KR20200112705A - 다이싱 테이프 - Google Patents

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KR20200112705A
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조에 사용되는 경우에도, 웨이퍼를 적절하게 보유 지지하고, 점착제의 웨이퍼 오염에 의한 수율의 저하를 방지할 수 있는 다이싱 테이프를 제공하는 것이다.
본 발명의 다이싱 테이프는, 기재와, 해당 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비하고, 용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 사용된다. 이 점착제층의 이소프로필알코올 용출물이 5mg 이하인, 다이싱 테이프.

Description

다이싱 테이프{DICING TAPE}
본 발명은, 다이싱 테이프에 관한 것이다.
전자 부품의 집합체인 워크(예를 들어, 반도체 웨이퍼)는, 대경으로 제조되어, 표면에 패턴을 형성한 후, 통상, 웨이퍼의 두께가 100㎛ 내지 600㎛ 정도로 되도록 이면을 연삭하고, 이어서 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되어, 또한 마운트 공정으로 옮겨진다. 이 다이싱 공정에서는 워크를 절단하고, 소편화한다. 반도체의 제조 과정에서는, 반도체 웨이퍼나 다이싱 공정에서 사용되는 다이싱 프레임(예를 들어, SUS링)을 고정하기 위해서, 점착 시트가 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1).
반도체 웨이퍼는 백그라인드 공정에 의해 박형으로 가공됨으로써, 그 강도가 저하되고, 웨이퍼에 크랙 및/또는 휨이 발생하는 경우가 있다. 또한, 강도가 저하된 웨이퍼는, 그 취급도 곤란하다. 그 때문에, 미리 서포트재로서 유리나 경질 플라스틱 등을 웨이퍼에 첩부하여 백그라인드 공정을 행하고, 웨이퍼의 강도를 담보하는 경우가 있다. 이 서포트재는, 예를 들어 접착제 조성물, 또는, 접착 테이프 등을 사용하여 웨이퍼에 접합된다. 이 서포트재는, 백그라인드 공정, 그리고, 이면 배선 및 범프의 형성 공정에 제공되는 동안, 웨이퍼를 지지할 수 있다. 그 후, 웨이퍼는 점착 시트(예를 들어, 다이싱 테이프)에 접합되고, 해당 서포트재가 박리된 후, 다이싱 공정에 제공된다. 그 때문에, 서포트재를 접착하기 위한 접착제로서, 백그라인드 공정 후에 용이하게 박리 가능한 접착제가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 일반적으로는, 접착제를 사용하여 서포트재를 첩부한 경우, 용제를 사용하여 접착제를 용해시킴으로써 서포트재를 박리한다. 그러나, 이 용제에 의한 세정(접착제를 용해시킴) 공정에 있어서, 점착 테이프(다이싱 테이프)의 점착력이 저하되고, 웨이퍼를 충분히 보유 지지할 수 없다는 문제가 있다. 또한, 용제로 용해시킨 점착제에 의해 웨이퍼의 오염이 발생하고, 수율이 저하된다는 문제도 있다.
일본 특허 공개 제2003-007646호 공보 일본 특허 공개 제2014-37458호 공보
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것이고, 용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조에 사용되는 경우에도, 웨이퍼를 적절하게 보유 지지하고, 점착제의 웨이퍼 오염에 의한 수율의 저하를 방지할 수 있는 다이싱 테이프를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다이싱 테이프는, 기재와, 해당 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비하고, 용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 사용된다. 이 점착제층의 이소프로필알코올 용출물은 5mg 이하이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층을 형성하는 조성물은, 중량 평균 분자량 5000 이상의 첨가제를 포함한다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 첨가제의 함유량은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 5중량부 내지 100중량부이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 다이싱 테이프는, 요철면을 갖는 피착체에 접합하여 사용된다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 요철면을 갖는 피착체는 TSV 웨이퍼이다.
본 발명의 다이싱 테이프는, 기재와, 해당 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비하고, 이 점착제층의 이소프로필알코올 용출물은 5mg 이하이다. 이러한 다이싱 테이프를 사용함으로써, 용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조에 사용되는 경우에도, 웨이퍼를 적절하게 보유 지지하고, 점착제의 웨이퍼 오염에 의한 수율의 저하를 방지할 수 있는 다이싱 테이프를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 다이싱 테이프의 개략 단면도이다.
A. 다이싱 테이프의 개요
도 1은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 다이싱 테이프의 개략 단면도이다. 도시 예의 다이싱 테이프(100)은, 기재(10)와, 기재(10)의 한쪽 면에 배치된 점착제층(20)을 구비한다. 점착제층은, 대표적으로는, 활성에너지선 경화형 점착제 조성물로 형성된다. 실용적으로는, 사용까지의 동안, 점착제층(20)을 적절하게 보호하기 위해서, 점착제층(20)에는 세퍼레이터가 박리 가능하게 임시 부착된다. 또한, 다이싱 테이프(100)은, 임의의 적절한 다른층을 더 포함하고 있어도 된다. 바람직하게는, 점착제층은, 기재에 직접 배치된다.
본 발명의 다른 실시 형태에 있어서는, 점착제층(2)은 층 구성이며, 다이싱 테이프는, 기재와 제1 점착제층과 제2 점착제층을 이 순서로 구비한다(도시하지 않음).
본 발명의 다이싱 테이프는 용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 사용된다. 용제 세정 공정에서는, 서포트재의 첩부에 사용된 접착제를 제거하기 위한 소수성 유기 용매(예를 들어, d-리모넨)에 의한 세정, 및 이 유기 용매를 제거하기 위한 친수성 용매(예를 들어, 이소프로필알코올)에 의한 세정이 행하여진다. 점착제층(20)의 이소프로필알코올 용출물은 5mg 이하이고, 바람직하게는 4mg 이하이고, 더욱 바람직하게는 3mg 이하이다. 점착제층의 이소프로필알코올 용출물이 5mg 이하임으로써, 용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조에 사용되는 경우에도, 웨이퍼를 적절하게 보유 지지하고, 점착제의 웨이퍼 오염에 의한 수율의 저하를 방지할 수 있다. 점착제층의 이소프로필알코올 용출물은 적을수록 바람직하고, 예를 들어 0mg이어도 된다. 본 명세서에 있어서, 점착제층의 이소프로필알코올 용출물은 이하의 방법에 의해 측정한 값을 말한다. 내경 75mm의 SUS링(내경: 44.2㎠)을 다이싱 테이프의 점착제층에 접합하고, SUS링의 내측에 이소프로필알코올 4ml를 첨가하고, 30분간 정치한다. 그 후, 미리 중량을 측정한 유리병에 이소프로필알코올을 회수한다. 이어서, 이 유리병을 130℃에서 3시간 가열한 후, 180℃에서 1시간 건조시켜, 유리병의 중량을 측정한다. 가열 전(이소프로필알코올 회수 전)의 유리병의 중량에서 가열 후의 유리병 중량을 뺀 값을 용출물의 중량(mg)으로 하였다.
본 발명의 다이싱 테이프를 스테인리스판에 접착한 때의 23℃에서의 초기 점착력은, 바람직하게는 0.2N/20mm 내지 10N/20mm이고, 보다 바람직하게는 0.5N/20mm 내지 6N/20mm이다. 본 명세서에 있어서, 점착력은, JIS Z0237: 2000에 준하여 측정한 값을 말한다. 구체적으로는, 2kg의 롤러를 1왕복에 의해 다이싱 테이프를 스테인리스판(산술 평균 표면 조도 Ra: 50±25nm)에 접착하고, 23℃ 하에서 30분간 방치한 후, 박리 각도 180°, 박리 속도(인장 속도) 300mm/min의 조건에서, 다이싱 테이프를 떼어서 측정한 값을 말한다. 본 명세서에 있어서, 「초기 점착력」이란, 활성 에너지선의 조사 전의 점착력을 의미한다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 다이싱 테이프를 실리콘제 미러 웨이퍼에 접착하고, 460mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 23℃에서의 점착력은, 바람직하게는 0.01N/20mm 내지 0.3N/20mm이고, 보다 바람직하게는 0.02N/20mm 내지 0.2N/20mm이다. 이러한 범위라면, 다이싱 후의 자외선 조사에 의해 점착력이 저하되어, 소편화된 워크(예를 들어, 반도체 칩)의 픽업이 용이하게 되는 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 상기 자외선 조사는, 예를 들어 자외선 조사 장치(닛토 세이끼사제, 상품명 「UM-810」)를 사용하여, 고압 수은등의 자외선(특성 파장: 365nm, 적산 광량: 460mJ/㎠, 조사에너지: 70W/㎠)을 6.6초간 점착제층에 조사하여 행하여진다.
다이싱 테이프의 두께는, 바람직하게는 35㎛ 내지 500㎛이고, 보다 바람직하게는 60㎛ 내지 300㎛이고, 더욱 바람직하게는 80㎛ 내지 200㎛이다.
다이싱 테이프의 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 이러한 다이싱 테이프를 사용함으로써, 스텔스 다이싱 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 공정에도 적합하게 사용할 수 있다. 다이싱 테이프의 전체 광선 투과율은, 예를 들어 98％ 이하이고, 바람직하게는 99％ 이하이다.
다이싱 테이프에 있어서, 파장 1064nm의 광의 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 이러한 범위라면, 스텔스 다이싱 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 공정에도 적합하게 사용할 수 있다. 다이싱 테이프의 파장 1064nm의 광의 투과율은, 예를 들어 98％ 이하이고, 바람직하게는 99％ 이하이다.
다이싱 테이프의 헤이즈값은, 바람직하게는 20％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5％ 이하이다. 이러한 범위라면, 스텔스 다이싱 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 공정에도 적합하게 사용할 수 있다. 다이싱 테이프의 헤이즈값은, 예를 들어 1％ 이상이다.
B. 기재
상기 기재(10)는, 임의의 적절한 수지로 구성될 수 있다. 해당 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리메틸펜텐계 수지 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르케톤계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 불소계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지, 아이오노머 수지 등을 들 수 있다. 바람직하게는 폴리올레핀계 수지이다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재는, 폴리에틸렌계 수지를 포함한다. 폴리에틸렌계 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌 등을 들 수 있다.
폴리에틸렌계 수지 중, 에틸렌 유래의 구성 단위 함유 비율은, 바람직하게는 80몰％ 이상이고, 보다 바람직하게는 90몰％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 95몰％ 이상이다. 에틸렌 유래의 구성 단위 이외의 구성 단위로서는, 에틸렌과 공중합체와 공중합 가능한 단량체 유래의 구성 단위를 들 수 있고, 예를 들어 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-펜텐, 2-메틸-1-부텐, 3-메틸-1-부텐, 1-헥센, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1- 테트라데센, 1- 헥사데센, 1-옥타데센, 1-이코센 등을 들 수 있다.
폴리에틸렌계 수지의 함유량은, 기재를 형성하는 수지의 바람직하게는 80중량％ 이상이고, 보다 바람직하게는 85중량％ 내지 100중량％이고, 더욱 바람직하게는 95중량％ 내지 100중량％이다.
상기 기재는, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 가공 보조제, 충전제, 대전 방지제, 안정제, 항균제, 난연제, 착색제 등을 들 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 기재의 한쪽 면은 엠보스 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 기재의 한쪽 면에만 엠보스 처리가 실시되고, 엠보스 처리면을 점착제층측이 면으로 한다. 점착제층측의 면에 엠보스 처리를 실시함으로써, 점착제층과 기재의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 기재의 엠보스 미처리면의 산술 평균 표면 조도 Ra(JIS B 0601)는, 바람직하게는 1.0㎛ 미만이고, 보다 바람직하게는 0.8㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하이고, 특히 바람직하게는 0.01㎛ 내지 0.5㎛이다. 또한, 기재의 엠보스 처리면의 산술 평균 표면 조도 Ra(JIS B 0601)는, 바람직하게는 1.0㎛ 내지 3㎛이고, 보다 바람직하게는 1.4㎛ 내지 2㎛이다. 기재의 엠보스 처리면의 산술 평균 표면 조도 Ra가 3㎛를 초과하면, 점착제층과 기재 사이에 공극이 생기기 쉬워질 우려가 있다. 또한, 당해 Ra가 1㎛보다 작으면, 기재 보관 시에 블로킹이 발생할 우려가 있다.
상기 기재의 두께는, 바람직하게는 30㎛ 내지 300㎛이고, 보다 바람직하게는 53㎛ 내지 200㎛이고, 더욱 바람직하게는 70㎛ 내지 160㎛이다.
기재의 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 기재의 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 98％ 이하이고, 보다 바람직하게는 99％ 이하이다.
상기 기재의 22℃에서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50MPa 내지 120MPa이고, 보다 바람직하게는 70MPa 내지 90MPa이다. 이러한 범위라면, 익스팬드성이 우수한 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 기재의 인장 탄성률의 측정은, 인장 시험기(SHIMADZU사제, 「AG-IS」)를 사용하여, 척간 거리: 50mm, 인장 속도: 300mm/min, 기재 폭: 10mm의 조건에서 행하여진다.
C. 점착제층
점착제층(20)은, 점착제층을 형성하는 조성물(점착제 조성물)을 사용하여 형성된다. 상기한 바와 같이, 점착제층의 이소프로필알코올 용출물은 5mg 이하이다. 점착제층의 이소프로필알코올 용출물이 5mg 이하임으로써, 용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 사용되는 경우에도, 웨이퍼를 적절하게 보유 지지하고, 점착제의 웨이퍼 오염에 의한 수율의 저하를 방지할 수 있는 다이싱 테이프를 제공할 수 있다.
C-1. 점착제 조성물
점착제층 조성물(점착제)로서는, 임의의 적절한 점착제가 사용된다. 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 들 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 점착제 조성물은, 활성 에너지선 경화형 점착제 조성물인 것이 바람직하다. 활성 에너지선 경화형 점착제를 사용함으로써, 다이싱 후의 활성 에너지선(대표적으로는, 자외선) 조사에 의해 점착력이 저하되고, 소편화된 워크(예를 들어, 반도체 칩)의 픽업을 용이하게 할 수 있는 다이싱 테이프를 얻을 수 있다.
C-1-1. 베이스 폴리머
점착제 조성물은, 점착성을 나타내는 베이스 폴리머를 포함할 수 있다. 베이스 폴리머를 구성하는 모노머로서는, 예를 들어 친수성 모노머를 들 수 있다. 친수성 모노머로서는, 극성기를 갖는 임의의 적절한 모노머를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이코탄산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, 아크릴로일모르폴린 등의 (N-치환)아미드계 모노머; (메트)아크릴산아미노에틸, (메트)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산메톡시에틸, (메트)아크릴산에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산알콕시알킬계 모노머; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 모노머; 아세트산비닐, 프로비온산비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산아미드류, 스티렌, α-메틸스티렌, N-비닐카프로락탐 등의 비닐계 모노머; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 모노머; (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 불소(메트)아크릴레이트, 실리콘(메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산에스테르계 모노머; 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 등의 다관능 모노머를 들 수 있다. 친수성 모노머로서는, 히드록실기 함유 모노머 및/또는 (N-치환)아미드계 모노머를 적합하게 사용할 수 있다. 친수성 모노머는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
또한, 상기 친수성 모노머와 소수성 모노머를 조합하여 사용해도 된다. 소수성 모노머로서는, 소수성을 갖는 모노머이면 되고, 임의의 적절한 모노머를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 2-에틸헥산산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐, 스테아릴비닐에테르 등의 탄소수 9 내지 30의 알킬기를 갖는 비닐알킬 또는 아릴에테르; (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, 아크릴산이소옥틸, 아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산라우릴, (메트)아크릴산올레일, (메트)아크릴산팔미틸 및 (메트)아크릴산스테아릴(메트)아크릴산의 탄소수 6 내지 30의 알킬에스테르; 지방산 및 지방족 알코올로부터 유도되는 (메트)아크릴산의 불포화 비닐에스테르; 콜레스테롤로 유도되는 모노머; 1-부텐, 2-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 이소부틸렌, 이소프렌 등의 올레핀 모노머를 들 수 있다. 소수성 모노머는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 또한, 본 발명에서 사용하는 소수성 모노머는, 물 100g에 대한 용해도가 0.02g 이하인 모노머를 말한다.
상기 베이스 폴리머는, 상기 친수성 모노머 및 소수성 모노머 이외의 모노머 성분을 더 포함하고 있어도 된다. 다른 모노머 성분으로서는, 부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트 등의 알킬아크릴레이트 등을 들 수 있다. 다른 모노머 성분은 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상기 베이스 폴리머는, 분자 내에 경화성의 관능기를 갖는 이소시아네이트계 화합물 유래의 구성 단위를 더 포함하고 있어도 된다. 이소시아네이트계 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 베이스 폴리머는, 예를 들어 상기 친수성 모노머 유래의 구성 단위가 갖는 치환기(예를 들어, OH기)와 이소시아네이트계 화합물의 NCO기를 반응시켜서 얻을 수 있다. 상기 이소시아네이트계 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상기 점착제를 구성하는 베이스 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 내지 200만이고, 보다 바람직하게는 50만 내지 150만이다. 중량 평균 분자량은, GPC(용매: THF)에 의해 측정될 수 있다.
C-1-2. 중량 평균 분자량 5000 이상의 첨가제
점착제 조성물은, 중량 평균 분자량이 5000 이상인 첨가제를 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 첨가제를 포함함으로써, 점착제층의 이소프로필알코올 용출물의 양을 저감할 수 있다. 또한, 피착체가 요철면을 갖는 경우(예를 들어, TSV 웨이퍼)라도 오목부에도 점착제층이 밀착하고, 피착체를 충분히 보유 지지할 수 있다. 첨가제의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 7000 이상이고, 보다 바람직하게는 8000 이상이고, 더욱 바람직하게는 10000 이상이다. 또한, 첨가제의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 70000 이하이고, 더욱 바람직하게는 50000 이하이다. 첨가제의 중량 평균 분자량은, 예를 들어 GPC(용매: THF)에 의해 측정할 수 있다.
중량 평균 분자량이 5000 이상인 첨가제로서는, 예를 들어 임의의 적절한 폴리머 또는 올리고머를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 활성 에너지선 반응성 올리고머, 열경화성 올리고머 등을 들 수 있다. 바람직하게는 활성 에너지선 반응성 올리고머이다. 이러한 첨가제는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
활성 에너지선 반응성 올리고머로서는, 예를 들어 우레탄 아크릴레이트계 올리고머, 에폭시(메트)아크릴레이트계 올리고머, 아크릴(메트)아크릴레이트계 올리고머 등을 들 수 있다. 바람직하게는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머, 아크릴(메트)아크릴레이트계 올리고머 등이 사용된다.
상기 활성 에너지선 반응성 올리고머로서는, 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, 닛본 고세 가가꾸 고교사제, 시코(등록 상표) UV-3000B(중량 평균 분자량: 18000), 도아 고세사제, 상품명: 아로닉스 M321(중량 평균 분자량: 10000) 등을 들 수 있다.
열경화성 올리고머로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복실기, 수산기, 아미노기 등의 열경화성 관능기를 적어도 하나 갖는 임의의 적절한 올리고머를 사용할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 하나의 실시 형태에 있어서는, 점착제층은 2층 구조를 갖는다. 이러한 2층 구조의 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프로 하는 경우, 적어도 제2 점착제층(피착체와 접하는 점착제층)이 중량 평균 분자량이 5000 이상의 첨가제를 포함하고 있으면 된다.
C-1-3. 중합 개시제
활성 에너지선 경화형 점착제 조성물은, 대표적으로는 중합 개시제를 포함한다. 중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 사용할 수 있고, 바람직하게는 광중합 개시제가 사용된다. 광중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 사용할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 광중합 개시제의 사용량은, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다. 광중합 개시제의 사용량은, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 바람직하게는 1중량부 내지 10중량부이고, 보다 바람직하게는 3중량부 내지 7중량부이다.
상기 광중합 개시제로서, 시판품을 사용해도 된다. 예를 들어, BASF사제의 상품명 「이르가큐어 651」, 「이르가큐어 184」, 「이르가큐어 369」, 「이르가큐어 819」, 「이르가큐어 2959」 등을 들 수 있다.
C-1-4. 가교제
활성 에너지선 경화형 점착제 조성물은, 바람직하게는 가교제를 더 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하게 사용된다. 이소시아네이트계 가교제는, 다종의 관능기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류; 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도소사제, 상품명 「코로네이트 L」), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사제, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 이소시아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 사용된다.
활성 에너지선 경화형 점착제 조성물은, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함하고 있어도 된다. 첨가제로서는, 예를 들어 활성 에너지선 중합 촉진제, 라디칼 포착제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트리멜리트산에스테르계 가소제, 피로멜리트산에스테르계 가소제), 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
가교제의 함유량은, 임의의 적절한 양으로 조정할 수 있다. 예를 들어, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 0.005중량부 내지 20중량부이고, 바람직하게는 0.02중량부 내지 10중량부이다. 또한, 점착제층이 단층 구성의 경우, 상기 가교제의 함유 비율은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1중량부 내지 10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 8중량부이다. 이러한 범위라면, 탄성률이 적절하게 조정된 점착제층을 형성할 수 있다.
C-2. 단층 구성의 점착제층
하나의 실시 형태에 있어서는, 점착제층은 단층으로 구성된다. 점착제층이 단층 구성인 경우, 상기 점착제층의 22℃에서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.05MPa 내지 1MPa이고, 보다 바람직하게는 0.1MPa 내지 0.8MPa이고, 더욱 바람직하게는 0.15MPa 내지 0.6MPa이다. 이러한 범위라면, 충분한 강도를 갖는 점착제층을 형성할 수 있고, 또한, 점착제층과 기재가 양호하게 밀착되고, 기재와 점착제층의 계면 근방에 있어서의 공극의 발생을 억제할 수 있다. 특히, 점착제층측의 면에 엠보스 처리가 실시된 기재를 사용하는 경우, 통상이라면 공극이 발생하기 쉬워진다. 점착제층의 인장 탄성률을 상기 범위로 함으로써, 공극의 발생을 억제할 수 있다. 인장 탄성률이 1MPa를 초과하면, 기재의 엠보스면에 점착제층을 적층할 때, 점착제층이 기재의 요철에 추종되지 않을 우려가 있다. 또한, 인장 탄성률이 0.05MPa보다 작은 경우, 점착제층이 정형을 유지하지 않고, 또한, 충분한 특성을 갖지 않게 될 우려가 있다. 또한, 상기한 바와 같이, 점착제층이 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 구성되는 경우, 활성 에너지선 조사 전의 22℃에서의 인장 탄성률이 당해 범위인 것이 바람직하다. 점착제층의 인장 탄성률의 측정 방법은, 후술한다.
점착제층이 단층 구성인 경우, 점착제층의 자외선(460mJ/㎠) 조사 후의 22℃에서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50MPa 내지 3000MPa이고, 보다 바람직하게는 100MPa 내지 1500MPa이고, 더욱 바람직하게는 200MPa 내지 1000MPa이다. 이러한 범위라면, 픽업성이 우수한 다이싱 테이프를 얻을 수 있다.
점착제층이 단층 구성인 경우, 점착제층의 두께는, 바람직하게는 5㎛ 내지 470㎛이고, 보다 바람직하게는 7㎛ 내지 247㎛이고, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 130㎛이다. 이러한 범위라면, 엠보스 처리면에 점착제층을 형성하는 경우에, 해당 점착제층이 엠보스를 양호하게 매립하고, 불필요한 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
점착제층의 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 점착제층의 전체 광선 투과율은, 예를 들어 98％ 이하이고, 바람직하게는 99％ 이하이다.
점착제층의 헤이즈값은, 바람직하게는 20％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5％ 이하이다. 점착제층의 헤이즈값은, 예를 들어 1％ 이상이다.
C-3. 2층 구성의 점착제층
다른 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층은, 2층으로 구성된다. 이하, 편의상, 기재측의 점착제층을 제1 점착제층으로 하고, 기재와 반대측의 점착제층을 제2 점착제층으로 한다. 제1 점착제층과 제2 점착제층은, 인장 탄성률의 상이에 의해 구별될 수 있다. 제1 점착제층은, 제2 점착제층보다도 저탄성인 것이 바람직하다. 저탄성인 제1 점착제층을 기재측으로 함으로써, 점착제층과 기재가 양호하게 밀착하고, 기재와 점착제층의 계면 근방에 있어서의 공극의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 고탄성인 제2 점착제층을 구비함으로써, 고정밀도의 다이싱에 기여할 수 있는 다이싱 테이프로서 사용할 수 있다.
이 실시 형태에 있어서, 제1 점착제층의 22℃에서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.05MPa 내지 1MPa이고, 보다 바람직하게는 0.06MPa 내지 0.8MPa이고, 더욱 바람직하게는 0.07MPa 내지 0.5MPa이다. 이러한 범위라면, 점착제층과 기재가 양호하게 밀착하고, 기재와 점착제층의 계면 근방에 있어서의 공극의 발생을 현저하게 억제할 수 있다. 특히, 점착제층측의 면에 엠보스 처리가 실시된 기재를 사용하는 경우, 통상이라면 공극이 발생하기 쉬워진다. 점착제층의 인장 탄성률을 상기 범위로 함으로써, 공극의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 제1 점착제층이 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 구성되는 경우, 활성 에너지선 조사 전의 22℃에서의 인장 탄성률이 당해 범위인 것이 바람직하다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 제1 점착제층의 자외선(460mJ/㎠) 조사 후의 22℃에서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50MPa 내지 300MPa이고, 보다 바람직하게는 100MPa 내지 1500MPa이고, 더욱 바람직하게는 200MPa 내지 1000MPa이다. 이러한 범위라면, 픽업성이 우수한 다이싱 테이프로서 적합하게 사용할 수 있다.
제2 점착제층의 22℃에서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.1MPa 내지 2MPa이고, 보다 바람직하게는 0.15MPa 내지 1.5MPa이고, 더욱 바람직하게는 0.2MPa 내지 1MPa이다. 이러한 범위라면, 점착제층 전체로서 적당한 강성을 갖고, 고정밀도의 다이싱에 기여할 수 있는 다이싱 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 제2 점착제층이 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 구성되는 경우, 활성 에너지선 조사 전의 22℃에서의 인장 탄성률이 당해 범위인 것이 바람직하다.
제1 점착제층의 두께는, 바람직하게는 5㎛ 내지 468㎛이고, 보다 바람직하게는 7 ㎛ 내지 244㎛이다. 제1 점착제층의 두께가 5㎛ 이상이면, 엠보스 처리면에 제1 점착제층을 형성하는 경우에, 해당 제1 점착제층이 엠보스를 양호하게 매립하여, 불필요한 공극이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 점착제층이 468㎛ 이하이면, 다이싱 테이프로서 사용할 때에 소편화된 워크(예를 들어, 반도체 칩)의 픽업이 용이하게 될 수 있다.
제2 점착제층의 두께는, 바람직하게는 2㎛ 내지 465㎛이고, 보다 바람직하게는 3㎛ 내지 240㎛이다.
점착제층이 2층 구성인 경우, 점착제층의 총 두께는, 바람직하게는 7㎛ 내지 470㎛이고, 보다 바람직하게는 10㎛ 내지 247㎛이고, 더욱 바람직하게는 15㎛ 내지 130㎛이다.
점착제층이 2층 구성인 경우, 점착제층의 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 70％ 이상이고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이고, 특히 바람직하게는 95％ 이상이다. 점착제층의 전체 광선 투과율은, 예를 들어 98％ 이하이고, 바람직하게는 99％ 이하이다.
점착제층이 2층 구성인 경우, 점착제층의 헤이즈값은, 바람직하게는 20％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5％ 이하이다. 점착제층의 헤이즈값은, 예를 들어 1％ 이상이다.
제1 점착제층 및 제2 점착제층을 구성하는 점착제로서는, 상기 C-1항에서 설명한 점착제가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 활성 에너지선 경화형 점착제가 사용된다.
제1 점착제층을 구성하는 활성 에너지선 경화형 점착제의 가교제 함유량은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.005중량부 내지 5중량부이고, 보다 바람직하게는 0.02중량부 내지 3중량부이다. 이러한 범위라면, 탄성률이 적절하게 조정되어, 기재의 엠보스면을 양호하게 매립하고, 또한 정형을 보유 지지할 수 있는 점착제층을 형성할 수 있다.
제2 점착제층을 구성하는 활성 에너지선 경화형 점착제의 가교제 함유량은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 1중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 2중량부 내지 10중량부이다. 이러한 범위라면, 탄성률 및 점착력(다이싱 시의 웨이퍼의 보유 지지와, 다이싱 후의 칩 픽업을 양립할 수 있는 점착력)이 적절하게 조정된 점착제층을 형성할 수 있다.
D. 다이싱 테이프의 제조 방법
상기 다이싱 테이프는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 다이싱 테이프는, 예를 들어 기재 상에, 상기 점착제를 도포 시공하여 얻어질 수 있다. 도포 시공 방법으로서는, 바 코터 도포 시공, 에어 나이프 도포 시공, 그라비아 도포 시공, 그라비아 리버스 도포 시공, 리버스 롤 도포 시공, 립 도포 시공, 다이 도포 시공, 딥 도포 시공, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 다양한 방법을 채용할 수 있다. 또한, 별도, 세퍼레이터에 점착제층을 형성한 후, 그것을 기재에 접합하는 방법 등을 채용해도 된다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 시험 및 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「％」는 중량 기준이다.
<제조예 1> 폴리머 용액의 조제
아크릴산2-메톡시에틸 100중량부, 아크로일모르폴린 27중량부, 아크릴산2-히드록시에틸 22중량부를 혼합하여, 모노머액 1을 조제하였다. 이어서, 질소 도입관, 온도계, 교반기를 구비한 반응 용기에 질소를 도입하고, 질소 분위기 하에서, 아세트산에틸 500중량부, 모노머액 1, 및 아조이소부틸니트릴(AIBN) 0.2중량부를 투입하고, 60℃에서 24시간 교반하였다. 그 후, 실온까지 냉각하고, 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량: 60만)를 함유하는 아크릴계 공중합체 용액을 얻었다. 얻어진 아크릴계 공중합체 용액에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 24중량부를 첨가하고 반응시켜서, 공중합체 중의 아크릴산2-히드록시에틸의 측쇄 말단 OH기에 NCO기를 부가하고, 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴계 공중합체 용액 1(폴리머)을 얻었다.
[실시예 1 내지 6]
(제1 점착제층 형성 조성물의 조제)
제조예 1에서 얻어진 아크릴계 중합체 용액 100중량부에 가교제(도소사제, 상품명: 코로네이트 L) 0.025중량부, 광중합 개시제(BASF사제, 상품명: 이르가큐어 184) 7중량부, 및 희석 용제(아세트산에틸)를 배합·교반하여 점착제 조성물을 얻었다.
(제2 점착제층 형성 조성물의 조제)
제조예 1에서 얻어진 아크릴계 중합체 용액 100중량부에 광중합 개시제(시바·재팬사제, 상품명: 이르가큐어 184) 7중량부, 표 1에 기재된 첨가량의 가교제(도소사제, 상품명: 코로네이트 L) 및 첨가제, 그리고, 희석 용제(아세트산에틸)를 배합·교반하여 점착제 조성물을 얻었다.
(기재의 제작)
고압 폴리에틸렌(PE)(스미토모 가가꾸(주)제, 상품명: 스미카센 F213-P)을 압출기에 투입하고, T 다이 용융 공압출(압출기: 지·엠·엔지니어링사제, 상품명: GM30-28/T 다이: 피드 블록 방식; 압출 온도 240℃)을 행하고, 이어서, 필름의 편면에 표면 조도 Ra: 1.42㎛의 엠보스 처리를 행하여, 두께가 100㎛의 필름을 얻었다. 또한, 층의 두께는, T 다이 출구의 형상에 의해 제어하였다. 얻어진 필름의 엠보스면에 대하여 코로나 처리를 행하였다. 또한, 엠보스면의 표면 조도 Ra는 가부시키가이샤 키엔스사제, 상품명: VK-X150으로 측정하였다.
(세퍼레이터의 제작)
폴리에틸렌테레프탈레이트계(PET) 필름(미쓰비시 쥬시사제, 상품명: MRF38, 두께: 38㎛)의 한쪽 면에 실리콘 처리한 것을 세퍼레이터로서 사용하였다.
(다이싱 테이프의 제작)
상기 세퍼레이터의 실리콘 처리면에, 제1 점착제층 형성 조성물을 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열하여, 두께 10㎛의 제1 점착제층을 형성하였다.
별도, 상기 세퍼레이터의 실리콘 처리면에, 제2 점착제층 형성 조성물을 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열하여, 표 1에 기재된 두께의 점착제층을 형성하였다.
핸드 롤러를 사용하여, 기재에 제1 점착제층을 전사하고, 또한, 제1 점착제층에 제2 점착제층을 전사한 후, 50℃에서 48시간 에이징 처리하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착제층은, 기재의 엠보스 처리면 상에 적층하였다.
(비교예 1 내지 7)
표 1에 기재된 첨가제를 사용한 것, 및 표 1에 기재된 함유량으로 가교제 및 첨가제를 사용한 것 이외에는 실시예와 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다.
실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 테이프를 사용하여 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(1) 이소프로필알코올 용출물의 측정
내경 75mm의 SUS링(내경: 44.2㎠)을 다이싱 테이프의 점착제층에 접합하여, SUS링의 내측에 이소프로필알코올 4ml를 첨가하고, 30분간 정치하였다. 그 후, 미리 중량을 측정한 유리병에 이소프로필알코올을 회수하였다. 이어서, 이 유리병을 130℃에서 3시간 가열한 후, 180℃에서 1시간 건조시켜, 유리병의 중량을 측정하였다. 가열 전(이소프로필알코올 회수 전)의 유리병의 중량으로부터 가열 후의 유리병의 중량을 뺀 값을 용출물의 중량으로 하였다.
(2) 단차 추종성(범프 메워짐성)
백그라인드 테이프 접착기(닛토 세이끼사제, 제품명: R-3000III)를 사용하여, 다이싱 테이프의 반송 속도 10mm/sec, 접착 시의 가압 0.20MPa의 조건 하, 반도체 웨이퍼(높이 5㎛/간격 30㎛의 범프가 형성된 4인치의 실리콘 미러 웨이퍼)에, 다이싱 테이프를 접착하였다. 접착 후, 다이싱 테이프가 구비된 반도체 웨이퍼를 22℃의 환경 하에 두고, 광학 현미경(250배)으로, 범프-범프 간의 스페이스에 다이싱 테이프가 접착하고 있는지의 여부에 의해, 단차 추종성을 평가하였다. 표 1 중, 해당 스페이스에 다이싱 테이프가 접착하고 있는 경우를 ○, 접착하고 있지 않은 경우를 ×로 한다.
Figure pat00001
표 1로부터 명백해진 바와 같이, 실시예 1 내지 6의 다이싱 테이프는, 이소프로필알코올 용출물의 양이 적고, 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있었다. 또한, 매립성도 우수하고, 요철면을 갖는 피착체에도 적합하게 사용할 수 있는 것이었다.
10: 기재
20: 점착제층
100: 다이싱 테이프

Claims (5)

  1. 기재와, 해당 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비하고,
    용제 세정 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 사용되는 다이싱 테이프이며,
    해당 점착제층의 이소프로필알코올 용출물이 5mg 이하인, 다이싱 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 점착제층을 형성하는 조성물이, 중량 평균 분자량 5000 이상의 첨가제를 포함하는, 다이싱 테이프.
  3. 제2항에 있어서, 상기 첨가제의 함유량이, 점착제층을 형성하는 조성물의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 5중량부 내지 100중량부인, 다이싱 테이프.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 요철면을 갖는 피착체에 접합하여 사용되는, 다이싱 테이프.
  5. 제1항에 있어서, 상기 요철면을 갖는 피착체가 TSV 웨이퍼인, 다이싱 테이프.
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