JP2018163931A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
基板に対して主元素を含む膜を形成する処理が行われる処理室と、前記処理室内の基板に対して前記主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、前記処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、を有し、
前記第1ノズルは、天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、
前記第1天井孔の開口面積を、前記第1側孔の開口面積よりも大きくする技術が提供される。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図5(a)を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上にシリコン酸化膜(SiO膜)を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
ウエハ200に対してノズル249aよりHCDSガスを供給するステップ1と、
ウエハ200に対してノズル249bよりO2ガスを供給するステップ2と、
を含むサイクルを所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ200上に、SiおよびOを含む膜としてSiO膜を形成する。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって処理室201内が真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次のステップ1,2を順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してHCDSガスを供給する。
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200に対してO2ガスおよびH2ガスを異なるノズルより同時に供給する。
ステップ1,2を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを1回以上(n回)行うことにより、ウエハ200上に、SiO膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成するSiO層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiO層を積層することで形成されるSiO膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
HCDSガス供給流量:10〜2000sccm、好ましくは100〜1000sccm
HCDSガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):10〜10000sccm
処理温度:250〜800℃、好ましくは400〜700℃
処理圧力:1〜2666Pa、好ましくは67〜1333Pa
が例示される。
O2ガス供給流量:100〜10000sccm
H2ガス供給流量:100〜10000sccm
O2ガスおよびH2ガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
処理圧力:13.3〜1333Pa、好ましくは13.3〜399Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様とする。
成膜ステップが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231より排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。但し、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
(HCDS→NH3)×n ⇒ SiN
(HCDS→TEA)×n ⇒ SiCN
(HCDS→C3H6→NH3)×n ⇒ SiCN
(HCDS→TEA→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBCN
(HCDS→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBN
(TiCl4→NH3→O2)×n ⇒ TiON
(TiCl4→TMA→NH3)×n ⇒ TiAlCN
(TiCl4→TMA)×n ⇒ TiAlC
(TiCl4→TEA)×n ⇒ TiCN
(TiCl4→H2O)×n ⇒ TiO
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板に対して主元素を含む膜を形成する処理が行われる処理室と、
前記処理室内の基板に対して前記主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、
を有し、
前記第1ノズルは、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、
側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、
を有し、
前記第1天井孔の開口面積は、前記第1側孔の開口面積よりも大きい基板処理装置が提供される。
付記1に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第1側孔の直径の2倍以上8倍以下である。
付記1または2に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2ノズルは、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第2天井孔と、
側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第2側孔と、
を有し、
前記第1天井孔の開口面積は、前記第2天井孔の開口面積よりも大きく、また、前記第2側孔の開口面積よりも大きい。
付記3に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第2側孔の直径の2倍以上8倍以下である。
付記3または4に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第2天井孔の直径の2倍以上8倍以下である。
付記1または2に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2ノズルの側部には水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、
前記第2ノズルの天井部には第2天井孔が非設置とされる。
付記1〜6のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記原料を供給する第1供給系と、
前記反応体を供給する第2供給系と、
前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される制御部と、
をさらに有する。
付記7に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体として第1反応体を前記基板に対して供給する処理と、前記第1ノズルを介して前記反応体として第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される。
付記7に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体として第1反応体を前記基板に対して供給するとともに、前記第1ノズルを介して前記反応体として第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される。
本発明の他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、前記第1天井孔の開口面積が、前記第1側孔の開口面積よりも大きい第1ノズルを介して、形成しようとする膜の主元素を含む原料を、基板に対して供給する工程と、
第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、前記第1天井孔の開口面積が、前記第1側孔の開口面積よりも大きい第1ノズルを介して、形成しようとする膜の主元素を含む原料を、基板に対して供給する手順と、
第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
249a ノズル(第1ノズル)
250a ガス供給孔(第1側孔)
251a ガス供給孔(第1天井孔)
249b ノズル(第2ノズル)
250b ガス供給孔(第2側孔)
Claims (6)
- 基板に対して主元素を含む膜を形成する処理が行われる処理室と、
前記処理室内の基板に対して前記主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、
を有し、
前記第1ノズルは、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、
側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、
を有し、
前記第1天井孔の開口面積は、前記第1側孔の開口面積よりも大きい基板処理装置。 - 前記第1天井孔の直径は、前記第1側孔の直径の2倍以上8倍以下である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第2ノズルは、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第2天井孔と、
側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第2側孔と、
を有し、
前記第1天井孔の開口面積は、前記第2天井孔の開口面積よりも大きい請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記第1天井孔の直径は、前記第2側孔の直径の2倍以上8倍以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置の処理室内において、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、前記第1天井孔の開口面積が、前記第1側孔の開口面積よりも大きい第1ノズルを介して、形成しようとする膜の主元素を含む原料を、基板に対して供給する工程と、
第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 基板処理装置の処理室内において、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、前記第1天井孔の開口面積が、前記第1側孔の開口面積よりも大きい第1ノズルを介して、形成しようとする膜の主元素を含む原料を、基板に対して供給する手順と、
第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7365973B2 (ja) | 2020-06-19 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスノズル、基板処理装置及び基板処理方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6894482B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2021-06-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
JP7194216B2 (ja) * | 2021-03-17 | 2022-12-21 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム及び基板処理装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014063959A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2017028256A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給ノズル、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001274107A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Nec Kyushu Ltd | 拡散炉 |
KR100829327B1 (ko) * | 2002-04-05 | 2008-05-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반응 용기 |
JP2009004642A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP5467007B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-04-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
KR20120040433A (ko) * | 2010-10-19 | 2012-04-27 | 삼성전자주식회사 | 가스 분출 장치 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 |
JP5243519B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP2013197329A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP6128969B2 (ja) * | 2013-06-03 | 2017-05-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
KR101920702B1 (ko) | 2014-06-25 | 2018-11-21 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
JP6496510B2 (ja) * | 2014-10-02 | 2019-04-03 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6538582B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2019-07-03 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
-
2017
- 2017-03-24 JP JP2017059162A patent/JP6759137B2/ja active Active
-
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JP2017028256A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給ノズル、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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