 (en) Display apparatus having a light-emitting device on an over-coat layer, and method of forming the same
US11425360B2 (en) 3D display apparatus having lenticular lenses
TWI818309B (zh) 透明觸控顯示裝置
US20230217761A1 (en) Display apparatus having a storage capacitor
US20220173360A1 (en) Display apparatus having a light-emitting device and a bank insulating layer
KR20230103690A (ko) 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
TW202240370A (zh) 透明觸控顯示裝置
KR20210085843A (ko) 전원전압 공급라인을 포함하는 디스플레이 장치
KR20210078023A (ko) 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR20210086345A (ko) 산화물 반도체 패턴을 포함하는 디스플레이 장치