KR20200077500A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 복수매의 기판 상에 막을 형성할 때, 기판 상에 형성되는 막의 기판간 막 두께 균일성을 향상시킨다. 기판에 대하여 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 처리가 행하여지는 처리실과, 처리실 내의 기판에 대하여 주 원소를 포함하는 원료를 공급하는 제1 노즐과, 처리실 내의 기판에 대하여 반응체를 공급하는 제2 노즐을 갖고, 제1 노즐은, 천장부에 형성되어 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 천장 구멍과, 측부에 형성되어 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍을 갖고, 제1 천장 구멍의 개구 면적은, 제1 측부 구멍의 개구 면적보다도 크다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM}
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, 복수매의 기판에 대하여 원료 및 반응체를 공급하여, 이들 기판 상에 막을 형성하는 처리가 행하여지는 경우가 있다(예를 들어 특허문헌 1, 2 참조).
일본 특허 공개 제2014-236129호 공보 일본 특허 공개 제2014-063959호 공보
본 발명의 목적은, 복수매의 기판 상에 막을 형성할 때, 기판 상에 형성되는 막의 기판간 막 두께 균일성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면,
기판에 대하여 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 처리가 행하여지는 처리실과, 상기 처리실 내의 기판에 대하여 상기 주 원소를 포함하는 원료를 공급하는 제1 노즐과, 상기 처리실 내의 기판에 대하여 반응체를 공급하는 제2 노즐을 갖고,
상기 제1 노즐은, 천장부에 형성되어 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 천장 구멍과, 측부에 형성되어 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍을 갖고,
상기 제1 천장 구멍의 개구 면적을, 상기 제1 측부 구멍의 개구 면적보다도 크게 하는 기술이 제공된다.
본 발명에 따르면, 복수매의 기판 상에 막을 형성할 때, 기판 상에 형성되는 막의 기판간 막 두께 균일성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 개략 구성도이며, 처리 로 부분을 종단면도로 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 개략 구성도이며, 처리 로 부분을 도 1의 A-A선 단면도로 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태의 성막 시퀀스를 도시하는 도면이다.
도 5의 (a)는 본 발명의 일 실시 형태에서 적합하게 사용되는 제1, 제2 노즐의 구성예를 도시하는 도면이며, (b)는 그 변형예를 도시하는 도면이다.
도 6의 (a)는 비교예의 처리실 내에서의 HCDS 가스의 농도 분포를 도시하는 도면이며, (b)는 실시예의 처리실 내에서의 HCDS 가스의 농도 분포를 도시하는 도면이다.
도 7의 (a)는 실시예 및 비교예의 SiO막의 웨이퍼간 막 두께 균일성의 평가 결과를, (b)는 실시예 및 비교예의 SiO막의 웨이퍼 면내 막 두께 균일성의 평가 결과를 각각 도시하는 도면이다.
도 8은 실시예 및 비교예의 처리실 내에서의 H2 가스의 농도 분포를 도시하는 도면이다.
<본 발명의 일 실시 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서, 도 1 내지 도 5의 (a)를 사용해서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1에 도시한 바와 같이, 처리 로(202)는, 가열 수단(가열 기구)으로서의 히터(207)를 갖는다. 히터(207)는 원통 형상이며, 유지판에 지지됨으로써 수직으로 설치되어 있다. 히터(207)는, 가스를 열로 활성화(여기)시키는 활성화 기구(여기부)로서도 기능한다.
히터(207)의 내측에는, 히터(207)와 동심원 형상으로 반응관(203)이 배치되어 있다.
반응관(203)은, 예를 들어 석영(SiO2) 또는 탄화실리콘(SiC) 등의 내열성 재료에 의해 구성되고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 있다. 반응관(203)의 통 중공부에는, 처리실(201)이 형성된다. 처리실(201)은, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 수용 가능하게 구성되어 있다.
처리실(201) 내에는, 제1 노즐로서의 노즐(249a), 및 제2 노즐로서의 노즐(249b)이, 반응관(203)의 하부 측벽을 관통하도록 설치되어 있다. 노즐(249a, 249b)에는, 가스 공급관(232a, 232b)이 각각 접속되어 있다.
가스 공급관(232a, 232b)에는, 가스류의 상류측부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241a, 241b) 및 개폐 밸브인 밸브(243a, 243b)가 각각 설치되어 있다. 가스 공급관(232a, 232b)의 밸브(243a, 243b)보다도 하류측에는, 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관(232c, 232d)이 각각 접속되어 있다. 가스 공급관(232c, 232d)에는, 가스류의 상류측부터 순서대로 MFC(241c, 241d) 및 밸브(243c, 243d)가 각각 설치되어 있다.
노즐(249a, 249b)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 반응관(203)의 내벽과 웨이퍼(200)의 사이에서의 평면으로 보아 원환 형상의 공간에, 반응관(203)의 내벽 하부로부터 상부(처리실(201)의 천장부)를 따라, 웨이퍼(200)의 적재 방향 상방을 향해서 솟아오르듯이 각각 설치되어 있다. 즉, 노즐(249a, 249b)은, 웨이퍼(200)가 배열되는 웨이퍼 배열 영역의 측방의, 웨이퍼 배열 영역을 수평으로 둘러싸는 영역에, 웨이퍼 배열 영역을 따르도록 각각 설치되어 있다.
노즐(249a)의 천장부에는, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 가스를 공급하는 제1 천장 구멍으로서의 가스 공급 구멍(251a)이 형성되어 있다. 가스 공급 구멍(251a)은, 수직 방향 상방을 향해서 개구되어 있어, 처리실(201)의 천장부를 향해서 가스를 공급하는 것이 가능하게 되어 있다. 노즐(249b)의 천장부에는, 수직 방향 상방을 향해서 개구되는 천장 구멍은 형성하지 않은 것으로 되어 있다.
노즐(249a, 249b)의 측면에는, 가스를 공급하는 제1 측부 구멍으로서의 가스 공급 구멍(250a), 및 제2 측부 구멍으로서의 가스 공급 구멍(250b)이 각각 형성되어 있다. 가스 공급 구멍(250a, 250b)은, 반응관(203)의 중심을 향하도록 각각 개구되어 있고, 웨이퍼(200)를 향해서 가스를 공급하는 것이 가능하게 되어 있다. 가스 공급 구멍(250a, 250b)은, 반응관(203)의 하부로부터 상부에 걸쳐 복수 형성되어 있다. 후술하는 보트(217)가 예를 들어 120매의 웨이퍼(200)를 유지할 경우, 노즐(249a, 249b)의 측면에는, 가스 공급 구멍(250a, 250b)이, 웨이퍼(200)의 1매 1매에 대응하도록 120개(웨이퍼(200)의 수용 매수와 동일한 개수) 형성된다.
본 실시 형태에서는, 복수 형성되는 가스 공급 구멍(250a, 250b) 각각의 개구 면적이, 서로 동일한 크기로 되어 있다. 또한, 가스 공급 구멍(251a)의 개구 면적은, 가스 공급 구멍(250a) 각각의 개구 면적보다도 크게 되어 있다. 구체적으로는, 가스 공급 구멍(251a, 250a)은 각각 원형으로 구성되어 있고, 복수 형성되는 가스 공급 구멍(250a, 250b) 각각의 직경은 서로 동일한 크기로 되어 있고, 가스 공급 구멍(251a)의 직경은, 가스 공급 구멍(250a, 250b)의 각각의 직경의 2배 이상 8배 이하의 범위 내의 크기로 되어 있다.
가스 공급관(232a)으로부터는, 원료(원료 가스)로서, 예를 들어 형성하고자 하는 막을 구성하는 주 원소로서의 실리콘(Si) 및 할로겐 원소를 포함하는 할로실란 원료 가스가, MFC(241a), 밸브(243a), 노즐(249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다.
원료 가스란, 기체 상태의 원료, 예를 들어 상온 상압 하에서 액체 상태인 원료를 기화함으로써 얻어지는 가스나, 상온 상압 하에서 기체 상태인 원료 등이다. 할로실란 원료란, 할로겐기를 갖는 실란 원료이다. 할로겐기에는, 염소(Cl), 불소(F), 브롬(Br), 요오드(I) 등의 할로겐 원소가 포함된다. 할로실란 원료 가스로서는, 예를 들어 Si 및 Cl을 포함하는 원료 가스, 즉, 클로로실란 원료 가스를 사용할 수 있다. 클로로실란 원료 가스는, Si 소스로서 작용한다. 클로로실란 원료 가스로서는, 예를 들어 헥사클로로디실란(Si2Cl6, 약칭: HCDS) 가스를 사용할 수 있다.
가스 공급관(232b)으로부터는, 제1 반응체(제1 반응 가스)로서, 예를 들어 산소(O) 함유 가스가, MFC(241b), 밸브(243b), 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. O 함유 가스는, 산화원(산화제, 산화 가스), 즉, O 소스로서 작용한다. O 함유 가스로서는, 예를 들어 산소(O2) 가스를 사용할 수 있다.
가스 공급관(232a)으로부터는, 제2 반응체(제2 반응 가스)로서, 예를 들어 수소(H) 함유 가스가, MFC(241a), 밸브(243a), 노즐(249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. H 함유 가스는, 그 단체로는 산화 작용은 얻어지지 않지만, 후술하는 성막 처리에 있어서, 특정한 조건 하에서 O 함유 가스와 반응함으로써 원자상 산소(atomic oxygen, O) 등의 산화종을 생성하여, 산화 처리의 효율을 향상시키도록 작용한다. H 함유 가스로서는, 예를 들어 수소(H2) 가스를 사용할 수 있다.
가스 공급관(232c, 232d)으로부터는, 불활성 가스로서, 예를 들어 질소(N2) 가스가, 각각 MFC(241c, 241d), 밸브(243c, 243d), 가스 공급관(232a, 232b), 노즐(249a, 249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. N2 가스는, 퍼지 가스, 캐리어 가스로서 작용한다.
주로, 가스 공급관(232a), MFC(241a), 밸브(243a)에 의해, 제1 공급계(원료 공급계)가 구성된다. 주로, 가스 공급관(232a, 232b), MFC(241a, 241b), 밸브(243a, 243b)에 의해, 제2 공급계(반응체 공급계)가 구성된다. 주로, 가스 공급관(232c, 232d), MFC(241c, 241d), 밸브(243c, 243d)에 의해, 불활성 가스 공급계가 구성된다.
상술한 각종 공급계 중 어느 것, 또는 모든 공급계는, 밸브(243a 내지 243d)나 MFC(241a 내지 241d) 등이 집적되어 이루어지는 집적형 공급 시스템(248)으로서 구성되어 있어도 된다. 집적형 공급 시스템(248)은, 가스 공급관(232a 내지 232d) 각각에 대하여 접속되어, 가스 공급관(232a 내지 232d) 내에의 각종 가스의 공급 동작, 즉, 밸브(243a 내지 243d)의 개폐 동작이나 MFC(241a 내지 241d)에 의한 유량 조정 동작 등이, 후술하는 컨트롤러(121)에 의해 제어되도록 구성되어 있다. 집적형 공급 시스템(248)은, 일체형, 또는 분할형의 집적 유닛으로서 구성되어 있고, 가스 공급관(232a 내지 232d) 등에 대하여 집적 유닛 단위로 착탈을 행할 수 있어, 집적형 공급 시스템(248)의 메인터넌스, 교환, 증설 등을, 집적 유닛 단위로 행하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
반응관(203)의 측벽 하방에는, 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 배기관(231)이 접속되어 있다. 배기관(231)에는, 처리실(201) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기(압력 검출부)로서의 압력 센서(245) 및 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(244)를 통해서, 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(246)가 접속되어 있다. APC 밸브(244)는, 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서 밸브를 개폐함으로써, 처리실(201) 내의 진공 배기 및 진공 배기 정지를 행할 수 있고, 또한, 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서, 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력 정보에 기초하여 밸브 개방도를 조절함으로써, 처리실(201) 내의 압력을 조정할 수 있도록 구성되어 있다. 주로, 배기관(231), APC 밸브(244), 압력 센서(245)에 의해 배기계가 구성된다. 진공 펌프(246)를 배기계에 포함해서 생각해도 된다.
반응관(203)의 하방에는, 반응관(203)의 하단 개구를 기밀하게 폐색 가능한 노구 덮개로서의 시일 캡(219)이 설치되어 있다. 시일 캡(219)은, 예를 들어 SUS 등의 금속 재료에 의해 구성되고, 원반 형상으로 형성되어 있다. 시일 캡(219)의 상면에는, 반응관(203)의 하단과 맞닿는 시일 부재로서의 O링(220)이 설치되어 있다. 시일 캡(219)의 하방에는, 후술하는 보트(217)를 회전시키는 회전 기구(267)가 설치되어 있다. 회전 기구(267)의 회전축(255)은, 시일 캡(219)을 관통해서 보트(217)에 접속되어 있다. 회전 기구(267)는, 보트(217)를 회전시킴으로써 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성되어 있다. 시일 캡(219)은, 반응관(203)의 외부에 설치된 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성되어 있다. 보트 엘리베이터(115)는, 시일 캡(219)을 승강시킴으로써, 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내외로 반입 및 반출(반송)하는 반송 장치(반송 기구)로서 구성되어 있다.
기판 지지구로서의 보트(217)는, 복수매, 예를 들어 25 내지 200매의 웨이퍼(200)를, 수평 자세이면서 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 수직 방향으로 정렬시켜 다단으로 지지하도록, 즉, 간격을 두고 배열시키도록 구성되어 있다. 보트(217)는, 예를 들어 석영이나 SiC 등의 내열성 재료에 의해 구성된다. 보트(217)의 하부에는, 예를 들어 석영이나 SiC 등의 내열성 재료에 의해 구성되는 단열판(218)이 다단으로 지지되어 있다.
반응관(203) 내에는, 온도 검출기로서의 온도 센서(263)가 설치되어 있다. 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(207)에의 통전 상태를 조정함으로써, 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포로 된다. 온도 센서(263)는, 반응관(203)의 내벽을 따라 설치되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해서, CPU(121a)와 데이터 교환 가능하게 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 성막 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이 판독 가능하게 저장되어 있다. 프로세스 레시피는, 후술하는 성막 처리에서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히 프로그램이라고도 한다. 또한, 프로세스 레시피를, 간단히 레시피라고도 한다. 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우에는, 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 상술한 MFC(241a 내지 241d), 밸브(243a 내지 243d), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 진공 펌프(246), 히터(207), 온도 센서(263), 회전 기구(267), 보트 엘리베이터(115) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. CPU(121a)는, 판독한 레시피의 내용을 따르도록, MFC(241a 내지 241d)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243a 내지 243d)의 개폐 동작, APC 밸브(244)의 개폐 동작 및 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서(263)에 기초하는 히터(207)의 온도 조정 동작, 회전 기구(267)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(121)는, 외부 기억 장치(예를 들어, HDD 등의 자기 디스크, CD 등의 광디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리)(123)에 저장된 상술한 프로그램을, 컴퓨터에 인스톨함으로써 구성할 수 있다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성되어 있다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히 기록 매체라고도 한다. 본 명세서에서 기록 매체라는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, 컴퓨터에의 프로그램의 제공은, 외부 기억 장치(123)를 사용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해서 행해도 된다.
(2) 기판 처리 공정
상술한 기판 처리 장치를 사용하여, 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, 기판으로서의 웨이퍼(200) 상에 실리콘 산화막(SiO막)을 형성하는 시퀀스 예에 대해서, 도 4를 사용해서 설명한다. 이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
도 4에 도시하는 성막 시퀀스에서는, 웨이퍼(200)에 대하여 노즐(249a)로부터 HCDS 가스를 공급하는 스텝 1과, 웨이퍼(200)에 대하여 노즐(249b)로부터 O2 가스를 공급하는 스텝 2를 포함하는 사이클을 소정 횟수(1회 이상) 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에 Si 및 O를 포함하는 막으로서 SiO막을 형성한다.
또한, 상술한 스텝 2는, 웨이퍼(200)에 대하여 O2 가스와 H2 가스를 동시에 공급하는 기간을 포함하고 있다. H2 가스의 공급은 노즐(249a)로부터 행한다.
본 명세서에서는, 도 4에 도시하는 성막 시퀀스를, 편의상, 이하와 같이 나타내는 경우도 있다. 후술하는 변형예나 다른 실시 형태에서의 성막 시퀀스에 대해서도 마찬가지의 표기를 사용한다.
(HCDS→O2+H2)×n ⇒ SiO
본 명세서에서 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우에는, 웨이퍼 그 자체를 의미하는 경우와, 웨이퍼와 그 표면에 형성된 소정의 층이나 막과의 적층체를 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼의 표면」이라는 말을 사용한 경우에는, 웨이퍼 그 자체의 표면을 의미하는 경우와, 웨이퍼 상에 형성된 소정의 층 등의 표면을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼 상에 소정의 층을 형성한다」라고 기재했을 경우에는, 웨이퍼 그 자체의 표면 상에 소정의 층을 직접 형성하는 것을 의미하는 경우와, 웨이퍼 상에 형성되어 있는 층 등의 위에 소정의 층을 형성하는 것을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「기판」이라는 말을 사용한 경우도, 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우와 동의이다.
(웨이퍼 차지 및 보트 로드)
복수매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(웨이퍼 차지)된다. 그 후, 도 1에 도시한 바와 같이, 복수매의 웨이퍼(200)를 지지한 보트(217)는, 보트 엘리베이터(115)에 의해 들어 올려져서 처리실(201) 내에 반입(보트 로드)된다. 이 상태에서, 시일 캡(219)은, O링(220)을 개재해서 반응관(203)의 하단을 시일한 상태가 된다.
(압력 조정 및 온도 조정)
처리실(201) 내, 즉, 웨이퍼(200)가 존재하는 공간이 원하는 압력(진공도)으로 되도록, 진공 펌프(246)에 의해 처리실(201) 내가 진공 배기(감압 배기)된다. 이때, 처리실(201) 내의 압력은 압력 센서(245)로 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(244)가 피드백 제어된다. 또한, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)가 원하는 온도로 되도록, 히터(207)에 의해 가열된다. 이때, 처리실(201) 내가 원하는 온도 분포로 되도록, 온도 센서(263)가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(207)에의 통전 상태가 피드백 제어된다. 또한, 회전 기구(267)에 의한 웨이퍼(200)의 회전을 개시한다. 처리실(201) 내의 배기, 웨이퍼(200)의 가열 및 회전은, 모두 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 종료될 때까지의 동안에는 계속해서 행하여진다.
(성막 스텝)
그 후, 다음의 스텝 1, 2를 순차 실행한다.
[스텝 1]
이 스텝에서는, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 HCDS 가스를 공급한다.
구체적으로는, 밸브(243a)를 개방하고, 가스 공급관(232a) 내에 HCDS 가스를 흘린다. HCDS 가스는, MFC(241a)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. HCDS 가스는, 노즐(249a)에 형성된 가스 공급 구멍(251a) 및 가스 공급 구멍(250a) 각각으로부터 처리실(201) 내에 공급되고, 그 후, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 HCDS 가스가 공급된다. 이때 밸브(243c, 243d)를 개방하고, 가스 공급관(232c, 232d) 내에 N2 가스를 흘리도록 해도 된다. 이 경우, N2 가스는, MFC(241c, 241d)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249a, 249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다.
웨이퍼(200)에 대하여 HCDS 가스를 공급함으로써, 웨이퍼(200)의 표면 상에, Cl을 포함하는 Si 함유층(제1층)이 형성된다. Cl을 포함하는 Si 함유층은, 웨이퍼(200)의 표면에, HCDS가 물리 흡착되거나, HCDS의 일부가 분해한 물질이 화학 흡착되거나, HCDS가 열분해하거나 하는 것 등에 의해 형성된다. 즉, Cl을 포함하는 Si 함유층은, HCDS나 HCDS의 일부가 분해한 물질의 흡착층(물리 흡착층이나 화학 흡착층)이어도 되고, Cl을 포함하는 Si층이어도 된다. 이하, Cl을 포함하는 Si 함유층을, 간단히 Si 함유층이라고도 칭한다.
웨이퍼(200) 상에 Si 함유층을 형성한 후, 밸브(243a)를 폐쇄하고, 처리실(201) 내에의 HCDS 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 처리실(201) 내를 진공 배기하여, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스 등을 처리실(201) 내로부터 배제한다. 이때, 밸브(243c, 243d)를 개방하고, 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용한다.
[스텝 2]
스텝 1이 종료된 후, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 O2 가스 및 H2 가스를 서로 다른 노즐로부터 동시에 공급한다.
구체적으로는, 밸브(243b, 243a)를 개방하고, 가스 공급관(232b, 232a) 내에 O2 가스, H2 가스를 각각 흘린다. O2 가스, H2 가스는, 각각 MFC(241b, 241a)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249b, 249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. O2 가스는, 노즐(249b)에 형성된 가스 공급 구멍(250b) 각각으로부터 처리실(201) 내에 공급되고, H2 가스는, 노즐(249a)에 형성된 가스 공급 구멍(251a) 및 가스 공급 구멍(250a) 각각으로부터 처리실(201) 내에 공급된다. O2 가스와 H2 가스는, 처리실(201) 내에서 혼합해서 반응하고, 그 후, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 O2 가스 및 H2 가스가 동시에 또한 함께 공급된다. 밸브(243c, 243d)의 개폐 제어는, 스텝 1에서의 밸브(243c, 243d)의 개폐 제어와 마찬가지로 한다.
처리실(201) 내에 O2 가스 및 H2 가스를 동시에 또한 함께 공급함으로써, 이들 가스는, 가열된 감압 분위기 하에서 논 플라스마로 열적으로 활성화(여기)되어서 반응하고, 그에 의해, 원자상 산소(O) 등의 산소를 포함하는 수분(H2O) 비함유의 산화종이 생성된다. 그리고, 주로 이 산화종에 의해, 스텝 1에서 웨이퍼(200) 상에 형성된 Si 함유층에 대하여 산화 처리가 행하여진다. 이 산화종이 갖는 에너지는, Si 함유층 중에 포함되는 Si-Cl 결합 등의 결합 에너지보다도 높기 때문에, 이 산화종의 에너지를 Si 함유층에 부여함으로써, Si 함유층 중에 포함되는 Si-Cl 결합 등은 분리된다. Si와의 결합이 분리된 Cl 등은 층 중으로부터 제거되어, Cl2, HCl 등으로서 배출된다. 또한, Cl 등과의 결합이 잘라짐으로써 남은 Si의 결합손은, 산화종에 포함되는 O와 결부되어, Si-O 결합이 형성된다. 이와 같이 하여, Si 함유층은, Si 및 O를 포함하고, Cl 등의 불순물의 함유량이 적은 층, 즉, 고순도의 SiO층(제2층)으로 변화된다(개질된다). 이 산화 처리에 의하면, O2 가스를 단독으로 공급하는 경우나 H2O 가스(수증기)를 단독으로 공급하는 경우에 비해, 산화력을 대폭 향상시킬 수 있다. 즉, 감압 분위기 하에서 O2 가스에 H2 가스를 첨가함으로써, O2 가스 단독 공급의 경우나 H2O 가스 단독 공급의 경우에 비해, 대폭적인 산화력 향상 효과가 얻어지게 된다.
Si 함유층을 SiO층으로 변화시킨 후, 밸브(243b, 243a)를 폐쇄하고, 처리실(201) 내에의 O2 가스 및 H2 가스의 공급을 각각 정지한다. 그리고, 스텝 1과 마찬가지의 처리 수순에 의해, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스 등을 처리실(201) 내로부터 배제한다.
[소정 횟수 실시]
스텝 1, 2를 비동시에, 즉, 동기시키지 않고 행하는 사이클을 1회 이상(n회) 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에 SiO막을 형성할 수 있다. 상술한 사이클은, 복수회 반복하는 것이 바람직하다. 즉, 1 사이클당 형성하는 SiO층의 두께를 원하는 막 두께보다도 작게 하여, SiO층을 적층함으로써 형성되는 SiO막의 막 두께가 원하는 막 두께로 될 때까지, 상술한 사이클을 복수회 반복하는 것이 바람직하다.
스텝 1에서의 처리 조건으로서는,
HCDS 가스 공급 유량: 10 내지 2000sccm, 바람직하게는 100 내지 1000sccm
HCDS 가스 공급 시간: 1 내지 120초, 바람직하게는 1 내지 60초
N2 가스 공급 유량(가스 공급관마다): 10 내지 10000sccm
처리 온도: 250 내지 800℃, 바람직하게는 400 내지 700℃
처리 압력: 1 내지 2666Pa, 바람직하게는 67 내지 1333Pa
이 예시된다.
스텝 2에서의 처리 조건으로서는,
O2 가스 공급 유량: 100 내지 10000sccm
H2 가스 공급 유량: 100 내지 10000sccm
O2 가스 및 H2 가스 공급 시간: 1 내지 120초, 바람직하게는 1 내지 60초
처리 압력: 13.3 내지 1333Pa, 바람직하게는 13.3 내지 399Pa
이 예시된다. 다른 처리 조건은, 스텝 1에서의 처리 조건과 마찬가지로 한다.
원료 가스로서는, HCDS 가스 외에, 모노클로로실란(SiH3Cl, 약칭: MCS) 가스, 디클로로실란(SiH2Cl2, 약칭: DCS) 가스, 트리클로로실란(SiHCl3, 약칭: TCS) 가스, 테트라클로로실란(SiCl4, 약칭: STC) 가스, 옥타클로로트리실란(Si3Cl8, 약칭: OCTS) 가스 등의 클로로실란 원료 가스를 사용할 수 있다.
제1 반응 가스로서는, O2 가스 외에, 아산화질소(N2O) 가스, 일산화질소(NO) 가스, 이산화질소(NO2) 가스, 오존(O3) 가스, H2 가스+O3 가스, 수증기(H2O 가스), 일산화탄소(CO) 가스, 이산화탄소(CO2) 가스 등의 O 함유 가스를 사용할 수 있다.
제2 반응 가스로서는, H2 가스 외에, 중수소(D2) 가스 등의 H 함유 가스를 사용할 수 있다.
불활성 가스로서는, N2 가스 외에, 예를 들어 Ar 가스, He 가스, Ne 가스, Xe 가스 등의 희가스를 사용할 수 있다.
(애프터 퍼지 및 대기압 복귀)
성막 스텝이 종료된 후, 가스 공급관(232c, 232d) 각각으로부터 N2 가스를 처리실(201) 내에 공급하고, 배기관(231)으로부터 배기한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용한다. 이에 의해, 처리실(201) 내가 퍼지되어, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스나 반응 부생성물이 처리실(201) 내로부터 제거된다(애프터 퍼지). 그 후, 처리실(201) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되고(불활성 가스 치환), 처리실(201) 내의 압력이 상압으로 복귀된다(대기압 복귀).
(보트 언로드 및 웨이퍼 디스차지)
보트 엘리베이터(115)에 의해 시일 캡(219)이 하강되고, 반응관(203)의 하단이 개구된다. 그리고, 처리가 끝난 웨이퍼(200)가, 보트(217)에 지지된 상태에서, 반응관(203)의 하단으로부터 반응관(203)의 외부로 반출(보트 언로드)된다. 처리가 끝난 웨이퍼(200)는, 반응관(203)의 외부로 반출된 후, 보트(217)로부터 취출된다(웨이퍼 디스차지).
(3) 본 실시 형태에 의한 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과가 얻어진다.
(a) HCDS 가스를 공급하는 노즐(249a)의 천장부에 가스 공급 구멍(251a)을 형성하고, 그 개구 면적을, 노즐(249a)의 측부에 형성된 가스 공급 구멍(250a)의 각각의 개구 면적보다도 크게 함으로써, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 웨이퍼간 막 두께 균일성(이하, WtW라고도 칭함)을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
노즐(249a)의 천장부에 가스 공급 구멍(251a)을 형성하지 않을 경우, 스텝 1을 실시했을 때, 처리실(201) 내의 웨이퍼 수용 영역(웨이퍼 배열 영역)의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도가 저하되어, 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 대한 HCDS 가스의 공급량이 부족한 경우가 있다. 결과로서, 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 막 두께가, 웨이퍼 수용 영역의 하부 영역이나 중앙부 영역에 수용된 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 막 두께보다도 얇아질 경우가 있다. 즉, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 WtW가 저하되는 경우가 있다. 또한, 노즐(249a)의 천장부에 가스 공급 구멍(251a)을 형성했다고 해도, 그 개구 면적이, 노즐(249a)의 측부에 형성된 가스 공급 구멍(250a)의 각각의 개구 면적 이하의 크기일 경우, 스텝 1을 실시했을 때, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도가 여전히 낮고, 또한 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 대한 HCDS 가스의 공급량도 여전히 부족하여, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 WtW가, 가스 공급 구멍(251a)을 형성하지 않은 경우의 그것과 마찬가지의 경향을 나타내는 경우가 있다.
이에 반해, 본 실시 형태와 같이, 노즐(249a)의 천장부에 가스 공급 구멍(251a)을 형성하고, 그 개구 면적을 상술한 바와 같이 크게 함으로써, 스텝 1을 실시했을 때, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도를 증가시키는 방향으로, 즉, 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 대한 HCDS 가스의 공급량을 증가시키는 방향으로 제어하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 막 두께를 증가시키고, 결과적으로, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 WtW를 향상시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 가스 공급 구멍(251a)의 직경을, 가스 공급 구멍(250a)의 직경의 2배 이상의 크기로 했을 경우, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도를 더욱 증가시켜, 결과적으로, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 WtW를 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다. 단, 가스 공급 구멍(251a)의 직경이 가스 공급 구멍(250a)의 직경의 8배를 초과하면, 노즐(249a) 내의 압력이 저하되어, 가스 공급 구멍(250a)으로부터 수평 방향으로 공급되는 가스의 유속이 부족한 경우가 있다. 또한, 노즐(249a) 내에서의 HCDS 가스의 체류 시간이 짧아져, 노즐(249a)로부터 처리실(201)에 공급된 후의 HCDS 가스의 분해가 진행되기 어려워질 경우가 있다. 이러한 경우, 웨이퍼 수용 영역의 하부 영역이나 중앙부 영역에 수용된 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 막 두께가, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 막 두께보다도 얇아지는 등, WtW가 저하되는 경우가 있다. 또한, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 웨이퍼 면내 막 두께 균일성(이하, WiW라고도 칭함)이 저하되는 경우도 있다. 가스 공급 구멍(251a)의 직경을, 가스 공급 구멍(250a)의 직경의 8배 이하의 크기로 함으로써, 이들 과제를 해소하는 것이 가능하게 된다. 이상으로부터, 가스 공급 구멍(251a)의 직경은, 가스 공급 구멍(250a)의 직경의 2배 이상 8배 이하의 크기로 하는 것이 바람직하다. 또한, 노즐(249b)의 가스 공급 구멍(250b)의 직경을 노즐(249a)의 가스 공급 구멍(250a)의 직경과 동일하게 했을 경우, 가스 공급 구멍(251a)의 직경은, 가스 공급 구멍(250b)의 직경의 2배 이상 8배 이하의 크기로 하는 것이 바람직하다.
(b) HCDS 가스를 공급하는 노즐(249a)의 천장부에 가스 공급 구멍(251a)을 형성하고, 그 개구 면적을, 노즐(249a)의 측부에 형성된 가스 공급 구멍(250a)의 각각의 개구 면적보다도 크게 함으로써, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 WiW를 향상시키는 것이 가능하게 된다.
노즐(249a)의 천장부에 가스 공급 구멍(251a)을 형성하지 않을 경우, 상술한 바와 같이, 스텝 1을 실시했을 때, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도가 저하되어, 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 대한 HCDS 가스의 공급량이 부족한 경우가 있다. 이 경우, 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 웨이퍼 면내 막 두께 분포(이하, 면내 막 두께 분포라고도 칭함)가 웨이퍼(200)의 표면의 주연부(외주부)에서 가장 두껍고, 중앙부에 근접함에 따라서 서서히 얇아지는 분포(이하, 중앙 오목 분포라고도 칭함)로 되는 경우가 있다. 또한, 노즐(249a)의 천장부에 가스 공급 구멍(251a)을 형성했다고 해도, 그 개구 면적이, 노즐(249a)의 측부에 형성된 가스 공급 구멍(250a)의 각각의 개구 면적 이하의 크기일 경우, 스텝 1을 실시했을 때, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도가 여전히 낮고, 또한 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 대한 HCDS 가스의 공급량도 여전히 부족한 경우가 있어, 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 면내 막 두께 분포가, 가스 공급 구멍(251a)을 형성하지 않은 경우의 그것과 마찬가지의 경향을 나타내는 경우가 있다.
이에 반해, 본 실시 형태와 같이, 노즐(249a)의 천장부에 가스 공급 구멍(251a)을 형성하고, 그 개구 면적을 상술한 바와 같이 크게 함으로써, 스텝 1을 실시했을 때, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도를 증가시키는 방향으로, 즉, 이 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200)에 대한 HCDS 가스의 공급량을 증가시키는 방향으로 제어하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에 수용된 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막의 면내 막 두께 분포를, 중앙 오목 분포로부터, 웨이퍼(200)의 표면의 중앙부로부터 주연부에 걸쳐 막 두께 변화가 적은 평탄한 막 두께 분포(이하, 플랫 분포라고도 칭함)에 근접시키는 것이 가능하게 된다. 즉, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiO막이 갖는 중앙 오목 분포의 정도를 완화시켜, WiW를 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(c) 상술한 효과는, HCDS 가스 이외의 상술한 원료 가스를 사용하는 경우나, O2 가스 이외의 상술한 O 함유 가스를 사용하는 경우나, H2 가스 이외의 상술한 H 함유 가스를 사용하는 경우나, N2 가스 이외의 상술한 불활성 가스를 사용하는 경우에도, 마찬가지로 얻을 수 있다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명하였다. 단, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.
예를 들어, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 노즐(249b)의 천장부에, 수직 방향을 향해서 개구되는 제2 천장 구멍으로서의 가스 공급 구멍(251b)을 형성해도 된다. 이 경우, 가스 공급 구멍(251a)의 개구 면적은, 가스 공급 구멍(251b)의 개구 면적보다도 크게 하고, 또한 가스 공급 구멍(250b)의 개구 면적보다도 크게 한다. 바람직하게는, 가스 공급 구멍(251a, 251b, 250b)을 각각 원형으로 했을 때, 가스 공급 구멍(251a)의 직경은, 가스 공급 구멍(250b)의 직경의 2배 이상 8배 이하의 크기로 한다. 또한 바람직하게는, 가스 공급 구멍(251a)의 직경은, 가스 공급 구멍(251b)의 직경의 2배 이상 8배 이하의 크기로 한다. 도 5의 (b)에 나타내는 구성의 노즐(249a, 249b)을 사용하는 경우에도, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 가스 공급 구멍(251b)은, 노즐(249b) 내에서 가스가 정체하는 것을 방지하도록 작용한다.
또한 예를 들어, 반응체로서, 암모니아(NH3) 가스 등의 질소(N) 함유 가스, 프로필렌(C3H6) 가스 등의 탄소(C) 함유 가스, 트리에틸아민((C2H5)3N, 약칭: TEA) 가스 등의 N 및 C를 포함하는 가스, 트리클로로보란(BCl3) 가스 등의 붕소(B) 함유 가스 등을 사용하여, 이하에 나타내는 성막 시퀀스에 의해, 기판 상에, 실리콘 산질화막(SiON막), 실리콘 질화막(SiN막), 실리콘 탄질화막(SiCN막), 실리콘 산탄질화막(SiOCN막), 실리콘 붕탄질화막(SiBCN막), 실리콘 붕질화막(SiBN막) 등을 형성하게 해도 된다. 이러한 경우에도, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 이들 반응체를 공급할 때의 처리 수순, 처리 조건은, 예를 들어 상술한 실시 형태에서 반응체를 공급할 때의 그것들과 마찬가지로 할 수 있다.
(HCDS→NH3→O2)×n ⇒ SiON
(HCDS→NH3)×n ⇒ SiN
(HCDS→TEA)×n ⇒ SiCN
(HCDS→C3H6→NH3)×n ⇒ SiCN
(HCDS→TEA→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBCN
(HCDS→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBN
또한 예를 들어, 원료로서, 티타늄테트라클로라이드(TiCl4) 가스나 트리메틸알루미늄(Al(CH3)3, 약칭: TMA) 가스 등을 사용하여, 이하에 나타내는 성막 시퀀스에 의해, 기판 상에, 티타늄 질화막(TiN막), 티타늄 산질화막(TiON막), 티타늄 알루미늄 탄질화막(TiAlCN막), 티타늄 알루미늄 탄화막(TiAlC막), 티타늄 탄질화막(TiCN막), 티타늄 산화막(TiO막) 등을 형성하게 해도 된다. 이러한 경우에도, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 이들 원료나 반응체를 공급할 때의 처리 수순, 처리 조건은, 예를 들어 상술한 실시 형태에서 원료나 반응체를 공급할 때의 그것들과 마찬가지로 할 수 있다.
(TiCl4→NH3)×n ⇒ TiN
(TiCl4→NH3→O2)×n ⇒ TiON
(TiCl4→TMA→NH3)×n ⇒ TiAlCN
(TiCl4→TMA)×n ⇒ TiAlC
(TiCl4→TEA)×n ⇒ TiCN
(TiCl4→H2O)×n ⇒ TiO
기판 처리에 사용되는 레시피는, 처리 내용에 따라 개별로 준비하여, 전기 통신 회선이나 외부 기억 장치(123)를 통해서 기억 장치(121c) 내에 저장해 두는 것이 바람직하다. 그리고, 처리를 개시할 때, CPU(121a)가, 기억 장치(121c) 내에 저장된 복수의 레시피 중에서, 기판 처리의 내용에 따라, 적정한 레시피를 적절히 선택하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 1대의 기판 처리 장치에서 다양한 막종, 조성비, 막질, 막 두께의 막을, 재현성 좋게 형성할 수 있게 된다. 또한, 오퍼레이터의 부담을 저감할 수 있어, 조작 미스를 피하면서, 처리를 신속하게 개시할 수 있게 된다.
상술한 레시피는, 새롭게 작성하는 경우에 한하지 않고, 예를 들어 기판 처리 장치에 이미 인스톨되어 있던 기존의 레시피를 변경함으로써 준비해도 된다. 레시피를 변경하는 경우에는, 변경 후의 레시피를, 전기 통신 회선이나 당해 레시피를 기록한 기록 매체를 통해서, 기판 처리 장치에 인스톨해도 된다. 또한, 기존의 기판 처리 장치가 구비하는 입출력 장치(122)를 조작하여, 기판 처리 장치에 이미 인스톨되어 있던 기존의 레시피를 직접 변경하도록 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 한 번에 복수매의 기판을 처리하는 뱃치식의 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 예에 대해서 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되지 않고, 예를 들어 한 번에 1매 또는 수매의 기판을 처리하는 낱장식의 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 경우에도, 적합하게 적용할 수 있다. 또한, 상술한 실시 형태에서는, 핫월형의 처리 로를 갖는 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 예에 대해서 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되지 않고, 콜드월형의 처리 로를 갖는 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 경우에도, 적합하게 적용할 수 있다. 이들 기판 처리 장치를 사용하는 경우에도, 상술한 실시 형태나 변형예와 마찬가지의 시퀀스, 처리 조건에서 성막을 행할 수 있고, 상술한 실시 형태나 변형예와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
상술한 실시 형태의 방법에 의해 형성한 Si막은, 콘택트 홀의 매립에 의한 콘택트 플러그의 형성 등의 용도에, 적합하게 사용하는 것이 가능하다.
또한, 상술한 각종 실시 형태는, 적절히 조합해서 사용할 수 있다. 이때의 처리 수순, 처리 조건은, 예를 들어 상술한 실시 형태의 처리 수순, 처리 조건과 마찬가지로 할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 대해서 설명한다.
실시예로서, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 사용하여, 도 4에 도시하는 성막 시퀀스에 의해, 복수매의 웨이퍼 상에 SiO막을 형성하였다. HCDS 가스 및 H2 가스의 공급에 사용한 노즐 A, O2 가스의 공급에 사용한 노즐 B의 구성은, 각각 도 5의 (a)에 나타내는 제1, 제2 노즐(노즐(249a, 249b))의 구성과 마찬가지로 하였다. 노즐 A에 형성한 천장 구멍의 직경은, 노즐 A에 형성한 각각의 측부 구멍의 직경의 2배 이상 8배 이하의 범위 내의 크기로 하였다. 노즐 B의 구성은, 천장 구멍을 형성하지 않은 점을 제외하고 노즐 A의 구성과 마찬가지로 하였다. 처리 조건은, 상술한 실시 형태에 기재된 처리 조건 범위 내의 소정의 조건으로 하였다.
비교예로서, 실시예와 마찬가지의 성막 시퀀스에 의해, 복수매의 웨이퍼 상에 SiO막을 형성하였다. HCDS 가스 및 H2 가스의 공급에 사용한 노즐 C의 구성은, 천장 구멍을 형성하지 않은 점을 제외하고 실시예에서 사용한 노즐 A의 구성과 마찬가지로 하였다. O2 가스의 공급에 사용한 노즐 D의 구성은, 실시예에서 사용한 노즐 B의 구성과 마찬가지로 하였다. 기판 처리 장치가 갖는 다른 부재의 구성은, 실시예에서 사용한 기판 처리 장치의 각 부재의 구성과 마찬가지로 하였다. 처리 조건은, 실시예에서의 처리 조건과 마찬가지로 하였다.
그리고, 실시예 및 비교예 각각에 대해서, 스텝 1을 실시했을 때의 처리실 내에서의 HCDS 가스의 농도 분포를 측정하였다. 도 6의 (a)는 비교예에서의 HCDS 가스의 농도 분포를, 도 6의 (b)는 실시예에서의 HCDS 가스의 농도 분포를 각각 나타내고 있다. 도 6의 (a), 도 6의 (b)의 종축은, 웨이퍼 수용 영역 내에서의 웨이퍼의 수용 위치(120이 상부, 0이 하부, 이하 마찬가지임)를 나타내고 있다. 도 6의 (a), 도 6의 (b)의 횡축은, 처리실 내에서의 HCDS 가스의 N2 가스에 대한 분압 비율(HCDS/N2)을 나타내고 있고, 이것은, HCDS 가스의 농도와 동의이다.
도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에서는, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도가, 웨이퍼 수용 영역의 중앙부 영역이나 하부 영역에서의 HCDS 가스의 농도에 비해 대폭 저하되어 있었다. 이에 반해, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 실시예에서는, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스의 농도가 대폭 증가하였다. 이러한 점에서, 소정의 개구 면적을 갖는 천장 구멍을 형성한 노즐 A를 사용해서 HCDS 가스의 공급을 행함으로써, 천장 구멍을 형성하지 않은 노즐 C를 사용해서 HCDS 가스의 공급을 행하는 경우에 비해, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에서의 HCDS 가스 농도를 증가시키는 등, HCDS 가스의 농도 분포를 광범위하게 제어 가능한 것을 알 수 있다.
계속해서, 실시예 및 비교예 각각에 대해서, 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 막 두께를 측정하고, WtW, WiW를 평가하였다. 도 7의 (a)는 WtW의 평가 결과를 도시하는 도면이며, 도 7의 (b)는 WiW의 평가 결과를 도시하는 도면이다. 도 7의 (a), 도 7의 (b)의 종축은, 웨이퍼 수용 영역 내에서의 웨이퍼의 수용 위치를 나타내고 있다. 도 7의 (a)의 횡축은 각 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 평균 막 두께(Å)를 나타내고 있고, 도 7의 (b)의 횡축은 각 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 WiW를 나타내고 있다. WiW는, 그 값이 작을수록 웨이퍼 면내에서의 막 두께의 균일성이 높은 것을 의미하고 있다. 어느 도에서든, ■은 실시예를, ◆은 비교예를 각각 나타내고 있다.
도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에서는, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에 수용된 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 평균 막 두께가, 웨이퍼 수용 영역의 중앙부 영역이나 하부 영역에 수용된 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 평균 막 두께에 비해서 얇게 되어 있었다. 이에 반해, 실시예에서는, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역에 수용된 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 평균 막 두께가, 웨이퍼 수용 영역의 중앙부 영역이나 하부 영역에 수용된 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 평균 막 두께에 비해서 두껍게 되어 있었다. SiO막의 평균 막 두께의 웨이퍼간에서의 분포를 비교하면, 실시예가, 비교예에 비해 WtW가 더 양호하였다. 또한, 비교예 및 실시예에서의 SiO막의 평균 막 두께의 웨이퍼간 분포는, 각각, 도 6의 (a), 도 6의 (b)에 나타내는 HCDS 가스의 농도 분포와 대략 마찬가지의 경향을 갖고 있었다. 이러한 점에서, 소정의 개구 면적을 갖는 천장 구멍을 형성한 노즐 A를 사용해서 HCDS 가스의 공급을 행함으로써, 천장 구멍을 형성하지 않은 노즐 C를 사용해서 HCDS 가스의 공급을 행하는 경우에 비해, 웨이퍼 수용 영역에서의 HCDS 가스의 농도 분포를 최적화시켜, WtW를 향상시키는 것이 가능한 것을 알았다.
도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 비교예에서, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역이나 하부 영역에 수용된 웨이퍼 상에 형성된 SiO막은, 웨이퍼 수용 영역의 중앙부 영역에 수용된 웨이퍼 상에 형성된 SiO막에 비해서 강한 중앙 오목 분포를 나타내고 있어, WiW가 저하되어 있었다. 이에 반해, 실시예에서, 웨이퍼 수용 영역의 상부 영역이나 하부 영역에 수용된 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 WiW는, 웨이퍼 수용 영역의 중앙부 영역에 수용된 웨이퍼 상에 형성된 SiO막의 WiW와 동등해서, 모두 양호하였다. 이러한 점에서, 측부 구멍보다도 개구 면적이 큰 천장 구멍을 형성한 노즐을 사용해서 HCDS 가스의 공급을 행함으로써, 웨이퍼 수용 영역에서의 HCDS 가스의 농도 분포를 최적화시켜, 웨이퍼 수용 영역의 전역에 걸쳐 WiW를 향상시키는 것이 가능하게 된다는 것을 알았다.
계속해서, 실시예 및 비교예 각각에 대해서, 스텝 2를 실시했을 때의 처리실 내에서의 H2 가스의 농도 분포를 측정하였다. 도 8은, 실시예 및 비교예에서의 H2 가스의 농도 분포를 나타내고 있다. 도 8의 종축은, 웨이퍼 수용 영역 내에서의 웨이퍼의 수용 위치를 나타내고 있다. 도 8의 횡축은, 처리실 내에서의 H2 가스의 O2 가스 및 N2 가스에 대한 분압 비율(H2/O2+N2)을 나타내고 있고, 이것은, H2 가스의 농도와 동의이다. 도 8에서, 실선은 실시예를, 파선은 비교예를 각각 나타내고 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 실시예에서의 H2 가스의 농도 분포는, 비교예에서의 H2 가스의 농도 분포와 대략 마찬가지이었다. 즉, 소정의 개구 면적을 갖는 천장 구멍을 형성한 노즐 A를 사용한 경우의 처리실 내에서의 H2 가스의 농도 분포는, 천장 구멍을 형성하지 않은 노즐 C를 사용한 경우의 처리실 내에서의 H2 가스의 농도 분포와 거의 다르지 않았다. 이것으로부터, H2 가스의 공급에 사용하는 노즐을, HCDS 가스의 공급에 사용하는 노즐과 공용으로 해도, 웨이퍼 상에 형성되는 SiO막의 WtW나 WiW에는 거의 영향을 주지 않는다는 것을 알았다.
또한 계속해서, 실시예에서 사용한 기판 처리 장치를 사용하여, 웨이퍼에 대하여 HCDS 가스, O2+H2 가스, NH3 가스를 이 순서대로 비동시에 공급하는 사이클을 소정 횟수 행하는 성막 시퀀스에 의해, 웨이퍼 상에 SiON막을 형성하였다. HCDS 가스, H2 가스의 공급은 노즐 A를 사용해서 행하고, O2 가스, NH3 가스의 공급은 노즐 B를 사용해 행하였다. 그 결과, 웨이퍼 상에 형성된 SiON막에서의 WtW, WiW는, 실시예에서 형성된 SiO막의 그것들과 마찬가지의 경향을 나타내는 것으로 확인되었다.
200 : 웨이퍼(기판) 249a : 노즐(제1 노즐)
250a : 가스 공급 구멍(제1 측부 구멍)
251a : 가스 공급 구멍(제1 천장 구멍)
249b : 노즐(제2 노즐)
250b : 가스 공급 구멍(제2 측부 구멍)

Claims (21)

  1. 기판에 대하여 막을 형성하는 처리가 행하여지는 처리실과,
    상기 처리실 내의 기판에 대하여 상기 막을 구성하는 주 원소를 포함하는 원료를 공급하는 제1 노즐과,
    상기 처리실 내의 기판에 대하여 반응체를 공급하는 제2 노즐,
    을 갖고,
    상기 제1 노즐의 측부에는 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍이 설치되고,
    상기 제1 노즐의 선단부에는, 상기 복수의 제1 측부 구멍의 각각의 개구 면적보다도 큰 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 구멍이 설치되고,
    상기 제2 노즐의 측부에는 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제2 측부 구멍이 설치되고,
    상기 제2 노즐의 선단부에는, 상기 제1 구멍의 개구 면적보다도 작은 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제2 구멍이 설치되거나, 또는 상기 제2 구멍이 비(非)설치되는,
    기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 구멍의 직경은, 상기 복수의 제1 측부 구멍의 각각의 직경의 2배 이상 8배 이하인, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 구멍의 개구 면적은, 상기 복수의 제2 측부 구멍의 각각의 개구 면적보다도 큰, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 구멍의 직경은, 상기 복수의 제2 측부 구멍의 각각의 직경의 2배 이상 8배 이하인, 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 노즐의 선단부에는, 상기 제2 구멍이 설치되고,
    상기 제1 구멍의 직경은, 상기 제2 구멍의 직경의 2배 이상 8배 이하인, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 원료를 공급하는 제1 공급계와,
    상기 반응체를 공급하는 제2 공급계와,
    상기 처리실 내에서, 상기 제1 노즐을 통해서 상기 원료를 기판에 대하여 공급하는 처리와, 상기 제2 노즐을 통해서 상기 반응체를 상기 기판에 대하여 공급하는 처리를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 처리를 행하게 하도록, 상기 제1 공급계 및 상기 제2 공급계를 제어하는 것이 가능하도록 구성되는 제어부,
    를 더 갖는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 원료를 공급하는 제1 공급계와,
    상기 반응체로서 제1 반응체 및 제2 반응체를 공급하는 제2 공급계와,
    상기 처리실 내에서, 상기 제1 노즐을 통해서 상기 원료를 기판에 대하여 공급하는 처리와, 상기 제2 노즐을 통해서 상기 제1 반응체를 상기 기판에 대하여 공급하는 처리와, 상기 제1 노즐을 통해서 상기 제2 반응체를 상기 기판에 대하여 공급하는 처리를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 처리를 행하게 하도록, 상기 제1 공급계 및 상기 제2 공급계를 제어하는 것이 가능하도록 구성되는 제어부,
    를 더 갖는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 원료를 공급하는 제1 공급계와,
    상기 반응체로서 제1 반응체 및 제2 반응체를 공급하는 제2 공급계와,
    상기 처리실 내에서, 상기 제1 노즐을 통해서 상기 원료를 기판에 대하여 공급하는 처리와, 상기 제2 노즐을 통해서 상기 제1 반응체를 상기 기판에 대하여 공급함과 함께, 상기 제1 노즐을 통해서 상기 제2 반응체를 상기 기판에 대하여 공급하는 처리를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 처리를 행하게 하도록, 상기 제1 공급계 및 상기 제2 공급계를 제어하는 것이 가능하도록 구성되는 제어부,
    를 더 갖는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주 원소는 실리콘을 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 원료는 할로실란을 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 원료는 클로로실란을 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 원료는, 모노클로로실란 가스, 디클로로실란 가스, 트리클로로실란 가스, 테트라클로로실란 가스, 헥사클로로디실란 가스, 및 옥타클로로트리실란 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반응체는, 산소 함유 가스, 수소 함유 가스, 질소 함유 가스, 탄소 함유 가스, 질소 및 탄소를 포함하는 가스, 및 붕소 함유 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  14. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제1 반응체는, 산소 함유 가스를 포함하고, 상기 제2 반응체는 수소 함유 가스를 포함하는, 기판 처리 장치.
  15. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제1 반응체는, 산소 가스, 아산화질소가스, 일산화질소 가스, 이산화질소 가스, 오존 가스, 수증기, 일산화탄소 가스, 및 이산화탄소 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 반응체는, 수소 가스 및 중수소 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  16. 기판 처리 장치의 처리실 내에 있어서,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 복수의 제1 측부 구멍의 각각의 개구 면적보다도 큰 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 구멍이 설치되는 제1 노즐을 통해서, 형성하고자 하는 막을 구성하는 주 원소를 포함하는 원료를, 기판에 대하여 공급하는 공정과,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제2 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 제1 구멍의 개구 면적보다도 작은 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제2 구멍이 설치되거나, 또는, 상기 제2 구멍이 비설치되는 제2 노즐을 통해서, 반응체를, 상기 기판에 대하여 공급하는 공정,
    을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 기판 처리 장치의 처리실 내에 있어서,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 복수의 제1 측부 구멍의 각각의 개구 면적보다도 큰 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 구멍이 설치되는 제1 노즐을 통해서, 형성하고자 하는 막을 구성하는 주 원소를 포함하는 원료를, 기판에 대하여 공급하는 공정과,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제2 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 제1 구멍의 개구 면적보다도 작은 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제2 구멍이 설치되거나, 또는, 상기 제2 구멍이 비설치되는 제2 노즐을 통해서, 제1 반응체를, 상기 기판에 대하여 공급하는 공정과,
    상기 제1 노즐을 통해서 제2 반응체를 상기 기판에 대해서 공급하는 처리,
    를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 기판 처리 장치의 처리실 내에 있어서,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 복수의 제1 측부 구멍의 각각의 개구 면적보다도 큰 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 구멍이 설치되는 제1 노즐을 통해서, 형성하고자 하는 막을 구성하는 주 원소를 포함하는 원료를, 기판에 대하여 공급하는 공정과,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제2 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 제1 구멍의 개구 면적보다도 작은 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제2 구멍이 설치되거나, 또는, 상기 제2 구멍이 비설치되는 제2 노즐을 통해서, 제1 반응체를, 상기 기판에 대하여 공급함과 함께, 상기 제1 노즐을 통해서 제2 반응체를 상기 기판에 대하여 공급하는 공정,
    을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 기판 처리 장치의 처리실 내에 있어서,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 복수의 제1 측부 구멍의 각각의 개구 면적보다도 큰 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 구멍이 설치되는 제1 노즐을 통해서, 형성하고자 하는 막을 구성하는 주 원소를 포함하는 원료를, 기판에 대하여 공급하는 수순과,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제2 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 제1 구멍의 개구 면적보다도 작은 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제2 구멍이 설치되거나, 또는, 상기 제2 구멍이 비설치되는 제2 노즐을 통해서, 반응체를, 상기 기판에 대하여 공급하는 수순,
    을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 수순을 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  20. 기판 처리 장치의 처리실 내에 있어서,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 복수의 제1 측부 구멍의 각각의 개구 면적보다도 큰 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 구멍이 설치되는 제1 노즐을 통해서, 형성하고자 하는 막을 구성하는 주 원소를 포함하는 원료를, 기판에 대하여 공급하는 수순과,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제2 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 제1 구멍의 개구 면적보다도 작은 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제2 구멍이 설치되거나, 또는, 상기 제2 구멍이 비설치되는 제2 노즐을 통해서, 제1 반응체를, 상기 기판에 대하여 공급하는 수순과,
    상기 제1 노즐을 통해서 제2 반응체를 상기 기판에 대해서 공급하는 수순,
    을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 수순을 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  21. 기판 처리 장치의 처리실 내에 있어서,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제1 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 복수의 제1 측부 구멍의 각각의 개구 면적보다도 큰 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제1 구멍이 설치되는 제1 노즐을 통해서, 형성하고자 하는 막을 구성하는 주 원소를 포함하는 원료를, 기판에 대하여 공급하는 수순과,
    측부에 수평 방향을 향해서 개구되는 복수의 제2 측부 구멍이 설치되고, 선단부에, 상기 제1 구멍의 개구 면적보다도 작은 개구 면적을 갖고, 수직 방향을 향해서 개구되는 제2 구멍이 설치되거나, 또는, 상기 제2 구멍이 비설치되는 제2 노즐을 통해서, 제1 반응체를, 상기 기판에 대하여 공급함과 함께, 상기 제1 노즐을 통해서 제2 반응체를 상기 기판에 대하여 공급하는 수순,
    을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에 상기 주 원소를 포함하는 막을 형성하는 수순을 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6894482B2 (ja) * 2019-09-12 2021-06-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP7365973B2 (ja) * 2020-06-19 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 ガスノズル、基板処理装置及び基板処理方法
JP7194216B2 (ja) * 2021-03-17 2022-12-21 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム及び基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101189495B1 (ko) * 2009-09-30 2012-10-11 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2013197329A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2014063959A (ja) 2012-09-24 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2014236129A (ja) 2013-06-03 2014-12-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR20160040101A (ko) * 2014-10-02 2016-04-12 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR20170018343A (ko) * 2014-06-25 2017-02-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274107A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
JP2009004642A (ja) * 2007-06-22 2009-01-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR20120040433A (ko) * 2010-10-19 2012-04-27 삼성전자주식회사 가스 분출 장치 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법
JP5243519B2 (ja) * 2010-12-22 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6578243B2 (ja) * 2015-07-17 2019-09-18 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ガス供給ノズル、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6538582B2 (ja) * 2016-02-15 2019-07-03 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101189495B1 (ko) * 2009-09-30 2012-10-11 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2013197329A (ja) * 2012-03-21 2013-09-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
JP2014063959A (ja) 2012-09-24 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP2014236129A (ja) 2013-06-03 2014-12-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR20170018343A (ko) * 2014-06-25 2017-02-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR20160040101A (ko) * 2014-10-02 2016-04-12 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램

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