KR20200128141A

KR20200128141A - Large photo mask

Info

Publication number: KR20200128141A
Application number: KR1020207029308A
Authority: KR
Inventors: 후유키 곤노; 다츠야 미요시
Original assignee: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
Priority date: 2018-03-15
Filing date: 2019-03-14
Publication date: 2020-11-11
Also published as: TW201945832A; KR102653366B1; JP2024001250A; JP7420065B2; TWI711878B; KR20240046289A; JPWO2019177116A1; CN112119352A; WO2019177116A1

Abstract

투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 표면에 마련된 차광 패턴을 포함하는 대형 포토마스크이며, 상기 차광 패턴은, 제1 저반사막, 차광성 막, 및 제2 저반사막이, 상기 투광성 기판측으로부터 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖고, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하인 것을 특징으로 하는 대형 포토마스크를 제공한다.It is a large-sized photomask comprising a light-transmitting substrate and a light-shielding pattern provided on the surface of the light-transmitting substrate, wherein the light-shielding pattern includes a first low-reflective film, a light-shielding film, and a second low-reflective film in this order from the side of the light-transmitting substrate. There is provided a large-sized photomask having a laminated laminated structure, wherein a surface of the light-shielding pattern on the side of the light-transmitting substrate has a reflectance of 8% or less for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm.

Description

대형 포토마스크Large photo mask

본 개시는, 표시 장치에 사용되는 표시 장치용 기능 소자 등의 제조에 사용되는 대형 포토마스크에 관한 것이다.The present disclosure relates to a large-sized photomask used for manufacturing functional elements for display devices and the like used in display devices.

액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치 등의 플랫 패널 디스플레이의 분야에 있어서는, 근년, 보다 고정밀의 표시가 요망되고 있으며, 고화소화가 진행되고 있다. 또한, 이에 수반하여, 예를 들어 TFT 기판, 컬러 필터 등의 표시 장치용 기능 소자에 대해서는, 미세 가공을 실시할 것이 요구되고 있다.In the field of flat panel displays, such as a liquid crystal display device and an organic EL display device, in recent years, more high-precision display is desired, and high-pixelization progresses. In addition, with this, for example, functional elements for display devices, such as a TFT substrate and a color filter, are required to perform fine processing.

표시 장치용 기능 소자의 제조 시에 있어서의 미세 가공의 방법으로서, 종래부터, 포토마스크를 사용한 포토리소그래피법이 적절하게 이용되고 있다. 또한, 포토마스크로서는, 투광성 기판의 표면에 마련된 차광 패턴을 갖고, 광투과 영역 및 차광 영역을 구비하는 포토마스크가 일반적으로 사용되고 있다.As a method of fine processing in manufacturing a functional element for a display device, conventionally, a photolithography method using a photomask has been suitably used. In addition, as a photomask, a photomask having a light-shielding pattern provided on the surface of a light-transmitting substrate and having a light-transmitting region and a light-shielding region is generally used.

이와 같은 포토마스크를 노광 장치에 사용하여 피전사체에 대하여 패턴을 전사할 때 노광광에 대한 포토마스크의 반사율이 높은 경우에는, 포토마스크를 노광광이 반사하는 것을 원인으로 하여 발생하는 미광의 영향에 의해 피전사체에 대한 패턴의 전사 정밀도가 저하되어버린다. 이와 같은 문제를 억제할 수 있도록, 노광광에 대한 포토마스크의 반사율을 저감시키는 기술이 채용되고 있다. 이와 같은 기술로서, 예를 들어 특허문헌 1 등에는, 차광 패턴의 표면측에 반사 방지막을 마련한 포토마스크의 구성이 기재되어 있다.When such a photomask is used in an exposure apparatus to transfer a pattern to an object to be transferred, if the reflectance of the photomask to the exposure light is high, the effect of stray light caused by the reflection of the exposure light on the photomask is reduced. As a result, the transfer accuracy of the pattern to the object to be transferred is lowered. In order to suppress such a problem, a technique for reducing the reflectance of the photomask with respect to exposure light is employed. As such a technique, for example, Patent Document 1 and the like describe the configuration of a photomask provided with an antireflection film on the surface side of the light-shielding pattern.

한편, 플랫 패널 디스플레이의 제조 기술은, 해상도의 고정밀화에 따라서 해마다 진화되고 있다. 이에 수반하여 패널 메이커도, 보다 미세한 패턴을 고정밀도로 형성하는 기술을 개발하고 있지만, 근년, 피전사체에 패턴을 전사하는 노광 기술의 분야에 있어서는, 보다 미세한 패턴을 고정밀도로 형성하기 위해서, 고감도의 레지스트를 사용하는 경향이 있다. 도 11은, 노광량에 대한 전사 선폭 시프트의 변동을 기존의 저감도의 레지스트와 근년에 있어서 사용되고 있는 고감도의 레지스트를 비교한 그래프이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 고감도의 레지스트는, 저감도의 레지스트와 비교하여, 경화에 필요한 노광량이 적고, 노광량이 적은 단계에 있어서의 전사 선폭 시프트의 변동이 크다.On the other hand, the manufacturing technology of flat panel displays is evolving year by year in accordance with the high precision of resolution. Along with this, panel makers are also developing technology to form finer patterns with high precision, but in recent years, in the field of exposure technology that transfers patterns to a transfer object, in order to form finer patterns with high precision, high-sensitivity resists I tend to use. Fig. 11 is a graph in which fluctuations in the transfer line width shift with respect to the exposure amount are compared with a resist having a conventional low sensitivity and a resist having a high sensitivity used in recent years. As shown in Fig. 11, the high-sensitivity resist has a large fluctuation in the transfer line width shift at the stage where the exposure amount required for curing is small and the exposure amount is small, as compared to the low-sensitivity resist.

이 때문에, 고감도의 레지스트를 사용하는 경향에 수반하여, 종래라면 영향을 무시할 수 있는 미약한 미광이 노광 시에 레지스트층에 영향을 미침으로써, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 문제가 일어나고 있다.For this reason, along with the tendency to use high-sensitivity resists, weak stray light, which can be neglected conventionally, affects the resist layer during exposure, resulting in unevenness or dimensional variation in the pattern transferred to the object to be transferred. There is a problem.

또한, 근년에 있어서는, 대면적의 패턴을 고정밀도로 형성하는 경우에, g선, h선 또는 i선을 포함하는 노광광에서는, 레지스트층에 조사되는 노광광의 에너지가 부족하기 때문에, g선, h선, i선 등의 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광을 사용할 것이 요구되고 있으며, 특히, 이들 광 중에서도 에너지가 큰 j선을 포함하는 노광광을 사용할 것이 요구되고 있다. 한편, 이들 노광광을 사용하는 경우에는, 감광 시의 레지스트층의 변화가 커지기 때문에, 상술한 미약한 미광의 레지스트층에 대한 영향이 더욱 커지므로, 상술한 문제가 현저해진다.Further, in recent years, in the case of forming a pattern of a large area with high precision, since the energy of the exposure light irradiated to the resist layer is insufficient in exposure light including g-line, h-line, or i-line, g-line, h It is required to use exposure light including light of a plurality of wavelengths such as line and i line, and in particular, among these lights, exposure light including j-line having high energy is required to be used. On the other hand, in the case of using these exposure light, since the change in the resist layer at the time of sensitization increases, the effect of the above-described weak stray light on the resist layer is further increased, and the above-described problem becomes remarkable.

이에 반하여, 상기 특허문헌1 등에 기재된 바와 같은 구성에서는, 노광 시에 있어서, 포토마스크를 노광광이 반사하는 것을 원인으로 하여 발생하는 미광의 강도를 충분히 저감시킬 수 없었기 때문에, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 것을 억제할 수 없었다.On the other hand, in the configuration described in Patent Document 1, etc., since the intensity of stray light generated due to reflection of the photomask at the time of exposure cannot be sufficiently reduced, the pattern transferred to the object to be transferred It was not possible to suppress the occurrence of unevenness or dimensional variation.

일본 특허 제4451391호 공보Japanese Patent No. 4451391

본 개시는, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있는 대형 포토마스크를 제공하는 것을 주 목적으로 한다.The present disclosure has been made in view of the above problems, and its main object is to provide a large photomask capable of suppressing occurrence of unevenness or dimensional variation in a pattern transferred to an object to be transferred.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 개시는, 투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 표면에 마련된 차광 패턴을 포함하는 대형 포토마스크이며, 상기 차광 패턴은, 제1 저반사막, 차광성 막, 및 제2 저반사막이, 상기 투광성 기판측으로부터 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖고, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하인 것을 특징으로 하는 대형 포토마스크를 제공한다.In order to solve the above problem, the present disclosure is a large photomask including a light-transmitting substrate and a light-shielding pattern provided on the surface of the light-transmitting substrate, and the light-shielding pattern includes a first low-reflective film, a light-shielding film, and a second low The reflective film has a laminated structure in which the reflective film is stacked in this order from the light-transmitting substrate side, and the surface of the light-shielding pattern on the light-transmitting substrate side has a reflectance of 8% or less for light in a wavelength region of 313 nm to 436 nm. It provides a large photo mask.

본 개시에 의하면, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to suppress the occurrence of non-uniformity or dimensional variation in the pattern transferred to the object to be transferred.

상기 발명에 있어서는, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측의 면은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 10％ 이하인 것이 바람직하다.In the above invention, it is preferable that the surface of the light-shielding pattern on the side opposite to the light-transmitting substrate has a reflectance of 10% or less for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm.

또한, 상기 발명에 있어서는, 상기 차광성 막이 크롬을 포함하고, 상기 제1 저반사막 및 상기 제2 저반사막이 산화크롬을 포함하는 것이 바람직하다.In the above invention, it is preferable that the light-shielding film contains chromium, and the first low-reflection film and the second low-reflection film contain chromium oxide.

또한, 상기 발명에 있어서는, 상기 차광 패턴은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상인 것이 바람직하다.In the above invention, it is preferable that the light shielding pattern has an optical density (OD) of 4.5 or more for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm.

또한, 상기 발명에 있어서는, 상기 투광성 기판에 대한 상기 차광성 막의 측면 경사 각도가 80도 이상 90도 이하인 것이 바람직하다. 상기 차광성 막의 측면에 조사되는 노광광의 반사광 영향을 억제할 수 있기 때문이다.Further, in the above invention, it is preferable that the side inclination angle of the light-shielding film with respect to the light-transmitting substrate is 80 degrees or more and 90 degrees or less. This is because the influence of reflected light of exposure light irradiated to the side surface of the light-shielding film can be suppressed.

또한, 상기 발명에 있어서는, 상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 것이 바람직하다.Further, in the above invention, it is preferable that the side surface of the first low-reflection film or the side surface of the second low-reflection film protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding film.

특히, 상기 제1 저반사막의 측면 및 상기 제2 저반사막의 측면의 양쪽이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되고, 또한, 상기 제1 저반사막의 측면의 쪽이, 상기 제2 저반사막의 측면보다 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다.In particular, both side surfaces of the first low-reflection film and the side surfaces of the second low-reflection film protrude in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding film, and further, the side surface of the first low-reflection film It is preferable that the side of the second low-reflective film protrude in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate than the side surface of the second low-reflective film.

또한, 적어도 상기 제1 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되고, 또한, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도가 56° 이하인 것이 바람직하다. 세정에 의한 이물의 제거가 용이하여, 존재하는 이물의 양을 감소시킬 수 있기 때문이다.Further, at least a side surface of the first low-reflective film protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding film, and the angle of the side surface of the first low-reflection film with respect to the surface of the light-transmitting substrate is It is preferably 56° or less. This is because the foreign matter can be easily removed by washing, and the amount of the foreign matter present can be reduced.

또한, 상기 발명에 있어서는, 상기 차광성 막의 측면이 오목형인 것이 바람직하다.Further, in the above invention, it is preferable that the side surface of the light-shielding film is concave.

상기 발명에 있어서는, 분할 노광에 사용되는 분할 패턴을 더 갖고, 상기 분할 패턴이 상기 차광 패턴인 것이 바람직하다.In the above invention, it is preferable that a division pattern used for division exposure is further provided, and the division pattern is the light shielding pattern.

본 개시에 있어서는, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.In the present disclosure, it is possible to suppress the occurrence of unevenness or dimensional variation in the pattern transferred to the object to be transferred.

도 1은 본 개시의 대형 포토마스크의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 대형 포토마스크를 사용한 노광에 의해 피전사체가 갖는 레지스트층에 패턴을 전사하는 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 파선 프레임 내의 영역을 도면의 상하를 반대로 하여 나타낸 확대도이다.
도 4는 종래 기술의 대형 포토마스크에 있어서의 도 3에 대응하는 영역을 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 본 개시의 대형 포토마스크의 다른 예에 있어서의 도 3에 대응하는 영역을 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 본 개시의 대형 포토마스크의 다른 예에 있어서의 도 3에 대응하는 영역을 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 본 개시의 대형 포토마스크의 다른 예에 있어서의 도 3에 대응하는 영역을 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 본 개시의 대형 포토마스크의 다른 예를 나타내는 개략 평면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 대형 포토마스크를 사용하여 피전사체로 제조되는 패턴 전사체를 나타내는 개략 평면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 패턴 전사체의 제조 공정의 일부를 나타내는 개략 공정 단면도이다.
도 11은 노광량에 대한 전사 선폭 시프트의 변동을 기존의 저감도의 레지스트와 근년에 있어서 사용되고 있는 고감도의 레지스트를 비교한 그래프이다.
도 12는 본 개시의 대형 포토마스크의 다른 예에 있어서의 도 3에 대응하는 영역을 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a large photomask of the present disclosure.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a process of transferring a pattern to a resist layer included in an object to be transferred by exposure using the large-size photomask shown in FIG. 1.
FIG. 3 is an enlarged view showing an area in the broken line frame shown in FIG. 1 in reverse direction.
Fig. 4 is a schematic cross-sectional view showing a region corresponding to Fig. 3 in a large photomask of the prior art.
Fig. 5 is a schematic cross-sectional view showing a region corresponding to Fig. 3 in another example of the large-size photomask of the present disclosure.
6 is a schematic cross-sectional view showing a region corresponding to FIG. 3 in another example of the large-size photomask of the present disclosure.
Fig. 7 is a schematic cross-sectional view showing a region corresponding to Fig. 3 in another example of the large-size photomask of the present disclosure.
8 is a schematic plan view showing another example of the large-size photomask of the present disclosure.
9 is a schematic plan view showing a pattern transfer member manufactured as a transfer object using the large photomask shown in FIG. 8.
10 is a schematic cross-sectional view showing a part of a manufacturing process of the pattern transfer member shown in FIG. 9.
Fig. 11 is a graph in which the variation of the transfer line width shift with respect to the exposure amount is compared with a resist having a conventional low sensitivity and a resist having a high sensitivity used in recent years.
Fig. 12 is a schematic cross-sectional view showing an area corresponding to Fig. 3 in another example of the large-size photomask of the present disclosure.

이하, 본 개시의 대형 포토마스크에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the large photomask of the present disclosure will be described in detail.

본 개시의 대형 포토마스크는, 투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 표면에 마련된 차광 패턴을 포함하는 대형 포토마스크이며, 상기 차광 패턴은, 제1 저반사막, 차광성 막 및 제2 저반사막이, 상기 투광성 기판측으로부터 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖고, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하인 것을 특징으로 한다.The large-size photomask of the present disclosure is a large-size photomask including a light-transmitting substrate and a light-shielding pattern provided on the surface of the light-transmitting substrate, and the light-shielding pattern includes a first low-reflective film, a light-shielding film, and a second low-reflective film. It has a laminated structure stacked in this order from the side of the light-transmitting substrate, and the surface of the light-shielding pattern on the side of the light-transmitting substrate has a reflectance of 8% or less for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm.

본 개시의 대형 포토마스크의 일례에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 본 개시의 대형 포토마스크의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 또한, 도 2는, 도 1에 도시된 대형 포토마스크를 사용한 노광에 의해 피전사체가 갖는 레지스트층에 패턴을 전사하는 공정을 나타내는 개략 단면도이다.An example of a large photomask of the present disclosure will be described with reference to the drawings. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a large photomask of the present disclosure. In addition, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a process of transferring a pattern to a resist layer included in an object to be transferred by exposure using the large-size photomask shown in FIG. 1.

도 1에 도시된 바와 같이, 대형 포토마스크(100)는, 투광성 기판(110)과, 투광성 기판(110)의 표면(110a)에 마련된 차광 패턴(120)을 구비하고 있다. 차광 패턴(120)은, 제1 저반사막(122), 차광성 막(124) 및 제2 저반사막(126)이, 투광성 기판(110)측으로부터 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖고 있다. 차광 패턴(120)의 투광성 기판(110)측 면(120a)의 반사율은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역 중 어느 광에 대해서도, 8％ 이하로 되어 있다.As shown in FIG. 1, the large-size photomask 100 includes a light-transmitting substrate 110 and a light blocking pattern 120 provided on a surface 110a of the light-transmitting substrate 110. The light-shielding pattern 120 has a laminated structure in which the first low-reflective film 122, the light-shielding film 124, and the second low-reflective film 126 are stacked in this order from the side of the light-transmitting substrate 110. The reflectance of the light-shielding pattern 120 on the light-transmitting substrate 110 side surface 120a is 8% or less for any light in the wavelength range of 313 nm to 436 nm.

이 때문에, 도 2에 도시된 바와 같이, 대형 포토마스크(100)를 사용하여, 상기 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 광원(UV 램프)으로부터 방사하는 노광에 의해, 기체(210) 위에 레지스트층(220)이 형성된 피전사체(200)에 패턴을 전사하는 경우에는, 상기 노광광이, 차광 패턴(120)의 투광성 기판(110)측의 면(120a)과, 노광 차폐판(300)의 표면(300a)이나 투광성 기판(110) 및 공기(도시생략)의 계면(112) 등의 사이에서 교대로 반사되는 다중 반사 등에 의해 발생하는 미광의 강도를 저감시킴으로써, 본래는 노광 차폐판(300)에 의해 노광광의 조사가 차단되는 차폐 영역의 레지스트층(220)에 조사될 미광 La의 강도를, 예를 들어 노광 조도의 0.3％ 미만으로까지 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 차폐 영역의 레지스트층(220)에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있다.For this reason, as shown in FIG. 2, by using the large photomask 100, exposure light including any light in the wavelength region is emitted from a light source (UV lamp), on the substrate 210 When the pattern is transferred to the transfer object 200 on which the resist layer 220 is formed, the exposure light is the surface 120a of the light shielding pattern 120 on the side of the transparent substrate 110 and the exposure shielding plate 300 By reducing the intensity of stray light generated by multiple reflections alternately reflected between the surface 300a of the surface 300a, the transparent substrate 110 and the interface 112 of air (not shown), etc., the original exposure shielding plate 300 ), the intensity of stray light La to be irradiated to the resist layer 220 in the shielding region in which the exposure of exposure light is blocked can be reduced, for example, to less than 0.3% of the exposure illuminance. As a result, it is possible to suppress unevenness or dimensional variation in the pattern transferred to the resist layer 220 in the shielding region.

따라서, 본 개시에 의하면, 상기 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면에서 노광광이 반사되는 것을 원인으로 하여 발생하는 미광의 강도를 저감시킴으로써, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 것을 억제할 수 있다.Accordingly, according to the present disclosure, when exposure using exposure light including any light in the wavelength range is used, stray light generated due to reflection of exposure light from the surface of the light-shielding pattern on the side of the translucent substrate By reducing the strength, it is possible to suppress the occurrence of unevenness or dimensional variation in the pattern transferred to the object to be transferred.

또한, 근년에 있어서는, 플랫 패널 디스플레이의 제조에 있어서, 대면적의 패턴을 고정밀도로 형성하는 경우에는, g선(파장 436㎚), h선(파장 405㎚) 또는 i선(파장 365㎚)을 포함하는 노광광으로는, 레지스트층에 조사되는 노광광의 에너지가 부족한 경우가 있다. 이 때문에, g선, h선, i선 등의 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광을 사용할 것이 요구되고 있으며, 특히, 이들 광 중에서도 에너지가 큰 j선(파장 313㎚)을 포함하는 노광광을 사용할 것이 요구되고 있다.In recent years, in the manufacture of flat panel displays, when forming a pattern of a large area with high precision, g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm), or i-line (wavelength 365 nm) As the included exposure light, the energy of the exposure light irradiated to the resist layer may be insufficient. For this reason, it is required to use exposure light including light of a plurality of wavelengths such as g-line, h-line, and i-line. In particular, exposure light including j-line (wavelength 313 nm) having a large energy among these lights Is required to use.

한편, 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광에 의한 감광 시의 레지스트층의 변화는 단일의 파장의 노광광보다도 커지고, 특히, j선을 포함하는 노광광에 의한 감광 시의 레지스트층의 변화는 커지게 된다. 이 때문에, 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광, 특히 j선을 포함하는 노광광을 사용하는 경우에는, 미약한 미광의 레지스트에 대한 영향이 더욱 커지므로, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 문제가 현저해진다. 이에 반하여, 도 1에 도시된 대형 포토마스크(100)에 있어서는, 상기 파장 영역 중 어느 광에 대해서도, 상술한 반사율이 8％ 이하이기 때문에, g선, h선, i선 및 j선 중 어느 것에 대해서도, 차광 패턴(120)의 투광성 기판(110)측 면(120a)의 반사율을 8％ 이하로까지 저감시킬 수 있다.On the other hand, the change of the resist layer during exposure due to exposure light including light of a plurality of wavelengths is greater than that of exposure light of a single wavelength, and in particular, the change of the resist layer during exposure by exposure light including j-line is It gets bigger. For this reason, in the case of using exposure light including light of a plurality of wavelengths, especially exposure light including j-line, the influence of the weak stray light on the resist is further increased, so that the pattern transferred to the object to be transferred is uneven. The problem that occurs becomes remarkable. On the other hand, in the large-size photomask 100 shown in Fig. 1, since the above-described reflectance is 8% or less for any light in the wavelength region, any of the g-line, h-line, i-line, and j-line Also, the reflectance of the surface 120a on the side of the light-transmitting substrate 110 of the light-shielding pattern 120 can be reduced to 8% or less.

따라서, 본 개시에 의하면, 그 중에서도 g선, h선, i선 등의 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광, 특히 j선을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 것을 현저하게 억제할 수 있다.Therefore, according to the present disclosure, in the case of exposure using exposure light including light of a plurality of wavelengths, such as g-line, h-line, and i-line, in particular, transfer to a transfer object is performed. It is possible to remarkably suppress the occurrence of unevenness or the like in the pattern to be formed.

1. 차광 패턴1. Shading pattern

상기 차광 패턴은, 상기 투광성 기판의 표면에 마련된 차광 패턴이며, 상기 제1 저반사막, 상기 차광성 막, 및 상기 제2 저반사막이, 상기 투광성 기판측으로부터 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖고, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면이, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하이다.The light-shielding pattern is a light-shielding pattern provided on the surface of the light-transmitting substrate, and the first low-reflective film, the light-shielding film, and the second low-reflective film are stacked in this order from the side of the light-transmitting substrate, The surface of the light-shielding pattern on the side of the translucent substrate has a reflectance of 8% or less for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm.

(1) 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율(1) Reflectance for light in the wavelength range of 313 nm to 436 nm

상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하이다. 즉, 상기 파장 영역 중 어느 광에 대해서도, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 반사율이 8％ 이하이다.The surface of the light-shielding pattern on the light-transmitting substrate side has a reflectance of 8% or less for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm. That is, for any light in the wavelength region, the reflectance of the light-shielding pattern on the side of the light-transmitting substrate is 8% or less.

상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면으로서는, 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하인 것이면 특별히 한정되지 않지만, 그 중에서도 365㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 5％ 이하인 것이 바람직하다. 365㎚ 내지 436㎚의 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 도 2에 도시된 미광 La의 강도를, 예를 들어 노광 조도의 0.2％ 미만으로까지 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 상기 미광의 강도를, 피전사체의 레지스트층이 감광하는 경계선의 수준으로부터 완전히 영향을 미치지 않는 수준으로 저감시킬 수 있기 때문이다. 또한, 특히 313㎚ 내지 365㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 5％ 이하인 것이 바람직하다. 보다 광범위한 파장 영역의 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 마찬가지의 효과가 얻어지기 때문이다. 보다 구체적으로는, 365㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 노광광이 사용되는 현행의 노광 장치 및 레지스트뿐만 아니라, 313㎚ 내지 365㎚의 파장 영역의 노광광이 사용되는 다른 노광 장치 및 레지스트에서도, 마찬가지의 효과가 얻어지기 때문이다.The surface of the light-shielding pattern on the side of the light-transmitting substrate is not particularly limited as long as the reflectance for light in the wavelength region is 8% or less, but among them, the reflectance for light in the wavelength region 365 nm to 436 nm is 5% or less. desirable. At the time of exposure using exposure light including any light in the wavelength range of 365 nm to 436 nm, the intensity of stray light La shown in FIG. 2 can be reduced to, for example, less than 0.2% of the exposure illuminance. . This is because the intensity of the stray light can be reduced from the level of the boundary line to which the resist layer of the object to be transferred is photosensitive to a level that does not completely affect. Further, it is particularly preferable that the reflectance for light in the wavelength range of 313 nm to 365 nm is 5% or less. This is because the same effect is obtained at the time of exposure using exposure light including light in a wider wavelength range. More specifically, not only the current exposure apparatus and resist in which exposure light in the wavelength region of 365 nm to 436 nm is used, but also other exposure apparatus and resist in which the exposure light in the wavelength region of 313 nm to 365 nm is used, the same applies. This is because the effect of is obtained.

여기서, 본 개시에 있어서, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 상기 반사율의 측정 방법으로서는, 포토다이오드 어레이를 검출기로 하고 있는 장치(오츠카 덴시 MCPD)를 사용할 수 있다.Here, in the present disclosure, as a method of measuring the reflectance of the light-shielding pattern on the side surface of the light-transmitting substrate, an apparatus using a photodiode array as a detector (Otsuka Denshi MCPD) can be used.

상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측의 면은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 10％ 이하인 것이 바람직하다. 즉, 상기 파장 영역 중 어느 광에 대해서도, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측 면의 반사율이 10％ 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the surface of the light-shielding pattern on the side opposite to the light-transmitting substrate has a reflectance of 10% or less for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm. That is, for any light in the wavelength range, it is preferable that the reflectance of the light shielding pattern on the side opposite to the light-transmitting substrate is 10% or less.

또한, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측 면의 상기 반사율의 측정 방법은, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 상기 반사율과 마찬가지이다.In addition, the method of measuring the reflectance of the light-shielding pattern on the side opposite to the light-transmitting substrate is the same as the reflectance of the light-shielding pattern on the side of the light-transmitting substrate.

도 1에 도시된 대형 포토마스크(100)에 있어서는, 차광 패턴(120)의 투광성 기판(110)과는 반대측 면(120b)의 반사율이, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역 중 어느 광에 대해서도, 10％ 이하로 되어 있다. 이 때문에, 도 2에 도시된 바와 같이, 대형 포토마스크(100)를 사용하여, 상기 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광에 의해, 기체(210) 위에 레지스트층(220)이 형성된 피전사체(200)에 패턴을 전사하는 경우에는, 상기 노광광이, 차광 패턴(120)의 투광성 기판(110)과는 반대측의 면(120b)과, 공기(도시생략) 및 레지스트층(220)의 계면(212)이나 레지스트층(220) 및 기체(210)의 계면(214) 등의 사이에서 교대로 반사되는 다중 반사 등에 의해 발생하는 미광의 강도를 저감시킴으로써, 본래는 차광 패턴(120)의 에지 부분에 의해 노광광의 조사가 차단되는 레지스트층(220)에 조사될 미광 Lb의 강도를, 예를 들어 노광 조도의 2.0％ 미만으로까지 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 에지 부분에 있어서의 레지스트층(220)에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.In the large photomask 100 shown in FIG. 1, the reflectance of the surface 120b of the light shielding pattern 120 opposite to the translucent substrate 110 is, for any light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm, It is 10% or less. For this reason, as shown in FIG. 2, the resist layer 220 is formed on the substrate 210 by exposure using exposure light including any light in the wavelength region using the large photomask 100. In the case of transferring the pattern to the formed transfer object 200, the exposure light is applied to the surface 120b of the light shielding pattern 120 on the opposite side to the light-transmitting substrate 110, air (not shown), and the resist layer 220. ), by reducing the intensity of stray light generated by multiple reflections alternately reflected between the interface 212 of the resist layer 220 and the interface 214 of the substrate 210, etc., so that the original shading pattern 120 The intensity of stray light Lb to be irradiated to the resist layer 220 from which exposure light is blocked by the edge portion of, for example, can be reduced to less than 2.0% of the exposure illuminance. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of dimensional variation or the like in the pattern transferred to the resist layer 220 at the edge portion.

따라서, 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율이 10％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측의 면에서 노광광이 반사되는 것을 원인으로 하여 발생하는 미광의 강도를 저감시킴으로써, 피전사체에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다. 그 중에서도 g선, h선, i선 등의 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광, 특히 j선을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 피전사체에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 것을 보다 현저하게 억제할 수 있기 때문이다.Therefore, it is preferable that the reflectance for light in the wavelength region is 10% or less. In exposure using exposure light including any light in the wavelength range, by reducing the intensity of stray light generated due to reflection of the exposure light on the side opposite to the transparent substrate of the light-shielding pattern, This is because it is possible to effectively suppress the occurrence of dimensional variation or the like in the pattern transferred to the transfer object. Among them, in exposure light including light of a plurality of wavelengths such as g-line, h-line, and i-line, in particular, when exposure using exposure light including j-line, changes in dimensions of the pattern transferred to the object to be transferred, etc. This is because the occurrence of this can be suppressed more remarkably.

또한, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측의 면으로서는, 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율이 10％ 이하인 것이 바람직하지만, 그 중에서도 365㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 5％ 이하인 것이 바람직하다. 365㎚ 내지 436㎚의 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 도 2에 도시된 미광 Lb의 강도를, 예를 들어 노광 조도의 1.0％ 미만으로까지 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 상기 미광의 강도를, 상기 차광 패턴의 에지 부분에 있어서의 피전사체의 레지스트층에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생할 정도로 해당 레지스트층이 감광되는 경계선의 수준으로부터, 상기 치수의 변동 등이 완전히 발생하지 않는 수준으로 저감시킬 수 있기 때문이다. 또한, 특히 313㎚ 내지 365㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 5％ 이하인 것이 바람직하다. 보다 광범위한 파장 영역의 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 마찬가지의 효과가 얻어지기 때문이다. 보다 구체적으로는, 365㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 노광광이 사용되는 현행의 노광 장치 및 레지스트뿐만 아니라, 313㎚ 내지 365㎚의 파장 영역의 노광광이 사용되는 다른 노광 장치 및 레지스트에서도, 마찬가지의 효과가 얻어지기 때문이다.In addition, as the surface of the light-shielding pattern on the opposite side of the light-transmitting substrate, it is preferable that the reflectance for light in the wavelength region is 10% or less, but among them, the reflectance for light in the wavelength region 365 nm to 436 nm is 5%. It is preferable that it is the following. At the time of exposure using exposure light including any light in a wavelength range of 365 nm to 436 nm, the intensity of stray light Lb shown in FIG. 2 can be reduced to, for example, less than 1.0% of the exposure illuminance. . As a result, the intensity of the stray light is determined from the level of the boundary line at which the resist layer is photosensitive to the extent that the pattern transferred to the resist layer of the object to be transferred at the edge portion of the shading pattern occurs. This is because it can be reduced to a level that does not completely occur. Further, it is particularly preferable that the reflectance for light in the wavelength range of 313 nm to 365 nm is 5% or less. This is because the same effect is obtained at the time of exposure using exposure light including light in a wider wavelength range. More specifically, not only the current exposure apparatus and resist in which exposure light in the wavelength region of 365 nm to 436 nm is used, but also other exposure apparatus and resist in which the exposure light in the wavelength region of 313 nm to 365 nm is used, the same applies. This is because the effect of is obtained.

(2) 제1 저반사막(2) the first low-reflective film

상기 제1 저반사막은, 상기 차광 패턴의 적층 구조에 있어서 상기 투광성 기판측에 마련되고, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율을 8％ 이하로까지 저감시키는 기능을 실현하는 막이다.The first low-reflective film is provided on the side of the light-transmitting substrate in the stacked structure of the light-shielding pattern, and has a reflectance of 8% or less for light in a wavelength region of 313 nm to 436 nm on the side of the light-transmitting substrate of the light-shielding pattern. It is a film that realizes the function of reducing to the furnace.

상기 차광 패턴이 상기 제1 저반사막을 가짐으로써, 상기 파장 영역의 광이 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면에 조사되는 경우에는, 상기 제1 저반사막의 상기 투광성 기판측의 면에서 반사되는 광과, 상기 제1 저반사막의 내부의 계면에서 반사되는 광과, 상기 제1 저반사막 및 상기 차광성 막의 경계에서 반사되는 광이, 간섭에 의해 서로 약화시키게 된다. 이에 의해, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 8％ 이하로까지 저감시킬 수 있다.When the light-shielding pattern has the first low-reflective film, and when light in the wavelength region is irradiated to the surface of the light-transmitting substrate side of the light-shielding pattern, the first low-reflective film is reflected from the surface of the light-transmitting substrate side. Light, light reflected from the interface inside the first low-reflective film, and light reflected from the boundary between the first low-reflective film and the light-shielding film, are weakened by interference. Thereby, the reflectance of the light-shielding pattern on the light-transmitting substrate-side surface for light in the wavelength region can be reduced to 8% or less.

상술한 바와 같이, 그 중에서도 g선, h선, i선 등의 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광, 특히 j선을 포함하는 노광광을 사용하는 경우에는, 미약한 미광의 레지스트에 대한 영향이 더욱 커지므로, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 문제가 현저해진다. 한편, 이와 같은 문제를 해결하기 위해서, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 8％ 이하로까지 저감시키는 기능을 실현하는 막은 형성이 곤란하다. 본 개시에 있어서는, 이와 같은 사정이 있음에도 불구하고, 상기 투광성 기판측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 8％ 이하로까지 저감시키는 기능을 실현하는 막의 형성을 가능하게 하였다.As described above, in the case of using exposure light including light of a plurality of wavelengths, such as g-line, h-line, and i-line, particularly, in the case of using exposure light including j-line, the effect of weak stray light on the resist As this becomes larger, the problem of occurrence of irregularities and the like in the pattern transferred to the object to be transferred becomes remarkable. On the other hand, in order to solve such a problem, it is difficult to form a film that realizes a function of reducing the reflectance of the light-shielding pattern to light in the wavelength region of the light-transmitting substrate side to 8% or less. In the present disclosure, in spite of such circumstances, it is possible to form a film that realizes a function of reducing the reflectance of the light in the wavelength region on the side of the translucent substrate to 8% or less.

a. 제1 저반사막a. First low-reflective screen

상기 제1 저반사막의 막 두께로서는, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 8％ 이하로까지 저감시키는 기능을 실현 가능하면 특별히 한정되지 않지만, 10㎚ 내지 50㎚의 범위 내로 되는 막 두께가 바람직하다. 너무 얇으면 상기 반사율을 저감시키는 기능이 저하되기 때문이며, 너무 두꺼우면 상기 차광 패턴을 고정밀도로 가공하는 것이 곤란해지기 때문이다.The film thickness of the first low-reflective film is not particularly limited as long as it can realize a function of reducing the reflectance of the light-shielding pattern to light in the wavelength region of the light-transmitting substrate side surface to 8% or less, but 10 nm to 50 A film thickness that falls within the range of nm is preferable. If it is too thin, the function of reducing the reflectance decreases, and if it is too thick, it becomes difficult to process the light shielding pattern with high precision.

상기 제1 저반사막의 재료로서는, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 8％ 이하로까지 저감시킬 수 있는 재료이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 산화크롬(CrO_X), 산화질화크롬(CrON), 질화크롬(CrN), 산화티타늄(TiO), 티타늄산화질화물(TiON), 산화탄탈(TaO), 탄탈실리사이드산화물(TaSiO), 산화니켈알루미늄(NiAlO), 몰리브덴실리사이드산화물(MoSiO), 몰리브덴실리사이드산화질화물(MoSiON) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 산화크롬(CrO_X), 산화질화크롬(CrON)이 바람직하고, 특히 산화크롬(CrO_X)이 바람직하다.The material for the first low-reflective film is not particularly limited as long as it is a material capable of reducing the reflectance of the light-shielding pattern to light in the wavelength region of the light-transmitting substrate side surface to 8% or less. For example, chromium oxide ( CrO _X ), chromium oxynitride (CrON), chromium nitride (CrN), titanium oxide (TiO), titanium oxynitride (TiON), tantalum oxide (TaO), tantalum silicide oxide (TaSiO), nickel aluminum oxide (NiAlO), Molybdenum silicide oxide (MoSiO), molybdenum silicide oxynitride (MoSiON), etc. are mentioned. Among them, chromium oxide (CrO _X ) and chromium oxynitride (CrON) are preferred, and chromium oxide (CrO _X ) is particularly preferred.

b. 형성 방법b. Formation method

상기 제1 저반사막의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 스퍼터링법, 진공 증착법 및 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들어 진공 챔버 내에 Cr 타깃을 장착하고, O₂, N₂, CO₂ 가스를 도입하여, 진공 환경하에서의 반응성 스퍼터링에 의해 막을 성막하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of forming the first low-reflection film, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, and the like can be mentioned. More specifically, for example, a method of attaching a Cr target in a vacuum chamber, introducing O ₂ , N ₂ , and CO ₂ gas to form a film by reactive sputtering in a vacuum environment, etc. are mentioned.

또한, 이 방법에서는, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 저반사막을 성막할 때보다도 O₂가스의 비율을 증가시킴으로써, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율을 8％ 이하로까지 저감시킨다.Further, in this method, by increasing the ratio of O ₂ gas than when forming a low-reflective film in the light-shielding pattern of a general binary mask, the wavelength range of the 313 nm to 436 nm wavelength region of the light-transmitting substrate side surface of the light-shielding pattern The reflectance for light is reduced to 8% or less.

(3) 제2 저반사막(3) the second low-reflective screen

상기 제2 저반사막은, 상기 차광 패턴의 적층 구조에 있어서 상기 투광성 기판과는 반대측에 마련되고, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측 면의 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율을 저감시키는 기능을 실현하는 막이다.The second low-reflective film is provided on a side opposite to the light-transmitting substrate in the stacked structure of the light-shielding pattern, and reflectance of light in a wavelength region of 313 nm to 436 nm on a side opposite to the light-transmitting substrate of the light-shielding pattern It is a film that realizes the function of reducing

상기 차광 패턴이 상기 제2 저반사막을 가짐으로써, 상기 파장 영역의 광이 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측의 면에 입사되는 경우에는, 상기 제2 저반사막의 상기 투광성 기판과는 반대측의 면에서 반사되는 광과, 상기 제2 저반사막의 내부 계면에서 반사되는 광과, 상기 제2 저반사막 및 상기 차광성 막의 경계에서 반사되는 광이, 간섭에 의해 서로 약화시키게 된다. 이에 의해, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 저감시킬 수 있다.When the light-shielding pattern has the second low-reflective layer, and the light in the wavelength region is incident on the surface of the light-shielding pattern opposite to the light-transmitting substrate, the second low-reflective layer is on the opposite side of the light-transmitting substrate. Light reflected from the surface, light reflected from the inner interface of the second low-reflective film, and light reflected from the boundary between the second low-reflective film and the light-shielding film are weakened by interference. Accordingly, the reflectance of the light in the wavelength region on the side opposite to the light-transmitting substrate of the light blocking pattern may be reduced.

a. 제2 저반사막a. 2nd low-reflective screen

상기 제2 저반사막으로서는, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측 면의 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율을 저감시키는 기능을 실현하는 막이면 특별히 한정되지 않지만, 상기 반대측 면의 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율을 10％ 이하로까지 저감시키는 기능을 실현하는 막이 바람직하다.The second low-reflection film is not particularly limited as long as it is a film that realizes a function of reducing the reflectance of light in a wavelength region of 313 nm to 436 nm on the side opposite to the transparent substrate of the light-shielding pattern, but A film that realizes the function of reducing the reflectance of light in the wavelength range of 313 nm to 436 nm to 10% or less is preferable.

상술한 바와 같이, 그 중에서도 g선, h선, i선 등의 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광, 특히 j선을 포함하는 노광광을 사용하는 경우에는, 미약한 미광의 레지스트에 대한 영향이 더욱 커지므로, 피전사체에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 문제가 현저해진다. 한편, 이와 같은 문제를 효과적으로 해결하기 위해서, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 10％ 이하로까지 저감시키는 기능을 실현하는 반사 방지막은 형성이 곤란하다. 본 개시에 있어서는, 이와 같은 사정이 있음에도 불구하고, 상기 반대측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 10％ 이하로까지 저감시키는 기능을 실현하는 막의 형성을 가능하게 하였다.As described above, in the case of using exposure light including light of a plurality of wavelengths, such as g-line, h-line, and i-line, particularly, in the case of using exposure light including j-line, the effect of weak stray light on the resist As this becomes larger, a problem in which dimensional variation or the like occurs in the pattern transferred to the object to be transferred becomes remarkable. On the other hand, in order to effectively solve such a problem, it is difficult to form an antireflection film that realizes a function of reducing the reflectance of the light-shielding pattern for light in the wavelength region to 10% or less on the side opposite to the translucent substrate. . In the present disclosure, in spite of such circumstances, it is possible to form a film that realizes a function of reducing the reflectance of the light in the wavelength region on the opposite side to 10% or less.

상기 제2 저반사막의 막 두께로서는, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율을 저감시키는 기능을 실현 가능하면 특별히 한정되지 않지만, 10㎚ 내지 50㎚의 범위 내로 되는 막 두께가 바람직하다. 너무 얇으면 상기 반사율을 저감시키는 기능이 저하되기 때문이며, 너무 두꺼우면 상기 차광 패턴을 고정밀도로 가공하는 것이 곤란해지기 때문이다.The film thickness of the second low-reflection film is not particularly limited as long as it can realize a function of reducing the reflectance of light in the wavelength region on the side opposite to the transparent substrate of the light-shielding pattern, but in the range of 10 nm to 50 nm. The thickness of the inner film is preferable. If it is too thin, the function of reducing the reflectance decreases, and if it is too thick, it becomes difficult to process the light shielding pattern with high precision.

상기 제2 저반사막의 재료에 대해서는, 상기 제1 저반사막과 마찬가지이기 때문에, 여기서의 설명을 생략한다.The material of the second low-reflective film is the same as that of the first low-reflective film, and the description here is omitted.

b. 형성 방법b. Formation method

상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측 면의 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율을 10％ 이하로까지 저감시키는 상기 제2 저반사막의 형성 방법으로서는, 상기 제1 저반사막의 형성 방법과 마찬가지이기 때문에 여기서의 설명을 생략한다.As a method of forming the second low-reflective film to reduce the reflectance of the light in the wavelength region of 313 nm to 436 nm on the side opposite to the light-transmitting substrate of the light-shielding pattern to 10% or less, the formation of the first low-reflection film Since it is the same as the method, the description here is omitted.

(4) 차광성 막(4) light-shielding film

상기 차광성 막은, 상기 차광 패턴의 적층 구조에 있어서 상기 제1 저반사막 및 상기 제2 저반사막의 사이에 마련된 차광성을 갖는 막이다.The light-shielding film is a film having light-shielding properties provided between the first low-reflective film and the second low-reflective film in the stacked structure of the light-shielding pattern.

a. 차광성 막a. Light-shielding film

상기 차광성 막의 막 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 80㎚ 내지 180㎚의 범위 내로 되는 막 두께가 바람직하다. 너무 얇으면 원하는 차광성을 얻는 것이 곤란해지기 때문이며, 너무 두꺼우면 상기 차광 패턴을 고정밀도로 가공하는 것이 곤란해지기 때문이다.The film thickness of the light-shielding film is not particularly limited, but a film thickness within the range of 80 nm to 180 nm is preferable. If it is too thin, it is because it becomes difficult to obtain a desired light-shielding property, and if it is too thick, it is because it becomes difficult to process the said light-shielding pattern with high precision.

상기 차광성 막의 재료로서는, 차광성을 갖는 재료이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 크롬(Cr), 산화질화크롬(CrON), 질화크롬(CrN), 몰리브덴실리사이드 산화물(MoSiO), 몰리브덴실리사이드산화질화물(MoSiON), 산화탄탈(TaO), 탄탈실리사이드산화물(TaSiO) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 크롬(Cr)이 바람직하다.The material of the light-shielding film is not particularly limited as long as it is a material having light-shielding properties, and examples thereof include chromium (Cr), chromium oxynitride (CrON), chromium nitride (CrN), molybdenum silicide oxide (MoSiO), and molybdenum silicide oxynitride. (MoSiON), tantalum oxide (TaO), tantalum silicide oxide (TaSiO), and the like. Among them, chromium (Cr) is preferable.

b. 차광성 막의 형성 방법b. Method of forming a light-shielding film

상기 차광성 막의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 스퍼터링법, 진공 증착법 및 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다.As a method of forming the light-shielding film, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, and the like may be mentioned.

또한, 상기 파장 영역의 광에 대한 상기 차광 패턴의 광학 농도(OD)를 4.5 이상으로 하는 상기 차광성 막의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 통상보다도 차광성 막을 성막하는 시간을 늘리는 방법이나 성막 스캔 횟수를 증가시키는 방법 등을 들 수 있다.In addition, as a method of forming the light-shielding film in which the optical density (OD) of the light-shielding pattern with respect to the light in the wavelength range is 4.5 or more, for example, a method of increasing the time for forming a light-shielding film than usual or the number of scan times And a method of increasing

(5) 차광 패턴(5) shading pattern

a. 광학 농도(OD)a. Optical density (OD)

상기 차광 패턴으로서는, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상인 것이 바람직하다. 즉, 상기 파장 영역 중 어느 광에 대해서도, 광학 농도(OD)가 4.5 이상인 것이 바람직하다.As the light-shielding pattern, it is preferable that the optical density (OD) for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm is 4.5 or more. That is, it is preferable that the optical density (OD) of any light in the wavelength range is 4.5 or more.

여기서, 본 개시에 있어서, 상기 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)의 측정 방법에는, 자외·가시 분광 광도계(히타치 U-4000)를 사용할 수 있다.Here, in the present disclosure, an ultraviolet/visible spectrophotometer (Hitachi U-4000) can be used as a method of measuring the optical density (OD) of light in the wavelength region.

도 1에 도시된 대형 포토마스크(100)에 있어서는, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 차광 패턴(120)의 광학 농도(OD)가 4.5 이상으로 되어 있다. 즉, 해당 파장 영역 중 어느 광에 대해서도, 차광 패턴(120)의 광학 농도(OD)가 4.5 이상으로 되어 있다. 이 때문에, 도 2에 도시된 바와 같이, 대형 포토마스크(100)를 사용하여, 상기 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광에 의해, 기체(210) 위에 레지스트층(220)이 형성된 피전사체(200)에 패턴을 전사하는 경우에는, 상기 노광광이 차광 패턴(120)을 투과하는 투과광 Lc의 강도를, 예를 들어 노광 조도의 0.001％ 이하로까지 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 레지스트층(220)에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.In the large-size photomask 100 shown in FIG. 1, the optical density (OD) of the light-shielding pattern 120 for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm is 4.5 or more. That is, for any light in the wavelength region, the optical density (OD) of the shading pattern 120 is 4.5 or higher. For this reason, as shown in FIG. 2, the resist layer 220 is formed on the substrate 210 by exposure using exposure light including any light in the wavelength region using the large photomask 100. When the pattern is transferred to the formed transfer object 200, the intensity of the transmitted light Lc through which the exposure light passes through the light-shielding pattern 120 can be reduced to, for example, 0.001% or less of the exposure illuminance. As a result, it is possible to suppress the occurrence of unevenness or the like in the pattern transferred to the resist layer 220.

따라서, 상기 광학 농도(OD)가 4.5 이상인 것이 바람직하다. 상기 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 상기 노광광이 상기 차광 패턴을 투과하는 투과광의 강도를 저감시킴으로써, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다. 그 중에서도 g선, h선, i선 등의 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광, 특히 j선을 포함하는 노광광을 사용하는 노광 시에 있어서, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다.Therefore, it is preferable that the optical density (OD) is 4.5 or more. In the case of exposure using exposure light including any light in the wavelength region, by reducing the intensity of transmitted light through which the exposure light passes through the light-shielding pattern, it is effective to prevent unevenness in the pattern transferred to the transfer object. Because it can be suppressed. Among them, in exposure light including light of a plurality of wavelengths such as g-line, h-line, and i-line, in particular, in the case of exposure using exposure light including j-line, non-uniformity occurs in the pattern transferred to the object to be transferred. This is because you can effectively suppress what you do.

또한, 일반적으로, 차광 패턴이 두꺼워져, 고정밀도로 가공하는 것이 곤란해지는 점에서 보면, 포토마스크에 있어서의 차광 패턴의 광학 농도(OD)를 높게 하는 것은 바람직하지 않다. 이 경향은, 특히 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 사용되는 포토마스크에 있어서 현저하다.Further, in general, it is not desirable to increase the optical density (OD) of the light-shielding pattern in the photomask from the viewpoint of thickening the light-shielding pattern and making it difficult to process with high precision. This tendency is particularly remarkable for photomasks used in the manufacture of semiconductor integrated circuits.

b. 사이즈b. size

(a) 폭(a) width

상기 차광 패턴의 폭으로서는, 예를 들어 0.1㎛ 이상 10.0㎛ 미만의 폭을 들 수 있다. 상기 차광 패턴의 폭으로서는, 서브마이크론 오더로 치수가 제어된 폭이 바람직하다.As the width of the light-shielding pattern, a width of 0.1 µm or more and less than 10.0 µm is exemplified. The width of the shading pattern is preferably a width whose dimensions are controlled in a submicron order.

여기서, 상기 차광 패턴의 폭은, 평면으로 볼 때 형상의 짧은 방향의 치수로 규정되는 것이다. 또한, 상기 서브마이크론 오더로 치수가 제어된 폭은, 0.1㎛ 단위로 치수가 제어된 폭을 의미하며, 예를 들어 0.1㎛ 이상 1.0㎛ 미만의 폭이다.Here, the width of the shading pattern is defined as a dimension in the short direction of the shape when viewed in a plan view. In addition, the width whose dimensions are controlled in the submicron order means a width whose dimensions are controlled in units of 0.1 μm, for example, a width of 0.1 μm or more and less than 1.0 μm.

(b) 막 두께(b) film thickness

상기 차광 패턴의 전체의 막 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 100㎚ 내지 250㎚의 범위 내인 것이 바람직하다. 너무 얇으면 원하는 차광성을 얻는 것이 곤란해지기 때문이며, 너무 두꺼우면 상기 차광 패턴을 고정밀도로 가공하는 것이 곤란해지기 때문이다.Although it does not specifically limit as the whole film thickness of the said light-shielding pattern, It is preferable that it exists in the range of 100 nm-250 nm. If it is too thin, it is because it becomes difficult to obtain a desired light-shielding property, and if it is too thick, it is because it becomes difficult to process the said light-shielding pattern with high precision.

c. 단면 형상c. Cross-sectional shape

상기 차광 패턴으로서는, 상기 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상이고, 또한 원하는 단면 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이하, 차광 패턴의 바람직한 단면 형상에 대하여 설명한다.As the light-shielding pattern, it is preferable that the optical density (OD) for light in the wavelength region is 4.5 or more, and has a desired cross-sectional shape. Hereinafter, a preferred cross-sectional shape of the shading pattern will be described.

도 3은, 도 1에 도시된 파선 프레임 내의 영역을 도면의 상하를 반대로 하여 나타낸 확대도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 도 1에 도시된 대형 포토마스크(100)에 있어서, 차광 패턴(120)의 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상으로 되어 있다. 차광 패턴(120)의 개구부(120c)에 있어서, 투광성 기판(110)에 대한 차광성 막(124)의 측면(124a)의 경사 각도 α가 80도 이상 90도 이하로 되어 있다. 한편, 도 4는, 종래 기술의 대형 포토마스크에 있어서의 도 3에 대응하는 영역을 나타내는 개략 단면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 대형 포토마스크(100)에 있어서는, 투광성 기판(110)에 대한 차광성 막(124)의 측면(124a)의 경사 각도 α가 80도 미만으로 되어 있다.FIG. 3 is an enlarged view showing an area within the broken line frame shown in FIG. 1 in reverse direction. As shown in FIG. 3, in the large photomask 100 shown in FIG. 1, the optical density (OD) of light in the wavelength region of 313 nm to 436 nm of the shading pattern 120 is 4.5 or more. have. In the opening 120c of the light-shielding pattern 120, the inclination angle α of the side surface 124a of the light-shielding film 124 with respect to the light-transmitting substrate 110 is 80 degrees or more and 90 degrees or less. On the other hand, Fig. 4 is a schematic cross-sectional view showing a region corresponding to Fig. 3 in a large-sized photomask of the prior art. As shown in Fig. 4, in the large-size photomask 100 of the prior art, the inclination angle α of the side surface 124a of the light-shielding film 124 with respect to the light-transmitting substrate 110 is less than 80 degrees.

도 3에 도시된 바와 같이, 투광성 기판(110)에 대한 차광성 막(124)의 측면(124a)의 경사 각도 α가 80도 이상 90도 이하인 경우에는, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 경사 각도 α가 80도 미만인 경우와는 달리, 피전사체가 갖는 레지스트층에 패턴을 전사하는 노광 시에, 광원측의 경사 방향으로부터 차광성 막(124)의 측면(124a)에 조사되는 노광광(미광)의 반사광이, 차광 패턴(120)의 개구부(120c)측으로 유도될 가능성이 높아진다. 따라서, 해당 반사광이, 차광 패턴(120)의 에지 부분에 의해 노광광의 조사가 차단되는 레지스트층에 조사되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 에지 부분에 있어서의 레지스트층에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.As shown in FIG. 3, when the inclination angle α of the side surface 124a of the light-shielding film 124 with respect to the light-transmitting substrate 110 is 80 degrees or more and 90 degrees or less, the inclination angle as shown in FIG. 4 Unlike the case where α is less than 80 degrees, exposure light irradiated to the side surface 124a of the light-shielding film 124 from the oblique direction of the light source side (stray light) during exposure in which the pattern is transferred to the resist layer of the object to be transferred. There is a high possibility that the reflected light of is guided toward the opening 120c of the light blocking pattern 120. Accordingly, it is possible to suppress irradiation of the reflected light onto the resist layer from which exposure light is blocked by the edge portion of the light shielding pattern 120. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of dimensional variation or the like in the pattern transferred to the resist layer in the edge portion.

따라서, 상기 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상인 상기 차광 패턴으로서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 투광성 기판에 대한 상기 차광성 막의 측면 경사 각도가 80도 이상 90도 이하인 것이 바람직하다. 상기 광학 농도(OD)를 4.5 이상으로 하기 위해서 상기 차광 패턴이 후막이 됨으로써, 광원측의 경사 방향으로부터 상기 차광성 막의 측면에 조사되는 노광광의 반사광의 광량이 많아짐에도 불구하고, 해당 반사광의 영향에 의해, 피전사체에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문이다.Accordingly, as the light-shielding pattern having an optical density (OD) of 4.5 or more for light in the wavelength region, as shown in FIG. 3, a side inclination angle of the light-shielding film with respect to the light-transmitting substrate is 80 degrees or more and 90 degrees or less. desirable. In order to make the optical density (OD) of 4.5 or more, the light-shielding pattern becomes a thick film, so that the influence of the reflected light is increased even though the amount of reflected light of the exposure light irradiated to the side surface of the light-shielding film from an oblique direction toward the light source increases. This is because it is possible to suppress the occurrence of dimensional variation or the like in the pattern transferred to the object to be transferred.

또한, 상기 투광성 기판에 대한 상기 차광성 막의 측면 경사 각도는, 도 3에 있어서 α로 나타낸 바와 같은, 상기 차광성 막의 측면에 있어서의 상기 투광성 기판측의 모서리의 접선의 경사 각도를 의미한다.In addition, the side inclination angle of the light-shielding film with respect to the light-transmitting substrate refers to an inclination angle of a tangent line of the edge of the light-shielding substrate on the side surface of the light-shielding film as indicated by α in FIG. 3.

도 5 내지 도 7은, 각각 본 개시의 대형 포토마스크의 다른 예에 있어서의 도 3에 대응하는 영역을 나타내는 개략 단면도이다.5 to 7 are schematic cross-sectional views each showing a region corresponding to FIG. 3 in another example of the large-size photomask of the present disclosure.

도 5에 도시된 대형 포토마스크(100)에 있어서, 차광 패턴(120)은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상으로 되어 있다. 차광 패턴(120)의 개구부(120c)에 있어서, 차광성 막(124)의 측면(124a)은 투광성 기판(110)에 수직인 평면으로 되어 있으며, 제1 저반사막(122)의 측면(122a) 및 제2 저반사막(126)의 측면(126a)은, 차광성 막(124)의 측면(124a)에 대하여 투광성 기판(110)에 평행한 방향으로 길이 L1만큼 돌출되어 있다.In the large-size photomask 100 shown in FIG. 5, the light shielding pattern 120 has an optical density (OD) of 4.5 or more for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm. In the opening 120c of the light-shielding pattern 120, the side surface 124a of the light-shielding layer 124 is a plane perpendicular to the light-transmitting substrate 110, and the side surface 122a of the first low-reflective layer 122 And the side surface 126a of the second low reflection film 126 protrudes by a length L1 in a direction parallel to the light-transmitting substrate 110 with respect to the side surface 124a of the light-shielding film 124.

또한, 도 6에 도시한 대형 포토마스크(100)에 있어서, 차광 패턴(120)은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상으로 되어 있다. 차광 패턴(120)의 개구부(120c)에 있어서, 차광성 막(124)의 측면(124a)은 복수의 평면으로 구성되는 오목형의 면으로 되어 있으며, 제1 저반사막(122)의 측면(122a) 및 제2 저반사막(126)의 측면(126a)은, 차광성 막(124)의 측면(124a)에 대하여 투광성 기판(110)에 평행한 방향으로 돌출되어 있으며, 개구부(120c)로부터 가장 떨어진 차광성 막(124)의 측면(124a)의 위치로부터 길이 L2만큼 돌출되어 있다. 차광성 막(124)의 측면(124a)은, 개구부(120c)에 가장 가까운 위치로부터 가장 떨어진 위치까지 투광성 기판(110)에 평행한 방향으로 폭 W1만큼 잘록해져 있다.In addition, in the large-size photomask 100 shown in Fig. 6, the light shielding pattern 120 has an optical density (OD) of 4.5 or more for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm. In the opening 120c of the light blocking pattern 120, the side surface 124a of the light blocking layer 124 has a concave surface composed of a plurality of planes, and the side surface 122a of the first low-reflective layer 122 ) And the side surface 126a of the second low-reflective film 126 protrudes in a direction parallel to the light-transmitting substrate 110 with respect to the side surface 124a of the light-shielding film 124, and is furthest from the opening 120c. It protrudes from the position of the side surface 124a of the light-shielding film 124 by a length L2. The side surface 124a of the light-shielding film 124 is constricted by a width W1 in a direction parallel to the light-transmitting substrate 110 from a position closest to the opening 120c to a position furthest away.

또한, 도 7에 도시한 대형 포토마스크(100)에 있어서, 차광 패턴(120)은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상으로 되어 있다. 차광 패턴(120)의 개구부(120c)에 있어서, 차광성 막(124)의 측면(124a)은 오목형의 곡면으로 되어 있다. 차광성 막(124)의 측면(124a)은, 개구부(120c)에 가장 가까운 위치로부터 가장 떨어진 위치까지 투광성 기판(110)에 평행한 방향으로 폭 W2만큼 잘록해져 있다.In addition, in the large-size photomask 100 shown in FIG. 7, the light shielding pattern 120 has an optical density (OD) of 4.5 or more for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm. In the opening 120c of the light-shielding pattern 120, the side surface 124a of the light-shielding film 124 has a concave curved surface. The side surface 124a of the light-shielding film 124 is constricted by a width W2 in a direction parallel to the light-transmitting substrate 110 from the position closest to the opening 120c to the position furthest away.

도 5 및 도 6에 도시한 대형 포토마스크(100)에 있어서는, 제1 저반사막(122)의 측면(122a) 및 제2 저반사막(126)의 측면(126a)이, 차광성 막(124)의 측면(124a)에 대하여 투광성 기판(110)의 표면(110a)에 평행한 방향으로 돌출되어 있다. 이 때문에, 피전사체가 갖는 레지스트층에 패턴을 전사하는 노광 시에, 광원측의 경사 방향으로부터 차광성 막(124)의 측면(124a)에 조사되는 노광광(미광)은, 제1 저반사막(122)에 의해 강도가 완화되고 나서 차광성 막(124)의 측면(124a)에 조사된다. 또한, 차광성 막(124)의 측면(124a)에 조사되는 노광광의 반사광은, 제2 저반사막(126)에 의해 강도가 완화되고 나서 레지스트층에 조사된다. 따라서, 광원측의 경사 방향으로부터 차광성 막(124)의 측면(124a)에 조사되는 노광광이 레지스트층에 조사될 때의 강도를, 제1 저반사막(122) 및 제2 저반사막(126)에 의해 억제할 수 있다.In the large photomask 100 shown in FIGS. 5 and 6, the side surface 122a of the first low-reflective film 122 and the side surface 126a of the second low-reflective film 126 are the light-shielding film 124 It protrudes in a direction parallel to the surface 110a of the transparent substrate 110 with respect to the side surface 124a of the. For this reason, at the time of exposure in which the pattern is transferred to the resist layer of the object to be transferred, the exposure light (stray light) irradiated to the side surface 124a of the light-shielding film 124 from the oblique direction of the light source side is the first low-reflective film ( 122), the side surface 124a of the light-shielding film 124 is irradiated. Further, the reflected light of the exposure light irradiated to the side surface 124a of the light-shielding film 124 is irradiated to the resist layer after the intensity is reduced by the second low-reflection film 126. Therefore, the intensity when exposure light irradiated to the side surface 124a of the light-shielding film 124 is irradiated to the resist layer from an oblique direction toward the light source side is determined by the first low-reflection film 122 and the second low-reflection film 126 Can be suppressed by

따라서, 상기 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상인 상기 차광 패턴으로서는, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 것이 바람직하다. 상기 광학 농도(OD)를 4.5 이상으로 하기 위해서 상기 차광 패턴이 후막으로 됨으로써, 광원측의 경사 방향으로부터 상기 차광성 막의 측면에 조사되는 노광광의 반사광의 광량이 많아짐에도 불구하고, 해당 반사광의 영향에 의해, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문이다.Accordingly, as the light blocking pattern having an optical density (OD) of 4.5 or more for light in the wavelength region, as shown in FIGS. 5 and 6, a side surface of the first low reflection layer or a side surface of the second low reflection layer, It is preferable to protrude from the side surface of the light-shielding film in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate. In order to make the optical density (OD) of 4.5 or more, the light shielding pattern becomes a thick film, so that the influence of the reflected light is increased even though the amount of reflected light of the exposure light irradiated to the side of the light shielding film from the oblique direction toward the light source increases. This is because it is possible to suppress the occurrence of irregularities or the like in the pattern transferred to the object to be transferred.

또한, 상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 것으로서는, 이들 측면 중 어느 쪽이든 한쪽이 돌출되는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 이들 측면의 양쪽이 돌출되는 것이 바람직하다.In addition, as the side surface of the first low-reflective film or the side surface of the second low-reflective film protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding film, one of these side surfaces protrudes. Although it does not specifically limit as long as it is, it is preferable that both of these side surfaces protrude.

또한, 상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 것으로서는, 도 5 및 도 6에 있어서 L1 및 L2로 나타낸 바와 같은 돌출 길이가, 상기 차광성 막의 막 두께의 1/2 이상인 것이 바람직하다. 상기 반사광의 영향에 의해, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다.In addition, a side surface of the first low-reflective layer or a side surface of the second low-reflective layer protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding layer, and L1 and It is preferable that the protrusion length as indicated by L2 is 1/2 or more of the film thickness of the light-shielding film. This is because it is possible to effectively suppress the occurrence of unevenness or the like in the pattern transferred to the transfer object by the influence of the reflected light.

또한, 상기 돌출 길이는, 상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 오목형 측면에 있어서의 상기 차광 패턴의 개구부로부터 가장 떨어진 위치로부터 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 길이를 의미한다.In addition, the protrusion length is from a position where the side surface of the first low-reflective film or the side surface of the second low-reflective film is furthest from the opening of the light-shielding pattern on the concave side surface of the light-shielding film to the surface of the light-transmitting substrate. It means the length protruding in a parallel direction.

또한, 본 개시에 있어서는, 이하의 이유로부터 상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 것이 바람직하다.In addition, in the present disclosure, it is preferable that the side surface of the first low-reflective film or the side surface of the second low-reflective film protrude in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding film for the following reasons. .

즉, 일반적으로 크롬 등의 금속막은 예를 들어 크롬산화물 등의 산화 금속막보다 극성이 높기 때문에, 이물이 부착되기 쉬운 경향에 있다. 따라서, 상기 차광성 막이 크롬일 경우, 상기 차광성 막의 측면이, 상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되어 있으면, 상기 차광성 막에 대하여 이물이 부착될 가능성이 높아져, 그 후의 세정에 의해 이물의 제거가 어려워질 가능성이 있기 때문이다.That is, in general, since a metal film such as chromium has a higher polarity than a metal oxide film such as chromium oxide, for example, there is a tendency for foreign substances to adhere. Therefore, when the light-shielding film is chromium, if the side surface of the light-shielding film protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the first low-reflective film or the side surface of the second low-reflective film, the difference This is because the possibility that foreign matter adheres to the photosensitive film increases, and there is a possibility that the removal of the foreign matter becomes difficult by subsequent washing.

이와 같은 이물의 부착의 관점에서도, 상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 것이면 바람직하고, 특히 이들 측면의 양쪽이 돌출되어 있는 것이 바람직하다.Also from the viewpoint of adhesion of such foreign substances, it is preferable that the side surface of the first low-reflective film or the side surface of the second low-reflective film protrude in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding film. It is preferable that both sides of these side surfaces protrude.

본 개시에 있어서, 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 측면의 순번으로서는, 상기 제1 저반사막의 측면이 가장 돌출되고, 이어서 제2 저반사막의 측면, 차광성 막의 측면의 순위인 것이 바람직하다. 이물이 이들 적층체의 측면 근방에 존재하는 경우, 상기 제1 저반사막의 측면이 가장 돌출되어 있음으로써, 이물이 산화 금속막과 접촉하는 면적이 크기 때문에, 접촉되기 쉽고, 그 결과, 이물의 박리도 용이하게 되기 때문이다.In the present disclosure, as the order of the side surfaces protruding in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate, the side surface of the first low-reflective film protrudes the most, followed by the side surface of the second low-reflective film and the side surface of the light-shielding film. desirable. When a foreign material exists near the side surface of these laminates, the side surface of the first low-reflective film protrudes most, so that the area in which the foreign material contacts the metal oxide film is large, so it is easy to contact, and as a result, the foreign material is peeled This is because it also becomes easy.

한편, 본 개시에 있어서는, 적어도 상기 제1 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되고, 또한, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도가 56° 이하인 것이 바람직하다.Meanwhile, in the present disclosure, at least a side surface of the first low-reflective film protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding film, and the light-transmitting substrate at the side surface of the first low-reflective film It is preferred that the angle to the surface is 56° or less.

도 12는, 이와 같은 양태의 대형 포토마스크의 일례의 일부를 나타내는 것이다. 도 12에 도시한 대형 포토마스크(100)에 있어서, 제1 저반사막(122)의 측면(122a) 및 제2 저반사막(126)의 측면(126a)은, 차광성 막(124)의 측면(124a)에 대하여, 투광성 기판(110)의 표면(110a)에 평행한 방향으로 돌출되어 있다. 그리고, 상기 제1 저반사막(122)의 측면(122a)과 상기 투광성 기판(110)의 표면(110a)이 이루는 각도 α가 56° 이하의 각도로 되어 있다.Fig. 12 shows a part of an example of a large photomask of such an aspect. In the large-size photomask 100 shown in FIG. 12, the side surface 122a of the first low-reflection film 122 and the side surface 126a of the second low-reflection film 126 are the side surfaces of the light-shielding film 124 ( With respect to 124a), it protrudes in a direction parallel to the surface 110a of the translucent substrate 110. Further, an angle α formed between the side surface 122a of the first low-reflective layer 122 and the surface 110a of the light-transmitting substrate 110 is equal to or less than 56°.

상술한 바와 같이, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도가 56° 이하임으로써, 이물이 부착된 경우라도, 세정 시의 세정용 유체가 접촉하는 면적을 크게 할 수 있기 때문에, 세정을 효율적으로 행할 수 있어, 세정 공정 후의 이물의 존재에 의한 결함을 방지하는 것이 가능해진다.As described above, since the angle of the side surface of the first low-reflective film with respect to the surface of the light-transmitting substrate is 56° or less, the area in which the cleaning fluid during cleaning contacts can be increased even when foreign substances are attached. , Cleaning can be performed efficiently, and it becomes possible to prevent defects due to the presence of foreign matters after the cleaning process.

여기서, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도는, 상기 제1 저반사막(122)의 측면(122a)과 상기 투광성 기판(110)의 표면(110a)이 접하는 위치 A와, 상기 제1 저반사막(122)의 막 두께 감소가 개시되는 위치 B를 직선으로 긋고, 이 직선과 상기 표면(110a)의 각도를 측정함으로써 얻어지는 각도이다.Here, the angle of the side surface of the first low-reflective film to the surface of the light-transmitting substrate is a position A where the side surface 122a of the first low-reflective film 122 and the surface 110a of the light-transmitting substrate 110 contact, It is an angle obtained by drawing a position B at which the film thickness reduction of the first low-reflection film 122 starts with a straight line and measuring the angle between the straight line and the surface 110a.

또한, 상기 제1 저반사막(122)의 측면(122a)이, 상기 차광성 막(124)의 측면(124a)에 대하여 돌출되어 있다고 함은, 상기 제1 저반사막(122)의 막 두께의 감소가 개시되는 위치 B가, 상기 차광성 막(124)의 측면(124a)에 대하여, 투광성 기판(110)의 표면(110a)에 평행한 방향으로 돌출되어 있는 것을 의미하는 것이다.In addition, the fact that the side surface 122a of the first low-reflective layer 122 protrudes from the side surface 124a of the light-blocking layer 124 reduces the thickness of the first low-reflective layer 122 It means that the position B at which is started protrudes in a direction parallel to the surface 110a of the light-transmitting substrate 110 with respect to the side surface 124a of the light-shielding film 124.

본 개시에 있어서는, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도가 56° 이하인 것이 바람직하고, 그 중에서도 40° 이하인 것이 바람직하다. 세정을 보다 효율적으로 행할 수 있기 때문이다. 또한, 상기 각도는 작은 편이 바람직한 것이지만, 실제의 제조가 어렵다고 하는 제조상의 관점에서, 20° 이상인 것이 바람직하다.In the present disclosure, the angle of the side surface of the first low-reflection film with respect to the surface of the light-transmitting substrate is preferably 56° or less, and particularly preferably 40° or less. This is because washing can be performed more efficiently. In addition, the smaller angle is preferable, but from the viewpoint of manufacturing that actual manufacturing is difficult, it is preferably 20° or more.

본 개시에 있어서는, 상기 제2 저반사막의 측면도, 상기 차광성 막의 측면보다도 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 이물과의 접착성의 영향으로 세정에 의한 이물의 제거가 어려울 가능성이 있는 차광성 막의 측면에 대한 이물의 부착을 감소시킬 수 있기 때문이다.In the present disclosure, it is preferable that the side view of the second low-reflection film protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate rather than the side surface of the light-shielding film. This is because adhesion of foreign matters to the side surfaces of the light-shielding film, which may be difficult to remove foreign matters by washing due to the effect of adhesion to foreign matters, can be reduced.

도 6 및 도 7에 도시한 대형 포토마스크(100)에 있어서는, 차광성 막(124)의 측면(124a)이 오목형으로 되어 있다. 이 때문에, 피전사체가 갖는 레지스트층에 패턴을 전사하는 노광 시에, 광원측의 경사 방향으로부터 차광성 막(124)의 측면(124a)에 조사되는 노광광(미광)의 반사광은, 광원측 또는 차광 패턴(120)의 개구부(120c)측으로 유도될 가능성이 높아진다. 따라서, 해당 반사광이, 차광 패턴(120)의 에지 부분에 의해 노광광의 조사가 차단되는 레지스트층에 조사되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 에지 부분에 있어서의 레지스트층에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.In the large photomask 100 shown in FIGS. 6 and 7, the side surface 124a of the light-shielding film 124 is concave. For this reason, at the time of exposure in which the pattern is transferred to the resist layer of the transfer object, the reflected light of the exposure light (stray light) irradiated to the side surface 124a of the light-shielding film 124 from an oblique direction toward the light source side is The possibility of being guided toward the opening 120c of the light blocking pattern 120 increases. Accordingly, it is possible to suppress irradiation of the reflected light onto the resist layer from which exposure light is blocked by the edge portion of the light shielding pattern 120. Thereby, it is possible to suppress the occurrence of dimensional variation or the like in the pattern transferred to the resist layer in the edge portion.

따라서, 상기 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상인 상기 차광 패턴으로서는, 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 차광성 막의 측면이 오목형인 것이 바람직하다. 상기 광학 농도(OD)를 4.5 이상으로 하기 위해서 상기 차광 패턴이 후막으로 됨으로써, 광원측의 경사 방향으로부터 상기 차광성 막의 측면에 조사되는 노광광의 반사광의 광량이 많아짐에도 불구하고, 해당 반사광의 영향에 의해, 피전사체에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문이다.Accordingly, as the light-shielding pattern having an optical density (OD) of 4.5 or more for light in the wavelength region, it is preferable that the side surface of the light-shielding film is concave, as shown in FIGS. 6 and 7. In order to make the optical density (OD) of 4.5 or more, the light shielding pattern becomes a thick film, so that the influence of the reflected light is increased even though the amount of reflected light of the exposure light irradiated to the side of the light shielding film from the oblique direction toward the light source increases. This is because it is possible to suppress the occurrence of dimensional variation or the like in the pattern transferred to the object to be transferred.

또한, 상기 차광성 막의 측면이 오목형인 상기 차광 패턴으로서는, 도 6 및 도 7에 있어서 W1 및 W2로 나타낸 바와 같은 상기 차광성 막의 측면의 잘록부 폭이 상기 차광성 막의 막 두께의 1/2 이상인 것이 바람직하다. 상기 반사광의 영향에 의해, 피전사체에 전사되는 패턴에 치수의 변동 등이 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다.In addition, as the light-shielding pattern in which the side surface of the light-shielding film is concave, the width of the constricted portion of the side surface of the light-shielding film as indicated by W1 and W2 in FIGS. 6 and 7 is at least 1/2 of the thickness of the light-shielding film. It is desirable. This is because, due to the influence of the reflected light, it is possible to effectively suppress variations in dimensions and the like in the pattern transferred to the object to be transferred.

또한, 상기 잘록부 폭은, 상기 차광성 막의 측면에 있어서의 상기 차광 패턴의 개구부에 가장 가까운 위치로부터 가장 떨어진 위치까지의 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향의 폭을 의미한다.In addition, the constriction width means a width in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate from a position closest to the opening of the light-shielding pattern on the side surface of the light-shielding film to a position farthest from it.

d. 저반사막 및 차광성 막의 경계 구조d. Boundary structure between low-reflective and light-shielding films

상기 차광성 막과 상기 제1 저반사막 및 상기 제2 저반사막의 경계는, 명료한 경계여도 되고, 불명료한 경계여도 된다. 각 막의 특성을 개별로 제어하기 쉬운 점에서, 상기 명료한 경계를 갖는 차광 패턴이 바람직하다. 또한, 가공면이 매끄러워지는 점이나 용이하게 제작 가능한 점에서, 상기 불명료한 경계를 갖는 차광 패턴이 바람직하다. The boundary between the light-shielding film, the first low-reflection film, and the second low-reflection film may be a clear boundary or an indistinct boundary. Since it is easy to individually control the characteristics of each film, a light-shielding pattern having the clear boundary is preferable. In addition, the light-shielding pattern having the above-described obscure boundary is preferable from the point that the processing surface becomes smooth or can be easily manufactured.

상기 명료한 경계를 갖는 차광 패턴은, 상기 제1 저반사막, 상기 차광성 막 및 상기 제2 저반사막의 성막을, 각각, 가스를 교체한 스퍼터링 장치를 사용하여 개별로 행함으로써 제작 가능하다. 또한, 상기 불명료한 경계를 갖는 차광 패턴은, 상기 제1 저반사막, 상기 차광성 막 및 상기 제2 저반사막의 성막을, 스퍼터링 장치의 가스를 교체하지 않고 연속적으로 행함으로써 제작 가능하다.The light-shielding pattern having a clear boundary can be produced by individually performing the formation of the first low-reflective film, the light-shielding film, and the second low-reflective film, respectively, using a sputtering device in which gas is replaced. Further, the light-shielding pattern having an indistinct boundary can be produced by continuously forming the first low-reflective film, the light-shielding film, and the second low-reflective film without replacing the gas of the sputtering device.

e. 형성 방법e. Formation method

상기 차광 패턴의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 합성 석영 유리의 표면에, 제1 저반사막, 차광성 막, 및 제2 저반사막이 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖는 차광층을 형성한 다음에, 차광층의 표면에 원하는 형상의 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광층을 습식 에칭으로 가공하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of forming the light-shielding pattern, for example, a light-shielding layer having a laminated structure in which a first low-reflective film, a light-shielding film, and a second low-reflective film are stacked in this order is formed on the surface of synthetic quartz glass, and then , A method of forming a resist pattern of a desired shape on the surface of the light-shielding layer, and processing the light-shielding layer by wet etching using the resist pattern as a mask.

2. 투광성 기판2. Translucent substrate

상기 투광성 기판의 크기로서는, 예를 들어 적어도 한 변이 350㎜ 이상의 크기를 갖는 포토마스크로 할 수 있으면 되며, 본 개시의 대형 포토마스크의 용도 등에 따라서 적절히 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 330㎜×450㎜ 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 330㎜×450㎜ 내지 1700㎜×1800㎜의 범위 내인 것이 바람직하다.The size of the light-transmitting substrate may be, for example, a photomask having a size of at least one side of 350 mm or more, and may be appropriately selected depending on the use of the large photomask of the present disclosure, and is not particularly limited, but 330 mm× It is preferably 450 mm or more, and among them, it is preferably in the range of 330 mm×450 mm to 1700 mm×1800 mm.

상기 투광성 기판의 막 두께로서는, 대형 포토마스크의 재료나 용도 등에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 상기 투광성 기판의 막 두께로서는, 예를 들어 8㎜ 내지 17㎜ 정도이다.The film thickness of the light-transmitting substrate can be appropriately selected according to the material or use of the large-size photomask. The film thickness of the translucent substrate is, for example, about 8 mm to 17 mm.

상기 투광성 기판으로서는, 광투과성을 갖는 것이며, 일반적인 대형 포토마스크에 이용되는 투광성 기판을 사용할 수 있다. 상기 투광성 기판으로서는, 예를 들어 광학 연마된 저팽창 유리(알루미노 붕규산 유리, 붕규산 유리), 합성 석영 유리를 들 수 있다. 본 개시에 있어서는, 그 중에서도 합성 석영 유리가 적절하게 사용된다. 열팽창률이 작아, 대형 포토마스크를 제조하기 쉽기 때문이다. 또한, 본 개시에 있어서는 수지제 상기 투광성 기판을 사용할 수도 있다.As the light-transmitting substrate, a light-transmitting substrate can be used which has light transmittance and is used for a general large-size photomask. Examples of the translucent substrate include optically polished low-expansion glass (alumino borosilicate glass, borosilicate glass) and synthetic quartz glass. In the present disclosure, among them, synthetic quartz glass is suitably used. This is because the coefficient of thermal expansion is small, and it is easy to manufacture a large photomask. In addition, in the present disclosure, the translucent substrate made of a resin can also be used.

상기 투광성 기판의 광투과성으로서는, 일반적인 대형 포토마스크에 사용되는 투광성 기판과 동일 정도이면 특별히 한정되지 않지만, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 투과율이 80％ 이상인 것이 바람직하고, 그 중에서도 85％ 이상, 특히 90％ 이상인 것이 바람직하다. 순도가 높은 투광성 기판의 쪽이, 통과하는 광의 재료 내에서의 산란이 적고, 또한 굴절률도 낮기 때문에, 미광의 발생을 억제할 수 있기 때문이다.The light transmittance of the light-transmitting substrate is not particularly limited as long as it is about the same as that of the light-transmitting substrate used in a general large-size photomask, but it is preferable that the transmittance for light in the wavelength range of 313 nm to 436 nm is 80% or more, and among them 85 It is preferably at least 90%, particularly at least 90%. This is because the light-transmitting substrate having high purity has less scattering of light passing through the material and also has a low refractive index, so that generation of stray light can be suppressed.

3. 기타3. Other

본 개시의 대형 포토마스크로서는, 상기 투광성 기판과 상기 차광 패턴을 구비하고, 상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측 면의 상기 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하인 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 분할 노광에 사용되는 분할 패턴을 갖고, 상기 분할 패턴이 상기 차광 패턴인 것이 바람직하다.The large-size photomask of the present disclosure is not particularly limited as long as it includes the light-transmitting substrate and the light-shielding pattern, and a reflectance of the light-shielding pattern on the light-transmitting substrate-side surface of the light-shielding pattern to light in the wavelength region is 8% or less, but divided exposure It has a division pattern used for, and it is preferable that the division pattern is the said light-shielding pattern.

분할 노광이란, 피전사체에 있어서 피전사 영역을 복수의 노광 영역으로 분할하여, 복수의 노광 영역의 각각을 대형 포토마스크를 사용하여 개별로 노광하고, 복수의 노광 영역의 각각에 포토마스크의 분할 패턴을 전사함으로써, 피전사체에 포토마스크의 분할 패턴보다도 큰 연속된 패턴을 형성하는 방법을 말한다.The divided exposure means that the area to be transferred is divided into a plurality of exposure areas on the object to be transferred, and each of the plurality of exposed areas is individually exposed using a large photomask, and a photomask is divided into each of the plurality of exposure areas. It refers to a method of forming a continuous pattern larger than the divided pattern of the photomask on the object to be transferred by transferring the image.

이와 같은 바람직한 대형 포토마스크에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 8은, 본 개시의 대형 포토마스크의 다른 예를 나타내는 개략 평면도이다. 도 9는, 도 8에 도시한 대형 포토마스크를 사용하여 피전사체로 제조되는 패턴 전사체를 나타내는 개략 평면도이다. 또한, 도 10의 (a) 내지 도 10의 (b)는, 도 9에 도시한 패턴 전사체의 제조 공정의 일부를 나타내는 개략 공정 단면도이다.This preferred large-sized photomask will be described with reference to the drawings. 8 is a schematic plan view showing another example of the large-size photomask of the present disclosure. FIG. 9 is a schematic plan view showing a pattern transfer member manufactured as a transfer object using the large photomask shown in FIG. 8. In addition, FIGS. 10A to 10B are schematic cross-sectional views showing a part of the manufacturing process of the pattern transfer member shown in FIG. 9.

도 8에 도시한 바와 같이, 대형 포토마스크(100)는, 투광성 기판(110)과, 투광성 기판(110)의 표면(110a)에 마련되고, 서로 다른 제1 분할 패턴(150a), 제2 분할 패턴(150b) 및 제3 분할 패턴(150c)을 구비한다. 제1 분할 패턴(150a), 제2 분할 패턴(150b) 및 제3 분할 패턴(150c)은, 각각, 도 1에 도시된 차광 패턴(120)과 마찬가지로, 제1 저반사막(122), 차광성 막(124) 및 제2 저반사막(126)이, 투광성 기판(110)측으로부터 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖는 차광 패턴(120)이다. 이 때문에, 제1 분할 패턴(150a), 제2 분할 패턴(150b) 및 제3 분할 패턴(150c)의 투광성 기판(110)측의 면은, 도 1에 도시된 차광 패턴(120)과 마찬가지로, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하이다.As shown in FIG. 8, the large-size photomask 100 is provided on the light-transmitting substrate 110 and the surface 110a of the light-transmitting substrate 110, and different first division patterns 150a and second divisions A pattern 150b and a third divided pattern 150c are provided. The first divided pattern 150a, the second divided pattern 150b, and the third divided pattern 150c, respectively, like the light blocking pattern 120 shown in FIG. 1, a first low-reflective layer 122, light blocking The film 124 and the second low-reflective film 126 are the light-shielding pattern 120 having a laminated structure stacked in this order from the side of the translucent substrate 110. For this reason, the surface of the first divided pattern 150a, the second divided pattern 150b, and the third divided pattern 150c on the side of the light-transmitting substrate 110 is similar to the light blocking pattern 120 shown in FIG. 1, The reflectance for light in the wavelength range of 313 nm to 436 nm is 8% or less.

도 9에 도시한 패턴 전사체(200')는, 도 8에 도시된 대형 포토마스크(100)를 사용하여, 피전사체(200)가 갖는 레지스트층(220)에 대하여, 제1 분할 패턴(150a), 제2 분할 패턴(150b), 및 제3 분할 패턴(150c)의 각 패턴마다, 상기 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 노광광을 광원(UV 램프)으로부터 방사하는 노광에 의해 제조되는 것이다.The pattern transfer body 200 ′ shown in FIG. 9 uses the large-size photomask 100 shown in FIG. 8, with respect to the resist layer 220 included in the transfer object 200, the first divided pattern 150a ), each pattern of the second divided pattern 150b, and the third divided pattern 150c, is manufactured by exposure that emits exposure light including any light in the wavelength region from a light source (UV lamp).

패턴 전사체(200')가 제조되는 경우에는, 우선, 1회째의 노광에 있어서, 제2 분할 패턴(150b) 및 제3 분할 패턴(150c)을 노광 차폐판(300)(도 10에 도시)으로 차폐함으로써, 레지스트층(220)에 대하여, 제1 내지 제3 분할 패턴 중 제1 분할 패턴(150a)만을 통해 상기 노광광을 조사한다. 다음으로, 2회째 내지 6회째의 노광에 있어서, 제3 분할 패턴(150c) 및 제1 분할 패턴(150a)을 노광 차폐판(300)으로 차폐함으로써, 레지스트층(220)에 대하여, 제1 내지 제3 분할 패턴 중 제2 분할 패턴(150b)만을 통해 상기 노광광을 조사한다. 다음으로, 7회째의 노광에 있어서, 제1 분할 패턴(150a) 및 제2 분할 패턴(150b)을 노광 차폐판(300)으로 차폐함으로써, 레지스트층(220)에 대하여, 제1 내지 제3 분할 패턴 중 제3 분할 패턴(150c)만을 통해 상기 노광광을 조사한다. 이에 의해, 제1 분할 패턴(150a)이 전사된 1개의 제1 레지스트 패턴(220a), 제2 분할 패턴(150b)이 각각 전사된 5개의 제2 레지스트 패턴(220b) 및 제3 분할 패턴(150c)이 전사된 1개의 제3 레지스트 패턴(220c)이, 단일 방향으로 연결되도록 형성된다. 이 결과, 연속한 단일의 레지스트 패턴이 형성된다.When the pattern transfer member 200' is manufactured, first, in the first exposure, the second divided pattern 150b and the third divided pattern 150c are exposed to the shielding plate 300 (shown in FIG. 10). By shielding the resist layer 220, the exposure light is irradiated through only the first divided pattern 150a among the first to third divided patterns. Next, in the second to sixth exposures, by shielding the third divided pattern 150c and the first divided pattern 150a with the exposure shielding plate 300, the first to The exposure light is irradiated through only the second divided pattern 150b among the third divided patterns. Next, in the seventh exposure, the first to third divisions of the resist layer 220 are performed by shielding the first and second division patterns 150a and 150b with the exposure shielding plate 300. Of the patterns, the exposure light is irradiated only through the third divided pattern 150c. Accordingly, the first resist pattern 220a to which the first divided pattern 150a is transferred, the five second resist patterns 220b and the third divided pattern 150c to which the second divided pattern 150b are transferred respectively. One third resist pattern 220c to which) is transferred is formed to be connected in a single direction. As a result, a single continuous resist pattern is formed.

상술한 2회째의 노광에 있어서는, 도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 도 2에 도시된 공정과 마찬가지로, 상기 노광광이, 제2 분할 패턴(150b)(차광 패턴(120))의 투광성 기판(110)측의 면(120a)에서 반사되는 것을 원인으로 하여 발생하는 미광의 강도를 저감시킴으로써, 본래는 노광 차폐판(300)에 의해 노광광의 조사가 차단되는 차폐 영역(3회째의 노광 영역)의 레지스트층(220)에 조사될 미광 La의 강도를 저감시킬 수 있다. 또한, 상기 노광광이, 제2 분할 패턴(150b)의 투광성 기판(110)과는 반대측의 면(120b)에서 반사되는 것을 원인으로 하여 발생하는 미광의 강도를 저감시킴으로써, 본래는 제2 분할 패턴(150b)의 에지 부분에 의해 노광광의 조사가 차단되는 2회째의 노광 영역의 레지스트층(220)에 조사될 미광 Lb의 강도를 저감시킬 수 있다.In the second exposure described above, as shown in Fig. 10A, similar to the process shown in Fig. 2, the exposure light is formed of the second division pattern 150b (shielding pattern 120). By reducing the intensity of stray light caused by reflection from the surface 120a on the side of the light-transmitting substrate 110, the shielding area in which exposure of exposure light is originally blocked by the exposure shielding plate 300 (3rd exposure The intensity of stray light La to be irradiated to the resist layer 220 of the region) may be reduced. In addition, by reducing the intensity of stray light that is caused by the exposure light being reflected from the surface 120b on the opposite side of the transparent substrate 110 of the second divided pattern 150b, the second divided pattern is originally The intensity of stray light Lb to be irradiated to the resist layer 220 in the second exposure region in which the exposure light is blocked by the edge portion of 150b can be reduced.

상술한 3회째의 노광에 있어서는, 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 2회째의 노광과 마찬가지로 미광의 강도를 저감시킴으로써, 2회째의 노광에 있어서 미광 La가 조사 완료된 영역의 레지스트층(220)에 조사될 미광 Lb의 강도를 더욱 저감시킬 수 있고, 2회째의 노광에 있어서 미광 Lb가 조사 완료된 영역의 레지스트층(220)에 조사될 미광 La의 강도를 더욱 저감시킬 수 있다.In the above-described third exposure, as shown in Fig. 10B, as in the second exposure, the intensity of stray light is reduced, so that the resist layer in the region irradiated with stray light La in the second exposure ( 220), it is possible to further reduce the intensity of the stray light Lb to be irradiated, and in the second exposure, the intensity of the stray light La to be irradiated to the resist layer 220 in the region where the stray light Lb has been irradiated can be further reduced.

따라서, 상술한 바람직한 대형 포토마스크에 의하면, 분할 노광에 있어서, 피전사체의 복수의 노광 영역 각각을 대형 포토마스크 사용하여 개별로 노광할 때, 상기 차광 패턴의 각 면에서 노광광이 반사되는 것을 원인으로 하여 발생하는 미광이 다른 노광 영역에 조사됨으로써, 레지스트층에 상기 미광에 의한 다중 노광이 발생하는 경우에 있어서도, 상기 미광의 강도를 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 것을 현저하게 억제할 수 있다.Therefore, according to the above-described preferred large-sized photomask, when each of the plurality of exposed areas of the object to be transferred is individually exposed using a large-sized photomask in divided exposure, exposure light is reflected from each surface of the light-shielding pattern. By irradiating the stray light generated as a result to another exposed region, the intensity of the stray light can be reduced even when multiple exposures due to the stray light occur in the resist layer. For this reason, it is possible to remarkably suppress the occurrence of unevenness or dimensional variation in the pattern transferred to the object to be transferred.

또한, 분할 노광에 있어서, 인접하는 노광 영역이 연결되는 부분에 있어서는, 노광 장치의 얼라인먼트 정밀도의 영향에 의해 다중 노광이 발생하는 경우가 있다. 이 때문에, 상기 미광에 의한 다중 노광이 더욱 발생하는 경우에는, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일이나 치수의 변동이 발생하는 문제가 커지기 쉽다. 이 때문에, 상술한 효과가 더욱 현저하게 얻어진다.In addition, in the divided exposure, in a portion to which adjacent exposure regions are connected, multiple exposures may occur due to the influence of the alignment accuracy of the exposure apparatus. For this reason, when multiple exposures due to the stray light further occur, the problem of unevenness or dimensional variation in the pattern transferred to the object to be transferred is likely to increase. For this reason, the above-described effect is obtained more remarkably.

4. 대형 포토마스크의 제조 방법4. Manufacturing method of large photomask

본 개시의 대형 포토마스크의 제조 방법으로서는, 상술한 구성을 갖는 대형 포토마스크를 제조할 수 있으면 특별히 한정되지 않고, 일반적인 대형 포토마스크의 제조 방법과 마찬가지로 할 수 있다.The manufacturing method of the large-sized photomask of the present disclosure is not particularly limited as long as the large-sized photomask having the above-described configuration can be manufactured, and can be carried out in the same manner as the general large-sized photomask manufacturing method.

예를 들어, 투광성 기판으로서 합성 석영 유리를 준비하고, 합성 석영 유리의 표면에, 제1 저반사막, 차광성 막, 및 제2 저반사막이 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖는 차광층을 구비하는 마스크 블랭크스를 제작한다. 다음으로, 차광층의 표면에 원하는 형상의 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광층을 습식 에칭으로 가공함으로써, 차광층으로부터 차광 패턴을 형성한다. 이에 의해, 대형 포토마스크를 제작한다.For example, a synthetic quartz glass is prepared as a light-transmitting substrate, and a light-shielding layer having a laminated structure in which a first low-reflective film, a light-shielding film, and a second low-reflective film are stacked in this order is provided on the surface of the synthetic quartz glass. Make mask blanks. Next, a resist pattern of a desired shape is formed on the surface of the light-shielding layer, and the light-shielding layer is processed by wet etching using the resist pattern as a mask to form a light-shielding pattern from the light-shielding layer. Thereby, a large-size photomask is produced.

또한, 상기 습식 에칭에 사용되는 에칭액으로서는, 상기 차광층을 고정밀도로 가공 가능하며, 상기 투광성 기판에 대미지를 주지 않는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 질산 제2 세륨 암모늄 용액 등을 사용할 수 있다.In addition, as the etching solution used for the wet etching, the light shielding layer can be processed with high precision, and it is not particularly limited as long as it does not damage the light-transmitting substrate, for example, a solution of cerium nitrate ammonium or the like can be used. .

5. 용도5. Use

본 개시의 대형 포토마스크는, 예를 들어 표시 장치에 사용되는 표시 장치용 기능 소자 등의 패턴 전사체의 제조 시에 있어서의 포토리소그래피법에 적절하게 이용할 수 있다.The large-size photomask of the present disclosure can be suitably used for a photolithography method in manufacturing a pattern transfer member such as a functional element for a display device used in a display device.

본 개시의 대형 포토마스크를 사용하여 제조될 표시 장치용 기능 소자로서는, 예를 들어 TFT 기판, TFT 기판 등에 사용되는 금속 배선 구비 기판 등, 컬러 필터, 컬러 필터에 사용되는 차광부 구비 기판 등을 들 수 있다.As functional elements for display devices to be manufactured using the large photomask of the present disclosure, for example, TFT substrates, substrates with metal wiring used for TFT substrates, etc., color filters, substrates with light-shielding portions used for color filters, etc. I can.

본 개시의 대형 포토마스크를 사용한 표시 장치용 기능 소자 등의 패턴 전사체의 제조 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 대형 포토마스크의 제조 방법을 이용한 일반적인 제조 방법과 마찬가지로 할 수 있다. 예를 들어, 레지스트층을 갖는 피전사체를 준비하고, 대형 포토마스크를 통해 노광광을 조사하여 상기 레지스트층을 노광하는 노광 공정과, 노광 후의 상기 레지스트층을 현상하는 현상 공정을 갖는 제조 방법을 들 수 있다.The method of manufacturing a pattern transfer member, such as a functional element for a display device using the large-size photomask of the present disclosure, is not particularly limited, and can be carried out in the same manner as a general manufacturing method using the large-size photomask manufacturing method. For example, a manufacturing method including an exposure step of preparing a transfer object having a resist layer and exposing the resist layer by irradiating exposure light through a large photomask, and a developing step of developing the resist layer after exposure. I can.

상기 레지스트층에 사용되는 레지스트로서는, 일반적인 레지스트와 마찬가지로 할 수 있으며, 포지티브형 레지스트여도 되고, 네가티브형 레지스트여도 된다. 포지티브형 레지스트로서는, 예를 들어 노볼락 수지, 페놀 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드, 시클로올레핀 등을 들 수 있다. 구체적으로는, IP3500(TOK사 제조), PFI27(스미토모 가가쿠사 제조), ZEP7000(제온사 제조), 포지티브형 레지스트(JSR사 제조) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 포지티브형 레지스트(JSR사 제조) 등이 바람직하다. 감도가 높아, 본 개시의 효과가 현저해지기 때문이다. 한편, 네가티브형 레지스트로서는, 예를 들어 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 폴리글리시딜메타크릴레이트(PGMA), 화학 증폭형의 SAL601(시프레사 제조), 네가티브형 레지스트(JSR사 제조) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 네가티브형 레지스트(JSR사 제조) 등이 바람직하다. 감도가 높아, 본 개시의 효과가 현저해지기 때문이다. 또한, 본 개시의 대형 포토마스크를 사용하여 제조되는 표시 장치용 기능 소자가, 현상 후의 레지스트층을 구성 부재로서 사용하는 경우에는, 레지스트층에 안료 및 염료 등의 착색제, 무기 산화물 미립자 등의 기능성 재료를 함유시켜도 된다.The resist used for the resist layer may be similar to that of a general resist, and may be a positive resist or a negative resist. Examples of the positive resist include novolac resin, phenol epoxy resin, acrylic resin, polyimide, and cycloolefin. Specifically, IP3500 (manufactured by TOK Corporation), PFI27 (manufactured by Sumitomo Chemical Corporation), ZEP7000 (manufactured by Xeon Corporation), positive resist (manufactured by JSR Corporation), and the like are exemplified. Among them, a positive resist (manufactured by JSR) and the like are preferable. This is because the sensitivity is high, and the effect of the present disclosure becomes remarkable. On the other hand, as a negative resist, an acrylic resin etc. are mentioned, for example. Specifically, polyglycidyl methacrylate (PGMA), chemically amplified SAL601 (manufactured by Cypress Corporation), negative resist (manufactured by JSR Corporation), and the like may be mentioned. Among them, a negative resist (manufactured by JSR) and the like are preferable. This is because the sensitivity is high, and the effect of the present disclosure becomes remarkable. In addition, when the functional element for a display device manufactured using the large-size photomask of the present disclosure uses a developed resist layer as a constituent member, a functional material such as pigments and dyes, inorganic oxide fine particles, etc. You may contain.

레지스트층의 막 두께로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 10㎚ 내지 10㎛의 범위 내이다. 레지스트층의 형성 방법에 대해서는, 공지된 방법으로 할 수 있기 때문에, 여기에서의 설명은 생략한다.The film thickness of the resist layer is not particularly limited, but is, for example, in the range of 10 nm to 10 µm. The method of forming the resist layer can be performed by a known method, and thus description thereof will be omitted.

피전사체는, 통상, 레지스트층을 형성하기 위한 기체를 갖는다. 또한, 금속층 등을 갖고 있어도 된다. 피전사체에 대해서는, 제조되는 표시 장치용 기능 소자의 종류에 따라 적절히 선택된다.The transfer object usually has a substrate for forming a resist layer. Moreover, you may have a metal layer etc. The transfer object is appropriately selected according to the type of functional element for a display device to be manufactured.

상기 노광 공정에 사용되는 노광광으로서는, 레지스트층 중의 레지스트를 반응시킬 수 있으며, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역 중 어느 광을 포함하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 노광광으로서는, g선, h선, i선 등의 복수의 파장의 광을 포함하는 노광광이 바람직하고, 특히 j선을 함유하는 노광광이 바람직하다. 레지스트층에 조사되는 노광광의 에너지를 크게 할 수 있어, 더 짧은 노광 시간에 노광을 완료할 수 있음과 함께, 피전사체에 전사되는 패턴에 불균일 등이 발생하는 것을 현저하게 억제할 수 있기 때문이다. 상기 노광광의 광원으로서는, 예를 들어 초고압 수은등(초고압 UV 램프) 등을 사용할 수 있다.As the exposure light used in the above exposure step, the resist in the resist layer can be reacted, and it is not particularly limited as long as it includes any light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm. As exposure light, exposure light containing light of a plurality of wavelengths such as g-line, h-line, and i-line is preferable, and exposure light containing j-line is particularly preferable. This is because the energy of the exposure light irradiated to the resist layer can be increased, the exposure can be completed in a shorter exposure time, and it is possible to remarkably suppress the occurrence of unevenness or the like in the pattern transferred to the transfer object. As the light source of the exposure light, for example, an ultra-high pressure mercury lamp (ultra-high pressure UV lamp) or the like can be used.

상기 현상 공정에 사용되는 레지스트층의 현상 방법으로서는, 일반적인 방법을 이용할 수 있으며 특별히 한정되지 않는다. 현상 방법으로서는, 예를 들어 현상액을 사용하는 방법 등을 적합하게 이용할 수 있다.As a developing method of the resist layer used in the above developing step, a general method can be used and is not particularly limited. As the developing method, for example, a method using a developer can be suitably used.

또한, 본 개시는, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는, 예시이며, 본 개시의 청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이어도 본 개시의 기술적 범위에 포함된다.In addition, this disclosure is not limited to the said embodiment. The above-described embodiment is an example, and anything that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present disclosure and exhibits the same operation and effect is included in the technical scope of the present disclosure.

실시예Example

A. 반사율 및 광학 농도A. Reflectance and optical density

우선, 반사율 및 광학 농도에 대하여, 실시예 및 비교예를 이용하여 설명한다.First, the reflectance and optical density are described using Examples and Comparative Examples.

[실시예 A1][Example A1]

우선, 세로×가로×막 두께가 700㎜×800㎜×8㎜인 정밀 연마된 합성 석영 유리(투광성 기판)와, 합성 석영 유리의 표면에, 막 두께 30㎚의 산화크롬막(CrO_X)(제1 저반사막), 막 두께 85㎚의 크롬막(Cr)(차광성 막), 및 막 두께 30㎚의 산화크롬막(CrO_X)(제2 저반사막)이 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖는 차광층을 구비하는 마스크 블랭크스를 제작하였다.First, a precision polished synthetic quartz glass (transmitting substrate) having a vertical × horizontal × film thickness of 700 mm × 800 mm × 8 mm, and a chromium oxide film (CrO _X ) having a thickness of 30 nm on the surface of the synthetic quartz glass ( The first low-reflection film), a chromium film (Cr) having a thickness of 85 nm (light-shielding film), and a chromium oxide film having a thickness of 30 nm (CrO _X ) (second low-reflection film) are stacked in this order. A mask blank including a light-shielding layer was produced.

마스크 블랭크스의 제작에 있어서, 차광층은, 스퍼터링법을 이용하여, 산화크롬막(제1 저반사막), 크롬막(차광성 막), 및 산화크롬막(제2 저반사막)의 순번으로 합성 석영 유리의 표면에 성막함으로써 형성하였다. 이때, 산화크롬막(제1 저반사막), 크롬막(차광성 막), 및 산화크롬막(제2 저반사막)의 성막은, 각각 가스를 교체한 스퍼터링 장치를 사용하여 개별로 행하였다. 또한, 산화크롬막(제1 저반사막) 및 산화크롬막(제2 저반사막)은, 진공 챔버 내에 Cr 타깃을 장착하고, O₂, N₂, CO₂ 가스를 도입하여, 진공 환경하에서의 반응성 스퍼터링에 의해 성막하였다. 산화크롬막(제1 저반사막)의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 저반사막의 성막 조건보다도 O₂ 가스의 비율을 증가한 조건으로 하였다. 또한, 산화크롬막(제2 저반사막)의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 저반사막의 성막 조건과 동등 조건으로 하였다. 또한, 크롬막(차광성 막)의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 크롬막의 성막 조건과 동등 조건으로 하였다.In the manufacture of mask blanks, the light-shielding layer is synthetic quartz in order of a chromium oxide film (first low-reflection film), a chromium film (light-shielding film), and a chromium oxide film (second low-reflection film) using a sputtering method. It formed by forming a film on the surface of glass. At this time, the chromium oxide film (first low-reflection film), the chromium film (light-shielding film), and the chromium oxide film (second low-reflection film) were formed individually using a sputtering apparatus in which gas was replaced. In addition, the chromium oxide film (first low-reflection film) and the chromium oxide film (second low-reflection film) are equipped with a Cr target in a vacuum chamber, and O ₂ , N ₂ , and CO ₂ gas are introduced to react reactive sputtering in a vacuum environment. It was formed by The film formation condition of the chromium oxide film (first low reflection film) was a condition in which the ratio of O ₂ gas was increased compared to the film formation condition of the low reflection film in the light shielding pattern of a general binary mask. In addition, the film formation conditions of the chromium oxide film (second low reflection film) were set to be the same conditions as the film formation conditions of the low reflection film in the light shielding pattern of a general binary mask. In addition, the film formation conditions of the chromium film (light-shielding film) were the same as those of the chromium film formation conditions in the light-shielding pattern of a general binary mask.

다음으로, 차광층의 표면에 원하는 형상의 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광층을 습식 에칭으로 가공함으로써, 차광층으로부터 3.0㎛ 폭의 차광 패턴을 포함하는 0.1㎛ 이상 10.0㎛ 미만의 폭을 갖는 차광 패턴을 형성하였다. 이에 의해, 대형 포토마스크를 제작하였다.Next, by forming a resist pattern of a desired shape on the surface of the light-shielding layer, and processing the light-shielding layer by wet etching using the resist pattern as a mask, 0.1 μm or more and less than 10.0 μm including a light-shielding pattern with a width of 3.0 μm from the light-shielding layer A shading pattern having a width of was formed. Thereby, a large-size photomask was produced.

[실시예 A2][Example A2]

우선, 세로×가로×막 두께가 700㎜×800㎜×8㎜인 정밀 연마된 합성 석영 유리(투광성 기판)와, 산화크롬막(제1 저반사막), 크롬막(차광성 막), 및 산화크롬막(제2 저반사막)이 이 순번으로 합성 석영 유리의 표면에 적층된 적층 구조를 갖는 막 두께 180㎚의 차광층을 구비하는 마스크 블랭크스를 제작하였다.First, a precision polished synthetic quartz glass (transmitting substrate) having a vertical × horizontal × film thickness of 700 mm × 800 mm × 8 mm, a chromium oxide film (first low reflection film), a chromium film (light-shielding film), and oxidation A mask blank provided with a light-shielding layer having a thickness of 180 nm and having a laminated structure in which a chromium film (second low-reflection film) was laminated on the surface of synthetic quartz glass in this order was produced.

마스크 블랭크스의 제작에 있어서, 차광층은, 스퍼터링법을 이용하여, 산화크롬막(제1 저반사막), 크롬막(차광성 막), 및 산화크롬막(제2 저반사막)의 순번으로 합성 석영 유리의 표면에 성막함으로써 형성하였다. 이때, 산화크롬막(제1 저반사막), 크롬막, 및 산화크롬막(제2 저반사막)의 성막은, 스퍼터링 장치의 가스를 교체하지 않고 연속적으로 행하였다. 또한, 산화크롬막(제1 저반사막) 및 산화크롬막(제2 저반사막)은, 진공 챔버 내에 Cr 타깃을 장착하고, O₂, N₂, CO₂ 가스를 도입하여, 진공 환경하에서의 반응성 스퍼터링에 의해 성막하였다. 산화크롬막(제1 저반사막) 및 산화크롬막(제2 저반사막)의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 저반사막의 성막 조건보다도 O₂ 가스의 비율을 증가한 조건으로 하였다. 또한, 크롬막(차광성 막)의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 크롬막의 성막 조건과 동등 조건으로 하였다.In the manufacture of mask blanks, the light-shielding layer is synthetic quartz in order of a chromium oxide film (first low-reflection film), a chromium film (light-shielding film), and a chromium oxide film (second low-reflection film) using a sputtering method. It formed by forming a film on the surface of glass. At this time, the formation of the chromium oxide film (first low reflection film), the chromium film, and the chromium oxide film (second low reflection film) was performed continuously without replacing the gas of the sputtering apparatus. In addition, the chromium oxide film (first low-reflection film) and the chromium oxide film (second low-reflection film) are equipped with a Cr target in a vacuum chamber, and O ₂ , N ₂ , and CO ₂ gas are introduced to react reactive sputtering in a vacuum environment. It was formed by The film formation conditions of the chromium oxide film (first low-reflection film) and the chromium oxide film (second low-reflection film) were those in which the ratio of O ₂ gas was increased compared to the film-forming conditions of the low-reflection film in the light-shielding pattern of a general binary mask. In addition, the film formation conditions of the chromium film (light-shielding film) were the same as those of the chromium film formation conditions in the light-shielding pattern of a general binary mask.

[실시예 A3][Example A3]

우선, 세로×가로×막 두께가 700㎜×800㎜×8㎜인 정밀 연마된 합성 석영 유리(투광성 기판)와, 합성 석영 유리의 표면에, 막 두께 30㎚의 산화크롬막(제1 저반사막), 막 두께 110㎚의 크롬막(차광성 막), 및 막 두께 30㎚의 산화크롬막(제2 저반사막)이 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖는 차광층을 구비하는 마스크 블랭크스를 제작하였다.First, a precision polished synthetic quartz glass (transparent substrate) having a vertical × horizontal × film thickness of 700 mm × 800 mm × 8 mm, and a chromium oxide film having a thickness of 30 nm (first low-reflective film) on the surface of the synthetic quartz glass ), a chromium film having a thickness of 110 nm (light-shielding film), and a chromium oxide film having a thickness of 30 nm (second low-reflective film) are stacked in this order to prepare a mask blank having a light-shielding layer having a laminated structure. .

마스크 블랭크스의 제작에 있어서, 차광층은, 스퍼터링법을 이용하여, 산화크롬막(제1 저반사막), 크롬막(차광성 막), 및 산화크롬막(제2 저반사막)의 순번으로 합성 석영 유리의 표면에 성막함으로써 형성하였다. 이때, 산화크롬막(제1 저반사막), 크롬막(차광성 막), 및 산화크롬막(제2 저반사막)의 성막은, 각각, 가스를 교체한 스퍼터링 장치를 사용하여 개별로 행하였다. 또한, 산화크롬막(제1 저반사막) 및 산화크롬막(제2 저반사막)은, 진공 챔버 내에 Cr 타깃을 장착하고, O₂, N₂, CO₂ 가스를 도입하여, 진공 환경하에서의 반응성 스퍼터링에 의해 성막하였다. 산화크롬막(제1 저반사막) 및 산화크롬막(제2 저반사막)의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 저반사막의 성막 조건보다도 O₂ 가스의 비율을 증가한 조건으로 하였다. 또한, 크롬막(차광성 막)의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 크롬막의 성막 조건보다도 성막 시간을 늘린 조건으로 하였다.In the manufacture of mask blanks, the light-shielding layer is synthetic quartz in order of a chromium oxide film (first low-reflection film), a chromium film (light-shielding film), and a chromium oxide film (second low-reflection film) using a sputtering method. It formed by forming a film on the surface of glass. At this time, the formation of the chromium oxide film (first low reflection film), the chromium film (light-shielding film), and the chromium oxide film (second low reflection film) was individually performed using a sputtering apparatus in which gas was replaced. In addition, the chromium oxide film (first low-reflection film) and the chromium oxide film (second low-reflection film) are equipped with a Cr target in a vacuum chamber, and O ₂ , N ₂ , and CO ₂ gas are introduced to react reactive sputtering in a vacuum environment. It was formed by The film formation conditions of the chromium oxide film (first low-reflection film) and the chromium oxide film (second low-reflection film) were those in which the ratio of O ₂ gas was increased compared to the film-forming conditions of the low-reflection film in the light-shielding pattern of a general binary mask. In addition, the film formation conditions of the chromium film (light-shielding film) were those in which the film formation time was longer than the film formation conditions of the chromium film in the light-shielding pattern of a general binary mask.

[비교예 A][Comparative Example A]

우선, 세로×가로×막 두께가 700㎜×800㎜×8㎜인 정밀 연마된 합성 석영 유리(투광성 기판)와, 합성 석영 유리의 표면에, 막 두께 85㎚의 크롬막(차광성 막) 및 막 두께 30㎚의 산화크롬막(저반사막)이 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖는 차광층을 구비하는 마스크 블랭크스를 제작하였다.First, a precision polished synthetic quartz glass (transmitting substrate) having a vertical × horizontal × film thickness of 700 mm × 800 mm × 8 mm, and a chromium film (light-shielding film) having a thickness of 85 nm on the surface of the synthetic quartz glass, and A mask blank including a light-shielding layer having a laminated structure in which a chromium oxide film (low-reflective film) having a thickness of 30 nm is stacked in this order was produced.

마스크 블랭크스의 제작에 있어서, 차광층은, 스퍼터링법을 이용하여, 크롬막(차광성 막) 및 산화크롬막(저반사막)의 순번으로 합성 석영 유리의 표면에 성막함으로써 형성하였다. 이때, 크롬막(차광성 막) 및 산화크롬막(저반사막)의 성막은, 각각, 가스를 교체한 스퍼터링 장치를 사용하여 개별로 행하였다. 또한, 산화크롬막(저반사막)은, 진공 챔버 내에 Cr 타깃을 장착하고, O₂, N₂, CO₂ 가스를 도입하여, 진공 환경하에서의 반응성 스퍼터링에 의해 성막하였다. 산화크롬막(저반사막)의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 저반사막의 성막 조건과 동등 조건으로 하였다. 또한, 크롬막의 성막 조건은, 일반적인 바이너리 마스크의 차광 패턴에 있어서의 크롬막의 성막 조건과 동등 조건으로 하였다.In the production of the mask blanks, the light-shielding layer was formed by forming a film on the surface of the synthetic quartz glass in order of a chromium film (light-shielding film) and a chromium oxide film (low-reflective film) using a sputtering method. At this time, the film formation of the chromium film (light-shielding film) and the chromium oxide film (low-reflective film) was individually performed using a sputtering apparatus in which gas was replaced. Further, the chromium oxide film (low reflection film) was formed by attaching a Cr target in a vacuum chamber, introducing O ₂ , N ₂ , and CO ₂ gas, and reactive sputtering in a vacuum environment. The film formation conditions of the chromium oxide film (low reflection film) were the same as the film formation conditions of the low reflection film in the light shielding pattern of a general binary mask. In addition, the film formation conditions of the chromium film were set to be the same conditions as the film formation conditions of the chromium film in the light-shielding pattern of a general binary mask.

[평가 결과][Evaluation results]

가. 저반사막 및 차광성 막의 경계 구조 관찰end. Observation of the boundary structure of low-reflective and light-shielding films

실시예 A1 내지 A3 및 비교예 A에 있어서의 차광 패턴의 저반사막 및 차광성 막의 경계 구조를, SEM(주사형 전자 현미경)에 의해 관찰하였다. 그 결과, 실시예 1 및 3에 있어서의 차광 패턴의 경계에 있어서는, Cr의 함유율이 불연속으로 변화하고, 산화크롬막(제1 저반사막)과 크롬막(차광성 막)의 경계 및 크롬막(차광성 막)과 산화크롬막(제2 저반사막)의 경계가 명료하게 되어 있었다. 또한, 실시예 2에 있어서의 차광 패턴의 경계에 있어서는, Cr의 함유율이 연속적으로 변화되고, 산화크롬막(제1 저반사막)과 크롬막(차광성 막)의 경계, 및 크롬막(차광성 막)과 산화크롬막(제2 저반사막)의 경계가 불명료하게 되어 있었다. 또한, 비교예에 있어서의 차광 패턴의 경계에 있어서는, Cr의 함유율이 불연속으로 변화되고, 크롬막(차광성 막)과 산화크롬막(저반사막)의 경계가 명료하게 되어 있었다.The boundary structures of the low-reflective film of the light-shielding pattern and the light-shielding film in Examples A1 to A3 and Comparative Example A were observed by SEM (scanning electron microscope). As a result, at the boundary of the light-shielding pattern in Examples 1 and 3, the content of Cr discontinuously changes, and the boundary between the chromium oxide film (first low-reflective film) and the chromium film (light-shielding film) and the chromium film ( The boundary between the light-shielding film) and the chromium oxide film (the second low-reflection film) was made clear. In addition, at the boundary of the light-shielding pattern in Example 2, the content of Cr continuously changes, the boundary between the chromium oxide film (first low-reflection film) and the chromium film (light-shielding film), and the chromium film (light-shielding film). The boundary between the film) and the chromium oxide film (the second low-reflection film) became obscure. In addition, at the boundary of the light-shielding pattern in the comparative example, the content of Cr was discontinuously changed, and the boundary between the chromium film (light-shielding film) and the chromium oxide film (low-reflective film) became clear.

나. 차광 패턴의 이면 반사율 및 표면 반사율 그리고 광학 농도(OD)I. Back reflectance and surface reflectance and optical density (OD) of the shading pattern

실시예 A1 내지 A3 및 비교예 A의 대형 포토마스크에 대하여, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 차광 패턴의 이면 반사율(합성 석영 유리측 면의 반사율) 및 상기 파장 영역의 광에 대한 차광 패턴의 표면 반사율(합성 석영 유리와는 반대측 면의 반사율), 그리고 상기 파장 영역의 광에 대한 차광 패턴의 광학 농도(OD)를 측정하였다.For the large photomasks of Examples A1 to A3 and Comparative Example A, the reflectance of the back surface of the light-shielding pattern (reflectance on the side of the synthetic quartz glass) for light in the wavelength region of 313 nm to 436 nm and the reflectance of the light in the wavelength region The surface reflectance of the light-shielding pattern (reflectance on the side opposite to that of the synthetic quartz glass) and the optical density (OD) of the light-shielding pattern with respect to light in the wavelength region were measured.

상기 이면 반사율 및 상기 표면 반사율은, 분광 분석기(오츠카 덴시 MCPD3000)를 사용하여, 상기 파장 영역의 범위에서 1㎚마다 측정하였다. 또한, 상기 광학 농도(OD)는, 자외·가시 분광 광도계(히타치 U-4000)를 사용하여, 상기 파장 영역의 범위에서 1㎚마다 측정하였다. 그들의 측정 결과 중, g선(파장 436㎚), h선(파장 405㎚), i선(파장 365㎚), 및 j선(파장 313㎚)에서의 측정 결과를 이하의 표 3에 나타낸다.The back surface reflectance and the surface reflectance were measured every 1 nm in the wavelength range using a spectrometer (Otsuka Denshi MCPD3000). In addition, the said optical density (OD) was measured every 1 nm in the said wavelength range using an ultraviolet-visible spectrophotometer (Hitachi U-4000). Among these measurement results, the measurement results in the g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm), i-line (wavelength 365 nm), and j-line (wavelength 313 nm) are shown in Table 3 below.

상기 분광 분석기(오츠카 덴시 MCPD3000)의 측정 조건 등을 표 1에, 상기 자외·가시 분광 광도계(히타치 U-4000)의 측정 조건을 표 2에 기재한다.Table 1 shows the measurement conditions and the like of the spectroscopic analyzer (Otsuka Denshi MCPD3000), and Table 2 shows the measurement conditions of the ultraviolet-visible spectrophotometer (Hitachi U-4000).

다. 레지스트 패턴의 성상All. Characteristics of resist pattern

실시예 A1 내지 A3 및 비교예 A의 대형 포토마스크를 사용하여, 원하는 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 것을 목적으로 하여, 유리 기판 위에 형성된 막 두께가 2.5㎛의 레지스트층(JSR사 제조)에 대하여, 이하의 노광 조건에 의해, 노광 스테퍼식(축소 투영식)의 프록시 노광을 행하였다.Using the large photomasks of Examples A1 to A3 and Comparative Example A, for the purpose of forming a resist pattern of a desired shape, for a resist layer (manufactured by JSR) having a film thickness of 2.5 µm formed on a glass substrate, The exposure stepper type (reduction projection type) proxy exposure was performed under the following exposure conditions.

(노광 조건)(Exposure conditions)

노광 갭: 150㎛Exposure gap: 150㎛

광원: 초고압 수은등Light source: ultra high pressure mercury lamp

노광광: g선, h선, i선, 및 j선을 포함하는 노광광Exposure light: exposure light including g-line, h-line, i-line, and j-line

노광량: 200mJ/㎠Exposure amount: 200mJ/㎠

실시예 A1 내지 A3 및 비교예 A의 대형 포토마스크를 사용하여 형성한 레지스트 패턴의 성상으로서, 레지스트 패턴의 불균일부의 정상부에 대한 막 두께 변동(이하, 「불균일부 막 두께 변동」이라고 하는 경우가 있음)을 평가하였다. 구체적으로는, 비교예 A의 불균일부 막 두께 변동을 100％로 했을 때의 실시예 A1 내지 A3의 불균일부 막 두께 변동의 비율[％]을 측정하였다. 그 결과를 이하의 표 3에 나타낸다.As a property of a resist pattern formed using the large-sized photomasks of Examples A1 to A3 and Comparative Example A, the variation in the film thickness of the top portion of the non-uniform portion of the resist pattern (hereinafter referred to as ``the variation of the film thickness of the non-uniform portion'' is sometimes called. ) Was evaluated. Specifically, the ratio [%] of the variation in the film thickness of the non-uniform portion in Examples A1 to A3 when the variation in the film thickness of the non-uniform portion in Comparative Example A was 100% was measured. The results are shown in Table 3 below.

실시예 A1 내지 A3에 있어서는, 상기 표 3에 나타낸 바와 같이, g선, h선, i선, 및 j선 중 어느 것에 대해서도, 이면 반사율은 8％ 이하로 되고, 상기 표 3에는 나타내지 않았지만, 상기 파장 영역의 다른 파장의 광에 대해서도 마찬가지의 결과로 되었다. 실시예 A2 및 A3에 있어서는, 또한, 상기 표 3에 나타낸 바와 같이, g선, h선, i선 및 j선 중 어느 것에 대해서도, 표면 반사율은 10％ 이하로 되고, 상기 표 3에는 나타내지 않았지만, 상기 파장 영역의 다른 파장의 광에 대해서도 마찬가지의 결과로 되었다. 실시예 A3에 있어서는, 또한, 상기 표 3에 나타낸 바와 같이, g선, h선, i선 및 j선 중 어느 것에 대해서도, 광학 농도(OD)는 4.5 이상으로 되고, 상기 표 3에는 나타내지 않았지만, 상기 파장 영역의 다른 파장의 광에 대해서도 마찬가지의 결과로 되었다. 이에 대해, 비교예 A에 있어서는, 상기 표 3에 나타낸 바와 같이, g선, h선, i선, 및 j선 중, h선, i선, 및 j선에 대해서는, 이면 반사율은 8％보다 커지게 되고, g선, h선, i선 및 j선 중 어느 것에 대해서도, 표면 반사율은 10％보다 커지게 되어, 광학 농도(OD)는 4.5 미만으로 되었다. In Examples A1 to A3, as shown in Table 3 above, for any of the g-line, h-line, i-line, and j-line, the back surface reflectance was 8% or less, and although not shown in Table 3, the The same result was obtained for light of other wavelengths in the wavelength range. In Examples A2 and A3, further, as shown in Table 3 above, the surface reflectance of any of the g-line, h-line, i-line, and j-line was 10% or less, and is not shown in Table 3, The same result was obtained for light of other wavelengths in the wavelength range. In Example A3, further, as shown in Table 3 above, the optical density (OD) of any of the g-line, h-line, i-line, and j-line was 4.5 or more, and is not shown in Table 3, The same result was obtained for light of other wavelengths in the wavelength range. On the other hand, in Comparative Example A, as shown in Table 3 above, among the g-line, h-line, i-line, and j-line, for the h-line, i-line, and j-line, the back surface reflectance was greater than 8%. The surface reflectance became larger than 10% for any of the g-line, h-line, i-line, and j-line, and the optical density (OD) was less than 4.5.

상기 표 3에 나타낸 바와 같이, 실시예 A1 내지 A3에 있어서는, 비교예보다도, 불균일부 막 두께 변동을 억제할 수 있었다. 또한, 실시예 A2 및 A3에 있어서는, 실시예 A1보다도, 불균일부 막 두께 변동을 효과적으로 억제할 수 있었다. 또한, 실시예 A3에 있어서는, 실시예 A2보다도, 불균일부 막 두께 변동을 현저하게 억제할 수 있었다.As shown in Table 3 above, in Examples A1 to A3, the variation in the film thickness of the non-uniform portion was suppressed compared to the comparative example. In addition, in Examples A2 and A3, more effectively than in Example A1, the variation in film thickness of non-uniform portions could be suppressed more effectively. In addition, in Example A3, compared with Example A2, the variation in the film thickness of the non-uniform portion could be significantly suppressed.

B. 세정에 의한 이물의 저감B. Reduction of foreign matter by washing

다음으로, 세정에 의한 이물의 저감 효과에 대하여, 실시예 및 비교예를 이용하여 설명한다.Next, the effect of reducing foreign matter by washing will be described using Examples and Comparative Examples.

[실시예 B1][Example B1]

상기 실시예 A3과 마찬가지로 하여 대형 포토마스크를 제작하였다.In the same manner as in Example A3, a large photomask was produced.

작성된 대형 포토마스크를, 20㎜(h)×30㎜(w)×8㎜(d) 이내에 유리 절단기를 사용하여 절단하였다. 절단면에, 백금으로 스퍼터 처리(20㎃×12초)를 실시하고, 전자 현미경으로 관찰하였다. 전자 현미경은, 주사형 전자 현미경(니혼덴시 가부시키가이샤 제조, JSM-6700F)을 사용하여, 가속 전압을 5.0㎸, 경사를 0°, 모드를 SEI(2차 전자 하방 검출)로 하고, 워킹 디스턴스를 3.2㎜ 내지 3.3㎜(샘플의 높이에 따라서 미세 조정)로 하고, 또한 적산 횟수는 1회(Fine View 모드), 관찰 배율은 ×100K로 하였다. 측정 개소는, 3.0㎛ 폭의 차광 패턴의 부분으로 하였다.The created large photomask was cut within 20 mm (h) x 30 mm (w) x 8 mm (d) using a glass cutter. The cut surface was sputtered with platinum (20 mA x 12 seconds) and observed with an electron microscope. As an electron microscope, a scanning electron microscope (manufactured by Nihon Denshi Corporation, JSM-6700F) was used, the acceleration voltage was 5.0 kV, the inclination was 0°, and the mode was SEI (secondary electron downward detection), and working The distance was set to 3.2 mm to 3.3 mm (fine adjustment according to the height of the sample), the number of times of integration was set once (Fine View mode), and the observation magnification was set to ×100K. The measurement point was made into the part of the light-shielding pattern of 3.0 micrometers width.

측정의 결과, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도가 80°인 것을 얻었다. 또한, 이 각도는, 상술한 바와 같이, 상기 제1 저반사막의 측면과 상기 투광성 기판의 표면이 접하는 위치와, 상기 제1 저반사막의 막 두께 감소가 개시되는 위치를 직선으로 긋고, 이 직선과 상기 표면의 각도를 측정함으로써 얻어지는 각도이다.As a result of the measurement, it was obtained that the angle of the side surface of the first low-reflective film with respect to the surface of the light-transmitting substrate was 80°. In addition, this angle, as described above, draws a position where the side surface of the first low-reflective film and the surface of the light-transmitting substrate are in contact, and the position at which the film thickness decrease of the first low-reflective film starts, and draws a straight line. It is an angle obtained by measuring the angle of the surface.

이와 같은 실시예 B1의 대형 포토마스크에 대하여, 순수 세정을 300초간, 실시 후에 건조하고, 세정한 후의 이물수를 외관 검사기의 반사 검사로 1㎛ 이상의 이물을 검출 가능한 감도에 의해 측정하였다. 이 측정값은, 유리 기판 4변의 단부 5㎜를 제외한 690㎜×790㎜의 영역을 측정한 값이다.With respect to the large-sized photomask of Example B1, pure water washing was performed for 300 seconds, and then dried, and the number of foreign matters after washing was measured by a sensitivity capable of detecting foreign matters of 1 μm or more by reflection inspection of an appearance inspector. This measured value is a value obtained by measuring an area of 690 mm x 790 mm excluding 5 mm of edge portions of the four sides of the glass substrate.

상기 측정값을, 후술하는 비교예 B에 의한 값을 100으로 했을 때의 비율로서 표 4에 나타낸다.Table 4 shows the measured value as a ratio when the value according to Comparative Example B described later is 100.

[실시예 B2 내지 B5][Examples B2 to B5]

상기 실시예 B1의 에칭 조건을, 에칭 시간을 연장하는 방향으로 변경하고, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도를 변경시켜, 하기의 표 4에 나타내는 각도의 대형 포토마스크를 제작하였다. 각도의 측정은, 상기 실시예 B1과 마찬가지의 방법으로 행하였다.The etching conditions of Example B1 were changed in the direction of extending the etching time, and the angle of the side surface of the first low-reflective film with respect to the surface of the light-transmitting substrate was changed to obtain a large photomask having an angle shown in Table 4 below. Was produced. The measurement of the angle was performed in the same manner as in Example B1.

이들 대형 포토마스크를 실시예 B1과 마찬가지의 방법에 의해 세정하고, 마찬가지로 하여 이물수를 측정하였다. 상기 측정값을, 후술하는 비교예 B에 의한 값을 100으로 했을 때의 비율로서 표 4에 나타낸다.These large-sized photomasks were washed by the same method as in Example B1, and the number of foreign matters was measured in the same manner. Table 4 shows the measured value as a ratio when the value according to Comparative Example B described later is 100.

[비교예 B][Comparative Example B]

상기 비교예 A와 마찬가지로 하여 대형 포토마스크를 제작하였다.In the same manner as in Comparative Example A, a large photomask was produced.

얻어진 대형 포토마스크를, 상기 실시예 B1과 마찬가지의 방법에 의해, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도를 측정하였다.The obtained large-size photomask was measured at an angle of the side surface of the first low-reflective film with respect to the surface of the light-transmitting substrate by the same method as in Example B1.

또한, 얻어진 대형 포토마스크를, 실시예 B1과 마찬가지의 방법에 의해 세정하고, 마찬가지로 하여 이물수를 측정하였다. 결과는, 100％로 하여 표 4에 나타낸다.In addition, the obtained large-size photomask was washed by the same method as in Example B1, and the number of foreign matters was measured in the same manner. The results are shown in Table 4 as 100%.

표 4의 결과로부터, 명백해진 바와 같이, 비교예에 비하여, 실시예는 이물수가 적었다. 이것은 비교예에 있어서의 크롬막과 실시예에 있어서의 산화크롬막과 이물의 친화성의 차이에 의한 것이라고 추정된다.As apparent from the results of Table 4, compared to Comparative Examples, Examples had fewer foreign substances. This is presumed to be due to the difference in affinity between the chromium film in the comparative example and the chromium oxide film in the example and the foreign material.

또한, 각도를 변경시킨 경우에는, 각도가 낮을수록, 이물수가 감소하는 결과로 되고, 특히 실시예 B2와 실시예 B3의 사이에서, 대폭으로 값이 변화한다는 사실을 알게 되었다.In addition, when the angle is changed, the lower the angle is, the more the number of foreign matters decreases, and it has been found that the value changes significantly between Example B2 and Example B3.

100: 대형 포토마스크
110: 투광성 기판
120: 차광 패턴
122: 제1 저반사막
124: 차광성 막
126: 제2 저반사막100: large photomask
110: light-transmitting substrate
120: shading pattern
122: first low reflection film
124: light-shielding film
126: second low-reflective screen

Claims

투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 표면에 마련된 차광 패턴을 포함하는 대형 포토마스크이며,
상기 차광 패턴은, 제1 저반사막, 차광성 막, 및 제2 저반사막이, 상기 투광성 기판측으로부터 이 순번으로 적층된 적층 구조를 갖고,
상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판측의 면은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 8％ 이하인 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.It is a large-sized photomask including a light-transmitting substrate and a light-shielding pattern provided on the surface of the light-transmitting substrate,
The light-shielding pattern has a laminate structure in which a first low-reflective film, a light-shielding film, and a second low-reflective film are stacked in this order from the side of the light-transmitting substrate,
A large-sized photomask, characterized in that the surface of the light-shielding pattern on the side of the light-transmitting substrate has a reflectance of 8% or less for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm.

제1항에 있어서,
상기 차광 패턴의 상기 투광성 기판과는 반대측의 면은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 반사율이 10％ 이하인 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.The method of claim 1,
A large-sized photomask, characterized in that a surface of the light-shielding pattern opposite to the light-transmitting substrate has a reflectance of 10% or less for light in a wavelength range of 313 nm to 436 nm.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 차광성 막이 크롬을 포함하고, 상기 제1 저반사막 및 상기 제2 저반사막이 산화크롬을 포함하는 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.The method according to claim 1 or 2,
The large photomask, characterized in that the light-shielding film contains chromium, and the first low-reflective film and the second low-reflective film contain chromium oxide.

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 차광 패턴은, 313㎚ 내지 436㎚의 파장 영역의 광에 대한 광학 농도(OD)가 4.5 이상인 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.The method according to any one of claims 1 to 3,
The light-shielding pattern, characterized in that the optical density (OD) for light in a wavelength region of 313 nm to 436 nm is 4.5 or more, a large-size photomask.

제4항에 있어서,
상기 투광성 기판에 대한 상기 차광성 막의 측면의 경사 각도가 80도 이상 90도 이하인 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.The method of claim 4,
A large photomask, characterized in that an inclination angle of a side surface of the light-shielding film with respect to the light-transmitting substrate is 80 degrees or more and 90 degrees or less.

제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 제1 저반사막의 측면 또는 상기 제2 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되는 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.The method according to claim 4 or 5,
A large photomask, characterized in that a side surface of the first low-reflective layer or a side surface of the second low-reflective layer protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding layer.

제6항에 있어서,
상기 제1 저반사막의 측면 및 상기 제2 저반사막 측면의 양쪽이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되고,
또한, 상기 제1 저반사막의 측면의 쪽이, 상기 제2 저반사막의 측면보다 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.The method of claim 6,
Both a side surface of the first low-reflective layer and a side surface of the second low-reflective layer protrude in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding layer,
In addition, a side surface of the first low-reflective film protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate than a side surface of the second low-reflection film.

제6항 또는 제7항에 있어서,
적어도 상기 제1 저반사막의 측면이, 상기 차광성 막의 측면에 대하여 상기 투광성 기판의 표면에 평행한 방향으로 돌출되고,
또한, 상기 제1 저반사막의 측면의 상기 투광성 기판 표면에 대한 각도가 56° 이하인 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.The method according to claim 6 or 7,
At least a side surface of the first low-reflective layer protrudes in a direction parallel to the surface of the light-transmitting substrate with respect to the side surface of the light-shielding layer,
In addition, a large photomask, characterized in that the angle of the side surface of the first low-reflective layer with respect to the surface of the light-transmitting substrate is 56° or less.

제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 차광성 막의 측면이 오목형인 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.The method according to any one of claims 4 to 8,
A large photomask, characterized in that the side surface of the light-shielding film is concave.

제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 대형 포토마스크이며, 분할 노광에 사용되는 분할 패턴을 갖고, 상기 분할 패턴이 상기 차광 패턴인 것을 특징으로 하는, 대형 포토마스크.A large-sized photomask according to any one of claims 1 to 9, wherein the large-sized photomask has a divided pattern used for divided exposure, and the divided pattern is the light-shielding pattern.