JP2012212125A - Method for manufacturing photomask, method for transferring pattern, and method for manufacturing display device - Google Patents

Method for manufacturing photomask, method for transferring pattern, and method for manufacturing display device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To carry out patterning without requiring an additional investment even when a line-and-space pattern with a fine pitch is formed on an object to be processed.SOLUTION: A side etching width α is determined based on etching conditions for etching an object to be processed; a line width Mand a space width Mof a transfer pattern are determined based on the side etching width α and a line width Wand a space width Wof a film pattern; and exposure conditions to be applied upon exposure and a transmittance for light of a translucent film are determined so as to form a line-and-space film pattern having a line width Wand space width Won the object to be processed by exposure using a photomask having a transfer pattern with the determined line width Mand space width Mand by etching.

Description

本発明は、例えば液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：以下ＦＰＤと呼ぶ）等の製造に用いられるフォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a photomask manufacturing method, a pattern transfer method, and a display device manufacturing method used for manufacturing a flat panel display (hereinafter referred to as FPD) such as a liquid crystal display device.

現在、液晶表示装置に採用されている方式として、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式などがある。これらの方式を適用することにより、液晶の反応が速く、十分な視野角を与える優れた動画を提供できる。また、これらの方式を適用した液晶表示装置の画素電極部には、透明導電膜によるライン・アンド・スペースのパターン（ライン・アンド・スペース・パターン）を用いることによって、応答速度、視野角の改善を図ることができる。   Currently, there are a VA (Vertical Alignment) method, an IPS (In Plane Switching) method, and the like as a method employed in a liquid crystal display device. By applying these methods, it is possible to provide an excellent moving image in which the liquid crystal reacts quickly and gives a sufficient viewing angle. Also, the response speed and viewing angle are improved by using a line-and-space pattern (line-and-space pattern) with a transparent conductive film in the pixel electrode portion of the liquid crystal display device to which these methods are applied. Can be achieved.

近年、液晶の応答速度および視野角を更に向上させるために、ライン・アンド・スペース・パターンの線幅（ＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ））を微細化した画素電極のニーズがある（例えば、特許文献１参照）。   In recent years, there is a need for a pixel electrode in which the line width of a line and space pattern (CD (Critical Dimension)) is miniaturized in order to further improve the response speed and viewing angle of liquid crystal (see, for example, Patent Document 1). ).

特開２００７−２０６３４６号公報JP 2007-206346 A

一般的に、液晶表示装置の画素部等のパターンを形成するには、フォトリソグラフィ工程が実施されている。フォトリソグラフィ工程では、エッチングされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、フォトマスクを用いて所定のパターンを転写し、該レジスト膜を現像してレジストパターンを形成した後、該レジストパターンをマスクとして被加工体のエッチングを行う。   In general, a photolithography process is performed to form a pattern such as a pixel portion of a liquid crystal display device. In the photolithography process, a predetermined pattern is transferred to a resist film formed on a workpiece to be etched using a photomask, and the resist film is developed to form a resist pattern. The workpiece is etched using the pattern as a mask.

例えば、上記の液晶表示装置においては、透明導電膜にライン・アンド・スペース・パターンを形成したもの（くし型の画素電極など）を用いる場合があり、これを形成するためのフォトマスクとしては、いわゆるバイナリマスクが用いられている。バイナリマスクは、透明基板上に形成された遮光膜をパターニングすることにより、光を遮光する遮光部（黒）と、光を透過する透光部（白）からなる２階調のフォトマスクである。バイナリマスクを用いてライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合には、透明基板上に形成されるラインパターンを遮光部で形成し、スペースパターンを透光部で形成したバイナリマスクを用いる。   For example, in the liquid crystal display device described above, a transparent conductive film in which a line-and-space pattern is formed (such as a comb-shaped pixel electrode) may be used. As a photomask for forming this, A so-called binary mask is used. The binary mask is a two-tone photomask composed of a light shielding portion (black) that blocks light by patterning a light shielding film formed on a transparent substrate and a light transmitting portion (white) that transmits light. . In the case of forming a line and space pattern using a binary mask, a binary mask in which a line pattern formed on a transparent substrate is formed by a light shielding portion and a space pattern is formed by a light transmitting portion is used.

ところで、こうしたライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅を従来以上に微細に形成したいというニーズがある。例えば、ＶＡ方式の液晶表示装置において、透明導電膜による画素電極のピッチ幅を微細化すると、液晶表示装置においては透過率が向上し、バックライトの照度を削減しつつ明るい画像を得ることができるメリットや、画像のコントラストを向上できるメリットが得られる。なお、ピッチ幅はライン幅とスペース幅との合計であるから、ピッチ幅を微細化すると、ライン及び／またはスペースの幅を微細化することとなる。   By the way, there is a need to form such a line-and-space pattern pitch width finer than before. For example, in a VA liquid crystal display device, when the pitch width of the pixel electrode made of a transparent conductive film is reduced, the transmittance is improved in the liquid crystal display device, and a bright image can be obtained while reducing the illuminance of the backlight. Merits and merit of improving image contrast can be obtained. Since the pitch width is the sum of the line width and the space width, when the pitch width is reduced, the width of the line and / or space is reduced.

また、ＶＡ方式以外、例えばＩＰＳ方式においても、微細化するライン・アンド・スペース・パターンを形成できることへの期待は大きい。更に、上記用途以外にも、表示装置の配線パターンなどに、従来以上に微細なライン・アンド・スペース・パターンを用いるニーズは生じている。   In addition to the VA method, for example, in the IPS method, there is a great expectation that a line-and-space pattern to be miniaturized can be formed. In addition to the above uses, there is a need to use finer line-and-space patterns than ever for wiring patterns of display devices.

ところが、フォトマスクに形成するライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅を小さくすることには、以下の課題がある。フォトマスクのライン・アンド・スペース・パターンを介して、被加工体上に形成されたレジスト膜に、フォトマスクの透過光を照射する場合、ピッチ幅が小さいと、これに応じて光が透過するスペース幅が小さいものとなり、更には、光の回折の影響が顕著になってしまう。その結果、レジスト膜に照射される透過光の光強度の明暗の振幅が小さくなり、レジスト膜に照射されるトータルの透過光量も減少してしまう。レジスト膜をポジ型フォトレジストで形成した場合、光があたることにより反応し、該レジスト膜の溶解性が上がり、その部分が現像液によって除去されるのであるが、除去しようとする部分に照射される光量が減少することは、所望のパターン幅が得られないことを意味する。   However, reducing the pitch width of the line and space pattern formed on the photomask has the following problems. When the transmitted light of the photomask is irradiated onto the resist film formed on the workpiece through the photomask line and space pattern, if the pitch width is small, light is transmitted accordingly. The space width becomes small, and the influence of light diffraction becomes significant. As a result, the brightness amplitude of the light intensity of the transmitted light applied to the resist film is reduced, and the total amount of transmitted light applied to the resist film is also reduced. When a resist film is formed with a positive type photoresist, it reacts when exposed to light, and the solubility of the resist film increases, and the part is removed by the developer, but the part to be removed is irradiated. A decrease in the amount of light to be emitted means that a desired pattern width cannot be obtained.

更に、フォトマスクの転写用パターンとして形成するライン・アンド・スペース・パターンの寸法設計には、後述するサイドエッチング幅を考慮する必要がある。すなわち、被加工体をエッチング加工する際に、サイドエッチングによって生じるライン部の寸法減少分を考慮し、この減少分に相当する寸法を、あらかじめフォトマスクのラインパターンに付加しておくことが必要となる（本願では、この付加分をサイドエッチング幅と呼ぶが、詳細は後述する）。特にウェットエッチングを適用する場合に、この寸法変化分は看過できない。   Further, in the dimension design of the line and space pattern formed as the transfer pattern of the photomask, it is necessary to consider the side etching width described later. That is, when etching the workpiece, it is necessary to consider the reduction in the size of the line portion caused by side etching, and to add a dimension corresponding to this reduction to the line pattern of the photomask in advance. (In the present application, this additional portion is called a side etching width, which will be described in detail later). Especially when wet etching is applied, this dimensional change cannot be overlooked.

なお、このために付加するべき寸法は、ピッチ幅が小さくなっても同等であるから、ライン・アンド・スペース・パターンが微細化してピッチ幅が減少するに従い、転写用パターンの開口面積が減少することになる。すなわち、後述する転写用パターンのライン幅ＭＬに対する、スペース幅ＭＳの割合（ＭＳ／ＭＬ）が小さくなる。 Since the dimensions to be added for this purpose are the same even when the pitch width is reduced, the opening area of the transfer pattern decreases as the line and space pattern becomes finer and the pitch width decreases. It will be. That is, to the line width M L of the transfer pattern to be described later, the ratio of space width M S (M S / M L ) is reduced.

こうした理由のため、微細なライン・アンド・スペース・パターンを有するフォトマスクを用いて露光すると、被加工体に到達する透過光の光量が低下し、光強度分布が平坦化してしまう。そして、レジスト膜を現像しても、被加工体をエッチングするためのマスクとなるレジストパターンが形成できなくなってしまう。換言すれば、ライン・アンド・スペースのピッチ幅の減少により、十分な解像度が得られないこととなる。   For these reasons, when exposure is performed using a photomask having a fine line-and-space pattern, the amount of transmitted light reaching the workpiece is reduced, and the light intensity distribution is flattened. Even if the resist film is developed, a resist pattern that becomes a mask for etching the workpiece cannot be formed. In other words, sufficient resolution cannot be obtained due to a decrease in the line-and-space pitch width.

この点を図１〜図３を用いて説明する。   This point will be described with reference to FIGS.

図１は、フォトマスク１００’が備える転写用パターン１０２ｐ’を例示する平面拡大図である。転写用パターン１０２ｐ’は、透明基板１０１’上に形成された例えば遮光膜や半透光膜等の光学膜をパターニングすることで形成されている。図２は、図１に例示するフォトマスク１００’を用いた表示装置の製造工程の一工程を示す概略図である。図２において、（ａ）はフォトマスク１００’を介してレジスト膜２０３に露光光を照射する様子を、（ｂ）は露光されたレジスト膜２０３を現像してレジストパターン２０３ｐを形成する様子を、（ｃ）はレジストパターン２０３ｐをマスクとして用い、被加工体（基板２０１上に形成されたパターニング対象の薄膜）２０２をウェットエッチングして膜パターン２０２ｐを形成する様子を、（ｄ）はレジストパターン２０３ｐを剥離した様子をそれぞれ示している。また、図３（ａ）は、図１に例示する転写用パターン１０２ｐ’のピッチ幅Ｐの微細化に伴い、レジスト除去不良が生じる様子を示す概略図であり、（ｂ）は図１に例示する転写用パターンのピッチの微細化に伴い、レジスト膜に照射される露光光の照射光量が減少する様子を、光強度分布によって示す概略図である。   FIG. 1 is an enlarged plan view illustrating the transfer pattern 102 p ′ provided in the photomask 100 ′. The transfer pattern 102p 'is formed by patterning an optical film such as a light shielding film or a semi-transparent film formed on the transparent substrate 101'. FIG. 2 is a schematic diagram illustrating one process of manufacturing a display device using the photomask 100 ′ illustrated in FIG. 1. 2A shows a state in which the resist film 203 is irradiated with exposure light through the photomask 100 ′, and FIG. 2B shows a state in which the exposed resist film 203 is developed to form a resist pattern 203p. (C) shows that the resist pattern 203p is used as a mask and the workpiece (a thin film to be patterned formed on the substrate 201) 202 is wet-etched to form the film pattern 202p. (D) shows the resist pattern 203p. Each shows the state of peeling. FIG. 3A is a schematic view showing a state in which a resist removal defect occurs as the pitch width P of the transfer pattern 102p ′ illustrated in FIG. 1 is miniaturized, and FIG. 3B is an example illustrated in FIG. It is the schematic which shows a mode that the irradiation light quantity of the exposure light irradiated to a resist film reduces with the refinement | miniaturization of the pitch of the pattern for a transfer to reduce by light intensity distribution.

図１には、転写用パターン１０２ｐ’として形成されたピッチ幅Ｐが８μｍであるライン・アンド・スペース・パターンの平面拡大図を例示している。ここでは、サイドエッチング幅αを０．８μｍとしている。すなわち、図２（ｂ）から図２（ｃ）にかけて被加工体２０２をウェットエッチングする際、被加工体２０２は、エッチングマスクとなるレジストパターン２０３ｐの側面側からもエッチング液と接触し、いわゆるサイドエッチングを受けるが、これによる寸法変化分を０．８μｍ（片側０．４μｍずつ）としている。すなわち、エッチングプロセスにおいて、０．８μｍ分のライン幅の減少を織り込み、予め、レジストパターンのライン幅を０．８μｍ分付加しておく（片側０．４μｍずつ）。サイドエッチング幅αの量は、適用するエッチング条件によって変動するが、エッチング条件を固定すれば、サイドエッチング幅αは、転写用パターン１０２ｐ’のピッチ幅Ｐには概ね影響されない。   FIG. 1 illustrates an enlarged plan view of a line-and-space pattern formed as the transfer pattern 102p ′ and having a pitch width P of 8 μm. Here, the side etching width α is 0.8 μm. That is, when the workpiece 202 is wet-etched from FIG. 2B to FIG. 2C, the workpiece 202 also comes into contact with the etching solution from the side surface side of the resist pattern 203p serving as an etching mask. Although it is etched, the dimensional change due to this is 0.8 μm (0.4 μm on each side). That is, in the etching process, a reduction in the line width of 0.8 μm is taken into account, and the line width of the resist pattern is added in advance by 0.8 μm (0.4 μm on each side). The amount of the side etching width α varies depending on the etching conditions to be applied. However, if the etching conditions are fixed, the side etching width α is not substantially affected by the pitch width P of the transfer pattern 102p ′.

図１に例示する転写用パターン１０２ｐ’を有するフォトマスク１００’を用い、大型フォトマスク露光装置（図示しない）により、被加工体２０２上のレジスト膜２０３に露光光を照射し（図２（ａ））、現像したときに得られるレジストパターン２０３ｐ（図２（ｂ））の断面形状を評価した。図３は、シミュレーションにより形成したレジストパターン２０３ｐの断面形状を示している。シミュレーション条件としては、転写用パターン１０２ｐ’を構成する遮光膜の光学濃度を３．０以上とし、露光装置の光学系の開口数ＮＡを０．０８とし、光学系のσ（照明光学系のＮＡと投影光学系のＮＡとの比）を０．８とし、ｇ線／ｈ線／ｉ線の露光波長強度比を１：１：１とし、基板２０１の材料をＳｉＯ２とし、レジスト膜２０３の材料をポジ型レジストとし、レジスト膜２０３の膜厚を１．５μｍとした。また、転写用パターン１０２ｐ’のピッチ幅Ｐを８μｍから４μｍまで１μｍ刻みに次第に減少させてシミュレーションを行った。なお、サイドエッチング幅を０．８μｍとしたため、転写用パターン１０２ｐ’のライン幅ＭＬはＰ／２＋０．８μｍ、スペース幅ＭＳはＰ／２−０．８μｍとなっている。尚、上記シミュレーション条件としては、標準的なＬＣＤ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用露光機が備える性能を考慮して設定される。例えば、開口数ＮＡは０．０６〜０．１０、σは０．５〜１．０の範囲とすることができる。こうした露光機は、一般に、３μｍ程度を解像限界としている。より広く露光機をカバーするなら、ＮＡが０．０６〜０．１４、又は０．０６〜０．１５の範囲とすることができる。ＮＡが０．０８を超える、高解像度の露光機にもニーズがあるからである。 A photomask 100 ′ having a transfer pattern 102p ′ illustrated in FIG. 1 is used to irradiate the resist film 203 on the workpiece 202 with exposure light by a large photomask exposure apparatus (not shown) (FIG. 2A). )), The cross-sectional shape of the resist pattern 203p (FIG. 2B) obtained when developed was evaluated. FIG. 3 shows a cross-sectional shape of a resist pattern 203p formed by simulation. As simulation conditions, the optical density of the light shielding film constituting the transfer pattern 102p ′ is set to 3.0 or more, the numerical aperture NA of the optical system of the exposure apparatus is set to 0.08, σ of the optical system (NA of the illumination optical system) Of the projection optical system) is 0.8, the exposure wavelength intensity ratio of g-line / h-line / i-line is 1: 1: 1, the material of the substrate 201 is SiO 2 , and the resist film 203 The material was a positive resist, and the film thickness of the resist film 203 was 1.5 μm. The simulation was performed by gradually decreasing the pitch width P of the transfer pattern 102p ′ from 8 μm to 4 μm in 1 μm increments. Since the side etching width was 0.8 [mu] m, line width M L of the transfer pattern 102p 'is P / 2 + 0.8 [mu] m, the space width M S has a P / 2-0.8μm. The simulation conditions are set in consideration of the performance of a standard LCD (Liquid Crystal Display) exposure machine. For example, the numerical aperture NA can be 0.06 to 0.10, and σ can be 0.5 to 1.0. Such an exposure machine generally has a resolution limit of about 3 μm. If the exposure apparatus is more widely covered, the NA can be in the range of 0.06 to 0.14, or 0.06 to 0.15. This is because there is a need for a high-resolution exposure machine with NA exceeding 0.08.

図３（ａ）においては、ピッチ幅Ｐを次第に小さくしていったとき（８μｍから４μｍまで１μｍ刻みに次第に減少させたとき）のレジストパターン２０３ｐ形状の変化を、上から下に順に配列している。ピッチ幅Ｐの減少とともに、露光による光反応で生じたレジスト膜２０３の除去量が減少し、レジストパターン２０３ｐの起伏がなだらかになる様子が分かる。そして、ピッチ幅Ｐが６μｍ以下となったときに、レジスト除去不良が顕著となり、レジストパターン２０３ｐの隣接するライン部が互いに連結してしまっていることが分かる。この場合、係るレジストパターン２０３ｐをマスクとして用い、被加工体２０２をウェットエッチングしても、所望のライン・アンド・スペース・パターンを有する膜パターン２０２ｐを形成することは困難となる。これは、ピッチ幅Ｐを小さくすることで、転写用パターン１０２ｐ’のライン幅ＭＬに対するスペース幅ＭＳの割合（ＭＳ／ＭＬ）が小さくなり、フォトマスク１００’を透過してレジスト膜２０３に到達する露光光の照射光量が不足してしまうことが大きな一原因と考えられる。 In FIG. 3A, changes in the shape of the resist pattern 203p when the pitch width P is gradually reduced (when the pitch width P is gradually decreased from 8 μm to 4 μm in 1 μm increments) are arranged in order from top to bottom. Yes. It can be seen that as the pitch width P decreases, the removal amount of the resist film 203 caused by the photoreaction by exposure decreases, and the undulation of the resist pattern 203p becomes gentle. It can be seen that when the pitch width P is 6 μm or less, the resist removal failure becomes remarkable and adjacent line portions of the resist pattern 203p are connected to each other. In this case, even if the workpiece 202 is wet-etched using the resist pattern 203p as a mask, it is difficult to form the film pattern 202p having a desired line and space pattern. This is by reducing the pitch P, the transfer pattern 102p 'ratio of space width M S for the line width M L of (M S / M L) is reduced, the photomask 100' resist film is transmitted through the It is considered that one of the major causes is that the amount of exposure light reaching 203 is insufficient.

ピッチ幅Ｐを小さくすることで露光光の照射光量が不足する様子を、フォトマスク透過光の光強度分布によって図３（ｂ）に例示する。図３（ｂ）の横軸はレジスト膜２０３上の露光位置（μｍ）を、縦軸は露光光の照射光量をそれぞれ示している。図３（ｂ）に示すように、ピッチ幅Ｐを８．０μｍから４．０μｍへ次第に減少させることで、レジスト膜２０３に到達する露光光の照射光量が次第に減少することが分かる。また、露光光が照射される箇所（スペース部に対応する箇所）と露光光が遮光される箇所（ライン部に対応する箇所）とで差が小さくなることが分かる。尚、図３（ｂ）におけるＢｉａｓは、上記サイドエッチング幅αを示す。   FIG. 3B illustrates a state in which the exposure light irradiation amount is insufficient by reducing the pitch width P, based on the light intensity distribution of the photomask transmitted light. In FIG. 3B, the horizontal axis indicates the exposure position (μm) on the resist film 203, and the vertical axis indicates the exposure light irradiation amount. As shown in FIG. 3B, it can be seen that by gradually decreasing the pitch width P from 8.0 μm to 4.0 μm, the amount of exposure light that reaches the resist film 203 gradually decreases. It can also be seen that the difference is small between the location where the exposure light is irradiated (location corresponding to the space portion) and the location where the exposure light is shielded (location corresponding to the line portion). Note that Bias in FIG. 3B indicates the side etching width α.

ところで、露光時の解像度を上げ、より微細なパターニングを行うには、従来のＬＳＩ製造用の技術等として開発されてきた種々の手段を適用することが考えられる。例えば、露光装置が備える光学系の開口数拡大、露光光の短波長化、露光光の単一波長化、フォトマスクの位相シフトマスク化などの手段を採用することが考えられる。しかし、これらの手法を採用するには、莫大な投資が必要となり、市場に望まれる製品価格との整合性がとれなくなるばかりでなく、表示装置で用いる大面積の被加工体にそのまま適用することは技術的な点でも不都合や不合理がある。   By the way, in order to increase the resolution at the time of exposure and perform finer patterning, it is conceivable to apply various means that have been developed as conventional LSI manufacturing techniques. For example, it is conceivable to adopt means such as increasing the numerical aperture of the optical system provided in the exposure apparatus, shortening the exposure light wavelength, making the exposure light a single wavelength, and making the photomask a phase shift mask. However, in order to adopt these methods, enormous investment is required, and it is not only inconsistent with the product price desired in the market, but also applied directly to a large-area workpiece to be used in a display device. There are inconveniences and irrationals in terms of technology.

なお、微細化したライン・アンド・スペース・パターンの転写において、上記したような透過光量の減少が問題となることに対し、例えば、フォトリソグラフィ工程における露光量を従来以上に更に増加させ、透過光の強度を増加させることも考えられるかもしれない。しかしながら、露光量を増加させるには、露光装置の光源の出力を上げたり、又は照射時間を増やしたりする必要があり、更なる設備投資や消費エネルギーの増大を招いてしまい、また、生産効率の低下の点でも不利である。   In the transfer of fine line and space patterns, the reduction in the amount of transmitted light as described above becomes a problem. For example, the exposure amount in the photolithography process is further increased more than before, and the transmitted light is transmitted. It might be possible to increase the strength of the. However, in order to increase the exposure amount, it is necessary to increase the output of the light source of the exposure apparatus or increase the irradiation time, which leads to further increase in capital investment and energy consumption, and increases the production efficiency. It is also disadvantageous in terms of decline.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行うことができるフォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such points, and patterning is performed with little additional investment even when a line-and-space pattern having a fine pitch width is formed on a workpiece. It is an object to provide a photomask manufacturing method, a pattern transfer method, and a display device manufacturing method.

本発明の第１の態様は、
透明基板上に、ピッチ幅Ｐのライン・アンド・スペース・パターンを含む転写用パターンを有し、前記ライン・アンド・スペース・パターンは、前記透明基板上に形成された半透光膜からなるライン部と、前記透明基板が露出してなるスペース部とを有するフォトマスクの製造方法であって、
露光装置と前記フォトマスクとを使用した露光によって、被加工体上に形成されたレジスト膜に前記転写用パターンが転写されることにより、ライン・アンド・スペースのレジストパターンが形成され、
前記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、前記被加工体に、ライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳであるようなライン・アンド・スペースの膜パターンが形成されるフォトマスクの製造方法において、
前記被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを決定し、
前記サイドエッチング幅αと、前記膜パターンのライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳとに基づき、前記転写用パターンのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳを決定し、
更に、前記決定したライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳの前記転写用パターンをもつ前記フォトマスクを用いた前記露光と、前記エッチングとによって、前記被加工体に、ライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳのライン・アンド・スペースの前記膜パターンが形成されるように、前記露光時に適用する露光条件と、前記半透光膜の光透過率とを決定するフォトマスクの製造方法である。 The first aspect of the present invention is:
A transparent substrate has a transfer pattern including a line-and-space pattern having a pitch width P on the transparent substrate, and the line-and-space pattern is a line made of a semi-transparent film formed on the transparent substrate. A photomask having a portion and a space portion formed by exposing the transparent substrate,
By the exposure using an exposure apparatus and the photomask, the transfer pattern is transferred to the resist film formed on the workpiece, thereby forming a line-and-space resist pattern,
The etching of the resist pattern as a mask, the a workpiece, the line width W L, in the manufacturing method for a photomask pattern of the line-and-space such that the space width W S is formed,
Determine side etching width α based on etching conditions when etching the workpiece,
And the side etching width alpha, the film pattern having a line width W L, based on the space width W S, to determine the line width M L, space width M S of the transfer pattern,
Further, by the exposure using the photomask having the transfer pattern having the determined line width M L and space width M S and the etching, the workpiece is provided with a line width W L and a space width W. A photomask manufacturing method for determining an exposure condition to be applied during the exposure and a light transmittance of the semi-transparent film so that the film pattern of S line and space is formed.

本発明の第２の態様は、
前記露光時に適用する露光条件の決定に基づき、前記半透光膜の光透過率を決定する第１の態様に記載のフォトマスクの製造方法である。 The second aspect of the present invention is:
The photomask manufacturing method according to the first aspect, wherein the light transmittance of the semi-translucent film is determined based on determination of an exposure condition applied during the exposure.

本発明の第３の態様は、
前記半透光膜の光透過率の決定に基づき、前記露光時に適用する露光条件を決定する第１の態様に記載のフォトマスクの製造方法である。 The third aspect of the present invention is:
The photomask manufacturing method according to the first aspect, in which an exposure condition to be applied at the time of the exposure is determined based on the determination of the light transmittance of the semi-transparent film.

本発明の第４の態様は、
前記サイドエッチング幅αと、前記膜パターンのライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳとに基づき、前記レジストパターンのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳを決定し、
前記レジストパターンのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳに基づいて、前記転写用パターンのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳを決定する
第１〜第３のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法である。 The fourth aspect of the present invention is:
Based on the side etching width α, the line width W L of the film pattern, and the space width W S , the line width R L and the space width R S of the resist pattern are determined,
The photomask according to any one of the first to third aspects, wherein the line width M L and the space width M S of the transfer pattern are determined based on the line width R L and the space width R S of the resist pattern. It is a manufacturing method.

本発明の第５の態様は、
前記レジストパターンのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳが、それぞれ、前記転写用パターンのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳに等しい
第１〜第４のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法である。 According to a fifth aspect of the present invention,
The photomask manufacturing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein the line width R L and the space width R S of the resist pattern are equal to the line width M L and the space width M S of the transfer pattern, respectively. Is the method.

本発明の第６の態様は、
前記半透光膜の光透過率はｉ線に対して１〜３０％である
第１〜第５のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法である。 The sixth aspect of the present invention is:
The light transmittance of the semi-transparent film is the photomask manufacturing method according to any one of the first to fifth aspects, in which the light transmittance is 1 to 30% with respect to i-line.

本発明の第７の態様は、
前記半透光膜の位相シフト量は、ｉ線に対して、９０度以下である
第１〜６のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法。 The seventh aspect of the present invention is
The phase shift amount of the semi-translucent film is the method for manufacturing a photomask according to any one of the first to sixth aspects, in which the phase shift amount is 90 degrees or less with respect to i-line.

本発明の第８の態様は、
前記ピッチ幅Ｐ（μｍ）は、
Ｐ≦２Ｒを満たす
第１〜第７のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法である。
（但し、Ｒ＝ｋ×（λ／ＮＡ）×１／１０００
ｋ ：０．６１
λ ：前記露光に用いる波長の中央値（ｎｍ）
ＮＡ：前記露光に用いる露光装置の光学系の開口数） The eighth aspect of the present invention is
The pitch width P (μm) is
It is a photomask manufacturing method according to any one of the first to seventh aspects satisfying P ≦ 2R.
(However, R = k × (λ / NA) × 1/1000
k: 0.61
λ: median wavelength (nm) used for the exposure
NA: Numerical aperture of the optical system of the exposure apparatus used for the exposure)

本発明の第９の態様は、
前記ピッチ幅Ｐは６（μｍ）以下である
第１〜第８のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法である。 The ninth aspect of the present invention provides
The pitch width P is the photomask manufacturing method according to any one of the first to eighth aspects, in which the pitch width P is 6 (μm) or less.

本発明の第１０の態様は、
透明基板上に遮光膜で形成されたライン幅ＭＬ１のライン部と、前記透明基板が露出してなるスペース幅ＭＳ１のスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐ１＞２Ｒのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスクを用いて露光し、前記レジスト膜に、ライン幅がＭＬ１に、スペース幅がＭＳ１に等しいライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成するときの露光装置による光の照射光量を標準照射光量ＥＳとしたとき、
前記露光時に適用する露光条件の決定においては、標準照射光量ＥＳよりも小さい有効照射光量ＥＥを適用するフォトマスクを製造する
第１〜第９のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法である。
（但し、Ｒ（μｍ）＝ｋ×（λ／ＮＡ）×１／１０００
ｋ ：０．６１
λ ：前記露光に用いる波長の中央値（ｎｍ）
ＮＡ：前記露光に用いる露光装置の開口数 The tenth aspect of the present invention provides
A line portion of the formed light-shielding film on a transparent substrate line width M L1, the transparent substrate and a space portion of the space width M S1 formed by exposure, a line-and-pitch width P 1> 2R Exposure is performed using a photomask having a space pattern, and the resist film is used to form a line-and-space resist pattern having a line width equal to M L1 and a space width equal to M S1 . when the irradiation light amount to a standard irradiation light amount E S,
In determining the exposure conditions to be applied when the exposure is the production of the photo mask according to the first to ninth any aspect of the manufacture of the photomask to apply the small effective radiation light amount E E than the standard irradiation light amount E S Is the method.
(However, R (μm) = k × (λ / NA) × 1/1000
k: 0.61
λ: median wavelength (nm) used for the exposure
NA: Numerical aperture of the exposure apparatus used for the exposure

本発明の第１１の態様は、
前記透明基板上に形成された前記半透光膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、前記決定されたライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳの前記転写用パターンを形成する工程を有する
第１〜第１０のいずれかの態様に記載のフォトマスクの製造方法である。 The eleventh aspect of the present invention is
The semi-transparent film formed on the transparent substrate is patterned by photolithography, first to 10 including the step of forming the transfer pattern of the determined line width M L, space width M S A method for producing a photomask according to any one of the above aspects.

本発明の第１２の態様は、
第１０又は１１の態様に記載の製造方法によるフォトマスクを用い、ｉ線〜ｇ線の波長域を有する照射光により、前記有効照射光量ＥＥを適用して、前記被加工体上に形成された前記レジスト膜に前記転写用パターンを転写する
パターン転写方法である。 The twelfth aspect of the present invention provides
Using the photomask according to the manufacturing method according to the tenth or eleventh aspect, the effective irradiation light amount EE is applied on the workpiece by irradiation light having a wavelength range of i-line to g-line. And a pattern transfer method for transferring the transfer pattern onto the resist film.

本発明の第１３の態様は、
露光装置が前記標準照射光量ＥＳの照射を行うとき、前記露光装置の最大照度Ｌを以て照射面積Ｓの照射を行う際に必要な照射時間が標準照射時間ＴＳであるとき、
前記露光装置を使用し、前記標準照射量ＥＳよりも小さい有効照射量ＥＥを適用することにより、標準照射時間ＴＳよりも小さい有効照射時間ＴＥによって、前記照射面積Ｓを照射する
パターン転写方法である。 The thirteenth aspect of the present invention provides
When the exposure apparatus performs irradiation of the standard light quantity E S, when the irradiation time necessary for performing irradiation of the irradiation area S with a maximum luminance L of the exposure apparatus is a standard irradiation time T S,
A pattern for irradiating the irradiation area S with an effective irradiation time T E smaller than the standard irradiation time T S by using the exposure apparatus and applying an effective irradiation amount E E smaller than the standard irradiation amount E S. This is a transfer method.

本発明の第１４の態様は、
第１１の態様に記載の製造方法によるフォトマスクを用い、前記被加工体上に形成された前記レジスト膜に前記転写用パターンを転写するパターン転写方法において、
前記決定された露光条件に基づき、前記露光装置を用いて前記フォトマスクに光を照射する照射時間及び照度を決定し、
前記決定された照射時間及び照度を適用して露光することを含むパターン転写方法である。 The fourteenth aspect of the present invention provides
In a pattern transfer method for transferring the transfer pattern to the resist film formed on the workpiece using a photomask produced by the manufacturing method according to the eleventh aspect,
Based on the determined exposure conditions, determine the irradiation time and illuminance for irradiating the photomask with light using the exposure apparatus,
The pattern transfer method includes exposing by applying the determined irradiation time and illuminance.

本発明の第１５の態様は、
透明基板上に遮光膜で形成されたライン幅ＭＬ１のライン部と、前記透明基板が露出してなるスペース幅ＭＳ１のスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐ１＞２Ｒのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスクを用いて露光し、被加工体上に形成されたレジスト膜に、ライン幅がＭＬ１に、スペース幅がＭＳ１に等しいライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成するときの露光装置による光の照射光量を標準照射光量ＥＳとしたとき、
前記透明基板上に、半透光膜で形成されたライン幅ＭＬのライン部と、前記透明基板が露出してなるスペース幅ＭＳのスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスクを用いて、前記標準照射光量ＥＳより小さい有効照射光量ＥＥを適用して露光し、前記レジスト膜に、ライン幅がＭＬに、スペース幅がＭＳに等しいライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成する
パターン転写方法である。
（但し、Ｒ（μｍ）＝ｋ×（λ／ＮＡ）×１／１０００
ｋ ：０．６１
λ ：前記露光に用いる波長の中央値（ｎｍ）
ＮＡ：前記露光に用いる露光装置の開口数） The fifteenth aspect of the present invention provides
A line portion of the formed light-shielding film on a transparent substrate line width M L1, the transparent substrate and a space portion of the space width M S1 formed by exposure, a line-and-pitch width P 1> 2R Exposure is performed using a photomask having a space pattern, and a line-and-space resist pattern having a line width equal to M L1 and a space width equal to M S1 is formed on the resist film formed on the workpiece. when a standard irradiation light amount E S irradiation quantity of light by the exposure device when,
On the transparent substrate, and a line portion having a line width M L formed by HanToruHikarimaku, and a space portion of the space width M S of the transparent substrate is exposed, line and the pitch width P · using a photomask with a space pattern, said applying standard irradiation light amount E S is less than the effective irradiation light amount E E exposure, the resist film, the line width is M L, space width to M S This is a pattern transfer method for forming a resist pattern having equal line and space.
(However, R (μm) = k × (λ / NA) × 1/1000
k: 0.61
λ: median wavelength (nm) used for the exposure
NA: Numerical aperture of the exposure apparatus used for the exposure)

本発明の第１６の態様は、
前記ピッチ幅Ｐは６μｍ以下である
第１３の態様に記載のパターン転写方法である。 The sixteenth aspect of the present invention provides
The pitch transfer method according to the thirteenth aspect, in which the pitch width P is 6 μm or less.

本発明の第１７の態様は、
第１２〜第１６のいずれかの態様に記載のパターン転写方法を用いる
表示装置の製造方法である。 The seventeenth aspect of the present invention provides
A display device manufacturing method using the pattern transfer method according to any one of the twelfth to sixteenth aspects.

本発明に係るフォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法によれば、被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行うことができる。   According to the photomask manufacturing method, pattern transfer method, and display device manufacturing method according to the present invention, even when a line-and-space pattern having a fine pitch width is formed on a workpiece, additional investment is made. The patterning can be carried out with almost no need.

フォトマスクが備える転写用パターンを例示する平面拡大図である。It is a plane enlarged view which illustrates the pattern for transfer with which a photomask is provided. 図１に例示するフォトマスクを用いた表示装置の製造工程の一工程を示す概略図である。It is the schematic which shows 1 process of the manufacturing process of the display apparatus using the photomask illustrated in FIG. （ａ）は図１に例示する転写用パターンのピッチの微細化に伴い、レジスト除去不良が生じる様子を示す概略図であり、（ｂ）はピッチの微細化に伴いレジスト膜に照射される露光光の照射光量が減少する様子を示す概略図である。(A) is a schematic diagram showing a state in which a resist removal failure occurs as the pitch of the transfer pattern illustrated in FIG. 1 is refined, and (b) is an exposure that irradiates the resist film as the pitch is refined. It is the schematic which shows a mode that the irradiation light quantity of light reduces. 本発明の一実施形態に係るフォトマスクを用いた表示装置の製造工程の一工程を示すフロー図である。It is a flowchart which shows 1 process of the manufacturing process of the display apparatus using the photomask which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るフォトマスクの製造工程を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the photomask which concerns on one Embodiment of this invention. 比較例で用いたフォトマスクが備える転写用パターンを例示する平面拡大図である。It is a plane enlarged view which illustrates the pattern for transfer with which the photomask used by the comparative example is provided. 比較例を示す概略図であり、パターンが微細化するに従いレジスト除去不良が生じる様子を示す。It is the schematic which shows a comparative example, and shows a mode that a resist removal defect arises as a pattern refines | miniaturizes. 本発明の実施例を示す概略図であり、照射光量を増加させることでレジスト除去不良を防ぐ様子を示す。It is the schematic which shows the Example of this invention, and shows a mode that resist removal defect is prevented by increasing irradiation light quantity. 本発明の実施例を示す概略図であり、転写用パターンのライン部に透光性を持たせることでジスト除去不良を防ぐ様子を示す。It is the schematic which shows the Example of this invention, and shows a mode that dys removal failure is prevented by giving translucency to the line part of the pattern for transcription | transfer.

上記をふまえ、フォトマスクを用いた露光により、被加工体上に形成されたポジ型のレジスト膜に転写用パターンを転写してレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして用いたエッチングにより、被加工体に、ライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳであるライン・アンド・スペースの膜パターンを形成する工程例について説明する。 Based on the above, a transfer pattern is transferred to a positive resist film formed on the workpiece by exposure using a photomask to form a resist pattern, and etching is performed using the resist pattern as a mask. A process example of forming a line-and-space film pattern having a line width W L and a space width W S on the workpiece will be described.

図４は、本実施形態に係るフォトマスク１００を用いた表示装置の製造工程の一工程を示すフロー図である。図４において、（ａ）はフォトマスク１００を介してレジスト膜２０３に露光光を照射する様子を、（ｂ）は露光されたレジスト膜２０３を現像してレジストパターン２０３ｐを形成する様子を、（ｃ）はレジストパターン２０３ｐをマスクとして用い、被加工体（基板２０１上に形成されたパターニング対象の薄膜）２０２をウェットエッチングして膜パターン２０２ｐを形成する様子を、（ｄ）はレジストパターン２０３ｐを剥離した様子をそれぞれ示している。   FIG. 4 is a flowchart showing one process of manufacturing a display device using the photomask 100 according to the present embodiment. 4A shows a state in which the resist film 203 is irradiated with exposure light through the photomask 100, and FIG. 4B shows a state in which the exposed resist film 203 is developed to form a resist pattern 203p. c) shows that the resist pattern 203p is used as a mask and the workpiece (a thin film to be patterned formed on the substrate 201) 202 is wet-etched to form the film pattern 202p, and (d) shows the resist pattern 203p. Each shows the state of peeling.

ウェットエッチングを使用する限り、被加工体（エッチング対象の透明導電膜などの薄膜）２０２のライン幅はサイドエッチングの影響を受けるため、レジストパターンのライン幅ＲＬよりも寸法が小さくなる。この寸法減少分が必ず存在するので、被加工体２０２がパターニングされてなる膜パターン２０２ｐにおけるライン幅ＷＬは、レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬより小さくなる。また、膜パターン２０２ｐにおけるスペース幅ＷＳは、レジストパターン２０３ｐのスペース幅ＲＳより大きくなる（図４（ｃ）参照）。 As long as wet etching is used, the line width of the workpiece (thin film such as a transparent conductive film to be etched) 202 is affected by side etching, so the dimension is smaller than the line width RL of the resist pattern. Since this dimension decrease always exists, the line width W L of the pattern 202p of the workpiece 202 is formed by patterning it is smaller than the line width R L of the resist pattern 203p. Also, the space width W S of the pattern 202p is larger than the space width R S of the resist pattern 203p (see FIG. 4 (c)).

ここで、サイドエッチングによる寸法変化分をサイドエッチング幅αとすると、以下のようになる。
膜パターン２０２ｐのライン幅ＷＬ＜レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬ（＝ＷＬ＋α）、
膜パターン２０２ｐのスペース幅ＷＳ＞レジストパターンのスペース幅ＲＳ（＝ＷＳ−α） Here, assuming that the dimensional change due to side etching is the side etching width α, the following is obtained.
Line width W L of film pattern 202p <Line width R L of resist pattern 203p (= W L + α),
Space Width W S of Film Pattern 202p> Space Width R S of Resist Pattern (= W S −α)

そこで、フォトマスク１００は、レジスト膜２０３に、ライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳをもつライン・アンド・スペースのレジストパターン２０３ｐを形成しなければならない。 Therefore, in the photomask 100, a line-and-space resist pattern 203p having a line width R L and a space width R S must be formed on the resist film 203.

このため、ここではフォトマスク１００のもつ転写用パターン１０２ｐが備えるライン・アンド・スペース・パターンにおいても、ライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳを、それぞれ、レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳと同等に設定する（図４の（ａ）〜（ｃ）参照））。 Therefore, here, also in the line-and-space pattern provided in the transfer pattern 102p of the photomask 100, the line width M L and the space width M S are respectively set to the line width R L and the space width of the resist pattern 203p. It is set to be equal to RS (see (a) to (c) of FIG. 4).

すなわち、
転写用パターン１０２ｐのライン幅ＭＬ＝レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬ、
転写用パターン１０２ｐのスペース幅ＭＳ＝レジストパターン２０３ｐのスペース幅ＲＳ
とする。なお、ピッチ幅Ｐは、フォトマスク１００の転写用パターン１０２ｐ、レジストパターン２０３ｐ、被加工体２０２が加工されてなる膜パターン２０２ｐのいずれにおいても一定である。 That is,
Line width M L of transfer pattern 102p = Line width R L of resist pattern 203p,
Space width M S of transfer pattern 102p = Space width R S of resist pattern 203p
And Note that the pitch width P is constant in any of the transfer pattern 102p of the photomask 100, the resist pattern 203p, and the film pattern 202p formed by processing the workpiece 202.

ここで、得ようとする膜パターン２０２ｐのライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅Ｐ（すなわち、フォトマスク１００の転写用パターン１０２ｐのピッチ幅Ｐ、レジストパターン２０３ｐのピッチ幅Ｐ）を微細化していくことを考える。このとき、得ようとする膜パターン２０２ｐのライン幅ＷＬが小さくなっても、エッチング条件が一定であれば、サイドエッチング幅αの寸法は変化しない。従って、ピッチ幅Ｐを微細化しようとすると、レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬの寸法減少に比べて、スペース幅ＲＳの寸法が急速に小さくなる。結果として、フォトマスク１００の転写用パターン１０２ｐとして、非常にスペース幅ＭＳの小さいライン・アンド・スペース・パターンを形成しなければならなくなる。 Here, the pitch width P of the line and space pattern of the film pattern 202p to be obtained (that is, the pitch width P of the transfer pattern 102p of the photomask 100 and the pitch width P of the resist pattern 203p) is refined. Think about going. In this case, even when a small line width W L of the pattern 202p to be obtained, if the etching conditions are fixed, the size of the side etching width α is not changed. Therefore, an attempt to miniaturize the pitch width P, as compared with the size reduction of the line width R L of the resist pattern 203p, rapidly reduced dimensions of the space width R S. As a result, a line-and-space pattern having a very small space width M S must be formed as the transfer pattern 102p of the photomask 100.

しかしながら、転写用パターン１０２ｐとして、スペース幅ＭＳが微細な（例えば１μｍを下回る）ライン・アンド・スペース・パターンを形成し得たとしても、そのフォトマスク１００を用いて、転写用パターン１０２ｐと同じ寸法のレジストパターン２０３ｐを形成することは非常に困難である。なぜなら、フォトマスク１００のもつスペース幅ＭＳの寸法が小さく、露光波長（一般的にはｉ線〜ｇ線）にスペース幅ＭＳが近づいてしまうため、微細スリットによる光の回折の影響が顕著になり、レジスト膜２０３を感光させるだけの十分な光量が透過しなくなるからである。 However, even if a line-and-space pattern having a fine space width M S (for example, less than 1 μm) can be formed as the transfer pattern 102p, the same as the transfer pattern 102p using the photomask 100. It is very difficult to form a resist pattern 203p having a size. This is because the size of the space width M S of the photomask 100 is small and the space width M S approaches the exposure wavelength (generally i-line to g-line). This is because a sufficient amount of light for exposing the resist film 203 is not transmitted.

結局、膜パターン２０２ｐとして得ようとするライン・アンド・スペースが微細化していくと、フォトマスク１００に形成する転写用パターン１０２ｐも微細化されるため、フォトマスク１００を用いた膜パターン２０２ｐの形成ができなくなってしまう。   Eventually, when the line and space to be obtained as the film pattern 202p is miniaturized, the transfer pattern 102p formed on the photomask 100 is also miniaturized. Therefore, the film pattern 202p using the photomask 100 is formed. Will not be able to.

そこで、本発明者は、そのような微細なピッチ幅Ｐのライン・アンド・スペース・パターンを被加工体２０２に形成することができるようなフォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法について、鋭意検討を行い、以下の知見を得るに至った。   Accordingly, the present inventor has produced a photomask manufacturing method, a pattern transfer method, and a display device capable of forming a line-and-space pattern having such a fine pitch width P on the workpiece 202. The method was intensively studied and the following findings were obtained.

すなわち、フォトマスクとして、既存のいわゆるバイナリマスクを用いたパターン転写では、レジスト膜に到達する露光光は、フォトマスクに設けられた転写用パターンのライン・アンド・スペース・パターンにおいて、スペース部分を透過する光のみを使用していた。しかし、上記のようにピッチ幅Ｐを微細化（パターンを微細化）すると光量不足が生じ、レジストの除去不良等が生じてしまう。本発明者は、このような課題（光量不足）に対して、フォトマスクに設けられた転写用パターンのライン部にもある程度の透光性を持たせることが有効であるとの知見を得た。そして、更に、露光装置によって照射される照射光量についても適宜制御することで、結果として、形成されるレジストパターンの形状を制御でき、被加工体の微細パターン化を実現できるとの知見を得た。すなわち図４においては、転写用パターン１０２ｐに、半透光性の膜パターンを用いて、上記光量不足の問題を解決できることを示す。   That is, in pattern transfer using an existing so-called binary mask as a photomask, the exposure light that reaches the resist film passes through the space portion in the line-and-space pattern of the transfer pattern provided on the photomask. Only used to light. However, when the pitch width P is miniaturized as described above (pattern is miniaturized), the amount of light is insufficient, resulting in poor removal of the resist. The present inventor obtained knowledge that it is effective to give a certain degree of translucency to the line portion of the transfer pattern provided on the photomask for such a problem (insufficient light amount). . Further, by appropriately controlling the amount of light irradiated by the exposure apparatus, as a result, it was possible to control the shape of the resist pattern to be formed, and obtained knowledge that a fine patterning of the workpiece can be realized. . That is, FIG. 4 shows that the above problem of insufficient light quantity can be solved by using a semi-transparent film pattern for the transfer pattern 102p.

以下に、上述の知見に基づいてなされた本願発明の種々の態様を示す。   Hereinafter, various aspects of the present invention made based on the above findings will be described.

（第１の態様）
本発明の第１の態様は、
透明基板１０１上に、ピッチ幅Ｐのライン・アンド・スペース・パターンを含む転写用パターン１０２ｐを有し、ライン・アンド・スペース・パターンは、透明基板１０１上に形成された半透光膜からなるライン部と、透明基板１０１が露出してなるスペース部とを有するフォトマスク１００の製造方法であって、
露光装置とフォトマスク１００とを使用した露光によって、被加工体２０２上に形成されたレジスト膜２０３に転写用パターン１０２ｐが転写されることにより、ライン・アンド・スペースのレジストパターン２０３ｐが形成され、
レジストパターン２０３ｐをマスクとしたエッチングにより、被加工体２０２に、ライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳであるようなライン・アンド・スペースの膜パターン２０２ｐが形成されるフォトマスク１００の製造方法において、
被加工体２０２をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを決定し、
サイドエッチング幅αと、膜パターン２０２ｐのライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳとに基づき、転写用パターン１０２ｐのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳを決定し、
更に、決定したライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳの転写用パターン１０２ｐをもつフォトマスク１００を用いた露光と、エッチングとによって、被加工体２０２に、ライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳのライン・アンド・スペースの膜パターン２０２ｐが形成されるように
、露光時に適用する露光条件と、半透光膜の光透過率とを決定するフォトマスクの製造方法である。 (First aspect)
The first aspect of the present invention is:
The transparent substrate 101 has a transfer pattern 102p including a line-and-space pattern with a pitch width P on the transparent substrate 101. The line-and-space pattern is made of a semi-transparent film formed on the transparent substrate 101. A method of manufacturing a photomask 100 having a line portion and a space portion formed by exposing the transparent substrate 101,
The transfer pattern 102p is transferred to the resist film 203 formed on the workpiece 202 by exposure using the exposure apparatus and the photomask 100, thereby forming a line-and-space resist pattern 203p.
By etching using the resist pattern 203p as a mask, the workpiece 202, the line width W L, in the manufacturing method of a photomask 100 film pattern 202p of the line-and-space such that the space width W S is formed,
Determining the side etching width α based on the etching conditions when etching the workpiece 202;
Based on the side etching width α, the line width W L and the space width W S of the film pattern 202p, the line width M L and the space width M S of the transfer pattern 102p are determined,
Furthermore, the determined line width M L, and exposure using a photomask 100 having a transfer pattern 102p of the space width M S, by the etching, the workpiece 202, the line width W L, the space width W S line A photomask manufacturing method that determines the exposure conditions applied during exposure and the light transmittance of the semi-transparent film so that an and-space film pattern 202p is formed.

上記において、エッチングはウェットエッチングを適用することが好ましい。そして、サイドエッチング幅αは正の値（α＞０）となる。   In the above, it is preferable to apply wet etching. The side etching width α is a positive value (α> 0).

なお、ピッチ幅Ｐについては以下となる。
ピッチ幅Ｐ＝膜パターンのライン幅ＷＬ＋スペース幅ＷＳ
＝レジストパターンのライン幅ＲＬ＋スペース幅ＲＳ
＝転写用パターンのライン幅ＭＬ＋スペース幅ＭＳ The pitch width P is as follows.
Pitch width P = line width W L of film pattern + space width W S
= Resist pattern line width R L + space width R S
= Line width M L of transfer pattern + Space width M S

ピッチ幅Ｐが例えば６μｍ以下となったとき、本態様による効果が顕著となる。   When the pitch width P is, for example, 6 μm or less, the effect according to this aspect becomes significant.

（第２の態様）
サイドエッチング幅αが決定されると、これと、得ようとする膜パターンのライン幅ＷＬ，スペース幅ＷＳに基づき、レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬとスペース幅ＲＳの値をどのようにするかを決定することができる。そして、該ライン幅ＲＬとスペース幅ＲＳをもつレジストパターン２０３ｐを形成するための露光条件、及び転写用パターン１０２ｐの透過率（半透光膜の透過率）を決定することができる。 (Second aspect)
When the side etching width α is determined, the values of the line width R L and the space width R S of the resist pattern 203p are determined based on this and the line width W L and the space width W S of the film pattern to be obtained. You can decide what to do. Then, the exposure conditions for forming the resist pattern 203p having the line width RL and the space width RS and the transmittance of the transfer pattern 102p (transmittance of the semi-transparent film) can be determined.

第２の態様においては、露光条件の決定に基づき、転写用パターン１０２ｐの透過率（半透光膜の透過率）を決定する。すなわち、先ずは所望の露光条件（照射光量または照射時間）を定め、その条件下で転写用パターン１０２ｐの（半透光膜の）適切な透過率を決定する。   In the second aspect, the transmittance of the transfer pattern 102p (the transmittance of the semi-transparent film) is determined based on the determination of the exposure conditions. That is, first, a desired exposure condition (irradiation light amount or irradiation time) is determined, and an appropriate transmittance (of the semi-transparent film) of the transfer pattern 102p is determined under the condition.

（第３の態様）
第２の態様とは逆に、転写用パターン１０２ｐの透過率（すなわち半透光膜の透過率）の決定に基づき、露光条件を決定することもできる。すなわち、先ずは転写用パターン１０２ｐの（すなわち半透光膜の）適切な透過率を決定し、その条件下で所望の露光条件（照射光量または照射時間）を決定することもできる。 (Third aspect)
Contrary to the second mode, the exposure condition can be determined based on the determination of the transmittance of the transfer pattern 102p (that is, the transmittance of the semi-transparent film). That is, first, an appropriate transmittance of the transfer pattern 102p (that is, the semi-transparent film) is determined, and a desired exposure condition (irradiation light amount or irradiation time) can be determined under the conditions.

ここで、露光条件とは照射光量を含む。この照射光量は、露光装置による光源の照度と照射時間の積によるものである。照射時間は、照射面全体に対する走査露光の所要時間と相関する。露光装置が照射可能な照度を決定し、これに基づいて、照射時間（そして、走査露光の所要時間）を決定することができる。または、所望の照射時間に基づいて照度を決定することもできる。   Here, the exposure conditions include the amount of irradiation light. This amount of irradiation light is a product of the illuminance of the light source by the exposure apparatus and the irradiation time. The irradiation time correlates with the time required for scanning exposure for the entire irradiation surface. The illumination intensity that can be irradiated by the exposure apparatus is determined, and based on this, the irradiation time (and the time required for scanning exposure) can be determined. Alternatively, the illuminance can be determined based on a desired irradiation time.

（第４の態様）
上記したとおり、サイドエッチング幅αと、膜パターン２０２ｐのライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳとに基づき、レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳを決定し、
レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳに基づいて、転写用パターン１０２ｐのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳを決定することができる。尚、サイドエッチング幅αと、膜パターン２０２ｐのライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳとに基づき、直接、転写用パターン１０２ｐのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳを決定することもできる。以下、前者により説明する。 (Fourth aspect)
As described above, the line width R L and the space width R S of the resist pattern 203p are determined based on the side etching width α, the line width W L and the space width W S of the film pattern 202p,
Based on the line width R L and the space width R S of the resist pattern 203p, the line width M L and the space width M S of the transfer pattern 102p can be determined. Note that the line width M L and the space width M S of the transfer pattern 102p can be directly determined based on the side etching width α, the line width W L and the space width W S of the film pattern 202p. The former will be described below.

本実施形態のフォトマスク１００を介して、被加工体２０２上のレジスト膜２０３に露光したときの様子を図４に示す。   FIG. 4 shows a state in which the resist film 203 on the workpiece 202 is exposed through the photomask 100 of this embodiment.

ここでライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅Ｐの数値には特に制約は無い。但し、本実施形態に係る発明は、微細なライン・アンド・スペース・パターンを加工しようとするときに顕著な効果が得られ、例えばピッチ幅Ｐが６μｍ以下であるときに特に顕著な効果を得ることができる。   Here, the numerical value of the pitch width P of the line and space pattern is not particularly limited. However, the invention according to this embodiment provides a remarkable effect when trying to process a fine line-and-space pattern. For example, the invention has a particularly remarkable effect when the pitch width P is 6 μm or less. be able to.

また、フォトマスク１００に形成される転写用パターン１０２ｐとしてのライン・アンド・スペース・パターンは、透明基板１０１上に形成した半透光膜を、フォトリソグラフィ法によってパターニングして形成することができる。このとき、透明基板１０１上に半透光膜が形成されてなるライン部と、透明基板１０１が露出したスペース部と、からなるライン・アンド・スペース・パターンを転写用パターン１０２ｐとすることができる（図４（ａ）参照）。   The line and space pattern as the transfer pattern 102p formed on the photomask 100 can be formed by patterning a semi-transparent film formed on the transparent substrate 101 by a photolithography method. At this time, a line-and-space pattern composed of a line portion formed by forming a semi-transparent film on the transparent substrate 101 and a space portion where the transparent substrate 101 is exposed can be used as the transfer pattern 102p. (See FIG. 4 (a)).

このような転写用パターン１０２ｐを有するフォトマスク１００を設計するにあたり、被加工体２０２上のレジスト膜２０３に到達する光強度分布を適切に制御することができる。このため、本実施形態に係る発明では、被加工体２０２のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αの値をまず決定する。なお、ここでは、レジスト膜２０３の材料としてポジ型レジストを適用することが好ましい。   In designing the photomask 100 having such a transfer pattern 102p, the light intensity distribution reaching the resist film 203 on the workpiece 202 can be appropriately controlled. For this reason, in the invention according to this embodiment, the value of the side etching width α based on the etching condition of the workpiece 202 is first determined. Note that here, a positive resist is preferably used as the material of the resist film 203.

最終的に得られる被加工体２０３のライン・アンド・スペース・パターンにおけるライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳと、これをエッチング加工するときのエッチングマスクとなるレジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＳ、スペース幅ＲＳとの関係については、以下の通りである。 Line width in line and space pattern of the workpiece 203 finally obtained W L, space width W S and a line width R S of the resist pattern 203p serving as an etching mask in etching this space The relationship with the width R S is as follows.

サイドエッチング幅α（＞０）は、上記のとおり、レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳのそれぞれと、被加工体２０２に形成される膜パターン２０２ｐのライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳとの寸法差であるから、
レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬ＝膜パターン２０２ｐのライン幅ＷＬ＋サイドエッチング幅α、
レジストパターン２０３ｐのスペース幅ＲＳ＝膜パターン２０２ｐのスペース幅ＷＳ−サイドエッチング幅α
である（図４（ｄ）（ｅ）参照）。 As described above, the side etching width α (> 0) includes the line width R L and the space width R S of the resist pattern 203p, the line width W L of the film pattern 202p formed on the workpiece 202, and the space width. Because it is a dimensional difference with WS ,
Line width R L of resist pattern 203p = Line width W L of film pattern 202p + side etching width α,
Space width R S of resist pattern 203p = Space width W S of film pattern 202p-Side etching width α
(See FIGS. 4D and 4E).

そこで、このようなライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳの値をもつレジストパターン２０３ｐを形成するためのフォトマスク１００上の転写用パターン１０２ｐを決定する。 Accordingly, the transfer pattern 102p on the photomask 100 for forming the resist pattern 203p having such values of the line width R L and the space width R S is determined.

（第５の態様）
レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳを、それぞれ、転写用パターン１０２ｐのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳに等しくすることが好ましい。 (5th aspect)
The line width R L and the space width R S of the resist pattern 203p are preferably made equal to the line width M L and the space width M S of the transfer pattern 102p, respectively.

すなわち、フォトマスク１００のもつ転写用パターン１０２ｐのライン・アンド・スペース・パターンと同一なライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳをもつライン・アンド・スペース・パターンをレジストパターン２０３ｐとして形成すること好ましい。このようにすることで、レジストパターン２０３ｐの線幅精度を最も安定して制御することが容易となる。 That is, it is preferable to form a line and space pattern having the same line width M L and space width M S as the resist pattern 203 p of the transfer pattern 102 p of the photomask 100. By doing so, it becomes easy to most stably control the line width accuracy of the resist pattern 203p.

そして、決定したライン幅ＭＬとスペース幅ＭＳの転写用パターン１０２ｐをもつフォトマスク１００によって、ライン幅ＲＬとスペース幅ＲＳを有するレジストパターン２０３ｐが形成されるように、露光時に適用する露光条件と、半透光膜の光透過率とを決定することができる。これは、露光時に適用する露光条件によって、転写用パターン１０２ｐのライン幅ＭＬとスペース幅ＭＳの値がそれぞれ一定であっても、レジストパターン２０３ｐのライン幅ＲＬとスペース幅ＲＳの値は変動するという発明者の知見によるものである。すなわち、露光条件が変化すれば、微細なライン・アンド・スペース・パターンを透過する光の強度分布は変化し、この光強度分布の変化は、被加工体２０２上に形成されるレジストパターン２０３ｐの形状を変化させる。また、半透光膜の光透過率も光強度分布に影響を与える。従って、所望のライン幅ＲＬとスペース幅ＲＳを得るために適用する露光条件と、半透光膜の光透過率とを求める。 Then, the photomask 100 having a transfer pattern 102p of the determined line width M L and space width M S, as a resist pattern 203p is formed to have a line width R L and space width R S, is applied during exposure The exposure conditions and the light transmittance of the semi-transparent film can be determined. This is because the exposure conditions to be applied during exposure, the value of the line width M L and space width M S of the transfer pattern 102p is constant, respectively, of the line width of the resist pattern 203p R L and space width R S value Is due to the inventor's knowledge that it fluctuates. That is, if the exposure conditions change, the intensity distribution of light that passes through the fine line-and-space pattern changes, and this change in the light intensity distribution is caused by the resist pattern 203p formed on the workpiece 202. Change the shape. The light transmittance of the semi-transparent film also affects the light intensity distribution. Therefore, obtaining an exposure condition applied in order to obtain the desired line width R L and space width R S, and a light transmittance of HanToruHikarimaku.

上記において、露光条件とは、露光装置によってフォトマスク１００に光を照射する際の照射光量を含む。例えば、照射光量を変化させたときに、転写用パターン１０２ｐを有するフォトマスク１００を透過する光透過強度曲線をシミュレーションによって求め、得ようとするレジストパターン（たとえば、ＭＬ＝ＲＬ、ＭＳ＝ＲＳであるようなレジストパターン）２０３ｐを得られる照射光量を求めることができる。 In the above description, the exposure condition includes the amount of light irradiated when the photomask 100 is irradiated with light by the exposure apparatus. For example, when the irradiation light quantity is changed, a light transmission intensity curve that passes through the photomask 100 having the transfer pattern 102p is obtained by simulation, and a resist pattern to be obtained (for example, M L = R L , M S = can be determined light quantity obtained resist pattern) 203p such that R S.

そこで、例えば第２の態様に示したように、フォトマスク１００の転写用パターン１０２ｐに用いる半透光膜の光透過率を決定し、そのような半透光膜による転写用パターン１０２ｐを用いたときに、適切な露光条件を、上記シミュレーションにより決定することができる。   Therefore, for example, as shown in the second embodiment, the light transmittance of the semi-transmissive film used for the transfer pattern 102p of the photomask 100 is determined, and the transfer pattern 102p using such a semi-transmissive film is used. Sometimes appropriate exposure conditions can be determined by the simulation.

または、例えば第３の態様に示したように、露光条件を決定したうえで、これに基づき、どのような光透過率の半透光膜を用いるかを、上記シミュレーションにより求めても良い。   Alternatively, for example, as shown in the third aspect, after determining the exposure conditions, based on this, what kind of light transmissivity film to use may be obtained by the above simulation.

或いは、上記シミュレーションの替わりに、半透光膜の光透過率、及び露光条件をそれぞれ変化させたときに得られるライン幅ＲＬとスペース幅ＲＳとをそれぞれ求め、その相関を把握することにより、所望のライン幅ＷＬとスペース幅ＷＳとを得るための条件を求めても良い。 Alternatively, instead of the simulation, the light transmittance of the HanToruHikarimaku, and respectively determined and the line width R L and space width RS obtained when the exposure conditions were changed respectively, by grasping the correlation, conditions may be obtained in order to obtain the desired line width W L and space width W S.

ここで、該照射光量は、露光装置のもつ照度と照射時間との積である。従って、露光条件を決定する工程においては、所定の照射光量を得るため、露光装置の備える所定の光源の照度に基づいて照射時間を決定することができる。または、所望の照射時間を決定し、該照射時間において、必要な照射光量を充足するような照度を決定しても良い。   Here, the amount of irradiation light is the product of the illuminance of the exposure apparatus and the irradiation time. Therefore, in the step of determining the exposure conditions, the irradiation time can be determined based on the illuminance of a predetermined light source provided in the exposure apparatus in order to obtain a predetermined irradiation light amount. Alternatively, a desired irradiation time may be determined, and an illuminance that satisfies a necessary irradiation light amount may be determined during the irradiation time.

例えば、使用する露光装置の照度を大きく設定することにより、従来よりも照射時間を短縮して設定すれば、最終製品（たとえば液晶表示装置）の生産効率を高めることが可能になり、量産上の大きなメリットとなる。   For example, it is possible to increase the production efficiency of the final product (for example, a liquid crystal display device) by setting the illuminance of the exposure apparatus to be used to be large and setting the irradiation time to be shorter than the conventional one. This is a great merit.

上記から理解されるとおり、転写用パターン１０２ｐが決まれば、レジスト膜２０３を露光するために必要な照射光量は、露光条件（照度及び照射時間）と、転写用パターン１０２ｐに用いた半透光膜の透過率と、の組み合わせに依存して決まる。従って、この三者を適宜選択することにより、表示装置の生産者によって最適な生産条件を得ることができる。これは、従来のバイナリマスクを用いた生産に比べ、顕著な優位性をもたらす。   As understood from the above, when the transfer pattern 102p is determined, the irradiation light amount necessary for exposing the resist film 203 depends on the exposure conditions (illuminance and irradiation time) and the semi-transparent film used for the transfer pattern 102p. It is determined depending on the combination of the transmittance. Therefore, by appropriately selecting these three, it is possible to obtain optimum production conditions by the producer of the display device. This provides a significant advantage over production using conventional binary masks.

ここで、発明者の検討によると、半透光膜の光透過率は、露光装置による照射光に対して１〜３０％が好ましい。ここで、半透光膜の光透過率とは、転写用パターン１０２ｐのライン部分の光透過率であるが、上記のとおり、転写用パターン１０２ｐの一部分としての光透過率は、パターンエッジでの光の回折などにより変動するため、ここでは、使用する半透光膜の膜透過率（露光条件下における解像限界に対して十分に大きな面積における光透過率）とする。   Here, according to the inventor's examination, the light transmittance of the semi-transparent film is preferably 1 to 30% with respect to the irradiation light from the exposure apparatus. Here, the light transmittance of the translucent film is the light transmittance of the line portion of the transfer pattern 102p. As described above, the light transmittance as a part of the transfer pattern 102p is measured at the pattern edge. Since it varies due to light diffraction or the like, the film transmittance of the translucent film to be used (light transmittance in a sufficiently large area with respect to the resolution limit under exposure conditions) is used here.

（第６の態様）
本実施形態に係る発明においては、ｉ線〜ｇ線を波長域を含む照射光を用いて、レジスト膜２０３の露光を行うことが好ましい。このうち代表波長をｉ線としたとき、半透光膜の光透過率は、ｉ線に対して１〜３０％であることが好ましい。これを越えると、形成されるレジストパターンの側面が傾斜し、これをエッチングマスクとして被加工体をエッチングする際の線幅制御が容易でなくなる可能性がある。より好ましくは、１〜２０％であり、更に好ましくは２〜１０％である。 (Sixth aspect)
In the invention according to the present embodiment, it is preferable to expose the resist film 203 using irradiation light including a wavelength range of i-line to g-line. Of these, when the representative wavelength is i-line, the light transmittance of the semi-transparent film is preferably 1 to 30% with respect to i-line. Beyond this, the side surface of the resist pattern to be formed may be inclined, and it may not be easy to control the line width when the workpiece is etched using this as an etching mask. More preferably, it is 1-20%, More preferably, it is 2-10%.

更に、前記透明基板１０１を透過する露光光と、前記透明基板１０１及び前記半透光膜を透過する露光光との位相差が、９０度以下であることが好ましい。換言すれば、該半透光膜の、露光光の位相シフト量が９０度以下であることが好ましい。例えば、露光光の代表波長をｉ線としたとき、ｉ線に対する、半透光膜の上述の位相差が９０度以下が好ましい。より好ましくは６０度以下である。   Furthermore, it is preferable that the phase difference between the exposure light transmitted through the transparent substrate 101 and the exposure light transmitted through the transparent substrate 101 and the semi-transparent film is 90 degrees or less. In other words, the semitranslucent film preferably has a phase shift amount of exposure light of 90 degrees or less. For example, when the representative wavelength of exposure light is i-line, the above-described phase difference of the semi-transparent film with respect to i-line is preferably 90 degrees or less. More preferably, it is 60 degrees or less.

これは、発明者の検討によると、転写用パターンに用いた半透光膜の上記位相差が１８０度に近づくときに、被加工体２０２上に形成されるレジストパターン２０３ｐの形状が良化するとは限らず、むしろ半透光膜のもたらす位相シフト効果が、レジスト膜に届く光を増加させるメリットを低減させる場合があるからである。。   According to the inventor's study, when the phase difference of the semi-transparent film used for the transfer pattern approaches 180 degrees, the shape of the resist pattern 203p formed on the workpiece 202 is improved. This is because the phase shift effect provided by the semi-transparent film may reduce the merit of increasing the light reaching the resist film. .

（第７の態様）
本実施形態は、従来以上に微細化されたパターンを形成する際に特に有利である。すなわち、ピッチ幅Ｐが、Ｒａｙｌｅｉｇｈの式により定義される
最小解像寸法Ｒ（μｍ）＝ｋ×（λ（ｎｍ）／ＮＡ）×（１／１０００）
の２倍以下の寸法であるときに特に有利である。ここで２倍とするのは、ピッチ幅がライン幅とスペース幅の合計であることによる。 (Seventh aspect)
This embodiment is particularly advantageous when forming a finer pattern than before. That is, the pitch width P is defined by the Rayleigh equation. Minimum resolution dimension R (μm) = k × (λ (nm) / NA) × (1/1000)
It is particularly advantageous when the dimension is twice or less. The reason why the pitch is doubled is that the pitch width is the sum of the line width and the space width.

すなわち、前記ピッチ幅Ｐが、
Ｐ≦２Ｒ
を満たすときに、本発明による効果が大きくなる。 That is, the pitch width P is
P ≦ 2R
When satisfying, the effect by this invention becomes large.

但し、上記においては、
ｋ ：０．６１（Ｒａｙｌｅｉｇｈの解像限界より）
λ ：露光に用いる波長（ｎｍ）
ＮＡ：露光に用いる露光装置の光学系の開口数）
である。 However, in the above,
k: 0.61 (from the Rayleigh resolution limit)
λ: wavelength used for exposure (nm)
NA: numerical aperture of the optical system of the exposure apparatus used for exposure)
It is.

（第８の態様）
更に、ピッチ幅Ｐ（μｍ）が６（μｍ）以下のときに、本発明の効果が顕著となる。例えば、膜パターン２０２ｐのライン幅ＷＬまたはスペース幅ＷＳが、共に３μｍ未満であるとき、本発明の効果が特に顕著でとなる。すなわち、一般に用いられる露光装置の波長域が３６５〜４３６ｎｍ（中央値４００ｎｍ）であり、また光学系のＮＡが０．０８であることを考慮すると、ピッチ幅Ｐ≦６μｍの微細パターンを実現しようとするときに、顕著な効果が得られる。更には、ピッチ幅Ｐ≦５μｍの微細パターンを実現しようとするときに、更に顕著な効果が得られる。 (Eighth aspect)
Furthermore, when the pitch width P (μm) is 6 (μm) or less, the effect of the present invention becomes remarkable. For example, the line width W L or space width W S of the film pattern 202p is when it is both less than 3 [mu] m, the effect of the present invention is particularly remarkable. That is, in consideration of the wavelength range of a commonly used exposure apparatus being 365 to 436 nm (median value 400 nm) and the NA of the optical system being 0.08, an attempt is made to realize a fine pattern with a pitch width P ≦ 6 μm. When you do this, you will get a remarkable effect. Further, when a fine pattern having a pitch width P ≦ 5 μm is to be realized, a more remarkable effect can be obtained.

（第９の態様）
従来のいわゆるバイナリマスクを用いて、被加工体２０２上にライン・アンド・スペース・パターンを形成する方法では、ライン・アンド・スペースのピッチ幅Ｐが比較的大きいときには解像上の問題は生じなかった。一方、本実施形態によれば、バイナリマスクを用いて、被加工体２０２上にライン・アンド・スペース・パターンを形成する従来方法に比べ、レジスト膜２０３に到達する光強度を大きくすることが可能であり、更に、この光強度分布の制御を、露光条件と半透光膜の透過率との双方の条件を適宜選択して行うことができるため、従来より更に高い生産性をもつフォトマスクの製造が可能となる。 (Ninth aspect)
In the conventional method of forming a line and space pattern on the workpiece 202 using a so-called binary mask, there is no problem in resolution when the line and space pitch width P is relatively large. It was. On the other hand, according to the present embodiment, it is possible to increase the light intensity reaching the resist film 203 as compared with the conventional method of forming a line and space pattern on the workpiece 202 using a binary mask. Furthermore, since this light intensity distribution can be controlled by appropriately selecting both the exposure conditions and the transmissivity of the semi-transparent film, a photomask having higher productivity than conventional ones can be obtained. Manufacture is possible.

すなわち、透明基板１０１上に遮光膜で形成されたライン幅ＭＬ１のライン部と、透明基板１０１が露出してなるスペース幅ＭＳ１のスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐ１＞２Ｒのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスクを用いて露光し、レジスト膜２０３に、ライン幅がＭＬ１に、スペース幅がＭＳ１に等しいライン・アンド・スペースのレジストパターン２０３ｐを形成するときの露光装置による光の照射光量を標準照射光量ＥＳとしたとき、露光時に適用する露光条件の決定においては、標準照射光量ＥＳよりも小さい有効照射光量ＥＥを適用することにより、フォトマスクを設計することができる。この設計により、フォトマスクを製造することができるのである。 That has a line portion of the transparent substrate 101 line width M L1 formed of a light shielding film on, and a space portion of the space width M S1 of the transparent substrate 101 is exposed, the pitch P 1> 2R line and space pattern using a photomask comprising exposing the resist film 203, the line width is M L1, exposure when the space width to form a resist pattern 203p of equal line and space M S1 when the irradiation light amount of light by the device as a standard irradiation light amount E S, in the determination of exposure conditions to be applied during exposure, by applying a small effective radiation light amount E E than the standard irradiation light amount E S, designing a photomask can do. With this design, a photomask can be manufactured.

但し、Ｒ（μｍ）＝ｋ×（λ／ＮＡ）×１／１０００
ｋ ：０．６１
λ ：前記露光に用いる波長の中央値（ｎｍ）
ＮＡ：前記露光に用いる露光装置の開口数）
である。 However, R (μm) = k × (λ / NA) × 1/1000
k: 0.61
λ: median wavelength (nm) used for the exposure
NA: Numerical aperture of the exposure apparatus used for the exposure)
It is.

従来においても、ピッチ幅Ｐが解像限界Ｒの２倍を超えるライン・アンド・スペース・パターンにおいては、上述のフォトマスクの透過光量の不足による解像不良の問題はほとんど問題にならなかった。本発明者は、より微細化したライン・アンド・スペース・パターンにおいても、エッチングマスクとするに十分な形状のレジストパターン２０３ｐを形成し得るフォトマスク１００を検討した。そして、この解決手段として、フォトマスク１００の転写用パターン１０２ｐに用いる半透光膜の透過率及びフォトマスク１００を用いて露光する際の露光条件の選択を見出した。本態様では、更にこの手段を発展させ、従来以上に照射光量を減じつつ、微細なパターンの転写を行う方法も提案する。   Conventionally, in the line-and-space pattern in which the pitch width P exceeds twice the resolution limit R, the above-described problem of poor resolution due to the insufficient amount of light transmitted through the photomask hardly becomes a problem. The present inventor has studied a photomask 100 that can form a resist pattern 203p having a shape sufficient to serve as an etching mask even in a finer line and space pattern. As a means for solving this problem, the present inventors have found selection of the transmissivity of the semi-transparent film used for the transfer pattern 102p of the photomask 100 and the exposure conditions for exposure using the photomask 100. In this embodiment, this means is further developed to propose a method for transferring a fine pattern while reducing the amount of irradiation light more than before.

ここで、遮光膜とは、光学濃度ＯＤが３．０以上の膜をいう。従来のいわゆるバイナリマスクに用いられた遮光膜と同様である。   Here, the light shielding film refers to a film having an optical density OD of 3.0 or more. This is the same as the light shielding film used in a conventional so-called binary mask.

また、ピッチ幅Ｐ１＞２Ｒのライン・アンド・スペース・パターンをもつフォトマスク（ライン幅ＭＬ１，スペース幅ＭＳ１）とは、ピッチ幅（ライン幅＋スペース幅）がＲａｙｌｅｉｇｈの式による解像限界の２倍以上の転写用パターンのフォトマスクを意味し、このようなライン・アンド・スペース・パターンを被加工体２０２に形成するためのものである。このピッチ幅Ｐ１は、上述のＲａｙｌｅｉｇｈの式における２Ｒよりも大きい。好ましくは、ピッチ幅Ｐ１は８μｍ以上であり、１０μｍ程度とすることができる。また、ライン幅ＭＬ１、スペース幅ＭＳ１は、上述のＲａｙｌｅｉｇｈの式における解像限界Ｒよりも大きい（ＭＬ１＞Ｒ、ＭＳ１＞Ｒ）であることが好ましい。 Further, a photomask having a line-and-space pattern with a pitch width P 1 > 2R (line width M L1 , space width M S1 ) is resolved by an equation in which the pitch width (line width + space width) is Rayleigh. It means a photomask having a transfer pattern twice or more the limit, and is for forming such a line-and-space pattern on the workpiece 202. The pitch width P 1 is greater than 2R in an expression of the above-described Rayleigh. Preferably, the pitch width P 1 is at 8μm than can be about 10 [mu] m. Moreover, it is preferable that the line width M L1 and the space width M S1 are larger than the resolution limit R in the above-described Rayleigh equation (M L1 > R, M S1 > R).

例えば、ライン幅ＭＬ１及びスペース幅ＭＳ１が、いずれも、３μｍ以上、６μｍ以下であることが好ましい。 For example, the line width M L1 and the space width M S1 are preferably 3 μm or more and 6 μm or less.

このようなライン・アンド・スペース・パターンをもつフォトマスクを用いて、レジスト膜２０２上に露光し、ライン幅ＲＬ１がＭＬ１に等しく、スペース幅ＲＳ１がＭＳ１に等しいライン・アンド・スペース・パターンのレジストパターン２０３ｐを得ることができる。このときの照射光量を標準照射量ＥＳとするとき、本実施形態によれば、標準照射量ＥＳよりも小さい標準照射量ＥＥによって、所望のライン・アンド・スペースのレジストパターン２０３ｐを得ることができるのである。 Using a photomask having such a line and space pattern, the resist film 202 is exposed, and the line width R L1 is equal to M L1 and the space width R S1 is equal to M S1. A pattern resist pattern 203p can be obtained. When the irradiation light amount at this time is the standard dose E S, according to this embodiment, by a small standard dose E E than the standard dose E S, a resist pattern 203p of the desired line and space It can be done.

なお、上記において、露光装置に用いる光学系の条件や、レジストパターン２０３ｐを形成するためのレジスト現像条件等は一定とする。また、照射光の波長範囲も同一とすることができる。つまり、フォトマスクのパターンを形成する膜を半透光性とすることにより、露光装置による必要な照射量を変えることができるのである。   In the above, the conditions of the optical system used in the exposure apparatus, the resist development conditions for forming the resist pattern 203p, and the like are constant. Moreover, the wavelength range of irradiation light can also be made the same. In other words, by making the film forming the photomask pattern semi-translucent, the amount of irradiation required by the exposure apparatus can be changed.

（第１０の態様）
転写用パターン１０２ｐのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳ、透過率を設定するため、上述の工程によるフォトマスク設計工程を実施した後は、フォトリソグラフィー工程を実施することで、上述のフォトマスク１００を製造することができる。図５は、本実施形態に係るフォトマスク１００の製造工程を示すフロー図である。 (Tenth aspect)
In order to set the line width M L , the space width M S , and the transmittance of the transfer pattern 102p, after the photomask design process according to the above-described process is performed, the photolithography process is performed, thereby performing the above-described photomask 100. Can be manufactured. FIG. 5 is a flowchart showing manufacturing steps of the photomask 100 according to this embodiment.

まず、透明基板１０１上に、半透光膜１０２とレジスト膜１０３とが順に積層されたフォトマスク用ブランク１００ｂを準備する。そして、フォトマスク用ブランク１００ｂに対して、レーザ描画機等により描画を行い、レジスト膜１０３を部分的に感光させる（図５（ａ））。そして、レジスト膜１０３に現像液を供給して現像を施し、転写用パターン１０２ｐのライン部の形成予定領域を覆うレジストパターン１０３ｐを形成する（図５（ｂ））。そして、形成したレジストパターン１０３ｐをマスクとして、光学膜１０２をエッチングして転写用パターン１０２ｐを形成する（図５（ｃ））。そして、レジストパターン１０３ｐを除去し、本実施形態に係るフォトマスク１００の製造を完了する（図５（ｄ））。   First, a photomask blank 100b in which a semi-transparent film 102 and a resist film 103 are sequentially laminated on a transparent substrate 101 is prepared. Then, drawing is performed on the photomask blank 100b by a laser drawing machine or the like to partially expose the resist film 103 (FIG. 5A). Then, a developing solution is supplied to the resist film 103 and development is performed to form a resist pattern 103p that covers a region where a line portion of the transfer pattern 102p is to be formed (FIG. 5B). Then, using the formed resist pattern 103p as a mask, the optical film 102 is etched to form a transfer pattern 102p (FIG. 5C). Then, the resist pattern 103p is removed, and the manufacture of the photomask 100 according to the present embodiment is completed (FIG. 5D).

なお、透明基板１０１は、例えば石英（ＳｉＯ２）ガラスや、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金属），Ｒ２Ｏ（Ｒ２はアルカリ金属）等を含む低膨張ガラス等からなる平板として構成されている。透明基板１０１の主面（表面及び裏面）は、研磨されるなどして平坦且つ平滑に構成されている。透明基板１０１は、例えば一辺が５００ｍｍ〜１３００ｍｍ程度の方形とすることができる。透明基板１０１の厚さは例えば３ｍｍ〜１３ｍｍ程度とすることができる。 The transparent substrate 101 is, for example, quartz (SiO 2 ) glass, SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , RO (R is an alkaline earth metal), R 2 O (R 2 is an alkali metal), or the like. It is comprised as a flat plate which consists of low expansion glass etc. which contain. The main surface (front surface and back surface) of the transparent substrate 101 is configured to be flat and smooth by polishing or the like. The transparent substrate 101 can be a square having a side of about 500 mm to 1300 mm, for example. The thickness of the transparent substrate 101 can be about 3 mm to 13 mm, for example.

また、半透光膜１０２は、クロム（Ｃｒ）を含む材料、例えば窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯ）、酸窒化クロム（ＣｒＯＮ）、フッ化クロム（ＣｒＦ）等のクロム化合物等、または金属シリサイド（ＭｏＳｉｘ，ＭｏＳｉＯ，ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ、ＴａＳｉｘなど）により形成することができる。   The translucent film 102 is formed of a material containing chromium (Cr), for example, a chromium compound such as chromium nitride (CrN), chromium oxide (CrO), chromium oxynitride (CrON), or chromium fluoride (CrF), or the like. It can be formed of metal silicide (MoSix, MoSiO, MoSiN, MoSiON, TaSix, etc.).

また、レジスト膜１０３は、ポジ型フォトレジストにより形成することができる。その際、例えばスリットコータやスピンコータ等の手法を用いることができる。   The resist film 103 can be formed of a positive photoresist. At this time, for example, a method such as a slit coater or a spin coater can be used.

（第１１の態様）
第１〜１０のいずれかの態様に記載の製造方法によるフォトマスク１００を用い、ｉ線〜ｇ線の波長域を有する照射光により、有効照射光量ＥＥを適用して、被加工体２０２上に形成されたレジスト膜２０３に転写用パターン１０２ｐを転写するパターン転写方法を実施することができる。 (Eleventh aspect)
Using a photomask 100 by the manufacturing method according to the first to tenth one aspect, the irradiation light having a wavelength range of i-line ~g lines, by applying an effective irradiation light amount E E, the upper workpiece 202 A pattern transfer method for transferring the transfer pattern 102p to the resist film 203 formed on the substrate can be performed.

（第１２の態様）
露光装置が前記標準照射光量ＥＳの照射を行うとき、露光装置の最大照度Ｌを以て照射面積Ｓの照射を行う際に必要な照射時間が標準照射時間ＴＳであるとき、
露光装置を使用し、標準照射量ＥＳよりも小さい有効照射量ＥＥを適用することにより、標準照射時間ＴＳよりも小さい有効照射時間ＴＥによって、前記照射面積Ｓを照射するパターン転写方法を実施することができる。 (Twelfth aspect)
When the exposure apparatus performs irradiation of the standard light quantity E S, when the irradiation time necessary for performing irradiation of the irradiation area S with a maximum luminance L of the exposure apparatus is a standard irradiation time T S,
A pattern transfer method for irradiating the irradiation area S with an effective irradiation time T E smaller than the standard irradiation time T S by using an exposure apparatus and applying an effective irradiation amount E E smaller than the standard irradiation amount E S Can be implemented.

（第１３の態様）
第１０の態様に記載の製造方法によるフォトマスク１００を用い、被加工体２０２上に形成されたレジスト膜２０３に転写用パターン１０２ｐを転写するパターン転写方法において、決定された露光条件に基づき、露光装置を用いてフォトマスク１００に光を照射する照射時間及び照度を決定し、決定された照射時間及び照度を適用して露光することを含むパターン転写方法を実施することができる。 (13th aspect)
In the pattern transfer method of transferring the transfer pattern 102p to the resist film 203 formed on the workpiece 202 using the photomask 100 according to the manufacturing method described in the tenth aspect, the exposure is performed based on the determined exposure conditions. A pattern transfer method can be implemented that includes determining the irradiation time and illuminance for irradiating the photomask 100 with light using the apparatus, and applying the determined irradiation time and illuminance for exposure.

（第１４の態様）
透明基板１０１上に遮光膜で形成されたライン幅ＭＬ１のライン部と、透明基板１０１が露出してなるスペース幅ＭＳ１のスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐ１＞２Ｒのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスクを用いて露光し、被加工体２０２上に形成されたレジスト膜２０３に、ライン幅がＭＬ１に、スペース幅がＭＳ１に等しいライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成するときの露光装置による光の照射光量を標準照射光量ＥＳとしたとき、
透明基板１０１上に、半透光膜で形成されたライン幅ＭＬのライン部と、透明基板１０１が露出してなるスペース幅ＭＳのスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスク１００を用いて、標準照射光量ＥＳより小さい有効照射光量ＥＥを適用して露光し、レジスト膜２０３に、ライン幅がＭＬに、スペース幅がＭＳに等しいライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成するパターン転写方法を実施することができる。 (14th aspect)
A line portion of the transparent substrate 101 line width M L1 formed of a light shielding film on, and a space portion of the space width M S1 of the transparent substrate 101 is exposed, line and the pitch P 1> 2R A line-and-space resist pattern in which the line width is equal to ML1 and the space width is equal to MS1 , on the resist film 203 formed on the workpiece 202 by exposure using a photomask having a space pattern when the irradiation light amount of light as a standard irradiation light amount E S by the exposure device for forming the,
The transparent substrate 101 has a line portion having a line width M L formed by HanToruHikarimaku, and a space portion of the space width M S of the transparent substrate 101 is exposed, the pitch P line and space pattern using a photomask 100 with, and exposure by applying the standard irradiation light amount E S is less than the effective light quantity E E, the resist film 203, the line width is M L, space width to M S A pattern transfer method for forming equal line and space resist patterns can be performed.

但し、Ｒ（μｍ）＝ｋ×（λ／ＮＡ）×１／１０００
ｋ ：０．６１
λ ：前記露光に用いる波長の中央値（ｎｍ）
ＮＡ：前記露光に用いる露光装置の開口数
とする。 However, R (μm) = k × (λ / NA) × 1/1000
k: 0.61
λ: median wavelength (nm) used for the exposure
NA: The numerical aperture of the exposure apparatus used for the exposure.

（第１５の態様）
第１２の態様に係るパターン転写方法においては、ピッチ幅Ｐは６μｍ以下であるとすることができる。すなわち、一般に用いられる露光装置の波長域が３６５〜４３６ｎｍ（中央値４００ｎｍ）であり、また光学系のＮＡが０．０８であることを考慮すると、ピッチ幅Ｐ≦６μｍの微細パターンを実現しようとするときに、顕著な効果が得られる。更には、ピッチ幅Ｐ≦５μｍの微細パターンを実現しようとするときに、更に顕著な効果が得られる。 (15th aspect)
In the pattern transfer method according to the twelfth aspect, the pitch width P can be set to 6 μm or less. That is, in consideration of the wavelength range of a commonly used exposure apparatus being 365 to 436 nm (median value 400 nm) and the NA of the optical system being 0.08, an attempt is made to realize a fine pattern with a pitch width P ≦ 6 μm. When you do this, you will get a remarkable effect. Further, when a fine pattern having a pitch width P ≦ 5 μm is to be realized, a more remarkable effect can be obtained.

（第１６の態様）
第１１〜第１５のいずれかの態様に記載のパターン転写方法を用いることで、表示装置を製造することができる。 (Sixteenth aspect)
A display device can be manufactured by using the pattern transfer method according to any one of the 11th to 15th aspects.

従来、被加工体２０２にライン・アンド・スペース・パターンを形成するにあたっては、遮光部と透光部とをもつライン・アンド・スペース・パターンを転写用パターンとして備えるフォトマスクを用いていた。このときには、ライン部の透過率という変数は無く、実質的に透過率はゼロと考えて設計していた。   Conventionally, when forming a line and space pattern on the workpiece 202, a photomask having a line and space pattern having a light shielding portion and a light transmitting portion as a transfer pattern has been used. At this time, there was no variable of the transmittance of the line portion, and the design was made assuming that the transmittance was substantially zero.

しかし、本実施形態においては、この部分の透過率をゼロではなく、所定範囲での変数とすることにより、設計できるライン・アンド・スペース・パターンの自由度を非常に大きくすることが出来た。更に、パターンの透過率を変数としたことで、フォトマスク１００の透過光がもつ光強度分布曲線を決定づけるもう一つの要素であるところの、露光装置による露光条件（照度、照射時間）を、自由に選択できるようになった。即ち、被加工体２０２上に得ようとするライン・アンド・スペースパターンの形状を実現させるため、レジスト膜２０３を露光する光強度分布を決定する際、フォトマスク１００のもつ転写用パターン１０２ｐのライン部の透過率と、露光装置による露光条件と、の組み合わせによって、最適条件を選択できるようになった。   However, in the present embodiment, the degree of freedom of the line and space pattern that can be designed can be greatly increased by setting the transmittance of this portion to be a variable within a predetermined range instead of zero. Furthermore, by using the pattern transmittance as a variable, the exposure conditions (illuminance, irradiation time) by the exposure apparatus, which is another factor that determines the light intensity distribution curve of the transmitted light of the photomask 100, can be freely set. Can now be selected. That is, in order to realize the shape of the line and space pattern to be obtained on the workpiece 202, when determining the light intensity distribution for exposing the resist film 203, the line of the transfer pattern 102p of the photomask 100 is determined. The optimum condition can be selected by combining the transmittance of the part and the exposure condition by the exposure apparatus.

なお、上述の第１〜１６の態様に記載した種々の方法は、好ましくは、表示装置の画素電極を製造する場合に用いることができる。該画素電極は、ＩＴＯやＩＺＯからなる透明導電膜をパターニングしてなるものであることができる。   The various methods described in the first to sixteenth aspects can be preferably used when manufacturing a pixel electrode of a display device. The pixel electrode can be formed by patterning a transparent conductive film made of ITO or IZO.

被加工体（ここではＩＴＯ透明導電膜）をウェットエッチングして、ライン・アンド・スペース・パターンを加工し、ピッチ幅Ｐ＝５μｍ（ライン幅ＷＬ＝２．５μｍ、スペース幅ＷＳ＝２．５μｍ）のライン・アンド・スペースからなる膜パターンを形成した。ウェットエッチング条件により、ここでは、サイドエッチング幅αを０．５μｍとした。なお、以下のシミュレーションに適用した条件は、図１〜図３で説明した条件と同じとした。また、以下の記載で露光装置による照射光量については、基準照射量を１００ｍＪ／ｃｍ２として規格化した。 A workpiece (here, ITO transparent conductive film) is wet-etched to process a line and space pattern, and a pitch width P = 5 μm (line width W L = 2.5 μm, space width W S = 2. A film pattern consisting of 5 μm) line and space was formed. Here, the side etching width α is set to 0.5 μm depending on the wet etching conditions. The conditions applied to the following simulation were the same as those described with reference to FIGS. Further, in the following description, the irradiation light amount by the exposure apparatus was standardized with a reference irradiation amount of 100 mJ / cm 2 .

（比較例）
まず、比較例として、遮光膜（光学濃度３．０以上）をパターニングして形成したライン・アンド・スペース・パターンを転写用パターン（図６参照）として有するフォトマスクによる露光シミュレーション結果を示す（図７参照）。 (Comparative example)
First, as a comparative example, an exposure simulation result using a photomask having a line-and-space pattern formed by patterning a light-shielding film (optical density of 3.0 or more) as a transfer pattern (see FIG. 6) is shown (FIG. 6). 7).

図７（ａ）は、遮光膜によるライン・アンド・スペース・パターンでピッチ幅Ｐ１＝８μｍ（ＭＬ１＝４．５μｍ、ＭＳ１＝３．５μｍ）とした転写用パターンを用い、被加工体上に目標線幅（ＷＬ１＝ＷＳ１＝４μｍ）を形成しようとする場合のレジストパターンの断面形状である。このとき適用した照射光量をＥＳ＝１００ｍＪ／ｃｍ２とした。また、サイドエッチング幅αは、パターンのピッチ幅Ｐによらず一定なので、α＝０．５μｍである。 FIG. 7A is a line-and-space pattern with a light-shielding film and uses a transfer pattern with a pitch width P 1 = 8 μm (M L1 = 4.5 μm, M S1 = 3.5 μm). This is a cross-sectional shape of a resist pattern when a target line width (W L1 = W S1 = 4 μm) is to be formed thereon. The amount of irradiation light applied at this time was set to E S = 100 mJ / cm 2 . Since the side etching width α is constant regardless of the pattern pitch width P, α = 0.5 μm.

なお、ここで用いる露光光はｉ線〜ｇ線であり、波長の中央値は４００ｎｍである。また、用いる露光装置のＮＡ（開口数）は０．０８であるから、Ｒａｙｌｅｉｇｈの式より、解像限界Ｒの値は、
Ｒ＝ｋ×（λ／ＮＡ）×（１／１０００）＝３．０５
ｋ：０．６１（Ｒａｙｌｅｉｇｈの解像限界より）である。
これに対して、上記Ｐ１は８μｍであるから、解像限界Ｒの値の２倍より大きい。 The exposure light used here is i-line to g-line, and the median wavelength is 400 nm. Further, since the NA (numerical aperture) of the exposure apparatus to be used is 0.08, the value of the resolution limit R from the Rayleigh equation is:
R = k × (λ / NA) × (1/1000) = 3.05
k: 0.61 (from the Rayleigh resolution limit).
On the other hand, since P 1 is 8 μm, it is larger than twice the value of the resolution limit R.

また、被加工体上に、線幅精度の高いライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成するため、
レジストパターンのライン幅ＲＬ＝フォトマスクのライン幅ＭＬ、
レジストパターンのスペース幅ＲＭ＝フォトマスクのスペース幅ＭＳ
とした。 In addition, in order to form a line and space resist pattern with high line width accuracy on the workpiece,
Resist pattern line width R L = Photomask line width M L ,
Resist pattern space width R M = Photomask space width M S
It was.

図７（ａ）によると、エッチングマスクとして十分に使用可能なレジストパターンが示されている。次に、ピッチ幅Ｐを１μｍずつ小さくしていく（ライン・アンド・スペース・パターンを微細化していく）ときの、レジストパターン形状の変化を図７（ｂ）〜（ｄ）に示す。露光条件は一定である。パターンが微細化するに従い、レジストパターン形状は平坦化し、振幅が小さくなるとともに、スペース部における抜けが不十分になる。   FIG. 7A shows a resist pattern that can be sufficiently used as an etching mask. Next, FIGS. 7B to 7D show changes in the resist pattern shape when the pitch width P is reduced by 1 μm (the line and space pattern is made finer). The exposure conditions are constant. As the pattern becomes finer, the resist pattern shape is flattened, the amplitude becomes smaller, and the gap in the space portion becomes insufficient.

図７（ｄ）で、ライン幅ＭＬ＝３．０（＝２．５＋０．５）μｍ、スペース幅ＭＳ＝２．０（＝２．５−０．５）μｍとなったとき、レジストパターンは完全に抜け不良となり、ライン・アンド・スペース・パターンのエッチングマスクとして使用に堪えない状態となっている。 When the line width M L = 3.0 (= 2.5 + 0.5) μm and the space width M S = 2.0 (= 2.5−0.5) μm in FIG. The pattern is completely defective and cannot be used as an etching mask for line and space patterns.

（実施例）
ここで、レジスト膜に到達する光量不足を補うために、露光条件と、転写用パターンの光透過率を制御してマスク設計を行った場合について以下に説明する。 (Example)
Here, a case where mask design is performed by controlling the exposure conditions and the light transmittance of the transfer pattern in order to make up for the shortage of light reaching the resist film will be described.

ここで、図８には、露光装置の照度または照射時間を変更することにより、照射光量を増加した場合のレジストパターンの断面形状を示す。すなわち、図７（ｄ）の状態から、照射量を増加し、ライン幅ＲＬ＝スペース幅ＲＳ＝２．５μｍのレジストパターンが形成できる照射光量をシミュレーションしたところ、１２５ｍＪ／ｃｍ２の条件、すなわち、照射光量を１．２５倍とすればよいことが分かる。 Here, FIG. 8 shows the cross-sectional shape of the resist pattern when the irradiation light quantity is increased by changing the illuminance or irradiation time of the exposure apparatus. That is, from the state of FIG. 7 (d), the increased amount of radiation, where the resist pattern having a line width R L = space width R S = 2.5 [mu] m was simulated irradiation light amount can be formed, of 125 mJ / cm 2 condition, That is, it can be seen that the amount of irradiation light may be increased by 1.25 times.

しかし、これを既存の露光装置で（照度を増加せずに）実現するためには、照射タクトタイムを１．２５倍としなければならず、生産効率が大幅に下がってしまう。   However, in order to realize this with an existing exposure apparatus (without increasing the illuminance), the irradiation tact time must be increased by 1.25 times, and the production efficiency is greatly reduced.

次に、図９に、フォトマスクのもつ転写用パターンに半透光膜を使用した場合に得られるレジストパターン形状を示す。ここで示す半透光タイプの転写用パターンは、透明基板上に形成した半透光膜をパターニングしてなるものと同じとし、素材としては、例えば、金属シリサイドまたはその化合物からなる半透光膜を使用するものとする。   Next, FIG. 9 shows a resist pattern shape obtained when a translucent film is used as a transfer pattern of the photomask. The translucent transfer pattern shown here is the same as that obtained by patterning a translucent film formed on a transparent substrate, and the material is, for example, a translucent film made of metal silicide or a compound thereof. Shall be used.

図９（ａ）〜（ｆ）は、転写用パターンのライン部に使用した半透光膜の透過率を３％〜２０％に変化させたときのレジストパターン形状の変化を示す。尚、ここでは、半透光膜のもつ露光光の位相シフト量を、すべて４０度とした。   FIGS. 9A to 9F show changes in the resist pattern shape when the transmittance of the semi-transparent film used in the line portion of the transfer pattern is changed from 3% to 20%. Here, all the phase shift amounts of the exposure light of the semi-transparent film are set to 40 degrees.

図９（ａ）によれば、半透光膜の透過率を３％としたとき、基準照射量ＥＳに対して２．５％増加させた照射量において、レジストパターンのライン部が分離し、エッチングマスクとして使用可能になることが分かる。更に、半透光膜の光透過率と、露光装置による照射条件とを組み合わせることにより、基準照射量ＥＳよりも小さな照射量（有効照射量ＥＥ）によって、良好な形状のレジストパターンを形成できることが分かる。 According to FIG. 9 (a), the when 3% transmittance of HanToruHikarimaku in irradiation dose was increased to 2.5% with respect to the reference dose E S, the line portion of the resist pattern is separated It can be seen that it can be used as an etching mask. Further, by combining the light transmittance of the semi-transparent film and the irradiation conditions by the exposure apparatus, a resist pattern having a good shape can be formed with an irradiation dose (effective irradiation dose E E ) smaller than the reference irradiation dose E S. I understand that I can do it.

＜本発明の他の実施態様＞
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。 <Other embodiments of the present invention>
As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.

例えば、本発明は、透明基板上に形成した半透光膜をパターニングすることにより形成した透光部と半透光部とからなる転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、被転写体上のレジスト膜に、レジスト残膜のある部分とレジスト残膜のない部分とを形成するフォトマスクの製造方法に対して好適に適用可能である。具体的には、被加工体上に、ピッチ幅Ｐが６μｍ以下のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合に有利に適用できる。係る場合、透光部に対応して、被転写体上に、レジスト残膜のない部分が形成され、半透光部に対応して、レジスト残膜のある部分が形成される。   For example, the present invention relates to a method of manufacturing a photomask having a transfer pattern composed of a translucent part and a semi-transparent part formed by patterning a semi-transparent film formed on a transparent substrate. The present invention can be suitably applied to a photomask manufacturing method in which a resist film on a transfer body is formed with a resist residual film and a resist residual film. Specifically, the present invention can be advantageously applied when a line and space pattern having a pitch width P of 6 μm or less is formed on a workpiece. In such a case, a portion having no resist remaining film is formed on the transfer target corresponding to the light transmitting portion, and a portion having the resist remaining film is formed corresponding to the semi-light transmitting portion.

また例えば、本発明は、被転写体上のレジスト膜がポジ型レジストにより形成される場合に限らず、ネガ型レジストによって形成される場合にも好適に適用可能である。但し、レジスト膜はポジ型レジストにより形成することが好ましい。   Further, for example, the present invention is not limited to the case where the resist film on the transfer target is formed of a positive resist, but can be suitably applied to the case of being formed of a negative resist. However, the resist film is preferably formed of a positive resist.

上述したように、本発明のフォトマスクは、例えばｉ線〜ｇ線の波長域をもつ露光装置によって露光を行う時に特に好適に適用可能である。また、露光装置としては、例えばプロジェクション露光機を好適に用いることができる。但し、本発明のフォトマスクは、これらの形態に限定されず、他の波長域をもつ露光装置によって露光を行う時にも好適に適用可能である。   As described above, the photomask of the present invention can be applied particularly suitably when exposure is performed by an exposure apparatus having a wavelength range of i-line to g-line, for example. Further, as the exposure apparatus, for example, a projection exposure machine can be suitably used. However, the photomask of the present invention is not limited to these forms, and can be suitably applied when exposure is performed by an exposure apparatus having another wavelength range.

上述したように、本発明のフォトマスクは、例えば、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式の液晶表示装置に使用される画素電極用のライン・アンド・スペース・パターンを形成する時に好適に適用可能である。但し、他の方式の液晶表示装置や、表示装置以外の装置をフォトリソグラフィー技術を用いて製造する際にも好適に適用可能である。   As described above, the photomask of the present invention can be suitably applied when forming line and space patterns for pixel electrodes used in, for example, VA mode and IPS mode liquid crystal display devices. However, the present invention can also be suitably applied when manufacturing other types of liquid crystal display devices or devices other than display devices using photolithography technology.

上述の実施形態においては、得ようとするライン・アンド・スペース・パターンの具体的なライン幅ＷＬと、スペース幅ＷＳの値に制限は無いが、例えば０．８ＷＬ≦ＷＳ≦１．２ＷＬとすることが好ましい。描画時の線幅制御や、サイドエッチング幅α、マスクバイアスβの設定自由度の観点から、ライン幅とスペース幅の寸法が、極端に乖離しない方が好ましい。 In the above-described embodiment, the specific line width W L and the value of the space width W S of the line-and-space pattern to be obtained are not limited, but for example 0.8 W L ≦ W S ≦ 1 .2W L is preferable. From the viewpoint of line width control at the time of drawing and the degree of freedom in setting the side etching width α and the mask bias β, it is preferable that the line width and the space width are not extremely different from each other.

以上から明らかなとおり、本発明によれば、ＬＣＤ用露光装置を用い、ｉ線〜ｇ線の露光光を使用して、かつ、露光照射量を減少させて、生産効率を低下させることなく、従来解像できなかった微細なラインアンドスペースパターンを被加工体上に形成することができる。   As is clear from the above, according to the present invention, using the exposure apparatus for LCD, using exposure light of i-line to g-line, and reducing the exposure dose, without reducing the production efficiency, A fine line and space pattern that could not be resolved conventionally can be formed on the workpiece.

１００ フォトマスク
１０２ｐ 転写用パターン
２０２ 被加工体
２０２ｐ 膜パターン
２０３ レジスト膜
２０３ｐ レジストパターン 100 Photomask 102p Transfer Pattern 202 Workpiece 202p Film Pattern 203 Resist Film 203p Resist Pattern

Claims (17)

透明基板上に、ピッチ幅Ｐのライン・アンド・スペース・パターンを含む転写用パターンを有し、前記ライン・アンド・スペース・パターンは、前記透明基板上に形成された半透光膜からなるライン部と、前記透明基板が露出してなるスペース部とを有するフォトマスクの製造方法であって、
露光装置と前記フォトマスクとを使用した露光によって、被加工体上に形成されたレジスト膜に前記転写用パターンが転写されることにより、ライン・アンド・スペースのレジストパターンが形成され、
前記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、前記被加工体に、ライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳであるようなライン・アンド・スペースの膜パターンが形成されるフォトマスクの製造方法において、
前記被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを決定し、
前記サイドエッチング幅αと、前記膜パターンのライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳとに基づき、前記転写用パターンのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳを決定し、
更に、前記決定したライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳの前記転写用パターンをもつ前記フォトマスクを用いた前記露光と、前記エッチングとによって、前記被加工体に、ライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳのライン・アンド・スペースの前記膜パターンが形成されるように、前記露光時に適用する露光条件と、前記半透光膜の光透過率とを決定する
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 A transparent substrate has a transfer pattern including a line-and-space pattern having a pitch width P on the transparent substrate, and the line-and-space pattern is a line made of a semi-transparent film formed on the transparent substrate. A photomask having a portion and a space portion formed by exposing the transparent substrate,
By the exposure using an exposure apparatus and the photomask, the transfer pattern is transferred to the resist film formed on the workpiece, thereby forming a line-and-space resist pattern,
The etching of the resist pattern as a mask, the a workpiece, the line width W L, in the manufacturing method for a photomask pattern of the line-and-space such that the space width W S is formed,
Determine side etching width α based on etching conditions when etching the workpiece,
And the side etching width alpha, the film pattern having a line width W L, based on the space width W S, to determine the line width M L, space width M S of the transfer pattern,
Further, by the exposure using the photomask having the transfer pattern having the determined line width M L and space width M S and the etching, the workpiece is provided with a line width W L and a space width W. A method of manufacturing a photomask, comprising: determining an exposure condition to be applied during the exposure and a light transmittance of the semi-transparent film so that the film pattern of S line and space is formed . 前記露光時に適用する露光条件の決定に基づき、前記半透光膜の光透過率を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。 2. The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the light transmittance of the semi-transparent film is determined based on determination of an exposure condition applied at the time of the exposure. 前記半透光膜の光透過率の決定に基づき、前記露光時に適用する露光条件を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。 2. The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein an exposure condition to be applied during the exposure is determined based on the determination of the light transmittance of the semi-transparent film. 前記サイドエッチング幅αと、前記膜パターンのライン幅ＷＬ、スペース幅ＷＳとに基づき、前記レジストパターンのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳを決定し、
前記レジストパターンのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳに基づいて、前記転写用パターンのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳを決定する
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。 Based on the side etching width α, the line width W L of the film pattern, and the space width W S , the line width R L and the space width R S of the resist pattern are determined,
2. The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the line width M L and the space width M S of the transfer pattern are determined based on the line width R L and the space width R S of the resist pattern. . 前記レジストパターンのライン幅ＲＬ、スペース幅ＲＳが、それぞれ、前記転写用パターンのライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳに等しい
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。 2. The photomask manufacturing method according to claim 1, wherein a line width R L and a space width R S of the resist pattern are equal to a line width M L and a space width M S of the transfer pattern, respectively. 前記半透光膜の光透過率はｉ線に対して１〜３０％である
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。 The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the translucent film has a light transmittance of 1 to 30% with respect to i-line. 前記半透光膜の位相シフト量は、ｉ線に対して、９０度以下である
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。 The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the phase shift amount of the semi-transparent film is 90 degrees or less with respect to i-line. 前記ピッチ幅Ｐ（μｍ）は、
Ｐ≦２Ｒを満たす
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
（但し、Ｒ＝ｋ×（λ／ＮＡ）×１／１０００
ｋ ：０．６１
λ ：前記露光に用いる波長の中央値（ｎｍ）
ＮＡ：前記露光に用いる露光装置の光学系の開口数） The pitch width P (μm) is
The photomask manufacturing method according to claim 1, wherein P ≦ 2R is satisfied.
(However, R = k × (λ / NA) × 1/1000
k: 0.61
λ: median wavelength (nm) used for the exposure
NA: Numerical aperture of the optical system of the exposure apparatus used for the exposure) 前記ピッチ幅Ｐは６（μｍ）以下である
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。 The method for manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the pitch width P is 6 (μm) or less. 透明基板上に遮光膜で形成されたライン幅ＭＬ１のライン部と、前記透明基板が露出してなるスペース幅ＭＳ１のスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐ１＞２Ｒのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスクを用いて露光し、前記レジスト膜に、ライン幅がＭＬ１に、スペース幅がＭＳ１に等しいライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成するときの露光装置による光の照射光量を標準照射光量ＥＳとしたとき、
前記露光時に適用する露光条件の決定においては、標準照射光量ＥＳよりも小さい有効照射光量ＥＥを適用するフォトマスクを製造する
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
（但し、Ｒ（μｍ）＝ｋ×（λ／ＮＡ）×１／１０００
ｋ ：０．６１
λ ：前記露光に用いる波長の中央値（ｎｍ）
ＮＡ：前記露光に用いる露光装置の開口数） A line portion of the formed light-shielding film on a transparent substrate line width M L1, the transparent substrate and a space portion of the space width M S1 formed by exposure, a line-and-pitch width P 1> 2R Exposure is performed using a photomask having a space pattern, and the resist film is used to form a line-and-space resist pattern having a line width equal to M L1 and a space width equal to M S1 . when the irradiation light amount to a standard irradiation light amount E S,
2. The photomask manufacturing method according to claim 1, wherein, in determining the exposure condition to be applied during the exposure, a photomask is manufactured to which an effective irradiation light amount E E smaller than the standard irradiation light amount E S is applied.
(However, R (μm) = k × (λ / NA) × 1/1000
k: 0.61
λ: median wavelength (nm) used for the exposure
NA: Numerical aperture of the exposure apparatus used for the exposure) 前記透明基板上に形成された前記半透光膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、前記決定されたライン幅ＭＬ、スペース幅ＭＳの前記転写用パターンを形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項９に記載のフォトマスクの製造方法。 The semi-transparent film formed on the transparent substrate is patterned by photolithography, and having a step of forming the transfer pattern of the determined line width M L, space width M S The photomask manufacturing method according to claim 9. 請求項１１に記載の製造方法によるフォトマスクを用い、ｉ線〜ｇ線の波長域を有する照射光により、前記有効照射光量ＥＥを適用して、前記被加工体上に形成された前記レジスト膜に前記転写用パターンを転写する
ことを特徴とするパターン転写方法。 Using a photomask by the manufacturing method according to claim 11, the irradiation light having a wavelength range of i-line ~g line, by applying the effective irradiation light amount E E, the resist formed on said workpiece A pattern transfer method, wherein the transfer pattern is transferred to a film. 露光装置が前記標準照射光量ＥＳの照射を行うとき、前記露光装置の最大照度Ｌを以て照射面積Ｓの照射を行う際に必要な照射時間が標準照射時間ＴＳであるとき、
前記露光装置を使用し、前記標準照射量ＥＳよりも小さい有効照射量ＥＥを適用することにより、標準照射時間ＴＳよりも小さい有効照射時間ＴＥによって、前記照射面積Ｓを照射する
ことを特徴とする請求項１２に記載のパターン転写方法。 When the exposure apparatus performs irradiation of the standard light quantity E S, when the irradiation time necessary for performing irradiation of the irradiation area S with a maximum luminance L of the exposure apparatus is a standard irradiation time T S,
Using said exposure apparatus, by applying a small effective dose E E than the standard dose ES, the small effective irradiation time T E than the standard irradiation time T S, that irradiates the irradiation area S The pattern transfer method according to claim 12, wherein: 請求項１０に記載の製造方法によるフォトマスクを用い、前記被加工体上に形成された
前記レジスト膜に前記転写用パターンを転写するパターン転写方法において、
前記決定された露光条件に基づき、前記露光装置を用いて前記フォトマスクに光を照射
する照射時間及び照度を決定し、
前記決定された照射時間及び照度を適用して露光することを含む
ことを特徴とするパターン転写方法。 A pattern transfer method for transferring the transfer pattern to the resist film formed on the workpiece using a photomask according to the manufacturing method according to claim 10,
Based on the determined exposure conditions, determine the irradiation time and illuminance for irradiating the photomask with light using the exposure apparatus,
A pattern transfer method comprising: performing exposure by applying the determined irradiation time and illuminance. 透明基板上に遮光膜で形成されたライン幅ＭＬ１のライン部と、前記透明基板が露出してなるスペース幅ＭＳ１のスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐ１＞２Ｒのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスクを用いて露光し、被加工体上に形成されたレジスト膜に、ライン幅がＭＬ１に、スペース幅がＭＳ１に等しいライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成するときの露光装置による光の照射光量を標準照射光量ＥＳとしたとき、
前記透明基板上に、半透光膜で形成されたライン幅ＭＬのライン部と、前記透明基板が露出してなるスペース幅ＭＳのスペース部とを有し、ピッチ幅Ｐのライン・アンド・スペース・パターンを備えるフォトマスクを用いて、前記標準照射光量ＥＳより小さい有効照射光量ＥＥを適用して露光し、前記レジスト膜に、ライン幅がＭＬに、スペース幅がＭＳに等しいライン・アンド・スペースのレジストパターンを形成する
ことを特徴とするパターン転写方法。
（但し、Ｒ（μｍ）＝ｋ×（λ／ＮＡ）×１／１０００
ｋ： ０．６１
λ： 前記露光に用いる波長の中央値（ｎｍ）
ＮＡ：前記露光に用いる露光装置の開口数） A line portion of the formed light-shielding film on a transparent substrate line width M L1, the transparent substrate and a space portion of the space width M S1 formed by exposure, a line-and-pitch width P 1> 2R Exposure is performed using a photomask having a space pattern, and a line-and-space resist pattern having a line width equal to M L1 and a space width equal to M S1 is formed on the resist film formed on the workpiece. when a standard irradiation light amount E S irradiation quantity of light by the exposure device when,
On the transparent substrate, and a line portion having a line width M L formed by HanToruHikarimaku, and a space portion of the space width M S of the transparent substrate is exposed, line and the pitch width P · using a photomask with a space pattern, said applying standard irradiation light amount E S is less than the effective irradiation light amount E E exposure, the resist film, the line width is M L, space width to M S A pattern transfer method comprising forming a resist pattern having equal line and space.
(However, R (μm) = k × (λ / NA) × 1/1000
k: 0.61
λ: median wavelength used for the exposure (nm)
NA: Numerical aperture of the exposure apparatus used for the exposure) 前記ピッチ幅Ｐは６μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１５に記載のパターン転写方法。 The pattern transfer method according to claim 15, wherein the pitch width P is 6 μm or less. 請求項１２〜１６に記載のパターン転写方法を用いる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 A method for manufacturing a display device, comprising using the pattern transfer method according to claim 12.
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