KR20200068589A - 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

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KR20200068589A
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bond film
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film
die
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KR1020190158061A
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아키히로 후쿠이
나오히데 다카모토
유타 기무라
유이치로 시시도
도시마사 스기무라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름(DDAF)을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에서 양호한 할단을 실현하면서, 칩간의 할단 개소에 대해 충분한 커프 폭을 확보하는 데 적합한 DDAF를 제공한다. 본 발명의 DDAF는, 다이 본드 필름(10) 및 다이싱 테이프(20)를 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이 본드 필름(10)은, 다이싱 테이프(20)가 갖는 점착제층(22)에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 다이 본드 필름(10)은, 소정 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 20％ 이하이다. 이 다이 본드 필름(10)은, 직경 D1의 원반 형상을 갖고, 당해 원반 형상과 동심원의 직경 D2의 웨이퍼 접착 영역을 포함한다. D1 및 D2는, 0＜(D1-D2)/D2＜1을 충족한다. 또한, 다이싱 테이프(20)는, 소정 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 120％ 이상이다.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE BOND FILM}
본 발명은, 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 수반하는 반도체 칩, 즉 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 얻기 위해서, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착되어 있는 다이 본드 필름을 갖는다.
다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 얻는 방법의 하나로서, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여 다이 본드 필름을 할단하는 공정을 거치는 방법이 알려져 있다.
이 방법에서는, 우선, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 위에 반도체 웨이퍼가 접합된다. 다이 본드 필름은, 반도체 웨이퍼를 상회하는 사이즈의 원반 형상을 갖는다. 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 후에 다이 본드 필름과 함께 할단되어 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다.
다음으로, 각각이 반도체 칩에 밀착되어 있는 복수의 접착 필름 소편이 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름으로부터 발생하도록 당해 다이 본드 필름을 할단하기 위해서, 익스팬드 장치가 사용되어 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프가 반도체 웨이퍼의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여진다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이 본드 필름에 있어서의 할단 개소에 상당하는 개소에서 다이 본드 필름 위의 반도체 웨이퍼에 있어서도 할단이 발생하고, 다이싱 다이 본드 필름 위 내지 다이싱 테이프 위에서 반도체 웨이퍼의 개편화가 도모된다.
익스팬드 공정에서 잡아늘여 이완된 다이싱 다이 본드 필름에 대해서는, 그것에 있어서의 반도체 웨이퍼 주위의 주연 영역이 가열되어 수축된다(히트 슈링크 공정). 이에 의해, 다이 본드 필름에 있어서의 주연 영역보다 내측의 영역(웨이퍼 접합 영역)은 소정 정도의 장력이 작용하는 상태에 이른다. 이러한 히트 슈링크 공정은, 상술한 익스팬드 공정에 있어서 할단된 반도체 칩간의 이격 거리, 즉 소위 커프 폭(kerf width)을, 확보할 목적으로 실시된다.
다음으로, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체 칩이 그것에 밀착되어 있는 칩 상당 사이즈의 다이 본드 필름과 함께, 다이싱 테이프의 하측으로부터 픽업 기구의 핀 부재에 의해 밀어올려진 다음 다이싱 테이프 위로부터 픽업된다. 이와 같이 하여, 다이 본드 필름 즉 접착제층을 수반하는 반도체 칩이 얻어진다. 이 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩은, 그 다이 본드 필름을 개재하여 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다.
예를 들어 이상과 같이 사용되는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1, 2에 기재되어 있다.
일본 특허공개 제2007-2173호 공보 일본 특허공개 제2010-177401호 공보
종래 방식의 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 반도체 장치 제조 과정에 있어서의 상술한 바와 같은 히트 슈링크 공정에서는, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 가열 개소(반도체 웨이퍼 주위의 주연 영역)가 충분히 수축되지 않는 경우가 있다. 그 경우, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 당해 가열 개소보다 내측의 웨이퍼 접합 영역이 충분히 인장되지 못하여, 다이싱 다이 본드 필름 위의 반도체 칩간에서 충분한 커프 폭이 확보되지 않게 된다. 충분한 커프 폭이 확보되지 않는 경우, 다이싱 테이프 위로부터 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 적절하게 픽업할 수 없는 경우가 있으며, 예를 들어 반도체 칩의 픽업 시에, 당해 칩과 그것에 인접하는 칩에 있어서, 칩간 접촉에 기인하는 손상 등이 발생하는 경우가 있다.
본 발명은, 이상과 같은 사정을 기초하여 고안된 것으로서, 그 목적은, 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 얻기 위해 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에 있어서 양호한 할단을 실현하면서, 칩간의 할단 개소에 대하여 그 후에 충분한 커프 폭을 확보하는 데 적합한, 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명에 의해 제공되는 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프 및 다이 본드 필름을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 이 다이싱 테이프는, 폭 10㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 초기 척간 거리 50㎜, -15℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도(신장 전의 길이에 대한, 파단 시의 신장분의 길이의 비율)가, 120％ 이상이다. 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프에 있어서의 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 이 다이 본드 필름은, 폭 10㎜ 및 두께 210㎛의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃, 및 인장 속도 100㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 20％ 이하이다. 또한, 다이 본드 필름은, 직경 D1(㎜)의 원반 형상을 갖고, 당해 원반 형상과 동심원의 직경 D2(㎜)의 웨이퍼 접착 영역(즉, 반도체 웨이퍼가 접합되게 되는 영역)을 포함하며, 또한, D1 및 D2가 D1＞D2 및 (D1-D2)/D2＜0.1을 충족한다. 다이 본드 필름에 있어서의 웨이퍼 접착 영역의 직경 D2는, 예를 들어 200 내지 300㎜이다. 본 다이싱 다이 본드 필름이 8인치 웨이퍼 대응형으로서 설계되는 경우, D2는, 예를 들어 200㎜±5㎜이며, 바람직하게는 200㎜±1㎜, 보다 바람직하게는 200㎜±0.5㎜이다. 본 다이싱 다이 본드 필름이 12인치 웨이퍼 대응형으로서 설계되는 경우, D2는, 예를 들어 300㎜±5㎜이며, 바람직하게는 300㎜±1㎜, 보다 바람직하게는 300㎜±0.5㎜이다. 이와 같은 구성의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 장치의 제조 과정에서 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 얻는 데 사용할 수 있다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 상술한 바와 같이, 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 얻기 위해서, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 할단용 익스팬드 공정이 실시되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름의 일 구성 요소를 이루는 다이 본드 필름에 있어서, 폭 10㎜ 및 두께 210㎛의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃, 및 인장 속도 100㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 20％ 이하라는 상기 구성은, 할단용 익스팬드 공정에 있는 다이 본드 필름에 대하여, 그 할단 예정 개소에 할단을 발생시키는 데 적합하다는 사실을 본 발명자들은 알아내었다. 예를 들어 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다. 다이 본드 필름에 대한 상기 인장 시험에서의 파단 신도가 20％ 이하라는 상기 구성은, 할단용 익스팬드 공정에 있어서, 당해 다이 본드 필름을 할단시키기 위한 인장 길이가 과대해지는 것을 회피하면서 당해 다이 본드 필름에 연성 파괴 등에 의한 파단을 발생시키는 데 적합한 것이다. 다이 본드 필름에 대하여 할단용 익스팬드 공정에서의 양호한 할단성을 확보한다는 관점에서는, 다이 본드 필름에 대한 상기 인장 시험에서의 파단 신도는, 바람직하게는 18％ 이하, 보다 바람직하게는 15％ 이하이다.
본 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프는, 상술한 바와 같이, 폭 10㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 초기 척간 거리 50㎜, -15℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 120％ 이상이다. 이와 같은 구성은, 다이싱 테이프에 대하여, 인장 작용을 받는 익스팬드 공정에 있어서 파단되는 것을 회피하는 데 적합하다. 다이싱 테이프에 대하여, 인장 작용을 받는 익스팬드 공정에 있어서 파단되는 것을 회피하기 위해서는, 다이싱 테이프의 상기 파단 신도는, 바람직하게는 150％ 이상, 보다 바람직하게는 200％ 이상, 보다 바람직하게는 250％ 이상이다.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 상술한 바와 같이, 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 얻기 위해서, 할단용 익스팬드 공정 후에 히트 슈링크 공정이 실시되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름의 일 구성 요소를 이루는 다이 본드 필름에 있어서, 다이 본드 필름의 직경 D1과 당해 다이 본드 필름의 일부인 웨이퍼 접착 영역의 직경 D2(＜D1)이 (D1-D2)/D2＜0.1을 충족한다는 상기 구성은, 소정 사이즈의 다이싱 다이 본드 필름의 면 내 방향 내지 직경 방향에 있어서, 워크인 반도체 웨이퍼에 대해서 다이 본드 필름이 과대해지는 것을 억제하는 데 적합하고, 따라서, 다이 본드 필름 주위에 당해 필름에 의해 피복되지 않은 충분한 넓이의 다이싱 테이프 영역을 확보하는 데 적합하다. 기재와 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프는 다이 본드 필름보다도 가열에 의한 수축률이 큰 경향이 있다. 그 때문에, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 다이 본드 필름 주위에 당해 필름에 의해 피복되지 않은 충분한 넓이의 다이싱 테이프 영역을 확보하는 데 적합한 상기 구성은, 히트 슈링크 공정에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름의 반도체 웨이퍼 주위를 충분히 가열 수축시키는 데 적합하고, 따라서, 다이싱 다이 본드 필름의 당해 가열 개소보다 내측의 웨이퍼 접합 영역에 충분한 장력을 작용시켜 당해 필름 위의 반도체 칩간에서 충분한 커프 폭을 확보하는 데 적합하다. 히트 슈링크 공정에 있어서 다이싱 다이 본드 필름 위의 반도체 칩간에서 충분한 커프 폭을 확보한다는 관점에서는, (D1-D2)/D2의 값은, 바람직하게는 0.7 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5 이하이다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은, 할단용 익스팬드 공정에 있어서 양호한 할단을 실현하면서, 칩간의 할단 개소에 대하여 그 후에 충분한 커프 폭을 확보하는 데 적합하다.
본 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 상기 다이싱 테이프는, 초기 척간 거리 100㎜, 23℃ 및 인장 속도 1000㎜/분의 조건에서 척간 거리 120㎜까지 신장된 폭 10㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 가열 온도 100℃ 및 가열 시간 10초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에서의 열수축률이 바람직하게는 0.1％ 이상, 보다 바람직하게는 0.2％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5％ 이상, 보다 바람직하게는 0.6％ 이상, 보다 바람직하게는 0.7％ 이상, 보다 바람직하게는 1％ 이상, 보다 바람직하게는 1.5％ 이상이다. 다이싱 테이프 내지 그 기재의 소위 MD 방향과 소위 TD 방향의 열수축률이 상이한 경우, 본 발명에 있어서의 다이싱 테이프의 열수축률은, MD 방향의 열수축률과 TD 방향의 열수축률의 평균값에 상당하는 평균 열수축률을 의미하는 것으로 한다. 이와 같은 구성은, 히트 슈링크 공정에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름의 반도체 웨이퍼 주위를 충분히 가열 수축시키는 데 적합하며, 따라서, 다이싱 다이 본드 필름의 당해 가열 개소보다 내측의 웨이퍼 접합 영역에 충분한 장력을 작용시켜 당해 필름 위의 반도체 칩간에서 충분한 커프 폭을 확보하는 데 적합하다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름의 단면 모식도이다.
도 2는, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 3은, 도 2에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 4는, 도 3에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 5는, 도 4에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 6은, 도 5에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 7은, 도 6에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 8은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 9는, 도 8에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 10은, 도 1에 도시한 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 반도체 장치 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 11은, 도 10에 도시한 공정의 후속 공정을 나타낸다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름 X의 단면 모식도이다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 다이 본드 필름(10)과 다이싱 테이프(20)를 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이싱 테이프(20)는, 기재(21)와 점착제층(22)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 점착제층(22)은, 다이 본드 필름(10)측에 점착면(22a)을 갖는다. 다이 본드 필름(10)은, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 내지 그 점착면(22a)에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 반도체 장치의 제조에 있어서 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 얻는 과정에서의 예를 들어 후기와 같은 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다.
다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 다이 본드 필름(10)은, 열경화성을 나타내는 다이 본딩용 접착제로서 기능할 수 있는 구성을 갖는다. 다이 본드 필름(10)은, 수지 성분으로서, 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 일으킬 수 있는 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 된다. 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 다이 본드 필름(10)이 갖는 경우, 당해 다이 본드 필름(10)은 열경화성 수지를 더 포함할 필요는 없다. 이러한 다이 본드 필름(10)은, 단층 구조를 가져도 되고, 인접층 사이에서 조성이 서로 다른 다층 구조를 가져도 된다.
다이 본드 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 및 열경화성 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열경화성 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화성 수지를 함유해도 된다. 에폭시 수지는, 다이 본딩 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있는 점에서, 다이 본드 필름(10) 중의 열경화성 수지로서 바람직하다. 또한, 에폭시 수지에 열경화성을 발현시키기 위한 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.
에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜아민형의 에폭시 수지를 들 수 있다. 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 및 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고 또한 내열성이 우수한 점에서, 다이 본드 필름(10) 중의 에폭시 수지로서 바람직하다.
에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 및 노닐페놀노볼락 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 에폭시 수지의 경화제로서, 1종류의 페놀 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 페놀 수지를 함유해도 된다. 페놀노볼락 수지나 페놀아르알킬 수지는, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시키는 경향이 있으므로, 다이 본드 필름(10) 중의 에폭시 수지용 경화제로서 바람직하다.
다이 본드 필름(10)이 에폭시 수지와 그의 경화제로서의 페놀 수지를 함유하는 경우, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2당량인 비율로, 양 수지는 배합된다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)의 경화에 있어서 당해 에폭시 수지 및 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시키기 위해서 바람직하다.
다이 본드 필름(10)에 있어서의 열경화성 수지의 함유 비율은, 다이 본드 필름(10)에 있어서 그 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서는, 바람직하게는 5 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.
다이 본드 필름(10) 중의 열가소성 수지는 예를 들어 바인더 기능을 담당하는 것이며, 다이 본드 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 및 불소 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열가소성 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열가소성 수지를 함유해도 된다. 아크릴 수지는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높은 점에서, 다이 본드 필름(10) 중의 열가소성 수지로서 바람직하다.
다이 본드 필름(10)이 열가소성 수지로서 아크릴 수지를 함유하는 경우의 당해 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래하는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 「(메트)아크릴」은, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」을 의미하는 것으로 한다.
아크릴 수지의 모노머 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉, 아크릴 수지의 구성 모노머인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르(즉 라우릴에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 및 에이코실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르 및 시클로헥실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산페닐 및 (메트)아크릴산벤질을 들 수 있다. 아크릴 수지의 구성 모노머로서, 1종류의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 또한, 아크릴 수지는, 그것을 형성하기 위한 원료 모노머를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 및 현탁 중합을 들 수 있다.
아크릴 수지는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 모노머를 구성 모노머로 해도 된다. 그러한 모노머로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴을 들 수 있다. 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, (메트)아크릴산카르복시에틸, (메트)아크릴산카르복시펜틸, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 및 크로톤산을 들 수 있다. 산 무수물 모노머로서는, 예를 들어 무수 말레산 및 무수 이타콘산을 들 수 있다. 히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, 및 (메트)아크릴산(4-히드록시메틸시클로헥실)메틸을 들 수 있다. 에폭시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산글리시딜 및 (메트)아크릴산메틸글리시딜을 들 수 있다. 술폰산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산을 들 수 있다. 인산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다.
다이 본드 필름(10)에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서는, 다이 본드 필름(10)에 포함되는 아크릴 수지는, 바람직하게는 아크릴산 부틸과 아크릴산 에틸과 아크릴로니트릴의 공중합체이다.
다이 본드 필름(10)이, 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래하는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 다이 본드 필름(10)에 함유되는 아크릴 수지의 구성 모노머로서 상기한바와 마찬가지의 (메트)아크릴산에스테르를 사용할 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 및 이소시아네이트기를 들 수 있다. 이들 중, 글리시딜기 및 카르복시기를 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지나 카르복시기 함유 아크릴 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기의 종류에 따라서, 그것과 반응을 일으킬 수 있는 경화제가 선택된다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우, 경화제로서는, 에폭시 수지용 경화제로서 상기한 바와 마찬가지의 페놀 수지를 사용할 수 있다.
다이 본딩을 위해서 경화되기 전의 다이 본드 필름(10)에 대하여, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어 다이 본드 필름(10)에 포함되는 상술한 수지 성분의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합을 일으킬 수 있는 다관능성 화합물을 가교제로서 다이 본드 필름 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)에 대하여, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키는 데 있어서, 또한, 내열성의 개선을 도모하는 데 있어서 바람직하다. 그러한 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 및 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물을 들 수 있다. 다이 본드 필름 형성용 수지 조성물에 있어서의 가교제 함유량은, 당해 가교제와 반응하여 결합을 일으킬 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대해서, 형성되는 다이 본드 필름(10)의 응집력 향상의 관점에서는 바람직하게는 0.05질량부 이상이며, 형성되는 다이 본드 필름(10)의 접착력 향상의 관점에서는 바람직하게는 7질량부 이하이다. 또한, 다이 본드 필름(10)에 있어서의 가교제로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다.
다이 본드 필름(10)에 배합되는 상기 아크릴 수지 및 상기 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -40 내지 10℃이다. 폴리머의 유리 전이 온도에 대해서는, 하기 Fox의 식에 기초하여 구해지는 유리 전이 온도(이론값)를 이용할 수 있다. Fox의 식은, 폴리머의 유리 전이 온도 Tg와, 당해 폴리머에 있어서의 구성 모노머마다 단독중합체의 유리 전이 온도 Tgi의 관계식이다. 하기 Fox의 식에 있어서, Tg는 폴리머의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Wi는 당해 폴리머를 구성하는 모노머 i의 중량 분율을 나타내고, Tgi는 모노머 i의 단독중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타낸다. 단독중합체의 유리 전이 온도에 대해서는 문헌값을 이용할 수 있으며, 예를 들어 「신 고분자 문고7 도료용 합성 수지 입문」(기타오카 교조 저, 고분자간행회, 1995년)이나 「아크릴에스테르 카탈로그(1997년도 판)」(미츠비시 레이온 가부시키가이샤)에는, 각종 단독중합체의 유리 전이 온도가 예시되어 있다. 한편, 모노머의 단독중합체 유리 전이 온도에 대해서는, 일본 특허공개 제2007-51271호 공보에 구체적으로 기재되어 있는 방법에 의해 구하는 것도 가능하다.
Fox의 식 1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)]
다이 본드 필름(10)은, 필러를 함유해도 된다. 다이 본드 필름(10)에 대한 필러의 배합은, 다이 본드 필름(10)의 탄성률이나, 항복점 강도, 파단 신도 등의 물성을 조정하는 데 있어서 바람직하다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러는 구 형상, 바늘 형상, 플레이크 형상 등 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 또한, 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 필러를 함유해도 되고, 2종류 이상의 필러를 함유해도 된다.
상기 무기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 및 비정질 실리카를 들 수 있다. 무기 필러의 구성 재료로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 단체 금속이나, 합금, 아몰퍼스 카본, 그래파이트 등도 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)이 무기 필러를 함유하는 경우의 당해 무기 필러의 함유량은, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30질량％ 이상이다. 또한, 상기 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.
상기 유기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 및 폴리에스테르이미드를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)이 유기 필러를 함유하는 경우의 당해 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5질량％ 이상, 보다 바람직하게는 8질량％ 이상이다. 또한, 상기 함유량은, 바람직하게는 20질량％ 이하, 보다 바람직하게는 17질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이다.
다이 본드 필름(10)이 필러를 함유하는 경우의 당해 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005 내지 10㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 1㎛이다. 당해 필러의 평균 입경이 0.005㎛ 이상이라는 구성은, 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 높은 습윤성이나 접착성을 실현하는 데 있어서 적합하다. 당해 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하라는 구성은, 다이 본드 필름(10)에 있어서 충분한 필러 첨가 효과를 얻음과 함께 내열성을 확보하는 데 있어서 적합하다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식 입도 분포계(상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼제)를 사용하여 구할 수 있다.
다이 본드 필름(10)은, 열경화 촉매를 함유해도 된다. 다이 본드 필름(10)에 대한 열경화 촉매의 배합은, 다이 본드 필름(10)의 경화에 있어서 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이는 데 있어서 바람직하다. 그러한 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다. 이미다졸계 화합물로서는, 예를 들어 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4, 5-디히드록시메틸이미다졸, 및 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸을 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 메틸트리페닐포스포늄, 메틸트리페닐포스포늄클로라이드, 메톡시메틸트리페닐포스포늄, 및 벤질트리페닐포스포늄클로라이드를 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물에는, 트리페닐포스핀 구조와 트리페닐보란 구조를 병유하는 화합물도 포함되도록 한다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트, 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 및 트리페닐포스핀트리페닐보란을 들 수 있다. 아민계 화합물로서는, 예를 들어 모노에탄올아민트리플루오로보레이트 및 디시안디아미드를 들 수 있다. 트리할로겐보란계 화합물로서는, 예를 들어 트리클로로보란을 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열경화 촉매를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화 촉매를 함유해도 된다.
다이 본드 필름(10)은, 필요에 따라서, 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 성분을 함유해도 된다. 당해 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 및 이온 트랩제를 들 수 있다. 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 및 브롬화 에폭시 수지를 들 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어 도아 고세 가부시키가이샤제의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산지르코늄(예를 들어 도아 고세 가부시키가이샤제의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤제의 「쿄와드 600」) 및 규산알루미늄(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤제의 「쿄와드 700」)을 들 수 있다. 금속 이온 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 및 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온 사이에서 형성되는 착체의 안정성의 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다. 그러한 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1-(2,3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실 아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디(1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], (2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 및 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트를 들 수 있다. 또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등의 소정의 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는, 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산메틸, 및 피로갈롤을 들 수 있다.
다이 본드 필름(10)의 두께는, 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 7㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상이다. 또한, 다이 본드 필름(10)의 두께는, 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 바람직하게는 140㎛ 이하, 보다 바람직하게는 135㎛ 이하이다.
다이 본드 필름(10)은, 직경 D1(㎜)의 원반 형상을 갖는다. 이와 함께, 다이 본드 필름(10)은, 그 원반 형상과 동심원의 직경 D2(㎜)의 웨이퍼 접착 영역(10A)을 포함한다. 웨이퍼 접착 영역(10A)의 직경 D2는, 예를 들어 200 내지 300㎜의 범위 내에 있다. 구체적으로는, 다이싱 다이 본드 필름 X가 8인치 웨이퍼 대응형으로서 설계되는 경우, D2는, 예를 들어 200㎜±5㎜이며, 바람직하게는 200㎜±1㎜, 보다 바람직하게는 200㎜±0.5㎜이다. 다이싱 다이 본드 필름 X가 12인치 웨이퍼 대응형으로서 설계되는 경우, D2는, 예를 들어 300㎜±5㎜이며, 바람직하게는 300㎜±1㎜, 보다 바람직하게는 300㎜±0.5㎜이다.
다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 다이 본드 필름(10)의 직경 D1과 웨이퍼 접착 영역(10A)의 직경 D2는, D1＞D2 및 (D1-D2)/D2＜0.1을 충족한다. (D1-D2)/D2의 값은, 바람직하게는 0.7 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5 이하이다. 이들 구성은, 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 다이 본드 필름(10) 주위에 당해 필름에 의해 피복되지 않은 충분한 넓이의 다이싱 테이프 영역을 확보하는 데 적합하다.
다이 본드 필름(10)은, 폭 10㎜ 및 두께 210㎛의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃, 및 인장 속도 100㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도(신장 전의 길이에 대한, 파단 시의 신장분의 길이의 비율)가 20％ 이하이고, 바람직하게는 18％ 이하, 보다 바람직하게는 15％ 이하이다. 이 파단 신도에 대해서는, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AG-X」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 다이 본드 필름(10)에 있어서의 파단 신도의 조정은, 다이 본드 필름(10)에 있어서의 무기 필러 및/또는 유기 필러의 배합량의 제어나, 다이 본드 필름(10) 중의 상술한 아크릴 수지의 유리 전이 온도의 제어 등에 의해 행하는 것이 가능하다.
다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 또한, 다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에 있어서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다.
이상과 같은 다이 본드 필름(10)은, 온도 23℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 0.3 내지 20N/10㎜의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이와 같은 구성은, 다이싱 다이 본드 필름 X 내지 그 다이 본드 필름(10)에 의한 워크의 보유 지지를 확보하는 데 있어서 적합하다.
다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 다이싱 테이프(20)의 기재(21)는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(21)는 예를 들어 플라스틱 기재이며, 당해 플라스틱 기재로서는 플라스틱 필름을 적합하게 사용할 수 있다. 플라스틱 기재의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 아라미드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지, 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 및 에틸렌-헥센 공중합체를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트를 들 수 있다. 기재(21)는, 1종류의 재료로 이루어져도 되고, 2종류 이상의 재료로 이루어져도 된다. 기재(21)는, 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다. 기재(21) 위의 점착제층(22)이 후술하는 바와 같이 자외선 경화형인 경우, 기재(21)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(21)는, 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 비연신 필름이어도 되고, 1축 연신 필름이어도 되며, 2축 연신 필름이어도 된다.
기재(21)는, 열수축성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(21)가 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)에 대하여 등방적인 열수축성을 실현하기 위해서는, 기재(21)는 2축 연신 필름인 것이 바람직하다. 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)는, 가열 온도 100℃ 및 가열 처리 시간 60초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에 의한 열수축률이 바람직하게는 2 내지 30％, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 보다 바람직하게는 3 내지 20％, 보다 바람직하게는 5 내지 20％이다. 기재(21)에 관한 당해 열수축률은, 소위 MD 방향의 열수축률 및 소위 TD 방향의 열수축률 중 적어도 한쪽의 열수축률을 의미하는 것으로 한다.
기재(21)에 있어서의 점착제층(22)측의 표면은, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위한 물리적 처리, 화학적 처리, 또는 하도 처리가 실시되어 있어도 된다. 물리적 처리로서는, 예를 들어 코로나 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 및 이온화 방사선 처리를 들 수 있다. 화학적 처리로서는 예를 들어 크롬산 처리를 들 수 있다.
기재(21)의 두께는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 지지체로서 기재(21)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 바람직하게는 50㎛ 이상, 보다 바람직하게는 55㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(21)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하이다.
다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은, 점착제를 함유한다. 이 점착제는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제(점착력 저감 가능형 점착제)여도 되고, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 거의 또는 전혀 저감되지 않는 점착제(점착력 비저감형 점착제)여도 된다. 점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감 가능형 점착제를 사용할지 혹은 점착력 비저감형 점착제를 사용할지에 대해서는, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용하여 개편화되는 반도체 칩의 개편화 방법이나 조건 등, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 양태에 따라서, 적절하게 선택할 수 있다.
점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감 가능형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서, 점착제층(22)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를, 구분지어 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름 X가 후술하는 익스팬드 공정에 사용될 때에는, 점착제층(22)으로부터의 다이 본드 필름(10)의 들뜸이나 박리를 억제·방지하기 위해서 점착제층(22)의 고점착력 상태를 이용하는 한편, 그보다 후, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)로부터 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 픽업하기 위한 후술하는 픽업 공정에서는, 점착제층(22)으로부터 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩을 픽업하기 쉽게 하기 위해서 점착제층(22)의 저점착력 상태를 이용하는 것이 가능하다.
이러한 점착력 저감 가능형 점착제로서는, 예를 들어 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 방사선 조사에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(방사선 경화성 점착제)와 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에서는, 1종류의 점착력 저감 가능형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 저감 가능형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)에 있어서의 소정의 부위(예를 들어, 워크의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조 중의 일부의 층이 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 들 수 있으며, 자외선 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)를 특히 적합하게 사용할 수 있다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제인 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 함유하는, 첨가형 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래하는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 아크릴계 폴리머의 모노머 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는, 다이 본드 필름(10)을 위한 아크릴 수지에 관하여 상기한 바와 마찬가지의 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서, 1종류의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서는, 바람직하게는 아크릴산2-에틸헥실 및 아크릴산라우릴을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머 전체에 있어서의 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.
아크릴계 폴리머는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종류 또는 2종류 이상의 다른 모노머를 구성 모노머에 포함해도 된다. 그러한 모노머로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는, 다이 본드 필름(10)을 위한 아크릴 수지에 관하여 상기한 바와 마찬가지의 공중합성 모노머를 들 수 있다.
아크릴계 폴리머는, 그 폴리머 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, (메트)아크릴산에스테르 등의 모노머 성분과 공중합 가능한 다관능성 모노머에서 유래하는 모노머 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 다관능성 모노머로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 「(메트)아크릴레이트」는, 「아크릴레이트」 및/또는 「메타크릴레이트」를 의미하는 것으로 한다. 아크릴계 폴리머의 구성 모노머로서, 1종류의 다관능성 모노머가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 다관능성 모노머가 사용되어도 된다. (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머의 구성 모노머 전체에 있어서의 다관능성 모노머의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이하, 바람직하게는 30질량％ 이하이다.
아크릴계 폴리머는, 그것을 형성하기 위한 원료 모노머를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 및 현탁 중합을 들 수 있다. 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X가 사용되는 반도체 장치 제조 방법에 있어서의 고도의 청정성의 관점에서는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 점착제층(22) 중의 저분자량 물질은 적은 편이 바람직한바, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 이상, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다.
점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 아크릴계 폴리머 등 베이스 폴리머의 수 평균 분자량을 높이기 위해서 예를 들어, 외부 가교제를 함유해도 된다. 아크릴계 폴리머 등 베이스 폴리머와 반응하여 가교 구조를 형성하기 위한 외부 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물, 및 멜라민계 가교제를 들 수 있다. 점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에 있어서의 외부 가교제의 함유량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어, 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있으며, 분자량 100 내지 30000 정도의 것이 적당하다. 방사선 경화성 점착제 중의 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 총 함유량은, 형성되는 점착제층(22)의 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있는 범위에서 결정되고, 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5 내지 500질량부이며, 보다 바람직하게는 40 내지 150질량부이다. 또한, 첨가형 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 폴리머 측쇄나, 폴리머 주쇄 중, 폴리머 주쇄 말단에 갖는 베이스 폴리머를 함유하는 내재형 방사선 경화성 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형 방사선 경화성 점착제는, 형성되는 점착제층(22) 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도치 않은 경시적 변화를 억제하는 데 있어서 적합하다.
내재형 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 그러한 기본 골격을 이루는 아크릴계 폴리머로서는, 상술한 아크릴계 폴리머를 채용할 수 있다. 아크릴계 폴리머에 대한 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 소정의 관능기(제1 관능기)를 갖는 모노머를 포함하는 원료 모노머를 공중합시켜 아크릴계 폴리머를 얻은 후, 제1 관능기 사이에서 반응을 일으켜 결합할 수 있는 소정의 관능기(제2 관능기)와 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 폴리머에 대해서 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
제1 관능기와 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기를 들 수 있다. 이들 조합 중, 반응 추적의 용이함의 관점에서는, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합이나, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 또한, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 폴리머를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높으므로, 아크릴계 폴리머의 제작 또는 입수의 용이함의 관점에서는, 아크릴계 폴리머측의 상기 제1 관능기가 히드록시기이며 또한 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 경우가 보다 바람직하다. 이 경우, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합과 제2 관능기인 이소시아네이트기를 병유하는 이소시아네이트 화합물, 즉, 방사선 중합성의 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI), 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트를 들 수 있다.
점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제는, 바람직하게는 광중합 개시제를 함유한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실포스포네이트를 들 수 있다. α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시 프로피오페논, 및 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 들 수 있다. 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2,2-디에톡시아세토페논 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1을 들 수 있다. 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 및 아니소인메틸에테르를 들 수 있다. 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈을 들 수 있다. 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐클로라이드를 들 수 있다. 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다. 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논을 들 수 있다. 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤을 들 수 있다. 점착제층(22)에 있어서의 방사선 경화성 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100질량부에 대해서 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.
점착제층(22)을 위한 상기 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제나 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제이다. 발포제로서는, 다양한 무기계 발포제 및 유기계 발포제를 들 수 있다. 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 껍질 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 및 아지드류를 들 수 있다. 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄이나 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화알칸, 아조비스이소부티로니트릴이나 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물, 파라톨루엔술포닐히드라지드나 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물, ρ-톨루일렌술포닐 세미카르바지드나 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물, 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물, 및 N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민이나 N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물을 들 수 있다. 상기와 같은 열팽창성 미소구를 이루기 위한, 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판 및 펜탄을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 껍질 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 껍질 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 및 폴리술폰을 들 수 있다.
상술한 점착력 비저감형 점착제로서는, 예를 들어 점착력 저감 가능형 점착제에 관하여 상술한 방사선 경화성 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제나, 감압형 점착제 등을 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제는, 그 함유 폴리머 성분의 종류 및 함유량에 따라서는, 방사선 경화되어 점착력이 저감된 경우에 있어서도 당해 폴리머 성분에 기인하는 점착성을 나타낼 수 있으며, 소정의 사용 양태에서 피착체를 점착 보유 지지하는 데 이용 가능한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에 있어서는, 1종류의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 상술한 바와 같이, 점착제층(22)에 있어서의 소정의 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 웨이퍼의 접착 대상 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조 중의 일부의 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다.
한편, 점착제층(22)을 위한 감압형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 사용할 수 있다. 점착제층(22)이 감압형 점착제로서 아크릴계 점착제를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래하는 모노머 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 방사선 경화성 점착제에 관하여 상술한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 상술한 각 성분 외에, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료나 염료 등의 착색제 등을 함유해도 된다. 착색제는, 방사선 조사를 받아서 착색하는 화합물이어도 된다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 류코 염료를 들 수 있다.
점착제층(22)의 두께는, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 25㎛이다. 이와 같은 구성은, 예를 들어 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우에 당해 점착제층(22)의 방사선 경화의 전후에 있어서의 다이 본드 필름(10)에 대한 접착력의 균형을 취하는 데 있어서, 적합하다.
다이싱 테이프(20)는, 상술한 다이 본드 필름(10)의 원반 형상과 동심원의 직경 D3의 원반 형상을 갖는다. 다이싱 다이 본드 필름 X가 8인치 웨이퍼 대응형으로서 설계되는 경우, 다이싱 테이프(20)의 직경 D3은 예를 들어 255 내지 280㎜이며, 다이싱 다이 본드 필름 X가 12인치 웨이퍼 대응형으로서 설계되는 경우, 다이싱 테이프(20)의 직경 D3은 예를 들어 360 내지 380㎜이다.
다이싱 테이프(20)는, 초기 척간 거리 100㎜, 23℃, 및 인장 속도 1000㎜/분의 조건에서 척간 거리 120㎜까지 신장된 폭 10㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 가열 온도 100℃ 및 가열 시간 10초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에서의 열수축률이 바람직하게는 0.1％ 이상, 보다 바람직하게는 0.2％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5％ 이상, 보다 바람직하게는 0.6％ 이상, 보다 바람직하게는 0.7％ 이상, 보다 바람직하게는 1％ 이상, 보다 바람직하게는 1.5％ 이상이다. 다이싱 테이프 시험편의 신장에는, 예를 들어 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AG-X」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용할 수 있다. 열수축률의 조정은, 다이싱 테이프(20)의 기재(21)를 이루는 재료에 있어서의, 열수축률이 높은 수지의 존재 비율의 조정에 의해, 행하는 것이 가능하다. 예를 들어, 단층 구조의 기재(21)에서는, 열수축률이 높은 수지의 기재 구성 재료 중의 배합 비율을 높임으로써, 다이싱 테이프(20)의 열수축률을 높일 수 있다. 다층 구조의 기재(21)에서는, 열수축률이 높은 수지로 이루어지는 층을 기재(21)의 다층 구조 중에 포함함으로써, 다이싱 테이프(20)의 열수축률을 높일 수 있다.
다이싱 테이프(20)는, 폭 10㎜의 다이싱 테이프(20) 시험편에 대하여 초기 척간 거리 50㎜, -15℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 120％ 이상이며, 바람직하게는 150％ 이상, 보다 바람직하게는 200％ 이상, 보다 바람직하게는 250％ 이상이다. 이 파단 신도에 대해서는, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AG-X」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 다이싱 테이프(20)에 있어서의 파단 신도의 조정은, 다이싱 테이프(20)의 기재(21)를 이루는 재료에 있어서의, 신장되기 쉬운 수지의 존재 비율의 조정에 의해, 행하는 것이 가능하다. 예를 들어, 단층 구조의 기재(21)에서는, 신장되기 쉬운 수지의 기재 구성 재료 중의 배합 비율을 높임으로써, 다이싱 테이프(20)의 파단 신도를 높일 수 있다. 다층 구조의 기재(21)에서는, 신장되기 쉬운 수지로 이루어지는 층을 기재(21)의 다층 구조 중에 포함함으로써, 다이싱 테이프(20)의 파단 신도를 높일 수 있다.
이상과 같은 구성을 갖는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)의 제작에 있어서는, 우선, 다이 본드 필름(10) 형성용 접착제 조성물을 조제한 후, 소정의 세퍼레이터 위에 당해 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성한다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 및, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다. 접착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 다음으로, 이 접착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해, 필요에 따라서 건조시키고, 또한, 필요에 따라서 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 70 내지 160℃이며, 가열 시간은 예를 들어 1 내지 5분간이다. 이상과 같이 하여, 세퍼레이터를 수반하는 형태로 상술한 다이 본드 필름(10)을 제작할 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)에 대해서는, 준비한 기재(21) 위에 점착제층(22)을 형성함으로써 제작할 수 있다. 예를 들어 수지제의 기재(21)는, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 제막 방법에 의해, 제작할 수 있다. 제막 후의 필름 내지 기재(21)에는, 필요에 따라서 소정의 표면 처리가 실시된다. 점착제층(22)의 형성에 있어서는, 예를 들어 점착제층 형성용 점착제 조성물을 조제한 후, 우선 당해 조성물을 기재(21) 위 또는 소정의 세퍼레이터 위에 도포하여 점착제 조성물층을 형성한다. 점착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 다음으로, 이 점착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해, 필요에 따라서 건조시키고, 또한, 필요에 따라서 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 80 내지 150℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 5분간이다. 점착제층(22)이 세퍼레이터 위에 형성되는 경우에는, 당해 세퍼레이터를 수반하는 점착제층(22)을 기재(21)에 접합하고, 그 후, 세퍼레이터가 박리된다. 이에 의해, 기재(21)와 점착제층(22)의 적층 구조를 갖는 상술한 다이싱 테이프(20)가 제작된다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 제작에 있어서는, 다음으로, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)측에 다이 본드 필름(10)을 예를 들어 압착하여 접합한다. 접합 온도는, 예를 들어 30 내지 50℃이며, 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 접합 압력(선압)은, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝이며, 바람직하게는 1 내지 10kgf/㎝이다. 점착제층(22)이 상술한 바와 같은 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우, 당해 접합 전에 점착제층(22)에 대해서 자외선 등의 방사선을 조사해도 되고, 당해 접합의 후에 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대해서 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 또는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서는, 그러한 방사선 조사를 행하지 않아도 된다(이 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에서 점착제층(22)을 방사선 경화시키는 것이 가능함). 점착제층(22)이 자외선 경화형 점착제층인 경우, 점착제층(22)을 경화시키기 위한 자외선 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(조사 영역 R)은, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 점착제층(22)에 있어서의 다이 본드 필름 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
이상과 같이 하여, 다이싱 다이 본드 필름 X를 제작할 수 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X에는, 다이 본드 필름(10)측에, 적어도 다이 본드 필름(10)을 피복하는 형태로 세퍼레이터(도시생략)가 마련되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 다이 본드 필름(10)이나 점착제층(22)이 노출되지 않도록 보호하기 위한 요소이며, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다.
도 2 내지 도 7은, 이상과 같은 다이싱 다이 본드 필름 X가 사용되는 반도체 장치 제조 방법을 나타낸다.
본 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 우선, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 개질 영역(30a)이 형성된다. 반도체 웨이퍼 W는, 제1 면 Wa 및 제2 면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에 있어서의 제1 면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1 면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1이 반도체 웨이퍼 W의 제1 면 Wa측에 접착된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저광이 웨이퍼 가공용 테이프 T1과는 반대의 측으로부터 반도체 웨이퍼 W에 대해서 그 분할 예정 라인을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의해 반도체 웨이퍼 W 내에 개질 영역(30a)이 형성된다. 개질 영역(30a)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 위에 개질 영역(30a)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허공개 제 2002-192370호 공보에 상세히 설명되어 있는바, 본 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사 건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.
<레이저광 조사 조건>
(A) 레이저광
레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100㎑ 이하
펄스폭 1㎲ 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하
다음으로, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되고, 이에 의해, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭 숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다.
다음으로, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(30A)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10) 내지 그 웨이퍼 접착 영역(10A)에 대해서 접합된다. 이 후, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T1이 박리된다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제층인 경우에는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서의 상술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 다이 본드 필름(10)에 대한 접합 후에, 기재(21) 측으로부터 점착제층(22)에 대해서 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(도 1에 도시한 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(22)에 있어서의 다이 본드 필름(10) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.
다음으로, 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 다이 본드 필름(10) 위에 링 프레임(41)이 첩부된 후, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름 X가 익스팬드 장치의 보유 지지구(42)에 고정된다.
다음으로, 상대적으로 저온의 조건하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)이, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 행해지고, 반도체 웨이퍼(30A)가 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)이 소편의 다이 본드 필름(11)으로 할단되고, 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)이 얻어진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘이도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서 예를 들어 15 내지 32MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는-15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 1 내지 400㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드양은, 예를 들어 3 내지 16㎜이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드에 관한 이들 조건에 대해서는, 후술하는 쿨 익스팬드 공정에 있어서도 마찬가지이다.
이와 같은 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)이 소편의 다이 본드 필름(11)으로 할단되어 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 취약한 개질 영역(30a)에 크랙이 형성되어 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착되어 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30A)의 각 반도체 칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 본 공정의 후, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 밀어올림 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(20)에 있어서의 익스팬드 상태가 해제된다.
다음으로, 상대적으로 고온의 조건하에서 제2 익스팬드 공정이, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이 행해지고, 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)사이의 거리(이격 거리)가 확장된다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 테이블(44)이 상승되어, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가 익스팬드된다. 테이블(44)은, 테이블면 위의 워크에 부압을 작용시켜 당해 워크를 진공 흡착 가능한 것이다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(테이블(44)이 상승하는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드양은 예를 들어 3 내지 16㎜이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(20)로부터 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능할 정도로, 본 공정에서는 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)의 이격 거리가 확장된다. 테이블(44)의 상승에 의해 다이싱 테이프(20)가 익스팬드된 후, 테이블(44)은 다이싱 테이프(20)를 진공 흡착한다. 그리고, 테이블(44)에 의한 그 흡착을 유지한 상태에서, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 테이블(44)이 워크를 수반하여 하강된다. 본 실시 형태에서는, 이 상태에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 반도체 웨이퍼(30A) 주위(반도체 칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분)가 가열되어 수축된다(히트 슈링크 공정). 그 후, 테이블(44)에 의한 진공 흡착 상태가 해제된다. 히트 슈링크 공정을 거침으로써, 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 상술한 제1 익스팬드 공정이나 제2 익스팬드 공정에서 잡아늘여져 일단 이완된 웨이퍼 접합 영역에 소정 정도의 장력을 작용할 수 있는 상태로 되어, 상기 진공 흡착 상태 해제 후에도 반도체 칩(31)의 상기 이격 거리가 고정된다.
본 반도체 장치 제조 방법에서는, 제1 익스팬드 공정의 후, 다이싱 다이 본드 필름 X의 추가의 익스팬드를 거치지 않고, 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 반도체 웨이퍼(30A) 주위(반도체 칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분)를 가열하여 수축시켜도 된다. 이러한 히트 슈링크 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 상술한 제1 익스팬드 공정에서 잡아늘여져 일단 이완된 웨이퍼 접합 영역에 소정 정도의 장력을 작용시켜, 반도체 칩(31) 사이에 있어서 원하는 이격 거리를 확보해도 된다.
다음으로, 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(20)에 있어서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라서 거친 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(20)로부터 픽업한다(픽업 공정). 예를 들어, 픽업 대상의 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)에 대해서, 다이싱 테이프(20)의 도면 중 하측에 있어서 픽업 기구의 핀 부재(45)를 상승시켜 다이싱 테이프(20)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(46)에 의해 흡착 보유 지지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(45)의 밀어올림 속도는 예를 들어 1 내지 100㎜/초이며, 핀 부재(45)의 밀어올림양은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.
다음으로, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이, 픽업된 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)이, 소정의 피착체(51)에 대해서 다이 본드 필름(11)을 통해 가고착된다. 피착체(51)로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 및 배선 기판을 들 수 있다.
다음으로, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시생략)와 피착체(51)가 갖는 단자부(도시생략)를 본딩 와이어(52)를 통해 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드나 피착체(51)의 단자부와 본딩 와이어(52)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현되고, 다이 본드 필름(11)을 열경화시키지 않도록 행해진다. 본딩 와이어(52)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선, 또는 구리선을 사용할 수 있다. 와이어 본딩에 있어서의 와이어 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 250℃이다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분간이다.
다음으로, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 피착체(51) 위의 반도체 칩(31)이나 본딩 와이어(52)를 보호하기 위한 밀봉 수지(53)에 의해 반도체 칩(31)을 밀봉한다(밀봉 공정). 본 공정에서는, 다이 본드 필름(11)의 열경화가 진행된다. 본 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(53)가 형성된다. 밀봉 수지(53)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용할 수 있다. 본 공정에 있어서, 밀봉 수지(53)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분간이다. 본 공정(밀봉 공정)에서 밀봉 수지(53)의 경화가 충분하게는 진행되지 않는 경우에는, 본 공정 후에 밀봉 수지(53)를 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정이 행해진다. 밀봉 공정에 있어서 다이 본드 필름(11)이 완전히 열경화되지 않는 경우에도, 후경화 공정에 있어서 밀봉 수지(53)와 함께 다이 본드 필름(11)의 완전한 열경화가 가능해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다.
이상과 같이 하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다.
본 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼(30A)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된다는 상술한 구성 대신에, 다음과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합되어도 된다.
반도체 웨이퍼(30B)의 제작에 있어서는, 우선, 도 8의 (a) 및 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 분할 홈(30b)이 형성된다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼 W는, 제1 면 Wa 및 제2 면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에 있어서의 제1 면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1 면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2가 반도체 웨이퍼 W의 제2 면 Wb측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W의 제1 면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30b)이 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성된다. 분할 홈(30b)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도면에 있어서 분할 홈(30b)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).
다음으로, 도 8의 (c)에 도시한 바와 같이, 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3의, 반도체 웨이퍼 W의 제1 면 Wa측에 대한 접합과, 반도체 웨이퍼 W로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T2의 박리가 행해진다.
다음으로, 도 8의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화된다(웨이퍼 박화 공정). 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30B)가 형성된다. 반도체 웨이퍼(30B)는, 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 되는 부위를 제2 면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30B)에 있어서의 연결부의 두께, 즉, 반도체 웨이퍼(30B)의 제2 면 Wb와 분할 홈(30b)의 제2 면 Wb측 선단 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이며, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다. 이상과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30B)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합되기 위해서, 도 3 내지 도 7을 참조하여 상술한 각 공정이 행해져도 된다.
도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는, 반도체 웨이퍼(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 구체적으로 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼(30B)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여져 익스팬드된다. 이와 같은 쿨 익스팬드 공정에 의해, 반도체 웨이퍼(30B)에 있어서 얇고 갈라지기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착되어 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 이와 같이 하여 얻어지는 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)은, 도 6을 참조하여 상술한 픽업 공정을 거친 후, 반도체 장치 제조 과정에 있어서의 실장 공정에 제공되게 된다.
본 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 도 8의 (d)를 참조하여 상술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 10에 도시한 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 8의 (c)를 참조하여 상술한 과정을 거친 후, 도 10에 도시한 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2 면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되고, 복수의 반도체 칩(31)을 포함해서 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체(30C)가 형성된다. 본 공정에서는, 분할 홈(30b) 그 자체가 제2 면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2 면 Wb측에서 분할 홈(30b)에 이르는 것보다 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 지석으로부터 웨이퍼에 대한 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30b)과 제2 면 Wb의 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼 분할체(30C)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라서, 도 8의 (a) 및 도 8의 (b)를 참조하여 상술한 바와 같이 형성되는 분할 홈(30b)의, 제1 면 Wa로부터의 깊이는, 적절하게 결정된다. 도 10에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30b), 또는 제2 방법을 거친 분할 홈(30b) 및 이것에 이어지는 크랙에 대하여, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30C)가 반도체 웨이퍼(30A)나 반도체 웨이퍼(30B) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합되기 위해서, 도 3 내지 도 7을 참조하여 상술한 각 공정이 행해져도 된다.
도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는, 반도체 웨이퍼 분할체(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 구체적으로 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼(30B)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여져 익스팬드된다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착되어 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30B)의 각 반도체 칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30b)에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30b)에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 이와 같이 하여 얻어지는 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩(31)은, 도 6을 참조하여 상술한 픽업 공정을 거친 후, 반도체 장치 제조 과정에 있어서의 실장 공정에 제공되게 된다.
예를 들어 이상과 같은 반도체 장치 제조 과정에 있어서 사용될 수 있는 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서의 다이 본드 필름(10)에 있어서, 폭 10㎜ 및 두께 210㎛의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃, 및 인장 속도 100㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 20％ 이하라는 상술한 구성은, 할단용 익스팬드 공정에 있는 다이 본드 필름(10)에 대하여, 그 할단 예정 개소에 할단을 발생시키는 데 적합하다는 사실을, 본 발명자들은 알아내었다. 예를 들어 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다. 다이 본드 필름(10)에 대한 상기 인장 시험에서의 파단 신도가 20％ 이하라는 상술한 구성은, 할단용 익스팬드 공정에 있어서, 당해 다이 본드 필름(10)을 할단시키기 위한 인장 길이가 과대해지는 것을 회피하면서 당해 다이 본드 필름(10)에 연성 파괴 등에 의한 파단을 발생시키는 데 적합한 것이다. 다이 본드 필름(10)에 대하여 할단용 익스팬드 공정에서의 양호한 할단성을 확보한다는 관점에서는, 다이 본드 필름(10)에 대한 상기 인장 시험에서의 파단 신도는, 바람직하게는 18％ 이하, 보다 바람직하게는 15％ 이하이다.
다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)는, 상술한 바와 같이, 폭 10㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 초기 척간 거리 50㎜, -15℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 120％ 이상이다. 이와 같은 구성은, 다이싱 테이프에 대하여, 인장 작용을 받는 익스팬드 공정에 있어서 파단되는 것을 회피하는 데 적합하다. 다이싱 테이프에 대하여, 인장 작용을 받는 익스팬드 공정에 있어서 파단되는 것을 회피하기 위해서는, 다이싱 테이프의 상기 파단 신도는, 바람직하게는 150％ 이상, 보다 바람직하게는 200％ 이상, 보다 바람직하게는 250％ 이상이다.
게다가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 일 구성 요소를 이루는 다이 본드 필름(10)을 취하고, 다이 본드 필름(10)의 직경 D1과 당해 다이 본드 필름(10)의 일부인 웨이퍼 접착 영역의 직경 D2(＜D1)이 (D1-D2)/D2＜0.1을 충족한다는 상술한 구성은, 소정 사이즈의 다이싱 다이 본드 필름 X의 면 내 방향 내지 직경 방향에 있어서, 워크인 반도체 웨이퍼에 대해서 다이 본드 필름(10)이 과대해지는 것을 억제하는 데 적합하며, 따라서, 다이 본드 필름(10) 주위에 당해 필름에 의해 피복되지 않은 충분한 넓이의 다이싱 테이프 영역을 확보하는 데 적합하다. 기재(21)와 점착제층(22)을 포함하는 다이싱 테이프(20)는 다이 본드 필름(10)보다도 가열에 의한 수축률이 큰 경향이 있다. 그 때문에, 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 다이 본드 필름(10) 주위에 당해 필름에 의해 피복되지 않은 충분한 넓이의 다이싱 테이프 영역을 확보하는 데 적합한 상술한 구성은, 상술한 히트 슈링크 공정에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름 X의 반도체 웨이퍼 주위를 충분히 가열 수축시키는 데 적합하며, 따라서, 다이싱 다이 본드 필름 X의 당해 가열 개소보다 내측의 웨이퍼 접합 영역에 충분한 장력을 작용시켜 당해 필름 위의 반도체 칩간에서 충분한 커프 폭을 확보하는 데 적합하다. 히트 슈링크 공정에 있어서 다이싱 다이 본드 필름 X 위의 반도체 칩간에서 충분한 커프 폭을 확보한다는 관점에서는, (D1-D2)/D2의 값은, 바람직하게는 0.7 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5 이하이다.
이상과 같이, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 할단용 익스팬드 공정에 있어서 양호한 할단을 실현하면서, 칩간의 할단 개소에 대하여 그 후에 충분한 커프 폭을 확보하는 데 적합하다.
다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서, 다이싱 테이프(20)는, 상술한 바와 같이, 초기 척간 거리 100㎜, 23℃, 및 인장 속도 1000㎜/분의 조건에서 척간 거리 120㎜까지 신장된 폭 10㎜의 다이싱 테이프(20) 시험편에 대하여 가열 온도 100℃ 및 가열 시간 10초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에서의 열수축률이 바람직하게는 0.1％ 이상, 보다 바람직하게는 0.2％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5％ 이상, 보다 바람직하게는 0.6％ 이상, 보다 바람직하게는 0.7％ 이상, 보다 바람직하게는 1％ 이상, 보다 바람직하게는 1.5％ 이상이다. 이와 같은 구성은, 상술한 히트 슈링크 공정에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름 X의 반도체 웨이퍼 주위를 충분히 가열 수축시키는 데 적합하며, 따라서, 다이싱 다이 본드 필름 X의 당해 가열 개소보다 내측의 웨이퍼 접합 영역에 충분한 장력을 작용시켜 당해 필름 위의 반도체 칩(31) 사이에서 충분한 커프 폭을 확보하는 데 적합하다.
실시예
〔실시예 1〕
<다이 본드 필름의 제작>
아크릴 수지 A1(상품명 「테이산 레진 SG-P3」, 중량 평균 분자량은 85만, 유리 전이 온도 Tg는 12℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 100질량부와, 페놀 수지(상품명 「MEHC-7851SS」, 메이와 가세이 가부시키가이샤제) 12질량부와, 무기 필러(상품명 「SO-25R」, 실리카, 평균 입경은 500㎚, 가부시키가이샤 애드마텍스제) 100질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물을 얻었다. 다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하였다. 다음으로, 이 조성물층에 대하여 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하고, PET 세퍼레이터 위에 두께 30㎛의 실시예 1의 다이 본드 필름(DAF)을 제작하였다. 실시예 1, 및 후술하는 각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 다이 본드 필름의 조성을 표 1에 기재한다(표 1에 있어서, 다이 본드 필름의 조성을 나타내는 각 수치의 단위는, 당해 조성 내에서의 상대적인 "질량부"이다).
<다이싱 테이프의 제작>
냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산2-에틸헥실 100질량부와, 아크릴산2-히드록시에틸 19질량부와, 중합 개시제인 과산화 벤조일 0.4질량부와, 중합 용매인 톨루엔 80질량부를 포함하는 혼합물을, 60℃에서 10시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액을 얻었다. 다음으로, 이 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우릴레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 60시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은, 상기 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대해서 1.3질량부이며, 디부틸주석디라우릴레이트의 배합량은, 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대해서 0.5질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 폴리머 P2를 함유하는 폴리머 용액을 얻었다. 다음으로, 당해 폴리머 용액에, 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대해서 1.3질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤제)과, 3질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 184」, BASF사제)를 첨가하여 혼합하고, 점착제 조성물을 얻었다. 다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 다음으로, 이 조성물층에 대해서 120℃에서 2분간의 가열 건조를 행하고, PET 세퍼레이터 위에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 다음으로, 라미네이터를 사용하여, 이 점착제층의 노출면에 폴리올레핀제의 기재 S1(상품명 「펑크레어(FUNCRARE) NED #125」, 두께 125㎛, 군제 가부시키가이샤제)을 실온에서 접합하였다. 이상과 같이 하여 실시예 1의 다이싱 테이프(DT)를 제작하였다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
PET 세퍼레이터를 수반하는 실시예 1의 상술한 다이 본드 필름을 직경 312㎜의 원반형으로 펀칭 가공하였다. 다음으로, 당해 다이 본드 필름으로부터 PET 세퍼레이터를 박리하고 또한 상술한 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리한 후, 당해 다이싱 테이프에 있어서 노출된 점착제층과, 다이 본드 필름에 있어서 PET 세퍼레이터의 박리에 의해 노출된 면을, 롤 라미네이터를 사용하여 접합하였다. 이 접합에 있어서, 접합 속도를 10㎜/분으로 하고, 온도 조건을 23℃로 하며, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 다음으로, 이와 같이 하여 다이 본드 필름과 접합된 다이싱 테이프를, 다이싱 테이프의 중심과 다이 본드 필름의 중심이 일치하도록, 직경 390㎜의 원반형으로 펀칭 가공하였다. 다음으로, 다이싱 테이프에 있어서의 점착제층에 대해서, EVA 기재의 측으로부터 자외선을 조사하였다. 자외선 조사에 있어서는, 고압 수은 램프를 사용하고, 조사 적산 광량을 300mJ/㎠로 하였다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프와 다이 본드 필름을 포함하는 적층 구조를 갖는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔실시예 2〕
다이 본드 필름의 직경을 312㎛ 대신에 315㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔실시예 3〕
다이 본드 필름의 직경을 312㎛ 대신에 320㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔실시예 4〕
<다이 본드 필름의 제작>
아크릴 수지 A2(상품명 「테이산 레진 SG-70L」, 중량 평균 분자량은 90만, 유리 전이 온도 Tg는 -13℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 100질량부와, 페놀 수지(상품명 「MEHC-7851SS」, 메이와 가세이 가부시키가이샤제) 210질량부와, 에폭시 수지 E1(상품명 「JER1010」, 미츠비시 케미컬 가부시키가이샤제) 52질량부와, 에폭시 수지 E2(상품명 「JER828」, 미츠비시 케미컬 가부시키가이샤제) 140질량부와, 경화 촉진제(상품명 「2PHZ-PW」, 시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤) 3질량부와, 무기 필러(상품명 「SO-25R」, 실리카, 평균 입경은 500㎚, 가부시키가이샤 애드마텍스제) 350질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하여, 고형분 농도 35질량％의 접착제 조성물을 얻었다. 다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 당해 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하였다. 다음으로, 이 조성물층에 대해서 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하여, PET 세퍼레이터 위에 두께 30㎛의 실시예 4의 다이 본드 필름을 제작하였다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
PET 세퍼레이터를 수반하는 실시예 4의 상술한 다이 본드 필름을 직경 320㎜의 원반형으로 펀칭 가공하였다. 이 다이 본드 필름을 실시예 1의 다이 본드 필름(직경 312㎛) 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔실시예 5〕
폴리올레핀제의 기재 S1(상품명 「펑크레어 NED #125」, 군제 가부시키가이샤제) 대신에 다른 폴리올레핀제의 기재 S2(상품명 「ODZ-IVS」, 두께 80㎛, 오쿠라고교 가부시키가이샤제)를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프와 마찬가지로 하여, 실시예 5의 다이싱 테이프를 작성하였다. 그리고, 실시예 5의 다이싱 테이프를 실시예 1의 다이싱 테이프 대신에 사용한 것, 및 원반형으로 펀칭 가공되는 다이 본드 필름의 직경을 312㎛ 대신에 320㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 5의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔실시예 6〕
<다이싱 테이프의 제작>
폴리올레핀제의 기재 S1(상품명 「펑크레어 NED #125」, 군제 가부시키가이샤제) 대신에 다른 폴리올레핀제의 기재 S3(두께 100㎛)을 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프와 마찬가지로 하여, 실시예 6의 다이싱 테이프를 작성하였다. 폴리올레핀제의 기재 S3은 다음과 같이 하여 준비하였다. 우선, 원재료인 저밀도 폴리에틸렌(상품명 「스미카센 F213-P」, 스미토모 가가쿠 가부시키가이샤제)을 압출기(상품명 「GM30-28」, 스크루 직경은 30㎜, 스크루 유효 길이(L/D)는 28, 가부시키가이샤 GM 엔지니어링제)에 투입하고, 이 압출기와 피드 블록 방식의 T 다이를 사용하여, T 다이 용융 공압출법에 의한 제막을 행하여 필름을 얻었다(압출 온도는 240℃로 하였음). 다음으로, 얻어진 필름의 편면에 대해서 엠보싱 처리(표면 조도 Ra는 1.42㎛)를 행하여, 편면에 엠보싱 처리가 실시된 두께 100㎛의 필름을 얻었다. 다음으로, 이 필름의 엠보싱 처리면과는 반대측의 면에 대해서 코로나 처리를 실시하였다. 실시예 6의 다이싱 테이프를 위한 기재 S3은, 이상과 같이 하여 준비된 것이다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 6의 다이싱 테이프를 실시예 1의 다이싱 테이프 대신에 사용한 것, 및 원반형으로 펀칭 가공되는 다이 본드 필름의 직경을 312㎛ 대신에 320㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 6의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔실시예 7〕
폴리올레핀제의 기재 S1(상품명 「펑크레어 NED #125」, 군제 가부시키가이샤제) 대신에 다른 폴리올레핀제의 기재 S4(상품명 「DDZ#150」, 두께 150㎛, 군제 가부시키가이샤제)를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프와 마찬가지로 하여, 실시예 7의 다이싱 테이프를 작성하였다. 그리고, 실시예 7의 다이싱 테이프를 실시예 1의 다이싱 테이프 대신에 사용한 것, 및 원반형으로 펀칭 가공되는 다이 본드 필름의 직경을 312㎛ 대신에 320㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 7의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔비교예 1〕
다이 본드 필름의 직경을 312㎛ 대신에 330㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔비교예 2〕
<다이 본드 필름의 제작>
아크릴 수지 A1(상품명 「테이산 레진 SG-P3」, 중량 평균 분자량은 90만, 유리 전이 온도 Tg는 12℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤제) 100질량부와, 페놀 수지(상품명 「MEHC-7851SS」, 메이와 가세이 가부시키가이샤제) 6질량부와, 무기 필러(상품명 「SO-25R」, 실리카, 평균 입경은 500㎚, 가부시키가이샤 애드마텍스제) 50질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하여, 고형분 농도 20질량％의 접착제 조성물을 얻었다. 다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 당해 접착제 조성물을 도포해서 접착제 조성물층을 형성하였다. 다음으로, 이 조성물층에 대해서 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하여, PET 세퍼레이터 위에 두께 30㎛의 비교예 2의 다이 본드 필름을 제작하였다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
PET 세퍼레이터를 수반하는 비교예 2의 상술한 다이 본드 필름을 직경 320㎜의 원반형으로 펀칭 가공하였다. 이 다이 본드 필름을 실시예 1의 다이 본드 필름(직경 312㎛) 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔비교예 3〕
폴리올레핀제의 기재 S1(상품명 「펑크레어 NED #125」, 군제 가부시키가이샤제) 대신에 다른 폴리올레핀제의 기재 S5(상품명 「NSO」, 두께 100㎛, 오쿠라고교 가부시키가이샤제)를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프와 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이싱 테이프를 작성하였다. 그리고, 비교예 3의 다이싱 테이프를 실시예 1의 다이싱 테이프 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
〔비교예 4〕
폴리올레핀제의 기재 S1(상품명 「펑크레어 NED #125」, 군제 가부시키가이샤제) 대신에 다른 폴리올레핀제의 기재 S5(상품명 「NSO」, 두께 100㎛, 오쿠라고교 가부시키가이샤제)를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 테이프와 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이싱 테이프를 작성하였다. 그리고, 비교예 3의 다이싱 테이프를 실시예 1의 다이싱 테이프 대신에 사용한 것, 및 원반형으로 펀칭 가공되는 다이 본드 필름의 직경을 312㎛ 대신에 320㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 4의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.
<다이 본드 필름(DAF)의 파단 신도>
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4에 있어서의 각 다이 본드 필름에 대하여, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AG-X」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여 행하는 인장 시험에 의해, 미경화 상태에 있어서의 -15℃에서의 파단 신도를 조사하였다. 인장 시험에 제공되는 다이 본드 필름 시험편은, 실시예 및 비교예마다, 복수의 다이 본드 필름을 두께 210㎛로 적층하여 적층체를 형성한 후, 당해 적층체로부터 길이 60㎜×폭 10㎜의 사이즈로 잘라내어 준비하였다. 또한, 이 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 20㎜이며, 온도 조건은 -15℃이고, 인장 전의 시험편의 -15℃에서의 정치 시간은 2분간이며, 인장 속도는 100㎜/분이다. 측정된 파단 신도(신장 전의 길이에 대한, 파단 시의 신장분의 길이 비율)의 값(％)을 표 1에 기재한다.
<다이싱 테이프(DT)의 파단 신도>
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4에 있어서의 각 다이싱 테이프에 대해서, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AG-X」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여 행하는 인장 시험에 의해, -15℃에서의 파단 신도를 조사하였다. 인장 시험에 제공되는 다이싱 테이프 시험편으로 하고, 실시예 및 비교예별로 2종류의 시험편(제1 시험편, 제2 시험편)을 준비하였다. 제1 시험편은, 다이싱 테이프로부터, 그 MD 방향의 길이 90㎜×폭 10㎜의 사이즈로 잘라낸 것이다. 제2 시험편은, 다이싱 테이프로부터, 그 TD 방향의 길이 90㎜×폭 10㎜의 사이즈로 잘라낸 것이다. 또한, 이 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 50㎜이며, 온도 조건은 -15℃이고, 인장 전의 시험편의 -15℃에서의 정치 시간은 2분간이며, 인장 속도는 300㎜/분이다. 측정된 파단 신도(신장 전의 길이에 대한, 파단 시의 신장분의 길이 비율)의 값(％)을 표 1에 기재한다. 표 1에 기재된 값은, 제1 시험편의 파단 신도와 제2 시험편의 파단 신도의 평균값이다.
<다이싱 테이프(DT)의 열수축률>
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4에 있어서의 각 다이싱 테이프에 대하여, 그 MD 방향의 열수축률, TD 방향의 열수축률, 및 이들 평균 열수축률을 조사하였다. 구체적으로는 다음과 같다.
실시예 및 비교예마다 2종류의 시험편(제3 시험편, 제4 시험편)을 준비하였다. 제3 시험편은, 다이싱 테이프로부터, 그 MD 방향의 길이 140㎜×폭 10㎜의 사이즈로 잘라낸 것이다. 제4 시험편은, 다이싱 테이프로부터, 그 TD 방향의 길이 140㎜×폭 10㎜의 사이즈로 잘라낸 것이다. 잘라내어진 각 시험편에는, 그 길이 방향으로 이격되는 한 쌍의 마킹 라인을 부여하였다. 각 마킹 라인은 시험편의 폭 방향으로 연장되고, 또한, 마킹 라인 간의 거리는 100㎜이다. 그리고, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AG-X」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼제)를 사용하여 시험편을 신장시켰다. 이 신장 조작에 있어서는, 초기 척간 거리는 100㎜이며(척 간격과 마킹 라인 간격이 일치하도록 시험편을 척에 보유 지지시킴), 23℃, 및 인장 속도는 1000㎜/분의 조건에서 척간 거리 120㎜까지 시험편을 인장하고, 인장 후에 시험편을 60초간 정치하였다. 이 신장 조작 후의 시험편에 대하여, 인장 시험기로부터 분리하여 마킹 라인간 거리 L1을 측정한 후, 가열 처리를 실시하였다. 가열 처리에 있어서, 가열 온도는 100℃이고, 가열 시간은 10초간이다. 이 가열 처리의 후, 시험편에 있어서의 마킹 라인간 거리 L2를 측정하였다. 시험편에 대하여 산출되는 열수축률(수축 전의 길이 L1에 대한, 수축 분의 길이(L1-L2)의 비율)의 값(％), 및 실시예 및 비교예마다의 MD 방향 열수축률과 TD 방향 열수축률로부터 산출되는 평균 열수축률(％)을, 표 1에 기재한다.
<익스팬드 공정부터 픽업 공정까지에 있어서의 평가>
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4의 상술한 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 이하와 같은 접합 공정, 할단 공정(할단용 쿨 익스팬드 공정), 이격 공정(익스팬드 공정+히트 슈링크 공정), 및 픽업 공정을 행하였다.
접합 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤제)에 보유 지지된 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름에 대해서 접합하고, 그 후, 반도체 웨이퍼로부터 웨이퍼 가공용 테이프를 박리하였다. 접합에 있어서는, 라미네이터를 사용하여, 접합 속도를 10㎜/초로 하고, 온도 조건을 50 내지 80℃로 하고, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 다음과 같이 하여 형성하여 준비한 것이다.
우선, 베어 웨이퍼(직경 12인치, 두께 780㎛, 도쿄 가코 가부시키가이샤제)의 개질 영역 형성 예정면인 제1 면 측에 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤제)를 접합하였다. 다음으로, 스텔스 다이싱 장치(상품명 「DAL7360(SDE05)」, Power: 0.25W, 주파수:80㎑, 가부시키가이샤 디스코제)를 사용하여, 이 베어 웨이퍼에 대해서, 웨이퍼 내의 제1 면측에 집광점이 맞춰진 레이저광을 제1 면과는 반대인 이면(제2 면)측으로부터 웨이퍼 내의 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의해 웨이퍼 내의 제1 면측으로 개편화용 개질 영역(웨이퍼의 제1 면으로부터의 깊이 50㎛, 1구획 10㎜×10㎜의 격자 형상을 이룸)을 형성하였다. 이 후, 백그라인드 장치(상품명 「DGP8760」, 가부시키가이샤 디스코제)를 사용하여, 웨이퍼의 제2 면(개질 영역이 형성되지 않은 면) 측으로부터의 연삭에 의해 당해 웨이퍼를 두께 30㎛에 이르기까지 박화하였다. 이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼(웨이퍼 가공용 테이프에 보유 지지된 상태에 있음)를 형성하였다. 이 반도체 웨이퍼에는, 복수의 반도체 칩(10㎜×10㎜)으로 개편화되게 되는 구획이 포함되어 있다.
할단 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코제)를 사용하여, 그 제1 익스팬드 유닛인 쿨 익스펜드 유닛으로 행하였다. 구체적으로는, 우선, 반도체 웨이퍼를 수반하는 상술한 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프 점착제층에, 직경 12인치의 SUS제 링 프레임(가부시키가이샤 디스코제)을 실온에서 첩부하였다. 다음으로, 당해 다이싱 다이 본드 필름을 장치 내에 세트하고, 상기 장치의 제1 익스팬드 유닛으로, 반도체 웨이퍼를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드하였다. 이 할단 공정에 있어서, 온도는 -15℃이고, 익스팬드 속도는 200㎜/초이며, 익스팬드양은 11㎜이다.
할단 공정 후에 다이 본드 필름을 관찰하고, 할단 예정의 변(즉, 반도체 웨이퍼의 개질 영역에 대향하여 당해 반도체 웨이퍼의 할단에 수반하여 할단된 경우에 변을 발생하는 개소) 중 할단되지 않은 변의 수를 계측하였다. 그리고, 할단 예정의 변의 총수와 미할단의 변의 수로부터, 할단 예정의 변의 총수에 차지하는, 할단된 변의 수의 비율을, 할단율(％)로서 산출하였다. 그 결과를 표 1에 기재한다. 또한, 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3의 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프는 할단 공정에 있어서 파단 개소를 발생시키지 않는 데 비하여, 비교예 4의 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프는 할단 공정에 있어서 파단 개소를 발생시켰다. 이 결과에 대해서도 표 1에 기재한다.
이격 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코제)를 사용하여, 그 제2 익스팬드 유닛으로 행하였다. 본 공정에서는, 우선, 상술한 할단 공정을 거친 반도체 웨이퍼를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를, 상기 장치의 제2 익스팬드 유닛으로, 워크를 진공 흡착 가능한 테이블의 상승에 의해 밀어올려 익스팬드하였다. 이 익스팬드에 있어서, 온도는 23℃이고, 익스팬드 속도는 1㎜/초이며, 익스팬드양은 9㎜이다. 본 공정에서는, 다음으로, 테이블의 상승에 의해 익스팬드된 다이싱 테이프를 테이블에 의해 진공 흡착하고, 테이블에 의한 그 흡착을 유지한 상태에서 테이블을 워크와 함께 하강시켰다. 그리고, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의, 워크 접착 영역보다 외측의 주연부에 대하여, 가열 수축 처리를 실시하였다(히트 슈링크). 이 처리에 있어서, 가열용 온풍의 온도는 250℃이고 그 풍량은 40L/분이며, 히트 거리(온풍 분출구로부터 가열 대상물까지의 거리)는 20㎜이며, 반도체 웨이퍼를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름을 보유 지지하는 스테이지의 로테이션 스피드는 3°/초이다.
이격 공정 후, 레이저 현미경(상품명 「H300」, 레이저텍 가부시키가이샤제)을 사용하여, 웨이퍼 중앙 위치에서 개편화되어 발생한 반도체 칩과, 그 네 변에서 인접하는 네 반도체 칩 사이의 거리를 측정하였다. 그 거리의 평균값을 커프 폭(㎛)으로서 표 1에 기재한다.
픽업 공정에서는, 픽업 기구를 갖는 장치(상품명 「다이 본더 SPA-300」, 가부시키가이샤 신카와제)를 사용하여, 다이싱 테이프 위에서 개편화된 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩의 픽업을 시도하였다. 이 픽업에 있어서, 픽업 높이는 350㎛이며, 픽업 평가수는 50이다. 이 픽업 공정에 관하여, 50개의 다이 본드 필름을 구비한 반도체 칩 전부가 다이싱 테이프로부터 픽업된 경우를 우수(◎)라고 평가하고, 픽업 성공률이 90％ 이상이고 또한 100％ 미만인 경우를 양호(○)라고 평가하며, 픽업 성공률이 90％ 미만인 경우를 불량(×)이라고 평가하였다. 그 평가 결과를 표 1에 기재한다(상술한 바와 같이 할단 공정에서 파단 개소를 발생시킨 비교예 4의 다이싱 다이 본드 필름에 대해서는, 픽업 평가를 실시할 수 없었음).
[평가]
실시예 1 내지 7의 다이 본드 필름에 의하면, 익스팬드 공정에 있어서 양호한 할단을 실현하면서, 칩간의 할단 개소에 대해 충분한 커프 폭을 확보할 수 있었다.
Figure pat00001
X: 다이싱 다이 본드 필름
10, 11: 다이 본드 필름
10A: 웨이퍼 접착 영역
20: 다이싱 테이프
21: 기재
22: 점착제층
W, 30A, 30B: 반도체 웨이퍼
30C: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 개질 영역
30b: 분할 홈
31: 반도체 칩

Claims (3)

  1. 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,
    상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 다이 본드 필름을 구비하고,
    상기 다이싱 테이프는, 폭 10㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 초기 척간 거리 50㎜, -15℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 120％ 이상이며,
    상기 다이 본드 필름은, 폭 10㎜ 및 두께 210㎛의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 20㎜, -15℃, 및 인장 속도 100㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 파단 신도가 20％ 이하이고,
    상기 다이 본드 필름은, 직경 D1의 원반 형상을 갖고, 당해 원반 형상과 동심원의 직경 D2의 웨이퍼 접착 영역을 포함하며, 또한 D1 및 D2가 D1＞D2 및 (D1-D2)/D2＜0.1을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 접착 영역의 직경 D2는 200 내지 300㎜인, 다이싱 다이 본드 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 다이싱 테이프는, 초기 척간 거리 100㎜, 23℃, 및 인장 속도 1000㎜/분의 조건에서 척간 거리 120㎜까지 신장된 폭 10㎜의 다이싱 테이프 시험편에 대하여 가열 온도 100℃ 및 가열 시간 10초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에서의 열수축률이 0.1％ 이상인, 다이싱 다이 본드 필름.
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