KR20200045960A - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium.
세정 처리 후의 기판을 건조시키는 방법으로서, 기판의 표면에 건조액을 공급하고, 린스액 등을 건조액으로 치환한 후에, 건조액을 제거시키는 방법이 검토되고 있다(특허문헌 1 참조).As a method of drying the substrate after the washing treatment, a method of removing the drying liquid after supplying a drying liquid to the surface of the substrate and replacing the rinse liquid with a drying liquid has been studied (see Patent Document 1).
본 개시는, 기판 표면으로부터의 건조액의 제거 시의 패턴 파손을 방지하는 것이 가능한 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique capable of preventing pattern breakage when removing dry liquid from the substrate surface.
본 개시의 일 형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 기판의 표면에 대해 건조액을 공급하는 건조액 공급부와, 기판의 표면 온도를 변화시키는 온도 조정부와, 온도 조정부를 제어하는 제어부를 포함한다. 제어부는, 기판의 표면에 공급되어 있는 건조액의 액막에 온도차를 생기게 하도록 온도 조정부를 제어한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a substrate holding portion for holding a substrate, a drying liquid supply portion for supplying a drying liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding portion, and a surface temperature of the substrate. It includes a temperature adjusting unit that changes, and a control unit that controls the temperature adjusting unit. The control unit controls the temperature adjusting unit to cause a temperature difference in the liquid film of the drying liquid supplied to the surface of the substrate.
하나의 예시적 실시 형태에 따르면, 기판 표면으로부터의 건조액의 제거 시의 패턴 파손을 방지하는 것이 가능하다.According to one exemplary embodiment, it is possible to prevent pattern breakage when removing the drying liquid from the substrate surface.
도 1은 하나의 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 하나의 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 3은 하나의 예시적 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 4는 도 4의 (a), 도 4의 (b), 도 4의 (c)는, 제1 실시 형태에 관한 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리를 설명하는 도면이다.
도 5의 (a), 도 5의 (b), 도 5의 (c)는, 제1 실시 형태의 변형예에 관한 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리를 설명하는 도면이다.
도 6의 (a), 도 6의 (b), 도 6의 (c)는, 제1 실시 형태의 변형예에 관한 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리를 설명하는 도면이다.
도 7의 (a), 도 7의 (b), 도 7의 (c)는, 제2 실시 형태의 변형예에 관한 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리를 설명하는 도면이다.
도 8의 (a), 도 8의 (b), 도 8의 (c)는, 제2 실시 형태의 변형예에 관한 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리를 설명하는 도면이다.
도 9의 (a), 도 9의 (b), 도 9의 (c)는, 제2 실시 형태의 변형예에 관한 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리를 설명하는 도면이다.
도 10의 (a), 도 10의 (b), 도 10의 (c)는, 제2 실시 형태의 변형예에 관한 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리를 설명하는 도면이다.
도 11의 (a), 도 11의 (b)는 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리의 다른 예를 설명하는 도면이다.
도 12의 (a), 도 12의 (b)는 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리의 다른 예를 설명하는 도면이다.
도 13은 온도 조정부에 의한 IPA 배출 처리의 다른 예를 설명하는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing system according to one exemplary embodiment.
Fig. 2 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to one exemplary embodiment.
Fig. 3 is a flow chart for explaining a substrate processing method according to one exemplary embodiment.
4 (a), 4 (b), and 4 (c) are diagrams for explaining IPA discharge processing by the temperature adjusting unit according to the first embodiment.
5 (a), 5 (b), and 5 (c) are diagrams for explaining IPA discharge processing by the temperature adjusting unit according to the modification of the first embodiment.
6 (a), 6 (b), and 6 (c) are diagrams for explaining the IPA discharge processing by the temperature adjusting unit according to the modification of the first embodiment.
7 (a), 7 (b), and 7 (c) are views for explaining the IPA discharge processing by the temperature adjusting unit according to the modification of the second embodiment.
8 (a), 8 (b), and 8 (c) are diagrams for explaining IPA discharge processing by the temperature adjusting unit according to the modification of the second embodiment.
9 (a), 9 (b), and 9 (c) are views for explaining the IPA discharge processing by the temperature adjusting unit according to the modification of the second embodiment.
10 (a), 10 (b), and 10 (c) are views for explaining the IPA discharge processing by the temperature adjusting unit according to the modification of the second embodiment.
11 (a) and 11 (b) are views for explaining another example of the IPA discharge processing by the temperature adjusting unit.
12 (a) and 12 (b) are views for explaining another example of the IPA discharge processing by the temperature adjusting unit.
It is a figure explaining another example of IPA discharge processing by a temperature adjustment part.
이하, 도면을 참조하여 다양한 예시적 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일하거나 또는 상당의 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.Hereinafter, various exemplary embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In addition, it is assumed that the same reference numerals are given to the same or equivalent parts in each drawing.
<제1 실시 형태><First Embodiment>
[기판 처리 시스템의 구성][Configuration of substrate processing system]
도 1은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to a first embodiment. Hereinafter, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis, and Z-axis orthogonal to each other are defined, and the positive Z-axis direction is set as the vertical upward direction.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반출입 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반출입 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.As shown in FIG. 1, the
반출입 스테이션(2)은, 캐리어 적재부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 적재부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼 W)를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어 C가 적재된다.The carry-in / out
반송부(12)는, 캐리어 적재부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼 W를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 보유 지지 기구를 사용하여 캐리어 C와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼 W의 반송을 행한다.The
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 마련된다.The
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼 W를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 보유 지지 기구를 사용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼 W의 반송을 행한다.The
처리 유닛(16)은, 후술하는 제어 장치(4)의 제어부(18)의 제어에 따라, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼 W에 대해 소정의 기판 처리를 행한다.The
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.Further, the
또한, 관련된 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.In addition, the related program is recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium to the
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반출입 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 적재부(11)에 적재된 캐리어 C로부터 웨이퍼 W를 취출하고, 취출된 웨이퍼 W를 전달부(14)에 적재한다. 전달부(14)에 적재된 웨이퍼 W는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.In the
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼 W는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 적재된다. 그리고, 전달부(14)에 적재된 처리 완료의 웨이퍼 W는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 적재부(11)의 캐리어 C로 복귀된다.After the wafer W carried into the
[기판 처리 장치의 구성][Configuration of substrate processing device]
도 2를 참조하여, 기판 처리 시스템(1)이 포함하는 기판 처리 장치(10)의 구성을 설명한다. 기판 처리 장치(10)는, 기판 처리 시스템(1)의 처리 유닛(16)에 포함된다.Referring to Fig. 2, the configuration of the
도 2에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(10)는, 챔버(20)와, 기판 보유 지지 기구(30)와, 처리액 공급부(40)와, 회수 컵(50)과, 온도 조정부(60)를 구비한다.2, the
챔버(20)는, 기판 보유 지지 기구(30)와 처리액 공급부(40)와 회수 컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성하는 기능을 갖는다. FFU(21)는, 다운 플로우 가스 공급관(도시되지 않음)으로부터 공급되는 다운 플로우 가스를 챔버(20) 내에 공급함으로써 다운 플로우 가스를 형성한다.The
기판 보유 지지 기구(30)는, 웨이퍼 W를 회전 가능하게 보유 지지하는 기능을 갖는다. 기판 보유 지지 기구(30)는, 보유 지지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 보유 지지부(31)는, 웨이퍼 W를 수평으로 보유 지지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 보유 지지부(31)를 수평하게 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 주위로 회전시킨다. 이와 같은 기판 보유 지지 기구(30)는, 구동부(33)를 사용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 보유 지지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 보유 지지부(31)에 보유 지지된 웨이퍼 W를 회전시킨다.The
처리액 공급부(40)는, 웨이퍼 W에 대해 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(40)는, 처리액 공급원(80)에 접속된다. 처리액 공급부(40)는, 처리액 공급원(80)으로부터의 처리액을 공급하기 위한 노즐(41)을 갖고 있다. 처리액 공급원(80)은 복수의 처리액에 관한 공급원을 갖고 있고, 웨이퍼 W의 처리 진행에 따라, 공급하는 처리액을 변경한다. 또한, 노즐(41)은, 가로 방향(수평 방향)으로 회전 이동이 가능한 노즐 암(도시되지 않음)의 헤드 부분에 마련된다. 그리고, 노즐 암의 회전 이동에 의해 노즐(41)의 선단 위치를 변경하면서, 처리액을 웨이퍼 W 상에 공급 가능해진다.The processing
처리액 공급원(80)으로서는, 약액 공급원(81), DIW 공급원(82), 및 IPA 공급원(83)이 마련되어 있다. 약액 공급원(81)은, 웨이퍼 W의 표면의 처리를 위하여 사용되는 1종 또는 복수종의 약액을 공급한다. 또한, DIW 공급원(82)은, 웨이퍼 W의 표면의 린스 처리에 사용되는 DIW(Deionized Water: 순수)를 공급한다. 또한, IPA 공급원(83)은, 웨이퍼 W의 표면의 DIW를 IPA(isopropyl alcohol)로 치환하기 위한 IPA를 공급한다. IPA는, 휘발성을 갖는 건조액의 1종이며, DIW와 비교하여 표면 장력이 작다. 그 때문에, 웨이퍼 W의 표면의 DIW를 먼저 IPA로 치환한 후에, IPA를 제거하여 웨이퍼 W를 건조함으로써, 웨이퍼 W의 건조 시에 웨이퍼 W의 표면의 패턴 파손을 방지한다. 약액 공급원(81), DIW 공급원(82), 및 IPA 공급원(83)은, 각각 밸브 V1, V2, V3을 통하여 노즐(41)과 접속되어 있다. 밸브 V1, V2, V3의 개폐를 전환함으로써, 노즐(41)로부터 웨이퍼 W에 대해 공급하는 처리액을 변경할 수 있다.As the processing
또한, 도 2에서는, 하나의 노즐(41)을 나타내고 있지만, 복수 종류의 처리액에 따라 복수의 노즐이 개별로 마련되어 있어도 되고, 일부의 처리액에 있어서 하나의 노즐을 공유해도 된다.In addition, although one
상기 노즐(41)의 이동, 및 처리액 공급원(80)의 각 공급원으로부터의 액체의 공급/정지 등은, 이미 설명한 제어부(18)에 의해 제어된다.The movement of the
회수 컵(50)은, 보유 지지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 보유 지지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼 W로부터 비산되는 처리액을 포집한다. 회수 컵(50)의 저부에는, 액체 배출구(51)가 형성되어 있고, 회수 컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이와 같은 액체 배출구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수 컵(50)의 저부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.The
온도 조정부(60)는, 보유 지지부(31) 상에 보유 지지된 웨이퍼 W의 표면의 온도 제어를 행하는 기능을 갖는다. 도 2에 나타내는 기판 처리 장치(10)에서는, 온도 조정부(60)는, 보유 지지부(31)의 이면측에서 웨이퍼 W의 전체면의 온도 제어를 행하는 제1 온도 조정부(61)와, 웨이퍼 W의 표면측에 마련되는 라인형의 제2 온도 조정부(62)를 갖는다. 제1 온도 조정부(61) 및 제2 온도 조정부(62)가 각각 가열 또는 냉각을 행함으로써, 웨이퍼 W의 표면의 온도 분포를 제어한다. 즉, 제1 온도 조정부(61) 및 제2 온도 조정부(62)는, 기판 가열부 또는 기판 냉각부로서의 기능을 갖는다.The
제1 온도 조정부(61)는, 웨이퍼 W의 이면측에 마련되고, 웨이퍼 W 전체의 온도 제어를 행한다. 단, 제1 온도 조정부(61)는, 웨이퍼 W의 온도 제어를 면적(面的)으로 행하지만, 웨이퍼 W에 대해 일률의 온도로 가열 또는 냉각을 행하는 것이 아니라, 웨이퍼 W의 표면의 온도 분포에 편차를 갖게 하도록 구성해도 된다. 예를 들어, 제1 온도 조정부(61)를 복수의 영역으로 구획하고, 구획별로 독립된 온도 제어를 행하는 소위 다채널 제어를 행함으로써, 웨이퍼 W의 서로 다른 위치를 서로 다른 가열 온도로 가열하는 구성으로 해도 된다. 또한, 다채널 제어를 이용함으로써, 웨이퍼 W의 표면 온도가 소정의 구배를 갖도록 구성해도 된다. 제1 온도 조정부(61)에 의해 웨이퍼 W를 가열하는 경우에는, 제1 온도 조정부(61)로서 열판을 사용할 수 있다. 또한, 제1 온도 조정부(61)에 의해 웨이퍼 W를 냉각하는 경우에는, 제1 온도 조정부(61)로서 냉각판을 사용할 수 있다. 단, 제1 온도 조정부(61)의 구성은 이들에 한정되지 않는다.The 1st
제2 온도 조정부(62)는, 웨이퍼 W의 표면에 대해 소정의 거리로 이격함과 함께 가로 방향(수평 방향)으로 연장되는 라인형의 열원 또는 냉각원이다(도 4의 (a)도 참조). 도 2에서는, 제2 온도 조정부(62)의 긴 방향이 Y축 방향으로 되도록 배치되어 있는 상태를 나타내고 있다. 또한, 제2 온도 조정부(62)는, 가로 방향(수평 방향)이며, 또한 제2 온도 조정부(62)의 길이 방향에 대해 교차하는 방향(예를 들어, 직교하는 방향)으로 이동 가능하게 되어 있다. 도 2에 나타내는 제2 온도 조정부(62)는, X축 방향을 따른 이동에 의해, 평면으로 볼 때 보유 지지부(31) 상의 웨이퍼 W의 표면과 겹치는 영역을 모두 이동하는 것이 가능하게 되어 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 웨이퍼 W가 특정 영역(제2 온도 조정부(62)과 근접한 영역)의 가열 또는 냉각을 행할 수 있다. 제2 온도 조정부(62)에 의해 웨이퍼 W를 가열하는 경우에는, 제2 온도 조정부(62)로서 레이저 또는 램프를 사용할 수 있다. 또한, 제2 온도 조정부(62)에 의해 웨이퍼 W를 냉각하는 경우에는, 제2 온도 조정부(62)로서 기류(냉각된 기체)를 사용할 수 있다. 단, 제2 온도 조정부(62)의 구성은 이들에 한정되지 않는다.The second
상기 제1 온도 조정부(61) 및 제2 온도 조정부(62)에 의한 가열 온도 또는 냉각 온도의 조정, 그리고 제2 온도 조정부(62)의 이동 등은, 이미 설명한 제어부(18)에 의해 제어된다.The control of the heating temperature or cooling temperature by the first
[기판 처리 방법][Substrate treatment method]
상기 기판 처리 장치(10)를 사용하여 실시되는 액처리의 내용에 대해 도 3을 참조하면서 설명한다.The contents of the liquid processing performed using the
먼저, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16) 내에 반입된 웨이퍼 W가 기판 보유 지지 기구(30)의 보유 지지부(31)에 보유 지지되면, 노즐(41)을 웨이퍼 W상의 처리 위치로 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼 W를 소정의 회전 속도로 회전시켜 노즐(41)로부터 약액의 공급을 행함으로써, 약액 처리를 행한다(S01). 이 때, 도 2에 나타내는 지주부(32)나 구동부(33)는, 보유 지지부(31)에 보유 지지된 웨이퍼 W를 회전시키는 회전 기구에 상당한다.First, when the wafer W carried into the
다음에, 노즐(41)로부터 공급하는 처리액을 DIW로 전환하여 세정하는 린스 세정 처리를 행한다(S02). 구체적으로는, 웨이퍼 W를 회전시킨 상태에서, 약액의 액막이 존재하는 웨이퍼 W에 DIW를 공급한다. DIW를 공급함으로써, 웨이퍼 W에 부착되는 잔류물이 DIW에 의해 세정된다.Next, a rinse washing process is performed in which the processing liquid supplied from the
린스 세정 처리를 소정 시간 실행한 후, 노즐(41)로부터의 DIW의 공급을 정지한다. 다음에, 회전하는 웨이퍼 W의 표면에 대해, 노즐(41)로부터 IPA를 공급함으로써, 웨이퍼 W의 표면의 DIW를 IPA로 치환하는 치환 처리를 행한다(S03: 건조액 공급 공정). 웨이퍼 W의 표면에 IPA가 공급됨으로써, 웨이퍼 W의 표면에 IPA의 액막이 형성된다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 표면에 잔존하는 DIW가 IPA로 치환된다.After the rinse washing process is performed for a predetermined time, the supply of DIW from the
웨이퍼 W의 표면의 DIW가 IPA와 충분히 치환된 후, 웨이퍼 W로의 IPA의 공급을 정지한다. 그리고, 웨이퍼 W의 표면에 잔존하는 IPA를 웨이퍼 W의 표면으로부터 배출하는 배출 처리를 행한다(S04: 배출 공정). 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 배출함으로써, 웨이퍼 W의 표면이 건조된 상태로 된다. 또한, 기판 처리 장치(10)에서는, 온도 조정부(60)에 의해 웨이퍼 W의 표면의 온도에 편차를 만듦으로써, 웨이퍼 W의 표면으로부터의 IPA의 배출을 촉진한다. 이 점은 후술한다.After the DIW on the surface of the wafer W is sufficiently replaced with IPA, the supply of IPA to the wafer W is stopped. Then, a discharge process for discharging the IPA remaining on the surface of the wafer W from the surface of the wafer W is performed (S04: discharge process). By discharging IPA from the surface of the wafer W, the surface of the wafer W is dried. Further, in the
웨이퍼 W의 표면이 건조되면, 해당 웨이퍼 W에 관한 액처리가 종료로 된다. 반입시와는 반대의 수순으로 기판 처리 장치(10)로부터 웨이퍼 W를 반출한다.When the surface of the wafer W is dried, the liquid processing for the wafer W ends. The wafer W is taken out from the
[배출 처리][Emission treatment]
도 4의 (a) 내지 도 4의 (c)를 참조하면서, 온도 조정부(60)를 사용한 IPA의 배출 처리에 대해 설명한다. 도 4의 (a)는, 웨이퍼 W의 표면 상에 배치된 제2 온도 조정부(62)의 동작을 설명하는 사시도이다. 또한, 도 4의 (b)는 제1 온도 조정부(61) 및 제2 온도 조정부(62)에 의한 웨이퍼 W의 온도 제어를 설명하는 도면이다. 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 표면에는 소정의 패턴 W1(예를 들어, 레지스트 패턴)이 형성되어 있다. 또한, 도 4의 (c)에서는, 웨이퍼 W의 표면 온도를 설명하는 도면이다.Referring to Figs. 4A to 4C, the IPA discharge process using the
IPA의 배출 처리를 행하기 전은, 웨이퍼 W의 표면을 덮도록 IPA 액막 L이 형성되어 있다. 도 4의 (a) 내지 도 4의 (c)에 나타내는 예에서는, 제1 온도 조정부(61)는, 웨이퍼 W의 이면을 소정의 온도로 냉각하는 기판 냉각부로서 기능하고 있다. 제1 온도 조정부(61)에 의해, 웨이퍼 W의 표면은 일정 온도로 냉각된다. 또한, 제2 온도 조정부(62)는, 웨이퍼 W의 표면측으로부터 웨이퍼 W의 표면의 소정의 위치를 가열하는 기판 가열부로서 기능하고 있다. IPA의 배출을 행하는 경우, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제2 온도 조정부(62)는, 웨이퍼 W의 단부에 근접 배치시킨다. 그리고, 제2 온도 조정부(62)에 의해 웨이퍼 W의 단부의 표면을 가열한다.Before the IPA was discharged, the IPA liquid film L was formed so as to cover the surface of the wafer W. In the example shown in FIGS. 4A to 4C, the first
이 결과, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 표면의 온도는, 제2 온도 조정부(62)가 근접 배치되어 있는 측의 단부(외주)의 온도 T1이 다른 영역의 온도 T2와 비교하여 높아진다. 그리고, 온도 T1이 되는 웨이퍼 W 단부와, 온도 T2가 되는 미처리 영역 A2 사이에, 온도 T1로부터 온도 T2로 변화되는 건조 대상 영역 A1이 형성된다. 즉, 웨이퍼 W의 표면은, 건조 대상 영역 A1과, 건조 대상 영역 A1과 인접하는 미처리 영역 A2를 포함한다. 바꾸어 말하면, IPA 액막 L 내 건조 대상 영역 A1 근처의 에지부 La의 온도는, IPA 액막 L 내 미처리 영역 A2에 대응하는 잔부 Lb의 온도보다도 높아진다. 그 때문에, 에지부 La와 잔부 Lb 사이에서 온도 차이가 생기고 있다. 따라서, 건조 대상 영역 A1에 있어서, 온도가 낮은 미처리 영역 A2측으로의 IPA 액막 L의 응집이 진행한다.As a result, as shown in Fig. 4 (c), the temperature of the surface of the wafer W is different from the temperature T2 of the region where the temperature T1 of the end portion (outer periphery) on the side where the second
건조 대상 영역 A1에서는, 온도 T2로 되는 다른 영역과 비교하여 웨이퍼 W의 표면의 온도가 높기 때문에, IPA 액막 L로부터의 IPA의 증발(휘발)이 촉진된다. 그 결과, 건조 대상 영역 A1에서의 IPA 액막 L의 막 두께는, 미처리 영역 A2(온도 T2이 되는 영역)의 막 두께보다도 작아진다. 이 결과, 건조 대상 영역 A1의 IPA 액막 L과, 미처리 영역 A2의 IPA 액막 L 사이에서 표면 장력 차가 생겨, 건조 대상 영역 A1에서의 IPA 액막 L의 표면 장력이 미처리 영역 A2보다도 작아진다. 그 결과, 건조 대상 영역 A1의 IPA 액막 L의 에지부 La가, 미처리 영역 A2측(도 4에서는 우측)으로 이끌리는 소위 마란고니 대류가 생긴다. 이 마란고니 대류에 의해 생기는 힘에 의해, IPA 액막 L의 에지부 La는 저온측으로 이동해 간다.In the region A1 to be dried, since the temperature of the surface of the wafer W is higher than that of the other region at temperature T2, evaporation (volatilization) of IPA from the IPA liquid film L is promoted. As a result, the film thickness of the IPA liquid film L in the region A1 to be dried is smaller than the film thickness of the untreated area A2 (the region at which the temperature is T2). As a result, a surface tension difference occurs between the IPA liquid film L in the drying target region A1 and the IPA liquid film L in the untreated region A2, and the surface tension of the IPA liquid film L in the drying target region A1 becomes smaller than the untreated region A2. As a result, a so-called Marangoni convection occurs in which the edge portion La of the IPA liquid film L in the drying target region A1 is drawn to the unprocessed region A2 side (right in FIG. 4). The edge portion La of the IPA liquid film L moves to the low temperature side by the force generated by this Marangoni convection.
이 때, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제2 온도 조정부(62)를 화살표 S 방향으로 이동시키면, 건조 대상 영역 A1은, 도 4의 (c)에 나타내는 위치에서 화살표 S 방향으로 이동한다. IPA 액막 L의 응집 속도(IPA 액막 L의 에지부 La의 이동 속도)에 대응시켜 제2 온도 조정부(62)를 이동시킴으로써, 마란고니 대류에 의한 IPA 액막 L의 응집을 진행시킬 수 있어, 웨이퍼 W의 표면 상의 IPA를 화살표 S 방향으로 이동시킬 수 있다. 따라서, 화살표 S 방향을 따른 하류측의 웨이퍼 W의 단부 Wa에 있어서, IPA를 웨이퍼 W의 표면으로부터 배출할 수 있다.At this time, as shown in Fig. 4B, when the second
웨이퍼 W의 표면 중, IPA 액막 L의 건조 처리가 행해지는 대상이 되는 영역이 「건조 대상 영역 A1」이다. 한편, 웨이퍼 W의 표면 중, IPA 액막 L의 건조 처리가 행해지지 않는 영역이 「미처리 영역 A2」이다. 도 4에 도시되는 예에서는, 건조 대상 영역 A1은, 웨이퍼 W의 표면 중 제2 온도 조정부(62)에 의해 승온된 영역, 즉, 온도 T1로부터 온도 T2로 변화하는 온도 구배가 생기고 있는 영역이다. 상기한 바와 같이 건조 대상 영역 A1에서는, 마란고니 대류에 의해 IPA 액막 L의 에지부 La가 미처리 영역 A2측으로 이끌림으로써, IPA 액막 L의 단부가 이동한다. 따라서, 건조 대상 영역과 그것 이외의 영역의 사이에 웨이퍼 W의 표면에 온도 구배가 형성되도록, 건조 대상 영역 A1의 위치를 제어함으로써, 웨이퍼 W의 표면 상의 IPA의 응집을 진행시킬 수 있다.On the surface of the wafer W, an area to be subjected to the drying treatment of the IPA liquid film L is "drying area A1". On the other hand, on the surface of the wafer W, an area in which the IPA liquid film L is not dried is "unprocessed area A2". In the example shown in FIG. 4, the area A1 to be dried is an area heated by the second
[작용·효과][Action, effect]
이와 같이, 기판 처리 장치(10)에서는, 온도 조정부(60)에 의한 웨이퍼 W의 표면의 온도 제어를 이용하여, 웨이퍼 W의 표면 중, 건조 대상 영역 A1과 미처리 영역 A2 사이에 온도차가 형성된다. 구체적으로는, IPA 액막 L의 에지부 La의 온도가 높고, IPA 액막 L의 잔부 Lb의 온도가 낮아지도록, IPA 액막 L에 온도차를 생기게 한다. 이에 의해, IPA 액막 L의 에지부 La에 있어서 마란고니 대류가 생긴다. 그 때문에, 웨이퍼 W의 표면 중 소정의 방향(구체적으로는, 온도가 저온이 되는 측)으로 IPA를 응집시키면서, 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 배출한다. 이와 같이, 마란고니 대류를 이용한 IPA의 응집을 이용하여 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 배출하는 구성으로 함으로써, 웨이퍼 W의 표면으로부터의 IPA의 제거 시의 웨이퍼 W의 표면의 패턴 도괴 등을 방지할 수 있다.Thus, in the
웨이퍼 W 표면으로부터 IPA를 제거하는 방법으로서, 종래는, 웨이퍼 W를 회전시킴으로써 원심력을 이용하여 IPA를 외주측으로 이동시키는 방법이 사용되고 있다. 이 경우, 웨이퍼 W의 표면의 IPA는 원심력을 받아서 외측으로 흘러 간다. 단, 이와 같이 외력을 받아서 IPA가 이동하는 경우에는, IPA 액막의 단부에, 액 두께가 매우 얇은 경계층이 형성된다. 경계층은, 외력에 의한 IPA의 이동을 할 수 없는 영역이기 때문에, IPA의 증발에 의해서만 웨이퍼 W의 표면의 건조가 진행되게 된다. 이 때, IPA의 증발 속도는, 웨이퍼 W의 표면에 있어서 균일하게 되지는 않는다. 특히, 웨이퍼 W의 표면에는 다수의 패턴 W1이 형성되어 있기 때문에, 패턴 W1의 형상 등에 의해 IPA의 액면 높이의 변동이 생기기 쉬워진다. IPA의 액면 높이가 다른 상태에서 IPA의 증발이 진행되면, 액면 높이에서 유래되는 응력의 차가 패턴 W1에 대해 영향을 미쳐, 패턴 도괴 등의 패턴 W1의 파손이 진행될 가능성이 있다.As a method of removing the IPA from the wafer W surface, a method of moving the IPA to the outer circumferential side using centrifugal force has been conventionally used by rotating the wafer W. In this case, the IPA of the surface of the wafer W flows out under the centrifugal force. However, when the IPA moves under the external force as described above, a boundary layer having a very small liquid thickness is formed at the end of the IPA liquid film. Since the boundary layer is a region in which IPA cannot be moved by an external force, drying of the surface of the wafer W proceeds only by evaporation of IPA. At this time, the evaporation rate of IPA does not become uniform on the surface of the wafer W. In particular, since a large number of patterns W1 are formed on the surface of the wafer W, variations in the liquid level height of the IPA are likely to occur due to the shape of the pattern W1 or the like. When evaporation of IPA proceeds in a state where the liquid level of IPA is different, the difference in stress originating from the liquid level affects pattern W1, and there is a possibility that breakage of pattern W1 such as pattern collapse occurs.
이에 반하여, 기판 처리 장치(10)에서는, 상기한 바와 같이 온도 구배에 의해 생기는 마란고니 대류를 이용하여, 웨이퍼 W의 표면 상의 IPA를 응집시킨다. 즉, 외력을 받아서의 이동이 아니라, 표면 장력의 차를 이용하여 IPA를 이동시킨 경우, IPA 액막 L의 에지부 La에 경계층이 생기는 것을 방지할 수 있다. 즉, 증발에 의한 건조가 행해지는 영역을 없앨 수 있기 때문에, IPA를 제거할 때에 패턴 도괴 등의 패턴 W1이 파손되는 것을 방지할 수 있다. 웨이퍼 W의 표면에 형성되는 패턴 W1은, 근년 애스펙트비가 높게 되어 있기 때문에, 패턴 도괴가 발생하는 리스크가 높아지고 있지만, 상기 마란고니 대류를 이용한 IPA의 제거를 사용함으로써 패턴 도괴의 발생률을 낮출 수 있다. 또한, 웨이퍼 W의 표면의 온도 구배는 반드시 IPA 액막 L이 존재하는 측의 온도가 낮고, IPA 액막 L이 존재하지 않는 측(웨이퍼 W가 노출되어 있는 측)의 온도가 높게 되어 있지 않아도 된다. 또한, 건조 대상 영역과 다른 영역(미처리 영역) 사이에 원하는 온도차가 생기고 있으면 되고, 미처리 영역 A2(미처리 영역) 내에 온도 구배가 형성되어 있지 않아도 된다.In contrast, in the
또한, 온도 조정부(60)에 의해 제어되는 웨이퍼 W의 표면 온도는, IPA의 휘발이 촉진되지 않는 정도로 제어되는 것이 바람직하다. IPA에 있어서 마란고니 대류를 생기게 하기 위해서는, 상온(23℃ 정도)보다도 고온이면 되고, 예를 들어 웨이퍼 W의 표면 온도가 30℃ 이상이 되도록 온도 조정부(60)를 제어할 수 있다. 웨이퍼 W의 표면 온도가 너무 높아지면, IPA의 응집에 의한 이동보다도 IPA의 휘발이 촉진되어 버려, 패턴이 파손될 가능성이 높아진다.Moreover, it is preferable that the surface temperature of the wafer W controlled by the
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(10)에서는, 웨이퍼 W의 일방측 단부로부터, 제2 온도 조정부(62)를 화살표 S 방향으로 수평하게 이동시킴으로써, 화살표 S 방향으로 IPA 액막 L을 응집시켜, IPA를 화살표 S 방향의 하류측의 단부 Wa로부터 배출된다. 이와 같이 IPA는, 웨이퍼 W의 표면에 있어서, 화살표 S 방향을 따라서 이동한다. 이 IPA의 이동을 촉진하기 위해서, 보유 지지부(31) 상의 웨이퍼 W를, 단부 Wa가 하방측이 되도록 약간(0.1°내지 1° 정도) 경사지게 해도 된다. 보유 지지부(31) 상의 웨이퍼 W를 경사지게 하는 방법으로는, 보유 지지부(31)를 지지하는 지주부(32)의 위치를 가로 방향으로 이동하고, 소위 축 어긋남을 발생시키는 방법을 들 수 있다. 이와 같이, 웨이퍼 W를 조금 경사지게 함으로써, IPA의 단부 Wa로부터의 배출을 촉진시키는 구성으로 해도 된다.Moreover, as shown in FIG. 4, in the
제2 온도 조정부(62)의 이동 및 제1 온도 조정부(61)에 의한 냉각 온도 등은, 제어부(18)에 의한 제어에 의해 변경된다. 제어부(18)는, IPA의 액 특성 등에 기초하여 미리 결정된 프로그램을 실행함으로써, 온도 조정부(60)의 각 부를 제어해도 된다. 또한, 제어부(18)는, 예를 들어 기판 처리 장치(10) 내에 설치된 웨이퍼 W의 표면을 관찰하는 카메라에 의해 취득된 웨이퍼 W의 표면의 상태에 관련된 정보 등에 기초하여, 온도 조정부(60)의 각 부의 동작을 변경하는 제어를 행해도 된다.The movement of the second
<제1 변형예><First modification>
다음에, 온도 조정부(60)의 변형예에 대해 설명한다. 상술한 바와 같이, IPA 액막 L의 에지부 La 부근에서, IPA 액막 L이 존재하는 측의 온도가 낮고, IPA 액막 L이 존재하지 않는 측(웨이퍼 W가 노출되어 있는 측)의 온도가 높아지도록 온도 구배를 형성하면, IPA 액막 L의 에지부 La에 있어서 마란고니 대류가 생긴다. 이 마란고니 대류를 생기게 함으로써, IPA 액막 L은 표면 장력을 이용하여 경계층을 형성하지 않고 응집한다. 따라서, 웨이퍼 W의 표면에 있어서 상술한 바와 같은 온도 구배를 형성하는 것이 가능하면, 온도 조정부(60)의 구성은 적절히 변경할 수 있다.Next, a modified example of the
도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)는, 제1 변형예에 관한 온도 조정부(60A)를 나타내는 도면이다. 도 5의 (a) 내지 도 5의 (c)는, 도 4의 (a) 내지 도 4의 (c)에 대응하는 도면이다. 온도 조정부(60A)는, 온도 조정부(60)와 비교하면 이하의 점이 상이하다. 즉, 온도 조정부(60A)에서는, 웨이퍼 W의 이면측에 마련된 제1 온도 조정부(61)에 위치에 따라 가열 온도를 변화시킴으로써, 웨이퍼 W의 표면에 온도 구배를 형성하고 있다. 즉, 제2 온도 조정부(62)는 사용하고 있지 않다.5 (a) to 5 (c) are diagrams showing the
도 5의 (b)에서는, 제1 온도 조정부(61)에 의한 위치별 가열 온도를 그라데이션으로 나타내고 있다. 즉, 제1 온도 조정부(61)에 의해, 웨이퍼 W의 도시 좌측의 단부 Wb에 있어서의 가열 온도가 높고, 도시 우측의 단부 Wc를 향하여 가열 온도가 낮아지도록 가열 온도가 제어되고 있다. 이 결과, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 표면 온도는, 도시 좌측의 단부 Wb로부터, 도시 우측의 단부 Wc를 향하여 전체적으로 온도 구배가 형성된다. 즉, 도 5에 도시되는 예에서는, 건조 대상 영역 A1에도 미처리 영역 A2에도 온도 구배가 형성되어 있다.In (b) of FIG. 5, the heating temperature for each position by the first
이 결과, IPA 액막 L은, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 단부 Wb측으로부터 마란고니 대류가 생겨, 단부 Wc측으로 이동해 간다. 웨이퍼 W의 표면 온도는 전체적으로 온도 구배가 형성되어 있기 때문에, IPA 액막 L의 에지부 La가 단부 Wc측으로 이동했다고 해도, 에지부 La는 건조 대상 영역 A1 상에 존재하게 된다. 따라서, 마란고니 대류에 의한 IPA 액막 L의 응집 및 이동은 계속된다. 즉, 웨이퍼 W의 표면 전체에 있어서 형성된 온도 구배는, IPA 액막 L이 존재하는 측의 온도가 낮고, IPA 액막 L이 존재하지 않는 측(웨이퍼 W가 노출되어 있는 단부 Wb측)의 온도가 높아지는 온도 구배로서 기능한다. 그 결과, IPA 액막 L은, 단부 Wc측으로 이동해 가서, 단부 Wc측으로부터 배출된다.As a result, as shown in Fig. 5 (b), the IPA liquid film L has Marangoni convection from the end Wb side of the wafer W and moves toward the end Wc side. Since the temperature gradient of the surface temperature of the wafer W is formed as a whole, even if the edge portion La of the IPA liquid film L moves toward the end Wc side, the edge portion La remains on the drying target region A1. Therefore, aggregation and migration of the IPA liquid film L by marangoni convection continue. That is, in the temperature gradient formed on the entire surface of the wafer W, the temperature at the side where the IPA liquid film L is present is low, and the temperature at the side where the IPA liquid film L is not present (the end Wb side where the wafer W is exposed) increases. It functions as a gradient. As a result, the IPA liquid film L moves to the end Wc side and is discharged from the end Wc side.
이와 같이, 제1 온도 조정부(61)에 있어서, 서로 다른 장소마다 웨이퍼 W의 가열 온도를 제어할 수 있는 경우, 제2 온도 조정부(62)의 조합을 사용하지 않아도, 웨이퍼 W의 표면의 온도에 구배를 마련할 수 있다. 따라서, 이 온도 구배를 이용하여, IPA 액막 L의 이동 및 배출을 제어하는 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성으로 한 경우에도, 패턴 도괴의 발생률을 낮출 수 있다.As described above, in the first
<제2 변형예><Second modification>
도 6의 (a) 내지 도 6의 (c)는, 제2 변형예에 관한 온도 조정부(60B)를 나타내는 도면이다. 도 6의 (a) 내지 도 6의 (c)는, 도 4의 (a) 내지 도 4의 (c)에 대응하는 도면이다. 온도 조정부(60B)는, 온도 조정부(60)와 비교하면 이하의 점이 상이하다. 즉, 온도 조정부(60B)에서는, 웨이퍼 W의 이면측에 마련된 제1 온도 조정부(61)를 사용하는 것 대신에, 제2 온도 조정부(62)와 평행하게 배치된 제3 온도 조정부(63)를 사용하여, 웨이퍼 W의 표면에 온도 구배를 형성하고 있다. 즉, 제1 온도 조정부(61)는 사용하지 않는다.6 (a) to 6 (c) are diagrams showing the
온도 조정부(60B)에서는, 제2 온도 조정부(62)와 마찬가지로, 제3 온도 조정부(63)도 가로 방향(수평 방향)으로 연장되는 라인형의 열원 또는 냉각원으로 할 수 있다. 온도 조정부(60B)에서는, 제2 온도 조정부(62)를 열원으로서, 제3 온도 조정부(63)를 냉각원으로 한다. 그리고, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, IPA 액막 L의 에지부 La를 사이에 두고, 제2 온도 조정부(62)와 제3 온도 조정부(63)가 평행하게 연장되도록, 또한, 제3 온도 조정부(63)가 IPA 액막 L측이 되도록 배치한다.In the
이 결과, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 제2 온도 조정부(62)와 제3 온도 조정부(63)의 사이에, 건조 대상 영역 A1이 형성된다. IPA 액막 L측에 냉각원이 되는 제3 온도 조정부(63)가 배치되기 때문에, 건조 대상 영역 A1에서는, IPA 액막 L이 존재하는 측의 온도가 낮고, IPA 액막 L이 존재하지 않는 측(웨이퍼 W가 노출되어 있는 측)의 온도가 높아지도록 온도 구배가 형성되어 있다. 따라서, IPA 액막 L의 에지부 La는, 제3 온도 조정부(63)측으로 이동해 간다.As a result, as shown in Fig. 6 (c), a drying target region A1 is formed between the second
이 때, 에지부 La의 이동에 대응시켜, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제2 온도 조정부(62) 및 제3 온도 조정부(63)를 화살표 S 방향으로 이동시키면, 건조 대상 영역 A1은, 도 6의 (c)에 나타내는 위치에서 화살표 S 방향으로 이동한다. IPA 액막 L의 응집 속도(IPA 액막 L의 에지부 La의 이동 속도)에 대응시켜 제2 온도 조정부(62) 및 제3 온도 조정부(63)를 이동시킴으로써, 에지부 La에 있어서의 마란고니 대류에 의한 IPA 액막 L의 응집을 진행시킬 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼 W의 표면 상의 IPA를 화살표 S 방향으로 이동시킬 수 있다. 따라서, 화살표 S 방향을 따른 하류측의 웨이퍼 W의 단부 Wa에 있어서, IPA를 웨이퍼 W의 표면으로부터 배출할 수 있다.At this time, in response to the movement of the edge portion La, as shown in Fig. 6 (b), when the second
이와 같이, 라인형의 두 온도 조정부인 제2 온도 조정부(62) 및 제3 온도 조정부(63)를 조합하여 온도 조정부(60B)를 형성한 경우에도, 웨이퍼 W의 표면의 온도에 구배를 마련할 수 있다. 따라서, 이 온도 구배를 이용하여, IPA 액막 L의 이동 및 배출을 제어하는 구성으로 해도 된다. 이와 같은 구성으로 한 경우에도, 패턴 도괴의 발생률을 낮게 할 수 있다.As described above, even when the
<제2 실시 형태><Second Embodiment>
다음에, 온도 조정부의 제2 실시 형태에 대해 설명한다. 제1 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 표면의 온도 구배에 의해 생기는 IPA의 마란고니 대류를 이용하여, 하나의 방향(예를 들어, 도 4의 (b)에 나타내는 화살표 S 방향)으로의 IPA 액막 L의 이동을 촉진하는 경우에 대해 설명하였다. 그를 위해, 제1 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 한쪽 단부(예를 들어, 도 4의 (b)에 나타내는 단부 Wa)로부터 IPA가 배출되고 있다. 이에 반하여, 제2 실시 형태에서는, 웨이퍼 W의 표면의 온도 구배에 의해 생기는 IPA의 마란고니 대류를 이용하여, 웨이퍼 W의 중심으로부터 외주측으로의 IPA 액막 L의 이동을 촉진하는 경우에 대해 설명한다. IPA 액막 L의 이동 방향이 상이하고 중심으로부터 외주 방향으로 되기 때문에, IPA는 웨이퍼 W의 외주 중 어느 것으로부터 배출되게 된다.Next, a second embodiment of the temperature adjusting unit will be described. In the first embodiment, the IPA liquid film L in one direction (for example, the arrow S direction shown in FIG. 4B), using the Marangoni convection of IPA generated by the temperature gradient of the surface of the wafer W A case has been described in which the movement is promoted. For this, in the first embodiment, IPA is discharged from one end of the wafer W (for example, the end Wa shown in Fig. 4B). On the other hand, in the second embodiment, a case in which the movement of the IPA liquid film L from the center of the wafer W to the outer circumferential side is promoted using the Marangoni convection of IPA caused by the temperature gradient of the surface of the wafer W will be described. Since the moving direction of the IPA liquid film L is different and becomes from the center to the outer circumferential direction, IPA is discharged from any of the outer circumferences of the wafer W.
또한, 웨이퍼 W의 표면에 온도 구배를 형성하는 점은, 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 즉, IPA 액막 L의 단부 부근에서, IPA 액막 L이 존재하는 측의 온도가 낮고, IPA 액막 L이 존재하지 않는 측(웨이퍼 W가 노출되어 있는 측)의 온도가 높아지도록 온도 구배를 형성하여, IPA 액막 L의 에지부 La에 있어서 마란고니 대류를 생기게 한다.In addition, the point of forming a temperature gradient on the surface of the wafer W is the same as in the first embodiment. That is, near the end of the IPA liquid film L, a temperature gradient is formed so that the temperature of the side where the IPA liquid film L is present is low and the temperature of the side where the IPA liquid film L is not present (the side where the wafer W is exposed) is high. In the edge portion La of the IPA liquid film L, Marangoni convection is produced.
도 7의 (a) 내지 도 7의 (c) 및 도 8의 (a) 내지 도 8의 (c)는, 제2 실시 형태에 관한 온도 조정부(70)를 나타내는 도면이다. 도 7의 (a) 내지 도 7의 (c) 및 도 8의 (a) 내지 도 8의 (c)는, 각각 도 4의 (a) 내지 도 4의 (c)에 대응하는 도면이다.7 (a) to 7 (c) and 8 (a) to 8 (c) are diagrams showing the
온도 조정부(70)는, 웨이퍼 W의 이면측에 마련된 제1 온도 조정부(71)와, 웨이퍼 W의 표면측에 마련된 제2 온도 조정부(72)를 갖는다.The
제1 온도 조정부(71)는, 온도 조정부(60)의 제1 온도 조정부(61)와 마찬가지의 구성을 갖고 있다. 즉, 제1 온도 조정부(71)는, 웨이퍼 W의 이면측에 마련되고, 웨이퍼 W 전체의 온도 제어를 행한다. 또한, 제1 온도 조정부(71)에 대해서도, 복수의 영역으로 구획하고, 구획별로 독립된 온도 제어를 행하는 소위 다채널 제어를 행함으로써, 웨이퍼 W의 표면 온도가 소정의 구배를 갖도록 구성해도 된다.The 1st
제2 온도 조정부(72)는, 웨이퍼 W의 중심을 포함하는 영역에 있어서, 표면에 대해 소정의 거리로 이격하여 마련되는 스폿형의 열원이다(도 7의 (a)도 참조). 제2 온도 조정부(72)는, 웨이퍼 W의 표면 중, 중심을 포함하는 영역을 가열하게 된다. 제2 온도 조정부(72)로서는, 레이저 또는 램프를 사용할 수 있다. 단, 제2 온도 조정부(72)의 구성은 이들에 한정되지 않는다. 제2 온도 조정부(72)에 의해 가열이 행해지는 「웨이퍼 W의 표면의 중심을 포함하는 영역」이란, 웨이퍼 W의 중심을 포함하고, 그 직경이 웨이퍼 W의 직경보다도 작은 영역으로 된다. 웨이퍼 W의 표면의 중심을 포함하는 영역의 직경은, 예를 들어 웨이퍼 W의 직경에 대해 30％ 이하로 할 수 있다.The second
온도 조정부(70)를 사용한 IPA의 배출 처리를 설명한다. IPA의 배출 처리를 행하기 전은, 웨이퍼 W의 표면을 덮도록 IPA 액막 L이 형성되어 있다. 도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)에 나타내는 예에서는, 제1 온도 조정부(71)는, 웨이퍼 W의 이면을 소정의 온도를 냉각하는 기판 냉각부로서 기능하고 있다. 제1 온도 조정부(71)에 의해, 웨이퍼 W의 표면은 일정 온도로 냉각된다.The IPA discharge processing using the
제2 온도 조정부(72)는, 웨이퍼 W의 표면측으로부터 웨이퍼 W의 중앙 부근을 가열하는 기판 가열부로서 기능한다. IPA의 배출을 행하는 경우, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제2 온도 조정부(72)는, 웨이퍼 W의 중앙 부근에 배치되어, 웨이퍼 W의 중앙 부근의 표면을 가열한다.The second
이 결과, 도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 표면의 중심을 포함하는 영역의 온도 T1은, 제2 온도 조정부(72)로부터 이격되어 있는 외주측의 온도 T2와 비교하여 높아진다. 따라서, 온도 T1로 되는 웨이퍼 W의 중심을 포함하는 영역과, 온도 T2로 되는 미처리 영역 A2 사이에, 온도 T1로부터 온도 T2로 변화하는 건조 대상 영역 A1이 형성된다. 이 건조 대상 영역 A1이 형성되면, 건조 대상 영역 A1에 있어서, 온도가 낮은 영역측으로의 IPA 액막 L의 응집이 진행한다. 또한, 건조 대상 영역 A1에서는, 웨이퍼 W의 중심을 포함하는 영역의 온도 T1을 중심으로 하여, 외주측을 향하여 온도가 점차 낮아진다.As a result, as shown in FIG. 7C, the temperature T1 of the region including the center of the surface of the wafer W is higher than the temperature T2 on the outer circumference side spaced apart from the second
건조 대상 영역 A1에서는, IPA 액막 L의 표면 장력의 차에서 유래되는 마란고니 대류가 생긴다. 이 마란고니 대류에 의해 발생되는 힘에 의해, IPA 액막 L의 에지부 La(내주연)는 저온측, 즉 웨이퍼 W의 외주측으로 이동해 간다.In the region A1 to be dried, a Marangoni convection derived from the difference in surface tension of the IPA liquid film L is generated. Due to the force generated by the Marangoni convection, the edge portion La (inner periphery) of the IPA liquid film L moves to the low temperature side, that is, the outer circumferential side of the wafer W.
IPA 액막 L의 응집이 진행하면, 도 8의 (a) 및 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, IPA 액막 L의 에지부 La는 점차 외주측으로 이동한다. 한편, 제1 온도 조정부(71)에 의한 웨이퍼 W의 냉각 및 제2 온도 조정부(72)에 의한 웨이퍼 W의 중심을 포함하는 영역의 가열을 계속하면, IPA 액막 L이 제거된(즉 건조된) 웨이퍼 W의 중심을 포함하는 영역의 표면 온도는 온도 T1에서 일정해진다. 한편, 외주측의 IPA 액막 L이 잔존하고 있는 영역은 온도 T2의 상태에서 유지된다. 이 결과, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이, IPA 액막 L의 에지부 La 부근, 즉, IPA 액막 L의 막 두께가 변화하는 영역에, 환형의 건조 대상 영역 A1이 형성된다. 그 때문에, IPA 액막 L의 에지부 La 부근에서 마란고니 대류가 형성되면서, 에지부 La는 웨이퍼 W의 외주측으로 이동한다. 또한, 에지부 La의 이동에 수반하여, 건조 대상 영역 A1도 외주측으로 이동한다. 이와 같이, 마란고니 대류에 의한 IPA 액막 L의 에지부 La의 이동을 계속함으로써, 웨이퍼 W의 외주에 있어서, IPA를 웨이퍼 W의 표면으로부터 배출할 수 있다.When the aggregation of the IPA liquid film L progresses, as shown in Figs. 8A and 8B, the edge portion La of the IPA liquid film L gradually moves to the outer circumferential side. On the other hand, if the cooling of the wafer W by the first
이와 같이, 온도 조정부(70)를 사용한 경우에도, 웨이퍼 W의 표면의 온도 제어를 이용하여, 건조 대상 영역 A1을 형성할 수 있다. 즉, IPA 액막 L의 에지부 La 부근에서, IPA 액막 L이 존재하는 측의 온도가 낮고, IPA 액막 L이 존재하지 않는 측(웨이퍼 W가 노출되어 있는 측)의 온도가 높아지도록 온도 구배를 형성한다. 이에 의해, IPA 액막 L의 에지부 La에 있어서 마란고니 대류를 생기게 한다. 이 결과, 웨이퍼 W의 표면 온도가 저온이 되는 측에 IPA를 응집시키면서, 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 배출할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 W의 표면으로부터의 IPA의 제거 시의 웨이퍼 W의 표면의 패턴 도괴 등을 방지할 수 있다.As described above, even when the
또한, 온도 조정부(70)에 있어서, IPA 액막 L의 에지부 La가 외주로 이동함에 따라, 제2 온도 조정부(72)에 의한 웨이퍼 W의 중심을 포함하는 영역의 가열 온도를 점차 변화시켜도 된다. 즉, 에지부 La가 형성되는 영역의 웨이퍼 W의 표면 온도가, IPA 액막에 의한 마란고니 대류가 생기기 쉬운 온도 범위가 되도록, 제2 온도 조정부(72)에 의한 가열 온도를 변화시킬 수 있다. 이 경우, 웨이퍼 W의 중심을 포함하는 영역의 표면 온도는, 온도 T1보다도 높아지는 것을 생각할 수 있지만, 웨이퍼 W가 영향을 받지 않는 범위이면, 웨이퍼 W의 표면 온도는 적절히 변경할 수 있다.In addition, in the
<제3 변형예><Third modification>
다음에, 온도 조정부(70)의 변형예에 대해 설명한다. 상술한 바와 같이, IPA 액막 L의 에지부 La 부근에서, IPA 액막 L이 존재하는 측의 온도가 낮고, IPA 액막 L이 존재하지 않는 측(웨이퍼 W가 노출되어 있는 측)의 온도가 높아지도록 온도 구배를 형성하면, IPA 액막 L의 에지부 La에 있어서 마란고니 대류가 생긴다. 이 마란고니 대류를 생기게 함으로써, IPA 액막 L은 표면 장력을 이용하여 경계층을 형성하지 않고 응집한다. 따라서, 웨이퍼 W의 표면에 있어서 상술한 바와 같은 온도 구배를 형성하는 것이 가능하면, 온도 조정부(70)의 구성은 적절히 변경할 수 있다.Next, a modified example of the
도 9의 (a) 내지 도 9의 (c) 및 도 10의 (a) 내지 도 10의 (c)는, 제3 변형예에 관한 온도 조정부(70A)를 나타내는 도면이다. 도 9의 (a) 내지 도 9의 (c) 및 도 10의 (a) 내지 도 10의 (c)는, 각각 도 4의 (a) 내지 도 4의 (c)에 대응하는 도면이다.9 (a) to 9 (c) and 10 (a) to 10 (c) are diagrams showing a
온도 조정부(70A)는, 온도 조정부(70)와 비교하면 이하의 점이 상이하다. 즉, 온도 조정부(70A)에서는, 웨이퍼 W의 이면측에 마련된 제1 온도 조정부(71)의 위치에 따라 가열 온도를 변화시킴으로써, 웨이퍼 W의 표면에 온도 구배를 형성하고 있다. 즉, 제2 온도 조정부(72)는 사용하지 않는다.The
도 9의 (b)에서는, 제1 온도 조정부(71)에 의한 위치별 가열 온도를 그라데이션으로 나타내고 있다. 즉, 제1 온도 조정부(71)에 의해, 웨이퍼 W의 중앙 부근에서의 가열 온도가 높고, 외주측을 향하여 가열 온도가 점차 낮아지도록 가열 온도가 제어되고 있다. 이 결과, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 표면 온도는, 웨이퍼 W 중앙 부근으로부터 외주로 향한 온도 구배가 된다. 즉, 웨이퍼 W 전체면에 온도 구배가 형성된다. 바꾸어 말하면, 도 9에 나타내는 예에서는, 건조 대상 영역 A1에도 미처리 영역 A2에도 온도 구배가 형성되어 있다.In (b) of FIG. 9, the heating temperature for each position by the first
온도 조정부(70A)에서는, 제2 온도 조정부(72) 대신에, 웨이퍼 W의 표면에 대해 기체를 분사하는 것이 가능한 기체 분사부(73)를 갖고 있다. 기체 분사부(73)는, 예를 들어 질소 등을 웨이퍼 W의 표면에 대해 기체를 분사한다. 기체를 분사함으로써, 웨이퍼 W의 중앙 부근의 IPA 액막 L에 개구를 마련할 수 있다.In the
온도 조정부(70A)를 사용한 IPA의 배출 처리를 설명한다. IPA의 배출 처리를 행하기 전은, 웨이퍼 W의 표면을 덮도록 IPA 액막 L이 형성되어 있다. 상술한 바와 같이 제1 온도 조정부(71)에 의해, 웨이퍼 W의 표면 온도는, 중앙 부근으로부터 외주측을 향하여 점차 온도가 낮게 되어 있다.The IPA discharge processing using the
여기서, 기체 분사부(73)에 의해 웨이퍼 W의 중앙 부근에 IPA 액막 L의 개구를 형성하고, 중앙 부근에서 웨이퍼 W를 노출시킨다. 즉, 웨이퍼 W의 중앙 근방에 있어서의 IPA 액막 L의 건조 처리가 행하여진다. 그 때문에, 웨이퍼 W의 중앙 근방의 영역이 건조 대상 영역 A1이 되고, 건조 대상 영역 A1의 외주측의 영역이 미처리 영역 A2가 된다. 이에 의해, 웨이퍼 W 중앙에 IPA 액막 L의 에지부 La(내주연)가 형성되게 된다. IPA 액막 L의 에지부 La가 형성되면, 웨이퍼 W 전체면에 형성된 온도 구배를 이용하여, 온도가 낮은 영역측으로의 IPA 액막 L의 응집이 진행된다. 상술한 바와 같이, 건조 대상 영역 A1에서는, IPA 액막 L의 표면 장력의 차에서 유래하는 마란고니 대류가 생김으로써, IPA 액막 L의 에지부 La는 저온측, 즉 웨이퍼 W의 외주측으로 이동해 간다.Here, the opening of the IPA liquid film L is formed in the vicinity of the center of the wafer W by the
IPA 액막 L의 응집이 진행되면, 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이, IPA 액막 L의 에지부 La는 점차 외주측으로 이동한다. 제1 온도 조정부(71)에 의한 웨이퍼 W의 가열을 계속하면, IPA 액막 L이 제거된(즉 건조된) 웨이퍼 W 중앙 부근의 표면 온도는 소정의 온도에서 일정해진다. 한편, 도 10의 (c)에 나타내는 바와 같이, 외주측의 IPA 액막 L이 잔존하고 있는 영역은, 온도 구배가 잔존하는 상태로 된다. 그 때문에, IPA 액막 L의 에지부 La 부근에서 마란고니 대류가 형성되면서, 에지부 La는 웨이퍼 W의 외주측으로 이동한다. 즉, 에지부 La의 이동에 수반하여, 환형의 건조 대상 영역 A1은 외주측으로 이동하게 된다. 이와 같이, 마란고니 대류에 의한 IPA 액막 L의 에지부 La의 이동을 계속함으로써, 웨이퍼 W의 외주에 있어서, IPA를 웨이퍼 W의 표면으로부터 배출할 수 있다.When the aggregation of the IPA liquid film L progresses, as shown in Figs. 10A and 10B, the edge portion La of the IPA liquid film L gradually moves to the outer circumferential side. When heating of the wafer W by the first
이와 같이, 온도 조정부(70A)를 사용한 경우에도, 웨이퍼 W의 표면의 온도 제어를 이용하여, 건조 대상 영역 A1을 형성할 수 있다. 즉, IPA 액막 L의 에지부 La 부근에서, IPA 액막 L이 존재하는 측의 온도가 낮고, IPA 액막 L이 존재하지 않는 측(웨이퍼 W가 노출되어 있는 측)의 온도가 높아지도록 온도 구배를 형성한다. 이에 의해, IPA 액막 L의 에지부 La에 있어서 마란고니 대류를 생기게 한다. 이 결과, 웨이퍼 W의 표면 온도가 저온이 되는 측에 IPA를 응집시키면서, 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 배출할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 W의 표면으로부터의 IPA의 제거 시의 웨이퍼 W의 표면의 패턴 도괴 등을 방지할 수 있다.As described above, even when the
또한, 온도 조정부(70A)에 있어서, IPA 액막 L의 에지부 La가 외주로 이동함에 따라, 제1 온도 조정부(71)에 의한 가열 온도를 점차 변화시켜도 된다. 즉, 에지부 La가 형성되는 영역의 웨이퍼 W의 표면 온도가, IPA 액막에 의한 마란고니 대류가 생기기 쉬운 온도 범위가 되도록, 제1 온도 조정부(71)에 의한 가열 온도를 변화시킬 수 있다.In addition, in the
또한, 온도 조정부(70A)에서는, 제1 온도 조정부(71)에 의해, 웨이퍼 W의 중앙 부근에서의 가열 온도가 높고, 외주측을 향하여 가열 온도가 점차 낮아지도록 가열 온도가 제어되고 있다. 단, IPA 액막 L의 에지부 La가 형성되는 영역에 있어서, 건조 대상 영역 A1이 형성 가능하면, 제1 온도 조정부(71)에 의한 웨이퍼 W의 가열 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 온도 조정부(71)를 웨이퍼 W 전체면에 대응한 형상이 아니고, 웨이퍼 W의 중앙 부근에만 배치하는 구성으로 한 경우에도, 가열 온도를 제어함으로써, 웨이퍼 W의 표면에 환형의 건조 대상 영역 A1을 형성할 수 있다. 따라서, 건조 대상 영역 A1을 이용하여, IPA 액막 L의 에지부 La에 있어서의 마란고니 대류의 형성 및 IPA 액막 L의 이동을 제어할 수 있다.In addition, in the
[기타][Other]
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그의 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.It should be thought that the embodiment disclosed this time is an illustration in all points, and it is not restrictive. The above-described embodiment may be omitted, substituted, or changed in various forms without departing from the scope of the appended claims and its main knowledge.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 건조액이 IPA인 경우에 대해 설명했지만, 건조액은 IPA에 한정되지 않는다.For example, in the above embodiment, the case where the drying liquid is IPA was described, but the drying liquid is not limited to IPA.
또한, 상기 실시 형태 및 변형예에서도 설명했지만, 기판 가열부 또는 기판 냉각부로서 기능하는 온도 조정부의 구성 및 배치는 적절히 변경할 수 있다. 예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 웨이퍼 W 전체면을 냉각하는 제1 온도 조정부(61, 71)는, 웨이퍼 W의 이면측(보유 지지부(31)측)에 마련되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 웨이퍼 W의 표면측에 마련되어 있어도 된다.In addition, although the above-described embodiments and modified examples have been described, the configuration and arrangement of the temperature adjusting portion serving as the substrate heating portion or the substrate cooling portion can be appropriately changed. For example, in the above-described embodiment, the case where the first
상방으로부터 보았을 때에, 웨이퍼 W의 표면의 상이한 영역(건조 대상 영역 A1 및 미처리 영역 A2)에 온도차를 생기게 할 뿐만 아니라, 상하 방향(IPA 액막 L의 높이 방향)에 있어서 IPA 액막 L에 온도차를 생기게 해도 된다. 예를 들어, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 온도 조정부(60)는, 웨이퍼 W의 이면측에 배치된 제1 온도 조정부(61)와, 웨이퍼 W의 표면측에 배치된 제4 온도 조정부(64)(저온 부재)를 포함하고 있어도 된다. 제4 온도 조정부(64)는, 웨이퍼 W의 상방에 있어서 웨이퍼 W의 표면을 따라 이동하도록 구성되어 있다. 제4 온도 조정부(64)는, 웨이퍼 W를 가열하는 제1 온도 조정부(61)의 온도보다도 낮은 온도로 설정되어 있어도 된다. 즉, 제4 온도 조정부(64)는, 제1 온도 조정부(61)에 의해 가열된 웨이퍼 W의 온도보다도 낮은 온도로 설정되어 있어도 된다. 이에 의해, IPA 액막 L 내 제4 온도 조정부(64)와 접하는 상부와, IPA 액막 L 내 웨이퍼 W와 접하는 하부 사이에서 온도 차가 생겨, 해당 상부에 작용하는 표면 장력이 상대적으로 커진다(마란고니 현상). 그 때문에, IPA 액막 L은, 제4 온도 조정부(64)에 가까이 끌어당겨진다. 따라서, 제4 온도 조정부(64)가 웨이퍼 W의 표면을 따라 이동하도록 제4 온도 조정부(64)의 동작을 제어부(18)가 제어함으로써(도 11 및 도 12의 화살표 S 참조), IPA 액막 L도, 제4 온도 조정부(64)에 영향을 받아서 웨이퍼 W의 표면을 따라 이동한다. 그 결과, 제4 온도 조정부(64)의 이동 방향 및 이동 속도를 제어부(18)가 적절하게 컨트롤하면서, 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 원하는 경로 및 속도로 배출할 수 있다.When viewed from above, not only does the temperature difference occur in different regions of the surface of the wafer W (area to be dried A1 and untreated region A2), but also to produce a temperature difference in the IPA liquid film L in the vertical direction (height direction of the IPA liquid film L) do. For example, as shown in FIGS. 11 and 12, the
제4 온도 조정부(64)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 그물형을 나타내고 있어도 된다. 이 경우, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 모세관 현상에 의해, IPA가 그물코의 공간 내에 흡착된다. 그 때문에, IPA 액막 L이 제4 온도 조정부(64)에 영향을 받아서 이동하기 쉬워지므로, 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 보다 효과적으로 배출할 수 있다.The fourth
제4 온도 조정부(64)는, 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 하나 또는 복수의 봉형체에 의해 구성되어 있어도 된다. 봉형체는, 직선형을 나타내고 있어도 되고, 곡선형을 나타내고 있어도 되고, 사행 형상을 나타내고 있어도 된다. 제4 온도 조정부(64)가 복수의 봉형체로 구성되어 있는 경우, 해당 복수의 봉형체는, 대략 평행하게 배열되어 있고, 그 배열하는 방향을 따라서 이동해도 된다. 제4 온도 조정부(64)가 복수의 봉형체로 구성되어 있는 경우도, 모세관 현상에 의해, IPA가 그물코의 공간 내에 흡착된다. 그 때문에, IPA 액막 L이 제4 온도 조정부(64)에 영향을 받아서 이동하기 쉬워지므로, 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 더 효과적으로 배출할 수 있다.The fourth
제4 온도 조정부(64)는, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 판형체에 의해 구성되어 있어도 된다. 판형체는, 평판형을 나타내고 있어도 되고, 웨이퍼 W와 마찬가지의 형상을 나타내고 있어도 된다. 판형체 중 웨이퍼 W의 표면과 대향하는 하면은, 요철형을 나타내고 있어도 된다. 판형체의 하면이 요철형을 나타내고 있는 경우도, 모세관 현상에 의해, IPA가 그물코의 공간 내에 흡착된다. 그 때문에, IPA 액막 L이 제4 온도 조정부(64)에 영향을 받아서 이동하기 쉬워지므로, 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA를 더 효과적으로 배출할 수 있다.The 4th
제4 온도 조정부(64)는, 도시하고 있지는 않지만, 링형 등의 상술한 이외의 다른 형상을 나타내고 있어도 된다. 제4 온도 조정부(64)는, 웨이퍼 W의 상방을 직선적으로 이동해도 되고, 소정의 연직축 주위로 회전함으로써 웨이퍼 W의 상방을 선회해도 된다.Although not illustrated, the fourth
웨이퍼 W의 표면에 형성되어 있는 복수의 패턴 W1은, 소정 방향을 따라서 규칙적으로 배열되어 있어도 된다. 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 상방에서 보았을 때에 복수의 패턴 W1이 모두 대략 직육면체 형상을 나타내고 있는 경우, 복수의 패턴 W1은, 모두 소정 방향(도 13의 좌우 방향)을 따라 연장되어 있어도 된다. 이 경우, 패턴 W1의 형상을 따라서 건조 대상 영역 A1이 미처리 영역 A2로 이동하도록, 웨이퍼 W의 표면에 온도 구배를 형성해도 된다. 예를 들어, 온도 조정부(60)가 상술한 제1 실시 형태의 제1 온도 조정부(61) 및 제2 온도 조정부(62)를 포함하는 경우, 제2 온도 조정부(62)는, 패턴 W1의 형상을 따라서 이동해도 되고, 패턴 W1의 길이 방향을 따라서 이동해도 되고, 패턴 W1의 짧은 방향을 따라 이동해도 된다. IPA가 패턴 W1의 형상에 따라서 이동하면, IPA의 배출이 패턴 W1에 의해 저해되기 어려워진다. 그 때문에, 웨이퍼 W의 표면에 패턴 W1이 형성되어 있어도, IPA의 이동이 원활하게 되어, 웨이퍼 W의 표면으로부터 IPA가 배출될 때의 패턴 W1의 파손을 방지할 수 있다.The plurality of patterns W1 formed on the surface of the wafer W may be arranged regularly along a predetermined direction. For example, as shown in FIG. 13, when the plurality of patterns W1 are all substantially rectangular parallelepiped when viewed from above, the plurality of patterns W1 are all extended along a predetermined direction (the left and right directions in FIG. 13). You may have. In this case, a temperature gradient may be formed on the surface of the wafer W so that the drying target region A1 moves along the shape of the pattern W1 to the unprocessed region A2. For example, when the
패턴 W1의 형상을 따라서 건조 대상 영역 A1이 미처리 영역 A2로 이동하도록, 웨이퍼 W의 표면에 온도 구배를 형성하기 위해서, 기판 처리 장치(10)는, 패턴 W1의 형상을 취득하도록 구성된 취득 수단을 추가로 포함하고 있어도 된다. 해당 취득 수단은, 웨이퍼 W의 표면을 촬상하도록 구성된 촬상부와, 촬상부에 의해 촬상된 웨이퍼 W의 표면의 촬상 화상을 화상 처리하고, 패턴 W1의 형상을 결정하도록 구성된 처리부를 포함하고 있어도 된다. 웨이퍼 W에 절결부가 형성되어 있고, 해당 절결부에 대해 패턴 W1의 방향성이 미리 정해져 있는 경우에는, 해당 취득 수단은, 해당 절결부의 위치를 취득하도록 구성되어 있어도 된다. 절결부는, 예를 들어 노치(U자형, V자형 등의 홈)여도 되고, 직선형으로 연장되는 직선부(소위, 오리엔테이션·플랫)여도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 취득 수단에 의해 취득된 패턴 W1의 형상에 기초하여, 웨이퍼 W의 표면으로부터의 IPA의 배출 방향을 결정하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 결정된 배출 방향을 따라서 건조 대상 영역 A1로부터 미처리 영역 A2로 IPA 액막 L이 이동하도록 웨이퍼 W의 표면에 온도 구배가 형성된다. 그 때문에, 패턴 W1의 형상에 따라, IPA의 배출 방향을 자동적으로 설정하는 것이 가능해진다.In order to form a temperature gradient on the surface of the wafer W so that the region to be dried A1 moves along the shape of the pattern W1, the
기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼 W의 주위에 근접하여 위치함으로써 웨이퍼 W를 둘러싸도록 구성된 포위 부재를 추가로 포함하고 있어도 된다. 포위 부재의 상면은, 웨이퍼 W의 표면과 대략 동등한 높이에 위치하고 있고, 수평 방향을 따라서 연장하고 있어도 된다. 포위 부재의 상면은, 웨이퍼 W의 표면과 대략 동등한 높이에 위치하는 내주연으로부터 외주연을 향함에 따라 하방에 경사지는 경사면이어도 된다. 포위 부재는, 웨이퍼 W의 온도보다도 낮은 온도로 설정되어 있어도 된다. 기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼 W의 온도보다도 낮은 온도로 설정된 가스를 포위 부재의 상면을 향하여 분사하도록 구성된 가스 공급부를 추가로 포함하고 있어도 된다.The
상기 어느 예에 있어서도, IPA의 이동을 촉진하기 위해서, IPA의 이동 방향(건조 대상 영역 A1의 이동 방향)을 따라 웨이퍼 W를 경사지게 해도 된다.In either of the above examples, in order to promote the movement of the IPA, the wafer W may be inclined along the movement direction of the IPA (movement direction of the drying target area A1).
[예시][example]
예 1: 하나의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치는, 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 기판의 표면에 대해 건조액을 공급하는 건조액 공급부와, 기판의 표면 온도를 변화시키는 온도 조정부와, 온도 조정부를 제어하는 제어부를 포함한다. 제어부는, 기판의 표면에 공급되어 있는 건조액의 액막에 온도차를 생기게 하도록 온도 조정부를 제어한다. 상기한 바와 같이 기판의 표면에 공급되어 있는 건조액의 액막에 온도차를 생기게 하면, 액막 내 온도 차이가 생기고 있는 영역에 있어서 마란고니 대류가 일어나고, 마란고니 대류에 의해 건조액이 이동한다. 따라서, 이 건조액의 이동을 이용하여, 기판 표면으로부터 건조액을 배출할 수 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 외력을 이용하여 건조액을 기판 표면으로부터 배출하는 경우와 비교하여, 기판 표면의 패턴이 받는 영향을 작게 할 수 있어, 기판 표면으로부터의 건조액의 제거 시의 패턴 파손을 방지할 수 있다.Example 1: In one exemplary embodiment, the substrate processing apparatus includes a substrate holding portion for holding a substrate, and a drying liquid supply portion for supplying a drying liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding portion, It includes a temperature adjusting unit for changing the surface temperature of the substrate, and a control unit for controlling the temperature adjusting unit. The control unit controls the temperature adjusting unit to cause a temperature difference in the liquid film of the drying liquid supplied to the surface of the substrate. As described above, when a temperature difference is caused in the liquid film of the dry liquid supplied to the surface of the substrate, Marangoni convection occurs in the region where the temperature difference in the liquid film occurs, and the dry liquid moves by the Marangoni convection. Therefore, the drying liquid can be discharged from the substrate surface using the movement of the drying liquid. With such a configuration, the influence of the pattern on the substrate surface can be reduced compared to the case where the drying liquid is discharged from the substrate surface by using an external force, thereby preventing pattern damage when removing the drying liquid from the substrate surface. can do.
예 2: 예 1의 장치에 있어서, 기판의 표면은, 건조 처리가 행해지는 대상이 되는 건조 대상 영역과, 건조 처리가 행하여지지 않는 미처리 영역을 포함하고, 제어부는, 건조 대상 영역과 미처리 영역 사이에서 온도차를 생기게 하도록 온도 조정부를 제어해도 된다. 이 경우, 액막 내 건조 대상 영역과 미처리 영역 사이의 영역에 있어서 마란고니 대류가 일어나고, 마란고니 대류에 의해 건조액이 이동한다. 그 때문에, 이 건조액의 이동을 이용하여, 기판 표면으로부터 건조액을 배출할 수 있다.Example 2: In the apparatus of Example 1, the surface of the substrate includes a drying target region to be subjected to drying treatment, and an untreated region where drying treatment is not performed, and a control unit is provided between the drying target region and the untreated region. It is also possible to control the temperature adjusting unit so as to cause a temperature difference in. In this case, Marangoni convection occurs in the region between the drying target region and the untreated region in the liquid film, and the drying liquid moves by the Marangoni convection. Therefore, the drying liquid can be discharged from the surface of the substrate using the movement of the drying liquid.
예 3: 예 2의 장치에 있어서, 온도 조정부는, 기판을 냉각하는 기판 냉각부와, 기판을 가열하는 기판 가열부를 포함하고, 기판 가열부는, 라인형의 열원을 기판의 표면을 따라 이동함으로써, 기판의 표면에 있어서의 가열 위치를 변경하는 양태로 해도 된다. 라인형의 열원을 기판의 표면을 따라 이동하는 기판 가열부를 사용함으로써 마란고니 대류가 생기는 영역을 미세하게 제어할 수 있어, 건조액의 제거를 적합하게 행할 수 있다.Example 3: In the apparatus of Example 2, the temperature adjusting unit includes a substrate cooling unit for cooling the substrate and a substrate heating unit for heating the substrate, and the substrate heating unit moves a line-shaped heat source along the surface of the substrate, You may make it the aspect which changes the heating position in the surface of a board | substrate. By using the substrate heating portion that moves the line-type heat source along the surface of the substrate, the region where the Marangoni convection occurs can be finely controlled, and the drying liquid can be suitably removed.
예 4: 예 2 또는 예 3의 장치에 있어서, 온도 조정부는, 기판을 냉각하는 기판 냉각부와, 기판을 가열하는 기판 가열부를 포함하고, 기판 냉각부는, 기판의 전체면을 냉각하는 양태로 해도 된다. 기판의 전체면을 기판 냉각부에 의해 냉각하는 구성으로 한 경우, 기판 전체를 소정의 온도로 유지한 상태로, 기판 가열부를 사용하여, 마란고니 대류를 생기게 하는 영역에 온도 구배를 형성할 수 있기 때문에, 건조액의 제거를 적합하게 행할 수 있다.Example 4: In the apparatuses of Examples 2 or 3, the temperature adjusting unit includes a substrate cooling unit for cooling the substrate and a substrate heating unit for heating the substrate, and the substrate cooling unit is configured to cool the entire surface of the substrate. do. When the entire surface of the substrate is configured to be cooled by the substrate cooling unit, a temperature gradient can be formed in a region where a Marangoni convection is generated by using the substrate heating unit while maintaining the entire substrate at a predetermined temperature. Therefore, the drying liquid can be suitably removed.
예 5: 예 3의 장치에 있어서, 기판 냉각부는, 라인형의 냉각원을 기판의 표면을 따라 기판 가열부에 병주하여, 기판을 냉각하는 양태로 해도 된다. 상기 형태로 한 경우, 기판 냉각부와 기판 냉각부를 조합하여, 마란고니 대류를 생기게 하길 원하는 영역에 온도 구배를 형성할 수 있기 때문에, 건조액의 제거를 적합하게 행할 수 있다.Example 5: In the apparatus of Example 3, the substrate cooling unit may be configured to cool the substrate by feeding a line-type cooling source along the surface of the substrate to the substrate heating unit. In the case of the above-mentioned form, since the temperature gradient can be formed in the region where the desired portion of the Marangoni convection is generated by combining the substrate cooling portion and the substrate cooling portion, the drying liquid can be suitably removed.
예 6: 예 2 내지 예 5의 어느 장치에 있어서, 제어부는, 온도 조정부를 제어함으로써, 건조 대상 영역으로부터 미처리 영역으로 액막이 이동하도록 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 양태로 해도 된다. 건조 대상 영역으로부터 그것 이외의 영역으로 액막이 이동하도록 기판의 표면에 온도 구배를 형성함으로써, 기판 표면에 형성된 온도 구배를 의한 건조액의 이동이 원활하게 되고, 기판 표면으로부터의 건조액의 제거 시의 패턴 파손을 방지할 수 있다.Example 6: In any of the apparatuses of Examples 2 to 5, the control unit may be configured to form a temperature gradient on the surface of the substrate such that the liquid film moves from the drying target region to the untreated region by controlling the temperature adjusting unit. By forming a temperature gradient on the surface of the substrate so that the liquid film moves from the region to be dried to a region other than that, the movement of the drying liquid due to the temperature gradient formed on the substrate surface becomes smooth, and the pattern when removing the drying liquid from the substrate surface Damage can be prevented.
예 7: 예 6의 장치에 있어서, 기판의 표면에는 소정 형상의 패턴이 형성되어 있고, 제어부는, 온도 조정부를 제어함으로써, 패턴의 형상을 따라서 건조 대상 영역으로부터 미처리 영역으로 액막이 이동하도록 기판의 표면에 온도 구배를 형성해도 된다. 이 경우, 건조액이 패턴의 형상을 따라서 이동하므로, 건조액의 배출이 패턴에 의해 저해되기 어려워진다. 그 때문에, 기판의 표면에 패턴이 형성되어 있어도, 건조액의 이동이 원활하게 되고, 기판 표면으로부터 건조액이 배출될 때의 패턴 파손을 방지할 수 있다.Example 7: In the apparatus of Example 6, a pattern of a predetermined shape is formed on the surface of the substrate, and the control unit controls the temperature adjusting unit to move the liquid film from the region to be dried to the untreated region along the shape of the pattern. You may form a temperature gradient in the. In this case, since the drying liquid moves along the shape of the pattern, it is difficult for the discharge of the drying liquid to be inhibited by the pattern. Therefore, even if a pattern is formed on the surface of the substrate, the movement of the drying liquid becomes smooth, and pattern damage when the drying liquid is discharged from the substrate surface can be prevented.
예 8: 예 2의 장치에 있어서, 온도 조정부는, 기판의 표면의 일부를 가열하는 기판 가열부를 포함하고, 제어부는, 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 시간의 경과에 수반하여 가열부의 가열량을 크게 하는 양태로 해도 된다. 이와 같은 기판 가열부를 사용함으로써 마란고니 대류를 생기게 하길 원하는 영역에 온도 구배를 형성할 수 있기 때문에, 건조액의 제거를 적합하게 행할 수 있다.Example 8: In the apparatus of Example 2, the temperature adjusting unit includes a substrate heating unit that heats a part of the surface of the substrate, and the control unit heats the heating unit with the passage of time to form a temperature gradient on the surface of the substrate You may make it the aspect which enlarges. By using such a substrate heating section, a temperature gradient can be formed in a region desired to produce Marangoni convection, so that the drying liquid can be suitably removed.
예 9: 예 1의 장치에 있어서, 온도 조정부는, 기판보다도 낮은 온도로 설정된 저온 부재를 포함하고, 제어부는, 저온 부재가 액막과 접한 상태로, 저온 부재가 기판의 상방에 있어서 기판의 표면을 따라 이동하도록 온도 조정부를 제어해도 된다. 이 경우, 액막 내 저온 부재와 접하는 부분은, 액막 내 기판과 접하는 부분보다도 온도가 낮아져, 표면 장력이 상대적으로 커진다(마란고니 현상). 그 때문에, 액막은 저온 부재에 가까이 끌어당겨진다. 따라서, 저온 부재를 기판의 표면을 따라 이동시킴으로써, 액막도, 저온 부재에 영향을 받아서 기판의 표면을 따라 이동한다. 그 결과, 저온 부재의 이동 방향 및 이동 속도를 적절하게 컨트롤하면서, 기판 표면으로부터 건조액을 원하는 경로 및 속도로 배출할 수 있다.Example 9: In the apparatus of Example 1, the temperature adjusting unit includes a low temperature member set at a temperature lower than that of the substrate, and the control unit controls the surface of the substrate above the substrate while the low temperature member is in contact with the liquid film. The temperature adjusting unit may be controlled to move along. In this case, the portion in contact with the low-temperature member in the liquid film has a lower temperature than the portion in contact with the substrate in the liquid film, and the surface tension is relatively large (Marangoni phenomenon). Therefore, the liquid film is attracted close to the low-temperature member. Therefore, by moving the low-temperature member along the surface of the substrate, the liquid film is also affected by the low-temperature member and moves along the surface of the substrate. As a result, the drying liquid can be discharged from the substrate surface at a desired path and speed while appropriately controlling the moving direction and the moving speed of the low-temperature member.
예 10: 예 1 내지 예 9의 어느 장치에 있어서, 기판 보유 지지부는, 기판을 경사지게 할 수 있는 양태로 해도 된다. 기판을 경사 가능한 구성으로 함으로써, 마란고니 대류를 이용한 건조액의 이동을 촉진할 수 있기 때문에, 건조액의 제거 속도를 빠르게 할 수 있다.Example 10: In any of the apparatuses of Examples 1 to 9, the substrate holding portion may have an aspect capable of inclining the substrate. By making the substrate inclined, it is possible to promote the movement of the drying liquid using Marangoni convection, and thus the removal rate of the drying liquid can be increased.
예 11: 예 2의 장치에 있어서, 온도 조정부는, 기판의 전체면을 냉각하는 기판 냉각부와, 기판의 중심을 포함하는 영역을 가열하는 기판 가열부를 포함하는 양태로 해도 된다. 기판의 전체면을 기판 냉각부에 의해 냉각하면서, 기판의 중심을 포함하는 영역을 기판 가열부에 의해 가열함으로써, 기판의 중심을 포함하는 영역부터 원환형으로 넓어지는 온도 구배를 형성할 수 있다. 그 때문에, 마란고니 대류를 이용하여 기판의 외주 방향을 향하여 건조액을 이동시킬 수 있어, 건조액의 제거를 적합하게 행할 수 있다.Example 11: In the apparatus of Example 2, the temperature adjusting unit may be configured to include a substrate cooling unit that cools the entire surface of the substrate and a substrate heating unit that heats an area including the center of the substrate. While the entire surface of the substrate is cooled by the substrate cooling unit, the region including the center of the substrate is heated by the substrate heating unit, whereby a temperature gradient extending from the region including the center of the substrate to the annular shape can be formed. Therefore, the dry liquid can be moved toward the outer circumferential direction of the substrate by using a Marangoni convection, and the dry liquid can be suitably removed.
예 12: 예 2의 기판 처리 장치에 있어서, 온도 조정부는, 기판의 중심을 포함하는 영역의 가열 온도가 가장 높고, 외주를 향함에 따라 가열 온도가 낮아지는 온도 구배를 형성하는 것이 가능한 기판 가열부를 포함하는 양태로 해도 된다. 상기 기판 가열부를 이용함으로써, 기판의 중심을 포함하는 영역부터 원환형으로 넓어지는 온도 구배를 형성할 수 있다. 그 때문에, 마란고니 대류를 이용하여 기판의 외주 방향을 향하여 건조액을 이동시킬 수 있어, 건조액의 제거를 적합하게 행할 수 있다.Example 12: In the substrate processing apparatus of Example 2, the temperature adjusting unit is a substrate heating unit capable of forming a temperature gradient in which the heating temperature of the region including the center of the substrate is the highest and the heating temperature is lowered toward the outer periphery. You may make it the aspect containing. By using the substrate heating portion, a temperature gradient that extends in an annular shape from the region including the center of the substrate can be formed. Therefore, the dry liquid can be moved toward the outer circumferential direction of the substrate by using a Marangoni convection, and the dry liquid can be suitably removed.
예 13: 별도의 예시적 실시 형태에 있어서, 기판 처리 방법은, 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 기판의 표면에 대해 건조액을 공급하는 것과, 건조액의 액막에 온도차를 생기게 함으로써, 건조액을 기판의 표면으로부터 배출하는 것을 포함한다. 이 경우, 예 1과 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.Example 13: In another exemplary embodiment, the substrate processing method comprises supplying a drying liquid to a surface of a substrate held by a substrate holding portion, and generating a temperature difference in the liquid film of the drying liquid to generate the drying liquid. And discharging from the surface of the substrate. In this case, the effect similar to that of Example 1 is exerted.
예 14: 예 13의 방법에 있어서, 액막이 형성된 기판의 표면은, 건조 처리가 행해지는 대상이 되는 건조 대상 영역과, 건조 처리가 행해지지 않는 미처리 영역을 포함하고, 건조액을 배출하는 것은, 건조 대상 영역으로부터 미처리 영역으로 액막이 이동하도록 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 형태로 함으로써, 온도 구배를 이용하여 건조액의 액막 이동을 미세하게 제어를 할 수 있기 때문에, 건조액의 제거를 적합하게 행할 수 있다.Example 14: In the method of Example 13, the surface of the substrate on which the liquid film is formed includes a drying target region to be subjected to drying treatment and an untreated region where drying treatment is not performed, and discharging the drying liquid is drying. It may include forming a temperature gradient on the surface of the substrate so that the liquid film moves from the target region to the untreated region. By setting it as such a form, since the liquid film movement of a drying liquid can be finely controlled using a temperature gradient, removal of a drying liquid can be performed suitably.
예 15: 예 14의 방법에 있어서, 기판의 표면에는 소정 형상의 패턴이 형성되어 있고, 건조액을 배출하는 것은, 패턴의 형상을 따라서 건조 대상 영역으로부터 미처리 영역으로 액막이 이동하도록 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 예 7과 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다.Example 15: In the method of Example 14, a pattern of a predetermined shape is formed on the surface of the substrate, and discharging the drying liquid is temperature on the surface of the substrate so that the liquid film moves from the region to be dried to the untreated region along the pattern shape. It may include forming a gradient. In this case, the effect similar to that of Example 7 is exhibited.
예 16: 예 15의 방법은, 패턴의 형상을 취득함으로써 건조액의 배출 방향을 결정하는 것을 추가로 포함하고, 건조액을 배출하는 것은, 결정된 배출 방향을 따라서 건조 대상 영역으로부터 미처리 영역으로 액막이 이동하도록 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 패턴의 형상에 따라, 건조액의 배출 방향을 자동적으로 설정하는 것이 가능해진다.Example 16: The method of Example 15 further includes determining the discharge direction of the drying liquid by acquiring the shape of the pattern, and discharging the drying liquid moves the liquid film from the drying target region to the untreated region along the determined discharge direction. In order to do so, it may include forming a temperature gradient on the surface of the substrate. In this case, it is possible to automatically set the discharge direction of the drying liquid according to the shape of the pattern.
예 17: 예 14 내지 예 16의 어느 방법에 있어서, 건조액을 배출하는 것은, 기판의 주연부의 한쪽으로부터 다른 쪽으로 가열 위치를 이동시킴으로써, 건조액의 액막을 이동시키는 것을 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 형태로 함으로써, 가열 위치를 기판의 주연부의 한쪽으로부터 다른 쪽으로 이동시킴으로써, 건조액을 배출할 수 있다. 따라서, 건조액의 제거를 적합하게 행할 수 있다.Example 17: In any of the methods of Examples 14 to 16, discharging the drying liquid may include moving the liquid film of the drying liquid by moving the heating position from one side to the other of the peripheral portion of the substrate. By setting it as such a form, a drying liquid can be discharged by moving a heating position from one side to the other of the peripheral part of a board | substrate. Therefore, the drying liquid can be suitably removed.
예 18: 별도의 예시적 실시 형태에 있어서, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체는, 예 13 내지 예 17의 어느 방법을 장치에 실행시키기 위한 프로그램을 기록하고 있다. 이 경우, 상기 기판 처리 방법과 마찬가지의 작용 효과를 발휘한다. 본 명세서에서, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에는, 일시적이지 않은 유형의 매체(non-transitory computer recording medium)(예를 들어, 각종 주기억 장치 또는 보조 기억 장치)나, 전파 신호(transitory computer recording medium)(예를 들어, 네트워크를 통하여 제공 가능한 데이터 신호)가 포함된다.Example 18: In another exemplary embodiment, the computer-readable storage medium records a program for executing any of the methods of Examples 13 to 17 on a device. In this case, effects similar to those of the substrate processing method are exhibited. In the present specification, the computer-readable storage medium includes a non-transitory computer recording medium (eg, various main storage or auxiliary storage devices) or a transitory computer recording medium (eg For example, a data signal that can be provided through a network) is included.
Claims (19)
상기 기판 보유 지지부에 의해 보유 지지된 상기 기판의 표면에 대해 건조액을 공급하는 건조액 공급부와,
상기 기판의 표면 온도를 변화시키는 온도 조정부와,
상기 온도 조정부를 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 기판의 표면에 공급되어 있는 상기 건조액의 액막에 온도차를 생기게 하도록 상기 온도 조정부를 제어하는, 기판 처리 장치.A substrate holding portion for holding the substrate,
A drying liquid supply unit for supplying a drying liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding unit;
And a temperature adjusting unit for changing the surface temperature of the substrate,
It includes a control unit for controlling the temperature adjusting unit,
The control unit controls the temperature adjusting unit to cause a temperature difference in the liquid film of the drying liquid supplied to the surface of the substrate.
상기 기판의 표면은, 건조 처리가 행해지는 대상이 되는 건조 대상 영역과, 건조 처리가 행해지지 않는 미처리 영역을 포함하고,
상기 제어부는, 상기 건조 대상 영역과 상기 미처리 영역 사이에서 온도차를 생기게 하도록 상기 온도 조정부를 제어하는, 장치.According to claim 1,
The surface of the substrate includes a drying target region to be subjected to drying treatment, and an untreated region to which drying treatment is not performed,
And the control unit controls the temperature adjusting unit to cause a temperature difference between the drying target region and the untreated region.
상기 온도 조정부는, 상기 기판을 냉각하는 기판 냉각부와, 상기 기판을 가열하는 기판 가열부를 포함하고,
상기 기판 가열부는, 라인형의 열원을 상기 기판의 표면을 따라 이동함으로써, 상기 기판의 표면에 있어서의 가열 위치를 변경하는, 장치.According to claim 2,
The temperature adjusting unit includes a substrate cooling unit for cooling the substrate and a substrate heating unit for heating the substrate,
The apparatus for heating the substrate, wherein the heating position on the surface of the substrate is changed by moving a line-shaped heat source along the surface of the substrate.
상기 기판 냉각부는, 상기 기판의 전체면을 냉각하는, 장치.According to claim 2,
The substrate cooling portion, the apparatus for cooling the entire surface of the substrate.
상기 온도 조정부는, 상기 기판을 냉각하는 기판 냉각부와, 상기 기판을 가열하는 기판 가열부를 포함하고,
상기 기판 냉각부는, 상기 기판의 전체면을 냉각하는, 장치.According to claim 3,
The temperature adjusting unit includes a substrate cooling unit for cooling the substrate and a substrate heating unit for heating the substrate,
The substrate cooling portion, the apparatus for cooling the entire surface of the substrate.
상기 기판 냉각부는, 라인형의 냉각원을 상기 기판의 표면을 따라 상기 기판 가열부에 병주하여, 상기 기판을 냉각하는, 장치.According to claim 3,
The apparatus for cooling the substrate, wherein the substrate is cooled by feeding a line-type cooling source along the surface of the substrate to the substrate heating unit.
상기 제어부는, 상기 온도 조정부를 제어함으로써, 상기 건조 대상 영역으로부터 상기 미처리 영역으로 상기 액막이 이동하도록 상기 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는, 장치.The method according to any one of claims 2 to 6,
And the control unit forms a temperature gradient on the surface of the substrate such that the liquid film moves from the drying target region to the untreated region by controlling the temperature adjusting unit.
상기 기판의 표면에는 미리 결정된 형상의 패턴이 형성되어 있고,
상기 제어부는, 상기 온도 조정부를 제어함으로써, 상기 패턴의 형상을 따라 상기 건조 대상 영역으로부터 상기 미처리 영역으로 상기 액막이 이동하도록 상기 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는, 장치.The method of claim 7,
A pattern of a predetermined shape is formed on the surface of the substrate,
The control unit controls the temperature adjusting unit to form a temperature gradient on the surface of the substrate such that the liquid film moves from the drying target region to the untreated region along the shape of the pattern.
상기 온도 조정부는, 기판의 표면의 일부를 가열하는 기판 가열부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 시간의 경과에 수반하여 상기 가열부의 가열량을 크게 하는, 장치.According to claim 2,
The temperature adjusting unit includes a substrate heating unit that heats a part of the surface of the substrate, and the control unit increases the heating amount of the heating unit with the passage of time to form a temperature gradient on the surface of the substrate.
상기 온도 조정부는, 상기 기판보다도 낮은 온도로 설정된 저온 부재를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 저온 부재가 상기 액막과 접한 상태로, 상기 저온 부재가 상기 기판의 상방에 있어서 상기 기판의 표면을 따라 이동하도록 상기 온도 조정부를 제어하는, 장치.According to claim 1,
The temperature adjusting unit includes a low temperature member set at a lower temperature than the substrate,
And the controller controls the temperature adjusting unit such that the low temperature member moves along the surface of the substrate above the substrate while the low temperature member is in contact with the liquid film.
상기 기판 보유 지지부는, 상기 기판을 경사지게 할 수 있는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 6, 8 to 10,
The substrate holding unit, the substrate processing apparatus that can be inclined the substrate.
상기 온도 조정부는, 상기 기판의 전체면을 냉각하는 기판 냉각부와, 상기 기판의 중심을 포함하는 영역을 가열하는 기판 가열부를 포함하는, 장치.According to claim 2,
The temperature adjusting unit includes a substrate cooling unit for cooling the entire surface of the substrate, and a substrate heating unit for heating an area including the center of the substrate.
상기 온도 조정부는, 상기 기판의 중심을 포함하는 영역의 가열 온도가 가장 높고, 외주를 향함에 따라 가열 온도가 낮아지는 온도 구배를 형성하는 것이 가능한 기판 가열부를 포함하는, 장치.According to claim 2,
The temperature adjusting unit includes a substrate heating unit capable of forming a temperature gradient in which a heating temperature of a region including the center of the substrate is highest and a heating temperature decreases as the outer circumference is directed.
상기 건조액의 액막에 온도차를 생기게 함으로써, 상기 건조액을 상기 기판의 표면으로부터 배출하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.Supplying a dry liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding portion;
And generating a temperature difference in the liquid film of the drying liquid, thereby discharging the drying liquid from the surface of the substrate.
상기 액막이 형성된 상기 기판의 표면은, 건조 처리가 행해지는 대상이 되는 건조 대상 영역과, 건조 처리가 행해지지 않는 미처리 영역을 포함하고,
상기 건조액을 배출하는 것은, 상기 건조 대상 영역으로부터 상기 미처리 영역으로 상기 액막이 이동하도록 상기 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 것을 포함하는, 방법.The method of claim 14,
The surface of the substrate on which the liquid film is formed includes an area to be dried to be subjected to drying, and an untreated area to be subjected to drying,
Discharging the drying liquid comprises forming a temperature gradient on the surface of the substrate such that the liquid film moves from the drying target region to the untreated region.
상기 기판의 표면에는 미리 결정된 형상의 패턴이 형성되어 있고,
상기 건조액을 배출하는 것은, 상기 패턴의 형상을 따라 상기 건조 대상 영역으로부터 상기 미처리 영역으로 상기 액막이 이동하도록 상기 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 것을 포함하는, 방법.The method of claim 15,
A pattern of a predetermined shape is formed on the surface of the substrate,
Discharging the drying liquid comprises forming a temperature gradient on the surface of the substrate such that the liquid film moves from the drying target region to the untreated region along the shape of the pattern.
상기 패턴의 형상을 취득함으로써 상기 건조액의 배출 방향을 결정하는 것을 추가로 포함하고,
상기 건조액을 배출하는 것은, 결정된 상기 배출 방향을 따라서 상기 건조 대상 영역으로부터 상기 미처리 영역으로 상기 액막이 이동하도록 상기 기판의 표면에 온도 구배를 형성하는 것을 포함하는, 방법.The method of claim 16,
Further comprising determining the discharge direction of the drying liquid by acquiring the shape of the pattern,
Discharging the drying liquid comprises forming a temperature gradient on the surface of the substrate such that the liquid film moves from the drying target region to the untreated region along the determined discharge direction.
상기 건조액을 배출하는 것은, 상기 기판의 제1 주연부로부터 제2 주연부로 가열 위치를 이동시킴으로써, 상기 건조액의 액막을 이동시키는 것을 포함하는, 방법.The method according to any one of claims 15 to 17,
The method of discharging the drying liquid includes moving the liquid film of the drying liquid by moving a heating position from the first peripheral portion of the substrate to the second peripheral portion.
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