KR20210015920A

KR20210015920A - 발광 소자 구동 장치

Info

Publication number: KR20210015920A
Application number: KR1020207037529A
Authority: KR
Inventors: 요시또 니시가미; 요시까즈 사사끼
Original assignee: 로무 가부시키가이샤
Priority date: 2018-06-29
Filing date: 2018-12-25
Publication date: 2021-02-10
Also published as: JP7011714B2; WO2020003559A1; KR102561074B1; JPWO2020003559A1

Abstract

스위칭 소자의 제어 단자와 접속되는 제1 외부 단자와, 상기 스위칭 소자를 온/오프 구동하는 구동 신호를 생성하여 상기 제1 외부 단자로부터 출력하는 구동 제어부를 구비하고, 상기 구동 제어부는, 코일을 흐르는 코일 전류가 증가로부터 감소로 바뀌는 트랜지션 타이밍의 지연에 기초하여 상기 구동 신호를 조정함으로써 상기 코일 전류를 보정하는 코일 전류 보정부를 갖는 발광 소자 구동 장치이다.

Description

발광 소자 구동 장치

본 발명은, 발광 소자 구동 장치에 관한 것이다.

종래, LED(발광 다이오드)로 대표되는 발광 소자를 구동하는 발광 소자 구동 장치가 다양하게 제안되어 있다. 발광 소자의 일례인 LED를 구동하는 종래의 발광 소자 구동 장치의 외부에 있어서는, LED를 복수 직렬 접속하여 구성한 LED 어레이의 저전위측 단부(캐소드)에 대하여 코일과 스위칭 소자가 순서대로 직렬로 접속되고, LED 어레이의 양단간에 콘덴서가 병렬 접속되고, 콘덴서와 코일의 접속 구성의 양단간에 환류용의 다이오드가 접속된다.

상기 스위칭 소자가 온/오프 제어됨으로써, LED 어레이에 흐르는 LED 전류가 제어된다. 스위칭 소자가 온으로 되면, 상기 코일에 흐르는 전류가 증가되고, 스위칭 소자가 오프로 되면, 상기 코일 및 상기 다이오드에 흐르는 전류는 감소된다. 상기 콘덴서는, 코일에 흐르는 전류를 평균화하여 LED 전류로 한다.

또한, 이와 같은 종래의 발광 소자 구동 장치의 일례는, 특허문헌 1에 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2016-91781호 공보

상기 종래의 발광 소자 구동 장치에서는, 스위칭 소자가 온의 상태로부터 오프로 될 때 코일에 흐르는 전류(코일 전류)는 증가로부터 감소로 바뀐다. 그러나, 예를 들어 발광 소자 구동 장치의 출력 단자와 스위칭 소자의 제어 단자 사이에 접속되는 외장형의 저항 부품 등에 의한 상기 제어 단자에 인가되는 제어 전압의 오프 레벨로의 전환의 지연 등에 기인하여, 코일 전류가 증가로부터 감소로 바뀌는 트랜지션(전환) 타이밍이 지연될 우려가 있었다. 이 경우, 그 지연분 만큼, 코일 전류의 증가가 계속되어, 코일 전류를 평균화한 LED 전류의 값이 원하는 값보다도 높아져, 정밀도로서의 문제가 발생한다.

상기 문제점을 감안하여, 본 발명은, 발광 소자에 흐르는 전류의 정밀도를 향상시킬 수 있는 발광 소자 구동 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 적어도 하나의 발광 소자를 포함하고, 일단에 입력 전압이 인가되는 발광부와,

상기 발광부의 타단에 일단이 접속되는 코일과,

상기 코일의 타단과 상기 발광부의 일단 사이에 접속되는 다이오드와,

상기 코일의 타단에 접속되는 제1 단자를 갖는 스위칭 소자를 포함하는 외부 구성에 있어서의 상기 발광부를 구동하는 발광 소자 구동 장치이며,

상기 스위칭 소자의 제어 단자와 접속되는 제1 외부 단자와,

상기 스위칭 소자를 온/오프 구동하는 구동 신호를 생성하여 상기 제1 외부 단자로부터 출력하는 구동 제어부를 구비하고,

상기 구동 제어부는, 상기 코일을 흐르는 코일 전류가 증가로부터 감소로 바뀌는 트랜지션 타이밍의 지연에 기초하여 상기 구동 신호를 조정함으로써 상기 코일 전류를 보정하는 코일 전류 보정부를 갖는 구성으로 하고 있다.

또한, 본 발명의 다른 양태는, 적어도 하나의 발광 소자를 포함하고, 일단에 입력 전압이 인가되는 발광부와,

상기 발광부의 타단에 일단이 접속되는 코일과,

상기 스위칭 소자의 제어 단자와 접속되는 제1 외부 단자와,

상기 스위칭 소자를 온/오프 구동하는 구동 신호를 생성하여 상기 제1 외부 단자로부터 출력하는 구동 제어부와,

선택 입력 신호가 입력되는 제2 외부 단자를 구비하고,

상기 구동 제어부는, 상기 선택 입력 신호에 따라서 QR 모드(quasi-resonant: 의사 공진 방식)와, CCM 모드(continuous current mode: 전류 연속 방식)를 전환하여 동작하는 구성으로 하고 있다.

본 발명의 발광 소자 구동 장치에 의하면, 발광 소자에 흐르는 전류의 정밀도를 향상시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 발광 소자 구동 장치의 전체 구성을 도시하는 회로도이다.
도 2는 QR 모드에서의 코일 전류 및 LED 전류의 파형의 일례를 도시하는 도면이다.
도 3은 CCM 모드에서의 코일 전류 및 LED 전류의 파형의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 QR 모드 시의 LED 전류 보정 기능을 설명하기 위한 타이밍차트이다.
도 5는 도 1에 도시한 발광 소자 구동 장치에 있어서 CCM 모드 시에 있어서의 전류 귀환 제어에 관한 구성만을 추출한 도면이다.
도 6은 CCM 모드 시의 LED 전류 보정 기능을 탑재한 발광 소자 구동 장치를 도시하는 도면이다.
도 7은 도 5(도 1)에 도시한 구성에 있어서의 CCM 모드 시의 각종 신호 파형의 일례를 나타내는 타이밍차트이다.
도 8은 도 6에 도시한 구성에 있어서의 CCM 모드 시의 각종 신호 파형의 일례를 나타내는 타이밍차트이다.
도 9는 일 실시 형태에 관한 발광 소자 구동 장치를 IC 패키지 제품으로서 상면으로부터 본 도면이다.
도 10은 일 실시 형태에 관한 발광 소자 구동 장치에 구비되는 칩에 있어서의 배치 구성을 도시하는 평면도이다.
도 11은 액정 표시 장치의 구성예를 도시하는 도면이다.

이하에 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.

<1. 발광 소자 구동 장치의 전체 구성>

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 발광 소자 구동 장치의 전체 구성을 도시하는 회로도이다. 도 1에 도시한 발광 소자 구동 장치(1)는, 복수의 LED를 직렬 접속하여 구성되는 LED 어레이(50)를 구동하는 장치이다. 즉, 발광 소자 구동 장치(1)는, 구동 대상의 발광 소자의 일례로서의 LED를 구동하는 장치이다. 단, 구동 대상의 발광 소자는, LED에 한하지 않아도 된다.

또한, 본 실시 형태에 관한 발광 소자 구동 장치(1)는, QR 모드(quasi-resonant: 의사 공진 방식)와, CCM 모드(continuous current mode: 전류 연속 방식)를 전환하여 동작하는 것이 가능하게 되어 있다. 즉, 상기 양쪽 모드를 하나의 IC에 탑재하고 있다. 상기 양쪽 모드의 상세에 대해서는, 후술한다.

발광 소자 구동 장치(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 내부 전압 생성부(11)와, IC 전원 UVLO부(12)와, UVLO부(13)와, 내부 전압 UVLO부(14)와, 저역 통과 필터(15)와, 증폭기(16)와, ODP(Over Duty Protection)부(17)와, 비교용 전압 생성부(18)와, 비교기(19)와, 에러 증폭기(20)와, 비교기(21)와, 발진기(22)와, 이상 검출부(23)와, 컨트롤 로직부(24)를 포함하는 각 구성부를 집적화하여 구성되는 반도체 IC이다.

또한, 비교기(19)와, 에러 증폭기(20)와, 비교기(21)와, 발진기(22)와, 컨트롤 로직부(24)와, 드라이버 Dr1과, 비교기 CP2로 구동 제어부의 일례가 구성된다. 구동 제어부는, OUT 단자로부터 출력하는 게이트 출력 신호 Gout(구동 신호)를 생성한다.

또한, 발광 소자 구동 장치(1)는, 외부와의 전기적 접속을 확립하기 위한 외부 단자로서, VCC 단자, ULVO 단자, SEL 단자, REG90 단자, QRCOMP 단자, PWM 단자, DUTYON 단자, ADIM 단자, RT 단자, FAILB 단자, ZT 단자, OUT 단자, CS 단자, FB 단자, DGND 단자 및 GND 단자를 갖는다.

발광 소자 구동 장치(1)의 외부에는, 각각 외장형 부품으로서, 분압 저항 R1, R2와, 다이오드 D1과, 콘덴서 C1과, 코일 L1과, LED 어레이(50)와, 콘덴서 C2와, 분압 저항 R11, R12와, 스위칭 소자 M1과, 게이트 저항 Rg와, 전류 검출 저항 Rs와, 귀환 콘덴서 Cfb와, 콘덴서 C11과, 저항 R21이 배치된다.

LED 어레이(50)는, 복수의 LED를 직렬 접속하여 구성되는 발광부이다. 단, 그 밖에도, 예를 들어 LED를 직병렬로 접속하여 LED 어레이를 구성해도 되고, LED 어레이 대신에 단일의 LED여도 된다.

LED 어레이(50)의 고전위측 단부(애노드)에는, 입력 전압 Vin이 인가된다. LED 어레이(50)의 저전위측 단부(캐소드)에는, 코일 L1의 일단이 접속된다. 코일 L1의 타단에는, 환류용의 다이오드 D1의 애노드가 접속된다. 다이오드 D1의 캐소드에는, LED 어레이(50)의 고전위측 단부가 접속된다. LED 어레이(50)의 양단간에는, 콘덴서 C1이 병렬 접속된다. 콘덴서 C1은, 코일 L1에 흐르는 전류인 코일 전류 Icoil을 평균화하여, LED 어레이(50)에 흐르는 전류인 LED 전류 ILED로 한다.

코일 L1의 타단에는, 일례로서 n채널 MOSFET로 구성되는 스위칭 소자 M1의 드레인이 접속된다. 스위칭 소자 M1의 소스에는, 전류 검출 저항 Rs를 통해 접지 전위의 인가단이 접속된다.

UVLO(Under Voltage Lock Out) 단자에는, 입력 전압 Vin을 분압 저항 R1, R2로 분압한 후의 전압이 인가된다. UVLO부(13)는, UVLO 단자에 인가된 전압이 소정 전압을 하회하면, 컨트롤 로직부(24)에 스위칭 소자 M1을 오프로 유지하여 스위칭을 정지시킨다. 즉, UVLO 단자는, 애플리케이션 전원의 UVLO용의 단자이다.

VCC 단자에는, 전원 전압 Vcc가 인가된다. 즉, VCC 단자는, IC용의 전원 단자이다. IC 전원 UVLO부(12)는, 전원 전압 Vcc가 소정 전압을 하회하면, 컨트롤 로직부(24)에 IC를 셧다운시킨다.

내부 전압 생성부(11)는, 전원 전압 Vcc에 기초하여 내부 전압 Vreg를 생성한다. 생성된 내부 전압 Vreg는, REG90 단자로부터 외부로 출력 가능하다. REG90 단자는, 9.0V의 출력 단자이다. 단, 여기서의 출력 전압값은 일례이다. REG90 단자에는, 외장형의 콘덴서 C11이 접속된다. 콘덴서 C11은, 세라믹 콘덴서인 것이 바람직하다.

내부 전압 UVLO부(14)는, 내부 전압 Vreg가 소정 전압을 하회하면, 컨트롤 로직부(24)에 IC를 셧다운시킨다.

컨트롤 로직부(24)는, 드라이버 Dr1을 사용하여 OUT 단자로부터 외부로 게이트 출력 신호 Gout를 출력한다. 게이트 출력 신호 Gout는, High와 Low를 포함하는 펄스 신호이다. OUT 단자는, 외장형 부품인 게이트 저항 Rg를 통해 스위칭 소자 M1의 게이트(제어 단자)에 접속된다. 게이트 출력 신호 Gout는 게이트 저항 Rg를 통해 게이트 신호 Gt로서 스위칭 소자 M1의 게이트에 인가된다. 게이트 출력 신호 Gout에 의해 스위칭 소자 M1을 온/오프시킨다.

PWM 단자에는, 외부로부터 펄스상의 PWM 조광 신호가 입력된다. ODP부(17)는, DUTYON 단자를 통해 외부로부터 입력되는 온/오프 설정 신호에 따라서, PWM 온 시간 제한 기능을 기능시킬지 여부를 전환한다. 예를 들어, 온/오프 설정 신호가 Low인 경우에, PWM 조광 신호의 온 시간이 제한되고, 온/오프 설정 신호가 High인 경우에, PWM 온 시간 제한 기능이 오프로 된다.

컨트롤 로직부(24)는, ODP부(17)로부터 출력되는 PWM 조광 신호가 High인 기간은 OUT 단자로부터 온/오프용의 게이트 출력 신호 Gout를 출력시키고, Low인 기간은 게이트 출력 신호 Gout를 Low로 유지시킨다. 이에 의해, PWM 조광 신호의 온 듀티를 조정함으로써 LED 어레이(50)의 조광을 행할 수 있다.

SEL 단자는, 발광 소자 구동 장치(1)를 QR 모드에서 동작시킬지, CCM 모드에서 동작시킬지를 선택하기 위한 선택 입력 신호가 입력되는 단자이다. SEL 단자는, IC 내부에 있어서 풀 다운 저항 Rp에 의해 풀 다운된다. SEL 단자와 풀 다운 저항 Rp의 접속 노드는, 비교기 CP1의 비반전 입력단에 접속된다. 비교기 CP1의 반전 입력단에는, 소정의 참조 전압이 인가된다. 선택 입력 신호가 High 또는 Low에 따라서, 비교기 CP1로부터 High 또는 Low의 선택 신호 SEL_sig가 출력된다.

컨트롤 로직부(24)는, 입력되는 선택 신호 SEL_sig의 레벨에 따라서, QR 모드 또는 CCM 모드를 선택한다. 예를 들어, 선택 입력 신호가 High인 경우에 QR 모드가 선택되고, Low인 경우에 CCM 모드가 선택된다.

CS 단자 및 비교기(19)는, QR 모드 시의 전류 검출에 사용된다. CS 단자는, 스위칭 소자 M1과 전류 검출 저항 Rs의 접속 노드에 접속된다. 비교기(19)의 비반전 입력단에는, 코일 전류 Icoil이 전류 검출 저항 Rs에 의해 전류·전압 변환된 후의 전류 검출 신호 Vcs가 단자 CS를 통해 입력된다.

비교기(19)의 반전 입력단에는, 비교용 전압 생성부(18)로부터 출력되는 전류 검출 역치 전압 Vcsqr이 입력된다. 비교기(19)는, 전류 검출 신호 Vcs와 전류 검출 역치 전압 Vcsqr의 비교 결과를 컨트롤 로직부(24)에 출력한다.

여기서, ADIM 단자는, 외부로부터 아날로그 조광 신호(아날로그 전압 신호)를 입력시키기 위한 외부 단자이다. 비교용 전압 생성부(18)는, 선택 신호 SEL_sig에 의해 QR 모드가 선택되어 있는 경우, 아날로그 조광 신호에 제1 게인 배율만큼 승산한 전류 검출 역치 전압 Vcsqr을 출력한다. 아날로그 조광 신호를 조정함으로써 QR 모드에서의 LED 어레이(50)의 조광을 행할 수 있다.

CS 단자 및 에러 증폭기(20)는, CCM 모드 시의 전류 귀환 제어에 사용된다. 에러 증폭기(20)의 반전 입력단에는, CS 단자를 통해 전류 검출 신호 Vcs가 입력된다. 에러 증폭기(20)의 비반전 입력단에는, 비교용 전압 생성부(18)로부터 출력되는 참조 전압으로서의 전류 귀환 전압 Vcsccm이 입력된다. 에러 증폭기(20)의 출력단에는, FB 단자가 접속된다. FB 단자에는, 외장형의 콘덴서 Cfb가 접속된다.

비교용 전압 생성부(18)는, 선택 신호 SEL_sig에 의해 CCM 모드가 선택되어 있는 경우, 아날로그 조광 신호에 제2 게인 배율만큼 승산한 전류 귀환 전압 Vcsccm을 출력한다. 아날로그 조광 신호를 조정함으로써 CCM 모드에서의 LED 어레이(50)의 조광을 행할 수 있다.

또한, 비교용 전압 생성부(18)에 의한 동작의 보다 상세에 대해서는, 후술한다.

에러 증폭기(20)의 출력단은, 비교기(21)의 비반전 입력단에 접속된다. 비교기(21)의 반전 입력단에는, 발진기(22)로부터 출력되는 발진 신호가 입력된다. 당해 발진 신호는, 예를 들어 톱상 파형이다. 비교기(21)는, 에러 증폭기(20)의 출력과 발진 신호의 비교 결과로서 PWM 신호 Spwm을 컨트롤 로직부(24)에 출력한다.

또한, CCM 모드 시에 있어서는 PWM 제어의 주파수는 고정으로 되지만, 이 주파수는 RT 단자에 접속된 외장형의 저항 R21에 의해 설정된다.

또한, ZT 단자는, QR 모드 시에 있어서의 코일 전류 Icoil의 제로 크로스를 검출하기 위한 단자이며, 분압 저항 R11, R12의 접속 노드에 접속된다. ZT 단자에는, 비교기 CP2의 반전 입력단이 접속된다. 비교기 CP2의 비반전 입력단에는, 소정의 참조 전압이 인가된다. 비교기 CP2는, 상기 제로 크로스의 검출 신호를 컨트롤 로직부(24)에 출력한다. 또한, 비교기 CP3도 ZT 단자에 접속되지만, 비교기 CP3은 QR 모드 시에 있어서의 LED 전류 ILED의 보정 제어에 사용되며, 그 상세에 대해서는 후술한다.

증폭기(16)는, 선택 신호 SEL_sig에 의해 QR 모드가 선택되어 있는 경우, 저역 통과 필터(15)로부터의 출력을 증폭하여 출력을 행한다. 컨트롤 로직부(24)는, PWM 조광 신호가 High인 경우에, OUT 단자의 게이트 출력 신호 Gout를 저역 통과 필터(15)로 출력한다. 이에 의해, 저역 통과 필터(15)는, 게이트 출력 신호 Gout를 평활화하여 출력한다. 즉, QRCOMP 단자는, 선택 신호 SEL_sig에 의해 QR 모드가 선택되어 있는 경우, 또한, PWM 조광 신호가 High인 경우에, 게이트 출력 신호 Gout의 온 듀티에 비례한 DC 전압을 외부로 출력한다. QRCOMP 단자로부터 출력된 DC 전압은, ADIM 단자에 입력되는 아날로그 조광 신호의 생성에 사용되며, QR 모드 시의 LED 전류의 리니어리티를 보정한다.

또한, 컨트롤 로직부(24)는, 이상을 검출한 경우, 이상 검출부(23)를 사용하여 FAILB 단자로부터 외부로 이상 상태를 나타내는 이상 신호를 출력한다. 또한, 이상 신호는, 이상 상태나 정상 상태에 따라서 다른 레벨이 된다.

또한, GND 단자는, IC의 접지를 취하기 위한 단자이다. DGND 단자는, IC의 디지털 접지를 취하기 위한 단자이다.

<2. QR 모드와 CCM 모드>

다음에, QR 모드와 CCM 모드에서의 각 동작에 대하여 설명한다. SEL 단자에 입력되는 선택 입력 신호에 의해 QR 모드가 선택되면, 그 취지를 나타내는 선택 신호 SEL_sig에 의해 컨트롤 로직부(24)는, QR 모드에서의 동작 제어를 행한다.

컨트롤 로직부(24)는, 먼저 OUT 단자로부터 High의 게이트 출력 신호 Gout를 출력시켜, 스위칭 소자 M1을 온시킨다. 그렇게 하면, 코일 전류 Icoil이 온이 된 스위칭 소자 M1 및 전류 검출 저항 Rs를 흐르기 시작하여 증가되어 간다. 이때, 전류 검출 저항 Rs에 의해 검출된 전류 검출 신호 Vcs가 증가된다. 그리고, 전류 검출 신호 Vcs가 전류 검출 역치 전압 Vcsqr 이상이 되면, 비교기(19)의 출력이 High로 상승하고, 컨트롤 로직부(24)는, 게이트 출력 신호 Gout를 Low로 하강시킨다.

이에 의해, 스위칭 소자 M1은 오프로 되고, 스위칭 소자 M1의 드레인 전압 Vrd가 상승하고, 코일 전류 Icoil은 다이오드 D1을 통해 흐르기 시작하여 감소되어 간다. 이때, ZT 단자에 인가되는 ZT 전압 Vzt는, 드레인 전압 Vdr의 상승에 수반하여 상승하고, 그 후, 서서히 저하된다. 그리고, 코일 전류 Icoil이 제로가 된 타이밍에 드레인 전압 Vdr이 급격하게 저하되고, ZT 전압 Vzt도 급격하게 저하된다. 그리고, ZT 전압 Vzt가 소정의 참조 전압 이하가 되면, 비교기 CP2의 출력이 High로 상승된다. 이에 의해, 코일 전류 Icoil의 제로 크로스가 검출된다. 그렇게 되면, 컨트롤 로직부(24)는, 게이트 출력 신호 Gout를 High로 상승시켜, 다시 스위칭 소자 M1을 온시킨다.

이와 같은 QR 모드에서의 코일 전류 Icoil 및 LED 전류 ILED의 파형의 일례를 도 2에 도시한다. 코일 전류 Icoil은 제로로부터 증가된 후, 소정 전류값에서 감소로 바뀌고, 제로에 도달하면 다시 증가된다. 도 2에서 영역 A1에 나타내는 바와 같이, QR 모드에서는 스위칭 소자 M1의 턴 온 시에 스위칭 소자 M1에 전류가 흐르지 않는 소프트 스위칭이 행해지기 때문에, 발열(손실) 및 노이즈의 발생이 억제된다. 단, 코일 전류 Icoil의 진폭이 커지므로, 코일 전류 Icoil을 평균화한 LED 전류 ILED의 리플은 커진다.

한편, 선택 입력 신호에 의해 CCM 모드가 선택된 경우, 컨트롤 로직부(24)는, CCM 모드의 동작 제어를 행한다. 여기에서는, 에러 증폭기(20) 및 비교기(21)가 유효해지고, 비교기(21)로부터 출력되는 PWM 신호 Spwm에 따라서 컨트롤 로직부(24)는, High와 Low를 포함하는 게이트 출력 신호 Gout를 출력시켜, 스위칭 소자 M1을 온/오프 제어한다. 즉, 전류 검출 신호 Vcs의 평균값이 전류 귀환 전압 Vcsccm과 일치하도록 PWM 신호 Spwm의 온 듀티가 조정되는 전류 귀환 제어가 행해진다. 이에 의해, 코일 전류 Icoil의 평균값이 원하는 값과 일치하도록 제어된다.

이와 같은 CCM 모드에서의 코일 전류 Icoil 및 LED 전류 ILED의 파형의 일례를 도 3에 도시한다. PWM 신호 Spwm에 따라서 스위칭 소자 M1이 온/오프되어, 코일 전류 Icoil은 증가·감소를 반복한다. 코일 전류 Icoil은, 항상 흐르는 상태에서 제어된다. 스위칭 소자 M1의 스위칭 주기는, 고정으로 된다. 이때, 코일 전류 Icoil의 진폭은 작으므로, LED 전류 ILED의 리플은 작아진다. 단, 도 3에 영역 A2로서 나타낸 바와 같이, 스위칭 소자 M1의 턴 온 시에 스위칭 소자 M1에 전류가 흐르는 하드 스위칭이 행해지기 때문에, 발열(손실) 및 노이즈의 발생의 점에서는 불리해진다.

이와 같이, 본 실시 형태의 발광 소자 구동 장치(1)에서는, 하나의 IC에서 선택 입력 신호에 의해 QR 모드 및 CCM 모드를 선택 가능하게 되므로, 설계의 자유도가 향상된다. 또한, 양쪽 모드 중 한쪽의 모드가 동작 중에, 다른 쪽의 모드의 동작으로 전환하는 것도 가능하다. 이에 의해, 예를 들어 LED의 휘도를 저휘도로부터 고휘도로 전환할 때, QR 모드로부터 LED 전류의 리플이 작은 CCM 모드로 전환할 수 있다.

<3. 전류 검출 역치 전압 Vcsqr 및 전류 귀환 전압 Vcsccm의 설정>

여기서, 비교용 전압 생성부(18)에 의한 전류 검출 역치 전압 Vcsqr 및 전류 귀환 전압 Vcsccm의 설정에 대하여 상세하게 설명한다.

QR 모드의 선택 시, 전류 검출 역치 전압 Vcsqr은 기본적으로 하기 (1)식으로 설정된다.

단, Vadim은 아날로그 조광 신호, G1은 제1 게인 배율

CCM 모드의 선택 시, 전류 귀환 전압 Vcsccm은 기본적으로 하기 (2)식으로 설정된다.

단, Vadim은 아날로그 조광 신호, G2는 제2 게인 배율

그리고, 제1 게인 배율 G1은, 제2 게인 배율 G2의 2배로 설정된다(예를 들어, G1=0.7, G2=0.35). 이에 의해, 동일한 아날로그 조광 신호 Vadim의 설정값으로, 양쪽의 모드에서 LED 전류 ILED의 전류값을 동일한 것으로 하게 할 수 있다.

더욱 상세하게는 본 실시 형태에서는, DUTYON 단자에 입력되는 온/오프 설정 신호의 설정에 의한 ODP부(17)의 기능의 온/오프에 따라서, 전류 검출 역치 전압 Vcsqr 및 전류 귀환 전압 Vcsccm이 이하와 같이 설정된다.

※QR 모드 선택 시, 또한 ODP부(17)의 기능 온의 경우

Vcsqr =Vadim×G1(Vadim≤Vclp1) … (11)

Vcsqr =Vclp1×G1(Vadim>Vclp1) … (12)

※QR 모드 선택 시, 또한 ODP부(17)의 기능 오프의 경우

Vcsqr =Vadim×G1(Vadim≤Vclp2) … (13)

Vcsqr =Vclp2×G1(Vadim>Vclp2) … (14)

※CCM 모드 선택 시, 또한 ODP부(17)의 기능 온의 경우

Vcsccm =Vadim×G2(Vadim≤Vclp1) … (15)

Vcsccm =Vclp1×G2(Vadim>Vclp1) … (16)

※CCM 모드 선택 시, 또한 ODP부(17)의 기능 오프의 경우

Vcsccm =Vadim×G2(Vadim≤Vclp2) … (17)

Vcsccm =Vclp2×G2(Vadim>Vclp2) … (18)

단, Vclp1 및 Vclp2는, 아날로그 조광 신호 Vadim의 클램프 전압이며, Vclp1>Vclp2이다.

즉, 클램프 전압 Vclp1 및 Vclp2에 의해 전류 검출 역치 전압 Vcsqr 및 전류 귀환 전압 Vcsccm을 제한할 수 있다. 또한, ODP부(17)의 기능 온의 경우에 사용하는 Vclp1이 기능 오프의 경우에 사용하는 Vclp2보다도 높은 것은, 기능 온의 경우에는 PWM 조광 신호의 온 시간이 제한되므로, 전류 검출 역치 전압 Vcsqr 및 전류 귀환 전압 Vcsccm의 제한을 완화해도 문제가 없기 때문이다.

<4. QR 모드 시의 LED 전류 보정>

본 실시 형태의 발광 소자 구동 장치(1)에서는, QR 모드 시에 있어서 LED 전류 ILED(코일 전류 Icoil)를 보정하여 고정밀도화하는 기능을 갖고 있고, 여기서는, 본 기능에 대하여 도 4에 도시한 타이밍차트를 사용하여 설명한다.

스위칭 소자 M1의 온에 의해, 도 4에 도시한 타이밍 t0에서 코일 전류 Icoil이 제로로부터 증가되기 시작하고, 전류 검출 신호 Vcs도 상승하기 시작한다. 그 후, 타이밍 t1에서 전류 검출 신호 Vcs가 전류 검출 역치 전압 Vcsqr에 도달하면, 비교기(19)의 출력 신호 CS_DET가 High로 상승한다.

그 후의 지연된 타이밍 t2에서, 컨트롤 로직부(24)에 의해 출력되는 게이트 출력 신호 Gout는 Low로 하강한다. 여기서, 외장형 부품의 게이트 저항 Rg 및 도시하지 않은 게이트 용량의 존재에 의해, 게이트 신호 Gt가 어떤 기울기로써 타이밍 t3까지 저하된다.

타이밍 t3에서 스위칭 소자 M1의 턴 오프에 의해 드레인 전압 Vdr이 상승하기 시작하고, 타이밍 t4에서 드레인 전압 Vdr은 LED 전압 VLED에 도달한다. 이 타이밍 t4에서, 코일 전류 Icoil은 증가로부터 감소로 바뀐다. 즉, 내부 회로에 의한 타이밍 t1부터 t2까지의 지연, 외장형 부품 등에 의한 타이밍 t2부터 t3까지의 지연, 및 드레인 전압 Vdr의 상승에 의한 타이밍 t3부터 t4까지의 지연의 누적으로서, 코일 전류 Icoil이 증가로부터 감소로 바뀌는 트랜지션 타이밍의 지연이 지연 시간 DTqr만큼 발생해 버린다. 이에 의해, 지연 시간 DTqr의 기간만큼 코일 전류 Icoil의 증가가 유지된다. 따라서, 코일 전류 Icoil을 평균화한 LED 전류 ILED가 조금 높게 어긋나, 전류 정밀도에 문제가 발생한다.

그래서, 본 실시 형태에서는, ZT 단자에 발생하는 ZT 전압 Vzt를 사용하여 제어를 행한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 타이밍 t3으로부터의 드레인 전압 Vdr의 상승에 수반하여, ZT 전압 Vzt도 상승하고, 타이밍 t4에서 ZT 전압 Vzt는 소정의 역치 전압 ZTH1에 도달한다. 역치 전압 ZTH1은, 비교기 CP3의 참조 전압으로서 설정되며, 타이밍 t4에서 비교기 CP3의 출력은 High로 상승한다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 컨트롤 로직부(24)는, 비교기(19)의 출력 신호 CS_DET가 상승하는 타이밍 t1부터 카운트를 개시하고, 비교기 CP3의 출력이 High가 되는 타이밍 t4까지 카운트함으로써, 지연 시간 DTqr을 검출한다.

그리고, 컨트롤 로직부(24)는, 지연 시간 DTqr에 따라서 아날로그 조광 신호 Adim을 조정한다. 이에 의해, 전류 검출 역치 전압 Vcsqr이 조정되어, 코일 전류 Icoil 나아가서는 LED 전류 ILED를 보정할 수 있다. 또한, 상기와 같이 아날로그 조광 신호 Adim으로 피드백하는 방법 외에, 컨트롤 로직부(24)는, 게이트 출력 신호 Gout의 온 듀티를 조정해도 된다. 즉, 컨트롤 로직부(24)는, 코일 전류 보정부의 일례에 상당한다.

이와 같이 하여, 본 실시 형태에서는, QR 모드 시에 있어서의 코일 전류 Icoil의 트랜지션 타이밍의 지연을 검출하여, LED 전류 ILED의 정밀도 향상을 도모할 수 있다. 특히, QR 모드 시의 제로 크로스 검출에 사용하는 ZT 단자의 ZT 전압 Vzt를 유용하여 지연 시간 DTqr의 검출을 행할 수 있다.

또한, 도 4에 도시한 바와 같이 코일 전류 Icoil이 감소되어 제로에 도달한 타이밍 t5에서, 드레인 전압 Vdr은 급격하게 저하되고, 그것에 수반하여 ZT 전압 Vzt도 저하된다. ZT 전압 Vzt가 역치 전압 ZTH2에 도달하는 타이밍 t6에서, 비교기 CP2의 출력은 High로 상승하여, 코일 전류 Icoil의 제로 크로스가 검출된다. 즉, 비교기 CP2의 참조 전압으로서 역치 전압 ZTH2가 설정된다.

ZTH2는 제로에 가까운 값으로 설정되며, ZTH1은 ZTH2보다도 높고 ZTH2와 전압 레벨이 다르므로, 본 실시 형태에서는, 비교기 CP2와 비교기 CP3의 양쪽을 구비하는 구성으로 하고 있다. 이와 같이, ZTH1과의 비교용으로 비교기 CP3을 마련함으로써, 지연 시간 DTqr을 고정밀도로 검출할 수 있다. 단, 제로 크로스 검출용의 비교기 CP2를 지연 시간 DTqr 검출용으로 겸용하는 것도 가능하다. 그 경우, 부품 개수의 삭감이 가능해진다.

<5. CCM 모드 시의 LED 전류 보정>

또한, 본 실시 형태의 발광 소자 구동 장치에서는, CCM 모드 시에 있어서 LED 전류 ILED(코일 전류 Icoil)를 보정하여 고정밀도화하는 기능을 탑재하는 것도 가능하고, 여기서는, 본 기능에 대하여 설명한다.

도 5는 도 1에 도시한 발광 소자 구동 장치(1)에 있어서 CCM 모드 시에 있어서의 전류 귀환 제어에 관한 구성만을 추출한 도면이다. 또한, 도 5에서 도시한 스위칭 제어부(1A)는, 비교기(21), 발진기(22), 컨트롤 로직부(24) 및 드라이버 Dr1을 포함한 기능부이고, 에러 증폭기(20)로부터의 출력에 기초하여 게이트 출력 신호 Gout를 OUT 단자로부터 출력한다. 도 5에 도시한 구성에서는, CCM 모드 시에 LED 전류를 보정하는 기능을 탑재하고 있지 않은 상태이다.

도 5의 구성에서는 스위칭 제어부(1A)는, 전류 검출 신호 Vcs의 평균값이 전류 귀환 전압 Vcsccm에 일치하도록 게이트 출력 신호 Gout의 온 듀티를 조정한다.

도 7은 도 5(도 1)에 도시한 구성에 있어서의 CCM 모드 시의 각종 신호 파형의 일례를 나타내는 타이밍차트이다. 도 7에 도시한 타이밍 t10에서 게이트 출력 신호 Gout는 High이고, 스위칭 소자 M1의 턴 온에 의해 코일 전류 Icoil이 증가를 개시하고, 전류 검출 신호 Vcs는 0V로부터 급준하게 상승하고, 그 후 상승한다.

온 듀티의 조정에 의해 게이트 출력 신호 Gout가 타이밍 t11에서 Low로 전환된다. 외장형의 게이트 저항 Rg 및 도시하지 않은 게이트 용량의 존재에 의해, 지연된 타이밍 t12에서 게이트 신호 Gt는 Low로 전환된다.

스위칭 소자 M1의 턴 오프에 의해, 타이밍 t12로부터 드레인 전압 Vdr이 상승하고, 타이밍 t13에서 드레인 전압 Vdr이 LED 전압 VLED에 도달한다. 이 타이밍 t13에서 코일 전류 Icoil은, 증가로부터 감소로 바뀐다.

도 5에 도시한 구성에서는, 에러 증폭기(20)는, 게이트 출력 신호 Gout가 High가 되는 기간만 전류 검출 신호 Vcs를 모니터한다. 이에 의해, 도 7에 도시한 바와 같이, 전류 검출 신호 Vcs의 평균값이 전류 귀환 전압 Vcsccm에 일치하도록 게이트 출력 신호 Gout의 온 듀티가 조정된다. 그러나, 타이밍 t11부터 t13까지의 지연 시간 DTccm의 발생에 의해, 그 지연 시간 DTccm의 기간만큼 코일 전류 Icoil이 증가를 계속하여, 코일 전류 Icoil의 평균값이 원하는 값 Iccm보다도 조금 높게 어긋나 버린다. 따라서, LED 전류 ILED의 정밀도에 문제가 발생한다. 즉, IC(발광 소자 구동 장치)로서는 정확하게 제어하였다고 생각해도, 실제로는 LED 전류 ILED에 어긋남이 발생한다.

그래서, 도 5에 도시한 구성을 도 6에 도시한 바와 같은 구성으로 함으로써, LED 전류 ILED의 보정 제어가 가능해진다. 도 6에 도시한 발광 소자 구동 장치(100)는, 도 5(도 1)에 도시한 발광 소자 구동 장치(1)의 구성을 일부 개변한 것이 된다.

도 6에 도시한 발광 소자 구동 장치(100)에서는, 도 5의 구성과의 상위점으로서, CS 단자와 에러 증폭기(20)의 반전 입력단 사이에 샘플 홀드부(100A)를 삽입한다. 또한, 도 6의 구성에서는, ZT 단자의 ZT 전압 Vzt도 사용한다. 에러 증폭기(20)는, 샘플 홀드부(100A)로부터 출력되는 샘플링 출력 Vsmp를 모니터한다. 또한, 샘플 홀드부(100A)와, 에러 증폭기(20)와, 스위칭 제어부(1A)로 구동 제어부 또는 코일 전류 보정부의 일례가 구성된다.

도 8은 도 6에 도시한 구성에 있어서의 CCM 모드 시의 각종 신호 파형의 일례를 나타내는 타이밍차트이다. 도 8에서 도시한 타이밍 t10 내지 t11의 게이트 출력 신호 Gout가 High가 되는 기간에서는, 샘플 홀드부(100A)는, 전류 검출 신호 Vcs를 그대로 샘플링 출력 Vsmp로서 출력한다.

그리고, 타이밍 t11에서 게이트 출력 신호 Gout가 Low로 전환되면, 샘플 홀드부(100A)는, 그 타이밍에서의 샘플링 출력 Vsmp를 유지하는 홀드 동작을 행한다. 타이밍 t11 후의 타이밍 t12에서, 드레인 전압 Vdr이 상승을 개시하지만, 그것에 수반하여 ZT 단자의 ZT 전압 Vzt도 상승한다. 그리고, 드레인 전압 Vdr이 LED 전압 VLED에 도달하는 타이밍 t13에서 ZT 전압 Vzt가 역치 전압 Zth에 도달한다. 에러 증폭기(20)는, 게이트 출력 신호 Gout가 High로 전환되고 나서 ZT 전압 Vzt가 역치 전압 Zth에 도달할 때까지의 기간만 샘플링 출력 Vsmp를 모니터한다.

도 6에 도시한 구성에서는, 샘플링 출력 Vsmp의 평균값이 전류 귀환 전압 Vcsccm에 일치하도록 게이트 출력 신호 Gout의 온 듀티가 조정되지만, 도 8에 도시한 바와 같이, 지연 시간 DTccm에 상당하는 기간만 샘플 홀드부(100A)에 의해 홀드된 샘플링 출력 Vsmp가 부가되어 모니터되기 때문에, 샘플링 출력 Vsmp의 평균값은 조금 높게 보정된다. 이에 의해, 도 8에 화살표로 나타내는 바와 같이, 샘플링 출력 Vsmp 및 코일 전류 Icoil이 조금 낮게 보정된다. 따라서, LED 전류 ILED가 원하는 값에 가까워지도록 보정되어, 전류 정밀도를 향상시킬 수 있다.

또한, 다른 방법으로서, 상술한 QR 모드에서의 방법과 마찬가지의 방법을 CCM 모드에 적용할 수도 있다. 즉, 컨트롤 로직부(24)는, 도 8에 도시한 게이트 출력 신호 Gout가 High로부터 Low로 전환되는 타이밍 t11부터 카운트를 개시하고, ZT 전압 Vzt가 역치 전압 Zth에 도달하는 타이밍 t13까지 카운트함으로써, 지연 시간 DTccm을 검출한다. 이 경우, 도 1의 구성에 있어서, ZT 전압 Vzt를 역치 전압 Zth와 비교하는 비교기를 마련하면 된다. 그리고, 컨트롤 로직부(24)는, 검출된 지연 시간 DTccm에 따라서 아날로그 조광 신호 Adim을 조정한다. 이에 의해, 전류 귀환 전압 Vcsccm이 조정되어, 코일 전류 Icoil 나아가서는 LED 전류 ILED를 보정할 수 있다. 또한, 상기와 같이 아날로그 조광 신호 Adim으로 피드백하는 방법 외에, 컨트롤 로직부(24)는, 게이트 출력 신호 Gout의 온 듀티를 조정해도 된다.

또한, CCM 모드 시에 QR 모드 시와 마찬가지로 비교기를 사용하여 제어를 행하는 변형 실시 형태도 가능하고, 그 경우에는, 에러 증폭기(20) 및 FB 단자는 불필요하다. 이와 같은 변형 실시 형태의 제1 예로서는, 게이트 출력 신호 Gout를 Low로부터 High로 전환하여 스위칭 소자 M1을 온시키는 타이밍부터 컨트롤 로직부(24)가 시간 계측을 개시한다. 그리고, 컨트롤 로직부(24)는, 기준 전압과 전류 검출 신호 Vs가 입력되는 비교기의 출력을 감시하고, 전류 검출 신호 Vs가 기준 전압 이상이 된 타이밍에 시간 계측을 종료하고, 그 타이밍으로부터 상기 시간 계측의 개시부터 종료까지의 계측 시간과 동등한 시간만큼 경과한 타이밍에 게이트 출력 신호 Gout를 High로부터 Low로 전환한다. 이에 의해, 코일 전류 Icoil의 평균값을 기준 전압으로 규정되는 원하는 전류값으로 제어할 수 있다.

또한, 변형 실시 형태의 제2 예로서는, 컨트롤 로직부(24)는, 스위칭 소자 M1을 턴 온하였을 때의 전류 검출 신호 Vs와 기준 전압의 차를 검출하고, 검출된 차를 기준 전압에 더하여 결정되는 전압을 QR 모드 시와 마찬가지의 전류 검출 역치 전압으로 하여, 비교기의 출력을 감시하여 게이트 출력 신호 Gout를 High로부터 Low로 전환하는 타이밍을 결정한다. 이에 의해, 코일 전류 Icoil의 평균값을 기준 전압으로 규정되는 원하는 전류값으로 제어할 수 있다.

그리고, 상기 제1, 제2 예에 관한 변형 실시 형태의 경우에, 상술한 바와 같이 컨트롤 로직부(24)가 지연 시간 DTccm을 검출하고, 검출된 지연 시간 Dtccm에 따라서 기준 전압 또는 온 시간을 조정하면, 코일 전류 Icoil을 보정할 수 있다.

<6. IC 패키지의 핀 배치>

도 9는 본 실시 형태에 관한 발광 소자 구동 장치[1(또는 100)]를 IC 패키지 제품으로서 상면으로부터 본 도면이다. 도 9에서는, 각 외부 단자의 배치(핀 배치)가 도시되어 있다. 도 9에 도시한 IC 패키지는, SOP(Small Outline Package)로서 구성된다. 각 외부 단자인 리드 프레임은, 본딩 와이어(Au 와이어 등)에 의해 LSI 칩의 전극과 접속되고, LSI 칩과 리드 프레임은 밀봉재(에폭시 수지 등)에 의해 밀봉된다.

도 9에 도시한 바와 같이, IC 패키지는 상면으로부터 보아 직사각형의 밀봉재를 갖는다. 당해 밀봉재는, 한쪽의 긴 변인 제1 변과, 제1 변과 대향하여 평행한 긴 변인 제2 변을 갖는다. 제1 변을 따라서, VCC 단자, UVLO 단자, SEL 단자, PWM 단자, QRCOMP 단자, ADIM 단자, FAILB 단자, 및 DUTYON 단자가 순서대로 배열된다. 또한, 제2 변을 따라서, REG90 단자, CS 단자, OUT 단자, GND 단자, DGND 단자, FB 단자, ZT 단자, 및 RT 단자가 순서대로 배열된다.

입력 전원계의 VCC 단자 및 UVLO 단자, 그리고, 도시하지 않은 마이크로컴퓨터와의 입출력 관계인 SEL 단자, PWM 단자, QRCOMP 단자, ADIM 단자, FAILB 단자, 및 DUTYON 단자를, IC 패키지를 PCB(기판)에 실장할 때의 배선을 고려하여, 동일한 긴 변측에 통합하여 배치하고 있다.

또한, FB 단자는, DGND 단자와 ZT 단자 사이에 배치되어 있다. FB 단자에 만약 고전압이 인가되면, CCR 모드 시에 있어서 PWM 제어의 온 듀티가 매우 커져, LED 전류가 과전류가 될 우려가 있다. 그러나, FB 단자가 만약 인접하는 DGND 단자, 또는 ZT 단자와 쇼트해도, DGND 단자 및 ZT 단자는 저전압이 인가되는 단자이며, FB 단자에 저전압이 인가되므로 문제는 없다.

<7. 칩에 있어서의 배치 구성>

도 10은 본 실시 형태에 관한 발광 소자 구동 장치(1)에 구비되는 칩(101)에 있어서의 전극 패드의 배치 및 도 1에 도시된 각 구성부가 배치되는 각 영역의 배치를 도시하는 평면도이다.

또한, 도 10에 있어서, X축 방향과, X축 방향에 직교하는 Y축 방향을 나타내고 있고, X축 방향은 더욱 구체적으로는 X1 방향과 X2 방향으로 나타내고, Y축 방향은 더욱 구체적으로는 Y1 방향과 Y2 방향으로 나타내고 있다. X2 방향과 Y2 방향은, 서로 가까워지는 방향이 된다.

도 10에 도시한 칩(101)은, 외형으로서 직사각형을 갖는다. 당해 직사각형은, X2 방향측에서 Y축 방향으로 연장되는 제1 변 S1과, Y2 방향측에서 X축 방향으로 연장되는 제2 변 S2와, X1 방향측에서 Y축 방향으로 연장되는 제3 변 S3과, Y1 방향측에서 X축 방향으로 연장되는 제4 변 S4를 갖는다.

칩(101)은, 전극 패드로서, 2개의 VCC 패드, UVLO 패드, SEL 패드, PWM 패드, QRCOMP 패드, ADIM 패드, FAILB 패드, DUTYON 패드, RT 패드, ZT 패드, FB 패드, DGND 패드, 2개의 GND 패드, 2개의 OUT 패드, CS 패드, 2개의 REG90 패드를 갖는다. 이들 각 패드는, 도 9에 도시한 IC 패키지의 각 단자에 대응하여 마련된다.

제1 변 S1을 따라서는, CS 패드, 제1 REG90 패드, 제2 REG90 패드, 제1 VCC 패드, 제2 VCC 패드, UVLO 패드가 이 순번으로 Y2 방향으로 배치된다. 제2 변 S2를 따라서는, SEL 패드, PWM 패드, QRCOMP 패드, ADIM 패드, FAILB 패드가 이 순번으로 X1 방향으로 배치된다. 제3 변 S3을 따라서는, DUTYON 패드, RT 패드, ZT 패드가 이 순번으로 Y1 방향으로 배치된다. 제4 변 S4를 따라서는, FB 패드, DGND 패드, 제1 GND 패드, 제2 GND 패드, 제1 OUT 패드, 제2 OUT 패드가 이 순번으로 X2 방향으로 배치된다.

칩(101)은, 도 1에 도시된 각 구성부가 배치되는 영역으로서, A 영역 내지 M 영역을 갖는다.

A 영역, B 영역, C 영역은, X1 방향으로 보아 이 순번으로 Y2 방향으로 배치된다. A 영역은, Y2 방향으로 보아 제1 OUT 패드 및 제2 OUT 패드와 X축 방향으로 겸침과 함께, X1 방향으로 보아 CS 패드와 Y축 방향으로 겹친다. B 영역은, Y2 방향으로 보아 A 영역과 X축 방향으로 겸침과 함께, X1 방향으로 보아 제1 REG90 패드 및 제2 REG90 패드와 Y축 방향으로 겹친다. B 영역은, X1 방향으로 보아 제1 VCC 패드와는 Y축 방향으로 겹치지 않는다.

제1 VCC 패드 및 제2 VCC 패드는, 톱 메탈 배선을 통해, B 영역에 배치되는 내부 전압 생성부(11)의 입력단에 접속된다. 내부 전압 생성부(11)는, 파워 트랜지스터를 포함한다. 내부 전압 생성부(11)의 출력단은, 톱 메탈 배선을 통해, A 영역에 배치되는 드라이버 Dr1의 전원 입력단에 접속된다. 드라이버 Dr1은, 파워 트랜지스터를 포함한다. 이에 의해, 제1 VCC 패드 및 제2 VCC 패드에 인가되는 전원 전압 Vcc에 기초하여 내부 전압 생성부(11)에 의해 생성된 내부 전압 Vreg는, 드라이버 Dr1의 전원 전압으로서 공급된다. 드라이버 Dr1의 출력단은, 제1 OUT 패드 및 제2 OUT 패드에 접속된다.

A 영역은, Y2 방향으로 보아 제1 GND 패드 및 제2 GND 패드와 X축 방향으로 겹치지 않는다. 드라이버 Dr1의 접지단은, 제1 GND 패드 및 제2 GND 패드와 접속된다.

이와 같이, 제1, 제2 REG90 패드 및 제1, 제2 VCC 패드는, B 영역의 근처에 배치되고, A 영역은, 제1, 제2 OUT 패드 및 제1, 제2 GND 패드의 근처에 배치된다.

C 영역은, X1 방향으로 보아 제1 VCC 패드와 Y축 방향으로 겹치지 않고, X1 방향으로 보아 제2 VCC 패드 및 UVLO 패드와 Y축 방향으로 겹친다. C 영역은, Y2 방향으로 보아 B 영역과 X축 방향으로 겹친다. 이에 의해, C 영역은, UVLO 패드의 근처에 배치된다. UVLO부(13)는, C 영역에 배치된다.

C 영역 내지 H 영역은, Y1 방향으로 보아 이 순번으로 X1 방향으로 배치된다. D 영역은, Y1 방향으로 보아 SEL 패드보다 X1 방향측으로 어긋나 있어, SEL 패드와 X축 방향으로 겹치지 않는다. 또한, D 영역은, X2 방향으로 보아 C 영역과 Y축 방향으로 겹친다. 이에 의해, D 영역은, SEL 패드의 근처에 배치된다. 비교기 CP1은, D 영역에 배치된다.

E 영역은, Y1 방향으로 보아 PWM 패드 및 QRCOMP 패드와 X축 방향으로 겹친다. E 영역은, X2 방향으로 보아 C 영역과 Y축 방향으로 겹치지만 D 영역과 Y축 방향으로 겹치지 않는다. ODP부(17)는, E 영역에 배치된다. X2 방향으로 본 PWM 패드와 E 영역 사이의 Y축 방향의 거리는, Y1 방향으로 본 DUTYON 패드와 E 영역 사이의 X축 방향의 거리보다도 짧다. 이것은, PWM 패드에 인가되는 PWM 조광 신호에 비해, DUTYON 패드에 인가되는 온/오프 설정 신호는 High 레벨 또는 Low 레벨에서 일정하고, DUTYON 패드에 인가되는 신호에 대한 노이즈의 허용도는 크기 때문이다.

F 영역은, Y1 방향으로 보아 QRCOMP 패드로부터 X1 방향측으로 어긋나 있어, QRCOMP 패드와 X축 방향으로 겹치지 않고, ADIM 패드와 X축 방향으로 겹친다. F 영역은, X2 방향으로 보아 D 영역 및 E 영역과 Y축 방향으로 겹친다. 증폭기(16)는 F 영역에 배치된다. F 영역은, QRCOMP 패드의 근처에 배치된다.

G 영역은, Y1 방향으로 보아 ADIM 패드와 X축 방향으로 겹치고, X2 방향으로 보아 F 영역과 Y축 방향으로 겹친다. 비교용 전압 생성부(18)는, G 영역에 배치된다. G 영역은, ADIM 패드의 근처에 배치된다. ADIM 패드에는 아날로그 전압인 아날로그 조광 신호가 인가되므로, 노이즈를 억제하여, 조광에 대한 영향을 억제하고 있다.

H 영역은, Y1 방향으로 보아 FAILB 패드와 X축 방향으로 겹치고, X2 방향으로 보아 G 영역과 Y축 방향으로 겹친다. 이상 검출부(23)는, H 영역에 배치된다. H 영역은, FAILB 패드의 근처에 배치된다.

G, H 영역을 포함하는 조, I 영역, J 영역은, X2 방향으로 보아 이 순번으로 Y1 방향으로 배치된다. I 영역은, X2 방향으로 보아 DUTYON 패드로부터 Y1 방향측으로 어긋나 있어, DUTYON 패드와 Y축 방향으로 겹치지 않고, RT 패드와 Y축 방향으로 겹친다. 발진기(22)는, I 영역에 배치된다. I 영역은, RT 패드의 근처에 배치된다.

J 영역은, X2 방향으로 보아 RT 패드로부터 Y1 방향측으로 어긋나 있어, RT 패드와 Y축 방향으로 겹치지 않고, ZT 패드와 Y축 방향으로 겹친다. 비교기 CP2, CP3은, J 영역에 배치된다. J 영역은, ZT 패드의 근처에 배치된다.

J 영역, K 영역, L 영역, A 영역은, Y2 방향으로 보아 이 순번으로 X2 방향으로 배치된다. K 영역은, Y2 방향으로 보아 FB 패드로부터 X2 방향측으로 어긋나 있어, FB 패드와 X축 방향으로 겹치지 않고, DGND 패드와 X축 방향으로 겹친다. K 영역은, X2 방향으로 보아 J 영역과 Y축 방향으로 겹친다. 에러 증폭기(20)는, K 영역에 배치된다. K 영역은, FB 패드의 근처에 배치된다.

L 영역은, Y2 방향으로 보아 제1, 제2 GND 패드와 X축 방향으로 겹친다. L 영역은, X2 방향으로 보아 K 영역과 Y축 방향으로 겹친다. 비교기(19)는, L 영역에 배치된다.

A 영역 내지 L 영역에 의해 외측이 둘러싸인 칩(101)의 중앙부에 M 영역이 배치된다. 컨트롤 로직부(24)는 M 영역에 배치된다.

<8. 액정 표시 장치(LCD)에 대한 적용>

이상 설명한 실시 형태에 관한 발광 소자 구동 장치를 적용하는 대상의 일례로서, 액정 표시 장치(전자 기기의 일례)에 대하여 설명한다. 액정 표시 장치의 구성예를 도 11에 도시한다. 또한, 도 11에 도시한 구성은 소위 에지 라이트 방식의 것이며, 이것에 한하지 않고 직하 방식의 구성이어도 된다.

도 11에 도시한 액정 표시 장치 X는, 백라이트(81)와, 액정 패널(82)을 구비하고 있다. 백라이트(81)는, 액정 패널(82)을 배면으로부터 조명하는 조명 장치(발광 장치의 일례)이다. 백라이트(81)는, LED 광원부(811), 도광판(812), 반사판(813), 및 광학 시트류(814)를 갖고 있다.

LED 광원부(811)는 LED와, LED를 실장하는 기판을 포함하고 있고, 당해 LED를 구동하는 발광 소자 구동 장치로서 상술한 실시 형태의 것을 적용할 수 있다. LED 광원부(811)로부터 출사된 광은, 도광판(812)의 측면으로부터 내부에 입광된다. 예를 들어 아크릴판으로 구성되는 도광판(812)은, 내부에 입광된 광을 전반사시키면서 내부 전체로 유도하여, 광학 시트류(814)가 배치되는 측의 면으로부터 면상의 광으로서 출사시킨다. 반사판(813)은, 도광판(812)으로부터 누출된 광을 반사시켜 도광판(812)의 내부로 되돌린다. 광학 시트류(814)는, 확산 시트나 렌즈 시트 등을 포함하고, 액정 패널(82)에 조명하는 광의 휘도 균일화나 휘도 향상 등을 목적으로 한다.

<9. 기타>

이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 취지의 범위 내이면, 실시 형태는 다양한 변경이 가능하다.

예를 들어, 본 발명에서는, 발광 소자 구동 장치는, QR 모드와 CCM 모드 중 한쪽만을 구비하고 있어도 된다. 특히, 코일 전류 Icoil의 진폭이 비교적 작아지는 CCM 모드만을 구비하는 발광 소자 구동 장치의 경우에는, 코일 전류 Icoil을 평균화하는 콘덴서 C1을 반드시 마련하지는 않아도 된다. 또한, QR 모드와 CCM 모드의 양쪽 모드를 구비하는 경우에도, 콘덴서 C1을 마련하지 않는 구성은 채용될 수 있다.

본 발명은, 예를 들어 LED를 구동하는 발광 소자 구동 장치에 이용할 수 있다.

1: 발광 소자 구동 장치
11: 내부 전압 생성부
12: IC 전원 UVLO부
13: UVLO부
14: 내부 전압 UVLO부
15: 저역 통과 필터
16: 증폭기
17: ODP(Over Duty Protection)부
18: 비교용 전압 생성부
19: 비교기
20: 에러 증폭기
21: 비교기
22: 발진기
23: 이상 검출부
24: 컨트롤 로직부
50: LED 어레이
CP1 내지 CP3: 비교기
Dr1: 드라이버
R1, R2: 분압 저항
D1: 다이오드
C1: 콘덴서
L1: 코일
C2: 콘덴서
R11, R12: 분압 저항
M1: 스위칭 소자
Rs: 전류 검출 저항
Rg: 게이트 저항
Cfb: 콘덴서
100: 발광 소자 구동 장치
100A: 샘플 홀드부
1A: 스위칭 제어부
101: 칩

Claims

적어도 하나의 발광 소자를 포함하고, 일단에 입력 전압이 인가되는 발광부와,
상기 발광부의 타단에 일단이 접속되는 코일과,
상기 코일의 타단과 상기 발광부의 일단 사이에 접속되는 다이오드와,
상기 코일의 타단에 접속되는 제1 단자를 갖는 스위칭 소자를 포함하는 외부 구성에 있어서의 상기 발광부를 구동하는 발광 소자 구동 장치이며,
상기 스위칭 소자의 제어 단자와 접속되는 제1 외부 단자와,
상기 스위칭 소자를 온/오프 구동하는 구동 신호를 생성하여 상기 제1 외부 단자로부터 출력하는 구동 제어부를 구비하고,
상기 구동 제어부는, 상기 코일을 흐르는 코일 전류가 증가로부터 감소로 바뀌는 트랜지션 타이밍의 지연에 기초하여 상기 구동 신호를 조정함으로써 상기 코일 전류를 보정하는 코일 전류 보정부를 갖는 발광 소자 구동 장치.
제1항에 있어서,
상기 외부 구성은,
상기 스위칭 소자의 제2 단자에 일단이 접속되는 전류 검출 저항과,
상기 코일의 타단에 일단이 접속되는 제1 콘덴서와,
상기 제1 콘덴서의 타단에 접속되는 분압 저항을 더 포함하고,
당해 발광 소자 구동 장치는,
상기 제2 단자와 상기 전류 검출 저항의 접속 노드에 접속되는 제2 외부 단자와,
상기 분압 저항의 접속 노드가 접속되는 제3 외부 단자를 더 구비하고,
상기 구동 제어부는,
상기 제2 외부 단자에 발생하는 전류 검출 신호와 전류 검출 역치 전압을 비교하는 제1 비교기와,
상기 제3 외부 단자에 발생하는 ZT 전압이 입력되며, 상기 코일 전류의 제로 크로스 검출에 사용되는 제2 비교기를 갖고,
상기 코일 전류 보정부는, 상기 전류 검출 신호가 상승하여 상기 전류 검출 역치 전압에 도달한 것이 상기 제1 비교기에 의해 검출되고 나서, 상기 ZT 전압이 상승하여 소정의 ZT 역치 전압에 도달한 것이 검출될 때까지의 시간을 상기 트랜지션 타이밍의 지연 시간으로서 검출하는 발광 소자 구동 장치.
제2항에 있어서,
상기 ZT 전압과, 상기 ZT 역치 전압에 상당하는 참조 전압이 입력되는 제3 비교기를 더 구비하는 발광 소자 구동 장치.
제2항에 있어서,
상기 ZT 전압이 상승하여 소정의 ZT 역치 전압에 도달한 것은, 상기 제2 비교기에 의해 검출되는 발광 소자 구동 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전류 검출 역치 전압은, 아날로그 조광 신호에 기초하여 생성되고,
상기 코일 전류 보정부는, 상기 지연 시간에 기초하여 상기 아날로그 조광 신호를 조정하는 발광 소자 구동 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 코일 전류 보정부는, 상기 지연 시간에 기초하여 상기 구동 신호의 온 시간을 조정하는 발광 소자 구동 장치.
제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
PWM 조광 신호가 입력되는 제4 외부 단자와,
온/오프 설정 신호가 입력되는 제5 외부 단자와,
상기 온/오프 설정 신호에 따라 상기 PWM 조광 신호의 듀티를 제한하는 기능의 온/오프를 전환하는 ODP(Over Duty Protection)부와,
아날로그 조광 신호가 입력되는 제6 외부 단자와,
상기 아날로그 조광 신호에 기초하여 상기 전류 검출 역치 전압을 생성하는 비교용 전압 생성부를 더 구비하고,
상기 비교용 전압 생성부는, 하기 식에 기초하여 상기 전류 검출 역치 전압을 생성하는 발광 소자 구동 장치.
상기 ODP부의 기능 온의 경우
Vcsqr =Vadim×G1(Vadim≤Vclp1)
Vcsqr =Vclp1×G1(Vadim>Vclp1)
상기 ODP부의 기능 오프의 경우
Vcsqr =Vadim×G1(Vadim≤Vclp2)
Vcsqr =Vclp2×G1(Vadim>Vclp2)
Vclp1>Vclp2
단, Vcsqr: 상기 전류 검출 역치 전압, Vadim: 상기 아날로그 조광 신호, G1: 제1 게인 배율, Vclp1: 제1 클램프 전압, Vclp2: 제2 클램프 전압
제1항에 있어서,
상기 외부 구성은,
상기 스위칭 소자의 제2 단자에 일단이 접속되는 전류 검출 저항과,
상기 코일의 타단에 일단이 접속되는 제2 콘덴서와,
상기 제2 콘덴서의 타단에 접속되는 분압 저항을 더 포함하고,
당해 발광 소자 구동 장치는,
상기 제2 단자와 상기 전류 검출 저항의 접속 노드에 접속되는 제7 외부 단자와,
상기 분압 저항의 접속 노드가 접속되는 제8 외부 단자와,
제3 콘덴서가 접속되는 제9 외부 단자를 더 구비하고,
상기 구동 제어부는,
상기 제7 외부 단자에 발생하는 전류 검출 신호가 입력되는 샘플 홀드부와,
상기 샘플 홀드부의 출력과 전류 귀환 전압이 입력되는 입력단 및 상기 제9 외부 단자가 접속되는 출력단을 갖는 에러 증폭기와,
상기 에러 증폭기의 출력과 발진 신호가 입력되는 제4 비교기를 갖고,
상기 코일 전류 보정부는,
상기 구동 신호가 온 레벨로부터 오프 레벨로 전환되었을 때 홀드하여 출력하는 상기 샘플 홀드부와,
상기 제8 외부 단자에 발생하는 ZT 전압이 상승하여 소정의 ZT 역치 전압에 도달한 타이밍까지 상기 샘플 홀드부의 출력을 모니터하는 상기 에러 증폭기를 갖는 발광 소자 구동 장치.
제1항에 있어서,
상기 외부 구성은,
상기 스위칭 소자의 제2 단자에 일단이 접속되는 전류 검출 저항과,
상기 코일의 타단에 일단이 접속되는 제2 콘덴서와,
상기 제2 콘덴서의 타단에 접속되는 분압 저항을 더 포함하고,
당해 발광 소자 구동 장치는,
상기 제2 단자와 상기 전류 검출 저항의 접속 노드에 접속되는 제7 외부 단자와,
상기 분압 저항의 접속 노드가 접속되는 제8 외부 단자를 더 구비하고,
상기 구동 제어부는,
상기 제7 외부 단자의 전압과, 기준 전압에 기초하여 상기 코일 전류의 평균값을 원하는 값으로 하기 위해 상기 구동 신호를 생성하고,
상기 코일 전류 보정부는,
상기 구동 신호가 온 레벨로부터 오프 레벨로 전환되고 나서 상기 제8 외부 단자에 발생하는 ZT 전압이 상승하여 소정의 ZT 역치 전압에 도달할 때까지의 시간을 상기 트랜지션 타이밍의 지연 시간으로서 검출하는 검출부와,
상기 지연 시간에 기초하여 상기 기준 전압, 또는 상기 구동 신호의 온 시간을 조정하는 조정부를 갖는 발광 소자 구동 장치.
제9항에 있어서,
상기 외부 구성은, 제3 콘덴서가 접속되는 제9 외부 단자를 더 구비하고,
상기 구동 제어부는,
상기 제7 외부 단자의 전압과, 상기 기준 전압인 전류 귀환 전압이 입력되는 입력단 및 상기 제9 외부 단자가 접속되는 출력단을 갖는 에러 증폭기와,
상기 에러 증폭기의 출력과 발진 신호가 입력되는 제4 비교기를 갖는 발광 소자 구동 장치.
제9항에 있어서,
상기 구동 제어부는, 상기 구동 신호를 오프 레벨로부터 온 레벨로 전환한 타이밍부터 시간 계측을 개시하고, 상기 기준 전압과 상기 제7 외부 단자의 전압이 입력되는 제5 비교기의 출력을 감시하고, 상기 제7 외부 단자의 전압이 상기 기준 전압 이상이 된 타이밍에 시간 계측을 종료하고, 그 타이밍으로부터 상기 시간 계측에 의한 계측 시간과 동등한 시간만큼 경과한 타이밍에 상기 구동 신호를 온 레벨로부터 오프 레벨로 전환하는 발광 소자 구동 장치.
제9항에 있어서,
상기 구동 제어부는, 상기 스위칭 소자를 턴 온하였을 때의 상기 제7 외부 단자의 전압과 상기 기준 전압의 차를 검출하고, 검출된 차를 상기 기준 전압에 더하여 결정되는 전압과 상기 제7 외부 단자의 전압이 입력되는 제6 비교기의 출력을 감시하여 상기 구동 신호를 온 레벨로부터 오프 레벨로 전환하는 타이밍을 결정하는 발광 소자 구동 장치.
제8항 또는 제10항에 있어서,
PWM 조광 신호가 입력되는 제10 외부 단자와,
온/오프 설정 신호가 입력되는 제11 외부 단자와,
상기 온/오프 설정 신호에 따라 상기 PWM 조광 신호의 듀티를 제한하는 기능의 온/오프를 전환하는 ODP(Over Duty Protection)부와,
아날로그 조광 신호가 입력되는 제12 외부 단자와,
상기 아날로그 조광 신호에 기초하여 상기 전류 귀환 전압을 생성하는 비교용 전압 생성부를 더 구비하고,
상기 비교용 전압 생성부는, 하기 식에 기초하여 상기 전류 귀환 전압을 생성하는 발광 소자 구동 장치.
상기 ODP부의 기능 온의 경우
Vcsccm =Vadim×G2(Vadim≤Vclp1)
Vcsccm =Vclp1×G2(Vadim>Vclp1)
상기 ODP부의 기능 오프의 경우
Vcsccm =Vadim×G2(Vadim≤Vclp2)
Vcsccm =Vclp2×G2(Vadim>Vclp2)
Vclp1>Vclp2
단, Vcsccm: 상기 전류 귀환 전압, Vadim: 상기 아날로그 조광 신호, G2: 제2 게인 배율, Vclp1: 제1 클램프 전압, Vclp2: 제2 클램프 전압
제1항에 있어서,
선택 입력 신호가 입력되는 제13 외부 단자를 더 구비하고,
상기 구동 제어부는, 상기 선택 입력 신호에 따라서 QR 모드(quasi-resonant: 의사 공진 방식)와, CCM 모드(continuous current mode: 전류 연속 방식)를 전환하여 동작하는 발광 소자 구동 장치.
제14항에 있어서,
상기 외부 구성은, 상기 스위칭 소자의 제2 단자에 일단이 접속되는 전류 검출 저항을 더 포함하고,
상기 구동 제어부는,
상기 전류 검출 저항에 의해 발생하는 전류 검출 신호가 입력되며, 상기 QR 모드 시에 사용되는 제7 비교기와,
상기 전류 검출 신호가 입력되며, 출력단에 제4 콘덴서가 접속되는 상기 CCM 모드 시에 사용되는 에러 증폭기를 갖고,
당해 발광 소자 구동 장치는,
아날로그 조광 신호가 입력되는 제14 외부 단자와,
상기 아날로그 조광 신호에 제1 게인 배율을 승산하여 상기 제7 비교기에 입력되는 전류 검출 역치 전압을 생성함과 함께, 상기 아날로그 조광 신호에 제2 게인 배율을 승산하여 상기 에러 증폭기에 입력되는 전류 귀환 전압을 생성하는 비교용 전압 생성부를 더 구비하고,
상기 제1 게인 배율은, 상기 제2 게인 배율의 2배인 발광 소자 구동 장치.
제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 제13 외부 단자에 접속되는 풀 다운 저항과,
상기 제13 외부 단자와 상기 풀 다운 저항의 접속 노드에 접속되는 입력단을 갖는 제8 비교기를 더 구비하는 발광 소자 구동 장치.
IC 패키지인 제14항에 기재된 발광 소자 구동 장치이며,
상기 외부 구성은,
상기 스위칭 소자의 제2 단자에 일단이 접속되는 전류 검출 저항과,
상기 코일의 타단에 일단이 접속되는 제5 콘덴서와,
상기 제5 콘덴서의 타단에 접속되는 분압 저항을 더 포함하고,
상기 IC 패키지는,
제1 변과, 상기 제1 변과 대향하는 제2 변을 갖는 밀봉재와,
상기 제13 외부 단자로서의 SEL 단자와,
IC의 디지털 접지를 취하기 위한 DGND 단자와,
상기 CCM 모드에 사용되는 에러 증폭기의 출력단에 접속되며, 외부의 제6 콘덴서를 접속 가능한 FB 단자와,
상기 QR 모드에 사용되며, 상기 분압 저항의 접속 노드에 접속 가능한 ZT 단자를 갖고,
상기 제1 변을 따라서, 상기 SEL 단자가 배치되고,
상기 제2 변을 따라서, 상기 DGND 단자, 상기 FB 단자, 및 상기 ZT 단자가 배치되는 발광 소자 구동 장치.
제17항에 있어서,
상기 FB 단자는, 상기 DGND 단자와 상기 ZT 단자 사이에 배치되는 발광 소자 구동 장치.
제17항 또는 제18항에 있어서,
상기 IC 패키지는,
상기 IC용의 전원 단자인 VCC 단자와,
상기 입력 전압의 UVLO용의 UVLO 단자를 갖고,
상기 VCC 단자와 상기 UVLO 단자는, 상기 제1 변을 따라서 배치되는 발광 소자 구동 장치.
스위칭 소자의 제어 단자와 접속되는 제1 외부 단자와,
상기 스위칭 소자를 온/오프 구동하는 구동 신호를 생성하여 상기 제1 외부 단자로부터 출력하는 구동 제어부를 구비하고,
상기 구동 제어부는, 코일을 흐르는 코일 전류가 증가로부터 감소로 바뀌는 트랜지션 타이밍의 지연에 기초하여 상기 구동 신호를 조정함으로써 상기 코일 전류를 보정하는 코일 전류 보정부를 갖는 발광 소자 구동 장치.
적어도 하나의 발광 소자를 포함하고, 일단에 입력 전압이 인가되는 발광부와,
상기 발광부의 타단에 일단이 접속되는 코일과,
상기 코일의 타단과 상기 발광부의 일단 사이에 접속되는 다이오드와,
상기 코일의 타단에 접속되는 제1 단자를 갖는 스위칭 소자를 포함하는 외부 구성에 있어서의 상기 발광부를 구동하는 발광 소자 구동 장치이며,
상기 스위칭 소자의 제어 단자와 접속되는 제1 외부 단자와,
상기 스위칭 소자를 온/오프 구동하는 구동 신호를 생성하여 상기 제1 외부 단자로부터 출력하는 구동 제어부와,
선택 입력 신호가 입력되는 제2 외부 단자를 구비하고,
상기 구동 제어부는, 상기 선택 입력 신호에 따라서 QR 모드(quasi-resonant: 의사 공진 방식)와, CCM 모드(continuous current mode: 전류 연속 방식)를 전환하여 동작하는 발광 소자 구동 장치.
제21항에 있어서,
상기 외부 구성은, 상기 스위칭 소자의 제2 단자에 일단이 접속되는 전류 검출 저항을 더 포함하고,
상기 구동 제어부는,
상기 전류 검출 저항에 의해 발생하는 전류 검출 신호가 입력되며, 상기 QR 모드 시에 사용되는 제1 비교기와,
상기 전류 검출 신호가 입력되며, 출력단에 제1 콘덴서가 접속되는 상기 CCM 모드 시에 사용되는 에러 증폭기를 갖고,
당해 발광 소자 구동 장치는,
아날로그 조광 신호가 입력되는 제3 외부 단자와,
상기 아날로그 조광 신호에 제1 게인 배율을 승산하여 상기 제1 비교기에 입력되는 전류 검출 역치 전압을 생성함과 함께, 상기 아날로그 조광 신호에 제2 게인 배율을 승산하여 상기 에러 증폭기에 입력되는 전류 귀환 전압을 생성하는 비교용 전압 생성부를 더 구비하고,
상기 제1 게인 배율은, 상기 제2 게인 배율의 2배인 발광 소자 구동 장치.
제21항 또는 제22항에 있어서,
상기 제2 외부 단자에 접속되는 풀 다운 저항과,
상기 제2 외부 단자와 상기 풀 다운 저항의 접속 노드에 접속되는 입력단을 갖는 제2 비교기를 더 구비하는 발광 소자 구동 장치.
제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자 구동 장치와,
상기 발광 소자 구동 장치에 의해 구동되는 발광부를 갖는 발광 장치.
제24항에 기재된 발광 장치를 갖는 전자 기기.