KR102606621B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와; 공정 챔버를 개방 위치 또는 폐쇄 위치로 이동시키는 구동기와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 처리 공간으로 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 구동기, 유체 공급 유닛 그리고 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 배기 유닛은, 공정 챔버에 형성되는 배기관과; 배기관에 결합되는 배기라인과; 배기라인에 설치되어 유체의 배출 여부를 조절하는 배기 밸브를 포함하고, 제어기는, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 배기 밸브가 개방되도록 구동기 그리고 배기 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a process chamber having a first body and a second body combined with each other to form a processing space within which a substrate is processed; a driver that moves the process chamber to an open or closed position; a support unit supporting the substrate within the processing space; a fluid supply unit supplying fluid to the processing space; an exhaust unit that exhausts the processing space; It includes a controller that controls an actuator, a fluid supply unit, and an exhaust unit, wherein the exhaust unit includes an exhaust pipe formed in the process chamber; an exhaust line coupled to the exhaust pipe; It includes an exhaust valve installed in the exhaust line to control whether fluid is discharged, and the controller can control the driver and the exhaust unit to open the exhaust valve while the process chamber is moved from the open position to the closed position.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 유체 공급 유닛 및 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과 이를 가지는 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a fluid supply unit and a device for processing a substrate, and more specifically, to a fluid supply unit that supplies supercritical fluid and an device for processing a substrate having the same.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다. 상기의 공정들을 수행하면서 상기 회로 패턴이 형성된 기판의 상부면에 각종 이물질이 부착되므로, 상기 공정들 사이에 기판 상의 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.Generally, semiconductor devices are manufactured from a substrate such as a wafer. Specifically, semiconductor devices are manufactured by forming fine circuit patterns on the upper surface of a substrate by performing a deposition process, photolithography process, etching process, etc. Since various foreign substances adhere to the upper surface of the substrate on which the circuit pattern is formed while performing the above processes, a cleaning process to remove foreign substances on the substrate is performed between the above processes.

일반적으로 세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.Generally, the cleaning process includes chemical treatment to remove foreign substances on the substrate by supplying chemicals to the substrate, rinsing treatment to remove chemicals remaining on the substrate by supplying pure water to the substrate, and drying treatment to remove pure water remaining on the substrate. Includes.

기판의 건조 처리를 위해 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판 상의 순수를 유기용제로 치환한 다음, 고압 챔버 내에서 초임계 유체를 기판의 상부면에 공급하여 기판 상에 남아있는 유기용제를 초임계 유체에 용해시켜 기판으로부터 제거한다. 유기용제로 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)이 사용되는 경우, 초임계 유체로는 임계 온도 및 임계 압력이 상대적으로 낮고, IPA가 잘 용해되는 이산화탄소(CO2)가 사용된다.Supercritical fluid is used for the drying process of the substrate. According to one example, pure water on the substrate is replaced with an organic solvent, and then a supercritical fluid is supplied to the upper surface of the substrate in a high pressure chamber to dissolve the organic solvent remaining on the substrate in the supercritical fluid and remove it from the substrate. When isopropyl alcohol (hereinafter, IPA) is used as the organic solvent, carbon dioxide (CO2), which has a relatively low critical temperature and critical pressure and which dissolves IPA well, is used as the supercritical fluid.

초임계 유체를 이용한 기판의 처리는 다음과 같다. 기판이 고압 챔버 내로 반입되면, 고압 챔버 내로 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되어 고압 챔버 내부를 가압하고, 이후 초임계 유체의 공급 및 고압 챔버 내의 배기를 반복하면서 초임계 유체로 기판을 처리한다. 그리고 기판의 처리가 완료되면, 고압 챔버 내부를 배기하여 감압한다.Processing of the substrate using supercritical fluid is as follows. When a substrate is brought into the high-pressure chamber, carbon dioxide in a supercritical state is supplied into the high-pressure chamber to pressurize the inside of the high-pressure chamber, and then the substrate is treated with the supercritical fluid by repeating supply of the supercritical fluid and exhaustion from the high-pressure chamber. And when processing of the substrate is completed, the inside of the high pressure chamber is evacuated and the pressure is reduced.

도 1은 종래의 초임계를 이용한 기판 처리 장치(1)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 종래의 초임계를 이용한 기판의 건조 공정에서는, 기판(W)이 놓이는 처리 공간(50)으로 유체 공급 유닛(40)이 초임계 유체를 공급한하고, 배기 유닛(60)이 처리 공간(50)을 배기한다.Figure 1 shows a conventional substrate processing apparatus 1 using supercritical. Referring to FIG. 1, in a conventional substrate drying process using supercritical, the fluid supply unit 40 supplies supercritical fluid to the processing space 50 where the substrate W is placed, and the exhaust unit 60 This processing space 50 is evacuated.

공정 챔버(50)는 제1바디(52)와 제2바디(55)를 가진다. 제1바디(52)와 제2바디(55)는 조합되어 처리 공간(50)을 형성한다. 공정 챔버(50) 내부로 기판(W)을 반입하기 위해 제1바디(52)와 제2바디(55)가 서로 이격된다. 이후 공정을 진행하기 위해 제1바디(52)와 제2바디(55)가 서로를 향하는 방향으로 이동된다. 이 과정에서, 처리 공간(50) 내부에 유입된 공기가 압축되고, 이후에 공정을 진행할 시에 압축된 공기가 기판에 영향을 미치는 문제가 있다.The process chamber 50 has a first body 52 and a second body 55. The first body 52 and the second body 55 are combined to form the processing space 50. In order to bring the substrate W into the process chamber 50, the first body 52 and the second body 55 are spaced apart from each other. In order to proceed with the subsequent process, the first body 52 and the second body 55 are moved toward each other. In this process, the air introduced into the processing space 50 is compressed, and there is a problem in that the compressed air affects the substrate during the subsequent process.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시, 기판이 처리되는 공정 챔버 내의 분위기를 초임계 유체로 용이하게 치환할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing device and a substrate processing method that can easily replace the atmosphere in a process chamber where the substrate is processed with a supercritical fluid when processing a substrate using a supercritical fluid.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와; 공정 챔버를 개방 위치 또는 폐쇄 위치로 이동시키는 구동기와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 처리 공간으로 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 구동기, 유체 공급 유닛 그리고 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 배기 유닛은, 공정 챔버에 형성되는 배기관과; 배기관에 결합되는 배기라인과; 배기라인에 설치되어 유체의 배출 여부를 조절하는 배기 밸브를 포함하고, 제어기는, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 배기 밸브가 개방되도록 구동기 그리고 배기 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a process chamber having a first body and a second body combined with each other to form a processing space within which a substrate is processed; a driver that moves the process chamber to an open or closed position; a support unit supporting the substrate within the processing space; a fluid supply unit supplying fluid to the processing space; an exhaust unit that exhausts the processing space; It includes a controller that controls an actuator, a fluid supply unit, and an exhaust unit, wherein the exhaust unit includes an exhaust pipe formed in the process chamber; an exhaust line coupled to the exhaust pipe; It includes an exhaust valve installed in the exhaust line to control whether fluid is discharged, and the controller can control the driver and the exhaust unit to open the exhaust valve while the process chamber is moved from the open position to the closed position.

일 실시 예에 있어서, 배기 유닛은, 배기라인에 설치되어 처리 공간을 감압하는 감압 유닛을 더 포함하고, 제어기는, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 감압 유닛이 처리 공간을 감압하도록 구동기 그리고 배기 유닛을 제어할 수 있다.In one embodiment, the exhaust unit further includes a pressure reducing unit installed in the exhaust line to depressurize the processing space, and the controller causes the depressurizing unit to depressurize the processing space while the process chamber is moved from the open position to the closed position. It can control the actuator and exhaust unit.

일 실시 예에 있어서, 제어기는, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 유체 공급 유닛이 처리 공간 내로 유체를 공급하도록 구동기, 유체 공급 유닛 그리고 배기 유닛을 제어할 수 있다.In one embodiment, the controller can control the actuator, the fluid supply unit, and the exhaust unit such that the fluid supply unit supplies fluid into the processing space while the process chamber is moved from an open position to a closed position.

일 실시 예에 있어서, 유체 공급 유닛은, 공정 챔버에 형성되는 공급관과; 공급관에 결합되어 유체 공급원으로부터 유체를 공급하는 공급라인을 포함하고, 공급관 그리고 배기관은 제1바디 또는 제2바디 중 적어도 어느 하나에 제공될 수 있다.In one embodiment, the fluid supply unit includes a supply pipe formed in a process chamber; It includes a supply line coupled to the supply pipe to supply fluid from a fluid source, and the supply pipe and exhaust pipe may be provided in at least one of the first body and the second body.

일 실시 예에 있어서, 공급관은 제1바디에 제공되고, 배기관은 제2바디에 제공될 수 있다.In one embodiment, the supply pipe may be provided in the first body, and the exhaust pipe may be provided in the second body.

일 실시 예에 있어서, 제1바디는 제2바디의 상부에 제공될 수 있다.In one embodiment, the first body may be provided on top of the second body.

일 실시 예에 있어서, 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛에 지지될 수 있다.In one embodiment, the substrate may be supported on the support unit with the pattern surface facing upward.

일 실시 예에 있어서, 유체는 초임계 유체로 제공될 수 있다.In one embodiment, the fluid may be provided as a supercritical fluid.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법에 있어서, 공정 챔버 내의 처리 공간으로 유체를 공급하여 유체로 기판을 처리하되, 공정 챔버 내로 기판이 반입되기 이전에, 공정 챔버 내부의 부피가 감소되는 동안 처리 공간을 배기할 수 있다.Additionally, the present invention provides a substrate processing method. In a method of processing a substrate, a fluid is supplied to a processing space within a process chamber to process the substrate with the fluid, but before the substrate is brought into the process chamber, the processing space can be evacuated while the volume inside the process chamber is reduced. there is.

일 실시 예에 있어서, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 처리 공간을 배기할 수 있다.In one embodiment, the processing space may be evacuated while the process chamber is moved from an open position to a closed position.

일 실시 예에 있어서, 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 처리 공간 내로 유체를 공급할 수 있다.In one embodiment, fluid may be supplied into the processing space while the process chamber is moved from an open position to a closed position.

일 실시 예에 있어서, 유체는 초임계 유체로 제공될 수 있다.In one embodiment, the fluid may be provided as a supercritical fluid.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시, 기판이 처리되는 공정 챔버 내의 분위기를 초임계 유체로 용이하게 치환할 수 있다.According to the present invention, when processing a substrate using a supercritical fluid, the atmosphere in the process chamber where the substrate is processed can be easily replaced with the supercritical fluid.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 초임계 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a general substrate processing apparatus.
Figure 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing device of FIG. 2.
FIG. 4 is a diagram schematically showing an embodiment of the supercritical device of FIG. 1.
5 to 8 are diagrams sequentially showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
Figure 9 is a diagram schematically showing a supercritical device according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This example is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Figure 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the substrate processing system includes an index module 10, a processing module 20, and a controller (not shown). According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are arranged along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 92, and the direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as the second direction 94. And the direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is called the third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is stored to the processing module 20, and transfers the substrate W that has been processed in the processing module 20 to the container 80. Store it as The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94. The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14. Based on the index frame 14, the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20. The container 80 containing the substrates W is placed in the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be arranged along the second direction 94.

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.The container 80 may be an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP). The container 80 is placed in the load port 12 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, overhead conveyor, or Automatic Guided Vehicle, or by an operator. You can.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.An index robot 120 is provided in the index frame 14. A guide rail 140 is provided in the second direction 94 along the length of the index frame 14, and the index robot 120 can be moved on the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which a substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 can move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer device 300, a liquid processing device 400, and a supercritical device 500. The buffer unit 200 provides a space where the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W taken out from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing device 400 supplies liquid onto the substrate W and performs a liquid treatment process to treat the substrate W. The supercritical device 500 performs a drying process to remove liquid remaining on the substrate W. The transfer device 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200, the liquid processing device 400, and the supercritical device 500.

반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 초임계 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다.The transfer device 300 may be provided with its longitudinal direction in the first direction 92 . The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer device 300. The liquid processing device 400 and the supercritical device 500 may be disposed on the side of the transfer device 300. The liquid processing device 400 and the transfer device 300 may be arranged along the second direction 94 . The supercritical device 500 and the transfer device 300 may be arranged along the second direction 94. The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer device 300.

일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 초임계 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 초임계 장치(500)들만 제공될 수 있다.According to one example, the liquid processing devices 400 are disposed on both sides of the conveying device 300, the supercritical devices 500 are disposed on both sides of the conveying device 300, and the liquid processing devices 400 are disposed on both sides of the conveying device 300. It may be placed closer to the buffer unit 200 than the devices 500. On one side of the transfer device 300, the liquid processing devices 400 may be provided in an A there is. In addition, on one side of the transfer device 300, the supercritical devices 500 will be provided in numbers C You can. Unlike the above, only liquid processing devices 400 may be provided on one side of the transfer device 300, and only supercritical devices 500 may be provided on the other side.

반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer device 300 has a transfer robot 320 . A guide rail 340 whose longitudinal direction is provided in the first direction 92 is provided within the transfer device 300, and the transfer robot 320 may be provided to be able to move on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 can move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be arranged to be spaced apart from each other along the third direction 96. The buffer unit 200 has open front and rear faces. The front side faces the index module 10, and the back side faces the transfer device 300. The index robot 120 may approach the buffer unit 200 through the front, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear.

도 3은 도 2의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 부재(440), 액 공급 유닛(460), 승강 유닛(480) 및 제어기(40)를 가진다. 제어기(40)는 액 공급 유닛(460), 지지 부재(440) 및 승강 유닛(480)의 동작을 제어한다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 부재(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing device 400 of FIG. 2. Referring to FIG. 3 , the liquid processing device 400 includes a housing 410, a cup 420, a support member 440, a liquid supply unit 460, a lifting unit 480, and a controller 40. The controller 40 controls the operations of the liquid supply unit 460, the support member 440, and the lifting unit 480. The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. The cup 420, the support member 440, and the liquid supply unit 460 are disposed within the housing 410.

컵(420)은 상부가 개방된 처리공간을 가지고, 기판(W)은 처리공간 내에서 액 처리된다. 지지 부재(440)는 처리공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 부재(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 부재(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed within the processing space. The support member 440 supports the substrate W within the processing space. The liquid supply unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported on the support member 440. Liquids are provided in multiple types and can be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support member 440.

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 부재(440)를 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 부재(440)를 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of recovery bins 422, 424, and 426. The recovery containers 422, 424, and 426 each have a recovery space for recovering the liquid used for processing the substrate. Each of the recovery bins 422, 424, and 426 is provided in a ring shape surrounding the support member 440. When the liquid treatment process progresses, the pretreatment liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each recovery container 422, 424, and 426. According to one example, the cup 420 has a first recovery container 422, a second recovery container 424, and a third recovery container 426. The first recovery container 422 is arranged to surround the support member 440, the second recovery container 424 is arranged to surround the first recovery container 422, and the third recovery container 426 is the second recovery container 426. It is arranged to surround the recovery container 424. The second inlet 424a, which flows liquid into the second recovery tank 424, is located above the first inlet 422a, which flows liquid into the first recovery tank 422, and the third recovery tank 426 The third inlet 426a, which introduces liquid, may be located above the second inlet 424a.

지지 부재(440)는 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다.The support member 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444. The upper surface of the support plate 442 is provided in a generally circular shape and may have a larger diameter than the substrate (W). A support pin 442a is provided at the center of the support plate 442 to support the rear side of the substrate W, and the support pin 442a has an upper end of the support plate ( 442). A chuck pin 442b is provided at the edge of the support plate 442.

척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 부재(440)로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 and supports the side of the substrate W so that the substrate W does not separate from the support member 440 when the substrate W is rotated. The drive shaft 444 is driven by the driver 446, is connected to the center of the bottom of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다.According to one example, the liquid supply unit 460 has a first nozzle 462, a second nozzle 464, and a third nozzle 466. The first nozzle 462 supplies the first liquid onto the substrate (W). The first liquid may be a liquid that removes films or foreign substances remaining on the substrate W. The second nozzle 464 supplies the second liquid onto the substrate (W). The second liquid may be a liquid that dissolves well in the third liquid. For example, the second liquid may be a liquid that dissolves better in the third liquid than the first liquid. The second liquid may be a liquid that neutralizes the first liquid supplied to the substrate (W). Additionally, the second liquid may be a liquid that neutralizes the first liquid and at the same time dissolves better in the third liquid than the first liquid.

일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.According to one example, the second liquid may be water. The third nozzle 466 supplies the third liquid onto the substrate (W). The third liquid may be a liquid that dissolves well in the supercritical fluid used in the supercritical device 500. For example, the third liquid may be a liquid that is more soluble in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 than the second liquid. According to one example, the third liquid may be an organic solvent. The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). According to one example, the supercritical fluid may be carbon dioxide.

제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.The first nozzle 462, the second nozzle 464, and the third nozzle 466 are supported on different arms 461, and these arms 461 can be moved independently. Optionally, the first nozzle 462, the second nozzle 464, and the third nozzle 466 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 부재(440)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate (W) changes as the cup 420 moves up and down. As a result, the recovery containers 422, 424, and 426 for recovering the pretreatment liquid are changed depending on the type of liquid supplied to the substrate W, so the liquids can be separated and recovered. Unlike the above-mentioned, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 can move the support member 440 in the vertical direction.

도 4는 도 2의 초임계 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다.FIG. 4 is a diagram schematically showing an embodiment of the supercritical device 500 of FIG. 2. According to one embodiment, the supercritical device 500 removes liquid on the substrate W using a supercritical fluid. According to one embodiment, the liquid on the substrate W is isopropyl alcohol (IPA). The supercritical device 500 supplies the supercritical fluid to the substrate, dissolves the IPA on the substrate W in the supercritical fluid, and removes the IPA from the substrate W.

초임계 장치(500)는 공정 챔버(520), 유체 공급 유닛(560), 지지 유닛(580) 그리고 배기 유닛(550)을 포함한다.The supercritical device 500 includes a process chamber 520, a fluid supply unit 560, a support unit 580, and an exhaust unit 550.

공정 챔버(520)는 내부에서 기판(W)을 세정하는 세정 공정이 수행되는 처리 공간(502)을 제공한다. 공정 챔버(520)는 제1바디(522)와 제2바디(524)를 가지며, 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 조합되어 상술한 처리 공간(502)을 제공한다. 일 예에서, 제1바디(522)는 제2바디(524)의 상부에 제공된다. 일 예에서, 공정 챔버(520)는 개방 위치와 폐쇄 위치 간으로 이동된다. 개방 위치는 제1바디(522)와 제2바디(524)가 서로 이격된 위치이고, 폐쇄 위치는, 제1바디(522) 또는 제2바디(524) 중 적어도 어느 하나가 이동되어 제1바디(522)와 제2바디(524)가 밀착되어 처리 공간(502)을 밀폐시키는 위치이다. 일 예에서, 제1바디(522)는 그 위치가 고정되고, 제2바디(524)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 일 예에서, 제2바디(524)가 제1바디(522)로부터 이격되면 처리 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. 선택적으로, 제2바디(524)는 그 위치가 고정되고, 제1바디(522)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다.The process chamber 520 provides a processing space 502 in which a cleaning process for cleaning the substrate W is performed. The process chamber 520 has a first body 522 and a second body 524, and the first body 522 and the second body 524 are combined with each other to provide the processing space 502 described above. In one example, the first body 522 is provided on top of the second body 524. In one example, process chamber 520 is moved between an open and closed position. The open position is a position where the first body 522 and the second body 524 are spaced apart from each other, and the closed position is a position where at least one of the first body 522 or the second body 524 is moved to open the first body 522 and the second body 524. This is a position where the second body 522 and the second body 524 are in close contact to seal the processing space 502. In one example, the position of the first body 522 is fixed, and the second body 524 can be raised and lowered by a driving member 590 such as a cylinder. In one example, when the second body 524 is separated from the first body 522, the processing space 502 is opened, and at this time, the substrate W is loaded or unloaded. Optionally, the position of the second body 524 may be fixed, and the first body 522 may be raised and lowered by a driving member 590 such as a cylinder.

처리 공간(502) 내부에서 기판(W)을 세정하는 세정 공정 진행 시에는 제2바디(524)가 제1바디(522)에 밀착되어 처리 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 공정 챔버(520)의 벽 내부에는 히터(525)가 제공된다. 히터(525)는 공정 챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)을 가열한다. 처리 공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.During the cleaning process of cleaning the substrate W inside the processing space 502, the second body 524 is in close contact with the first body 522 and the processing space 502 is sealed from the outside. A heater 525 is provided inside the wall of the process chamber 520. The heater 525 heats the processing space 502 of the process chamber 520 so that the fluid supplied into the internal space of the process chamber 520 maintains a supercritical state. An atmosphere created by supercritical fluid is created inside the processing space 502.

지지 유닛(580)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 유닛(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛(580)에 의해 지지된다.The support unit 580 supports the substrate W within the processing space 502 of the process chamber 520. The substrate W brought into the processing space 502 of the process chamber 520 is placed on the support unit 580. According to one example, the substrate W is supported by the support unit 580 with the pattern surface facing upward.

유체 공급 유닛(560)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 기판 처리를 위한 세정 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 유체 공급 유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564), 하부 공급 라인(566)을 가진다. 메인 공급 라인(562)은 유체 공급원(미도시)에 연결되어 처리 공간(502)으로 초임계 유체를 공급한다. 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 상부 공급 라인(564)은 상부 공급관(565)에 연결된다. 하부 공급 라인(566)은 하부 공급관(567)에 연결된다. 일 예에서, 상부 공급관(565)은 제1바디(522)의 중앙에 형성되고, 하부 공급관(567)은 제2바디(524)의 중앙에 형성된다. 이에, 상부 공급 라인(564)은 제1바디(522)의 중앙에 결합되고, 하부 공급 라인(566)은 제2바디(524)의 중앙에 결합될 수 있다. 상부 공급 라인(564)에는 상부 공급 밸브(563)가 설치된다. 상부 공급 밸브(563)는 상부 공급 라인(564)을 통해 처리 공간(502)으로 공급되는 초임계 유체의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다. 하부 공급 라인(566)에는 하부 공급 밸브(568)가 설치된다. 하부 공급 밸브(568)는 하부 공급 라인(566)을 통해 처리 공간(502)으로 공급되는 초임계 유체의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다.The fluid supply unit 560 supplies cleaning fluid for substrate processing to the processing space 502 of the process chamber 520. According to one example, the fluid supply unit 560 has a main supply line 562, an upper supply line 564, and a lower supply line 566. The main supply line 562 is connected to a fluid source (not shown) to supply supercritical fluid to the processing space 502. The upper supply line 564 and lower supply line 566 branch from the main supply line 562. The upper supply line 564 is connected to the upper supply pipe 565. The lower supply line 566 is connected to the lower supply pipe 567. In one example, the upper supply pipe 565 is formed in the center of the first body 522, and the lower supply pipe 567 is formed in the center of the second body 524. Accordingly, the upper supply line 564 may be coupled to the center of the first body 522, and the lower supply line 566 may be coupled to the center of the second body 524. An upper supply valve 563 is installed in the upper supply line 564. The upper supply valve 563 controls whether and the supply flow rate of the supercritical fluid supplied to the processing space 502 through the upper supply line 564. A lower supply valve 568 is installed in the lower supply line 566. The lower supply valve 568 controls whether and the supply flow rate of the supercritical fluid supplied to the processing space 502 through the lower supply line 566.

배기 유닛(550)은, 배기관(551)과 배기 라인(552)을 포함한다. 일 예에서, 제2바디(524)에는 배기 라인(552)이 결합된다. 배기 라인(552)은 배기관(551)에 연결된다. 일 예에서, 배기관(551)은 제2바디(524)의 중앙에 형성될 수 있다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 라인(552)을 통해서 공정 챔버(520)의 외부로 배기된다. 배기 라인(552)에는 배기 밸브(555)가 설치된다. 배기 밸브(555)는 배기 라인(552)의 배기 여부를 조절한다.The exhaust unit 550 includes an exhaust pipe 551 and an exhaust line 552. In one example, an exhaust line 552 is coupled to the second body 524. The exhaust line 552 is connected to the exhaust pipe 551. In one example, the exhaust pipe 551 may be formed in the center of the second body 524. The supercritical fluid in the processing space 502 of the process chamber 520 is exhausted to the outside of the process chamber 520 through the exhaust line 552. An exhaust valve 555 is installed in the exhaust line 552. The exhaust valve 555 controls whether the exhaust line 552 is exhausted.

이하, 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타내는 도면이다.Hereinafter, the substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 8. 5 to 8 are diagrams sequentially showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 5에 도시된 바와 같이 개방 위치에 놓인 공정 챔버(520)로 기판(W)이 투입된다. 이후, 기판(W)이 공정 챔버(520) 내의 지지 유닛(580)에 놓이면 공정 챔버(520)가 폐쇄 위치로 이동된다. 이후, 지지 유닛(580)에 기판(W)이 놓이면, 공정 챔버(520)는 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동된다. 일 예에서, 도 6에 도시된 바와 같이 공정 챔버(520)가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 배기 밸브(555)가 개방된다. 일 예에서, 처리 공간(502)과 처리 공간(502)의 외부의 압력 차이에 의해 배기 라인(552)을 통해 처리 공간(502)이 배기된다. 이에, 처리 공간(502)의 부피가 감소하면서 발생하는 내부 압력에 따라 처리 공간(502) 내 공기가 배기 라인(552)을 통해 빠져나가도록 한다. 이에, 처리 공간(502) 또는 상부 공급 라인(564) 내에 공기가 잔존하지 않고 배기 라인(552)을 통해 빠져나가 이후에 처리 공간(502)으로 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 처리할 시에 공기 또는 공기가 머금은 수분이 기판(W)에 영향을 주는 것을 방지한다.First, as shown in FIG. 5 , the substrate W is introduced into the process chamber 520 in an open position. Thereafter, when the substrate W is placed on the support unit 580 within the process chamber 520, the process chamber 520 is moved to the closed position. Then, when the substrate W is placed on the support unit 580, the process chamber 520 is moved from the open position to the closed position. In one example, exhaust valve 555 is opened while process chamber 520 is moved from an open position to a closed position, as shown in FIG. 6 . In one example, the processing space 502 is exhausted through the exhaust line 552 due to a pressure difference between the processing space 502 and the outside of the processing space 502 . Accordingly, the air within the processing space 502 is allowed to escape through the exhaust line 552 according to the internal pressure generated as the volume of the processing space 502 decreases. Accordingly, no air remains in the processing space 502 or the upper supply line 564, but escapes through the exhaust line 552 and later supplies the supercritical fluid to the processing space 502 to process the substrate W. It prevents air or moisture contained in the air from affecting the substrate (W).

일 예에서, 공정 챔버(520)를 폐쇄 위치로 이동시키는 동안 처리 공간(502) 내로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 이에, 공정 챔버(520)를 폐쇄하는 동안 배기 라인(552)을 통해 처리 공간(502) 내의 공기가 원활히 빠져나갈 수 있도록 한다. 또한 처리 공간(502) 내의 분위기가 초임계 유체로 신속하게 변경될 수 있도록한다. 일 예에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(520)가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동될 때에, 배기 밸브(555)가 개방되는 동시에 상부 공급 밸브(563)가 개방될 수 있다. 일 예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(520)가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동될 때에, 배기 밸브(555)가 개방되는 동시에 상부 공급 밸브(563) 그리고 하부 공급 밸브(568)가 개방될 수 있다.In one example, supercritical fluid may be supplied into the processing space 502 while moving the process chamber 520 to a closed position. Accordingly, while the process chamber 520 is closed, the air in the processing space 502 is allowed to smoothly escape through the exhaust line 552. It also allows the atmosphere within the processing space 502 to be quickly changed to a supercritical fluid. In one example, as shown in FIG. 7 , when the process chamber 520 is moved from an open position to a closed position, the upper supply valve 563 may open at the same time that the exhaust valve 555 opens. In one example, as shown in FIG. 8 , when process chamber 520 is moved from an open position to a closed position, exhaust valve 555 opens while upper supply valve 563 and lower supply valve 568 open. can be opened.

상술한 예에서는, 제2바디(524)에 형성된 배기관을 통해 처리 공간(502)이 배기되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 도 9에 도시된 바와 같이, 배기관은 처리 공간(502)의 측면에 제공될 수 있다.In the above-described example, it was explained that the processing space 502 is exhausted through an exhaust pipe formed in the second body 524. However, alternatively, as shown in FIG. 9 , an exhaust pipe may be provided on the side of the processing space 502 .

상술한 예에서는, 처리 공간(502)과 처리 공간(502)의 외부의 압력 차이에 의해 배기 라인(552)을 통해 처리 공간(502)이 배기되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 배기 라인(552)에는 감압 부재가 제공될 수 있다.In the above example, it was explained that the processing space 502 is exhausted through the exhaust line 552 due to a pressure difference between the processing space 502 and the outside of the processing space 502 . However, alternatively, the exhaust line 552 may be provided with a pressure reducing member.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. Additionally, the foregoing is intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

Claims (12)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 공정 챔버를 개방 위치 또는 폐쇄 위치로 이동시키는 구동기와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 처리 공간으로 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
상기 구동기, 상기 유체 공급 유닛 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 배기 유닛은,
상기 공정 챔버에 형성되는 배기관과;
상기 배기관에 결합되는 배기라인과;
상기 배기라인에 설치되어 상기 유체의 배출 여부를 조절하는 배기 밸브를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 공정 챔버가 상기 개방 위치에서 상기 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 배기 밸브가 개방되도록 상기 구동기 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
a process chamber having a first body and a second body combined with each other to form a processing space within which a substrate is processed;
a driver that moves the process chamber to an open or closed position;
a support unit supporting a substrate within the processing space;
a fluid supply unit supplying fluid to the processing space;
an exhaust unit exhausting the processing space;
It includes a controller that controls the driver, the fluid supply unit, and the exhaust unit,
The exhaust unit is,
an exhaust pipe formed in the process chamber;
an exhaust line coupled to the exhaust pipe;
An exhaust valve installed in the exhaust line to control whether to discharge the fluid,
The controller is,
A substrate processing apparatus that controls the driver and the exhaust unit to open the exhaust valve while the process chamber is moved from the open position to the closed position. 제1항에 있어서,
상기 배기 유닛은,
상기 배기라인에 설치되어 상기 처리 공간을 감압하는 감압 유닛을 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 공정 챔버가 상기 개방 위치에서 상기 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 감압 유닛이 상기 처리 공간을 감압하도록 상기 구동기 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The exhaust unit is,
It further includes a pressure reducing unit installed in the exhaust line to depressurize the processing space,
The controller is,
A substrate processing apparatus wherein the depressurizing unit controls the driver and the exhaust unit to depressurize the processing space while the process chamber is moved from the open position to the closed position. 제1항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 공정 챔버가 상기 개방 위치에서 상기 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 유체 공급 유닛이 상기 처리 공간 내로 상기 유체를 공급하도록 상기 구동기, 상기 유체 공급 유닛 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The controller is,
A substrate processing apparatus wherein the fluid supply unit controls the driver, the fluid supply unit, and the exhaust unit to supply the fluid into the processing space while the process chamber is moved from the open position to the closed position. 제3항에 있어서,
상기 유체 공급 유닛은,
상기 공정 챔버에 형성되는 공급관과;
상기 공급관에 결합되어 유체 공급원으로부터 상기 유체를 공급하는 공급라인을 포함하고,
상기 공급관 그리고 상기 배기관은 상기 제1바디 또는 상기 제2바디 중 적어도 어느 하나에 제공되는 기판 처리 장치. According to paragraph 3,
The fluid supply unit,
a supply pipe formed in the process chamber;
It includes a supply line coupled to the supply pipe to supply the fluid from a fluid source,
The supply pipe and the exhaust pipe are provided in at least one of the first body and the second body. 제4항에 있어서,
상기 공급관은 상기 제1바디에 제공되고,
상기 배기관은 상기 제2바디에 제공되는 기판 처리 장치.According to paragraph 4,
The supply pipe is provided in the first body,
The exhaust pipe is a substrate processing device provided in the second body. 제5항에 있어서,
상기 제1바디는 상기 제2바디의 상부에 제공되는 기판 처리 장치.According to clause 5,
The first body is a substrate processing device provided on top of the second body. 제6항에 있어서,
상기 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 상기 지지 유닛에 지지되는 기판 처리 장치.According to clause 6,
A substrate processing apparatus in which the substrate is supported on the support unit with the pattern surface facing upward. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유체는 초임계 유체로 제공되는 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 to 7,
A substrate processing device wherein the fluid is a supercritical fluid. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
공정 챔버 내의 처리 공간으로 유체를 공급하여 상기 유체로 기판을 처리하되,
상기 공정 챔버 내로 상기 기판이 투입된 이후에,
상기 공정 챔버 내부의 부피가 감소되는 동안 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
A fluid is supplied to the processing space within the process chamber to process the substrate with the fluid,
After the substrate is introduced into the process chamber,
A substrate processing method that evacuates the processing space while reducing the volume inside the process chamber. 제9항에 있어서,
상기 공정 챔버가 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법.According to clause 9,
A method of processing a substrate, wherein the processing space is evacuated while the process chamber is moved from an open position to a closed position. 제10항에 있어서,
상기 공정 챔버가 상기 개방 위치에서 상기 폐쇄 위치로 이동되는 동안 상기 처리 공간 내로 상기 유체를 공급하는 기판 처리 방법.According to clause 10,
A method of processing a substrate, supplying the fluid into the processing space while the process chamber is moved from the open position to the closed position. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유체는 초임계 유체로 제공되는 기판 처리 방법.


According to any one of claims 9 to 11,
A substrate processing method in which the fluid is provided as a supercritical fluid.
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