KR20210064925A - Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a substrate processing apparatus. In an embodiment, a substrate processing apparatus includes: a chamber providing a processing space; a process fluid supply line connected to a process fluid supply source to supply a process fluid to the processing space; an ozone supply line connected to an ozone source and supplying ozone to the processing space; and an exhaust line connected to a pump to exhaust air from the processing space. The chamber or the process fluid supply line includes a metal material. The metal material is exposed to the process fluid. The substrate can be processed efficiently.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}A substrate processing apparatus and a processing method of a substrate processing apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method of the substrate processing apparatus.

반도체 공정은 기판 상에 박막, 이물질, 파티클 등을 세정하는 공정을 포함한다. 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 감소함에 따라 식각공정이나 세정공정과 같은 습식 공정이 완료된 후 약액을 건조하는 과정에서 약액의 표면장력에 의해 패턴이 붕괴(collapse)되거나 인접한 패턴끼리 달라붙는 브리지(bridge) 불량이 빈번하게 발생한다. 또한, 패턴 사이에 깊숙이 존재하는 미세 파티클은 기판의 불량을 야기한다.The semiconductor process includes a process of cleaning a thin film, foreign substances, particles, etc. on a substrate. As the design rule of semiconductor devices decreases, the pattern collapses or adjacent patterns adhere to each other due to the surface tension of the chemical solution in the process of drying the chemical solution after the wet process such as the etching process or the cleaning process is completed (Bridge) Defects occur frequently. In addition, fine particles that exist deep between the patterns cause substrate defects.

최근에는 기판을 세정하는 공정에 초임계 상태의 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판에 처리액을 공급하여 기판을 액처리하는 액처리 챔버와, 초임계 상태의 유체를 이용하여 기판으로부터 처리액을 제거하는 고압 챔버가 각각 제공되고, 액처리 챔버에서 처리가 완료된 기판은 반송 로봇에 의해 고압 챔버로 반입되어 처리액이 제거되는 방법으로 기판에 대한 세정이 진행된다.Recently, a supercritical fluid is used in a process for cleaning a substrate. According to an example, a liquid processing chamber for liquid processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate and a high-pressure chamber for removing the processing liquid from the substrate using a supercritical fluid are respectively provided, and the processing is performed in the liquid processing chamber The completed substrate is brought into the high-pressure chamber by the transfer robot, and the substrate is cleaned in such a way that the processing liquid is removed.

초임계 상태의 유체를 이용한 처리 공정은 초기 공정 진행시 철, 크롬, 니켈 등 성분이 포함된 메탈 파티클이 기판을 오염시키는 현상이 발생한다. In a treatment process using a supercritical fluid, a phenomenon occurs in which metal particles containing iron, chromium, and nickel contaminate the substrate during the initial process.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate.

본 발명은 초기 공정 진행시 철, 크롬, 니켈 등 성분이 포함된 메탈 파티클에 의한 기판을 오염을 억제할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing contamination of a substrate by metal particles containing components such as iron, chromium, nickel, and the like, and a method for processing the substrate processing apparatus during the initial process.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 제공하는 챔버와; 공정유체 공급원에 연결되어 상기 처리 공간으로 공정유체를 공급하는 공정유체 공급라인과; 오존 공급원에 연결되어, 상기 처리 공간으로 오존을 공급하는 오존 공급라인과; 펌프에 연결되어 상기 처리 공간을 배기하는 배기라인을 포함하고, 상기 챔버 또는 상기 공정유체 공급라인은 금속 소재를 포함하고, 상기 금속 소재는 상기 공정유체에 노출된다.The present invention provides a substrate processing apparatus. In an embodiment, a substrate processing apparatus includes: a chamber providing a processing space; a process fluid supply line connected to a process fluid supply source to supply the process fluid to the processing space; an ozone supply line connected to the ozone source and supplying ozone to the processing space; and an exhaust line connected to a pump to exhaust the processing space, the chamber or the process fluid supply line includes a metal material, and the metal material is exposed to the process fluid.

일 실시 예에 있어서, 상기 금속 소재는 연마 처리되어 제공되는 것일 수 있다.In an embodiment, the metal material may be provided after being polished.

일 실시 예에 있어서, 상기 연마 처리는 전해연마일 수 있다.In one embodiment, the polishing treatment may be electrolytic polishing.

일 실시 예에 있어서, 상기 금속 소재는 용접부를 포함할 수 있다.In an embodiment, the metal material may include a welding part.

일 실시 예에 있어서, 상기 금속 소재는 스테인레스 스틸로 제공될 수 있다.In an embodiment, the metal material may be provided as stainless steel.

일 실시 예에 있어서, 상기 배기라인에 연결된 오존 분해 장치를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, it may further include an ozone decomposition device connected to the exhaust line.

일 실시 예에 있어서, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 기판에 대한 공정 처리 후 상기 기판을 반출한 뒤 상기 처리 공간으로 오존을 공급할 수 있다.In one embodiment, the apparatus further includes a controller, and the controller may supply ozone to the processing space after discharging the substrate after processing the substrate.

일 실시 예에 있어서, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는 제1 그룹의 기판을 처리하는데 있어서, 상기 제1 그룹의 첫 기판이 처리되기 전 상기 처리 공간으로 오존을 공급할 수 있다.In one embodiment, the apparatus further includes a controller, wherein, in processing the first group of substrates, the controller may supply ozone to the processing space before the first substrate of the first group is processed.

일 실시 예에 있어서, 불활성유체 공급원에 연결되어 상기 처리 공간에 불활성유체를 공급하는 불활성유체 공급라인을 더 포함할 수 있다. In one embodiment, it may further include an inert fluid supply line connected to the inert fluid supply source for supplying the inert fluid to the processing space.

본 발명은 기판 처리 장치의 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치를 처리하는 방법은, 금속 소재가 공정가스에 노출되는 부품을 포함하는 챔버의 처리 공간 또는 금속 소재가 공정유체에 노출되는 공정유체 공급라인에 오존을 공급하는 단계와; 상기 처리 공간의 오존을 배기하는 단계를 포함한다.The present invention provides a processing method of a substrate processing apparatus. In an embodiment, the method of processing a substrate processing apparatus includes supplying ozone to a processing space of a chamber including a component in which a metal material is exposed to a process gas or a process fluid supply line in which the metal material is exposed to a process fluid Wow; and evacuating ozone from the processing space.

일 실시 예에 있어서, 오존을 공급하는 단계는 설정시간 공급과 배기를 반복하여 오존을 공급하는 기판 처리 장치의 처리 방법.할 수 있다.In an embodiment, the supplying of ozone may be a processing method of a substrate processing apparatus that supplies ozone by repeating supply and exhaust for a set time.

일 실시 예에 있어서, 상기 오존을 공급하는 단계에서 공급된 오존은 설정시간 동안 상기 처리 공간 또는 상기 공정유체 공급라인에 머무를 수 있다.In an embodiment, the ozone supplied in the step of supplying the ozone may stay in the processing space or the process fluid supply line for a set time.

일 실시 예에 있어서, 상기 오존을 공급하는 단계는, 공정 처리된 기판이 반출된 이후 수행될 수 있다.In an embodiment, the supplying of ozone may be performed after the processed substrate is taken out.

일 실시 예에 있어서, 상기 오존을 공급하는 단계는, 상기 금속소재가 노출되는 부품 또는 금속 소재가 공정유체에 노출되는 공정유체 공급라인을 교체한 이후 수행될 수 있다.In an embodiment, the supplying of ozone may be performed after replacing a component to which the metal material is exposed or a process fluid supply line through which the metal material is exposed to the process fluid.

일 실시 예에 있어서, 상기 금속 소재는 스테인레스 스틸으로 제공될 수 있다.In an embodiment, the metal material may be provided as stainless steel.

일 실시 예에 있어서, 상기 처리 공간의 오존을 배기하는 단계는, 상기 처리 공간에 불활성 가스를 공급하며 이루어질 수 있다.In an embodiment, the step of evacuating ozone from the processing space may be performed while supplying an inert gas to the processing space.

일 실시 예에 있어서, 상기 배기된 오존을 분해하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the method may further include decomposing the exhausted ozone.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently process the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초기 공정 진행시 철, 크롬, 니켈 등 성분이 포함된 메탈 파티클에 의한 기판을 오염을 억제할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to suppress contamination of the substrate by metal particles containing components such as iron, chromium, and nickel during the initial process.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 고압 챔버(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 있어서, 처리 공간(502)의 패시베이션이 완료되고 웨이퍼가 반입된 상태를 도시한다.
도 4는 일 실시 예에 따른, 초임계 유체(일예로, scCO2(super-critical CO2)의 공급량을 시간에 따라 도시한 그래프(a)과, 오존(O3)의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(b)이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른, 초임계 유체(일예로, scCO2(super-critical CO2)의 공급량을 시간에 따라 도시한 그래프(a)과, 오존(O3)의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(b)이다.
도 6는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 도시한다.
도 7은 도 6에 있어서, 처리 공간(502)의 패시베이션이 완료되고 불활성가스를 이용하여 오존을 배출하는 사항을 도시한다.
도 8은 도 6에 있어서, 처리 공간(502)의 오존의 배출이 완료되고 웨이퍼가 반입된 사항을 도시한다.
도 9는 일 실시 예에 따른 초임계 유체(일예로, scCO2(super-critical CO2)의 공급량을 시간에 따라 도시한 그래프(a)과, 오존(O3)의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(b)와 불활성가스의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(c)이다.
도 10은 다른 실시 예에 따른, 초임계 유체(일예로, scCO2(super-critical CO2)의 공급량을 시간에 따라 도시한 그래프(a)과, 오존(O3)의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(b)와 불활성가스의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(c)이다.
도 11는 또 다른 실시 에에 따른 기판 처리 장치를 도시한다.
도 12는 처리 공간(502)의 패시베이션이 완료되고 웨이퍼가 반입된 상태를 도시한다.
도 13은 또 다른 실시 에에 따른 기판 처리 장치를 도시한다.
도 14는 도 13에 있어서, 처리 공간(502)의 패시베이션이 완료되고 불활성가스를 이용하여 오존을 배출하는 사항을 도시한다.
도 15는 도 13에 있어서, 처리 공간(502)의 오존의 배출이 완료되고 웨이퍼가 반입된 사항을 도시한다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the high-pressure chamber 500 of FIG. 1 .
FIG. 3 shows a state in which passivation of the processing space 502 is completed and wafers are loaded in FIG. 2 .
4 is a graph showing the supply amount of a supercritical fluid (eg, super-critical CO2 (scCO2) over time) and a graph showing the supply of ozone (O3) over time, according to an embodiment; (b).
5 is a graph (a) showing the supply amount of a supercritical fluid (eg, super-critical CO2 (scCO2) over time) and a graph showing the supply of ozone (O3) over time according to another embodiment; (b).
6 illustrates a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment.
FIG. 7 is a diagram illustrating that passivation of the processing space 502 is completed and ozone is discharged using an inert gas in FIG. 6 .
FIG. 8 shows a case in which ozone is discharged from the processing space 502 and wafers are loaded in FIG. 6 .
9 is a graph (a) showing the supply amount of a supercritical fluid (eg, scCO2 (super-critical CO2) over time) and a graph showing the supply of ozone (O3) over time according to an embodiment ( b) and graph (c) showing the supply of inert gas over time.
10 is a graph showing the supply amount of a supercritical fluid (eg, scCO2 (super-critical CO2) over time) and a graph showing the supply of ozone (O3) over time, according to another embodiment; (b) and graph (c) showing the supply of inert gas over time.
11 illustrates a substrate processing apparatus according to another embodiment.
12 illustrates a state in which passivation of the processing space 502 is completed and a wafer is loaded.
13 illustrates a substrate processing apparatus according to another embodiment.
FIG. 14 is a diagram illustrating that passivation of the processing space 502 is completed and ozone is discharged using an inert gas in FIG. 13 .
FIG. 15 shows a case in which ozone is discharged from the processing space 502 and wafers are loaded in FIG. 13 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비는 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1 방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(92)과 수직한 방향을 제2 방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2 방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 1 , a substrate processing facility includes an index module 10 , a processing module 20 , and a controller (not shown). According to an embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, a direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 92 , and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as a second direction 94 . and a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96 .

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2 방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, Loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2 방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is accommodated to the processing module 20 , and transfers the substrate W that has been processed in the processing module 20 to the container 80 . to be stored with The longitudinal direction of the index module 10 is provided as a second direction 94 . The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14 . With respect to the index frame 14 , the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 . The container 80 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94 .

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, a closed container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 80 may be placed in the load port 12 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an Overhead Transfer, an Overhead Conveyor, or an Automatic Guided Vehicle. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The index frame 14 is provided with an index robot 120 . A guide rail 140 having a longitudinal direction in the second direction 94 is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140 . The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 122 are provided to be vertically spaced apart, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액처리 챔버(400), 그리고 고압 챔버(500)를 포함한다. The processing module 20 includes a buffer unit 200 , a transfer chamber 300 , a liquid processing chamber 400 , and a high-pressure chamber 500 .

버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W loaded into the processing module 20 and the substrate W unloaded from the processing module 20 temporarily stay.

액처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액처리하는 액처리 공정을 수행한다. `The liquid processing chamber 400 performs a liquid processing process of liquid-treating the substrate W by supplying a liquid onto the substrate W. `

고압 챔버(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. The high-pressure chamber 500 performs a drying process to remove the liquid remaining on the substrate (W).

반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액처리 챔버(400), 그리고 고압 챔버(500) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 , the liquid processing chamber 400 , and the high-pressure chamber 500 . The transfer chamber 300 may be provided in its longitudinal direction in the first direction 92 .

버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액처리 챔버(400)와 고압 챔버(500)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2 방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 고압 챔버(500)와 반송 챔버(300)는 제2 방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the high-pressure chamber 500 may be disposed on the side of the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction 94 . The high-pressure chamber 500 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300 .

일 예에 의하면, 액처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 고압 챔버(500)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되며, 액처리 챔버(400)들은 고압 챔버(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 챔버(300)의 일측에서 액처리 챔버(400)들은 제1 방향(92) 및 제3 방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 챔버(300)의 일측에서 고압 챔버(500)들은 제1 방향(92) 및 제3 방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 챔버(300)의 일측에는 액처리 챔버(400)들만 제공되고, 그 타측에는 고압 챔버(500)들만 제공될 수 있다.According to an example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300 , the high-pressure chambers 500 are disposed on both sides of the transfer chamber 300 , and the liquid processing chambers 400 are the high-pressure chambers ( 500) may be disposed at a position closer to the buffer unit 200 than the ones. At one side of the transfer chamber 300, the liquid processing chambers 400 may be provided in an AXB arrangement (A and B each being 1 or a natural number greater than 1) along the first direction 92 and the third direction 96, respectively. have. In addition, the high-pressure chambers 500 on one side of the transfer chamber 300 may be provided in the first direction 92 and the third direction 96, respectively, CXD (C and D are each 1 or a natural number greater than 1). have. Unlike the above, only the liquid processing chambers 400 may be provided on one side of the transfer chamber 300 , and only the high-pressure chambers 500 may be provided on the other side of the transfer chamber 300 .

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1 방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320 . A guide rail 340 having a longitudinal direction in the first direction 92 is provided in the transfer chamber 300 , and the transfer robot 320 may be provided to be movable on the guide rail 340 . The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other in the third direction 96 . The buffer unit 200 has an open front face and a rear face. The front surface is a surface facing the index module 10 , and the rear surface is a surface facing the transfer chamber 300 . The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 may access the buffer unit 200 through the rear side.

도 2는 도 1의 고압 챔버(500)의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 고압 챔버(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 고압 챔버(500)는 바디(520), 기판 지지유닛(미도시), 공정유체 공급유닛(560), 오존 공급유닛(580), 그리고 차단 플레이트(미도시)를 가진다. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the high-pressure chamber 500 of FIG. 1 . According to an embodiment, the high-pressure chamber 500 removes a liquid on the substrate W using a supercritical fluid. The high-pressure chamber 500 includes a body 520 , a substrate support unit (not shown), a process fluid supply unit 560 , an ozone supply unit 580 , and a blocking plate (not shown).

바디(520)는 건조 공정이 수행되는 처리 공간(502)을 제공한다. 바디(520)는 상체(522, upper body)와 하체(524, lower body)를 가지며, 상체(522)와 하체(524)는 서로 조합되어 상술한 처리 공간(502)을 제공한다. 상체(522)는 하체(524)의 상부에 제공된다. 상체(522)는 그 위치가 고정되고, 하체(524)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 하체(524)가 상체(522)로부터 이격되면 처리 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. 공정 진행시에는 하체(524)가 상체(522)에 밀착되어 처리 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 고압 챔버(500)는 히터(570)를 가진다. 일 예에 의하면, 히터(570)는 바디(520)의 벽 내부에 위치된다. 히터(570)는 바디(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 바디(520)의 처리 공간(502)을 가열한다.The body 520 provides a processing space 502 in which the drying process is performed. The body 520 has an upper body 522 and a lower body 524 , and the upper body 522 and the lower body 524 are combined with each other to provide the processing space 502 described above. The upper body 522 is provided above the lower body 524 . The position of the upper body 522 is fixed, and the lower body 524 may be raised and lowered by a driving member 590 such as a cylinder. When the lower body 524 is spaced apart from the upper body 522 , the processing space 502 is opened, and the substrate W is loaded or unloaded at this time. During the process, the lower body 524 is in close contact with the upper body 522 so that the processing space 502 is sealed from the outside. The high pressure chamber 500 has a heater 570 . In one example, the heater 570 is located inside the wall of the body 520 . The heater 570 heats the processing space 502 of the body 520 so that the fluid supplied into the internal space of the body 520 maintains a supercritical state.

한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 처리 공간(502) 내부에는 기판(W)을 지지하는 기판 지지 유닛(미도시)이 마련될 수 있다. 기판 지지 유닛(미도시)은 바디(520)의 처리 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(미도시)은 하체(524)에 설치되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 이 경우 기판 지지 유닛(미도시)은 기판(W)을 들어올려 지지하는 형태일 수 있다. 또는 기판 지지 유닛(미도시)은 상체(522)에 설치되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 이 경우 기판 지지 유닛(미도시)은 기판(W)을 매달아 지지하는 형태일 수 있다.Meanwhile, although not shown in the drawings, a substrate support unit (not shown) for supporting the substrate W may be provided inside the processing space 502 . A substrate support unit (not shown) supports the substrate W in the processing space 502 of the body 520 . A substrate support unit (not shown) may be installed on the lower body 524 to support the substrate W. In this case, the substrate support unit (not shown) may be in the form of lifting and supporting the substrate W. Alternatively, a substrate support unit (not shown) may be installed on the upper body 522 to support the substrate W. In this case, the substrate support unit (not shown) may be in the form of hanging and supporting the substrate W.

배기유닛(550)은 배기라인(553)을 포함한다. 배기라인(553)은 배기펌프(554)에 연결된다. 배기라인(553)은 하체(524)에 결합될 수 있다. 바디(520)의 처리 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기라인(553)을 통해서 바디(520)의 외부로 배기된다. 배기라인(553)에는 배기 밸브(555)가 설치된다.The exhaust unit 550 includes an exhaust line 553 . The exhaust line 553 is connected to the exhaust pump 554 . The exhaust line 553 may be coupled to the lower body 524 . The supercritical fluid in the processing space 502 of the body 520 is exhausted to the outside of the body 520 through the exhaust line 553 . An exhaust valve 555 is installed in the exhaust line 553 .

공정유체 공급유닛(560)은 바디(520)의 처리 공간(502)으로 공정 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 공정 유체는 초임계 상태로 처리 공간(502)으로 공급될 수 있다. 이와 달리 공정 유체는 가스 상태로 처리 공간(502)으로 공급되고, 처리 공간(502) 내에서 초임계 상태로 상변화될 수 있다. 공정 유체는 건조용 유체일 수 있다. 공정 유체는 이산화탄소일 수 있다. 도 2 및 이하 설명에는 공정 유체가 초임계 상태의 이산화탄소(scCO2; super-critical CO2)로 제공되는 사항을 예로 설명한다.The process fluid supply unit 560 supplies the process fluid to the processing space 502 of the body 520 . In one example, the process fluid may be supplied to the processing space 502 in a supercritical state. Alternatively, the process fluid may be supplied to the processing space 502 in a gaseous state, and may be phase-changed to a supercritical state in the processing space 502 . The process fluid may be a drying fluid. The process fluid may be carbon dioxide. In FIG. 2 and the following description, an example in which the process fluid is provided as super-critical CO2 (scCO2) will be described.

일 예에 의하면, 공정유체 공급유닛(560)은 공정유체 공급원(564, 567)과 상부 공정유체 공급라인(563)과 하부 공정유체 공급라인(566)을 가진다. 상부 공정유체 공급라인(563)에는 제1 밸브(565)가 설치된다. 하부 공정유체 공급라인(566)에는 제2 밸브(568)가 설치된다. 일 예에 의하면, 상부 공정유체 공급라인(563)은 상체(522)에 결합된다. 일 예에 의하면, 하부 공정유체 공급라인(566)은 하체(524)에 결합된다. 일 예에 의하면, 상부 공정유체 공급라인(563) 또는 하부 공정유체 공급라인(566) 중 어느 하나는 생략될 수 있다. 상체(522)에 결합된 상부 공정유체 공급라인(563)과 하체(524)에 결합된 하부 공정유체 공급라인(566)은 기판 지지 유닛(미도시)에 놓인 기판(W)의 상부에서 공정 유체를 공급한다. 하체(524)에 하부 공정유체 공급라인(566)이 결합되는 경우에 있어서, 바디(520)의 처리 공간(502) 내에는 차단 플레이트(미도시)(blocking plate)가 배치될 수 있다. According to an example, the process fluid supply unit 560 has process fluid supply sources 564 and 567 , an upper process fluid supply line 563 , and a lower process fluid supply line 566 . A first valve 565 is installed in the upper process fluid supply line 563 . A second valve 568 is installed in the lower process fluid supply line 566 . According to an example, the upper process fluid supply line 563 is coupled to the upper body 522 . According to an example, the lower process fluid supply line 566 is coupled to the lower body 524 . According to an example, either the upper process fluid supply line 563 or the lower process fluid supply line 566 may be omitted. The upper process fluid supply line 563 coupled to the upper body 522 and the lower process fluid supply line 566 coupled to the lower body 524 are provided in the upper portion of the substrate W placed on the substrate support unit (not shown). to supply When the lower process fluid supply line 566 is coupled to the lower body 524 , a blocking plate (not shown) may be disposed in the processing space 502 of the body 520 .

차단 플레이트(미도시)는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 차단 플레이트(미도시)는 바디(520)의 저면으로부터 상부로 이격되도록 지지대(미도시)에 의해 지지된다. 지지대(미도시)는 로드 형상으로 제공되고, 서로 간에 일정 거리 이격되도록 복수 개가 배치된다. 하체(524)에 결합된 하부 공정유체 공급라인(566)의 토출구와 배기라인(553)의 유입구는 서로 간섭되지 않는 위치에 마련될 수 있다. 차단 플레이트(미도시)는 하부 공정유체 공급라인(566)을 통해서 공급된 공정 유체가 기판(W)을 향해 직접 토출되어 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. The blocking plate (not shown) may be provided in a disk shape. The blocking plate (not shown) is supported by a support (not shown) so as to be spaced apart from the bottom surface of the body 520 upward. A plurality of supports (not shown) are provided in a rod shape and are spaced apart from each other by a predetermined distance. The outlet of the lower process fluid supply line 566 coupled to the lower body 524 and the inlet of the exhaust line 553 may be provided at positions that do not interfere with each other. The blocking plate (not shown) may prevent the processing fluid supplied through the lower process fluid supply line 566 from being directly discharged toward the substrate W, thereby preventing the substrate W from being damaged.

오존 공급유닛(580)은 바디(520)의 처리 공간(502)으로 오존을 공급한다. 일 예에 의하면, 오존은 가스 상태로 공급될 수 있다. 일 예에 의하면, 오존 공급유닛(580)은 오존 공급원(584)과 오존 공급라인(583)을 포함한다. 오존 공급라인(583)에는 제3 밸브(585)가 설치된다. 오존 공급원(584)은 오존을 저장하고 공급한다. 오존 공급라인(583)는 상체(522)에 결합된다. 일 실시 예에 따라, 오존 공급라인(583)이 상체(522)에 연결되는 것을 설명하였으나, 오존 공급라인(583)은 하체(524)에 연결될 수 있다. 또는 오존 공급라인(583)은 상체(522) 및 하체(524) 모두에 제공될 수 있다. The ozone supply unit 580 supplies ozone to the processing space 502 of the body 520 . According to an example, ozone may be supplied in a gaseous state. According to an example, the ozone supply unit 580 includes an ozone source 584 and an ozone supply line 583 . A third valve 585 is installed in the ozone supply line 583 . An ozone source 584 stores and supplies ozone. The ozone supply line 583 is coupled to the upper body 522 . According to an embodiment, although it has been described that the ozone supply line 583 is connected to the upper body 522 , the ozone supply line 583 may be connected to the lower body 524 . Alternatively, the ozone supply line 583 may be provided to both the upper body 522 and the lower body 524 .

공급된 오존은 처리 공간(502)에 제공된 금속 부품, 예컨대 스테인레스 스틸로 제공되는 부품을 패시베이션한다. 일 예에 있어서, 금속 부품은 연마처리되어 제공된다. 일 예에 있어서, 연마처리는 전해 연마이다. 일 예에 있어서, 금속 부품은 용접부를 포함할 수 있다. 용접부는 용접에 의해 금속부재가 접합을 이룬 부분이다. 용접부는 용접에 의해 산화크롬(Cr Oxide)의 분율이 감소하여 연마 처리 효과가 사라지는 단점이 있다. 용접부가 용접에 의해 산화크롬(Cr Oxide)의 분율이 감소되어 있더라도, 용접부에 오존을 공급하면 산화크롬의 분율이 낮은 사항을 보완하는 결과를 나타낸다. 공급되는 오존의 최소 분율은 50%이상인 것이 바람직하다.The supplied ozone passivates the metal parts provided in the processing space 502 , such as parts provided with stainless steel. In one example, the metal part is provided polished. In one example, the polishing treatment is electropolishing. In one example, the metal part may include a weld. The welded part is the part where the metal members are joined by welding. The welding part has a disadvantage in that the fraction of chromium oxide (Cr Oxide) is reduced by welding, so that the polishing effect disappears. Even if the fraction of chromium oxide (Cr Oxide) is reduced by welding at the weld, supplying ozone to the weld compensates for the low fraction of chromium oxide. It is preferred that the minimum fraction of supplied ozone is 50% or more.

오존은 처리 공간의 내부가 상압, 상온을 유지하도록 공급하는 것이 바람직하다. 오존 공급유닛(580)에 의한 오존의 공급과, 배기유닛(550)에 의한 오존을 배기가 반복?窩막館?, 처리 공간의 내부가 상압, 상온을 유지할 수 있다. 상온으로 유지되는 경우 제공되는 부품의 위치에 따른 온도 편차가 감소되기 때문에 산화막의 두께가 대칭하여 성장할 수 있다(산화막의 두께가 비대칭으로 성장하는 문제를 해결할 수 있다). 다른 실시 예에 의하면, 처리 공간의 내부는 상압 보다 낮은 압력, 또는 상압 보다 높은 압력, 또는 상온보다 낮은 온도, 또는 상온보다 높은 온도로 제공될 수 있다. Ozone is preferably supplied so that the inside of the processing space is maintained at normal pressure and room temperature. The supply of ozone by the ozone supply unit 580 and the exhaust of ozone by the exhaust unit 550 are repeated, and the inside of the processing space can maintain normal pressure and normal temperature. When maintained at room temperature, the thickness of the oxide film can grow symmetrically (a problem of asymmetric growth of the oxide film thickness can be solved) because the temperature deviation depending on the location of the provided component is reduced. According to another embodiment, the interior of the processing space may be provided at a pressure lower than normal pressure, a pressure higher than normal pressure, a temperature lower than room temperature, or a temperature higher than room temperature.

일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는 도 2의 도시에 따른 상태에서 도 3에 따른 도시의 상태로 전환될 수 있다. 도 2는 처리 공간(502)의 내부에 기판(W)이 없는 상태에서, 처리 공간(502)의 내부에 오존을 공급하는 사항을 도시한다. 오존이 공급되는데 있어서, 제3 밸브(585)는 개방상태로 되고 제1 밸브(565) 및 제2 밸브(568)는 폐쇄상태로 된다. 배기밸브(555)는 개방상태 또는 폐쇄상태가 된다. 배기밸브(555)가 폐쇄된 상태에서 오존을 계속하여 공급하면 처리 공간(502)의 내부 압력이 증가하고, 배기밸브(555)를 개방하면 처리 공간(502)의 상대적으로 내부 압력이 감소한다. 만약, 배기밸브(555)를 통해 배출되는 배기량과 오존 공급라인(583)를 통해 공급되는 공급량이 동일하면 처리 공간(502)의 내부 압력은 일정하게 유지될 수 있다. According to an embodiment, the substrate processing apparatus may be switched from the state illustrated in FIG. 2 to the state illustrated in FIG. 3 . FIG. 2 illustrates supply of ozone into the processing space 502 in a state where the substrate W is not present in the processing space 502 . When ozone is supplied, the third valve 585 is opened and the first valve 565 and the second valve 568 are closed. The exhaust valve 555 is in an open state or a closed state. When ozone is continuously supplied while the exhaust valve 555 is closed, the internal pressure of the processing space 502 increases, and when the exhaust valve 555 is opened, the relatively internal pressure of the processing space 502 decreases. If the amount of exhaust discharged through the exhaust valve 555 is the same as that supplied through the ozone supply line 583 , the internal pressure of the processing space 502 may be maintained constant.

배기된 오존은 오존 분해 장치(600)로 유입되어 충분히 제거된 후 배출된다.The exhausted ozone flows into the ozone decomposition device 600 and is sufficiently removed and then discharged.

도 3은 처리 공간(502)의 패시베이션이 완료되고 웨이퍼가 반입된 상태를 도시한다. 제1 밸브(565) 및/또는 제2 밸브(568)이 개방되어 기판(W)이 초임계 유체로 처리되는 동안 제3 밸브(585)은 폐쇄 상태를 유지한다. 3 illustrates a state in which passivation of the processing space 502 is completed and the wafer is loaded. The third valve 585 remains closed while the first valve 565 and/or the second valve 568 are opened to treat the substrate W with the supercritical fluid.

도 4는 일 실시 예에 따른 초임계 유체(일예로, scCO2(super-critical CO2)의 공급량을 시간에 따라 도시한 그래프(a)과, 오존(O3)의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(b)이다. 도 4에 도시된 실시 예에 있어서, t1-t2의 시간 동안 오존을 공급하여 처리 공간(502)의 내부를 패시베이션한다. t2-t3의 시간 동안 처리 공간(502) 내부로 공급된 오존을 배기한다. t2-t3의 시간 중에 기판이 챔버 내부로 반입되고, t3-t4의 시간 동안 scCO2를 공급하여 기판을 처리한다. 이후, t4-t5의 시간동안 scCO2가 배출되고 처리 공간(502)의 내부가 대기압으로 돌아가면, 기판을 반출한다. 기판이 반출되어 처리 공간(502)의 내부에 기판이 없는 동안 t5-t6의 시간동안 처리 공간(502)의 내부에 오존을 공급하여 내부를 패시베이션한다. 패시베이션 이후 t6-t7의 시간동안 처리 공간(502)의 내부의 오존을 배출하고, 기판(W)을 처리 공간(502)의 내부로 반입한다. t7-t8의 시간동안 scCO2를 공급하여 기판을 처리한다. 이러한 과정을 반복하여 기판 처리 장치를 처리할 수 있다.4 is a graph (a) showing the supply amount of a supercritical fluid (for example, scCO2 (super-critical CO2) over time) and a graph showing the supply of ozone (O3) over time according to an embodiment ( b) In the embodiment shown in Fig. 4, ozone is supplied to passivate the interior of the processing space 502 for a time period t1 - t2. During a time period t2-t3, ozone supplied into the processing space 502 is supplied. Ozone is evacuated The substrate is brought into the chamber during time t2-t3, and scCO2 is supplied for time t3-t4 to treat the substrate Then, scCO2 is discharged during time t4-t5, and the processing space 502 ) returns to atmospheric pressure, the substrate is unloaded.Ozone is supplied to the interior of the processing space 502 for a period of time t5-t6 while the substrate is unloaded and there is no substrate in the processing space 502 to clean the interior. After passivation, ozone from the inside of the processing space 502 is discharged for a time period t6-t7, and the substrate W is brought into the processing space 502. scCO2 is supplied for a time period t7-t8 Process the substrate By repeating this process, the substrate processing apparatus can be treated.

도 5는 다른 실시 예에 따른, 초임계 유체(일예로, scCO2(super-critical CO2)의 공급량을 시간에 따라 도시한 그래프(a)과, 오존(O3)의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(b)이다. 도 5에 도시된 실시 예에 있어서, 제1 그룹에 대한 기판을 처리하기 전, t1-t2의 시간 동안 처리 공간(502)에 오존을 공급하여 처리 공간(502)의 내부를 패시베이션한다. t2-t3의 시간 동안 처리 공간(502) 내부로 공급된 오존을 배기한다. t2-t3의 시간 중에 제1 기판이 챔버 내부로 반입되고, t3-t4의 시간 동안 scCO2를 공급하여 제1 기판을 처리한다. 이후, t4-t5의 시간동안 scCO2가 배출되고 처리 공간(502)의 내부가 대기압으로 돌아가면, 제1 기판을 반출한다. 그리고 연속적으로 제2 기판을 처리 공간(502)의 내부로 반입하여 t5-t6의 시간동안 scCO2를 공급하여 기판을 처리한다. scCO2를 공급하는 과정은 제1 그룹의 기판의 처리가 완료될 때까지 진행된다. 예컨대, 제1 그룹은 1개의 풉(FOUP) 단위 일 수 있다. 예컨대 1개의 풉(FOUP) 단위는 25매의 기판을 포함할 수 있다. 다른 예로 제1 그룹은 2개 풉(FOUP) 또는 3개의 풉(FOUP) 단위일 수 있다. 제1 그룹의 기판 처리가 tn+1의 시간에 완료되고, tn+4의 시간에 제2 그룹의 기판의 처리가 진행되기 tn+2 - tn+3의 시간 동안 처리 공간(502)에 오존을 공급하여 처리 공간(502)의 내부를 패시베이션한다. tn+2 - tn+3의 시간 동안 처리 공간(502)의 내부가 패시베이션 되고 나면, tn+3 - tn+4의 시간동안 처리 공간(502) 내부로 공급된 오존을 배기한다. 그리고 tn+5 - tn+6의 시간동안 제2 그룹의 제1 기판을 처리한다. scCO2를 공급하는 과정은 제2 그룹의 기판의 처리가 완료될 때까지 진행된다. 오존을 공급하여 처리 공간(502)의 내부를 패시베이션 하는 단계는 제3 그룹의 제1 기판이 처리되기 전 진행된다.5 is a graph showing the supply amount of a supercritical fluid (eg, scCO2 (super-critical CO2) over time) and a graph showing the supply of ozone (O3) over time according to another embodiment; (b) In the embodiment shown in Fig. 5 , before processing the substrates for the first group, ozone is supplied to the processing space 502 for a period of time t1-t2 to purify the interior of the processing space 502 . The ozone supplied into the processing space 502 is exhausted for a time period t2-t3. During a time period t2-t3, the first substrate is loaded into the chamber, and scCO2 is supplied for a time period t3-t4 to remove the second substrate. Processes 1 substrate. After that, when scCO2 is discharged and the inside of the processing space 502 returns to atmospheric pressure for a period of time t4-t5, the first substrate is unloaded, and the second substrate is continuously transferred to the processing space 502 . The substrate is processed by supplying scCO2 for a period of time t5-t6. The process of supplying scCO2 proceeds until the processing of the first group of substrates is completed. For example, the first group is (FOUP) unit.For example, one FOUP unit may include 25 substrates. As another example, the first group may be two FOUP units or three FOUP units. Ozone in the processing space 502 for a time of tn+2 - tn+3 before the processing of the substrates of the first group is completed at the time tn+1 and the processing of the substrates of the second group proceeds at the time tn+4 is supplied to passivate the interior of the processing space 502. After the interior of the processing space 502 is passivated for a time of tn+2 - tn+3, the processing space 502 is passivated for a time of tn+3 - tn+4 ) exhaust the ozone supplied inside, and treat the first substrate of the second group for a time of tn+5 - tn+6 The process of supplying scCO2 is performed until the processing of the second group of substrates is completed In the step of supplying ozone to passivate the interior of the processing space 502, the first substrate of the third group is processed. It takes place before

처리 공간(502) 및 상부 공정유체 공급라인(563)에 오존을 공급하는 것을 수차례 반복할 경우 횟수에 따라 산화막의 두께는 증가하게 된다. 오존 공급 시간과 오존 공급 횟수는 원하는 산화막의 두께에 따라 상이하게 선택될 수 있다. When the supply of ozone to the processing space 502 and the upper process fluid supply line 563 is repeated several times, the thickness of the oxide film increases according to the number of times. The ozone supply time and the number of ozone supply times may be selected differently depending on the desired thickness of the oxide film.

도 6는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 도시한다. 도시된 실시 예에 있어서, 도 2 및 도 3의 처리 장치와 동일한 도면 부호를 갖는 구성은 도 2 및 도 3의 설명으로 대신한다.6 illustrates a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment. In the illustrated embodiment, components having the same reference numerals as the processing devices of FIGS. 2 and 3 are replaced with descriptions of FIGS. 2 and 3 .

도 6의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 불활성유체 공급유닛(590)을 포함한다. 불활성 유체 공급유닛(590)은 불활성 유체를 처리 공간(502)에 공급한다. 불활성유체 공급유닛(590)는 불활성유체 공급라인(593)과 불활성유체 공급원(594)을 포함한다. 불활성유체 공급원(594)은 불활성 유체를 저장하거나 공급한다. 불활성유체 공급라인(593)에는 제4 밸브(595)이 설치된다. 제4 밸브(595)은 불활성유체 공급라인(593)의 개폐를 제어한다. 일 실시 예에 있어서, 불활성유체 공급라인(593)은 오존 공급라인(583)에 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 불활성유체 공급라인(593)은 오존 공급라인(583)와 별도로 바디(520)에 연결될 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 6 includes an inert fluid supply unit 590 . The inert fluid supply unit 590 supplies the inert fluid to the processing space 502 . The inert fluid supply unit 590 includes an inert fluid supply line 593 and an inert fluid supply source 594 . An inert fluid source 594 stores or supplies an inert fluid. A fourth valve 595 is installed in the inert fluid supply line 593 . The fourth valve 595 controls opening and closing of the inert fluid supply line 593 . In an embodiment, the inert fluid supply line 593 may be connected to the ozone supply line 583 . However, the present invention is not limited thereto, and the inert fluid supply line 593 may be connected to the body 520 separately from the ozone supply line 583 .

기판 처리 장치는 도 6의 도시에 따른 상태에서 도 7의 도시에 따른 상태 및 도 8의 도시에 따른 도시의 상태로 순차적으로 전환될 수 있다. 도 6은 처리 공간(502)의 내부에 기판(W)이 없는 상태에서, 처리 공간(502)의 내부에 오존을 공급하는 사항을 도시한다. 오존이 공급되는데 있어서, 제3 밸브(585)는 개방상태로 되고 제1 밸브(565)와 제2 밸브(568)와 제4 밸브(595)는 폐쇄상태로 된다. 배기밸브(555)는 개방상태 또는 폐쇄상태가 된다. 배기밸브(555)가 폐쇄된 상태에서 오존을 계속하여 공급하면 처리 공간(502)의 내부 압력이 증가하고, 배기밸브(555)를 개방하면 처리 공간(502)의 상대적으로 내부 압력이 감소한다. 만약, 배기밸브(555)를 통해 배출되는 배기량과 오존 공급라인(583)를 통해 공급되는 공급량이 동일하면 처리 공간(502)의 내부 압력은 일정하게 유지될 수 있다. 배기된 오존은 오존 분해 장치(600)로 유입되어 충분히 제거된 후 배출된다.The substrate processing apparatus may be sequentially switched from the state illustrated in FIG. 6 to the state illustrated in FIG. 7 and the state illustrated in FIG. 8 . FIG. 6 illustrates supply of ozone into the processing space 502 in a state where the substrate W is not present in the processing space 502 . When ozone is supplied, the third valve 585 is opened and the first valve 565, the second valve 568, and the fourth valve 595 are closed. The exhaust valve 555 is in an open state or a closed state. When ozone is continuously supplied while the exhaust valve 555 is closed, the internal pressure of the processing space 502 increases, and when the exhaust valve 555 is opened, the relatively internal pressure of the processing space 502 decreases. If the amount of exhaust discharged through the exhaust valve 555 is the same as that supplied through the ozone supply line 583 , the internal pressure of the processing space 502 may be maintained constant. The exhausted ozone flows into the ozone decomposition device 600 and is sufficiently removed and then discharged.

그리고 도 7의 도시에 따른 상태와 같이, 제3 밸브(585)이 폐쇄되어 오존의 공급이 중단되고 오존이 처리 공간(502)에서 배기되는 중에 제4 밸브(595)이 개방되어 불활성 유체가 공급될 수 있다. 이때, 제1 밸브(565) 및 제2 밸브(568)는 폐쇄상태 일 수 있다. 불활성 유체는 가스상으로 제공될 수 있다. 불활성 가스는 처리 공간(502) 내부의 분위기를 불활성 가스로 치환할 수 있다. 이로서 처리 공간(502)의 내부에 오존이 완전히 배출될 수 있다.And, as shown in the state shown in FIG. 7 , the third valve 585 is closed to stop the supply of ozone, and while the ozone is exhausted from the processing space 502 , the fourth valve 595 is opened to supply an inert fluid. can be In this case, the first valve 565 and the second valve 568 may be in a closed state. The inert fluid may be provided in the gaseous phase. The inert gas may replace the atmosphere inside the processing space 502 with the inert gas. As a result, ozone can be completely discharged from the inside of the processing space 502 .

도 8은 처리 공간(502)의 패시베이션이 완료되고 웨이퍼가 반입된 상태를 도시한다. 제1 밸브(565) 및/또는 제2 밸브(568)이 개방되어 기판(W)이 초임계 유체로 처리되는 동안 제3 밸브(585)와 제4 밸브(595)는 폐쇄 상태를 유지한다. 8 illustrates a state in which passivation of the processing space 502 is completed and the wafer is loaded. The third valve 585 and the fourth valve 595 remain closed while the first valve 565 and/or the second valve 568 are opened to treat the substrate W with the supercritical fluid.

도 9는 일 실시 예에 따른 초임계 유체(일예로, scCO2(super-critical CO2)의 공급량을 시간에 따라 도시한 그래프(a)과, 오존(O3)의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(b)와 불활성가스의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(c)이다. 도 9에 도시된 실시 예에 있어서, t1-t2의 시간 동안 오존을 공급하여 처리 공간(502)의 내부를 패시베이션한다. t2-t3의 시간 동안 처리 공간(502) 내부로 공급된 오존을 배기한다. 그리고 t2-t3의 시간 중에 오존을 확실하게 배출하기 위하여 처리 공간(502)으로 불활성가스를 공급한다. t2-t3의 시간 중에 불활성가스에 의해 오존이 완전히 배출되면, 기판이 챔버 내부로 반입되고, t3-t4의 시간 동안 scCO2를 공급하여 기판을 처리한다. 이후, t4-t5의 시간동안 scCO2가 배출되고 처리 공간(502)의 내부가 대기압으로 돌아가면, 기판을 반출한다. 기판이 반출되어 처리 공간(502)의 내부에 기판이 없는 동안 t5-t6의 시간동안 처리 공간(502)의 내부에 오존을 공급하여 내부를 패시베이션한다. 패시베이션 이후 t6-t7의 시간동안 처리 공간(502)의 내부의 오존을 배출하고, 불활성가스를 공급하여 오존을 확실하게 배출하고, 기판(W)을 처리 공간(502)의 내부로 반입한다. t7-t8의 시간동안 scCO2를 공급하여 기판을 처리한다. 이러한 과정을 반복하여 기판 처리 장치를 처리할 수 있다.9 is a graph (a) showing the supply amount of a supercritical fluid (for example, scCO2 (super-critical CO2) over time) and a graph showing the supply of ozone (O3) over time according to an embodiment; b) and a graph (c) showing the supply of the inert gas over time In the embodiment shown in Fig. 9 , ozone is supplied for a period of time t1 to t2 to passivate the interior of the treatment space 502 . The ozone supplied into the processing space 502 is exhausted during the time t2-t3, and an inert gas is supplied to the processing space 502 in order to reliably discharge ozone during the time t2-t3. When ozone is completely discharged by the inert gas during time, the substrate is loaded into the chamber, and the substrate is treated by supplying scCO2 for time t3-t4 After that, scCO2 is discharged during time t4-t5 and the processing space ( When the interior of the 502 returns to atmospheric pressure, the substrate is unloaded, and ozone is supplied to the interior of the processing space 502 for a period of time t5-t6 while the substrate is unloaded and there is no substrate in the processing space 502 . After passivation, ozone in the processing space 502 is discharged for a period of time t6-t7, an inert gas is supplied to reliably discharge ozone, and the substrate W is moved into the processing space 502 . The substrate is processed by supplying scCO2 for a period of time t7 to t8. The substrate processing apparatus can be processed by repeating this process.

도 10은 다른 실시 예에 따른, 초임계 유체(일예로, scCO2(super-critical CO2)의 공급량을 시간에 따라 도시한 그래프(a)과, 오존(O3)의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(b)와 불활성가스의 공급을 시간에 따라 도시한 그래프(c)이다. 도 10에 도시된 실시 예에 있어서, 제1 그룹에 대한 기판을 처리하기 전, t1-t2의 시간 동안 처리 공간(502)에 오존을 공급하여 처리 공간(502)의 내부를 패시베이션한다. t2-t3의 시간 동안 처리 공간(502) 내부로 공급된 오존을 배기한다. 그리고 t2-t3의 시간 중에 오존을 확실하게 배출하기 위하여 처리 공간(502)으로 불활성가스를 공급한다. t2-t3의 시간 중에 제1 기판이 챔버 내부로 반입되고, t3-t4의 시간 동안 scCO2를 공급하여 제1 기판을 처리한다. 이후, t4-t5의 시간동안 scCO2가 배출되고 처리 공간(502)의 내부가 대기압으로 돌아가면, 제1 기판을 반출한다. 그리고 연속적으로 제2 기판을 처리 공간(502)의 내부로 반입하여 t5-t6의 시간동안 scCO2를 공급하여 기판을 처리한다. scCO2를 공급하는 과정은 제1 그룹의 기판의 처리가 완료될 때까지 진행된다. 예컨대, 제1 그룹은 1개의 풉(FOUP) 단위 일 수 있다. 예컨대 1개의 풉(FOUP) 단위는 25매의 기판을 포함할 수 있다. 다른 예로 제1 그룹은 2개 풉(FOUP) 또는 3개의 풉(FOUP) 단위일 수 있다. 제1 그룹의 기판 처리가 tn+1의 시간에 완료되고, tn+4의 시간에 제2 그룹의 기판의 처리가 진행되기 tn+2 - tn+3의 시간 동안 처리 공간(502)에 오존을 공급하여 처리 공간(502)의 내부를 패시베이션한다. tn+2 - tn+3의 시간 동안 처리 공간(502)의 내부가 패시베이션 되고 나면, tn+3 - tn+4의 시간동안 처리 공간(502) 내부로 공급된 오존을 배기한다. 그리고 tn+5 - tn+6의 시간동안 제2 그룹의 제1 기판을 처리한다. scCO2를 공급하는 과정은 제2 그룹의 기판의 처리가 완료될 때까지 진행된다. 오존을 공급하여 처리 공간(502)의 내부를 패시베이션 하는 단계는 제3 그룹의 제1 기판이 처리되기 전 진행된다.10 is a graph showing the supply amount of a supercritical fluid (eg, scCO2 (super-critical CO2) over time) and a graph showing the supply of ozone (O3) over time, according to another embodiment; (b) and a graph (c) showing the supply of the inert gas over time In the embodiment shown in Fig. 10, before processing the substrates for the first group, the processing space ( Ozone is supplied to 502 to passivate the interior of the processing space 502. The ozone supplied into the processing space 502 is exhausted during a time period t2-t3, and ozone is reliably discharged during a time period t2-t3 To do this, an inert gas is supplied to the processing space 502. The first substrate is loaded into the chamber during time t2-t3, and scCO2 is supplied during time t3-t4 to process the first substrate. When scCO2 is discharged for a time of -t5 and the inside of the processing space 502 returns to atmospheric pressure, the first substrate is unloaded, and the second substrate is continuously loaded into the processing space 502 at t5-t6. Process the substrate by supplying scCO2 for a period of time.The process of supplying scCO2 continues until the processing of the first group of substrates is completed.For example, the first group may be one FOUP unit.For example One FOUP unit may contain 25 substrates. As another example, the first group may be 2 FOUP or 3 FOUP units. The substrate processing of the first group is tn Ozone is supplied to the processing space 502 by supplying ozone to the processing space 502 for a time of tn+2 - tn+3 that is completed at time +1 and the processing of the second group of substrates proceeds at time tn+4. Passivate the interior After the interior of the processing space 502 is passivated for a time of tn+2 - tn+3, the ozone supplied into the processing space 502 is exhausted for a time of tn+3 - tn+4 and treat the first substrate of the second group for a period of time tn+5 - tn+6 scCO2 The feeding process proceeds until the processing of the second group of substrates is completed. The step of supplying ozone to passivate the interior of the processing space 502 is performed before the first substrates of the third group are processed.

기판이 반출되어 처리 공간(502)의 내부에 기판이 없는 동안 t5-t6의 시간동안 처리 공간(502)의 내부에 오존을 공급하여 내부를 패시베이션한다. 패시베이션 이후 t6-t7의 시간동안 처리 공간(502)의 내부의 오존을 배출하고, 불활성가스를 공급하여 오존을 확실하게 배출하고, 기판(W)을 처리 공간(502)의 내부로 반입한다. t7-t8의 시간동안 scCO2를 공급하여 기판을 처리한다. 이러한 과정을 반복하여 기판 처리 장치를 처리할 수 있다.Ozone is supplied to the interior of the processing space 502 to passivate the interior of the processing space 502 for a period of time t5-t6 while the substrate is unloaded and there is no substrate in the processing space 502 . After passivation, ozone in the processing space 502 is discharged for a period of time t6-t7 , an inert gas is supplied to reliably discharge ozone, and the substrate W is loaded into the processing space 502 . The substrate is treated by supplying scCO2 for a period of time t7-t8. The substrate processing apparatus may be processed by repeating this process.

도 11는 또 다른 실시 에에 따른 기판 처리 장치를 도시한다. 도시된 실시예에 있어서, 도 2 및 도 3의 처리 장치와 동일한 도면 부호를 갖는 구성은 도 2 및 도 3의 설명으로 대신한다.11 illustrates a substrate processing apparatus according to another embodiment. In the illustrated embodiment, components having the same reference numerals as the processing devices of FIGS. 2 and 3 are replaced with descriptions of FIGS. 2 and 3 .

도 11의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 오존 공급유닛(1580)이 오존 공급라인(1583)와 오존가스 공급원(1584)을 포함하고, 오존 공급라인(1583)는 상부 공정유체 공급라인(563)에 연결된다. 이에 따라, 오존은 상부 공정유체 공급라인(563)을 패시베이션 할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 11 , the ozone supply unit 1580 includes an ozone supply line 1583 and an ozone gas supply source 1584 , and the ozone supply line 1583 is an upper process fluid supply line 563 . ) is connected to Accordingly, ozone may passivate the upper process fluid supply line 563 .

상부 공정유체 공급라인(563)이 연마처리하는 경우, 배관을 한번에 연마처리 할 수 없음에 따라, 배관을 분해하여 연마처리하고, 이를 용접으로 이음한다. 용접으로 이음된 부분은 용접부가 형성된다. 용접부는 용접에 의해 산화크롬(Cr Oxide)의 분율이 감소하여 연마 처리 효과가 사라지는 단점이 있다. 이에 오존을 공급하면, 용접에 의해 산화크롬(Cr Oxide)의 분율이 감소되어 있어도, 오존 처리를 통해 이를 산화크롬의 분율이 낮은 사항을 보완하는 결과를 나타낸다. 이는 특히 배관 폭의 한계로 인해 배관 내 다른 연마 처리(예컨대, 전해연마)가 불가능할 경우에 배관 내부를 효과적으로 패시베이션 시킬 수 있다.When the upper process fluid supply line 563 is polished, the pipe cannot be polished at a time, so the pipe is disassembled and polished, and the pipe is welded. The portion joined by welding is formed with a weld. The welding part has a disadvantage in that the fraction of chromium oxide (Cr Oxide) is reduced by welding, so that the polishing effect disappears. When ozone is supplied to this, even if the fraction of chromium oxide (Cr Oxide) is reduced by welding, it shows the result of compensating for the low fraction of chromium oxide through ozone treatment. This can effectively passivate the inside of the pipe, especially when other polishing treatment (eg, electrolytic polishing) in the pipe is impossible due to the limitation of the pipe width.

일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는 도 11의 도시에 따른 상태에서 도 12에 따른 도시의 상태로 전환될 수 있다. 도 11은 처리 공간(502)의 내부에 기판(W)이 없는 상태에서, 처리 공간(502)의 내부에 오존을 공급하는 사항을 도시한다. 오존이 공급되는데 있어서, 제3 밸브(1585)는 개방상태로 되고 제1 밸브(565)는 폐쇄상태로 된다. 배기밸브(555)는 개방상태 또는 폐쇄상태가 된다. 배기밸브(555)가 폐쇄된 상태에서 오존을 계속하여 공급하면 처리 공간(502)의 내부 압력이 증가하고, 배기밸브(555)를 개방하면 처리 공간(502)의 상대적으로 내부 압력이 감소한다. 만약, 배기밸브(555)를 통해 배출되는 배기량과 오존 공급라인(583)를 통해 공급되는 공급량이 동일하면 처리 공간(502)의 내부 압력은 일정하게 유지될 수 있다. In an embodiment, the substrate processing apparatus may be switched from the state illustrated in FIG. 11 to the state illustrated in FIG. 12 . 11 illustrates supply of ozone into the processing space 502 in a state where the substrate W is not present in the processing space 502 . When ozone is supplied, the third valve 1585 is in the open state and the first valve 565 is in the closed state. The exhaust valve 555 is in an open state or a closed state. When ozone is continuously supplied while the exhaust valve 555 is closed, the internal pressure of the processing space 502 increases, and when the exhaust valve 555 is opened, the relatively internal pressure of the processing space 502 decreases. If the amount of exhaust discharged through the exhaust valve 555 is the same as that supplied through the ozone supply line 583 , the internal pressure of the processing space 502 may be maintained constant.

배기된 오존은 오존 분해 장치(600)로 유입되어 충분히 제거된 후 배출된다.The exhausted ozone flows into the ozone decomposition device 600 and is sufficiently removed and then discharged.

도 12는 처리 공간(502)의 패시베이션이 완료되고 웨이퍼가 반입된 상태를 도시한다. 기판(W)이 초임계 유체로 처리되는 동안 제3 밸브(585)은 폐쇄 상태를 유지한다.12 illustrates a state in which passivation of the processing space 502 is completed and a wafer is loaded. The third valve 585 remains closed while the substrate W is treated with the supercritical fluid.

도 13은 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 도시한다. 도시된 실시예에 있어서, 도 11 및 도 12의 처리 장치와 동일한 도면 부호를 갖는 구성은 도 11 및 도 12의 설명으로 대신한다.13 illustrates a substrate processing apparatus according to another embodiment. In the illustrated embodiment, components having the same reference numerals as the processing devices of FIGS. 11 and 12 are replaced with descriptions of FIGS. 11 and 12 .

도 13의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 불활성유체 공급유닛(1590)을 포함한다. 불활성 유체 공급유닛(1590)은 불활성 유체를 처리 공간(1502)에 공급한다. 불활성유체 공급유닛(1590)는 불활성유체 공급라인(1593)과 불활성유체 공급원(1594)을 포함한다. 불활성유체 공급원(1594)은 불활성 유체를 저장하거나 공급한다. 불활성유체 공급라인(1593)에는 제3 밸브(1595)이 설치된다. 제3 밸브(1595)은 불활성유체 공급라인(1593)의 개폐를 제어한다. 일 실시 예에 있어서, 불활성유체 공급라인(1593)은 상부 공정유체 공급라인(563)에 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 불활성유체 공급라인(593)은 오존 공급라인(1583)과 연결될 수 있다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of FIG. 13 includes an inert fluid supply unit 1590 . The inert fluid supply unit 1590 supplies the inert fluid to the processing space 1502 . The inert fluid supply unit 1590 includes an inert fluid supply line 1593 and an inert fluid supply source 1594 . An inert fluid source 1594 stores or supplies an inert fluid. A third valve 1595 is installed in the inert fluid supply line 1593 . The third valve 1595 controls opening and closing of the inert fluid supply line 1593 . In an embodiment, the inert fluid supply line 1593 may be connected to the upper process fluid supply line 563 . However, the present invention is not limited thereto, and the inert fluid supply line 593 may be connected to the ozone supply line 1583 .

기판 처리 장치는 도 13의 도시에 따른 상태에서 도 14의 도시에 따른 상태 및 도 15의 도시에 따른 도시의 상태로 순차적으로 전환될 수 있다. 도 13은 처리 공간(502)의 내부에 기판(W)이 없는 상태에서, 처리 공간(502)의 내부에 오존을 공급하는 사항을 도시한다. 오존이 공급되는데 있어서, 제3 밸브(1585)는 개방상태로 되고 제1 밸브(565)와 제3 밸브(1595)는 폐쇄상태로 된다. 배기밸브(555)는 개방상태 또는 폐쇄상태가 된다. 배기밸브(555)가 폐쇄된 상태에서 오존을 계속하여 공급하면 처리 공간(502)의 내부 압력이 증가하고, 배기밸브(555)를 개방하면 처리 공간(502)의 상대적으로 내부 압력이 감소한다. 만약, 배기밸브(555)를 통해 배출되는 배기량과 오존 공급라인(1583)를 통해 공급되는 공급량이 동일하면 처리 공간(502)의 내부 압력은 일정하게 유지될 수 있다. 배기된 오존은 오존 분해 장치(600)로 유입되어 충분히 제거된 후 배출된다.The substrate processing apparatus may be sequentially switched from the state illustrated in FIG. 13 to the state illustrated in FIG. 14 and the state illustrated in FIG. 15 . 13 illustrates supply of ozone into the processing space 502 in a state where the substrate W is not present in the processing space 502 . When ozone is supplied, the third valve 1585 is in an open state and the first valve 565 and the third valve 1595 are in a closed state. The exhaust valve 555 is in an open state or a closed state. When ozone is continuously supplied while the exhaust valve 555 is closed, the internal pressure of the processing space 502 increases, and when the exhaust valve 555 is opened, the relatively internal pressure of the processing space 502 decreases. If the amount of exhaust discharged through the exhaust valve 555 is the same as that supplied through the ozone supply line 1583 , the internal pressure of the processing space 502 may be maintained constant. The exhausted ozone flows into the ozone decomposition device 600 and is sufficiently removed and then discharged.

그리고 도 14의 도시에 따른 상태와 같이, 제3 밸브(1585)이 폐쇄되어 오존의 공급이 중단되고 오존이 처리 공간(502)에서 배기되는 중에 제3 밸브(1595)이 개방되어 불활성 유체가 공급될 수 있다. 불활성 유체는 가스상으로 제공될 수 있다. 불활성 가스는 처리 공간(502) 내부의 분위기를 불활성 가스로 치환할 수 있다. 이로서 처리 공간(502)의 내부에 오존이 완전히 배출될 수 있다.And, as shown in the state shown in FIG. 14 , the third valve 1595 is closed to stop the supply of ozone, and the third valve 1595 is opened while ozone is exhausted from the processing space 502 to supply an inert fluid. can be The inert fluid may be provided in the gaseous phase. The inert gas may replace the atmosphere inside the processing space 502 with the inert gas. As a result, ozone can be completely discharged from the inside of the processing space 502 .

도 15는 처리 공간(502)의 패시베이션이 완료되고 오존이 배출된 후 웨이퍼가 반입된 상태를 도시한다. 제1 밸브(565) 및/또는 제2 밸브(568)이 개방되어 기판(W)이 초임계 유체로 처리되는 동안 제3 밸브(1585)와 제3 밸브(1595)는 폐쇄 상태를 유지한다.15 illustrates a state in which the wafer is loaded after passivation of the processing space 502 is completed and ozone is discharged. The third valve 1585 and the third valve 1595 remain closed while the first valve 565 and/or the second valve 568 are opened to treat the substrate W with the supercritical fluid.

도시하지 않았으나, 금속 소재가 공정가스에 노출되는 부품을 포함하는 챔버의 처리 공간 또는 금속 소재가 공정유체에 노출되는 공정유체 공급라인에 오존을 공급하는 단계는 챔버의 초기 설비 준비 단계(set-up단계) 직후에 진행될 수 있다. 예컨대, 초기 설비 준비 단계는 챔버의 부품 또는 공정유체 공급라인이 교체되는 단계일 수 있다. Although not shown, the step of supplying ozone to the processing space of the chamber including the parts to which the metal material is exposed to the process gas or the process fluid supply line in which the metal material is exposed to the process fluid is an initial equipment preparation step (set-up) of the chamber. step) can be carried out immediately. For example, the initial equipment preparation step may be a step in which chamber parts or process fluid supply lines are replaced.

본 발명의 실시 예에 의하면, 기존 Ozone 처리 방식 대비 처리 공간의 내부 및 공정유체 공급라인을 일일이 패시베이션 하지 않더라도 한번의 공정으로 초임계 시스템 전부를 패시베이션 시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the entire supercritical system can be passivated in one process without passivating the inside of the treatment space and the process fluid supply line individually compared to the existing Ozone treatment method.

본 발명의 실시 에에 의하면, 초기 공정 진행시 철, 크롬, 니켈 등 성분이 포함된 메탈 파티클에 의한 기판을 오염을 억제할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to suppress contamination of the substrate by metal particles containing components such as iron, chromium, and nickel during the initial process.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

Claims (17)

처리 공간을 제공하는 챔버와;
공정유체 공급원에 연결되어 상기 처리 공간으로 공정유체를 공급하는 공정유체 공급라인과;
오존 공급원에 연결되어, 상기 처리 공간으로 오존을 공급하는 오존 공급라인과;
배기펌프에 연결되어 상기 처리 공간을 배기하는 배기라인을 포함하고,
상기 챔버 또는 상기 공정유체 공급라인은 금속 소재를 포함하며, 상기 금속 소재는 상기 공정유체에 노출되는 기판 처리 장치.a chamber providing a processing space;
a process fluid supply line connected to a process fluid supply source to supply the process fluid to the processing space;
an ozone supply line connected to the ozone source and supplying ozone to the processing space;
and an exhaust line connected to the exhaust pump to exhaust the processing space,
The chamber or the process fluid supply line includes a metal material, and the metal material is exposed to the process fluid. 제1 항에 있어서,
상기 금속 소재는 연마 처리되어 제공되는 것인 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate processing apparatus of which the metal material is provided by polishing. 제2 항에 있어서,
상기 연마 처리는 전해연마인 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The polishing treatment is an electrolytic polishing substrate processing apparatus. 제1 항에 있어서,
상기 금속 소재는 용접부를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The metal material may include a welding part. 제1 항에 있어서,
상기 금속 소재는 스테인레스 스틸로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The metal material is a substrate processing apparatus provided in stainless steel. 제1 항에 있어서,
상기 배기라인에 연결된 오존 분해 장치를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate processing apparatus further comprising an ozone decomposing device connected to the exhaust line. 제1 항에 있어서,
제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는, 기판에 대한 공정 처리 후 상기 기판을 반출한 뒤 상기 처리 공간으로 오존을 공급하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
further comprising a controller,
The controller may be configured to supply ozone to the processing space after discharging the substrate after processing the substrate. 제1 항에 있어서,
제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는 제1 그룹의 기판을 처리하는데 있어서, 상기 제1 그룹의 첫 기판이 처리되기 전 상기 처리 공간으로 오존을 공급하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
further comprising a controller,
wherein the controller supplies ozone to the processing space before the first substrate of the first group is processed in processing the first group of substrates. 제1 항에 있어서,
불활성유체 공급원에 연결되어 상기 처리 공간에 불활성유체를 공급하는 불활성유체 공급라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate processing apparatus further comprising an inert fluid supply line connected to the inert fluid supply source for supplying the inert fluid to the processing space. 금속 소재가 공정가스에 노출되는 부품을 포함하는 챔버의 처리 공간 또는 금속 소재가 공정유체에 노출되는 공정유체 공급라인에 오존을 공급하는 단계와;
상기 처리 공간의 오존을 배기하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치의 처리 방법.supplying ozone to a processing space of a chamber including parts in which the metal material is exposed to the process gas or to a process fluid supply line in which the metal material is exposed to the process fluid;
and evacuating ozone from the processing space. 제10 항에 있어서,
오존을 공급하는 단계는 설정시간 공급과 배기를 반복하여 오존을 공급하는 기판 처리 장치의 처리 방법.11. The method of claim 10,
The step of supplying ozone is a processing method of a substrate processing apparatus in which ozone is supplied by repeating supply and exhaust for a set time. 제10 항에 있어서,
상기 오존을 공급하는 단계에서 공급된 오존은 설정시간 동안 상기 처리 공간 또는 상기 공정유체 공급라인에 머무르는 기판 처리 장치의 처리 방법.11. The method of claim 10,
The ozone supplied in the step of supplying the ozone stays in the processing space or the process fluid supply line for a set time. 제10 항에 있어서,
상기 오존을 공급하는 단계는, 공정 처리된 기판이 반출된 이후 수행되는 기판 처리 장치의 처리 방법.11. The method of claim 10,
The supplying of the ozone is a processing method of a substrate processing apparatus that is performed after the processed substrate is unloaded. 제10 항에 있어서,
상기 오존을 공급하는 단계는, 상기 금속 소재가 노출되는 부품 또는 금속 소재가 공정유체에 노출되는 공정유체 공급라인을 교체한 이후 수행되는 기판 처리 장치의 처리 방법.11. The method of claim 10,
The supplying of the ozone is a processing method of a substrate processing apparatus performed after replacing a component to which the metal material is exposed or a process fluid supply line in which the metal material is exposed to the process fluid. 제10 항에 있어서,
상기 금속 소재는 스테인레스 스틸으로 제공되는 기판 처리 장치의 처리 방법.11. The method of claim 10,
The processing method of the substrate processing apparatus in which the metal material is provided of stainless steel. 제10 항에 있어서,
상기 처리 공간의 오존을 배기하는 단계는,
상기 처리 공간에 불활성 가스를 공급하며 이루어지는 기판 처리 장치의 처리 방법.11. The method of claim 10,
The step of evacuating ozone from the processing space,
A processing method of a substrate processing apparatus comprising supplying an inert gas to the processing space. 제10 항에 있어서,
상기 배기된 오존을 분해하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 장치의 처리 방법.

11. The method of claim 10,
and decomposing the exhausted ozone.
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