KR20190142211A - 진공 처리 장치, 진공 처리 시스템 및 진공 처리 방법 - Google Patents

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KR20190142211A
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다미히로 고바야시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 진공 처리 장치의 소형화나 간소화에 유리한 기술을 제공하는 것이다. 진공 처리 장치의 처리 용기 내에서, 서로 인접하는 위치에, 제1 및 제2 반송 공간이 수평 방향으로 연장 설치됨과 함께, 상기 연장 설치 방향을 따라서, 제1 및 제2 반송 공간의 사이에 중간 벽부가 마련된다. 제1 반송 공간에는, 연장 설치 방향을 따라서 1개 이상의 상기 처리 공간이 배치되고, 제2 반송 공간에는, 연장 설치 방향을 따라서 2개 이상의 상기 처리 공간이 배치된다. 그리고, 중간 벽부 내에는, 상기 3개 이상의 처리 공간에 대하여 각각 마련된 복수의 배기로와, 이들 복수의 배기로가 합류하는 합류 배기로가 형성되어 있다. 처리 용기 내에 합류 배기로가 마련되므로, 진공 처리 장치의 소형화 및 간소화를 도모할 수 있다.

Description

진공 처리 장치, 진공 처리 시스템 및 진공 처리 방법{VACUUM PROCESSING APPARATUS, VACUUM PROCESSING SYSTEM AND VACUUM PROCESSING METHOD}
본 개시는, 진공 처리 장치, 진공 처리 시스템 및 진공 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서는 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 대하여 에칭이나 성막 등의 다양한 처리가 진공 분위기에서 행하여진다. 그렇게 기판에 진공 처리를 행하는 진공 처리 장치로서, 특허문헌 1에는, 진공 용기 내에서, 둘레 방향 등간격으로 4개의 기판 처리부가 배치되는 구성이 기재되어 있다. 진공 용기 내의 중앙에는 웨이퍼의 이동 탑재 기구가 마련되어 있고, 진공 용기 내의 분위기는 진공 용기의 외주부 저면에 마련된 배기구를 통해서 진공 배기되고 있다.
일본 특허 공개 제2017-199735호 공보
본 개시는, 진공 처리 장치의 소형화나 간소화에 유리한 기술을 제공한다.
본 개시의 일 형태에 의한 진공 처리 장치는,
진공 분위기의 처리 공간에 배치된 기판에 처리 가스를 공급해서 진공 처리를 행하는 진공 처리 장치에 있어서,
상기 진공 처리가 행하여지는 상기 처리 용기 내의 서로 인접하는 위치에 마련됨과 함께, 각각 상기 처리 용기의 측면에 마련된 반입출구로부터 수평 방향으로 연장 설치되고, 상기 기판의 반송이 행하여지는 제1 반송 공간 및 제2 반송 공간과,
상기 연장 설치 방향을 따라, 상기 제1 반송 공간과 상기 제2 반송 공간의 사이에 마련된 중간 벽부를 구비하고,
상기 제1 반송 공간에는, 상기 연장 설치 방향을 따라서 1개 이상의 처리 공간이 배치되고, 상기 제2 반송 공간에는, 상기 연장 설치 방향을 따라서 2개 이상의 처리 공간이 배치되며,
상기 중간 벽부 내에는, 당해 중간 벽부를 사이에 두고 배치된 3개 이상의 처리 공간에 대하여 각각 마련된 복수의 배기로와, 상기 복수의 배기로가 합류하는 합류 배기로가 형성되어 있다.
본 개시에 의하면, 진공 처리 장치의 소형화나 간소화에 유리하다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 의한 진공 처리 시스템의 구성을 설명하는 평면도이다.
도 2는 상기 진공 처리 시스템에 마련되는 진공 처리 장치의 구성예를 설명하는 분해 사시도이다.
도 3은 상기 진공 처리 장치의 구성을 설명하는 개략 평면도이다.
도 4는 상기 진공 처리 장치의 구성을 설명하는 종단 측면도이다.
도 5는 상기 진공 처리 장치의 가스 공급계의 일례를 설명하는 설명도이다.
도 6은 상기 진공 처리 장치의 작용을 설명하는 부분 종단 측면도이다.
도 7a는 본 개시의 진공 처리 장치의 제1 변형예를 설명하는 평면도이다.
도 7b는 본 개시의 진공 처리 장치의 제2 변형예를 설명하는 평면도이다.
도 7c는 본 개시의 진공 처리 장치의 제3 변형예를 설명하는 평면도이다.
본 개시의 실시 형태에 관한 진공 처리 시스템(1)에 대해서 도 1의 평면도를 참조하면서 설명한다. 이 진공 처리 시스템(1)은, 반출입 포트(11)와, 반출입 모듈(12)과, 진공 반송 모듈(13)과, 진공 처리 장치(2)를 구비하고 있다. 도 1에서, X 방향을 좌우 방향, Y 방향을 전후 방향, 반출입 포트(11)를 전후 방향의 전방측으로서 설명한다. 반출입 모듈(12)의 전방측에는 반출입 포트(11), 반출입 모듈(12)의 안측에는 진공 반송 모듈(13)이, 각각 서로 전후 방향을 향해서 접속되어 있다.
반출입 포트(11)는, 처리 대상의 기판을 수용한 반송 용기인 캐리어(C)가 적재되는 것이며, 예를 들어 기판은, 직경이 예를 들어 300mm의 원형 기판인 웨이퍼(W)로 이루어진다. 반출입 모듈(12)은, 캐리어(C)와 진공 반송 모듈(13)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입을 행하기 위한 모듈이다. 반출입 모듈(12)은, 반송 기구(120)에 의해, 상압 분위기 중에서 캐리어(C)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 상압 반송실(121)과, 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기를 상압 분위기와 진공 분위기의 사이에서 전환하는 로드 로크실(122)을 구비하고 있다.
진공 반송 모듈(13)은, 진공 분위기가 형성된 진공 반송실(14)을 구비하고, 이 진공 반송실(14)의 내부에는 기판 반송 기구(15)가 배치되어 있다. 진공 반송실(14)은, 예를 들어 평면으로 보아, 전후 방향을 따른 방향으로 긴 변을 갖는 직사각형을 이룬다. 진공 반송실(14)의 4개의 측벽 중, 직사각형의 서로 대향하는 긴 변에는, 각각 복수개, 예를 들어 3개의 진공 처리 장치(2)가 접속되고, 전방측의 짧은 변에는 반출입 모듈(12) 내에 설치된 로드 로크실(122)이 접속되어 있다. 도면 중 G는, 상압 반송실(121)과 로드 로크실(122)의 사이, 로드 로크실(122)과 진공 반송 모듈(13)의 사이, 진공 반송 모듈(13)과 진공 처리 장치(2)의 사이에 각각 개재하는 게이트 밸브이다. 이 게이트 밸브(G)는, 서로 접속되는 모듈에 각각 마련되는 웨이퍼(W)의 반입출구를 개폐한다.
기판 반송 기구(15)는, 진공 분위기 중에서 반출입 모듈(12)과 진공 처리 장치(2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하기 위한 것으로서, 다관절 암으로 이루어지고, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부(16)를 구비하고 있다. 이 예에서의 진공 처리 장치(2)는, 후술하는 바와 같이 진공 분위기 중에서 복수매 예를 들어 4매의 웨이퍼(W)에 대하여 일괄적으로 가스 처리를 행하는 것이다. 이 때문에, 진공 처리 장치(2)에 일괄해서 4매의 웨이퍼(W)를 전달하도록, 기판 반송 기구(15)의 기판 보유 지지부(16)는, 예를 들어 4매의 웨이퍼(W)를 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다.
구체적으로 설명하면, 기판 반송 기구(15)는, 예를 들어 베이스(151), 수평으로 신장되는 제1 암(152), 수평으로 신장되는 제2 암(153) 및 기판 보유 지지부(16)를 구비하고 있다. 제1 암(152)은 기초부측이 베이스(151) 상에 마련되어, 베이스(151) 상의 수직인 선회 축 주위로 선회하고, 제2 암(153)은 기초부측이 제1 암(152)의 선단부 상에 마련되어, 제1 암(152)의 선단부 상의 수직인 선회 축 주위로 선회한다. 기판 보유 지지부(16)는, 제1 기판 보유 지지부(161), 제2 기판 보유 지지부(162) 및 접속부(163)를 구비하고 있다. 제1 기판 보유 지지부(161) 및 제2 기판 보유 지지부(162)는, 서로 병행해서 수평으로 신장되는 2개의 가늘고 긴 주걱 형상으로 구성되어 있다. 접속부(163)는, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 신장 방향에 대하여 직교하도록 수평 방향으로 신장되어, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 기단부를 서로 접속하는 것이다. 접속부(163)의 길이 방향의 중앙부는 제2 암(153)의 선단부 상에 마련되어, 제2 암(153)의 선단부 상의 수직인 선회 축 주위로 선회한다. 제1 기판 보유 지지부(161), 제2 기판 보유 지지부(162)에 대해서는 후술한다.
계속해서, 진공 처리 장치(2)에 대해서, 예를 들어 웨이퍼(W)에 플라스마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리를 행하는 성막 장치에 적용한 예에 대해서, 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 진공 처리 장치(2)의 구성을 설명하는 분해 사시도, 도 3은, 진공 처리 장치(2)에 마련된 처리 공간을 개략적으로 도시하는 평면도, 도 4는, 도 3에서의 A-A 선을 따라 진공 처리 장치(2)를 절단해서 나타내는 종단 측면도이다.
6개의 진공 처리 장치(2)는 서로 마찬가지로 구성되고, 진공 처리 장치(2) 사이에서 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 있다. 진공 처리 장치(2)는, 평면으로 보아 직사각형의 처리 용기(진공 용기)(20)를 구비하고 있다. 도 2, 도 4 중 201은, 처리 용기(20)의 천장 부재, 202는 용기 본체이다. 처리 용기(20)는, 예를 들어 처리 용기(20)의 주위를 둘러싸는 측벽부(203)를 구비함과 함께, 4개의 측벽부(203) 중, 진공 반송실(14)에 접속되는 측벽부(203)에는, 전후 방향(도 2 중, Y' 방향)으로 배열되도록 2개의 반입출구(21)가 형성되어 있다. 이 반입출구(21)는 상기 게이트 밸브(G)에 의해 개폐된다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 처리 용기(20)의 내부에는, 각 반입출구(21)로부터 수평 방향으로 연장 설치되어, 웨이퍼(W)의 반송이 행하여지는 제1 반송 공간(T1) 및 제2 반송 공간(T2)이, 서로 인접하는 위치에 마련되어 있다. 또한, 처리 용기(20) 내에서의, 이들 제1 반송 공간(T1) 및 제2 반송 공간(T2)의 사이에는, 연장 설치 방향(도 2 중, X' 방향)을 따라 중간 벽부(3)가 마련되어 있다. 제1 반송 공간(T1)에는, 연장 설치 방향을 따라서 2개의 처리 공간(S1, S2)이 배치되고, 제2 반송 공간(T2)에는, 연장 설치 방향을 따라서 2개의 처리 공간(S3, S4)이 배치되어 있다. 따라서, 처리 용기(20) 내에는, 상면측에서 보았을 때, 2×2의 행렬형으로, 합계 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)이 배치되어 있다. 여기에서 말하는 수평 방향이란, 제조 시의 공차 등의 영향으로, 웨이퍼(W)의 반출입 동작에서의 기기끼리의 접촉 등의 영향이 없는 범위에서, 연장 설치 방향으로 약간 기울어져 있는 경우도 포함하는 것이다.
도 4도를 참조하면서 처리 공간(S1 내지 S4)을 포함하는 처리 용기(20)의 내부 구조에 대해서 설명한다. 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)은 서로 마찬가지로 구성되어, 각각 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대(22)와, 이 적재대(22)와 대향해서 배치된 가스 공급부(4)의 사이에 형성된다. 도 4에는, 제1 반송 공간(T1)의 처리 공간(S1)과, 제2 반송 공간(T2)의 처리 공간(S4)을 도시하고 있다. 이하, 처리 공간(S1)을 예로 들어 설명한다.
적재대(22)는 하부 전극을 겸용하는 것이며, 예를 들어 금속, 또는 금속 메쉬 전극을 매립한 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 편평한 원기둥 형상으로 형성되고, 회전 기구를 겸용하는 구동 기구(23)에 의해 구동축(231)을 통해서 승강 가능 및 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 도 4에는, 실선으로 처리 위치에 있는 적재대(22)를 그리고, 점선으로 전달 위치에 있는 적재대(22)를 각각 나타내고 있다. 처리 위치란, 후술하는 진공 처리(성막 처리)를 실행할 때의 위치이며, 전달 위치란, 이미 설명한 기판 반송 기구(15)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치이다. 도면 중 24는 적재대(22)에 각각 매설된 히터이며, 적재대(22)에 적재된 각 웨이퍼(W)를 60℃ 내지 600℃ 정도로 가열한다. 또한 적재대(22)는 접지 전위에 접속되어 있다.
또한, 처리 용기(20)의 저면에는, 복수개 예를 들어 3개의 전달 핀(25)이 적재대(22)에 대응한 위치에 마련되는 한편, 적재대(22)에는, 이 전달 핀(25)의 통과 영역을 형성하기 위한 관통 구멍(26)이 형성되어 있다. 적재대(22)를 전달 위치로 하강시키면, 전달 핀(25)이 관통 구멍(26)을 통과하여, 전달 핀(25)의 상단이 적재대(22)의 적재면으로부터 돌출된다. 이 전달 핀(25)은, 기판 반송 기구(15)의 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때, 서로 간섭하지 않도록, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 형상이나 전달 핀(25)의 배치가 설정되어 있다.
여기서, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)에 대해서 설명한다. 제1 기판 보유 지지부(161)는, 제1 반송 공간(T1)에 진입시켰을 때, 제1 반송 공간(T1) 내의 처리 공간(S1, S2)의 각 배치 위치에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)를 보유 지지하도록 구성된다. 제1 반송 공간(T1) 내의 처리 공간(S1, S2)의 각 배치 위치에 대응하는 위치란, 제1 반송 공간(T1)의 처리 공간(S1, S2)에 마련된 2개의 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 설정된 위치이다. 또한, 제2 기판 보유 지지부(162)는, 제2 반송 공간(T2)에 진입시켰을 때, 제2 반송 공간(T2) 내의 처리 공간(S3, S4)의 각 배치 위치에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)를 보유 지지하도록 구성된다. 제2 반송 공간(T2) 내의 처리 공간(S3, S4)의 각 배치 위치에 대응하는 위치란, 제2 반송 공간(T2)의 처리 공간(S3, S4)에 마련된 2개의 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 설정된 위치이다.
예를 들어 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)는, 각각의 폭이 웨이퍼(W)의 직경보다도 작게 형성되고, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162) 각각에는, 선단측과 기단부측에 서로 간격을 두고 웨이퍼(W)의 이면이 지지된다. 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 선단측에 지지되는 웨이퍼(W)는, 예를 들어 그 중앙부가 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 선단에 지지된다.
이렇게 해서, 기판 반송 기구(15)와, 전달 핀(25)과, 적재대(22)의 협동 작용에 의해, 기판 반송 기구(15)와 각 적재대(22)의 사이에서, 예를 들어 4매의 웨이퍼(W)의 전달이 일괄해서 동시에 행하여지도록 구성되어 있다. 도 4 중의 27은, 처리 용기(20) 내를 기밀하게 유지하면서, 구동축(231)을 상하로 이동 가능하면서 또한 회전 가능하게 보유 지지하는 베어링부이다.
또한, 처리 용기(20)의 천장 부재(201)에서의, 적재대(22)의 상방에는, 절연 부재로 이루어지는 가이드 부재(34)를 개재해서 상부 전극을 이루는 가스 공급부(4)가 마련되어 있다. 가스 공급부(4)는, 덮개(42)와, 적재대(22)의 적재면과 대향하도록 마련된 대향면을 이루는 샤워 플레이트(43)와, 덮개(42)와 샤워 플레이트(43)의 사이에 형성된 가스의 통류 실(44)을 구비하고 있다. 덮개(42)에는, 가스 공급관(51)이 접속됨과 함께, 샤워 플레이트(43)에는, 두께 방향으로 관통하는 가스 토출 구멍(45)이 예를 들어 종횡으로 배열되어, 가스가 샤워 형상으로 적재대(22)를 향해서 토출된다.
각 가스 공급부(4)는, 후술하는 바와 같이, 가스 공급관(51)을 통해서 가스 공급계(50)에 접속되어 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 처리 가스인 반응 가스(성막 가스)나, 퍼지 가스, 클리닝 가스의 공급원이나, 배관, 밸브(V), 유량 조정부(M) 등을 구비하고 있다.
샤워 플레이트(43)에는, 정합기(40)를 거쳐서 고주파 전원(41)이 접속되어 있다. 샤워 플레이트(상부 전극)(43)와 적재대(하부 전극)(22)의 사이에 고주파 전력을 인가하면, 용량 결합에 의해, 샤워 플레이트(43)로부터 처리 공간(S1)에 공급된 가스(본 예에서는 반응 가스)를 플라스마화할 수 있다.
계속해서, 중간 벽부(3)에 형성되는 배기로 및 합류 배기로에 대해서 설명한다. 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 중간 벽부(3)에는, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)에 대하여 각각 마련된 배기로(31)와, 이들 배기로(31)가 합류하는 합류 배기로(32)가 형성되어 있다. 합류 배기로(32)는, 중간 벽부(3) 내에서 상하 방향으로 연장되어 있다.
이 예에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 중간 벽부(3)는, 용기 본체(202)측에 마련된 벽부 본체(311)와, 천장 부재(201)측에 마련된 배기로 형성 부재(312)에 의해 구성되어 있다. 그리고, 배기로 형성 부재(312)의 내부에 배기로(31)가 마련되어 있다.
또한, 각각 처리 공간(S1 내지 S4)의 외측에 위치하는 중간 벽부(3)의 벽면에는, 처리 공간(S1 내지 S4)마다 배기구(33)가 형성되어 있다. 각 배기로(31)는, 배기구(33)와 합류 배기로(32)를 접속하도록 중간 벽부(3)에 형성되어 있다. 이 때문에 도 4에 도시한 바와 같이, 각 배기로(31)는 예를 들어 중간 벽부(3) 내에서 수평 방향으로 연장된 후, 하측 방향으로 굴곡해서 상하 방향으로 연장되어, 합류 배기로(32)에 접속된다.
예를 들어 배기로(31)는, 도 3에 도시한 바와 같이 단면이 원 형상으로 형성되고, 합류 배기로(32)의 상류 단에 각 배기로(31)의 하류 단이 접속되고, 각 배기로(31)의 상류측이 배기구(33)로서, 각 처리 공간(S1 내지 S4)의 외측에 개구되어 있다.
각 처리 공간(S1 내지 S4)의 주위에는, 각 처리 공간(S1 내지 S4)을 각각 둘러싸도록 배기용 가이드 부재(34)가 마련되어 있다. 이 가이드 부재(34)는, 예를 들어 처리 위치에 있는 적재대(22)의 주위의 영역을, 당해 적재대(22)에 대하여 간격을 두고 둘러싸도록 마련된 환형체이다. 가이드 부재(34)는, 그 내부에 예를 들어 종단면이 직사각 형상이며, 평면으로 보아, 환형의 통류로(35)를 형성하도록 구성되어 있다. 도 3에서는, 처리 공간(S1 내지 S4), 가이드 부재(34), 배기로(31) 및 합류 배기로(32)를 개략적으로 도시하고 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 예를 들어 가이드 부재(34)는, 예를 들어 종단면 형상이 U자 형상으로 형성되고, U자의 개구 부분이 하방측을 향해서 배치되어 있다. 가이드 부재(34)는, 용기 본체(202)의 중간 벽부(3)나 측벽부(203)측에 형성된 오목부(204) 내에 끼워 넣어지고, 이들 벽부(3, 203)를 구성하는 부재와의 사이에 이미 설명한 통류로(35)를 형성한다.
또한, 각 벽부(3, 203)의 오목부(204) 내에 끼워 넣어진 가이드 부재(34)는, 처리 공간(S1 내지 S4)을 향해서 개구되는 슬릿 형상의 슬릿 배기구(36)를 형성한다. 이렇게 해서, 각각의 처리 공간(S1 내지 S4)의 측 주위부에 슬릿 배기구(36)가 둘레 방향을 따라 형성되게 된다. 또한, 통류로(35)에는 이미 설명한 배기구(33)가 접속되어, 슬릿 배기구(36)로부터 배기된 처리 가스를 배기구(33)를 향해서 통류시킨다.
또한, 제1 반송 공간(T1)의 연장 설치 방향을 따라서 배치된 2개의 처리 공간(S1, S2)의 조와, 제2 반송 공간(T2)의 연장 설치 방향을 따라서 배치된 2개의 처리 공간(S3, S4)의 조에 주목한다. 이들 처리 공간(S1-S2, S3-S4)의 조는, 도 3에 도시한 바와 같이, 상면측에서 보았을 때, 합류 배기로(32)를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 배치되어 있다.
그 결과, 각 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 슬릿 배기구(36), 가이드 부재(34)의 통류로(35), 배기구(33), 배기로(31)를 통해서 합류 배기로(32)에 이르는 처리 가스의 통류로는, 합류 배기로(32)를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 형성되어 있게 된다. 또한, 제1, 제2 반송 공간(T1, T2)이나 중간 벽부(3)와의 위치 관계를 사상하여, 처리 가스의 통류에만 주목하면, 상면측에서 보았을 때, 이들 통류로는, 합류 배기로(32)를 둘러싸고 90° 회전 대칭으로 형성되어 있다고도 할 수 있다.
합류 배기로(32)는, 처리 용기(20)의 저면에 형성된 합류 배기구(205)를 통해서 배기관(61)에 접속되고, 이 배기관(61)은, 밸브 기구(7)를 통해서 진공 배기 기구를 이루는 진공 펌프(62)에 접속되어 있다. 진공 펌프(62)는, 예를 들어 1개의 처리 용기(20)에 1개 마련되어 있고, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 각 진공 펌프(62)의 하류측의 배기관(61)은 합류하여, 예를 들어 공장 배기계에 접속된다.
밸브 기구(7)는, 배기관(61) 내에 형성된 처리 가스의 통류로를 개폐하는 것이며, 예를 들어 케이싱(71)과, 개폐부(72)를 구비하고 있다. 이 예에서는 케이싱(71)의 상면에는 상류측의 배기관(61)과 접속되는 제1 개구부(73), 케이싱(71)의 측면에는 하류측의 배기관(61)과 접속되는 제2 개구부(74)가 각각 형성되어 있다.
개폐부(72)는, 예를 들어 제1 개구부(73)를 막는 크기로 형성된 개폐 밸브(721)와, 케이싱(71)의 외부에 마련되고, 개폐 밸브(721)를 케이싱(71) 내에서 승강시키는 승강 기구(722)를 구비하고 있다. 이렇게 해서, 개폐 밸브(721)는 도 4 및 도 5에 일점쇄선으로 나타내는 제1 개구부(73)를 막는 폐쇄 위치와, 도 4 및 도 5에 실선으로 나타내는 제1 및 제2 개구부(73, 74)보다도 하방측으로 퇴피하는 개방 위치의 사이에서 승강 가능하게 구성된다. 개폐 밸브(721)가 상기 폐쇄 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류 단이 폐쇄되고, 처리 용기(20) 내의 배기가 정지된다. 또한 개폐 밸브(721)가 상기 개방 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류 단이 개방되고, 처리 용기(20) 내가 배기된다.
계속해서, 처리 가스의 공급계에 대해서, 도 2 및 도 5를 참조하여, 2종류의 반응 가스를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다. 또한, 도 4에는 도시의 편의상, 반응 가스의 공급 계통을 1계통으로 통합해서 도시하고 있다(가스 분배로(510), 공통의 가스 공급로(52)). 각 가스 공급부(4)의 상면의 거의 중앙에는 각각 가스 공급관(51)이 접속되어 있다. 이 가스 공급관(51)은, 제1 가스 분배로(511)에 의해, 제1 공통의 가스 공급로(521)를 통해서 제1 반응 가스의 공급원(541) 및 퍼지 가스의 공급원(55)에 접속되어 있다. 또한, 가스 공급관(51)은, 제2 가스 분배로(512)에 의해, 제2 공통의 가스 공급로(522)를 통해서 제2 반응 가스의 공급원(542) 및 퍼지 가스의 공급원(55)에 접속되어 있다. 밸브(V21), 유량 조정부(M21)는 제1 반응 가스 공급용, 밸브(V22), 유량 조정부(M22)는 제2 반응 가스 공급용, 밸브(V3), 유량 조정부(M3)는 퍼지 가스 공급용인 것이다.
또한, 가스 공급관(51)은, 클리닝 가스 공급로(532)에 의해 플라스마 유닛(RPU: Remote Plasma Unit)(531)을 통해서, 클리닝 가스의 공급원(53)에 접속되어 있다. 클리닝 가스 공급로(532)는, 플라스마 유닛(531)의 하류측에서 4계통으로 분기되어, 각각 가스 공급관(51)에 접속되어 있다. 클리닝 가스 공급로(532)에서의 플라스마 유닛(531)의 상류측에는 밸브(V1) 및 유량 조정부(M1)가 마련된다. 또한, 플라스마 유닛(531)의 하류측에는 분기된 분기관마다 밸브(V11 내지 V14)가 마련되고, 클리닝 시는 대응하는 밸브(V11 내지 V14)를 개방한다. CVD에 의해 절연 산화막(SiO2)을 성막하는 경우를 예로 들면, 반응 가스로서는, 예를 들어 테트라에톡시실란(TEOS)이나 산소(O2) 가스, 퍼지 가스로서는, 예를 들어 질소(N2) 가스 등의 불활성 가스가 각각 사용된다. 반응 가스로서 TEOS와 O2 가스를 사용하는 경우, 예를 들어 제1 반응 가스의 공급원(541)으로부터 TEOS가 공급되고, 제2 반응 가스의 공급원(542)으로부터 O2 가스가 공급된다. 또한, 클리닝 가스로서는, 예를 들어 삼불화질소(NF3) 가스가 사용된다.
이 예에서는, 공통의 가스 공급로(52)로부터 분배되는 처리 가스로부터 보아, 각 가스 분배로(511, 512)로부터 가스 공급부(4)에 이르기까지의 각 처리 가스 경로는, 서로 컨덕턴스가 균등해지게 형성되어 있다. 예를 들어 도 2 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 공통의 가스 공급로(521)의 하류측은 2계통으로 분기됨과 함께, 분기된 가스 공급로가 추가로 2계통으로 분기되어 토너먼트 형상으로 제1 가스 분배로(511)가 형성되어 있다. 이 제1 가스 분배로(511)는, 클리닝 가스용 밸브(V11 내지 V14)의 하류측에서, 각각 가스 공급관(51)에 접속되어 있다. 또한, 제2 공통의 가스 공급로(522)의 하류측은 2계통으로 분기됨과 함께, 분기된 가스 공급로가 추가로 2계통으로 분기되어 토너먼트 형상으로 제2 가스 분배로(512)가 형성되어 있다. 제2 가스 분배로(512)는, 클리닝 가스용 밸브(V11 내지 V14)의 하류측에서, 각각 가스 공급관(51)에 접속된다.
그리고, 예를 들어 각 제1 가스 분배로(511)는, 상류 단(제1 공통의 가스 공급로(521)에 접속되는 단부)에서부터 하류 단(가스 공급부(4) 또는 가스 공급관(51)에 접속되는 단부)까지의 길이 및 내경이, 제1 가스 분배로(511)끼리의 사이에서 균등해지게 형성되어 있다. 또한, 예를 들어 각 제2 가스 분배로(512)는, 상류 단(제2 공통의 가스 공급로(522)에 접속되는 단부)에서부터 하류 단까지의 길이 및 내경이, 제2 가스 분배로(512)끼리의 사이에서 균등해지게 형성되어 있다. 이렇게 해서, 제1 공통의 가스 공급로(521)로부터 분배되는 처리 가스로부터 보아, 제1 가스 분배로(511), 가스 공급부(4), 처리 공간(S1 내지 S4) 및 배기로(31)를 거쳐서 합류 배기로(32)에 이르기까지의 각 처리 가스 경로는, 서로 컨덕턴스가 균등해지게 형성된다. 또한, 제2 공통의 가스 공급로(522)로부터 분배되는 처리 가스로부터 보아, 제2 가스 분배로(512), 가스 공급부(4), 처리 공간(S1 내지 S4) 및 배기로(31)를 거쳐서 합류 배기로(32)에 이르기까지의 각 처리 가스 경로는, 서로 컨덕턴스가 균등해지게 형성된다.
또한 복수의 반응 가스를 사용하는 경우에, 도 5를 사용해서 설명한 예 대신에, 가스 공급계(50) 내에서 미리 반응 가스를 합류시키고 나서, 각 처리 공간(S1 내지 S4)에 공급하도록 해도 된다. 이러한 경우나, 1종의 반응 가스를 사용하는 경우에는, 도 4에 1계통으로 통합해서 도시한 예를 실제의 배관 구성으로 하고, 각 가스 공급관(51)에 각각 가스 분배로(510)를 접속해도 된다. 이들 가스 분배로(510)는, 공통의 가스 공급로(52)에 합류해서 가스 공급계(50)에 접속된다. 도 4에서, 반응 가스 공급용 밸브는 V2, 유량 조정부는 M2로 기재하고 있다. 이 경우에도, 공통의 가스 공급로(52)로부터 분배되는 처리 가스로부터 보아, 가스 분배로(510), 가스 공급부(4), 처리 공간(S1 내지 S4) 및 배기로(31)를 거쳐서 합류 배기로(32)에 이르기까지의 각 처리 가스 경로는, 서로 컨덕턴스가 균등해지게 형성된다. 또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 보텀 퍼지용 퍼지 가스를, 가스 공급원(56)으로부터, 밸브(V4), 유량 조정부(M4)를 구비한 가스 공급로(561)를 통해서, 각 처리 공간(S1 내지 S4)에 공급하도록 해도 된다.
진공 처리 시스템(1)에는, 컴퓨터로 이루어지는 제어부가 마련되어 있다. 제어부는, 예를 들어 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있다. 프로그램에는, 제어부로부터 진공 처리 시스템(1)의 각 부에 제어 신호를 보내어, 후술하는 성막 처리를 실행할 수 있도록 명령이 내장되어 있다. 프로그램은, 예를 들어 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크) 등의 기억 매체에 저장되어 제어부에 인스톨된다.
계속해서, 상기 진공 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송 및 처리에 대해서 간단하게 설명한다. 반출입 포트(11)에 적재된 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는, 반출입 모듈(12)에서의 반송 기구(120)에 의해 상압 분위기 하에서 수취되어, 로드 로크실(122) 내에 반송된다. 이어서, 로드 로크실(122) 내를 상압 분위기에서 진공 분위기로 전환한 후, 로드 로크실(122) 내의 웨이퍼(W)를 진공 반송 모듈(13)의 기판 반송 기구(15)가 수취하여, 진공 반송실(14)을 통해서, 소정의 진공 처리 장치(2)에 반송한다. 기판 반송 기구(15)는, 이미 설명한 바와 같이, 제1 기판 보유 지지부(161) 및 제2 기판 보유 지지부(162)에 각각 2매, 합계 4매의 웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있다.
반송되어 있는 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 진공 처리 장치(2)의 게이트 밸브(G)를 개방하여, 제1 및 제2 반송 공간(T1, T2)에, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)를 각각 동시에 진입시켜, 각각의 전달 핀(25)에 동시에 웨이퍼(W)를 전달한다. 이어서, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)를 진공 처리 장치(2)로부터 후퇴시키고, 게이트 밸브(G)를 폐쇄한다.
그 후, 예를 들어 밸브 기구(7)의 개폐 밸브(721)의 위치를 제어하고, 처리 용기(20) 내를 소정의 압력의 진공 분위기로 설정함과 함께, 각 적재대(22)를 처리 위치로 상승시켜, 각 히터(24)에 의해 웨이퍼(W)를 가열한다. 이어서, 처리 용기(20) 내의 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)에서 각 가스 공급부(4)로부터 성막용 반응 가스를 공급한다. 또한, 각 고주파 전원(41)을 온으로 해서, 각 가스 공급부(4)와 적재대(22)의 사이에 각각 고주파를 공급하여, 각 가스 공급부(4)로부터 공급된 가스를 플라스마화해서 성막 처리를 실행한다. 이렇게 해서 플라스마화한 반응 가스에 의해, 웨이퍼(W) 표면이 성막된다.
여기서, 각 처리 공간(S1 내지 S4)에 유입 및 유출되는 처리 가스의 흐름에 대해서, 도 4 및 도 6을 참조하여 설명한다. 각 공급원(541, 542)으로부터의 처리 가스(반응 가스)는, 공통의 가스 공급로(521, 522), 각 가스 분배로(511, 512)를 통해서 가스 공급부(4)의 통류 실(44)에 분배 공급된다. 통류 실(44)에 유입된 처리 가스는, 통류 실(44) 내에서 서로 혼합되어, 샤워 플레이트(43)를 통해서 혼합 후의 처리 가스가 각 적재대(2) 상의 웨이퍼(W)에 대하여 샤워 형상으로 토출된다.
한편, 처리 용기(20) 내는 합류 배기로(32)를 통해서 배기되고 있으므로, 각 처리 공간(S1 내지 S4)에 공급된 처리 가스는, 그 측 주위부에 개구되는 환형의 슬릿 배기구(36)를 통해서, 통류로(35)의 내부로 인입되어 간다. 통류로(35)에 유입된 처리 가스는 처리 용기(20)의 중앙측에 마련된 배기구(33)를 향해서 통류되어 나간다. 그리고, 각 배기구(33)로부터 각 배기로(31)를 통해서 합류 배기로(32)에 이르고, 처리 용기(20)의 외부로 통류되어 배기된다.
이렇게 처리 공간(S1 내지 S4) 내에서 처리 가스는, 외측을 향해서 흘러 가므로, 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면에서는, 둘레 방향으로 정렬된 상태에서 성막 처리가 진행된다.
또한, 가스 공급로(521, 522)로부터 분배되는 처리 가스로부터 보아, 각 가스 분배로(511, 512)로부터 각 처리 공간(S1 내지 S4), 각 배기로(31)를 거쳐 합류 배기로(32)에 이르기까지의 각 처리 가스 경로의 컨덕턴스가 서로 균등해지게 형성되어 있다. 이 때문에, 각각의 처리 공간(S1 내지 S4)끼리의 사이에는, 가스 공급부(4)로부터의 가스의 공급 상태나 배기 상태가 균등해지는 것을 실험이나 시뮬레이션에 의해 확인하고 있다. 이렇게 각 적재대(22) 상의 웨이퍼(W)에서 보면, 처리 가스 유량이나 처리 가스의 공급 타이밍, 처리 가스가 흐르는 방식을 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)의 사이에서 균등하게 할 수 있다. 그 결과, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)에서는, 서로 균등한 조건 하에서 성막 처리를 진행시킬 수 있다. 이에 의해, 각 처리 공간(S1 내지 S4)에서, 개별의 배기 제어를 행하지 않아도 처리 공간(S1 내지 S4)끼리의 사이에서 배기 상태가 균등해지고, 결과로서 성막 처리의 정도가 균등해진다. 이와 같이, 각 처리 공간(S1 내지 S4)에서, 개별의 배기량 제어가 불필요하게 되어, 제어가 용이하다.
이렇게 해서 소정 시간, 성막 처리를 행한 후, 처리 용기(20)의 게이트 밸브(G)를 개방하고, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)를 진입시켜, 4매의 웨이퍼(W)를 동시에 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)에 전달한다. 이어서, 기판 반송 기구(15)에 의해 보유 지지된 4매의 웨이퍼(W)는, 반출입 모듈(12)의 로드 로크실(122)을 통해서, 반송 기구(120)에 의해 상압 분위기의 캐리어(C)로 되돌려진다.
이 진공 처리 장치(2)에서는, 예를 들어 미리 설정된 횟수, 상술한 성막 처리를 실행한 후, 클리닝 처리를 실시하도록 해도 된다. 이 클리닝 처리는, 처리 용기(20) 내를 배기하면서, 각 처리 공간(S1 내지 S4) 내에 클리닝 가스를 공급함과 함께, 플라스마 유닛(531)을 온으로 해서 플라스마화된 클리닝 가스를 공급한다. 클리닝 가스 예를 들어 NF3 가스는, 플라스마 유닛(531)에서, 고주파 전력으로 플라스마화되고, 이에 의해 생성된 불소 라디칼에 의해 클리닝을 행한다. 클리닝 가스는, 플라스마 유닛(531)의 하류측을 4방향으로 등분기해서 각각에 설치한 밸브(V11 내지 V14)를 개방하고, 각 가스 공급부(4)를 통해서 각 처리 공간(S1 내지 S4)에 공급된다.
이 클리닝 가스는, 각 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 각 슬릿 배기구(36), 각 통류로(35), 각 배기구(33), 각 배기로(31)를 통해서 합류 배기로(32)를 지나, 처리 용기(20)의 외부로 통류되어 나간다. 이렇게 해서, 클리닝 가스의 공급에 의해, 처리 용기(20) 내에 부착된 이물을 제거하고, 클리닝 가스와 함께 처리 용기(20)의 외부로 배출한다.
이 실시 형태에 따르면, 각각 2개의 처리 공간이 배치된 제1 및 제2 반송 공간(T1, T2)의 사이에 형성되는 중간 벽부(3)에, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)에 대하여 각각 마련된 배기로(31)와, 이들 배기로(31)가 합류하는 합류 배기로(32)를 마련하고 있다. 이와 같이, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)의 배기를 행하는 합류 배기로(32)를 처리 용기(20) 내에 마련함으로써, 진공 처리 장치(2)를 간소화할 수 있다. 또한, 이 합류 배기로(32)와 진공 펌프(62)를 배기관(61)에 의해 접속하고 있으므로, 배기관(61)이 1개이면 된다. 이 때문에, 처리 용기(20)의 하부에서 메인터넌스 스페이스를 크게 확보할 수 있어, 메인터넌스성을 향상시킬 수 있다. 또한, 합류 배기로(32)를 처리 용기(20) 내에 형성할 수 있기 때문에, 합류 배기로(32)를 처리 용기(20)의 외부에 마련하는 경우에 비해서, 배관의 배설의 복잡화가 억제되어, 총 배기로를 짧게 할 수 있어, 배기 효율이 향상된다.
이에 반해, 특허문헌 1(일본 특허 공개 제2017-199735호 공보)이나, US2017/0029948A1(이하, 「비교 문헌」이라고도 함)과 같이, 복수의 웨이퍼를 처리하는 처리 용기 내에 웨이퍼의 반송 기구를 마련하는 구성에서는, 처리 용기의 중앙부에 배기구를 마련할 수 없다. 따라서, 처리 용기 내의 배기는 처리 용기의 주연측에서 행하지 않을 수 없다. 예를 들어, 비교 문헌에 기재된 기술에서는, 처리 용기의 주연측의 4개소에, 처리 용기 내의 4개의 처리 공간에 각각 대응하는 배기로가 형성되어 있다. 이 때문에, 이들 4개의 배기로를 합류하는 배기로는, 처리 용기의 하방측에 마련되게 되어, 장치가 대형화된다. 또한, 처리 용기의 하방측에서, 배기용 배관의 배설이 복잡해질 뿐 아니라, 복수의 밸브가 필요해지는 경우도 있어, 처리 용기의 하방측의 메인터넌스 스페이스가 압박되어, 메인터넌스 작업에 지장을 초래할 우려가 있다.
또한, 제1 및 제2 반송 공간(T1, T2)에 배치되는 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)은, 상면측에서 보았을 때, 합류 배기로(32)를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 배치되어 있다. 이 때문에, 합류 배기로(32)를 중심으로 처리 공간(S1 내지 S4)이 배치되므로, 처리 용기(20)의 소형화를 도모하기 위한 설계가 용이해진다. 또한, 합류 배기로(32)와 각 처리 공간(S1 내지 S4)의 구성을 공통화하는 것이 가능하게 되어, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)의 배기 상태를 균등해지게 할 수 있다.
또한, 합류 배기로(32)를 중간 벽부(3) 내에 상하 방향으로 연장 설치하고 있으므로, 평면적으로 보아 합류 배기로(32)의 설치 스페이스가 적어도 되어, 진공 처리 장치(2)의 소형화에 기여할 수 있다.
이상에 있어서, 처리 용기(20)의 제1 반송 공간(T1)에는, 연장 설치 방향을 따라서 1개 이상의 처리 공간을 배치하고, 상기 제2 반송 공간(T2)에는, 연장 설치 방향을 따라서 2개 이상의 처리 공간을 배치하는 것이면 된다. 도 7a는, 제1 반송 공간(T1)에, 연장 설치 방향(도 7a 중, X' 방향)을 따라서 1개의 처리 공간(S11)을 배치하고, 제2 반송 공간(T2)에, 연장 설치 방향을 따라서 2개의 처리 공간(S12, S13)을 배치하는 예이다. 중간 벽부(3) 내에는, 3개의 처리 공간(S11 내지 S13)에 대하여 각각 마련된 배기로(31)와, 이들 배기로(31)가 합류하는 합류 배기로(32)가 형성된다.
또한, 도 7b는, 처리 용기(20) 내에서, 제1 반송 공간(T1)에, 연장 설치 방향을 따라서 3개의 처리 공간(S21 내지 S23)을 배치하고, 제2 반송 공간(T2)에, 연장 설치 방향을 따라서 3개의 처리 공간(S24 내지 S26)을 배치하는 예이다. 중간 벽부(3) 내에는, 이들 6개의 처리 공간(S21 내지 S26)에 대하여 각각 마련된 배기로(31)와, 이들 배기로(31)가 합류하는 합류 배기로(32)가 형성된다.
또한, 도 7c와 같이, 처리 용기(20) 내에서, 중간 벽부(3) 내에 예를 들어 연장 설치 방향으로 배열하도록, 복수개 예를 들어 2개의 합류 배기로(32)를 마련하도록 해도 된다. 이 예에서는, 제1 반송 공간(T1)에, 연장 설치 방향을 따라서 4개의 처리 공간(S31 내지 S34)을 배치하고, 제2 반송 공간(T2)에, 연장 설치 방향을 따라서 4개의 처리 공간(S35 내지 S38)을 배치한다. 그리고, 중간 벽부(3) 내에는, 연장 설치 방향의 앞쪽의 4개의 처리 공간(S31, S32, S35, S36)에 대하여 각각 마련된 배기로(31)와, 이들 배기로(31)가 합류하는 합류 배기로(32)가 형성되어 있다. 또한, 중간 벽부(3)에는, 연장 설치 방향의 안측의 4개의 처리 공간(S33, S34, S37, S38)에 대하여 각각 마련된 배기로(31)와, 이들 배기로(31)가 합류하는 합류 배기로(32)가 형성되어 있다.
이들 도 7a 내지 도 7c에 도시하는 구성에서도, 중간 벽부(3)에 배기로(31)와 합류 배기로(32)를 마련하고 있으므로, 진공 처리 장치(2)의 소형화 및 간소화와, 메인터넌스성의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 진공 처리 장치(2)에서 실시되는 진공 처리는, CVD법에 의한 성막 처리에 한하지 않고, ALD(Atomic Layer Deposition)법에 의한 성막 처리나, 에칭 처리이어도 된다. ALD법에 의한 성막 처리는, 웨이퍼(W)에 원료 가스를 흡착시키는 스텝과, 웨이퍼(W)에 흡착된 원료 가스와 반응 가스를 반응시켜 반응 생성물을 생성하는 스텝을 복수회 반복해서 반응 생성물을 적층하는 성막 처리이다. 또한, 진공 처리 시스템(1)에 있어서, 진공 반송실(14)에 접속되는 진공 처리 장치(2)는, 1개이어도 된다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
2 : 진공 처리 장치 20 : 처리 용기
21 : 반입출구 22 : 적재대
3 : 중간 벽부 31 : 배기로
32 : 합류 배기로 33 : 배기구
S1 내지 S4 : 처리 공간 T1 : 제1 반송 공간
T2 : 제2 반송 공간

Claims (10)

  1. 진공 분위기의 처리 공간에 배치된 기판에 처리 가스를 공급해서 진공 처리를 행하는 진공 처리 장치에 있어서,
    상기 진공 처리가 행하여지는 상기 처리 용기 내의 서로 인접하는 위치에 마련됨과 함께, 각각 상기 처리 용기의 측면에 마련된 반입출구로부터 수평 방향으로 연장 설치되고, 상기 기판의 반송이 행하여지는 제1 반송 공간 및 제2 반송 공간과,
    상기 연장 설치 방향을 따라서, 상기 제1 반송 공간과 상기 제2 반송 공간의 사이에 마련된 중간 벽부를 포함하고,
    상기 제1 반송 공간에는, 상기 연장 설치 방향을 따라서 1개 이상의 처리 공간이 배치되고, 상기 제2 반송 공간에는, 상기 연장 설치 방향을 따라서 2개 이상의 처리 공간이 배치되며,
    상기 중간 벽부 내에는, 당해 중간 벽부를 사이에 두고 배치된 3개 이상의 처리 공간에 대하여 각각 마련된 복수의 배기로와, 상기 복수의 배기로가 합류하는 합류 배기로가 형성되어 있는 진공 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반송 공간 및 상기 제2 반송 공간에는, 각각, 제1 조의 2개의 처리 공간 및 제2 조의 2개의 처리 공간이 배치되고, 상기 제1 조의 2개의 처리 공간 및 상기 제2 조의 2개의 처리 공간은, 상면측에서 보았을 때, 상기 합류 배기로를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 배치되어 있는 진공 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 합류 배기로는 상하 방향으로 연장 설치되고, 상기 복수의 배기로는, 각각 상기 처리 공간의 각각의 외측에 위치하는 상기 중간 벽부에 형성된 배기구와, 상기 합류 배기로를 접속하도록 마련되어 있는 진공 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    각각, 상기 처리 공간의 각각과 상기 배기구의 사이에는, 당해 처리 공간의 측 주위부에 둘레 방향을 따라 형성된 슬릿 형상의 슬릿 배기구와, 당해 슬릿 배기구로부터 배기된 상기 처리 가스를 상기 배기구를 향해서 통류시키기 위한 통류로가 마련되어 있는 진공 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 공간의 각각은, 상기 기판이 적재되는 적재대와, 당해 적재대와 대향해서 배치된 대향면을 구비하고, 당해 처리 공간의 각각에의 상기 처리 가스의 공급을 행하는 가스 공급부의 사이에 형성되어 있는 진공 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    공통의 가스 공급로로부터 공급된 상기 처리 가스를, 상기 처리 공간의 각각의 상기 가스 공급부에 분배하는 가스 분배로를 포함하고, 상기 공통의 가스 공급로로부터 분배되는 상기 처리 가스로부터 볼 때, 상기 가스 분배로, 상기 가스 공급부, 상기 처리 공간의 각각 및 상기 복수의 배기로의 각각을 거쳐서 상기 합류 배기로에 이르기까지의 각 처리 가스 경로는, 서로 컨덕턴스가 균등하도록 형성되어 있는 진공 처리 장치.
  7. 진공 반송실과, 당해 진공 반송실 내에 배치되어, 적어도 하나의 기판의 반송을 행하기 위한 기판 보유 지지부가 마련된 기판 반송 기구를 포함하는 진공 반송 모듈과,
    상기 진공 반송실에 접속되고, 반입출구를 통해서 제1 반송 공간 및 제2 반송 공간에 상기 기판 보유 지지부를 진입시킴으로써, 상기 진공 반송실과 복수의 처리 공간의 적어도 하나와의 사이의 상기 적어도 하나의 기판의 반송이 행하여지는 적어도 하나의 진공 처리 장치와,
    처리 대상인 상기 적어도 하나의 기판을 수용한 반송 용기가 적재되는 반출입 포트와,
    상기 반송 용기와 상기 진공 반송 모듈의 사이에서의 상기 적어도 하나의 기판의 반송이 행하여지는 반출입 모듈를 포함하는 진공 처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구는, 제1 기판 보유 지지부 및 제2 기판 보유 지지부를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 기판은, 제1 조의 기판 및 제2 조의 기판을 포함하며,
    상기 복수의 처리 공간은, 제1 조의 처리 공간 및 제2 조의 처리 공간을 포함고,
    상기 제1 기판 보유 지지부는, 상기 기판 반송 기구가 상기 제1 반송 공간에 진입시켰을 때, 당해 제1 반송 공간 내의 상기 제1 조의 처리 공간의 각 배치 위치에 대응하는 위치에 상기 제1 조의 기판이 위치하도록, 상기 제1 조의 기판을 보유 지지하고,
    상기 제2 기판 보유 지지부는, 상기 기판 반송 기구가 상기 제2 반송 공간에 진입시켰을 때, 당해 제2 반송 공간 내의 상기 제2 조의 처리 공간의 각 배치 위치에 대응하는 위치에 상기 제2 조의 기판이 위치하도록, 상기 제2 조의 기판을 보유 지지하는 진공 처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판 반송 기구는, 상기 제1 반송 공간 및 상기 제2 반송 공간에 대하여, 각각 상기 제1 기판 보유 지지부 및 상기 제2 기판 보유 지지부를 동시에 진입시키는 진공 처리 시스템.
  10. 진공 분위기의 복수의 처리 공간의 적어도 하나에 배치된 적어도 하나의 기판에 처리 가스를 공급해서 진공 처리를 행하는 진공 처리 방법에 있어서,
    상기 진공 처리가 행하여지는 처리 용기 내의 서로 인접하는 위치에 마련됨과 함께, 각각 상기 처리 용기의 측면에 마련된 반입출구로부터 수평 방향으로 연장 설치되어, 상기 적어도 하나의 기판의 반송이 행하여지는 제1 반송 공간 및 제2 반송 공간과, 상기 연장 설치 방향과 평행하게, 상기 제1 반송 공간과 상기 제2 반송 공간의 사이에 마련된 중간 벽부를 포함하고, 상기 제1 반송 공간에는, 상기 연장 설치 방향을 따라서 상기 복수의 처리 공간 중 1개 이상의 처리 공간이 배치되고, 상기 제2 반송 공간에는, 상기 연장 설치 방향을 따라서 상기 복수의 처리 공간 중 2개 이상의 처리 공간이 배치된 상기 처리 용기 내에 상기 적어도 하나의 기판을 반입하여, 상기 복수의 처리 공간 중의 상기 적어도 하나의 처리 공간에 상기 적어도 하나의 기판을 수용하는 공정과,
    상기 적어도 하나의 기판을 수용한 상기 복수의 처리 공간의 각각에 상기 처리 가스를 공급하는 공정과,
    상기 중간 벽부 내에 형성되고, 당해 중간 벽부를 사이에 두고 배치된 3개 이상의 처리 공간에 대하여 각각 마련된 복수의 배기로와, 상기 복수의 배기로가 합류하는 합류 배기로를 사용해서 상기 복수의 처리 공간의 각각에 공급된 상기 처리 가스를 배기하는 공정을 포함하는 진공 처리 방법.
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