KR20210033911A - 점착 테이프 - Google Patents

Abstract

[과제] 내열성이 우수하고, 가열 공정을 거쳤을 경우에도 우수한 익스팬드성을 갖는 점착 테이프를 제공하는 것.
[해결 수단] 본 발명의 점착 테이프는, 기재와, 해당 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비한다. 이 점착 테이프는, 150℃에서 30분간 스테이지 가온 첩부한 후의 인장 전단 접착 강도가 0.05N/20mm 이하이며, 또한 신장 10% 시의 응력이 15N 이하이다.

Description

점착 테이프{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE}

본 발명은, 점착 테이프에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 적합한 점착 테이프에 관한 것이다.

전자 부품의 집합체인 워크(예를 들어, 반도체 웨이퍼)는, 대직경으로 제조되어, 표면에 패턴을 형성한 후, 통상, 웨이퍼의 두께가 100μm∼600μm 정도가 되도록 이면이 연삭되고, 그 다음에 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되고, 추가로 마운트 공정으로 옮겨진다. 이 다이싱 공정에서는 워크를 절단하여, 소편화한다. 반도체의 제조 과정에서는, 반도체 웨이퍼나 다이싱 공정에서 이용되는 다이싱 프레임(예를 들어, SUS 링)을 고정하기 위해서, 점착 시트가 이용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1).

반도체 웨이퍼의 가공 공정에 이용되는 점착 테이프에는, 공정에 따른 특성이 요구된다. 예를 들어, 다이싱 공정에 이용되는 점착 테이프에는, 다이싱 공정 시에 절삭 부스러기가 나오지 않는 특성, 및 다이싱 후의 칩의 픽업성, 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드성 등이 요구된다. 또한, 반도체 웨이퍼의 가공 공정에서는 다이싱 공정의 전후에 가열 공정을 포함하는 경우가 있다. 이 가열 공정에서는, 반도체 웨이퍼에 점착 테이프가 첩부된 상태로 가열 공정에 제공된다. 상기와 같은, 다이싱 공정에 적합하게 이용되는 점착 테이프는, 내열성에 개선의 여지가 있다. 그 때문에, 가열 공정을 포함하는 경우에는, 반도체 웨이퍼에 첩부하는 점착 시트를 바꿔 붙이는 공정이 필요해진다.

일본 특허공개 2003-007646호 공보 일본 특허공개 2014-37458호 공보

본 발명은, 상기 종래의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 내열성이 우수하고, 가열 공정을 거쳤을 경우에도 우수한 익스팬드성을 갖는 점착 테이프를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 점착 테이프는, 기재와, 해당 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비한다. 이 점착 테이프는, 150℃에서 30분간 스테이지 가온 첩부한 후의 인장 전단 접착 강도가 0.05N/20mm 이하이며, 또한 신장 10% 시의 응력이 15N 이하이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착 테이프의 파단 신도는 300% 이상이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착 테이프의 150℃에서 30분간 가열 후의 수축률은 1.0% 이하이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착 테이프의 초기 탄성률은 500MPa 이하이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 기재는 지방족 폴리에스터 수지를 포함한다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착 테이프의 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수는 1000ppm/℃ 이하이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 기재의 용융 개시점은 150℃를 초과한다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착 테이프는 반도체 웨이퍼 가공 공정에 이용된다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 반도체 웨이퍼의 가공 공정은 가열 공정 및 익스팬드 공정을 포함한다.

하나의 실시형태에 있어서는, 상기 점착 테이프는 다이싱 테이프로서 이용된다.

본 발명의 점착 테이프는, 기재와, 해당 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비한다. 이 점착 테이프는, 150℃에서 30분간 스테이지 가온 첩부한 후의 인장 전단 접착 강도가 0.05N/20mm 이하이며, 또한 신장 10% 시의 응력이 15N 이하이다. 본 발명의 점착 테이프는, 내열성이 우수하다. 그 때문에, 가열 공정이 포함되는 제조 공정에 이용되는 경우에도 점착 테이프를 바꿔 붙이는 공정이 불필요해진다. 또한, 본 발명의 점착 테이프는, 종래의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프와 마찬가지로 반도체 웨이퍼 가공 공정에 적합하게 이용할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 점착 테이프는, 우수한 익스팬드성을 갖는다. 더욱이, 가열 공정을 거쳤을 경우에도 우수한 익스팬드성(면방향으로의 신장)을 유지할 수 있다. 그 때문에, 면방향으로 점착 테이프를 익스팬드시키는 익스팬드 공정에 적용되는 경우에도, 점착 테이프가 파단되지 않아, 다이싱 후의 소편화된 워크(예를 들어, 반도체 칩)를 양호하게 픽업할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 생산성이 향상될 수 있다.

[도 1] 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 점착 테이프의 개략 단면도이다.

A. 점착 테이프의 개요

도 1은, 본 발명의 하나의 실시형태에 의한 점착 테이프의 개략 단면도이다. 도시 예의 점착 테이프(100)는, 기재(10)와, 기재(10)의 한쪽 면에 배치된 점착제층(20)을 구비한다. 점착제층은, 대표적으로는, 활성 에너지선 경화형 점착제 조성물로 형성된다. 실용적으로는, 사용까지의 동안, 점착제층(20)을 적절히 보호하기 위해서, 점착제층(20)에는 세퍼레이터가 박리 가능하게 가착된다. 또한, 점착 테이프(100)는, 임의의 적절한 다른 층을 추가로 포함하고 있어도 된다. 바람직하게는, 점착제층은, 기재에 직접 배치된다.

본 발명의 다른 실시형태에 있어서는, 점착제층은 2층 구성이며, 점착 테이프는, 기재와 제 1 점착제층과 제 2 점착제층을 이 순서로 구비한다(도시하지 않음).

상기 점착 테이프는, 150℃에서 30분간 스테이지 가온 첩부한 후(이하, 스테이지 가온 첩부라고도 한다)의 인장 전단 접착 강도가 0.05N/20mm 이하이고, 바람직하게는 0.02N/20mm 이하이며, 보다 바람직하게는 측정 한계치 이하이다. 스테이지 가온 첩부 후의 인장 전단 접착 강도가 0.05N/20mm 이하인 것에 의해, 가열 공정을 거친 후에 있어서도 가열 공정에서 용융된 점착 테이프, 보다 상세하게는 용융된 기재에 의한 스테이지 오염을 방지할 수 있다. 또한, 점착 테이프의 스테이지 가온 첩부 후의 접착력은 약할수록 바람직하고, 측정 한계치 이하(실질적으로 인장 전단 접착 강도가 없는 상태)여도 된다. 그 때문에, 실시형태에 따라서는, 점착 테이프의 스테이지 가온 첩부 후의 인장 전단 접착 강도 자체를 측정할 수 없는 경우가 있다. 본 발명의 점착 테이프로서는 스테이지 가온 후의 접착력을 측정할 수 없는 것도 적합하게 이용할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 150℃에서 30분간 스테이지 가온 첩부한 후의 인장 전단 접착 강도란, 후술하는 실시예에 기재하는 방법으로 측정한 인장 전단 접착 강도를 말한다.

점착 테이프의 신장 10% 시의 응력은, 15N 이하이고, 바람직하게는 10N 이하이며, 보다 바람직하게는 8N 이하이고, 더 바람직하게는 5N 이하이다. 신장 10% 시의 응력이 상기 범위인 것에 의해, 양호한 익스팬드성을 갖는 점착 테이프를 얻을 수 있다. 그 때문에, 예를 들어, 면방향으로 연신하는 익스팬드 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 이용했을 경우에도, 면방향(MD 방향 및 TD 방향)으로 양호하게 확장시킬 수 있어, 계속되는 픽업 공정에 있어서 다이싱한 반도체 웨이퍼를 효율 좋게 픽업할 수 있다. 신장 10% 시의 응력은, 바람직하게는 4N 이상이다. 본 명세서에 있어서, 신장 10% 시의 응력이란, 후술하는 실시예에 기재하는 방법으로 측정한 응력을 말한다.

점착 테이프의 파단 신도는, 바람직하게는 300% 이상이고, 보다 바람직하게는 400% 이상이며, 더 바람직하게는 450% 이상이다. 또한, 점착 테이프의 파단 신도는, 바람직하게는 1000% 이하이다. 파단 신도가 상기 범위인 것에 의해, 점착 테이프를 익스팬드 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 적합하게 이용할 수 있다. 점착 테이프의 파단 신도는 임의의 적절한 방법으로 측정할 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서는, 점착 테이프는 TD 방향 및 MD 방향으로 상기 파단 신도를 갖는다. TD 방향 및 MD 방향으로 상기 파단 신도를 갖는 것에 의해, 익스팬드 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있다.

점착 테이프의 150℃에서 30분간 가열 후의 수축률은, 바람직하게는 1.5% 이하이고, 보다 바람직하게는 1.0% 이하이며, 더 바람직하게는 -0.5%∼1.0%이고, 특히 바람직하게는 -0.2%∼0.7%이며, 가장 바람직하게는 0%∼0.5%이다. 150℃에서 30분간 가열 후의 수축률이 상기 범위인 것에 의해, 가열 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에도 적합하게 이용할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 150℃에서 30분간 가열 후의 수축률은, 후술하는 실시예에 기재하는 방법으로 측정할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 수축률이 -(마이너스)인 경우, 가열 후에 초기치보다도 커진(신장된) 것을 의미하고, 수축률이 +(플러스)인 경우, 가열 후에 초기치보다도 작아진(수축된) 것을 의미한다.

점착 테이프의 초기 탄성률은, 바람직하게는 500MPa 이하이고, 보다 바람직하게는 300MPa 이하이며, 더 바람직하게는 200MPa 이하이다. 초기 탄성률이 상기 범위인 것에 의해, 반도체 웨이퍼 가공 공정에 이용되는 점착 테이프로서 적합하게 이용할 수 있다. 점착 테이프의 초기 탄성률은 바람직하게는 50MPa 이상이다. 점착 테이프의 초기 탄성률은 임의의 적절한 방법에 의해 측정할 수 있다.

점착 테이프의 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수는, 바람직하게는 1000ppm/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 950ppm/℃ 이하이며, 더 바람직하게는 600ppm/℃ 이하이다. 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수가 상기 범위인 것에 의해, 가열 공정에 제공된 기재에서의 주름의 발생, 및 가열 공정에 제공된 점착 테이프의 변형의 발생을 방지할 수 있다. 점착 테이프의 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수는, 예를 들어, 300ppm/℃ 이상이다. 점착 테이프의 선팽창 계수는, 열기계 분석(TMA)에 의해 분석할 수 있다. 구체적으로는, 이하의 방법에 의해 분석할 수 있다. 얻어진 샘플을 폭 3mm, 척간 거리 16.05mm로 하여 열기계 분석 장치(TA Instruments사제, 제품명: TMAQ-400)에 세팅한다. 질소 분위기하, 하중 1.96mN의 조건에서, 25℃부터 160℃까지 10℃/분의 조건으로 승온한다. 본 명세서에 있어서는, 샘플의 두께의 선팽창에 수반하는 변위량을 측정하고, 100℃부터 150℃의 샘플 변위량으로부터 얻어지는 값을 기재의 선팽창 계수로 한다.

점착 테이프의 두께는 임의의 적절한 범위로 설정될 수 있다. 바람직하게는 50μm∼300μm이고, 보다 바람직하게는 55μm∼250μm이다.

B. 기재

기재(10)는, 임의의 적절한 수지로 구성될 수 있다. 해당 수지로서는, 얻어지는 점착 테이프의 스테이지 가온 첩부 후의 인장 전단 접착 강도가 0.05N/20mm 이하, 또한 신장 10% 시의 응력이 15N 이하가 되는 수지를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 지방족 폴리에스터 수지 등을 이용할 수 있다. 바람직하게는, 지방족 다가 카복실산과 지방족 다가 알코올을 탈수 축합시켜 얻어지는 폴리에스터 수지, 보다 바람직하게는 지환식 다가 카복실산과 지환식 다가 알코올을 탈수 축합하여 얻어지는 폴리에스터 수지를 들 수 있다.

지방족 폴리에스터 수지로서는, 예를 들어, 지환식 다이카복실산과 지환식 다이올의 에스터화물을 적합하게 이용할 수 있다. 지환식 다이카복실산은 알킬 에스터 등의 유도체를 이용해도 된다. 구체적으로는 1,4-사이클로헥세인다이카복실산 다이메틸과 1,4-사이클로헥세인다이메탄올의 에스터화물 등을 들 수 있다.

하나의 실시형태에 있어서는, 지방족 폴리에스터 수지는 다이카복실산 성분으로서 지환식 다이카복실산 및 다이머산을, 다이올 성분으로서 지환식 다이올을 각각 이용하여, 중합 반응시키는 것에 의해 얻어지는 폴리에스터 수지이다. 다이머산을 추가로 포함하는 것에 의해, 내열성이 더 향상될 수 있다. 이 실시형태에 있어서, 다이카복실산 성분에 있어서의 지환식 다이카복실산의 함유 비율은, 바람직하게는 다이카복실산 전체 성분 중 75몰%∼98몰%이고, 보다 바람직하게는 80몰%∼90몰%이다. 또한, 다이카복실산 성분에 있어서의 다이머산의 함유 비율은, 바람직하게는 2몰%∼25몰%이고, 보다 바람직하게는 10몰%∼20몰%이다.

지환식 다이카복실산은, 사이클로펜테인, 사이클로헥세인, 사이클로헵테인, 사이클로옥테인 등의 단환식 사이클로알케인, 데카하이드로나프탈렌(데칼린) 등의 이환식 알케인 등의 지환 구조와, 2개의 카복실기를 갖는 화합물이다. 지환식 다이카복실산으로서는, 예를 들어, 1,2-사이클로헥세인다이카복실산, 1,3-사이클로헥세인다이카복실산, 1,4-사이클로헥세인다이카복실산, 1,4-데카하이드로나프탈렌다이카복실산, 1,5-데카하이드로나프탈렌다이카복실산, 2,6-데카하이드로나프탈렌다이카복실산, 2,7-데카하이드로나프탈렌다이카복실산 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 1,4-사이클로헥세인다이카복실산이 이용된다.

지환식 다이카복실산은, 미치환 화합물이어도 되고, 지환식 다이카복실산의 알킬 에스터 등의 유도체여도 된다. 알킬 에스터 유도체로서는, 예를 들어, 다이메틸 에스터, 다이에틸 에스터 등의 탄소수 1∼10의 알킬 에스터 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 다이메틸 에스터이다.

다이머산이란, 탄소수 10∼30의 불포화 지방산을 이량화하여 얻어지는 다이카복실산 화합물이며, 예를 들어, 올레산이나 리놀레산 등의 탄소수 18의 불포화 지방산, 에루크산 등의 탄소수 22의 불포화 지방산을 이량화하는 것에 의해 얻어지는 탄소수 36 또는 44의 이량화체 다이카복실산, 혹은, 그의 에스터 형성 유도체이다. 또한, 이량화 후에 잔존하는 불포화 이중 결합을 수소 첨가에 의해 포화화한 수첨 다이머산을 이용해도 된다. 수첨 다이머산을 이용하는 것에 의해, 반응 안정성, 유연성, 내충격성 등이 향상될 수 있다. 한편, 다이머산은, 통상, 직쇄 분기 구조 화합물, 지환 구조 등을 갖는 화합물의 혼합물로서 얻어지고, 그 제조 공정에 따라 이들의 함유율은 상이하지만, 이들의 함유율은 특별히 한정되지 않는다.

또한, 지환식 다이카복실산, 다이머산 이외의 다이카복실산 성분이 추가로 포함되어 있어도 된다. 예를 들어, 테레프탈산, 아이소프탈산, 2,6-나프탈렌다이카복실산, 1,4-나프탈렌다이카복실산, 4,4'-다이페닐다이카복실산 등의 방향족 다이카복실산, 및 석신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 아젤라산, 세바스산 등의 지방족 다이카복실산 등을 들 수 있다. 이들 다이카복실산 성분은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 지환식 다이카복실산, 다이머산 이외의 다이카복실산은 임의의 적절한 양으로 이용된다.

지환식 다이올은, 단환식 사이클로알케인, 이환식 알케인 등의 지환 구조와, 2개의 수산기를 갖는 화합물이다. 예를 들어, 1,2-사이클로펜테인다이올, 1,3-사이클로펜테인다이올, 1,2-사이클로펜테인다이메탄올, 1,3-사이클로펜테인다이메탄올, 비스(하이드록시메틸)트라이사이클로[5.2.1.0]데케인 등의 5원환 다이올, 1,2-사이클로사이클로헥세인다이올, 1,3-사이클로사이클로헥세인다이올, 1,4-사이클로사이클로헥세인다이올, 1,2-사이클로사이클로헥세인다이메탄올, 1,3-사이클로사이클로헥세인다이메탄올, 1,4-사이클로사이클로헥세인다이메탄올, 2,2-비스-(4-하이드록시사이클로헥실)-프로페인 등의 6원환 다이올 등을 들 수 있다. 바람직하게는 1,2-사이클로사이클로헥세인다이메탄올, 1,3-사이클로사이클로헥세인다이메탄올, 1,4-사이클로사이클로헥세인다이메탄올이며, 보다 바람직하게는 1,4-사이클로헥세인다이메탄올이다. 1,4-사이클로헥세인다이메탄올은 메틸올기가 파라 위치에 있어, 반응성이 높고, 고중합도의 폴리에스터가 얻어지기 쉽기 때문에, 적합하게 사용할 수 있다.

또한, 지환식 다이올 이외의 다이올 성분을 추가로 이용해도 된다. 지환식 다이올 이외의 다이올 성분으로서는, 예를 들어, 에틸렌 글라이콜, 프로필렌 글라이콜, 뷰테인다이올, 헥세인다이올, 옥테인다이올, 데케인다이올, 또는 비스페놀 A, 비스페놀 S 등의 에틸렌 옥사이드 부가물, 트라이메틸올프로페인 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 조합하여 이용해도 된다. 지환식 다이올 이외의 다이올 성분은, 다이올 성분 전량 중 25몰% 미만이 되도록 이용하는 것이 바람직하다.

상기 폴리에스터 수지는, 임의의 적절한 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 다이카복실산 성분과 다이올 성분을 임의의 적절한 촉매를 이용하여, 중합하는 것에 의해 제조할 수 있다. 구체적으로는, 미치환의 다이카복실산을 출발 원료로 하여 직접 에스터화하는 방법, 다이메틸 에스터 등의 에스터화물을 출발 원료로 하여 에스터 교환 반응을 행하는 방법을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 임의의 적절한 촉매를 이용하여 상압하에서 에스터 교환 반응 또는 에스터화 반응을 행한 후, 계속하여 임의의 적절한 촉매를 이용하여 감압하에서 추가로 중합 반응을 행한다.

에스터 교환 반응의 촉매로서는, 임의의 적절한 촉매를 이용할 수 있다. 바람직하게는 1종류 이상의 금속 화합물이 이용된다. 금속 화합물에 포함되는 금속원소는, 바람직하게는 나트륨, 칼륨, 칼슘, 타이타늄, 리튬, 마그네슘, 망가니즈, 아연, 주석, 코발트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 반응성이 높고, 얻어지는 수지의 색조가 양호하므로 타이타늄 화합물 및 망가니즈 화합물이 바람직하다. 에스터 교환 촉매의 사용량은, 생성하는 폴리에스터 수지에 대해서, 통상, 5ppm∼1000ppm이며, 바람직하게는 10ppm∼100ppm이다.

에스터 교환 반응은, 예를 들어, 중합 원료로서 사용하는 각 성분과, 임의의 적절한 다른 공중합 성분을, 가열 장치, 교반기 및 유출관(留出管)을 구비한 반응조에 투입하고, 반응 촉매를 가하고 상압 불활성 가스 분위기하에서 교반하면서 승온하고, 반응에 의해 생긴 메탄올 등의 부생물을 증류제거하면서 반응을 진행시키는 것에 의해 행해진다. 반응 온도는, 예를 들어 150℃∼270℃, 바람직하게는 160℃∼260℃이다. 반응 시간은, 통상, 3시간∼7시간 정도이다.

또한, 에스터 교환 반응이 종료된 후에, 에스터 교환 촉매와 등몰 이상의 인 화합물을 추가로 첨가하여, 에스터화 반응을 추가로 진행하는 것이 바람직하다. 인 화합물로서는, 예를 들어, 인산, 아인산, 트라이메틸포스페이트, 트라이에틸포스페이트, 트라이뷰틸포스페이트, 트라이메틸포스파이트, 트라이에틸포스파이트, 트라이뷰틸포스파이트 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 트라이메틸포스페이트가 이용된다. 인 화합물의 사용량은, 생성하는 폴리에스터 수지에 대해서, 통상, 5ppm∼1000ppm, 바람직하게는 20ppm∼100ppm이다.

에스터 교환 반응 및 에스터화 반응에 이어, 원하는 분자량이 될 때까지 추가로 중축합 반응이 행해진다. 중축합 반응의 촉매로서는, 바람직하게는 1종류 이상의 금속 화합물이 이용된다. 금속 화합물에 포함되는 금속 원소로서는, 예를 들어, 타이타늄, 저마늄, 안티모니, 알루미늄 등을 들 수 있다. 반응성이 높고, 얻어지는 수지의 투명성도 우수하므로, 바람직하게는 타이타늄 화합물 및 저마늄 화합물이 이용된다. 중합 촉매의 사용량은, 생성하는 폴리에스터 수지에 대해서, 통상, 30ppm∼1000ppm이며, 바람직하게는 50ppm∼500ppm이다.

중축합 반응은, 예를 들어, 상기의 에스터 교환 반응 및 에스터화 반응 종료후의 생성물을 넣은 반응조 내에, 중축합 촉매를 첨가한 후, 반응조 내를 서서히 승온, 또한 감압하면서 행한다. 조 내의 압력은, 상압 분위기하로부터 최종적으로는, 예를 들어 0.4kPa 이하, 바람직하게는 0.2kPa 이하까지 감압된다. 조 내의 온도는, 예를 들어, 220℃∼230℃부터, 최종적으로는 예를 들어, 250℃∼290℃, 바람직하게는 260℃∼270℃까지 승온하고, 소정의 토크에 도달한 후, 조 저부로부터 반응 생성물을 압출하여 회수한다. 통상, 반응 생성물을 수중에 스트랜드상으로 압출하여, 냉각한 다음에 커팅하는 것에 의해, 펠릿상의 폴리에스터 수지가 얻어진다.

이와 같은 폴리에스터 수지는, 예를 들어, 일본 특허공개 2016-69600호 공보에 기재되어 있다. 당해 공보는, 그 전체의 기재가 본 명세서에 참고로서 원용된다.

기재를 구성하는 수지의 융점은, 바람직하게는 150℃∼250℃이고, 보다 바람직하게는 170℃∼220℃이며, 더 바람직하게는 180℃∼210℃이다. 융점이 상기 범위인 것에 의해, 기재 자체의 내열성도 향상되어, 보다 내열성이 우수한 점착 테이프가 얻어진다. 수지의 융점은 임의의 적절한 방법에 의해 측정할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 수지의 융점이란, 시차 주사 열량계(예를 들어, TA Instruments사제, 제품명: Q-2000)를 이용하여 측정한 흡열 피크의 정점 온도를 말한다.

기재의 100℃에서 가열한 후의 탄성률은, 바람직하게는 50MPa∼200MPa이며, 보다 바람직하게는 60MPa∼100MPa이다. 또한, 기재의 130℃에서 가열한 후의 탄성률은, 바람직하게는 50MPa∼200MPa이며, 보다 바람직하게는 60MPa∼100MPa이다. 더욱이, 기재의 150℃에서 가열한 후의 탄성률은, 바람직하게는 60MPa∼150MPa이며, 보다 바람직하게는 70MPa∼120MPa이다. 기재의 100℃, 130℃, 및 150℃에서 가열 후의 탄성률이 상기의 범위인 것에 의해, 점착 테이프를 가열 공정 및 익스팬드 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에도 적합하게 이용할 수 있다.

기재의 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수는, 바람직하게는 1000ppm/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 950ppm/℃ 이하이며, 더 바람직하게는 600ppm/℃ 이하이다. 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수가 상기 범위인 것에 의해, 가열 공정에 제공된 기재에서의 주름의 발생, 및 가열 공정에 제공된 점착 테이프의 변형의 발생을 방지할 수 있다. 기재의 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수는, 예를 들어, 300ppm/℃ 이상이다. 기재의 선팽창 계수는, 열기계 분석(TMA)에 의해 분석할 수 있다. 구체적으로는, 이하의 방법에 의해 분석할 수 있다. 얻어진 샘플을 폭 3mm, 척간 거리 16.05mm로 하여 열기계 분석 장치(TA Instruments사제, 제품명: Q-400)에 세팅한다. 질소 분위기하, 하중 1.96mN의 조건에서, 25℃부터 160℃까지 10℃/분의 조건으로 승온한다. 본 명세서에 있어서는, 샘플의 두께의 선팽창에 수반하는 변위량을 측정하고, 100℃부터 150℃의 샘플 변위량으로부터 얻어지는 값을 기재의 선팽창 계수로 한다.

기재의 용융 개시점은, 바람직하게는 150℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 155℃ 이상이며, 더 바람직하게는 160℃ 이상이다. 용융 개시점이 상기 범위인 것에 의해, 가열 공정에 제공된 기재에서의 주름의 발생, 및 가열 공정에 제공된 점착 테이프의 변형의 발생을 방지할 수 있다. 기재의 용융 개시점은, 예를 들어, 200℃ 이하이다. 본 명세서에 있어서, 기재의 용융 개시점은, 이하의 방법에 의해 결정할 수 있다. JIS K7121-1987에 준하여 보외 융해 개시 온도(Tim)를 측정한다. 시차 주사 열량계의 저온측의 베이스라인을 고온측으로 연장한 직선과, 융해 피크의 저온측의 곡선에 대해 구배가 최대가 되는 점을 그은 접선의 교점을 용융 개시점으로 한다.

상기 기재의 두께는, 바람직하게는 30μm∼250μm이고, 보다 바람직하게는 40μm∼200μm이며, 더 바람직하게는 50μm∼150μm이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 기재는 어닐링 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 어닐링 처리가 실시되어 있는 것에 의해, 가열 공정에 제공된 점착 테이프의 변형의 발생을 방지할 수 있다. 그 때문에, 가열 공정 후에 행해지는 제조 공정, 예를 들어, 익스팬드 공정에 있어서의 문제의 발생을 방지할 수 있다.

어닐링 처리는 임의의 적절한 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 기재를 가열하는 것에 의해 행할 수 있다. 가열 시간, 및 가열 온도는, 기재에 이용되는 수지, 및 기재의 두께 등에 따라서 임의의 적절한 값으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 상기 지방족 폴리에스터 수지를 포함하는 기재를 이용하는 경우, 가열 온도는, 바람직하게는 155℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 160℃ 이상이며, 더 바람직하게는 170℃ 이상이다. 또한, 가열 온도는, 예를 들어, 180℃ 이하이다. 가열 시간은, 예를 들어, 1분∼30분이다.

하나의 실시형태에 있어서는, 어닐링 처리에 있어서의 가열 온도는, 점착 테이프가 제공되는 가열 공정의 온도에 따라서 설정될 수 있다. 어닐링 처리에 있어서의 가열 온도는, 예를 들어, 점착 테이프가 제공되는 가열 공정의 온도+10℃ 이상이며, 바람직하게는 점착 테이프가 제공되는 가열 공정의 온도+20℃ 이상이다. 이와 같은 온도에서 어닐링 처리를 행하는 것에 의해, 가열 공정에 제공된 점착 테이프의 변형의 발생을 방지할 수 있다. 어닐링 처리에 있어서의 가열 온도는, 예를 들어, 기재에 이용되는 수지의 융점 미만이다.

C. 점착제층

점착제층(20)은, 점착제층을 형성하는 조성물(점착제 조성물)을 이용하여 형성된다.

C-1. 점착제 조성물

점착제층 조성물(점착제)로서는, 임의의 적절한 점착제가 이용된다. 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리바이닐 에터계 점착제 등을 들 수 있다.

하나의 실시형태에 있어서는, 점착제 조성물은, 활성 에너지선 경화형 점착제 조성물인 것이 바람직하다. 활성 에너지선 경화형 점착제를 이용하는 것에 의해, 다이싱 후의 활성 에너지선(대표적으로는, 자외선) 조사에 의해 점착력이 저하되어, 소편화된 워크(예를 들어, 반도체 칩)의 픽업을 용이하게 할 수 있는 점착 테이프를 얻을 수 있다.

C-1-1. 베이스 폴리머

점착제 조성물은, 점착성을 나타내는 베이스 폴리머를 포함할 수 있다. 베이스 폴리머를 구성하는 모노머로서는, 예를 들어, 친수성 모노머를 들 수 있다. 친수성 모노머로서는, 극성기를 갖는 임의의 적절한 모노머를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 메타크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이드프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드, N-뷰틸 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올프로페인 (메트)아크릴아마이드, 아크릴로일모폴린 등의 (N-치환)아마이드계 모노머; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-다이메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산 메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 모노머; N-사이클로헥실말레이미드, N-아이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-뷰틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-사이클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌석신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌석신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌석신이미드 등의 석신이미드계 모노머; 아세트산 바이닐, 프로피온산 바이닐, N-바이닐피롤리돈, 메틸바이닐피롤리돈, 바이닐피리딘, 바이닐피페리돈, 바이닐피리미딘, 바이닐피페라진, 바이닐피라진, 바이닐피롤, 바이닐이미다졸, 바이닐옥사졸, 바이닐모폴린, N-바이닐카복실산 아마이드류, 스타이렌, α-메틸스타이렌, N-바이닐카프로락탐 등의 바이닐계 모노머; 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴 등의 사이아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산 글라이시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산 폴리에틸렌 글라이콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌 글라이콜, (메트)아크릴산 메톡시 에틸렌 글라이콜, (메트)아크릴산 메톡시 폴리프로필렌 글라이콜 등의 글라이콜계 아크릴 에스터 모노머; (메트)아크릴산 테트라하이드로퍼퓨릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 헤테로환, 할로젠 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스터계 모노머; 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스터 아크릴레이트, 유레테인 아크릴레이트 등의 다작용 모노머를 들 수 있다. 친수성 모노머로서는, 하이드록실기 함유 모노머 및/또는 (N-치환)아마이드계 모노머를 적합하게 이용할 수 있다. 친수성 모노머는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

또한, 상기 친수성 모노머와 소수성 모노머를 조합하여 이용해도 된다. 소수성 모노머로서는, 소수성을 갖는 모노머이면 되고, 임의의 적절한 모노머를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 2-에틸헥산산 바이닐, 라우르산 바이닐, 스테아르산 바이닐, 스테아릴 바이닐 에터 등의 탄소수 9∼30의 알킬기를 갖는 바이닐 알킬 또는 아릴 에터; (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, 아크릴산 아이소옥틸, 아크릴산 아이소노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 아이소데실, (메트)아크릴산 도데실, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 벤질, (메트)아크릴산 라우릴, (메트)아크릴산 올레일, (메트)아크릴산 팔미틸, 및 (메트)아크릴산 스테아릴 (메트)아크릴산의 탄소수 6∼30의 알킬 에스터; 지방산 및 지방족 알코올로부터 유도되는 (메트)아크릴산의 불포화 바이닐 에스터; 콜레스테롤로부터 유도되는 모노머; 1-뷰텐, 2-뷰텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 아이소뷰틸렌, 아이소프렌 등의 올레핀 모노머를 들 수 있다. 소수성 모노머는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 한편, 본 명세서에 있어서, 소수성 모노머는 물 100g에 대한 용해도가 0.02g 이하인 모노머를 말한다.

상기 베이스 폴리머는, 상기 친수성 모노머 및 소수성 모노머 이외의 모노머 성분을 추가로 포함하고 있어도 된다. 다른 모노머 성분으로서는, 뷰틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트 등의 알킬 아크릴레이트 등을 들 수 있다. 다른 모노머 성분은 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

상기 베이스 폴리머는, 분자 내에 경화성의 작용기를 갖는 아이소사이아네이트계 화합물 유래의 구성 단위를 추가로 포함하고 있어도 된다. 아이소사이아네이트계 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 베이스 폴리머는, 예를 들어, 상기 친수성 모노머 유래의 구성 단위가 갖는 치환기(예를 들어, OH기)와 아이소사이아네이트계 화합물의 NCO기를 반응시켜 얻을 수 있다. 상기 아이소사이아네이트계 화합물로서는, 예를 들어, 메타크릴로일아이소사이아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸아이소사이아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸아이소사이아네이트, m-아이소프로펜일-α,α-다이메틸벤질아이소사이아네이트 등을 들 수 있다.

상기 점착제를 구성하는 베이스 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 30만∼200만이며, 보다 바람직하게는 50만∼150만이다. 중량 평균 분자량은, GPC(용매: THF)에 의해 측정될 수 있다.

C-1-2. 중합 개시제

활성 에너지선 경화형 점착제 조성물은, 대표적으로는 중합 개시제를 포함한다. 중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 이용할 수 있고, 바람직하게는 광중합 개시제가 이용된다. 광중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 이용할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α'-다이메틸아세토페논, 2-메틸-2-하이드록시프로피오페논, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-다이메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-다이에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)-페닐]-2-모폴리노프로페인-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인 에틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 아니소인 메틸 에터 등의 벤조인 에터계 화합물; 벤질 다이메틸 케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌설폰일 클로라이드 등의 방향족 설폰일 클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로테인다이온-2-(o-에톡시카보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-다이메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 싸이옥산톤, 2-클로로싸이옥산톤, 2-메틸싸이옥산톤, 2,4-다이메틸싸이옥산톤, 아이소프로필싸이옥산톤, 2,4-다이클로로싸이옥산톤, 2,4-다이에틸싸이옥산톤, 2,4-다이아이이소프로필싸이옥산톤 등의 싸이옥산톤계 화합물; 캄파퀴논; 할로젠화 케톤; 아실 포스핀 옥사이드; 아실 포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 광중합 개시제의 사용량은, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다. 광중합 개시제의 사용량은, 베이스 폴리머 100중량부에 대해서 바람직하게는 1중량부∼10중량부이며, 보다 바람직하게는 3중량부∼7중량부이다.

상기 광중합 개시제로서, 시판품을 이용해도 된다. 예를 들어, BASF사제의 상품명 「이르가큐어 651」, 「이르가큐어 184」, 「이르가큐어 369」, 「이르가큐어 819」, 「이르가큐어 2959」 등을 들 수 있다.

C-1-3. 가교제

활성 에너지선 경화형 점착제 조성물은, 바람직하게는 가교제를 추가로 포함한다. 가교제로서는, 예를 들어, 아이소사이아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕사이드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카보다이이미드계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다.

하나의 실시형태에 있어서는, 아이소사이아네이트계 가교제가 바람직하게 이용된다. 아이소사이아네이트계 가교제는, 다종의 작용기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 아이소사이아네이트계 가교제의 구체예로서는, 뷰틸렌 다이아이소사이아네이트, 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 등의 저급 지방족 폴리아이소사이아네이트류; 사이클로펜틸렌 다이아이소사이아네이트, 사이클로헥실렌 다이아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트 등의 지환족 아이소사이아네이트류; 2,4-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 4,4'-다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트, 자일릴렌 다이아이소사이아네이트 등의 방향족 아이소사이아네이트류; 트라이메틸올프로페인/톨릴렌 다이아이소사이아네이트 3량체 부가물(도소사제, 상품명 「콜로네이트 L」), 트라이메틸올프로페인/헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 3량체 부가물(닛폰 폴리우레탄공업사제, 상품명 「콜로네이트 HL」), 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트의 아이소사이아누레이트체(닛폰 폴리우레탄공업사제, 상품명 「콜로네이트 HX」) 등의 아이소사이아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 아이소사이아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 이용된다.

활성 에너지선 경화형 점착제 조성물은, 임의의 적절한 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 된다. 첨가제로서는, 예를 들어, 활성 에너지선 중합 촉진제, 라디칼 포착제, 점착 부여제, 가소제(예를 들어, 트라이멜리트산 에스터계 가소제, 피로멜리트산 에스터계 가소제), 안료, 염료, 충전제, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.

가교제의 함유량은, 임의의 적절한 양으로 조정할 수 있다. 예를 들어, 베이스 폴리머 100중량부에 대해서 바람직하게는 0.005중량부∼20중량부이며, 보다 바람직하게는 0.02중량부∼10중량부이다. 또한, 점착제층이 단층 구성인 경우, 상기 가교제의 함유 비율은, 점착제의 베이스 폴리머 100중량부에 대해서, 바람직하게는 0.1중량부∼10중량부이며, 보다 바람직하게는 0.5중량부∼8중량부이다. 이와 같은 범위이면, 탄성률이 적절히 조정된 점착제층을 형성할 수 있다.

점착제층은 단층이어도 되고, 2층 이상의 층으로 구성되어 있어도 된다. 하나의 실시형태에 있어서는, 점착제층은 단층으로 구성된다. 점착제층이 단층 구성인 경우, 상기 점착제층의 22℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.05MPa∼1MPa이고, 보다 바람직하게는 0.1MPa∼0.8MPa이며, 더 바람직하게는 0.15MPa∼0.6MPa이다. 이와 같은 범위이면, 충분한 강도를 갖는 점착제층을 형성할 수 있고, 또한 점착제층과 기재가 양호하게 밀착되어, 기재와 점착제층의 계면 근방에 있어서의 공극의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 인장 탄성률이 0.05MPa보다 작은 경우, 점착제층이 정형(定形)을 유지하지 않고, 또한 충분한 특성을 갖지 않게 될 우려가 있다. 한편, 상기와 같이, 점착제층이 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 구성되는 경우, 활성 에너지선 조사 전의 22℃에 있어서의 인장 탄성률이 당해 범위인 것이 바람직하다. 점착제층의 인장 탄성률의 측정 방법은, 후술한다.

점착제층이 단층 구성인 경우, 점착제층의 자외선(460mJ/cm²) 조사 후의 22℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50MPa∼3000MPa이고, 보다 바람직하게는 100MPa∼1500MPa이며, 더 바람직하게는 200MPa∼1000MPa이다. 이와 같은 범위이면, 픽업성이 우수한 점착 테이프를 얻을 수 있다.

점착제층이 단층 구성인 경우, 점착제층의 두께는, 바람직하게는 5μm∼200μm이고, 보다 바람직하게는 5μm∼150μm이며, 더 바람직하게는 5μm∼100μm이다.

D. 점착 테이프의 제조 방법

상기 점착 테이프는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 점착 테이프는, 예를 들어, 기재 상에, 상기 점착제를 도공하여 얻어질 수 있다. 도공 방법으로서는, 바 코터 도공, 에어 나이프 도공, 그라비어 도공, 그라비어 리버스 도공, 리버스 롤 도공, 립 도공, 다이 도공, 딥 도공, 옵셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 또한, 별도로, 세퍼레이터에 점착제층을 형성한 후, 그것을 기재에 첩합하는 방법 등을 채용해도 된다.

E. 점착 테이프의 용도

본 발명의 점착 테이프는, 우수한 내열성 및 익스팬드성을 가져, 가열 공정을 거쳤을 경우에도 우수한 익스팬드성을 갖는다. 따라서, 이들 특성이 요구되는 용도에 적합하게 이용할 수 있다. 하나의 실시형태에 있어서는, 본 발명의 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 적합하게 이용할 수 있고, 바람직하게는 다이싱 테이프로서 이용할 수 있다. 또한, 상기 점착 테이프는, 익스팬드 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있다. 익스팬드 공정에서는, 점착 테이프가 반도체 웨이퍼에 첨부된 상태에서 면방향(MD 방향 및 TD 방향)으로 연신된다. 상기 점착 테이프는 일방향만은 아니고, 면방향으로 우수한 신도를 갖는다. 그 때문에, 익스팬드 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 적합하게 이용할 수 있다. 더욱이, 상기 점착 테이프는 우수한 내열성을 가져, 가열 공정을 거친 후에 있어서도 우수한 익스팬드성을 유지할 수 있다. 따라서, 가열 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에도 적합하게 이용할 수 있다. 더욱이, 점착 테이프의 바꿔 붙이기 공정을 생략할 수 있기 때문에, 반도체 웨이퍼의 생산성도 향상시킬 수 있다.

실시예

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 시험 및 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「%」는 중량 기준이다.

＜제조예 1＞ 폴리머 용액의 조제

아크릴산 2-메톡시에틸 100중량부, 아크릴로일모폴린 27중량부, 아크릴산 2-하이드록시에틸 22중량부를 혼합하여, 모노머액 1을 조제했다. 그 다음에, 질소 도입관, 온도계, 교반기를 구비한 반응 용기에 질소를 도입하고, 질소 분위기하에서, 아세트산 에틸 500중량부, 모노머액 1, 및 아조아이소뷰틸나이트릴(AIBN) 0.2중량부를 투입하고, 60℃에서 24시간 교반했다. 그 후, 실온까지 냉각하여, 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량: 60만)를 함유하는 아크릴계 공중합체 용액을 얻었다. 얻어진 아크릴계 공중합체 용액에, 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트 24중량부를 첨가하여 반응시켜, 공중합체 중의 아크릴산 2-하이드록시에틸의 측쇄 말단 OH기에 NCO기를 부가하여, 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 중량 평균 분자량 80만의 아크릴계 공중합체 용액 1(폴리머)을 얻었다.

［실시예 1］

(점착제층 형성 조성물의 조제)

제조예 1에서 얻어진 아크릴계 중합체 용액 100중량부에 가교제(도소사제, 상품명: 콜로네이트 L) 3중량부, 광중합 개시제(BASF사제, 상품명: 이르가큐어 184) 7중량부, 및 희석 용제(아세트산 에틸)를 배합·교반하여 점착제 조성물을 얻었다.

(기재의 제작)

벨 폴리에스터 프로덕츠사제의 지방족계 폴리에스터 수지(시담사제, 제품명: BPP-TPEE1을 포함하는 지방족 폴리에스터 수지)를 이용하여, 기재(두께: 80μm)를 제작했다.

(점착 테이프의 제작)

점착제층 형성 조성물을 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 세퍼레이터(미쓰비시 케미컬사제, 제품명: 다이아포일 MRF38, 실리콘 코트 폴리에스터 필름)에 도포하고, 그 후, 120℃에서 2분간 가열했다. 그 다음에, 점착제층을 상기 기재에 전사하여, 두께 10μm의 점착제층을 갖는 점착 테이프(두께: 100μm)를 얻었다.

［실시예 2］

실시예 1에서 이용한 기재를 150℃로 가열한 오븐에 5분간 투입하여, 어닐링 처리를 행했다. 그 다음에, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 제작했다.

［실시예 3］

실시예 1에서 이용한 기재를 160℃로 가열한 오븐에 5분간 투입하여, 어닐링 처리를 행했다. 그 다음에, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 제작했다.

［실시예 4］

실시예 1에서 이용한 기재를 170℃로 가열한 오븐에 5분간 투입하여, 어닐링 처리를 행했다. 그 다음에, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프를 제작했다.

(비교예 1)

기재로서, 폴리올레핀계 수지 필름(오쿠라 공업사제, 제품명: ODZ2, 두께: 80μm)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프 C1을 제작했다.

(비교예 2)

기재로서, 폴리올레핀계 수지 필름(오쿠라 공업사제, 제품명: ODZ5, 두께: 80μm)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프 C2를 제작했다.

(비교예 3)

기재로서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(도레이사제, 제품명: 루미러 S10 ＃100, 두께: 100μm)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프 C3을 제작했다.

(비교예 4)

기재로서, 폴리에틸렌 나프탈레이트 필름(테이진 필름 솔루션사제, 제품명: 테오넥스 Q51C, 두께: 50μm)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프 C4를 제작했다.

(비교예 5)

기재로서, 폴리이미드 필름(도레이 듀퐁사제, 제품명: 카프톤 100H, 두께: 25μm)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착 테이프 C5를 제작했다.

실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 테이프를 이용하여 이하의 평가를 행했다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.

(1) 스테이지 가온 첩부 후의 인장 전단 접착 강도

SUS판(BA304)에 10mm각의 점착 테이프의 기재면을 포개고, 100℃∼150℃로 가열한 스테이지 상에, 점착 테이프측(점착제층)이 접하도록 설치하여, 30분간 방치했다. 그 후, 스테이지로부터 내리고, SUS판이 하측이 되도록 놓아, 실온이 될 때까지 방치했다. 그 다음에, 인장 시험기(오리엔테크사제, 제품명: RTM-100)를 이용하여, 22℃, 척간 거리 50mm, 속도 300mm/분, 인장 각도 180도로 인장하여, 인장 전단 접착 강도(N/10mm)를 측정했다.

(2) 신장 10% 시의 응력, 탄성률, 파단 신도

얻어진 점착 테이프를 폭 10mm, 길이 100mm의 단책상으로 절출하여, 시험편으로 했다. 상기 인장 시험기를 이용하여, 23℃, 척간 거리 50mm, 속도 300mm/분의 조건에서, 신장 10% 시의 응력, 탄성률, 및 파단 신도를 측정했다. 한편, 탄성률은 인장 직후의 직선으로 간주할 수 있는 범위의 변형으로부터 구해지는 초기 탄성률(영률)이다. 파단 신도는, 테이프가 끊어졌을 때의 변형(%)으로 했다.

(3) 열수축률(치수 변화율)

얻어진 점착 테이프를 100mm×100mm로 절출하여, 시험편으로 했다. 시험편의 TD 방향 및 MD 방향의 길이를 투영기(주식회사 미쓰토요제, 제품명: PJ-H3000F)로 측정하여, 초기치로 했다. 점착 테이프의 점착제층을 상측으로 하여, 100℃, 130℃, 150℃, 180℃로 가열한 오븐에 각각 시험편을 투입했다. 30분 후, 시험편을 오븐으로부터 꺼내고, 실온 22℃에서 30분 이상 냉각했다. 그 다음에, 가열 후의 시험편의 TD 방향 및 MD 방향의 길이를 투영기로 측정했다. 초기치에 대한 가열 후의 길이의 비율((초기치-가열 후의 길이)/초기치)×100을 산출하여, 열수축률(치수 변화율)로 했다.

표 1로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1의 점착 테이프는, 100℃∼180℃에서 가열한 후에도 수축률이 작아, 내열성이 우수한 것이었다. 또한, 가열 후에 있어도 가열 전과 동일한 정도의 탄성률 및 파단 강도를 갖고 있어, 반도체 웨이퍼의 제조 공정에 적합하게 이용할 수 있는 것이었다.

실시예 1∼4에서 얻어진 점착 테이프 및 각 실시예에서 이용한 기재에 대해, 이하의 평가를 행했다. 결과를 표 3에 나타낸다.

(4) 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수

실시예 1∼4에서 이용한 기재를 폭 3mm, 척간 16.05mm로 하여 열기계 분석 장치(TA Instruments사제, 제품명: Q-400)에 세팅했다. 그 다음에, 질소 분위기하, 하중 1.96mN의 조건에서, 25℃부터 160℃까지 10℃/분의 조건으로 승온했다. 기재의 두께의 선팽창에 수반하는 변위량을 측정하여, 100℃부터 150℃의 샘플 변위량을 구했다.

또한, 실시예 1∼4에서 얻어진 점착 테이프에 대해서도 마찬가지로 선팽창 계수를 측정했다.

(5) 용융 개시점 및 융점

실시예 1∼4에서 이용한 기재를 직경 4mm의 원형으로 타발하여, 시료로서 이용했다. 이 시료에 대해, 시차 주사 열량계(TA Instruments사제, 제품명: Q-2000)를 이용하여, -30℃∼300℃의 측정 범위에서, 10℃/분의 조건으로 승온하여, 용융 개시점 및 융점을 측정했다. 용융 개시점은, 이하의 방법에 의해 결정했다.

JIS K7121-1987에 준하여 보외 융해 개시 온도(Tim)를 측정했다. 시차 주사 열량계의 저온측의 베이스라인을 고온측으로 연장한 직선과, 융해 피크의 저온측의 곡선에 대해 구배가 최대가 되는 점을 그은 접선의 교점을 용융 개시점으로 했다.

(6) 탄성률, 파단점 응력, 및 파단 신도

각 실시예에서 이용한 기재를 폭 10mm, 길이 100mm의 단책상으로 절출하여, 시험편으로 했다. 상기 인장 시험기를 이용하여, 23℃, 척간 거리 50mm, 속도 300mm/분의 조건에서, 탄성률, 파단점 응력, 및 파단 신도를 측정했다. 한편, 탄성률은 인장 직후의 직선으로 간주할 수 있는 범위의 변형으로부터 구해지는 초기 탄성률(영률)이다. 파단 신도는, 테이프가 끊어졌을 때의 변형(%)으로 했다.

(7) 다이싱 공정에 있어서의 칩 접촉

두께 150μm로 백 그라인드한 8인치 Si 웨이퍼를 실시예 1∼4에서 얻어진 점착 테이프에 마운트했다. 그 다음에, 다이싱 링에 첩합했다. 다이싱은 다이싱 장치(디스코사제, 제품명 DFD6450, 칩 사이즈 10mm각, 블레이드 ZH05-SD3000-N1-70 HI)를 이용하여 행했다. 그 다음에, 웨이퍼를 상면, 테이프를 하면으로 하여, 다이싱 링의 4 모서리에 지주를 붙여 150℃ 오븐에 투입하고, 2분 후 오븐으로부터 꺼냈다. 그 다음에, 테이프의 MD 방향 및 TD 방향에 맞추어 웨이퍼를 4개의 에리어로 구분했다. 그 후, 테이프측으로부터 광을 쪼이고, 웨이퍼측에 새는 광을 육안으로 확인하여, 이하의 기준으로 칩 접촉의 유무를 판단했다.

있음: 모든 에리어에서 새는 광을 확인할 수 없는 개소가 있다

일부 접촉: 1개 내지 3개의 에리어에서 새는 광을 확인할 수 없는 개소가 있다

없음: 모든 에리어에서 새는 광을 확인할 수 없는 개소가 없다

본 발명의 점착 테이프는, 반도체 가공 용도에 적합하게 이용될 수 있다.

10 기재
20 점착제층
100 점착 테이프

Claims (11)

1. 기재와, 해당 기재의 편측에 배치된 점착제층을 구비하고,
   150℃에서 30분간 스테이지 가온 첩부한 후의 인장 전단 접착 강도가 0.05N/20mm 이하이며, 또한 신장 10% 시의 응력이 15N 이하인, 점착 테이프.
2. 제 1 항에 있어서,
   파단 신도가 300% 이상인, 점착 테이프.
3. 제 1 항에 있어서,
   150℃에서 30분간 가열 후의 수축률이 1.0% 이하인, 점착 테이프.
4. 제 1 항에 있어서,
   초기 탄성률이 500MPa 이하인, 점착 테이프.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재가 지방족 폴리에스터 수지를 포함하는, 점착 테이프.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 점착 테이프의 100℃∼150℃에 있어서의 선팽창 계수가 1000ppm/℃ 이하인, 점착 테이프.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재의 용융 개시점이 150℃를 초과하는, 점착 테이프.
8. 제 1 항에 있어서,
   반도체 웨이퍼 가공 공정에 이용되는, 점착 테이프.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 반도체 웨이퍼 가공 공정이 가열 공정 및 익스팬드 공정을 포함하는, 점착 테이프.
10. 제 8 항에 있어서,
    다이싱 테이프로서 이용되는, 점착 테이프.
11. 제 9 항에 있어서,
    다이싱 테이프로서 이용되는, 점착 테이프.
    

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