以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the configuration shown in the drawings attached to the present specification may include parts in which the size, scale, etc. are changed from those of the actual product for the convenience of illustration and comprehension.
［洗浄処理システムの構成］
図１は、洗浄処理システム１の全体構成を示す横断平面図である。
[Cleaning system configuration]
FIG. 1 is a cross-sectional plan view showing the overall configuration of the cleaning processing system 1.
洗浄処理システム１は、ウエハＷに洗浄液を供給して洗浄処理を行う複数の洗浄装置２（図１に示す例では２台の洗浄装置２）と、洗浄処理後のウエハＷに残留している乾燥防止用の液体（本実施形態ではＩＰＡ：イソプロピルアルコール）を、超臨界状態の処理流体（本実施形態ではＣＯ２：二酸化炭素）と接触させて除去する複数の超臨界処理装置３（図１に示す例では２台の超臨界処理装置３）と、を備える。
The cleaning treatment system 1 remains on the plurality of cleaning devices 2 (two cleaning devices 2 in the example shown in FIG. 1) that supply the cleaning liquid to the wafer W to perform the cleaning treatment, and the wafer W after the cleaning treatment. A plurality of supercritical processing devices 3 (FIG. 1) for removing a liquid for preventing drying (IPA: isopropyl alcohol in this embodiment) by contacting it with a processing fluid in a supercritical state (CO 2 : carbon dioxide in this embodiment). In the example shown in the above, two supercritical processing devices 3) are provided.
この洗浄処理システム１では、載置部１１にＦＯＵＰ１００が載置され、このＦＯＵＰ１００に格納されたウエハＷが、搬入出部１２及び受け渡し部１３を介して洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５に受け渡される。洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５において、ウエハＷは、まず洗浄処理部１４に設けられた洗浄装置２に搬入されて洗浄処理を受け、その後、超臨界処理部１５に設けられた超臨界処理装置３に搬入されてウエハＷ上からＩＰＡを除去する乾燥処理を受ける。図１中、符合「１２１」はＦＯＵＰ１００と受け渡し部１３との間でウエハＷを搬送する第１の搬送機構を示し、符合「１３１」は搬入出部１２と洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５との間で搬送されるウエハＷが一時的に載置されるバッファとしての役割を果たす受け渡し棚を示す。
In this cleaning processing system 1, the FOUP 100 is mounted on the mounting unit 11, and the wafer W stored in the FOUP 100 is transferred to the cleaning processing unit 14 and the supercritical processing unit 15 via the loading / unloading unit 12 and the delivery unit 13. Delivered. In the cleaning processing unit 14 and the supercritical processing unit 15, the wafer W is first carried into the cleaning device 2 provided in the cleaning processing unit 14 to undergo the cleaning treatment, and then the supercritical processing unit 15 is provided. It is carried into the processing device 3 and undergoes a drying process for removing the IPA from the wafer W. In FIG. 1, the code "121" indicates a first transport mechanism for transporting the wafer W between the FOUP 100 and the transfer unit 13, and the code "131" indicates a loading / unloading unit 12, a cleaning processing unit 14, and a supercritical processing unit. A delivery shelf that serves as a buffer on which the wafer W transported to and from 15 is temporarily placed is shown.
受け渡し部１３の開口部にはウエハ搬送路１６２が接続されており、ウエハ搬送路１６２に沿って洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５が設けられている。洗浄処理部１４には、当該ウエハ搬送路１６２を挟んで洗浄装置２が１台ずつ配置されており、合計２台の洗浄装置２が設置されている。一方、超臨界処理部１５には、ウエハＷからＩＰＡを除去する乾燥処理を行う基板処理装置として機能する超臨界処理装置３が、ウエハ搬送路１６２を挟んで１台ずつ配置されており、合計２台の超臨界処理装置３が設置されている。ウエハ搬送路１６２には第２の搬送機構１６１が配置されており、第２の搬送機構１６１は、ウエハ搬送路１６２内を移動可能に設けられている。受け渡し棚１３１に載置されたウエハＷは第２の搬送機構１６１によって受け取られ、第２の搬送機構１６１は、ウエハＷを洗浄装置２及び超臨界処理装置３に搬入する。なお、洗浄装置２及び超臨界処理装置３の数及び配置態様は特に限定されず、単位時間当たりのウエハＷの処理枚数及び各洗浄装置２及び各超臨界処理装置３の処理時間等に応じて、適切な数の洗浄装置２及び超臨界処理装置３が適切な態様で配置される。
A wafer transfer path 162 is connected to the opening of the transfer section 13, and a cleaning process section 14 and a supercritical process section 15 are provided along the wafer transfer path 162. In the cleaning processing unit 14, one cleaning device 2 is arranged so as to sandwich the wafer transfer path 162, and a total of two cleaning devices 2 are installed. On the other hand, in the supercritical processing unit 15, supercritical processing devices 3 functioning as substrate processing devices for performing drying processing for removing IPA from the wafer W are arranged one by one with the wafer transfer path 162 in between. Two supercritical processing devices 3 are installed. A second transfer mechanism 161 is arranged in the wafer transfer path 162, and the second transfer mechanism 161 is provided so as to be movable in the wafer transfer path 162. The wafer W placed on the delivery shelf 131 is received by the second transfer mechanism 161 and the second transfer mechanism 161 carries the wafer W into the cleaning device 2 and the supercritical processing device 3. The number and arrangement of the cleaning device 2 and the supercritical processing device 3 are not particularly limited, and depend on the number of wafers W processed per unit time, the processing time of each cleaning device 2 and each supercritical processing device 3, and the like. , An appropriate number of cleaning devices 2 and supercritical processing devices 3 are arranged in an appropriate manner.
洗浄装置２は、例えばスピン洗浄によってウエハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の装置として構成される。この場合、ウエハＷを水平に保持した状態で鉛直軸線周りに回転させながら、洗浄用の薬液や薬液を洗い流すためのリンス液をウエハＷの処理面に対して適切なタイミングで供給することで、ウエハＷの洗浄処理を行うことができる。洗浄装置２で用いられる薬液及びリンス液は特に限定されない。例えば、アルカリ性の薬液であるＳＣ１液（すなわちアンモニアと過酸化水素水の混合液）をウエハＷに供給し、ウエハＷからパーティクルや有機性の汚染物質を除去することができる。その後、リンス液である脱イオン水（ＤＩＷ：DeIonized Water）をウエハＷに供給し、ＳＣ１液をウエハＷから洗い流すことができる。さらに、酸性の薬液である希フッ酸水溶液（ＤＨＦ：Diluted HydroFluoric acid）をウエハＷに供給して自然酸化膜を除去し、その後、ＤＩＷをウエハＷに供給して希フッ酸水溶液をウエハＷから洗い流すこともできる。
The cleaning device 2 is configured as a single-wafer type device that cleans the wafers W one by one by, for example, spin cleaning. In this case, while the wafer W is held horizontally and rotated around the vertical axis, the chemical solution for cleaning and the rinse solution for washing away the chemical solution are supplied to the processing surface of the wafer W at an appropriate timing. The wafer W can be washed. The chemical solution and rinse solution used in the cleaning device 2 are not particularly limited. For example, an alkaline chemical solution SC1 (that is, a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide solution) can be supplied to the wafer W to remove particles and organic contaminants from the wafer W. After that, deionized water (DIW: DeIonized Water) which is a rinsing liquid can be supplied to the wafer W, and the SC1 liquid can be washed away from the wafer W. Further, a diluted hydrofluoric acid (DHF), which is an acidic chemical solution, is supplied to the wafer W to remove the natural oxide film, and then DIW is supplied to the wafer W to supply the diluted hydrofluoric acid aqueous solution from the wafer W. It can also be washed away.
そして洗浄装置２は、ＤＩＷによるリンス処理を終えたら、ウエハＷを回転させながら、乾燥防止用の液体としてＩＰＡをウエハＷに供給し、ウエハＷの処理面に残存するＤＩＷをＩＰＡと置換する。その後、ウエハＷの回転を緩やかに停止する。このとき、ウエハＷには十分量のＩＰＡが供給され、半導体のパターンが形成されたウエハＷの表面はＩＰＡが液盛りされた状態となり、ウエハＷの表面にはＩＰＡの液膜が形成される。ウエハＷは、ＩＰＡが液盛りされた状態を維持しつつ、第２の搬送機構１６１によって洗浄装置２から搬出される。
Then, after the rinsing treatment by the DIW is completed, the cleaning apparatus 2 supplies the IPA as a liquid for preventing drying to the wafer W while rotating the wafer W, and replaces the DIW remaining on the processed surface of the wafer W with the IPA. After that, the rotation of the wafer W is gently stopped. At this time, a sufficient amount of IPA is supplied to the wafer W, the surface of the wafer W on which the semiconductor pattern is formed is in a state of being filled with IPA, and a liquid film of IPA is formed on the surface of the wafer W. .. The wafer W is carried out from the cleaning device 2 by the second transfer mechanism 161 while maintaining the state in which the IPA is filled with liquid.
このようにしてウエハＷの表面に付与されたＩＰＡは、ウエハＷの乾燥を防ぐ役割を果たす。特に、洗浄装置２から超臨界処理装置３へのウエハＷの搬送中におけるＩＰＡの蒸発によってウエハＷに所謂パターン倒れが生じてしまうことを防ぐため、洗浄装置２は、比較的大きな厚みを有するＩＰＡ膜がウエハＷの表面に形成されるように、十分な量のＩＰＡをウエハＷに付与する。
The IPA thus applied to the surface of the wafer W plays a role of preventing the wafer W from drying. In particular, in order to prevent the so-called pattern collapse of the wafer W due to the evaporation of the IPA during the transfer of the wafer W from the cleaning device 2 to the supercritical processing device 3, the cleaning device 2 has a relatively large thickness. A sufficient amount of IPA is applied to the wafer W so that the film is formed on the surface of the wafer W.
洗浄装置２から搬出されたウエハＷは、第２の搬送機構１６１によって、ＩＰＡが液盛りされた状態で超臨界処理装置３の処理容器内に搬入され、超臨界処理装置３においてＩＰＡの乾燥処理が行われる。
The wafer W carried out from the cleaning device 2 is carried into the processing container of the supercritical processing device 3 in a state where the IPA is filled with liquid by the second transport mechanism 161 and is dried by the supercritical processing device 3. Is done.
［超臨界処理装置］
次に、超臨界処理装置（基板処理装置）３で行われる超臨界流体を用いた乾燥処理の詳細について説明する。まず、超臨界処理装置３においてウエハＷが搬入される処理容器の構成例を説明する。
[Supercritical processing equipment]
Next, the details of the drying process using the supercritical fluid performed by the supercritical processing device (board processing device) 3 will be described. First, a configuration example of a processing container into which the wafer W is carried in the supercritical processing apparatus 3 will be described.
図２は、超臨界処理装置３の処理容器３０１の一例を示す外観斜視図であり、図３は、処理容器３０１の一例を示す断面図である。
FIG. 2 is an external perspective view showing an example of the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the processing container 301.
処理容器３０１は、ウエハＷを収容するとともに、ウエハＷに対して超臨界流体等の高圧の処理流体を用いて処理を行うものである。この処理容器３０１は、ウエハＷを収容する筐体状の容器本体３１１と、容器本体３１１内にウエハＷを搬入および搬出するための搬送口３１２と、処理対象のウエハＷを横向きに保持する保持板３１６と、この保持板３１６を支持するとともに、ウエハＷを容器本体３１１内に搬入したとき搬送口３１２を密閉する第１蓋部材３１５とを備えている。また、容器本体３１１のうち、搬送口３１２とは異なる位置に、メンテナンス用開口（開口）３２１が設けられている。このメンテナンス用開口３２１は、メンテナンス時等を除き、第２蓋部材３２２によって塞がれている。
The processing container 301 accommodates the wafer W and processes the wafer W with a high-pressure processing fluid such as a supercritical fluid. The processing container 301 includes a housing-shaped container body 311 for accommodating the wafer W, a transport port 312 for loading and unloading the wafer W into the container body 311 and holding the wafer W to be processed sideways. It is provided with a plate 316 and a first lid member 315 that supports the holding plate 316 and seals the transport port 312 when the wafer W is carried into the container body 311. Further, a maintenance opening (opening) 321 is provided at a position different from the transport port 312 in the container main body 311. The maintenance opening 321 is closed by the second lid member 322 except during maintenance and the like.
容器本体３１１は、ウエハＷを収容するとともに、ウエハＷに対して処理流体を用いた処理を行うものである。容器本体３１１は、例えば直径３００ｍｍのウエハＷを収容可能な処理空間３１９が内部に形成された容器である。上述した搬送口３１２及びメンテナンス用開口３２１（例えば搬送口３１２と同等の大きさ及び形状の開口）は、処理空間３１９の両端にそれぞれ形成され、ともに処理空間３１９に連通している。
The container body 311 accommodates the wafer W and processes the wafer W with a processing fluid. The container body 311 is a container in which, for example, a processing space 319 capable of accommodating a wafer W having a diameter of 300 mm is formed. The above-mentioned transport port 312 and maintenance opening 321 (for example, an opening having the same size and shape as the transport port 312) are formed at both ends of the processing space 319, and both communicate with the processing space 319.
また、容器本体３１１のうち搬送口３１２側の壁部には、排出ポート３１４が設けられている。排出ポート３１４は、処理容器３０１の下流側に設けられる、処理流体を流通させるための排出側供給ライン６５（図６参照）に接続されている。なお、図２には２つの排出ポート３１４が図示されているが、排出ポート３１４の数は特に限定されない。
Further, a discharge port 314 is provided on the wall portion of the container body 311 on the transport port 312 side. The discharge port 314 is connected to a discharge side supply line 65 (see FIG. 6) for circulating the treatment fluid, which is provided on the downstream side of the treatment container 301. Although two discharge ports 314 are shown in FIG. 2, the number of discharge ports 314 is not particularly limited.
搬送口３１２の上側及び下側にそれぞれ位置する第１上側ブロック３１２ａ及び第１下側ブロック３１２ｂには、それぞれ後述する第１ロックプレート３２７を嵌入するための嵌入孔３２５、３２３が形成されている。各嵌入孔３２５、３２３は、それぞれ第１上側ブロック３１２ａ及び第１下側ブロック３１２ｂを上下方向（ウエハＷの面に対して垂直な方向）に貫通している。
Fitting holes 325 and 323 for fitting the first lock plate 327, which will be described later, are formed in the first upper block 312a and the first lower block 312b located on the upper side and the lower side of the transport port 312, respectively. .. The fitting holes 325 and 323 penetrate the first upper block 312a and the first lower block 312b in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the wafer W), respectively.
保持板３１６は、ウエハＷを保持した状態で容器本体３１１の処理空間３１９内に水平な状態で配置可能に構成された薄い板状の部材であり、第１蓋部材３１５に連結されている。なお、保持板３１６の第１蓋部材３１５側には排出口３１６ａが設けられている。
The holding plate 316 is a thin plate-shaped member configured to be horizontally arranged in the processing space 319 of the container main body 311 while holding the wafer W, and is connected to the first lid member 315. A discharge port 316a is provided on the first lid member 315 side of the holding plate 316.
容器本体３１１のうち、手前側（Ｙ方向マイナス側）の領域には、第１蓋部材収容空間３２４が形成されている。第１蓋部材３１５は、保持板３１６を処理容器３０１内に搬入してウエハＷに対して超臨界処理を行う際、第１蓋部材収容空間３２４に収容される。この場合、第１蓋部材３１５は、搬送口３１２を塞いで処理空間３１９を密閉する。
A first lid member accommodating space 324 is formed in a region on the front side (minus side in the Y direction) of the container body 311. The first lid member 315 is accommodated in the first lid member accommodating space 324 when the holding plate 316 is carried into the processing container 301 and the wafer W is subjected to supercritical treatment. In this case, the first lid member 315 closes the transport port 312 to seal the processing space 319.
第１ロックプレート３２７は、処理容器３０１の手前側に設けられている。この第１ロックプレート３２７は、保持板３１６を処理位置まで移動させたとき、第１蓋部材３１５が容器本体３１１内の圧力によって移動することを規制する規制部材としての役割を果たす。この第１ロックプレート３２７は、第１下側ブロック３１２ｂの嵌入孔３２３、及び第１上側ブロック３１２ａの嵌入孔３２５に嵌入される。このとき、第１ロックプレート３２７が閂としての役割を果たすため、第１蓋部材３１５及び保持板３１６は、その前後方向（図２及び図３中Ｙ方向）の移動が規制される。そして、第１ロックプレート３２７は、嵌入孔３２３、３２５に嵌入されて第１蓋部材３１５を押さえるロック位置と、このロック位置から下方側に退避して第１蓋部材３１５を開放する開放位置との間で、昇降機構３２６により上下方向に移動する。この例では、第１ロックプレート３２７と嵌入孔３２３、３２５と昇降機構３２６とにより、第１蓋部材３１５が容器本体３１１内の圧力により移動することを規制する規制機構が構成されている。なお嵌入孔３２３、３２５には、それぞれ第１ロックプレート３２７を挿脱するために必要なマージンが設けられているので、嵌入孔３２３、３２５とロック位置にある第１ロックプレート３２７との間には僅かな隙間Ｃ１（図３）が形成されている。なお、図示の便宜上、図３では隙間Ｃ１を誇張して描いている。
The first lock plate 327 is provided on the front side of the processing container 301. The first lock plate 327 serves as a regulating member that regulates the movement of the first lid member 315 by the pressure inside the container body 311 when the holding plate 316 is moved to the processing position. The first lock plate 327 is fitted into the fitting hole 323 of the first lower block 312b and the fitting hole 325 of the first upper block 312a. At this time, since the first lock plate 327 serves as a bar, the movement of the first lid member 315 and the holding plate 316 in the front-rear direction (Y direction in FIGS. 2 and 3) is restricted. The first lock plate 327 has a lock position that is fitted into the fitting holes 323 and 325 to hold the first lid member 315, and an open position that retracts downward from this lock position to open the first lid member 315. It moves in the vertical direction by the elevating mechanism 326. In this example, the first lock plate 327, the fitting holes 323, 325, and the elevating mechanism 326 constitute a regulating mechanism that regulates the movement of the first lid member 315 by the pressure inside the container body 311. Since the fitting holes 323 and 325 are provided with margins necessary for inserting and removing the first lock plate 327, respectively, there is a margin between the fitting holes 323 and 325 and the first lock plate 327 in the locked position. Is formed with a slight gap C1 (FIG. 3). For convenience of illustration, the gap C1 is exaggerated in FIG.
メンテナンス用開口３２１は、容器本体３１１の壁面であって、搬送口３１２に対向する位置に設けられている。このようにメンテナンス用開口３２１と搬送口３１２とが対向することにより、第１蓋部材３１５及び第２蓋部材３２２によって容器本体３１１を密閉した際、処理空間３１９の圧力が、容器本体３１１の内面に略均等に加わる。このため、容器本体３１１の特定の箇所に応力が集中することが防止される。しかしながら、メンテナンス用開口３２１は、搬送口３１２に対向する位置以外の箇所、例えばウエハＷの進行方向（Ｙ方向）に対して側方の壁面に設けられていても良い。
The maintenance opening 321 is a wall surface of the container main body 311 and is provided at a position facing the transport port 312. When the container body 311 is sealed by the first lid member 315 and the second lid member 322 by facing the maintenance opening 321 and the transport port 312 in this way, the pressure of the processing space 319 is applied to the inner surface of the container body 311. Add to almost evenly. Therefore, it is possible to prevent stress from concentrating on a specific portion of the container body 311. However, the maintenance opening 321 may be provided on a wall surface on the side of a position other than the position facing the transport port 312, for example, the traveling direction (Y direction) of the wafer W.
第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂは、それぞれメンテナンス用開口３２１の上側及び下側に位置している。この第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂには、それぞれ第２ロックプレート３３７を嵌入させるための嵌入孔３３５、３３３が形成されている。各嵌入孔３３５、３３３は、それぞれ第２上側ブロック３２１ａ及び第２下側ブロック３２１ｂを上下方向（ウエハＷの面に対して垂直な方向、Ｚ方向）に貫通している。
The second upper block 321a and the second lower block 321b are located on the upper side and the lower side of the maintenance opening 321 respectively. Fitting holes 335 and 333 for fitting the second lock plate 337 are formed in the second upper block 321a and the second lower block 321b, respectively. Each of the fitting holes 335 and 333 penetrates the second upper block 321a and the second lower block 321b in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the wafer W, Z direction), respectively.
容器本体３１１のうち、奥側（Ｙ方向プラス側）の領域には、第２蓋部材収容空間３３４が形成されている。第２蓋部材３２２は、メンテナンス時等を除き、第２蓋部材収容空間３３４に収容されるとともに、メンテナンス用開口３２１を塞ぐ。また、第２蓋部材３２２には、供給ポート３１３が設けられている。供給ポート３１３は、処理容器３０１の上流側に設けられ、処理流体を流通させるための第１供給ライン６３（図６参照）に接続されている。なお、図２には２つの供給ポート３１３が図示されているが、供給ポート３１３の数は特に限定されない。
A second lid member accommodating space 334 is formed in a region on the back side (plus side in the Y direction) of the container body 311. The second lid member 322 is accommodated in the second lid member accommodating space 334 and closes the maintenance opening 321 except during maintenance. Further, the second lid member 322 is provided with a supply port 313. The supply port 313 is provided on the upstream side of the processing container 301 and is connected to a first supply line 63 (see FIG. 6) for circulating the processing fluid. Although two supply ports 313 are shown in FIG. 2, the number of supply ports 313 is not particularly limited.
第２ロックプレート３３７は、第２蓋部材３２２が容器本体３１１内の圧力によって移動することを規制する規制部材としての役割を果たす。この第２ロックプレート３３７は、メンテナンス用開口３２１の周囲の嵌入孔３３３、３３５に嵌入される。このとき、第２ロックプレート３３７が閂としての役割を果たすため、第２蓋部材３２２は、その前後方向（Ｙ方向）の移動が規制される。そして、第２ロックプレート３３７は、嵌入孔３３３、３３５に嵌入されて第２蓋部材３２２を押さえるロック位置と、このロック位置から下方側に退避して第２蓋部材３２２を開放する開放位置との間で、上下方向に移動するように構成されている。本実施形態において、第２ロックプレート３３７は、手動で移動されるようになっているが、昇降機構３２６と略同様の昇降機構を設け、自動で移動させても良い。なお嵌入孔３３３、３３５には、第２ロックプレート３３７を挿脱するために必要なマージンが設けられているので、嵌入孔３３３、３３５とロック位置にある第２ロックプレート３３７との間には僅かな隙間Ｃ２（図３）が形成されている。なお、図示の便宜上、図３では隙間Ｃ２を誇張して描いている。
The second lock plate 337 serves as a regulating member that regulates the movement of the second lid member 322 by the pressure inside the container body 311. The second lock plate 337 is fitted into the fitting holes 333 and 335 around the maintenance opening 321. At this time, since the second lock plate 337 serves as a bar, the movement of the second lid member 322 in the front-rear direction (Y direction) is restricted. The second lock plate 337 is fitted into the fitting holes 333 and 335 to hold the second lid member 322, and the second lock plate 337 is retracted downward from the lock position to open the second lid member 322. It is configured to move up and down between. In the present embodiment, the second lock plate 337 is manually moved, but an elevating mechanism substantially similar to the elevating mechanism 326 may be provided and automatically moved. Since the fitting holes 333 and 335 are provided with a margin necessary for inserting and removing the second lock plate 337, there is a gap between the fitting holes 333 and 335 and the second lock plate 337 at the locked position. A slight gap C2 (FIG. 3) is formed. For convenience of illustration, the gap C2 is exaggerated in FIG.
本実施形態において、第２蓋部材３２２は、第１供給ライン６３に接続され、第２蓋部材３２２には多数の開孔３３２が設けられている。この第２蓋部材３２２は、第１供給ライン６３からの処理流体を容器本体３１１の内部に供給する流体供給ヘッダーとしての役割を果たす。これにより、メンテナンス時に第２蓋部材３２２を取り外した際、開孔３３２の清掃等のメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、容器本体３１１内の搬送口３１２側の壁部には、排出ポート３１４に連通する流体排出ヘッダー３１８が設けられている。この流体排出ヘッダー３１８にも多数の開孔が設けられている。
In the present embodiment, the second lid member 322 is connected to the first supply line 63, and the second lid member 322 is provided with a large number of openings 332. The second lid member 322 serves as a fluid supply header that supplies the processing fluid from the first supply line 63 to the inside of the container body 311. As a result, when the second lid member 322 is removed during maintenance, maintenance work such as cleaning of the opening 332 can be easily performed. Further, a fluid discharge header 318 communicating with the discharge port 314 is provided on the wall portion of the container body 311 on the transport port 312 side. The fluid discharge header 318 is also provided with a large number of openings.
第２蓋部材３２２及び流体排出ヘッダー３１８は相互に対向するように設置されている。流体供給部として機能する第２蓋部材３２２は、実質的に水平方向へ向けて処理流体を容器本体３１１内に供給する。ここでいう水平方向とは、重力が作用する鉛直方向と垂直な方向であって、通常は、保持板３１６に保持されたウエハＷの平坦な表面が延在する方向と平行な方向である。容器本体３１１内の流体を排出する流体排出部として機能する流体排出ヘッダー３１８は、容器本体３１１内の流体を、保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通り、容器本体３１１外に導いて排出する。流体排出ヘッダー３１８を介して容器本体３１１外に排出される流体には、第２蓋部材３２２を介して容器本体３１１内に供給された処理流体の他に、ウエハＷの表面から処理流体に溶け込んだＩＰＡが含まれる。このように第２蓋部材３２２の開孔３３２から容器本体３１１内に処理流体を供給することにより、また流体排出ヘッダー３１８の開孔を介して流体を容器本体３１１内から排出することにより、容器本体３１１内には、ウエハＷの表面と略平行に流動する処理流体の層流が形成される。
The second lid member 322 and the fluid discharge header 318 are installed so as to face each other. The second lid member 322, which functions as a fluid supply unit, supplies the processing fluid into the container body 311 in a substantially horizontal direction. The horizontal direction referred to here is a direction perpendicular to the vertical direction on which gravity acts, and is usually a direction parallel to the direction in which the flat surface of the wafer W held by the holding plate 316 extends. The fluid discharge header 318, which functions as a fluid discharge unit for discharging the fluid in the container body 311, guides the fluid in the container body 311 to the outside of the container body 311 through the discharge port 316a provided in the holding plate 316 and discharges the fluid. do. The fluid discharged to the outside of the container body 311 via the fluid discharge header 318 is dissolved in the processing fluid from the surface of the wafer W in addition to the processing fluid supplied into the container body 311 via the second lid member 322. However, IPA is included. By supplying the processing fluid into the container body 311 from the opening 332 of the second lid member 322 and by discharging the fluid from the inside of the container body 311 through the opening of the fluid discharge header 318 in this way, the container A laminar flow of the processing fluid that flows substantially parallel to the surface of the wafer W is formed in the main body 311.
また、容器本体３１１のうち搬送口３１２側の側面とメンテナンス用開口３２１側の側面とには、それぞれ真空吸引管３４８、３４９が接続されている。真空吸引管３４８、３４９は、それぞれ容器本体３１１のうち第１蓋部材収容空間３２４側の面と第２蓋部材収容空間３３４側の面とに連通している。この真空吸引管３４８、３４９は、それぞれ真空吸引力により第１蓋部材３１５及び第２蓋部材３２２を容器本体３１１側に引き付ける役割を果たす。
Further, vacuum suction pipes 348 and 349 are connected to the side surface of the container body 311 on the transport port 312 side and the side surface on the maintenance opening 321 side, respectively. The vacuum suction pipes 348 and 349 communicate with the surface of the container body 311 on the side of the first lid member accommodating space 324 and the surface of the container body 311 on the side of the second lid member accommodating space 334, respectively. The vacuum suction pipes 348 and 349 play a role of attracting the first lid member 315 and the second lid member 322 to the container body 311 side by the vacuum suction force, respectively.
また、容器本体３１１の底面には、処理流体を容器本体３１１の内部に供給する底面側流体供給部３４１が形成されている。底面側流体供給部３４１は、容器本体３１１内に高圧流体を供給する第２供給ライン６４（図６参照）に接続されている。底面側流体供給部３４１は、実質的に下方から上方に向けて処理流体を容器本体３１１内に供給する。底面側流体供給部３４１から供給された処理流体は、ウエハＷの裏面から保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通ってウエハＷの表面に回り込み、第２蓋部材３２２からの処理流体とともに、保持板３１６に設けられた排出口３１６ａを通って流体排出ヘッダー３１８から排出される。底面側流体供給部３４１の位置は、例えば容器本体３１１内に導入されたウエハＷの下方とすることが好ましく、ウエハＷの中心部の下方とすることが更に好ましい。このことにより、底面側流体供給部３４１からの処理流体をウエハＷの表面に均一に回り込ませることができる。
Further, a bottom surface side fluid supply unit 341 for supplying the processing fluid to the inside of the container body 311 is formed on the bottom surface of the container body 311. The bottom surface side fluid supply unit 341 is connected to a second supply line 64 (see FIG. 6) that supplies high-pressure fluid into the container body 311. The bottom surface side fluid supply unit 341 supplies the processing fluid into the container body 311 from substantially downward to upward. The processing fluid supplied from the bottom surface side fluid supply unit 341 wraps around the surface of the wafer W from the back surface of the wafer W through the discharge port 316a provided on the holding plate 316, and together with the processing fluid from the second lid member 322. The fluid is discharged from the fluid discharge header 318 through the discharge port 316a provided in the holding plate 316. The position of the bottom surface side fluid supply unit 341 is preferably, for example, below the wafer W introduced into the container body 311 and more preferably below the center of the wafer W. As a result, the processing fluid from the bottom surface side fluid supply unit 341 can be uniformly circulated around the surface of the wafer W.
図３に示すように、容器本体３１１の上下両面には、例えばテープヒーターなどの抵抗発熱体からなるヒーター３４５が設けられている。ヒーター３４５は、電源部３４６と接続されており、電源部３４６の出力を増減して、容器本体３１１及び処理空間３１９の温度を例えば１００℃～３００℃の範囲に維持することができる。
As shown in FIG. 3, heaters 345 made of a resistance heating element such as a tape heater are provided on both the upper and lower surfaces of the container body 311. The heater 345 is connected to the power supply unit 346, and the output of the power supply unit 346 can be increased or decreased to maintain the temperature of the container body 311 and the processing space 319 in the range of, for example, 100 ° C. to 300 ° C.
［メンテナンス用開口周辺の構成］
次に、図４及び図５を参照して、メンテナンス用開口３２１の周囲の構成について更に説明する。
[Structure around the opening for maintenance]
Next, with reference to FIGS. 4 and 5, the configuration around the maintenance opening 321 will be further described.
図４及び図５に示すように、第２蓋部材３２２のうち処理空間３１９側の側壁には、メンテナンス用開口３２１の周縁に対応する位置を取り囲むように凹部３２８が形成されている。この凹部３２８内にシール部材３２９を嵌め込むことにより、メンテナンス用開口３２１の周囲の側壁面に当接する第２蓋部材３２２側の側壁面にシール部材３２９が配置される。
As shown in FIGS. 4 and 5, a recess 328 is formed on the side wall of the second lid member 322 on the processing space 319 side so as to surround a position corresponding to the peripheral edge of the maintenance opening 321. By fitting the seal member 329 into the recess 328, the seal member 329 is arranged on the side wall surface on the second lid member 322 side that abuts on the side wall surface around the maintenance opening 321.
シール部材３２９は、メンテナンス用開口３２１を囲むことが可能なように環状に形成されている。また、シール部材３２９の断面形状はＵ字状となっている。図４及び図５に示したシール部材３２９においては、Ｕ字の切り欠き３２９ａは、環状のシール部材３２９の内周面に沿って形成されている。言い替えると、シール部材３２９には、Ｕ字状に囲まれた内部空間（切り欠き３２９ａ）が形成されていることになる。
The seal member 329 is formed in an annular shape so as to be able to surround the maintenance opening 321. Further, the cross-sectional shape of the seal member 329 is U-shaped. In the seal member 329 shown in FIGS. 4 and 5, the U-shaped notch 329a is formed along the inner peripheral surface of the annular seal member 329. In other words, the seal member 329 is formed with an internal space (notch 329a) surrounded by a U shape.
このシール部材３２９が設けられた第２蓋部材３２２を用いてメンテナンス用開口３２１の周囲を塞ぐことにより、シール部材３２９は、第２蓋部材３２２と処理空間３１９との間の隙間を塞ぐように、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との対向面の間に配置される。そして、この隙間は容器本体３１１内のメンテナンス用開口３２１の周りに形成されていることから、シール部材３２９の内周面に沿って形成された切り欠き３２９ａは、当該処理空間３１９と連通した状態となっている。
By closing the periphery of the maintenance opening 321 using the second lid member 322 provided with the seal member 329, the seal member 329 closes the gap between the second lid member 322 and the processing space 319. , Is arranged between the second lid member 322 and the facing surface of the container body 311. Since this gap is formed around the maintenance opening 321 in the container main body 311, the notch 329a formed along the inner peripheral surface of the seal member 329 is in a state of communicating with the processing space 319. It has become.
切り欠き３２９ａが処理空間３１９と連通しているシール部材３２９は、処理流体の雰囲気に晒されることになるが、処理流体は樹脂やゴム等の成分やそこに含まれる不純物を溶出させてしまう場合がある。そこで、シール部材３２９は、少なくとも処理空間３１９に向けて開口している切り欠き３２９ａの内側を、液体ＩＰＡや処理流体に対する耐食性を備えた樹脂にて構成している。このような樹脂の例としては、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、パラキシレン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）が挙げられ、処理流体中への成分の微量の溶出があったとしても半導体装置に影響の少ない、非フッ素系の樹脂を用いることが好ましい。
The seal member 329 in which the notch 329a communicates with the processing space 319 is exposed to the atmosphere of the processing fluid, but the processing fluid elutes components such as resin and rubber and impurities contained therein. There is. Therefore, the seal member 329 is made of at least the inside of the notch 329a that opens toward the processing space 319 with a resin having corrosion resistance to liquid IPA and the processing fluid. Examples of such resins include polyimide, polyethylene, polypropylene, paraxylene, and polyetheretherketone (PEEK), and even if a small amount of components are eluted into the processing fluid, the effect on the semiconductor device is small. , It is preferable to use a non-fluorine-based resin.
以下、処理容器３０１内でウエハＷに対して高圧の処理流体を用いて処理を行う際における、シール部材３２９を備えた処理容器３０１の作用について説明する。
Hereinafter, the operation of the processing container 301 provided with the sealing member 329 when processing the wafer W with the high-pressure processing fluid in the processing container 301 will be described.
まず処理空間３１９に高圧の処理流体が供給されておらず、容器本体３１１内の圧力が高められていない場合、真空吸引管３４９（図２及び図３）からの吸引力により、第２蓋部材３２２が容器本体３１１側に引き付けられる。このとき、図４に示すように、第２蓋部材３２２及び容器本体３１１の側壁面同士が直接対向してシール部材３２９を押し潰し、メンテナンス用開口３２１の周囲を気密に塞ぐ。第２蓋部材３２２と容器本体３１１とにより押し潰されたシール部材３２９は、切り欠き３２９ａが狭くなる方向に変形する。切り欠き３２９ａが完全に閉じられていない場合には、この時点で、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間を介して切り欠き３２９ａ内に処理空間３１９内の雰囲気が流れ込んでいる。
First, when the high-pressure processing fluid is not supplied to the processing space 319 and the pressure inside the container body 311 is not increased, the suction force from the vacuum suction pipe 349 (FIGS. 2 and 3) causes the second lid member. 322 is attracted to the container body 311 side. At this time, as shown in FIG. 4, the side wall surfaces of the second lid member 322 and the container body 311 directly face each other to crush the seal member 329 and airtightly close the periphery of the maintenance opening 321. The seal member 329 crushed by the second lid member 322 and the container body 311 is deformed in the direction in which the notch 329a becomes narrower. When the notch 329a is not completely closed, at this point, the atmosphere in the processing space 319 is flowing into the notch 329a through the gap between the second lid member 322 and the container body 311. ..
一方、開孔３３２から処理空間３１９内に高圧の処理流体を供給した場合、第２蓋部材３２２は、メンテナンス用開口３２１から遠ざかる方向に移動する。すなわち、第２蓋部材３２２は、処理流体から受ける圧力により、メンテナンス用開口３２１周囲の嵌入孔３３５、３３３と、第２ロックプレート３３７との間の隙間Ｃ２（図３）分だけ移動する。第２蓋部材３２２の移動により、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間が広がると、弾性を有するシール部材３２９の復元力により切り欠き３２９ａが広がり、図５に示すように切り欠き３２９ａ（内部空間）内にも処理空間３１９の雰囲気（処理流体）がさらに進入する。
On the other hand, when a high-pressure processing fluid is supplied from the opening 332 into the processing space 319, the second lid member 322 moves in a direction away from the maintenance opening 321. That is, the second lid member 322 moves by the gap C2 (FIG. 3) between the fitting holes 335 and 333 around the maintenance opening 321 and the second lock plate 337 due to the pressure received from the processing fluid. When the gap between the second lid member 322 and the container body 311 is widened by the movement of the second lid member 322, the notch 329a is widened by the restoring force of the elastic sealing member 329, and the cutout 329a is widened as shown in FIG. The atmosphere (processing fluid) of the processing space 319 further enters the notch 329a (internal space).
切り欠き３２９ａ内に処理流体が進入すると、切り欠き３２９ａの内側からシール部材３２９を押し広げ、シール部材３２９の外周面（切り欠き３２９ａとは反対側の面）を第２蓋部材３２２の凹部３２８側の面、及び容器本体３１１の側壁面に向けて押し付ける力が作用する。これにより、シール部材３２９の外周面が第２蓋部材３２２や容器本体３１１に密着し、これら第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間を気密に塞ぐ。この種のシール部材３２９は、処理流体から受ける力により変形可能な弾性を備えつつ、処理空間３１９と外部との圧力差（例えば１６～２０ＭＰａ程度））に抗して隙間を気密に塞いだ状態を維持することができる。
When the processing fluid enters the notch 329a, the seal member 329 is pushed out from the inside of the notch 329a, and the outer peripheral surface of the seal member 329 (the surface opposite to the notch 329a) is set to the recess 328 of the second lid member 322. A pressing force acts on the side surface and the side wall surface of the container body 311. As a result, the outer peripheral surface of the seal member 329 comes into close contact with the second lid member 322 and the container body 311 and airtightly closes the gap between the second lid member 322 and the container body 311. This type of sealing member 329 has elasticity that can be deformed by the force received from the processing fluid, and airtightly closes the gap against the pressure difference between the processing space 319 and the outside (for example, about 16 to 20 MPa). Can be maintained.
なお、本実施形態において、容器本体３１１の搬送口３１２についても、搬送口３１２と同様にして第１蓋部材３１５によって密閉されている。
In the present embodiment, the transport port 312 of the container body 311 is also sealed by the first lid member 315 in the same manner as the transport port 312.
すなわち、図３に示すように、第１蓋部材３１５の処理空間３１９側の側壁には、搬送口３１２の周縁に対応する位置を取り囲むように凹部３３８が形成されている。この凹部３３８内にシール部材３３９を嵌め込むことにより、搬送口３１２の周囲の側壁面に当接する第１蓋部材３１５側の側壁面にシール部材３３９が配置される。
That is, as shown in FIG. 3, a recess 338 is formed on the side wall of the first lid member 315 on the processing space 319 side so as to surround a position corresponding to the peripheral edge of the transport port 312. By fitting the seal member 339 into the recess 338, the seal member 339 is arranged on the side wall surface on the first lid member 315 side that abuts on the side wall surface around the transport port 312.
シール部材３３９は、搬送口３１２を囲むことが可能なように環状に形成されている。また、シール部材３３９の断面形状はＵ字状となっている。このように、シール部材３３９が設けられた第１蓋部材３１５を用いて搬送口３１２を塞ぐことにより、シール部材３３９は、第１蓋部材３１５と搬送口３１２との間の隙間を塞ぐように、第１蓋部材３１５と容器本体３１１との対向面の間に配置される。このほか、第１蓋部材３１５及びシール部材３３９を用いて搬送口３１２を塞ぐための構成は、上述したメンテナンス用開口３２１を塞ぐための構成と略同様である。
The seal member 339 is formed in an annular shape so as to be able to surround the transport port 312. Further, the cross-sectional shape of the seal member 339 is U-shaped. In this way, by closing the transport port 312 with the first lid member 315 provided with the seal member 339, the seal member 339 closes the gap between the first lid member 315 and the transport port 312. , Is arranged between the first lid member 315 and the facing surface of the container body 311. In addition, the configuration for closing the transport port 312 by using the first lid member 315 and the seal member 339 is substantially the same as the configuration for closing the maintenance opening 321 described above.
［超臨界処理装置のシステム全体の構成］
図６は、超臨界処理装置３のシステム全体の構成例を示す図である。
[Overall system configuration of supercritical processing equipment]
FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of the entire system of the supercritical processing apparatus 3.
処理容器３０１よりも上流側には流体供給タンク５１が設けられており、超臨界処理装置３において処理流体を流通させるための供給ラインには、流体供給タンク５１から処理流体が供給される。流体供給タンク５１と処理容器３０１との間には、上流側から下流側に向かって、流通オンオフバルブ５２ａ、オリフィス５５ａ、フィルタ５７及び流通オンオフバルブ５２ｂが順次設けられる。なお、ここでいう上流側及び下流側の用語は、供給ラインにおける処理流体の流れ方向を基準とする。
A fluid supply tank 51 is provided on the upstream side of the processing container 301, and the processing fluid is supplied from the fluid supply tank 51 to the supply line for circulating the processing fluid in the supercritical processing apparatus 3. A distribution on / off valve 52a, an orifice 55a, a filter 57, and a distribution on / off valve 52b are sequentially provided between the fluid supply tank 51 and the processing container 301 from the upstream side to the downstream side. The terms of the upstream side and the downstream side referred to here are based on the flow direction of the processing fluid in the supply line.
流通オンオフバルブ５２ａは、流体供給タンク５１からの処理流体の供給のオン及びオフを調整するバルブであり、開状態では下流側の供給ラインに処理流体を流し、閉状態では下流側の供給ラインに処理流体を流さない。流通オンオフバルブ５２ａが開状態にある場合、例えば１６～２０ＭＰａ（メガパスカル）程度の高圧の処理流体が、流体供給タンク５１から流通オンオフバルブ５２ａを介して供給ラインに供給される。オリフィス５５ａは、流体供給タンク５１から供給される処理流体の圧力を調整する役割を果たし、オリフィス５５ａよりも下流側の供給ラインには、例えば１６ＭＰａ程度に圧力が調整された処理流体を流通させることができる。フィルタ５７は、オリフィス５５ａから送られてくる処理流体に含まれる異物を取り除き、クリーンな処理流体を下流側に流す。
The flow on / off valve 52a is a valve that adjusts the on / off of the supply of the processing fluid from the fluid supply tank 51. Do not allow the processing fluid to flow. When the distribution on / off valve 52a is in the open state, for example, a high-pressure processing fluid of about 16 to 20 MPa (megapascal) is supplied from the fluid supply tank 51 to the supply line via the distribution on / off valve 52a. The orifice 55a plays a role of adjusting the pressure of the processing fluid supplied from the fluid supply tank 51, and the processing fluid whose pressure is adjusted to, for example, about 16 MPa is circulated in the supply line on the downstream side of the orifice 55a. Can be done. The filter 57 removes foreign matter contained in the processing fluid sent from the orifice 55a, and causes a clean processing fluid to flow downstream.
流通オンオフバルブ５２ｂは、処理容器３０１への処理流体の供給のオン及びオフを調整するバルブである。流通オンオフバルブ５２ｂから処理容器３０１に延在する第１供給ライン６３は、上述の図２及び図３に示す供給ポート３１３に接続し、流通オンオフバルブ５２ｂからの処理流体は、図２及び図３に示す供給ポート３１３及び第２蓋部材３２２を介して処理容器３０１の容器本体３１１内に供給される。
The distribution on / off valve 52b is a valve that adjusts the on / off of the supply of the processing fluid to the processing container 301. The first supply line 63 extending from the distribution on / off valve 52b to the processing container 301 is connected to the supply port 313 shown in FIGS. It is supplied into the container body 311 of the processing container 301 via the supply port 313 and the second lid member 322 shown in the above.
なお図６に示す超臨界処理装置３では、フィルタ５７と流通オンオフバルブ５２ｂとの間において、供給ラインが分岐している。すなわちフィルタ５７と流通オンオフバルブ５２ｂとの間の供給ラインからは、流通オンオフバルブ５２ｃ及びオリフィス５５ｂを介して処理容器３０１に接続する供給ライン（第２供給ライン６４）、流通オンオフバルブ５２ｄ及びチェックバルブ５８ａを介してパージ装置６２に接続する供給ライン、及び流通オンオフバルブ５２ｅ及びオリフィス５５ｃを介して外部に接続する供給ラインが分岐して延在する。
In the supercritical processing apparatus 3 shown in FIG. 6, the supply line is branched between the filter 57 and the distribution on / off valve 52b. That is, from the supply line between the filter 57 and the distribution on / off valve 52b, the supply line (second supply line 64) connected to the processing container 301 via the distribution on / off valve 52c and the orifice 55b, the distribution on / off valve 52d and the check valve. A supply line connected to the purge device 62 via 58a and a supply line connected to the outside via a distribution on / off valve 52e and an orifice 55c are branched and extended.
流通オンオフバルブ５２ｃ及びオリフィス５５ｂを介して処理容器３０１に接続する第２供給ライン６４は、上述の図２及び図３に示す底面側流体供給部３４１に接続し、流通オンオフバルブ５２ｃからの処理流体は、図２及び図３に示す底面側流体供給部３４１を介して処理容器３０１の容器本体３１１内に供給される。第２供給ライン６４は、処理容器３０１への処理流体の供給のための補助的な流路として用いても良い。例えば処理容器３０１への処理流体の供給開始当初等のように、比較的多量の処理流体を処理容器３０１に供給する際に流通オンオフバルブ５２ｃが開状態に調整され、オリフィス５５ｂによって圧力が調整された処理流体を処理容器３０１に供給することができる。
The second supply line 64 connected to the processing container 301 via the flow on / off valve 52c and the orifice 55b is connected to the bottom side fluid supply unit 341 shown in FIGS. 2 and 3 described above, and the processing fluid from the flow on / off valve 52c. Is supplied into the container body 311 of the processing container 301 via the bottom surface side fluid supply unit 341 shown in FIGS. 2 and 3. The second supply line 64 may be used as an auxiliary flow path for supplying the processing fluid to the processing container 301. For example, when a relatively large amount of processing fluid is supplied to the processing container 301, the flow on / off valve 52c is adjusted to the open state, and the pressure is adjusted by the orifice 55b, as in the initial supply of the processing fluid to the processing container 301. The processed fluid can be supplied to the processing container 301.
流通オンオフバルブ５２ｄ及びチェックバルブ５８ａを介してパージ装置６２に接続する供給ラインは、窒素等の不活性ガスを処理容器３０１に供給するための流路であり、流体供給タンク５１から処理容器３０１に対する処理流体の供給が停止している間に活用される。例えば処理容器３０１を不活性ガスで満たして清浄な状態を保つ場合には、流通オンオフバルブ５２ｄ及び流通オンオフバルブ５２ｂが開状態に調整され、パージ装置６２から供給ラインに送られた不活性ガスはチェックバルブ５８ａ、流通オンオフバルブ５２ｄ及び流通オンオフバルブ５２ｂを介して処理容器３０１に供給される。
The supply line connected to the purging device 62 via the flow on / off valve 52d and the check valve 58a is a flow path for supplying an inert gas such as nitrogen to the processing container 301, and is a flow path from the fluid supply tank 51 to the processing container 301. It is utilized while the supply of processing fluid is stopped. For example, when the processing container 301 is filled with the inert gas to maintain a clean state, the flow on / off valve 52d and the flow on / off valve 52b are adjusted to the open state, and the inert gas sent from the purge device 62 to the supply line is released. It is supplied to the processing container 301 via the check valve 58a, the distribution on / off valve 52d, and the distribution on / off valve 52b.
流通オンオフバルブ５２ｅ及びオリフィス５５ｃを介して外部に接続する供給ラインは、供給ラインから処理流体を排出するための流路である。例えば超臨界処理装置３の電源オフ時において、流通オンオフバルブ５２ａと流通オンオフバルブ５２ｂとの間の供給ライン内に残存する処理流体を外部に排出する際には、流通オンオフバルブ５２ｅが開状態に調整され、流通オンオフバルブ５２ａと流通オンオフバルブ５２ｂとの間の供給ラインが外部に連通される。
The supply line connected to the outside via the flow on / off valve 52e and the orifice 55c is a flow path for discharging the processing fluid from the supply line. For example, when the power of the supercritical processing device 3 is turned off, the distribution on / off valve 52e is opened when the processing fluid remaining in the supply line between the distribution on / off valve 52a and the distribution on / off valve 52b is discharged to the outside. Adjusted, the supply line between the distribution on / off valve 52a and the distribution on / off valve 52b is communicated to the outside.
処理容器３０１よりも下流側には、流通オンオフバルブ５２ｆ、排気調整バルブ５９、濃度計測センサ６０及び流通オンオフバルブ５２ｇが、上流側から下流側に向かって順次設けられている。
A distribution on / off valve 52f, an exhaust adjustment valve 59, a concentration measurement sensor 60, and a distribution on / off valve 52g are sequentially provided on the downstream side of the processing container 301 from the upstream side to the downstream side.
流通オンオフバルブ５２ｆは、処理容器３０１からの処理流体の排出のオン及びオフを調整するバルブである。処理容器３０１から処理流体を排出する場合には流通オンオフバルブ５２ｆは開状態に調整され、処理容器３０１から処理流体を排出しない場合には流通オンオフバルブ５２ｆは閉状態に調整される。なお処理容器３０１と流通オンオフバルブ５２ｆとの間に延在する供給ライン（排出側供給ライン６５）は、図２及び図３に示す排出ポート３１４に接続されている。処理容器３０１の容器本体３１１内の流体は、図２及び図３に示す流体排出ヘッダー３１８及び排出ポート３１４を介して、流通オンオフバルブ５２ｆに向かって送られる。
The distribution on / off valve 52f is a valve that adjusts the on / off of the discharge of the processing fluid from the processing container 301. The distribution on / off valve 52f is adjusted to the open state when the processing fluid is discharged from the processing container 301, and the distribution on / off valve 52f is adjusted to the closed state when the processing fluid is not discharged from the processing container 301. The supply line (discharge side supply line 65) extending between the processing container 301 and the distribution on / off valve 52f is connected to the discharge port 314 shown in FIGS. 2 and 3. The fluid in the container body 311 of the processing container 301 is sent toward the distribution on / off valve 52f via the fluid discharge header 318 and the discharge port 314 shown in FIGS. 2 and 3.
排気調整バルブ５９は、処理容器３０１からの流体の排出量を調整するバルブであり、例えば背圧弁によって構成することが可能である。排気調整バルブ５９の開度は、処理容器３０１からの流体の所望の排出量に応じて、制御部４の制御下で適応的に調整される。本実施形態では、例えば処理容器３０１内の流体の圧力が予め定められた圧力になるまで、処理容器３０１から流体が排出される処理が行われる。そのため排気調整バルブ５９は、処理容器３０１内の流体の圧力が予め定められた圧力に達した際に、開状態から閉状態に移行するように開度を調整して処理容器３０１からの流体の排出を止めることができる。
The exhaust adjustment valve 59 is a valve that adjusts the amount of fluid discharged from the processing container 301, and can be configured by, for example, a back pressure valve. The opening degree of the exhaust adjustment valve 59 is adaptively adjusted under the control of the control unit 4 according to the desired amount of fluid discharged from the processing container 301. In the present embodiment, for example, the process of discharging the fluid from the processing container 301 is performed until the pressure of the fluid in the processing container 301 reaches a predetermined pressure. Therefore, the exhaust adjustment valve 59 adjusts the opening degree so as to shift from the open state to the closed state when the pressure of the fluid in the processing container 301 reaches a predetermined pressure, and adjusts the opening degree of the fluid from the processing container 301. Emissions can be stopped.
濃度計測センサ６０は、排気調整バルブ５９から送られてくる流体に含まれるＩＰＡ濃度を計測するセンサである。
The concentration measurement sensor 60 is a sensor that measures the IPA concentration contained in the fluid sent from the exhaust adjustment valve 59.
流通オンオフバルブ５２ｇは、処理容器３０１からの流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブである。流体を外部に排出する場合には流通オンオフバルブ５２ｇは開状態に調整され、流体を排出しない場合には流通オンオフバルブ５２ｇは閉状態に調整される。なお流通オンオフバルブ５２ｇの下流側には、排気調整ニードルバルブ６１ａ及びチェックバルブ５８ｂが設けられている。排気調整ニードルバルブ６１ａは、流通オンオフバルブ５２ｇを介して送られてくる流体の外部への排出量を調整するバルブであり、排気調整ニードルバルブ６１ａの開度は流体の所望の排出量に応じて調整される。チェックバルブ５８ｂは、排出される流体の逆流を防ぐ弁であり、流体を確実に外部に排出する役割を果たす。
The distribution on / off valve 52g is a valve that adjusts the on / off of the discharge of the fluid from the processing container 301 to the outside. When the fluid is discharged to the outside, the flow on / off valve 52 g is adjusted to the open state, and when the fluid is not discharged, the flow on / off valve 52 g is adjusted to the closed state. An exhaust adjustment needle valve 61a and a check valve 58b are provided on the downstream side of the distribution on / off valve 52g. The exhaust adjustment needle valve 61a is a valve that adjusts the amount of fluid discharged to the outside via the distribution on / off valve 52g, and the opening degree of the exhaust adjustment needle valve 61a depends on the desired amount of fluid discharged. It will be adjusted. The check valve 58b is a valve that prevents the backflow of the discharged fluid, and plays a role of reliably discharging the fluid to the outside.
なお図６に示す超臨界処理装置３では、濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇとの間において、供給ラインが分岐している。すなわち濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇとの間の供給ラインからは、流通オンオフバルブ５２ｈを介して外部に接続する供給ライン、流通オンオフバルブ５２ｉを介して外部に接続する供給ライン、及び流通オンオフバルブ５２ｊを介して外部に接続する供給ラインが分岐して延在する。
In the supercritical processing apparatus 3 shown in FIG. 6, the supply line is branched between the concentration measurement sensor 60 and the distribution on / off valve 52 g. That is, from the supply line between the concentration measurement sensor 60 and the distribution on / off valve 52g, a supply line connected to the outside via the distribution on / off valve 52h, a supply line connected to the outside via the distribution on / off valve 52i, and a distribution on / off. The supply line connected to the outside via the valve 52j branches and extends.
流通オンオフバルブ５２ｈ及び流通オンオフバルブ５２ｉは、流通オンオフバルブ５２ｇと同様に、流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブである。流通オンオフバルブ５２ｈの下流側には、排気調整ニードルバルブ６１ｂ及びチェックバルブ５８ｃが設けられ、流体の排出量の調整及び流体の逆流防止が行われる。流通オンオフバルブ５２ｉの下流側にはチェックバルブ５８ｄが設けられ、流体の逆流が防止されている。流通オンオフバルブ５２ｊも流体の外部への排出のオン及びオフを調整するバルブであり、流通オンオフバルブ５２ｊの下流側にはオリフィス５５ｄが設けられ、流通オンオフバルブ５２ｊからオリフィス５５ｄを介して外部に流体を排出することができる。ただし、図６に示す例では、流通オンオフバルブ５２ｇ、流通オンオフバルブ５２ｈ及び流通オンオフバルブ５２ｉを介して外部に送られる流体の行き先と、流通オンオフバルブ５２ｊを介して外部に送られる流体の行き先とは異なっている。したがって流体を、例えば流通オンオフバルブ５２ｇ、流通オンオフバルブ５２ｈ及び流通オンオフバルブ５２ｉを介して図示しない回収装置に送る一方で、流通オンオフバルブ５２ｊを介して大気に放出することも可能である。
The distribution on / off valve 52h and the distribution on / off valve 52i are valves that adjust the on / off of the discharge of the fluid to the outside, similarly to the distribution on / off valve 52g. An exhaust adjusting needle valve 61b and a check valve 58c are provided on the downstream side of the distribution on / off valve 52h to adjust the amount of fluid discharged and prevent the fluid from flowing back. A check valve 58d is provided on the downstream side of the distribution on / off valve 52i to prevent backflow of fluid. The flow on / off valve 52j is also a valve that adjusts the on / off of the discharge of the fluid to the outside. An orifice 55d is provided on the downstream side of the flow on / off valve 52j, and the fluid flows from the flow on / off valve 52j to the outside via the orifice 55d. Can be discharged. However, in the example shown in FIG. 6, the destination of the fluid sent to the outside via the distribution on-off valve 52g, the distribution on-off valve 52h, and the distribution on-off valve 52i, and the destination of the fluid sent to the outside via the distribution on-off valve 52j. Is different. Therefore, it is also possible to send the fluid to a recovery device (not shown) via, for example, the flow on / off valve 52 g, the flow on / off valve 52h and the flow on / off valve 52i, while discharging the fluid to the atmosphere via the flow on / off valve 52j.
処理容器３０１から流体を排出する場合、流通オンオフバルブ５２ｇ、流通オンオフバルブ５２ｈ、流通オンオフバルブ５２ｉ及び流通オンオフバルブ５２ｊのうちの１以上のバルブが開状態に調整される。特に超臨界処理装置３の電源オフ時には、流通オンオフバルブ５２ｊを開状態に調整して、濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇとの間の供給ラインに残存する流体を外部に排出するようにしてもよい。
When the fluid is discharged from the processing container 301, one or more of the flow on / off valve 52 g, the flow on / off valve 52h, the flow on / off valve 52i, and the flow on / off valve 52j are adjusted to the open state. In particular, when the power of the supercritical processing device 3 is turned off, the distribution on / off valve 52j is adjusted to the open state so that the fluid remaining in the supply line between the concentration measurement sensor 60 and the distribution on / off valve 52g is discharged to the outside. May be good.
なお、上述の供給ラインの様々な箇所に流体の圧力を検出する圧力センサ及び流体の温度を検出する温度センサが設置される。図６に示す例では、流通オンオフバルブ５２ａとオリフィス５５ａとの間に圧力センサ５３ａ及び温度センサ５４ａが設けられ、オリフィス５５ａとフィルタ５７との間に圧力センサ５３ｂ及び温度センサ５４ｂが設けられ、フィルタ５７と流通オンオフバルブ５２ｂとの間に圧力センサ５３ｃが設けられ、流通オンオフバルブ５２ｂと処理容器３０１との間に温度センサ５４ｃが設けられ、オリフィス５５ｂと処理容器３０１との間に温度センサ５４ｄが設けられている。また処理容器３０１と流通オンオフバルブ５２ｆとの間に圧力センサ５３ｄ及び温度センサ５４ｆが設けられ、濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇとの間に圧力センサ５３ｅ及び温度センサ５４ｇが設けられている。さらに、処理容器３０１の内部である容器本体３１１内の流体の温度を検出するための温度センサ５４ｅが設けられている。
A pressure sensor for detecting the pressure of the fluid and a temperature sensor for detecting the temperature of the fluid are installed at various points on the above-mentioned supply line. In the example shown in FIG. 6, a pressure sensor 53a and a temperature sensor 54a are provided between the flow on / off valve 52a and the orifice 55a, and a pressure sensor 53b and a temperature sensor 54b are provided between the orifice 55a and the filter 57. A pressure sensor 53c is provided between the flow on / off valve 52b and the flow on / off valve 52b, a temperature sensor 54c is provided between the flow on / off valve 52b and the processing container 301, and a temperature sensor 54d is provided between the orifice 55b and the processing container 301. It is provided. Further, a pressure sensor 53d and a temperature sensor 54f are provided between the processing container 301 and the distribution on / off valve 52f, and a pressure sensor 53e and a temperature sensor 54g are provided between the concentration measurement sensor 60 and the distribution on / off valve 52g. Further, a temperature sensor 54e for detecting the temperature of the fluid in the container body 311 inside the processing container 301 is provided.
また、超臨界処理装置３において処理流体が流れる任意の箇所にヒータＨが設けられる。図６には、処理容器３０１よりも上流側の供給ライン（すなわち流通オンオフバルブ５２ａとオリフィス５５ａの間、オリフィス５５ａとフィルタ５７の間、フィルタ５７と流通オンオフバルブ５２ｂの間、及び流通オンオフバルブ５２ｂと処理容器３０１の間）においてヒータＨが図示されているが、処理容器３０１及び処理容器３０１よりも下流側の供給ラインを含む他の箇所にヒータＨが設けられていてもよい。したがって、流体供給タンク５１から供給される処理流体が外部に排出されるまでの全流路においてヒータＨが設けられてもよい。また特に、処理容器３０１に供給する処理流体の温度を調整する観点からは、処理容器３０１よりも上流側を流れる処理流体の温度を調整することができる位置にヒータＨが設けられていることが好ましい。
Further, the heater H is provided at an arbitrary place where the processing fluid flows in the supercritical processing apparatus 3. In FIG. 6, the supply line on the upstream side of the processing container 301 (that is, between the distribution on / off valve 52a and the orifice 55a, between the orifice 55a and the filter 57, between the filter 57 and the distribution on / off valve 52b, and the distribution on / off valve 52b). Although the heater H is shown between the processing container 301 and the processing container 301), the heater H may be provided at another location including the processing container 301 and the supply line on the downstream side of the processing container 301. Therefore, the heater H may be provided in all the flow paths until the processing fluid supplied from the fluid supply tank 51 is discharged to the outside. Further, in particular, from the viewpoint of adjusting the temperature of the processing fluid supplied to the processing container 301, the heater H is provided at a position where the temperature of the processing fluid flowing upstream of the processing container 301 can be adjusted. preferable.
さらに、オリフィス５５ａとフィルタ５７の間には安全バルブ５６ａが設けられ、処理容器３０１と流通オンオフバルブ５２ｆとの間には安全バルブ５６ｂが設けられ、濃度計測センサ６０と流通オンオフバルブ５２ｇの間には安全バルブ５６ｃが設けられている。これらの安全バルブ５６ａ～５６ｃは、供給ライン内の圧力が過大になった場合等の異常時において供給ラインを外部に連通し、供給ライン内の流体を緊急的に外部に排出する役割を果たす。
Further, a safety valve 56a is provided between the orifice 55a and the filter 57, a safety valve 56b is provided between the processing container 301 and the distribution on / off valve 52f, and a safety valve 56b is provided between the concentration measurement sensor 60 and the distribution on / off valve 52g. Is provided with a safety valve 56c. These safety valves 56a to 56c play a role of communicating the supply line to the outside and urgently discharging the fluid in the supply line to the outside in the event of an abnormality such as when the pressure in the supply line becomes excessive.
［超臨界乾燥処理］
次に、超臨界状態の処理流体を用いたＩＰＡの乾燥メカニズムについて説明する。
[Supercritical drying treatment]
Next, the drying mechanism of IPA using the processing fluid in the supercritical state will be described.
図７は、ＩＰＡの乾燥メカニズムを説明するための図であり、ウエハＷが有する凹部としてのパターンＰを簡略的に示した拡大断面図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining the drying mechanism of the IPA, and is an enlarged cross-sectional view simply showing a pattern P as a recess of the wafer W.
超臨界処理装置３において超臨界状態の処理流体Ｒが処理容器３０１の容器本体３１１内に導入された当初は、図７（ａ）に示すように、パターンＰ間にはＩＰＡのみが充填されている。
When the processing fluid R in the supercritical state was introduced into the container body 311 of the processing container 301 in the supercritical processing apparatus 3, only IPA was filled between the patterns P as shown in FIG. 7A. There is.
パターンＰ間のＩＰＡは、超臨界状態の処理流体Ｒと接触することで、徐々に処理流体Ｒに溶解し、図７（ｂ）に示すように徐々に処理流体Ｒと置き換わる。このとき、パターンＰ間には、ＩＰＡ及び処理流体Ｒの他に、ＩＰＡと処理流体Ｒとが混合した状態の混合流体Ｍが存在する。
The IPA between the patterns P gradually dissolves in the processing fluid R by coming into contact with the processing fluid R in the supercritical state, and gradually replaces the processing fluid R as shown in FIG. 7 (b). At this time, in addition to the IPA and the processing fluid R, a mixed fluid M in a state in which the IPA and the processing fluid R are mixed exists between the patterns P.
そして、パターンＰ間でＩＰＡから処理流体Ｒへの置換が進行するに従って、パターンＰ間からはＩＰＡが除去され、最終的には図７（ｃ）に示すように、超臨界状態の処理流体ＲのみによってパターンＰ間が満たされる。
Then, as the replacement of the IPA with the processing fluid R progresses between the patterns P, the IPA is removed from between the patterns P, and finally, as shown in FIG. 7 (c), the processing fluid R in the supercritical state. Only the pattern P is filled.
パターンＰ間からＩＰＡが除去された後に、容器本体３１１内の圧力を大気圧まで下げることによって、図７（ｄ）に示すように、処理流体Ｒは超臨界状態から気体状態に変化し、パターンＰ間は気体のみによって占められる。このようにしてパターンＰ間のＩＰＡは除去され、ウエハＷの乾燥処理は完了する。
After the IPA is removed from between the patterns P, the pressure in the container body 311 is lowered to the atmospheric pressure, so that the processing fluid R changes from the supercritical state to the gas state as shown in FIG. 7 (d), and the pattern Between P is occupied only by gas. In this way, the IPA between the patterns P is removed, and the drying process of the wafer W is completed.
上述の図７（ａ）～（ｄ）に示すメカニズムを背景に、本実施形態の超臨界処理装置３は、以下のようにしてＩＰＡの乾燥処理を行う。
Against the background of the mechanisms shown in FIGS. 7 (a) to 7 (d) above, the supercritical processing apparatus 3 of the present embodiment performs the IPA drying treatment as follows.
すなわち超臨界処理装置３によって行われる基板処理方法は、パターンＰに乾燥防止用のＩＰＡが液盛りされたウエハＷを処理容器３０１の容器本体３１１内に搬入する工程と、流体供給部（すなわち流体供給タンク５１、流通オンオフバルブ５２ａ、流通オンオフバルブ５２ｂ及び第２蓋部材３２２）を介して容器本体３１１内に超臨界状態の処理流体を供給する工程と、容器本体３１１内において、ウエハＷからＩＰＡを除去する乾燥処理を、超臨界状態の処理流体を使って行う工程とを備える。
That is, the substrate processing method performed by the supercritical processing apparatus 3 includes a step of carrying the wafer W in which the pattern P is filled with IPA for preventing drying into the container body 311 of the processing container 301, and a fluid supply unit (that is, a fluid). The process of supplying the processing fluid in the supercritical state into the container body 311 via the supply tank 51, the flow on / off valve 52a, the flow on / off valve 52b, and the second lid member 322), and the IPA from the wafer W in the container body 311. The drying process for removing the above-mentioned material is provided with a step of performing the drying process using a processing fluid in a supercritical state.
すなわち、まず超臨界処理装置３には、洗浄装置２において洗浄処理が実施されたウエハＷが搬送される。この洗浄装置２では、例えばアルカリ性薬液であるＳＣ１液によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去、リンス液である脱イオン水（ＤＩＷ）によるリンス洗浄、酸性薬液である希フッ酸水溶液（ＤＨＦ）による自然酸化膜の除去、ＤＩＷによるリンス洗浄がこの順に行われ、最後にウエハ表面にＩＰＡが液盛りされる。そしてウエハＷは、この状態のまま洗浄装置２より搬出され、超臨界処理装置３の処理容器３０１へ搬送される。
That is, first, the wafer W that has been cleaned by the cleaning device 2 is conveyed to the supercritical processing device 3. In this cleaning device 2, for example, particles and organic pollutants are removed by SC1 solution which is an alkaline chemical solution, rinse cleaning is performed by deionized water (DIW) which is a rinsing solution, and dilute aqueous hydrofluoric acid solution (DHF) which is an acidic chemical solution is used. Removal of the natural oxide film and rinsing with DIW are performed in this order, and finally IPA is liquid-filled on the wafer surface. Then, the wafer W is carried out from the cleaning device 2 in this state and conveyed to the processing container 301 of the supercritical processing device 3.
この処理容器３０１への搬送は、例えば第２の搬送機構１６１を用いて行われる（図１参照）。処理容器３０１へウエハを搬送するときには、第２の搬送機構１６１が受け渡し位置において待機している保持板３１６にウエハＷを受け渡した後、保持板３１６の上方位置から退避する。
The transfer to the processing container 301 is performed using, for example, the second transfer mechanism 161 (see FIG. 1). When the wafer is transported to the processing container 301, the second transport mechanism 161 delivers the wafer W to the holding plate 316 waiting at the delivery position, and then retracts the wafer W from the position above the holding plate 316.
次いで、保持板３１６を水平方向にスライドさせて、保持板３１６を容器本体３１１内の処理位置まで移動させる。このとき、第１蓋部材３１５は、第１蓋部材収容空間３２４内に収容され、搬送口３１２を覆う。続いて、真空吸引管３４８（図２及び図３）からの吸引力により、第１蓋部材３１５が容器本体３１１に引き付けられ、第１蓋部材３１５によって搬送口３１２が塞がれる。次に、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７をロック位置まで上昇させて、第１ロックプレート３２７と第１蓋部材３１５の前面とを当接させ、第１蓋部材３１５の移動を規制する。
Next, the holding plate 316 is slid in the horizontal direction to move the holding plate 316 to the processing position in the container body 311. At this time, the first lid member 315 is housed in the first lid member storage space 324 and covers the transport port 312. Subsequently, the first lid member 315 is attracted to the container body 311 by the suction force from the vacuum suction pipe 348 (FIGS. 2 and 3), and the transport port 312 is closed by the first lid member 315. Next, the elevating mechanism 326 raises the first lock plate 327 to the locked position so that the first lock plate 327 and the front surface of the first lid member 315 are brought into contact with each other to restrict the movement of the first lid member 315.
続いて、ウエハＷ表面に液盛りされたＩＰＡが乾燥してしまう前に、流通オンオフバルブ５２ｂ、５２ｃを開放して第１供給ライン６３、第２供給ライン６４を介して処理空間３１９に高圧の処理流体を供給する。これにより、処理空間３１９内の圧力を例えば１４～１６ＭＰａ程度まで昇圧する。処理空間３１９の加圧に伴い、第１蓋部材３１５の凹部３３８に設けられた断面Ｕ字状のシール部材３３９が押し広げられ、第１蓋部材３１５と容器本体３１１との間の隙間を気密に塞ぐ。
Subsequently, before the IPA liquid-filled on the surface of the wafer W dries, the distribution on / off valves 52b and 52c are opened and a high pressure is applied to the processing space 319 via the first supply line 63 and the second supply line 64. Supply the processing fluid. As a result, the pressure in the processing space 319 is increased to, for example, about 14 to 16 MPa. With the pressurization of the processing space 319, the seal member 339 having a U-shaped cross section provided in the recess 338 of the first lid member 315 is expanded, and the gap between the first lid member 315 and the container body 311 is airtight. Close to.
一方、処理空間３１９内では、当該処理空間３１９内に供給された処理流体がウエハＷに液盛りされたＩＰＡと接触すると、液盛りされたＩＰＡは徐々に処理流体に溶解し、徐々に処理流体と置き換わる。そして、ウエハＷのパターン間でＩＰＡから処理流体への置換が進行するに従って、パターン間からはＩＰＡが除去され、最終的には超臨界状態の処理流体のみによってパターンＰ間が満たされる。この結果、ウエハＷの表面は液体のＩＰＡから処理流体に置換されていくことになるが、平衡状態において液体ＩＰＡと処理流体との間には界面が形成されないので、パターン倒れを引き起こすことなくウエハＷ表面の流体を処理流体に置換することができる。
On the other hand, in the processing space 319, when the processing fluid supplied into the processing space 319 comes into contact with the IPA liquid-filled on the wafer W, the liquid-filled IPA gradually dissolves in the processing fluid and gradually dissolves in the processing fluid. Replaces with. Then, as the replacement of the IPA with the processing fluid progresses between the patterns of the wafer W, the IPA is removed from the patterns, and finally the pattern P is filled only with the processing fluid in the supercritical state. As a result, the surface of the wafer W is replaced with the processing fluid from the liquid IPA, but since no interface is formed between the liquid IPA and the processing fluid in the equilibrium state, the wafer does not cause pattern collapse. The fluid on the W surface can be replaced with the processing fluid.
その後、処理空間３１９内に処理流体を供給してから予め設定した時間が経過し、ウエハＷの表面が処理流体にて置換された状態となったら、流通オンオフバルブ５２ｆを開放して処理空間３１９内の雰囲気を流体排出ヘッダー３１８から容器本体３１１外方に向けて排出する。これにより、容器本体３１１内の圧力は次第に低下していき、処理空間３１９内の処理流体は超臨界の状態から気体の状態に変化する。このとき超臨界状態と気体との間には界面が形成されないので、ウエハＷの表面に形成されたパターンに表面張力を作用させることなく、ウエハＷを乾燥することができる。
After that, when a preset time has elapsed since the processing fluid was supplied into the processing space 319 and the surface of the wafer W is replaced with the processing fluid, the distribution on / off valve 52f is opened and the processing space 319. The atmosphere inside is discharged from the fluid discharge header 318 toward the outside of the container body 311. As a result, the pressure in the container body 311 gradually decreases, and the processing fluid in the processing space 319 changes from a supercritical state to a gas state. At this time, since an interface is not formed between the supercritical state and the gas, the wafer W can be dried without applying surface tension to the pattern formed on the surface of the wafer W.
以上のプロセスにより、ウエハＷの超臨界処理を終えた後、処理空間３１９に残存している気体の処理流体を排出するため、不図示のパージガス供給ラインからＮ２ガスを供給して流体排出ヘッダー３１８へ向けてパージを行う。そして予め定めた時間だけＮ２ガスの供給を行いパージが完了し、容器本体３１１内が大気圧に復帰したら、第１ロックプレート３２７を開放位置まで降下させる。そして保持板３１６を受け渡し位置まで水平方向に移動させ、超臨界処理を終えたウエハＷを第２の搬送機構１６１を用いて搬出する。
After the supercritical treatment of the wafer W is completed by the above process, in order to discharge the gas processing fluid remaining in the processing space 319, N2 gas is supplied from a purge gas supply line (not shown) to discharge the fluid discharge header. Purge towards 318. Then, when the N2 gas is supplied for a predetermined time, the purging is completed, and the inside of the container body 311 returns to the atmospheric pressure, the first lock plate 327 is lowered to the open position. Then, the holding plate 316 is moved horizontally to the delivery position, and the wafer W that has completed the supercritical treatment is carried out using the second transfer mechanism 161.
ところで、上述した超臨界処理を行っている間、第２ロックプレート３３７は、常時ロック位置まで上昇されている。これにより第２ロックプレート３３７と第２蓋部材３２２の後面とが当接し、第２蓋部材３２２の移動が規制される。そして処理空間３１９に高圧の処理流体が供給されておらず、容器本体３１１内の圧力が高められていない場合、第２蓋部材３２２及び容器本体３１１の側壁面同士が直接対向してシール部材３２９を押し潰し、メンテナンス用開口３２１の周囲を気密に塞ぐ。
By the way, during the above-mentioned supercritical treatment, the second lock plate 337 is constantly raised to the locked position. As a result, the second lock plate 337 and the rear surface of the second lid member 322 come into contact with each other, and the movement of the second lid member 322 is restricted. When the high-pressure processing fluid is not supplied to the processing space 319 and the pressure inside the container body 311 is not increased, the side wall surfaces of the second lid member 322 and the container body 311 directly face each other and the seal member 329. Is crushed to airtightly close the circumference of the maintenance opening 321.
一方、処理空間３１９に高圧の処理流体を供給した場合、第２蓋部材３２２は、メンテナンス用開口３２１周囲の嵌入孔３３５、３３３と、第２ロックプレート３３７との間の隙間Ｃ２分だけ処理空間３１９から遠ざかる方向（Ｙ方向プラス側）に移動する。第２蓋部材３２２が移動することにより、第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間が広がる。この場合、弾性を有するシール部材３２９の復元力により切り欠き３２９ａが広がるので、シール部材３２９の外周面が第２蓋部材３２２や容器本体３１１に密着し、これら第２蓋部材３２２と容器本体３１１との間の隙間は気密に塞がれる。このように、上述した超臨界処理を行っている間、第２蓋部材３２２は、メンテナンス用開口３２１を塞いだままの状態を維持するようになっている。
On the other hand, when a high-pressure processing fluid is supplied to the processing space 319, the second lid member 322 has a processing space of only the gap C2 between the fitting holes 335 and 333 around the maintenance opening 321 and the second lock plate 337. It moves in the direction away from 319 (Y direction plus side). The movement of the second lid member 322 widens the gap between the second lid member 322 and the container body 311. In this case, since the notch 329a expands due to the restoring force of the elastic sealing member 329, the outer peripheral surface of the sealing member 329 comes into close contact with the second lid member 322 and the container body 311. The gap between the two is airtightly closed. As described above, during the supercritical treatment described above, the second lid member 322 maintains the state in which the maintenance opening 321 is closed.
［メンテナンス時の作用］
次に、上述した超臨界処理が終了し、処理容器３０１のメンテナンスを行う際の作用について説明する。
[Action during maintenance]
Next, the operation when the above-mentioned supercritical treatment is completed and the processing container 301 is maintained will be described.
まず、処理空間３１９の内部を大気圧に開放する。次に、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７を嵌入孔３２３、３２５から下方側に移動し、第１蓋部材３１５を開放する開放位置とする。次いで、第１蓋部材３１５及び保持板３１６を手前側（Ｙ方向マイナス側）に移動する。これにより、保持板３１６は処理空間３１９から取り出され、第１蓋部材３１５は搬送口３１２から離間する（図８（ａ））。
First, the inside of the processing space 319 is opened to atmospheric pressure. Next, the elevating mechanism 326 moves the first lock plate 327 downward from the fitting holes 323 and 325 to set the opening position for opening the first lid member 315. Next, the first lid member 315 and the holding plate 316 are moved to the front side (minus side in the Y direction). As a result, the holding plate 316 is taken out from the processing space 319, and the first lid member 315 is separated from the transport port 312 (FIG. 8A).
次に、第２ロックプレート３３７を嵌入孔３３３、３３５から下方側に移動して、第２蓋部材３２２を開放する開放位置とする。次に、第２蓋部材３２２を奥側（Ｙ方向プラス側）に移動し、第２蓋部材３２２をメンテナンス用開口３２１から離間する（図８（ｂ））。
Next, the second lock plate 337 is moved downward from the fitting holes 333 and 335 to set the opening position for opening the second lid member 322. Next, the second lid member 322 is moved to the back side (plus side in the Y direction), and the second lid member 322 is separated from the maintenance opening 321 (FIG. 8 (b)).
続いて、メンテナンス用開口３２１から清掃治具や工具等を挿入し、処理空間３１９の内部のメンテナンス作業（清掃、調整等）を行う。本実施形態においては、第２ロックプレート３３７を下方側に移動し、第２蓋部材３２２を取り外すだけで処理空間３１９の内部にアクセスすることが可能になるので、このようなメンテナンス作業を容易に行うことができる。また、供給ポート３１３が第２蓋部材３２２に接続されているので、上記処理空間３１９内のメンテナンス作業と併せて、供給ポート３１３や開孔３３２のメンテナンス作業（清掃、調整等）も容易に行うことができる。
Subsequently, a cleaning jig, a tool, or the like is inserted from the maintenance opening 321 to perform maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) inside the processing space 319. In the present embodiment, the inside of the processing space 319 can be accessed simply by moving the second lock plate 337 downward and removing the second lid member 322, so that such maintenance work can be easily performed. It can be carried out. Further, since the supply port 313 is connected to the second lid member 322, maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) of the supply port 313 and the opening 332 can be easily performed in addition to the maintenance work in the processing space 319. be able to.
このようにしてメンテナンス作業が終了した後、上記の逆のステップで容器本体３１１に対して第２蓋部材３２２及び第１蓋部材３１５をそれぞれ組み付ける。すなわち、まず第２蓋部材３２２を手前側（Ｙ方向マイナス側）に移動し、第２蓋部材３２２によってメンテナンス用開口３２１を覆う。次に、真空吸引管３４９からの吸引力により、第２蓋部材３２２を容器本体３１１側に吸引する。次いで、第２ロックプレート３３７を上昇させ、第２ロックプレート３３７を嵌入孔３３３、３３５内に嵌入することにより、第２蓋部材３２２を押さえるロック位置とする。これにより、メンテナンス用開口３２１の周囲が気密に塞がれる。
After the maintenance work is completed in this way, the second lid member 322 and the first lid member 315 are respectively assembled to the container body 311 in the reverse step of the above. That is, first, the second lid member 322 is moved to the front side (minus side in the Y direction), and the maintenance opening 321 is covered by the second lid member 322. Next, the second lid member 322 is sucked toward the container body 311 by the suction force from the vacuum suction pipe 349. Next, the second lock plate 337 is raised, and the second lock plate 337 is fitted into the fitting holes 333 and 335 to set the lock position for holding the second lid member 322. As a result, the periphery of the maintenance opening 321 is airtightly closed.
次に、第１蓋部材３１５及び保持板３１６を奥側（Ｙ方向プラス側）に移動することにより、保持板３１６を処理空間３１９内に進入させるとともに、第１蓋部材３１５によって搬送口３１２を覆う。次に、真空吸引管３４８からの吸引力により、第１蓋部材３１５を容器本体３１１側に吸引する。続いて、昇降機構３２６によって第１ロックプレート３２７を上昇させ、第１ロックプレート３２７を嵌入孔３２３、３２５に嵌入し、ロック位置とする。このようにして、搬送口３１２の周囲は気密に塞がれ、再び処理空間３１９が密閉される。その後、必要に応じて上述した超臨界処理を行う。
Next, by moving the first lid member 315 and the holding plate 316 to the back side (plus side in the Y direction), the holding plate 316 enters the processing space 319, and the transport port 312 is moved by the first lid member 315. cover. Next, the first lid member 315 is sucked toward the container body 311 by the suction force from the vacuum suction pipe 348. Subsequently, the first lock plate 327 is raised by the elevating mechanism 326, and the first lock plate 327 is fitted into the fitting holes 323 and 325 to set the lock position. In this way, the periphery of the transport port 312 is airtightly closed, and the processing space 319 is sealed again. Then, if necessary, the above-mentioned supercritical treatment is performed.
以上に説明したように、本実施形態によれば、容器本体３１１のうち、搬送口３１２とは異なる位置にメンテナンス用開口３２１が設けられ、メンテナンス用開口３２１は、第２蓋部材３２２によって塞がれる。これにより、第２蓋部材３２２を取り外すだけで、容器本体３１１の処理空間３１９に容易にアクセスすることができる。この場合、容器本体３１１のメンテナンス作業を容易に行うことができるので、メンテナンス作業の作業効率を高めることができる。
As described above, according to the present embodiment, the maintenance opening 321 is provided in the container main body 311 at a position different from the transport port 312, and the maintenance opening 321 is closed by the second lid member 322. Is done. As a result, the processing space 319 of the container body 311 can be easily accessed simply by removing the second lid member 322. In this case, since the maintenance work of the container body 311 can be easily performed, the work efficiency of the maintenance work can be improved.
また、本実施形態によれば、第２蓋部材３２２が容器本体３１１内の圧力により移動することを規制する第２ロックプレート３３７が設けられている。これにより、第２ロックプレート３３７によって第２蓋部材３２２が移動することを防止し、容器本体３１１内の圧力によって第２蓋部材３２２がメンテナンス用開口３２１から外れてしまう不具合を防止することができる。
Further, according to the present embodiment, a second lock plate 337 that regulates the movement of the second lid member 322 by the pressure inside the container body 311 is provided. As a result, it is possible to prevent the second lid member 322 from moving by the second lock plate 337, and prevent the second lid member 322 from coming off from the maintenance opening 321 due to the pressure inside the container body 311. ..
また、本実施形態によれば、容器本体３１１に嵌入孔３２３、３２５が設けられ、第２ロックプレート３３７は、嵌入孔３２３、３２５に嵌入されることにより第２蓋部材３２２を規制する。これにより、第２ロックプレート３３７を嵌入孔３２３、３２５から抜き取ることにより第２蓋部材３２２をメンテナンス用開口３２１から取り外すことができる。この場合、例えばボルトを取り外す作業等を行う必要がないので、メンテナンス作業を容易に行うことができる。
Further, according to the present embodiment, the container body 311 is provided with the fitting holes 323 and 325, and the second lock plate 337 regulates the second lid member 322 by being fitted into the fitting holes 323 and 325. As a result, the second lid member 322 can be removed from the maintenance opening 321 by pulling out the second lock plate 337 from the fitting holes 323 and 325. In this case, for example, it is not necessary to perform the work of removing the bolts, so that the maintenance work can be easily performed.
さらに、本実施形態によれば、第２蓋部材３２２に、供給ポート３１３を介して、容器本体３１１内に処理流体を供給する第１供給ライン６３を接続している。これにより、第２蓋部材３２２をメンテナンス用開口３２１から取り外した際に、供給ポート３１３等、処理流体を供給するための部材についてのメンテナンス作業も併せて行うことができる。
Further, according to the present embodiment, the first supply line 63 for supplying the processing fluid into the container body 311 is connected to the second lid member 322 via the supply port 313. As a result, when the second lid member 322 is removed from the maintenance opening 321, maintenance work for the member for supplying the processing fluid, such as the supply port 313, can also be performed.
さらに、本実施形態によれば、メンテナンス用開口３２１は、搬送口３１２に対向する位置に設けられている。これにより、容器本体３１１の圧力が高められた際にメンテナンス用開口３２１等の特定の箇所に応力が集中することを防止し、容器本体３１１の耐久性を高めることができる。
Further, according to the present embodiment, the maintenance opening 321 is provided at a position facing the transport port 312. As a result, when the pressure of the container body 311 is increased, it is possible to prevent the stress from concentrating on a specific place such as the maintenance opening 321 and to improve the durability of the container body 311.
さらに、本実施形態によれば、容器本体３１１の底面に、底面側流体供給部３４１を介して、容器本体３１１内に処理流体を供給する第２供給ライン６４を接続している。これにより、補助的にウエハＷの裏面側からも処理流体を容器本体３１１内に供給することができるので、処理容器３０１への処理流体の供給プロセスを多様化することができる。例えば、底面側流体供給部３４１を、処理容器３０１への処理流体の供給開始当初等、処理流体を低流速でウエハＷに供給する際に用いても良く、この場合、ウエハＷのパターン部の倒壊をより確実に防止することができる。
Further, according to the present embodiment, a second supply line 64 for supplying the processing fluid into the container body 311 is connected to the bottom surface of the container body 311 via the bottom surface side fluid supply unit 341. As a result, the processing fluid can be additionally supplied into the container body 311 from the back surface side of the wafer W, so that the process of supplying the processing fluid to the processing container 301 can be diversified. For example, the bottom surface side fluid supply unit 341 may be used when supplying the processing fluid to the wafer W at a low flow rate, such as at the beginning of supplying the processing fluid to the processing container 301. In this case, the pattern portion of the wafer W may be used. Collapse can be prevented more reliably.
［処理容器の変形例］
次に、図９により超臨界処理装置３の処理容器３０１の変形例について説明する。図９は、処理容器３０１の変形例を示す側面図である。図９において、図１乃至図８に示す実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。
[Modification example of processing container]
Next, a modified example of the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3 will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a side view showing a modified example of the processing container 301. In FIG. 9, the same parts as those of the embodiments shown in FIGS. 1 to 8 are designated by the same reference numerals.
図９において、処理容器３０１は、チャンバーベース４０２上に載置され、チャンバーベース４０２は、メインベース４０１の上方において、メインベース４０１に対して離間して配置されている。このメインベース４０１は、処理容器３０１を設置する基準となる部材であり、例えば洗浄処理システム１内で水平に固定されている。メインベース４０１とチャンバーベース４０２との間には、複数の水準調整機構４０３、４０４が設けられている。これら水準調整機構４０３、４０４は、メインベース４０１に対する処理容器３０１及びチャンバーベース４０２の位置水準（角度や高さ位置）を微調整するものであり、処理容器３０１の下方に位置する第１水準調整機構４０３と、処理容器３０１から平面方向に離れて位置する第２水準調整機構４０４とから構成されている。このうち第１水準調整機構４０３は、主として重量物である処理容器３０１を支持するとともにその高さ方向位置を調整するものであり、第２水準調整機構４０４よりも高い耐荷重性を有している。なお、第１水準調整機構４０３は、図９では１つのみ図示しているが、複数の第１水準調整機構４０３が設けられていても良い。また、第２水準調整機構４０４は、チャンバーベース４０２全体の水準を調整するものである。図９では、４つの第２水準調整機構４０４が図示されているが、第２水準調整機構４０４の数はこれに限られるものではない。
In FIG. 9, the processing container 301 is placed on the chamber base 402, and the chamber base 402 is arranged above the main base 401 and separated from the main base 401. The main base 401 is a reference member for installing the processing container 301, and is horizontally fixed in, for example, the cleaning processing system 1. A plurality of level adjusting mechanisms 403 and 404 are provided between the main base 401 and the chamber base 402. These level adjustment mechanisms 403 and 404 finely adjust the position levels (angle and height position) of the processing container 301 and the chamber base 402 with respect to the main base 401, and are the first level adjustments located below the processing container 301. It is composed of a mechanism 403 and a second level adjusting mechanism 404 located apart from the processing container 301 in the plane direction. Of these, the first level adjusting mechanism 403 mainly supports the processing container 301, which is a heavy object, and adjusts its position in the height direction, and has a higher load capacity than the second level adjusting mechanism 404. There is. Although only one first level adjusting mechanism 403 is shown in FIG. 9, a plurality of first level adjusting mechanisms 403 may be provided. Further, the second level adjusting mechanism 404 adjusts the level of the entire chamber base 402. In FIG. 9, four second level adjusting mechanisms 404 are shown, but the number of second level adjusting mechanisms 404 is not limited to this.
また、図９において、処理容器３０１の容器本体３１１は、全体として１つのブロック状に形成されている。容器本体３１１のうち、処理空間３１９の上方及び下方には、それぞれ２つずつヒーター用開口４１１が形成されている。各ヒーター用開口４１１は、搬送口３１２の長手方向（図９の紙面に垂直な方向）に沿って細長く延在している。各ヒーター用開口４１１には、それぞれ細長いヒーター用ブロック４１２が遊挿されている。すなわちヒーター用ブロック４１２の長手方向に垂直な断面形状は、ヒーター用開口４１１よりもわずかに小さく形成されており、これにより、ヒーター用ブロック４１２は、ヒーター用開口４１１に対して挿脱自在となっている。各ヒーター用ブロック４１２には、例えば抵抗発熱体からなる細長いヒーター３４５が設けられている。このヒーター３４５からの熱は、ヒーター用ブロック４１２を介して容器本体３１１に対して伝達される。なお、各ヒーター用ブロック４１２は、アルミニウム等の熱伝導性の良好な金属からなっていることが好ましい。
Further, in FIG. 9, the container body 311 of the processing container 301 is formed in a block shape as a whole. Two heater openings 411 are formed above and below the processing space 319 in the container body 311. Each heater opening 411 extends elongated along the longitudinal direction of the transport port 312 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 9). An elongated heater block 412 is loosely inserted into each heater opening 411. That is, the cross-sectional shape perpendicular to the longitudinal direction of the heater block 412 is formed to be slightly smaller than the heater opening 411, whereby the heater block 412 can be inserted into and removed from the heater opening 411. ing. Each heater block 412 is provided with an elongated heater 345 made of, for example, a resistance heating element. The heat from the heater 345 is transferred to the container body 311 via the heater block 412. The heater block 412 is preferably made of a metal having good thermal conductivity such as aluminum.
容器本体３１１の天面には、複数のタップ穴４１４が貫通形成され、各タップ穴４１４には、ボルト又はねじ等の押し付け部材４１３が螺着されている。そして各押し付け部材４１３をタップ穴４１４に対してねじ込んでいくことにより、押し付け部材４１３の先端がヒーター用ブロック４１２を下方に押圧する。これにより、ヒーター用ブロック４１２が、容器本体３１１に対して動かないように固定される。この場合、ヒーター用ブロック４１２の位置がヒーター用ブロック４１２の長手方向（図９の紙面に垂直な方向）に若干ずれていても、容器本体３１１にヒーター用ブロック４１２を確実に固定することができる。また、ヒーター用ブロック４１２が下方に押圧されることにより、ヒーター用ブロック４１２の下面が容器本体３１１に対して確実に密着するので、ヒーター３４５からの熱を容器本体３１１に対して効率的に伝達することができる。なお、図示していないが、容器本体３１１の底面における構成も略同様である。すなわち、容器本体３１１の底面に複数のタップ穴が貫通形成され、各タップ穴に螺着された押し付け部材によって、ヒーター用ブロック４１２が上方に押圧されている。
A plurality of tap holes 414 are formed through the top surface of the container body 311 and a pressing member 413 such as a bolt or a screw is screwed into each tap hole 414. Then, by screwing each pressing member 413 into the tap hole 414, the tip of the pressing member 413 presses the heater block 412 downward. As a result, the heater block 412 is fixed to the container body 311 so as not to move. In this case, even if the position of the heater block 412 is slightly deviated in the longitudinal direction of the heater block 412 (the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 9), the heater block 412 can be securely fixed to the container body 311. .. Further, since the heater block 412 is pressed downward, the lower surface of the heater block 412 is surely brought into close contact with the container body 311 so that the heat from the heater 345 is efficiently transferred to the container body 311. can do. Although not shown, the configuration on the bottom surface of the container body 311 is substantially the same. That is, a plurality of tap holes are formed through the bottom surface of the container body 311 and the heater block 412 is pressed upward by the pressing member screwed into each tap hole.
次に、図１０により超臨界処理装置３の処理容器３０１の他の変形例について説明する。図１０は、処理容器３０１の他の変形例を示す断面図である。図１０において、図１乃至図８に示す実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。
Next, another modification of the processing container 301 of the supercritical processing apparatus 3 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view showing another modification of the processing container 301. In FIG. 10, the same parts as those of the embodiments shown in FIGS. 1 to 8 are designated by the same reference numerals.
図１０において、容器本体３１１内の搬送口３１２側には、流体排出ヘッダー３１８（図２及び図３）に代えて、流体排出管５０１が設けられている。この場合、流体排出管５０１は、略円筒状の部材からなっている。また、搬送口３１２側近傍における処理空間３１９の底面に、搬送口３１２の長手方向（Ｘ方向）に沿って細長い収容溝５０２が形成されている。流体排出管５０１は、この収容溝５０２に対して着脱可能に収容されている。流体排出管５０１には、多数の開孔５０３が長手方向に沿って略等間隔に設けられている。この流体排出管５０１は、容器本体３１１内の流体を排出する流体排出部として機能するものであり、処理空間３１９内の流体は、開孔５０３を介して容器本体３１１の外方に排出される。
In FIG. 10, a fluid discharge pipe 501 is provided on the transport port 312 side in the container body 311 in place of the fluid discharge header 318 (FIGS. 2 and 3). In this case, the fluid discharge pipe 501 is made of a substantially cylindrical member. Further, an elongated accommodating groove 502 is formed along the longitudinal direction (X direction) of the transport port 312 on the bottom surface of the processing space 319 near the transport port 312 side. The fluid discharge pipe 501 is detachably accommodated in the accommodating groove 502. The fluid discharge pipe 501 is provided with a large number of openings 503 at substantially equal intervals along the longitudinal direction. The fluid discharge pipe 501 functions as a fluid discharge unit for discharging the fluid in the container body 311. The fluid in the processing space 319 is discharged to the outside of the container body 311 through the opening 503. ..
流体排出管５０１の両端部には、それぞれ円形の固定リング５０４が取り付けられている。なお、図１０においては、１つの固定リング５０４のみを示している。固定リング５０４のうち容器本体３１１側を向く面には、取付孔５０５が形成され、取付孔５０５は、外側開口部５０６と連通している。流体排出管５０１の一端部は、取付孔５０５に挿入されており、取付孔５０５内に配置されたパッキン５０７によって、流体排出管５０１と外側開口部５０６とが気密に密着されている。さらに外側開口部５０６の周囲において、排出ポート３１４が固定リング５０４に例えば溶接により固定されている。このようにして、処理空間３１９からの流体は、流体排出管５０１、取付孔５０５、外側開口部５０６及び排出ポート３１４を順次介して、外方に排出されるようになっている。
Circular fixing rings 504 are attached to both ends of the fluid discharge pipe 501. Note that FIG. 10 shows only one fixing ring 504. A mounting hole 505 is formed on the surface of the fixing ring 504 facing the container body 311 side, and the mounting hole 505 communicates with the outer opening 506. One end of the fluid discharge pipe 501 is inserted into the mounting hole 505, and the fluid discharge pipe 501 and the outer opening 506 are in close contact with each other by the packing 507 arranged in the mounting hole 505. Further, around the outer opening 506, the discharge port 314 is fixed to the fixing ring 504, for example, by welding. In this way, the fluid from the processing space 319 is sequentially discharged to the outside through the fluid discharge pipe 501, the mounting hole 505, the outer opening 506, and the discharge port 314.
各固定リング５０４は、容器本体３１１の側面に形成された陥凹部５０８にそれぞれ収容され、ボルト等の取付部材５１１によって容器本体３１１に固定されている。また固定リング５０４のうち容器本体３１１側の面にパッキン５０９が嵌め込まれており、このパッキン５０９により固定リング５０４と容器本体３１１とが気密に密着されている。
Each fixing ring 504 is housed in a recess 508 formed on the side surface of the container body 311 and is fixed to the container body 311 by a mounting member 511 such as a bolt. Further, a packing 509 is fitted on the surface of the fixing ring 504 on the container body 311 side, and the fixing ring 504 and the container body 311 are in close contact with each other by the packing 509.
図１０において、固定リング５０４を容器本体３１１から取り外すことにより、流体排出管５０１を容器本体３１１から取り外すことができる。これにより、流体排出管５０１の清掃作業や交換作業を簡単に実施することができる。また、流体排出管５０１の開孔５０３を容易に形成することができる。
In FIG. 10, the fluid discharge pipe 501 can be removed from the container body 311 by removing the fixing ring 504 from the container body 311. As a result, the cleaning work and the replacement work of the fluid discharge pipe 501 can be easily performed. Further, the opening 503 of the fluid discharge pipe 501 can be easily formed.
本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も含みうるものであり、本発明によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本発明の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, but may include various aspects to which various modifications that can be conceived by those skilled in the art are added, and the effects produced by the present invention are also described above. It is not limited to the matters of. Therefore, various additions, changes, and partial deletions can be made to the scope of claims and each element described in the specification without departing from the technical idea and purpose of the present invention.
例えば、乾燥処理に用いられる処理流体はＣＯ２以外の流体であってもよく、基板の凹部に液盛りされた乾燥防止用の液体を超臨界状態で除去可能な任意の流体を処理流体として用いることができる。また乾燥防止用の液体もＩＰＡには限定されず、乾燥防止用液体として使用可能な任意の液体を使用することができる。
For example, the treatment fluid used for the drying treatment may be a fluid other than CO 2 , and any fluid capable of removing the drying prevention liquid filled in the recesses of the substrate in a supercritical state is used as the treatment fluid. be able to. Further, the anti-drying liquid is not limited to IPA, and any liquid that can be used as the anti-drying liquid can be used.
また、上記において、メンテナンス用開口３２１は、搬送口３１２の開口と同等の大きさの開口としたが、メンテナンス用開口３２１の大きさ、形状については、これに限定されるものではない。メンテナンス用開口３２１は、例えば、容器本体３１１に収容されたウエハＷが取り出すことができる大きさ又は形状、また、割れたウエハＷの破片を取り出すことができる大きさ又は形状に設けられてよく、また、清掃治具や工具等を挿入し、処理空間３１９の内部のメンテナンス作業（清掃、調整等）を行うことができる大きさ又は形状とすることができる。
Further, in the above, the maintenance opening 321 is an opening having the same size as the opening of the transport port 312, but the size and shape of the maintenance opening 321 are not limited to this. The maintenance opening 321 may be provided, for example, in a size or shape that allows the wafer W housed in the container body 311 to be taken out, or a size or shape that allows the broken pieces of the wafer W to be taken out. Further, a cleaning jig, a tool, or the like can be inserted to make the size or shape capable of performing maintenance work (cleaning, adjustment, etc.) inside the processing space 319.
また上述の実施形態及び変形例では、基板処理装置及び基板処理方法に本発明が適用されているが、本発明の適用対象は特に限定されない。例えば、上述の基板処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムや、そのようなプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な非一時的な記録媒体に対しても本発明は適用可能である。
Further, in the above-described embodiments and modifications, the present invention is applied to the substrate processing apparatus and the substrate processing method, but the application target of the present invention is not particularly limited. For example, the present invention is also applicable to a program for causing a computer to execute the above-mentioned substrate processing method, and a computer-readable non-temporary recording medium on which such a program is recorded.
