KR20190136927A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20190136927A
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유키오 도미후지
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

(과제) 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 처리액을 양호하게 도포하는 기술을 제공한다.
(해결 수단) 도포 장치 (1) 는, 기판 (W) 에 부상력을 부여하는 부상 스테이지부 (3) 와, 부상력이 부여된 기판 (W) 을 제 1 방향 (D1) 으로 이동시키는 반송 기구 (5) 와, 부상 기판의 상면 (Wf) 을 향하여 처리액을 토출하는 노즐 (61) 과, 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정하는 측정기 (70) 와, 노즐 (61) 및 측정기 (70) 를 이동시키는 이동 기구 (63) 를 구비한다. 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 로부터의 처리액이 기판 (W) 에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 측정기 (70) 가 기판 (W) 의 연직 위치를 미리 측정하는 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치 (XM1) 에 가까워지도록, 노즐 (61) 및 측정기 (70) 를 이동시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 특히, 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 대한 처리액의 도포를 바람직하게 실시하는 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 기판, 액정 표시 장치 및 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 전자 부품 등의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 장치가 이용되고 있다. 이와 같은 도포 장치로서, 기판의 이면에 에어를 분사하여 기판을 부상시킨 상태에서 당해 기판을 반송하면서, 당해 기판의 표면 (기판의 주면에 상당) 에 대하여 기판의 폭 방향으로 연장되는 노즐로부터 도포액을 토출하여 기판에 도포액을 도포하는 장치가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1).
특허문헌 1 에 기재된 기판 처리 장치에서는, 부상 스테이지 상에서 기판을 수평 자세로 부상시키면서, 기판의 주연부를 유지하여 수평 방향으로 주행시킴으로써 당해 기판을 반송하고, 기판 반송 경로의 상방에 배치된 슬릿 노즐로부터 도포액을 토출시킨다.
특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 기판의 상방에 있어서, 기판의 부상고를 측정하는 광학식 거리 센서가 구비되어 있다. 기판의 부상고에 따라, 슬릿 노즐의 높이를 조정함으로써, 적절한 높이로부터 도포액을 공급하는 것이 가능하게 되어 있다.
일본 공개특허공보 2012-142583호
상기 종래 기술에서는, 광학식 거리 센서가 연직 위치를 측정하는 영역의 수평 위치는, 노즐로부터의 처리액이 기판에 부착하는 수평 위치보다 반송 방향의 상류측이다. 즉, 종래 기술에서는, 처리액이 기판에 부착하는 수평 위치가, 광학식 거리 센서가 측정하는 영역의 수평 위치로부터 멀리 떨어져 있었다. 이 때문에, 예를 들어 처리액이 부착하는 수평 위치에 있어서, 기판의 높이에 이상이 있었다고 해도, 당해 이상을 상기 광학식 거리 센서에서는 검출하는 것이 곤란하기 때문에, 도포 불량이 발생할 우려가 있었다.
그래서, 본 발명은, 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 처리액을 양호하게 도포하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 제 1 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향인 상기 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와, 상기 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면의 연직 위치를 측정하는 측정기와, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 상기 측정기가 상기 부상 기판의 상기 연직 위치를 미리 측정하는 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치에 가까워지도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는 이동 기구를 구비한다.
제 2 양태는, 제 1 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 부착 수평 위치가 상기 측정 수평 위치에 일치하도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시킨다.
제 3 양태는, 제 1 양태 또는 제 2 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 부상 기구는, 상면을 갖는 스테이지와, 상기 상면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와, 상기 상면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함한다.
제 4 양태는, 제 1 양태 내지 제 3 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 노즐을 이미 정해진 수평 위치인 도포 위치에 위치 결정함과 함께, 상기 노즐을 상기 도포 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동 가능하다.
제 5 양태는, 제 1 양태 내지 제 4 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 측정기를 이미 정해진 수평 위치인 측정 위치에 위치 결정함과 함께, 상기 측정기를 상기 측정 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동 가능하다.
제 6 양태는, 제 1 양태 내지 제 5 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 노즐과 상기 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고, 상기 이동 기구는 상기 연결구에 의해 연결된 상기 노즐과 상기 측정기를 일체로 이동시킨다.
제 7 양태는, 제 6 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 연결구는, 상기 측정기를 상기 노즐에 대하여 상기 제 1 방향의 상류측에 연결하고, 상기 이동 기구는, 상기 노즐 및 상기 측정기를 상기 제 1 방향의 상기 상류측으로 이동시킨다.
제 8 양태는, 제 1 양태 내지 제 7 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 측정기는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면에서 반사하는 광을 검출하는 반사형 센서를 포함한다.
제 9 양태는, 제 1 양태 내지 제 8 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 반송 기구는, 상기 부상 기판을 이미 정해진 위치까지 이동시키고 나서 정지시키고, 상기 이동 기구는, 상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 부상 기판의 상기 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 다른 위치로 이동시킴과 함께, 상기 노즐을 상기 측정 수평 위치에 접근시킨다.
제 10 양태는, 제 9 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상기 부상 기판의 상기 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 상기 제 1 방향의 상류측의 위치로 이동시키고, 상기 측정기는, 상기 제 1 방향의 상류측의 위치를 향하여 이동하는 동안에, 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정한다.
제 11 양태는, 제 1 양태 내지 제 10 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 측정기에 의해 측정된 상기 부상 기판의 연직 위치에 따라, 상기 노즐의 연직 위치를 변경한다.
제 12 양태는, 제 1 양태 내지 제 11 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 복수의 상기 측정기가 상기 제 2 방향으로 간격을 두고 형성되어 있고, 상기 복수의 측정기는, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향으로 상이한 복수 지점의 연직 위치를 측정 가능하다.
제 13 양태는, 제 12 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 복수의 측정기에 의해 측정된 상기 복수 지점의 연직 위치의 차분치를 취득하는 차분 취득부를 추가로 구비한다.
제 14 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향인 상태에서 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 공정과, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면의 연직 위치를 측정하는 측정 공정과, 상기 측정 공정 후에, 상기 반송 공정에 의해 상기 제 1 방향으로 이동되는 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면에 노즐로부터 처리액을 공급하는 도포 공정과, 상기 측정 공정 후이고 또한 상기 도포 공정 전에, 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 상기 측정 공정에 있어서 상기 측정기가 상기 부상 기판의 상기 연직 위치를 미리 측정한 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치에 가까워지도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는 이동 공정을 포함한다.
제 15 양태는, 제 14 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 반송 공정은, 상기 부상 기판을 이미 정해진 위치까지 이동시키고 나서 정지시키는 단계를 포함하고, 상기 이동 공정은, 상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 측정 수평 위치에 있어서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 다른 위치로 이동시키는 단계와, 상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 노즐을 상기 측정 수평 위치에 접근시키는 단계를 포함한다.
제 1 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기가 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 영역의 수평 위치 (측정 수평 위치) 에, 노즐로부터의 처리액이 부상 기판에 부착하는 수평 위치 (부착 수평 위치) 를 접근시킨다. 이 때문에, 측정기가 부상 기판의 연직 방향이 측정되는 영역 또는 여기에 가까운 영역에서, 처리액을 부상 기판에 공급할 수 있다. 따라서, 처리액을 부상 기판에 대하여 양호하게 도포할 수 있다.
제 2 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기가 부상 기판의 연직 방향을 측정하는 영역에서, 처리액이 부상 기판에 공급된다. 따라서, 처리액을 부상 기판에 대하여 양호하게 도포할 수 있다.
제 3 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 복수의 분출구로부터의 에어로 기판에 부상력을 부여하면서 흡인구로부터의 에어의 흡인으로 밸런스를 취함으로써, 부상 기판을 소정의 연직 위치에 안정적으로 유지할 수 있다.
제 4 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 노즐을 도포 위치에 위치 결정하여, 처리액을 부상 기판에 공급할 수 있다. 또한, 노즐을 도포 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동시킬 수 있다.
제 5 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기를 측정 위치에 위치 결정하여, 부상 기판의 연직 위치를 측정할 수 있다. 또한, 측정기를 측정 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동시킬 수 있다.
제 6 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 노즐과 측정기가 연결되어 있기 때문에, 이동 기구가 이들을 일체로 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 노즐과 측정기를 개별적으로 이동시키는 경우에 비하여, 이동 기구를 간이하게 구성할 수 있다.
제 7 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기가 측정 위치에서 부상 기판의 연직 위치를 측정한 후, 이동 기구가 노즐 및 측정기를 제 1 방향의 상류측으로 이동시키는 것에 의해, 부착 예정 위치를 측정 위치에 접근시킬 수 있다.
제 8 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 부상 기판의 제 1 주면에서 반사한 광을 수광 센서로 검출함으로써, 제 1 주면의 연직 위치를 측정할 수 있다.
제 9 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 부상 기판을 정지시킨 상태에서, 부상 기판의 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 측정기가 다른 위치로 이동되고, 노즐이 그 측정 수평 위치에 접근된다. 이 때문에, 연직 위치가 미리 측정된 위치에 노즐을 접근시켜 배치할 수 있다. 이에 의해, 부상 기판에 대하여 처리액을 적절히 도포할 수 있다.
제 10 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정 수평 위치로부터 당해 측정 수평 위치보다 상류측의 위치까지의 수평 범위에 있어서, 부상 기판의 연직 위치를 측정할 수 있다.
제 11 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기에 의해 측정된 부상 기판의 연직 위치에 맞추어, 노즐의 연직 위치가 조절된다. 이에 의해, 적절한 연직 위치의 노즐로부터 부상 기판에 처리액을 공급할 수 있기 때문에, 부상 기판에 대하여 처리액을 양호하게 도포할 수 있다.
제 12 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 부상 기판 중 제 2 방향으로 상이한 복수 지점의 연직 위치를 측정할 수 있다.
제 13 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 복수 지점에서 측정된 연직 위치의 차분치를 취득함으로써, 부상 기판의 연직 위치에 이상이 있는 지점을 용이하게 검출할 수 있다.
제 14 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 측정기가 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 영역의 수평 위치 (측정 수평 위치) 에, 노즐로부터의 처리액이 부상 기판에 부착하는 수평 위치 (부착 수평 위치) 를 접근시킨다. 이 때문에, 측정기가 부상 기판의 연직 방향을 측정하는 영역 또는 여기에 가까운 영역에서, 처리액을 부상 기판에 공급할 수 있다. 따라서, 처리액을 부상 기판에 대하여 양호하게 도포할 수 있다.
제 15 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 부상 기판을 정지시킨 상태에서, 부상 기판의 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 측정기가 다른 위치로 이동되고, 노즐이 그 측정 수평 위치에 접근된다. 이 때문에, 연직 위치가 미리 측정된 위치에 노즐을 접근시켜 배치할 수 있다. 이에 의해, 부상 기판에 대하여 처리액을 적절히 도포할 수 있다.
도 1 은 실시형태의 기판 처리 장치의 일례인 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 2 는 실시형태의 도포 장치 (1) 를 연직 방향의 상측으로부터 본 개략 평면도이다.
도 3 은 실시형태의 도포 기구 (6) 를 제외한 도포 장치 (1) 를 나타내는 개략 평면도이다.
도 4 는 도 2 에 나타내는 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 도포 장치 (1) 의 개략 단면도이다.
도 5 는 실시형태의 부상 스테이지부 (3) 의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6 은 실시형태의 노즐 (61) 을 나타내는 개략 평면도이다.
도 7 은 실시형태의 제어 유닛 (9) 을 나타내는 개략 블록도이다.
도 8 은 실시형태의 도포 장치 (1) 가 실행하는 기판 처리 동작의 각 공정을 나타내는 도면이다.
도 9 는 실시형태의 도포 장치 (1) 의 동작의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 10 은 실시형태의 도포 장치 (1) 의 동작의 변형예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이고, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해의 용이함을 위해서, 필요에 따라 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화하여 도시되어 있는 경우가 있다.
상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현 (예를 들어 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등) 은, 특별히 언급이 없는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관해서 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 동등한 상태인 것을 나타내는 표현 (예를 들어 「동일」 「동등하다」 「균질」 「일치」 등) 은, 특별히 언급이 없는 한, 정량적으로 엄밀하게 동등한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현 (예를 들어, 「사각 형상」 또는 「원통 형상」 등) 은, 특별히 언급이 없는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들어 요철이나 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 「∼ 상」 이란, 특별히 언급이 없는 한, 2 개의 요소가 접하고 있는 경우 외에, 2 개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함한다.
도 1 은, 실시형태의 기판 처리 장치의 일례인 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 2 는, 실시형태의 도포 장치 (1) 를 연직 방향의 상측으로부터 본 개략 평면도이다. 도 3 은, 실시형태의 도포 기구 (6) 를 제외한 도포 장치 (1) 를 나타내는 개략 평면도이다. 도 4 는, 도 2 에 나타내는 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 도포 장치 (1) 의 개략 단면도이다. 도 5 는, 실시형태의 부상 스테이지부 (3) 의 일부를 나타내는 개략 평면도이다. 도 6 은, 실시형태의 노즐 (61) 을 나타내는 개략 평면도이다.
도포 장치 (1) 는, 사각 형상의 기판 (W) 을 수평 자세 (기판 (W) 의 상면 (Wf) (제 1 주면) 및 하면 (제 2 주면) 이 수평면 (XY 평면) 에 대하여 평행이 되는 자세) 로 반송함과 함께, 당해 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액 (도포액) 을 도포하는 슬릿 코터이다. 각 도면에 있어서, 도포 장치 (1) 의 각 부의 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 기판 (W) 이 반송되는 제 1 방향 (D1) 에 평행한 방향을 「X 방향」 이라고 하고, 입력 컨베이어 (100) 로부터 출력 컨베이어 (110) 를 향하는 방향을 「+X 방향」, 그 반대 방향을 「-X 방향」 이라고 한다. X 방향과 직교하는 수평 방향을 「Y 방향」 이라고 하고, 도 1 의 앞쪽을 향하는 방향을 「-Y 방향」, 그 반대 방향을 「+Y 방향」 이라고 한다. X 방향 및 Y 방향에 직교하는 연직 방향을 Z 방향이라고 하고, 부상 스테이지부 (3) 로부터 보아 도포 기구 (6) 측을 향하는 상향을 「+Z 방향」, 그 반대 방향을 「-Z 방향」 이라고 한다.
도포 장치 (1) 의 기본적 구성이나 동작 원리는, 일본 공개특허공보 2010-227850호, 일본 공개특허공보 2010-240550에 기재된 것과, 부분적으로 공통 또는 유사하다. 그래서, 본 명세서에서는, 도포 장치 (1) 의 각 구성 중 이들 공지 문헌에 기재된 것과 동일 또는 기술 상식 등에 기초하여 용이하게 유추할 수 있는 구성에 대해서는, 적절히 생략하는 경우가 있다.
도포 장치 (1) 는, 기판 (W) 이 반송되는 제 1 방향 (D1) (+X 방향) 을 따라, 순서대로, 입력 컨베이어 (100), 입력 이동 탑재부 (2), 부상 스테이지부 (3), 출력 이동 탑재부 (4), 출력 컨베이어 (110) 를 구비한다. 이들은, 서로 근접하도록 배치되어 있고, 이들에 의해, 기판 (W) 의 반송 경로가 형성된다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판의 반송 방향인 제 1 방향 (D1) 과 관련지어 위치 관계를 나타낼 때, 「제 1 방향 (D1) 의 상류측」 을 간단히 「상류측」 이라고, 「제 1 방향 (D1) 의 하류측」 을 「하류측」 이라고 약기하는 경우가 있다. 본 예에서는, 어느 기준 위치로부터 보아, -X 측이 「상류측」 이고, +X 측이 「하류측」 이다.
입력 컨베이어 (100) 는, 롤러 컨베이어 (101) 와, 이 롤러 컨베이어 (101) 를 회전 구동하는 회전 구동 기구 (102) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (101) 의 회전에 의해, 기판 (W) 은 수평 자세로 하류측 (+X 측) 으로 반송된다.
입력 이동 탑재부 (2) 는, 롤러 컨베이어 (21) 와, 이 롤러 컨베이어 (21) 를 회전시키는 회전 구동 기구 (22) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (21) 가 회전함으로써, 기판 (W) 은 +X 방향으로 반송된다. 또한, 롤러 컨베이어 (21) 가 승강함으로써, 기판 (W) 의 연직 위치 (연직 방향에 있어서의 위치) 가 변경된다. 입력 이동 탑재부 (2) 의 동작에 의해, 기판 (W) 은, 입력 컨베이어 (100) 로부터 부상 스테이지부 (3) 에 이동 탑재된다.
부상 스테이지부 (3) 는, 제 1 방향 (D1) 을 따라, 3 개의 평판상의 스테이지를 포함한다. 구체적으로는, 부상 스테이지부 (3) 는, 제 1 방향 (D1) 을 따라 순서대로 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32), 출구 부상 스테이지 (33) 를 구비한다. 이들 각 스테이지의 상면은, 동일 평면 상에 있다. 각 스테이지의 상면은, 예를 들어, 수평면이면 된다.
입구 부상 스테이지 (31) 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 각각의 상면에는, 부상 제어 기구 (35) 로부터 공급되는 에어 (압축 공기) 를 분출하는 복수의 분출구 (31h, 33h) 가 매트릭스상으로 형성되어 있다. 복수의 분출구 (31h, 33h) 로부터 분출되는 압축 공기에 의해, 기판 (W) 에 부상력이 부여되고, 기판 (W) 의 하면 (제 2 주면) 이 각 스테이지 (31, 33) 의 상면으로부터 이간한 상태에서, 기판 (W) 이 수평 자세로 지지된다. 기판 (W) 의 하면과 스테이지 (31, 33) 의 상면의 거리는, 예를 들어 10 ㎛ (마이크로미터) 내지 500 ㎛ 로 해도 된다.
도포 스테이지 (32) 의 상면에는, 에어 (압축 공기) 를 분출하는 복수의 분출구 (321h) 와, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 분위기를 흡인하는 복수의 흡인구 (322h) 가 형성되어 있다. 도포 스테이지 (32) 의 상면에서는, 분출구 (321h) 와 흡인구 (322h) 가, X 방향 및 Y 방향을 따라 교대로 형성되어 있다. 부상 제어 기구 (35) 가 각 분출구 (321h) 로부터의 압축 공기의 분출량과 각 흡인구 (322h) 로의 분위기의 흡인량이 밸런스를 갖도록 제어함으로써, 기판 (W) 의 하면과 도포 스테이지 (32) 의 상면의 거리가 정밀하게 제어된다. 이에 의해, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 통과하는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치가 이미 정해진 값으로 제어된다. 부상 스테이지부 (3) 의 구성으로는, 일본 공개특허공보 2010-227850호에 기재된 것을 적용해도 된다.
입력 이동 탑재부 (2) 를 통하여 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (W) 은, 롤러 컨베이어 (21) 의 회전에 의해, +X 방향으로의 추진력을 얻어, 입구 부상 스테이지 (31) 상에 반송된다. 부상 스테이지부 (3) 에 있어서의 기판 (W) 의 반송은, 반송 기구 (5) 에 의해 실시된다.
반송 기구 (5) 는, 척 (51) 및 흡착·주행 제어 기구 (52) 를 구비한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 의 하면 주연부에 부분적으로 맞닿는 것에 의해 기판 (W) 을 하방으로부터 지지한다. 흡착·주행 제어 기구 (52) 는, 척 (51) 상단의 지지 부위에 형성된 흡착 패드에 부압을 부여하여, 척 (51) 에 기판 (W) 을 흡착 유지시키는 기능을 구비한다. 또한, 흡착·주행 제어 기구 (52) 는, 척 (51) 을 X 방향을 따라 직선상으로 왕복 주행시키는 기능을 구비한다.
척 (51) 이 기판 (W) 을 유지하는 상태에서는, 기판 (W) 의 하면은, 부상 스테이지부 (3) 의 각 스테이지 (31, 32, 33) 의 상면보다 +Z 측에 위치한다. 기판 (W) 은, 척 (51) 에 의해 주연부를 흡착 유지하고, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부여되는 부상력에 의해 전체적으로 수평 자세를 유지한다.
입력 이동 탑재부 (2) 로부터 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (W) 을 척 (51) 이 유지하고, 이 상태에서 척 (51) 이 +X 방향으로 이동함으로써, 기판 (W) 이 입구 부상 스테이지 (31) 의 상방으로부터, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 경유하여, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로 반송된다. 기판 (W) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 의 +X 측에 배치된 출력 이동 탑재부 (4) 에 전달된다.
출력 이동 탑재부 (4) 는, 롤러 컨베이어 (41) 와, 이 롤러 컨베이어 (41) 를 회전 구동하는 회전 구동 기구 (42) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (41) 가 회전함으로써, 기판 (W) 에 +X 방향으로의 추진력이 부여되고, 기판 (W) 이 제 1 방향 (D1) 으로 반송된다. 출력 이동 탑재부 (4) 의 동작에 의해, 기판 (W) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로부터 출력 컨베이어 (110) 에 이동 탑재된다.
출력 컨베이어 (110) 는, 롤러 컨베이어 (111) 와, 이 롤러 컨베이어 (111) 를 회전시키는 회전 구동 기구 (112) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (111) 의 회전에 의해, 기판 (W) 은 +X 방향으로 반송되어 도포 장치 (1) 의 외부로 보내진다. 입력 컨베이어 (100) 및 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 일부로서 형성되어 있어도 되지만, 도포 장치 (1) 와는 별체여도 된다. 예를 들어, 입력 컨베이어 (100) 는, 도포 장치 (1) 의 상류측에 형성되는 별도 유닛의 기판 이송 기구여도 된다. 또한, 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 하류측에 형성되는 별도 유닛의 기판 수용 기구여도 된다.
기판 (W) 의 반송계로 상에는, 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액을 도포하는 도포 기구 (6) 가 형성되어 있다. 도포 기구 (6) 는, 처리액을 토출하는 노즐 (61) 을 포함하는 노즐 유닛 (60), 노즐 (61) 을 위치 결정하는 이동 기구 (63), 노즐 (61) 을 메인터넌스하는 메인터넌스 유닛 (65) 을 구비한다.
노즐 (61) 은, 제 1 방향 (D1) 에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향 (D2) (Y 방향) 으로 연장되는 부재이다. 노즐 (61) 의 하단부는, 폭 방향 (Y 방향) 으로 연장됨과 함께 하향 (-Z 측) 으로 개구하는 토출구 (611) 를 갖는다. 토출구 (611) 로부터는, 처리액이 토출된다.
이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 에 대하여, X 방향 및 Z 방향으로 이동시켜 위치 결정한다. 이동 기구 (63) 의 동작에 의해, 노즐 (61) 은, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 도포 위치 (L11) 및 하류 위치 (L12) 에 위치 결정된다. 도포 위치 (L11) 및 하류 위치 (L12) 의 각각의 수평 위치 (수평 방향에 있어서의 위치) 는, 이미 정해진 수평 위치에 설정된다. 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 위치 결정된 상태에서, 노즐 (61) 이 기판 (W) 의 상면 (Wf) 을 향하여 처리액을 토출함으로써, 기판 (W) 에 처리액이 도포된다. 이와 같이, 도포 위치 (L11) 는, 도포를 실행할 때의 노즐 (61) 의 위치이다. 하류 위치 (L12) 는, 도포 위치 (L11) 로부터 하류측 (+X 측) 으로 떨어진 위치이다.
메인터넌스 유닛 (65) 은, 배트 (651), 예비 토출 롤러 (652), 노즐 클리너 (653) 및 메인터넌스 제어 기구 (654) 를 구비한다. 배트 (651) 는, 노즐 (61) 의 세정에 사용되는 세정액을 저류한다. 메인터넌스 제어 기구 (654) 는, 예비 토출 롤러 (652) 및 노즐 클리너 (653) 를 제어한다. 메인터넌스 유닛 (65) 의 구성으로서, 예를 들어 일본 공개특허공보 2010-240550호에 기재된 구성을 적용해도 된다.
이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 토출구 (611) 가 예비 토출 롤러 (652) 의 상방에서 그 예비 토출 롤러 (652) 의 표면에 대향하는 예비 토출 위치 (L13) 에 위치 결정한다. 노즐 (61) 은, 예비 토출 위치 (L13) 에서, 토출구 (611) 로부터 예비 토출 롤러 (652) 의 표면에 대하여 처리액을 토출한다 (예비 토출 처리). 노즐 (61) 은, 상기 서술한 도포 위치 (L11) 에 위치 결정되기 전에 예비 토출 위치 (L13) 에 위치 결정되어 예비 토출 처리를 실행한다. 이에 의해, 기판 (W) 으로의 처리액의 토출을, 초기 단계부터 안정시킬 수 있다. 메인터넌스 제어 기구 (654) 가 예비 토출 롤러 (652) 를 회전시키면, 노즐 (61) 로부터 토출된 처리액은, 배트 (651) 에 저류된 세정액에 혼합되어 회수된다.
이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 그 노즐 (61) 의 선단부 (토출구 (611) 및 그 근처의 영역을 포함한다) 가 노즐 클리너 (653) 의 상방에 대향하는 세정 위치 (L14) 에 위치 결정한다. 노즐 (61) 이 세정 위치 (L14) 에 있는 상태에서, 노즐 클리너 (653) 가 세정액을 토출하면서 노즐 (61) 의 폭 방향 (Y 방향) 으로 이동하는 것에 의해, 노즐 (61) 의 선단부에 부착된 처리액 등이 씻겨나간다.
이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 세정 위치 (L14) 보다 하방이고, 노즐 (61) 의 하단부가 배트 (651) 내에 수용되는 대기 위치에 위치 결정해도 된다. 도포 장치 (1) 에 있어서 노즐 (61) 을 사용한 도포 처리가 실행되지 않을 때에, 노즐 (61) 이 당해 대기 위치에 위치 결정되어도 된다. 도시를 생략하지만, 대기 위치에 위치 결정된 노즐 (61) 의 토출구 (611) 에 있어서의 처리액의 건조를 방지하기 위한 대기 포드가 구비되어 있어도 된다.
도 1 에서는, 예비 토출 위치 (L13) 에 있는 노즐 (61) 이 실선으로, 도포 위치 (L11), 하류 위치 (L12) 및 세정 위치 (L14) 에 있는 노즐 (61) 이 파선으로 각각 나타나 있다.
본 실시형태의 도포 기구 (6) 는, 1 개의 노즐 (61) 만을 구비하고 있지만, 복수의 노즐 (61) 을 구비하고 있어도 된다. 복수의 노즐 (61) 은, 제 1 방향 (D1) 을 따라 간격을 두고 구비되어 있어도 된다. 이 경우에 있어서, 복수의 노즐 (61) 에 대하여 상이한 처리액을 공급함으로써, 상이한 처리액을 기판 (W) 에 도포하도록 해도 된다. 또한, 각 노즐 (61) 에 대응하는 이동 기구 (63) 및 메인터넌스 유닛 (65) 을 각각 형성해도 된다. 또한, 메인터넌스 유닛 (65) 은, 2 개 이상의 노즐 (61) 이 공유하여 이용할 수 있도록 해도 된다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (60) 은, 부상 스테이지부 (3) 의 상방에서 Y 방향으로 연장되는 빔 부재 (631) 와, 당해 빔 부재 (631) 의 양측 단부 (양측의 단부) 를 지지하는 2 개의 기둥 부재 (632, 633) 를 포함하는 가교 구조를 갖는다. 기둥 부재 (632, 633) 는, 기대 (10) 로부터 상방으로 세워 형성되어 있다. 기둥 부재 (632) 에는 승강 기구 (634) 가 장착되어 있고, 기둥 부재 (633) 에는 승강 기구 (635) 가 장착되어 있다. 각 승강 기구 (634, 635) 는, 예를 들어 볼 나사 기구를 포함한다. 승강 기구 (634) 에는 빔 부재 (631) 의 +Y 측 단부 (+Y 측의 단부) 를, 승강 기구 (635) 에는 빔 부재 (631) 의 -Y 측 단부 (-Y 측의 단부) 가 장착되어 있고, 승강 기구 (634, 635) 에 의해 빔 부재 (631) 가 지지된다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 승강 기구 (634, 635) 가 연동함으로써, 빔 부재 (631) 가 수평 자세인 채로 연직 방향 (Z 방향) 으로 이동한다.
빔 부재 (631) 의 중앙 하부에는, 토출구 (611) 를 하향으로 한 자세의 노즐 (61) 이 장착되어 있다. 승강 기구 (634, 635) 가 작동함으로써, 노즐 (61) 의 연직 방향 (Z 방향) 에 있어서의 이동이 실현된다.
기둥 부재 (632, 633) 는, 기대 (10) 상에 있어서 이동 가능하게 구성되어 있다. X 방향으로 연장되는 2 개의 주행 가이드 (81L, 81R) 가, 기대 (10) 의 상면에 있어서의 +Y 측 단부 (+Y 측의 단부) 및 -Y 측 단부 (-Y 측의 단부) 에 형성되어 있다. 기둥 부재 (632) 는 그 기둥 부재 (632) 의 하부에 장착된 슬라이더 (636) 를 통하여 +Y 측의 주행 가이드 (81L) 에 걸어 맞춤되어 있고, 기둥 부재 (633) 는 그 기둥 부재 (633) 의 하부에 장착된 슬라이더 (637) 를 통하여 -Y 측의 주행 가이드 (81R) 에 걸어 맞춤되어 있다. 슬라이더 (636, 637) 는, 주행 가이드 (81L, 81R) 를 따라 X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있다.
기둥 부재 (632, 633) 는, 리니어 모터 (82L, 82R) 의 작동에 의해 X 방향으로 이동한다. 리니어 모터 (82L, 82R) 는, 고정자로서의 마그넷 모듈과, 이동자로서의 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은, 기대 (10) 에 형성되어 있고, X 방향으로 연장되어 있다. 코일 모듈은, 기둥 부재 (632, 633) 의 각각의 하부에 장착되어 있다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (82L, 82R) 의 이동자가 작동함으로써, 노즐 유닛 (60) 전체가 X 방향을 따라 이동한다. 이에 의해, 노즐 (61) 의 X 방향 (제 1 방향 (D1)) 으로의 이동이 실현된다. 기둥 부재 (632, 633) 의 X 방향 위치 (X 방향에 있어서의 위치) 는, 슬라이더 (636, 637) 의 근방에 형성된 리니어 스케일 (83L, 83R) 에 의해 검출된다.
이와 같이, 노즐 (61) 은, 승강 기구 (634, 635) 의 작동에 의해 Z 방향으로 이동하고, 리니어 모터 (82L, 82R) 의 작동에 의해 X 방향으로 이동한다. 즉, 제어 유닛 (9) 이 승강 기구 (634, 635) 및 리니어 모터 (82L, 82R) 를 제어함으로써, 노즐 (61) 의 각 정지 위치 (L11, L12, L13, L14) 로의 위치 결정이 실현된다. 따라서, 승강 기구 (634, 635) 및 리니어 모터 (82L, 82R) 는, 이동 기구 (63) 로서 기능한다.
메인터넌스 유닛 (65) 으로는, 일본 공개특허공보 2010-240550호에 기재된 것을 채용해도 된다. 배트 (651) 는 Y 방향으로 연장되는 빔 부재 (661) 에 의해 지지된다. 빔 부재 (661)의 양단부 중, 일단부는 기둥 부재 (662) 로 지지되고, 타단부는 기둥 부재 (663) 로 지지되어 있다. 기둥 부재 (662, 663) 는, Y 방향으로 연장되는 플레이트 (664) 의 Y 방향 양단부 (Y 방향에 있어서의 양단부) 에 각각 장착되어 있다.
플레이트 (664) 의 양단부의 하방에는, 각각, X 방향으로 연장되는 2 개의 주행 가이드 (84L, 84R) 가 형성되어 있다. 2 개의 주행 가이드 (84L, 84R) 는, 기대 (10) 의 상면에 형성되어 있다. 플레이트 (664) 의 하면의 Y 방향 양단부 중, +Y 측 단부에는 슬라이더 (666) 가 형성되고, -Y 측 단부에는 슬라이더 (667) 가 형성되어 있다. 슬라이더 (666, 667) 는, 주행 가이드 (84L, 84R) 에 걸어 맞춤되어, X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다.
플레이트 (664) 의 하방에는, 리니어 모터 (85) 가 형성되어 있다. 리니어 모터 (85) 는, 고정자인 마그넷 모듈 및 이동자인 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은 기대 (10) 에 형성되어 있고, X 방향으로 연장되어 있다. 코일 모듈은 메인터넌스 유닛 (65) (여기서는, 플레이트 (664)) 의 하부에 형성되어 있다.
제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (85) 가 작동함으로써, 메인터넌스 유닛 (65) 전체가 X 방향으로 이동한다. 메인터넌스 유닛 (65) 의 X 방향 위치는, 슬라이더 (666, 667) 의 근방에 형성된 리니어 스케일 (86) 에 의해 검출된다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 척 (51) 은, 2 개의 척 부재 (51L, 51R) 를 구비한다. 척 부재 (51L, 51R) 는, XZ 평면에 관해서 서로 대칭인 형상을 가지고 있고, Y 방향으로 떨어져 배치되어 있다.
+Y 측에 배치된 척 부재 (51L) 는, 기대 (10) 에 형성되어 X 방향으로 연장되는 주행 가이드 (87L) 에 지지된다. 척 부재 (51L) 는, X 방향으로 위치를 상이하게 하여 형성된 2 개의 수평한 플레이트부와, 이들 플레이트부를 접속하는 접속부를 포함하는 베이스부 (512) 를 구비한다 (도 2 참조). 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 하부에는 슬라이더 (511) 가 1 개씩 형성되어 있다. 슬라이더 (511) 는 주행 가이드 (87L) 에 걸어 맞춤되어 있고, 이에 의해 척 부재 (51L) 는 주행 가이드 (87L) 를 따라 X 방향으로 주행 가능하다.
베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 상부 각각에는, 지지부 (513) 가 1 개씩 형성되어 있다. 지지부 (513) 는, 상방으로 연장되어 있고, 그 상단부에 흡착 패드 (도시 생략) 를 갖는다. 베이스부 (512) 가 주행 가이드 (87L) 를 따라 X 방향으로 이동하면, 이것과 일체적으로 2 개의 지지부 (513) 가 X 방향으로 이동한다. 또한, 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트 부위는 서로 분리되고, 이들 플레이트 부위가 X 방향으로 일정한 거리를 유지하면서 이동함으로써, 겉보기 상, 일체의 베이스부로서 기능하는 구조로 해도 된다. 이 거리를 기판의 길이에 따라 설정하면, 다양한 길이의 기판에 대응하는 것이 가능해진다.
척 부재 (51L) 는, 리니어 모터 (88L) 에 의해 X 방향으로 이동한다. 리니어 모터 (88L) 는, 고정자인 마그넷 모듈 및 이동자인 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은 기대 (10) 에 형성되어 있고, X 방향으로 연장된다. 코일 모듈은 척 부재 (51L) 의 하부에 형성되어 있다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (88L) 가 작동함으로써, 척 부재 (51L) 가 X 방향을 따라 이동한다. 척 부재 (51L) 의 X 방향 위치는, 주행 가이드 (87L) 의 근방에 형성된 리니어 스케일 (89L) 에 의해 검출된다.
-Y 측에 형성된 척 부재 (51R) 는, 척 부재 (51L) 와 동일하게, 베이스부 (512) 와, 2 개의 지지부 (513, 513) 를 구비하고 있다. 또한, 척 부재 (51R) 의 형상은, XZ 평면에 관해서 척 부재 (51L) 와는 대칭이다. 척 부재 (51R) 의 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 하부에는 슬라이더 (511) 가 1 개씩 형성되어 있다. 슬라이더 (511) 는 주행 가이드 (87R) 에 걸어 맞춤되어 있고, 이에 의해 척 부재 (51R) 는 주행 가이드 (87R) 를 따라 X 방향으로 주행 가능하다.
척 부재 (51R) 는, 리니어 모터 (88R) 에 의해 X 방향으로 이동 가능하다. 리니어 모터 (88R) 는, X 방향으로 연장됨과 함께 기대 (10) 에 형성된 고정자로서의 마그넷 모듈과, 척 부재 (51R) 의 하부에 형성된 이동자로서의 코일 모듈을 포함한다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (88R) 가 작동함으로써, 척 부재 (51R) 가 X 방향으로 이동한다. 척 부재 (51R) 의 X 방향 위치는, 주행 가이드 (87R) 의 근방에 형성된 리니어 스케일 (89R) 에 의해 검출된다.
제어 유닛 (9) 은, 척 부재 (51L, 51R) 가 X 방향에 있어서 항상 동일 위치가 되도록, 이들의 위치 제어를 실시한다. 이에 의해, 1 쌍의 척 부재 (51L, 51R) 가 겉보기 상 일체의 척 (51) 으로서 이동하게 된다. 이에 의해, 척 부재 (51L, 51R) 를 기계적으로 결합하는 경우에 비하여, 척 (51) 과 부상 스테이지부 (3) 의 간섭이 용이하게 회피될 수 있다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 4 개의 지지부 (513) 는 각각, 유지되는 기판 (W) 의 4 모서리에 대응하여 배치된다. 즉, 척 부재 (51L) 의 2 개의 지지부 (513) 는, 기판 (W) 의 +Y 측 주연부 (+Y 측의 주연부) 이고 제 1 방향 (D1) 에 있어서의 상류측 단부 (상류측의 단부) 와 하류측 단부 (하류측의 단부) 를 각각 유지한다. 척 부재 (51R) 의 2 개의 지지부 (513, 513) 는, 기판 (W) 의 -Y 측 주연부 (-Y 측의 주연부) 이고 제 1 방향 (D1) 에 있어서의 상류측 단부와 하류측 단부를 각각 유지한다. 각 지지부 (513) 의 흡착 패드에는 필요에 따라 부압이 공급되고, 이에 의해 기판 (W) 의 4 모서리가 척 (51) 에 의해 하방으로부터 흡착 유지된다.
척 (51) 이 기판 (W) 을 유지하면서 X 방향으로 이동함으로써 기판 (W) 이 반송된다. 이와 같이, 리니어 모터 (88L, 88R), 각 지지부 (513) 에 부압을 공급하기 위한 기구 (도시 생략) 는, 도 1 에 나타내는 흡착·주행 제어 기구 (52) 로서 기능한다.
도 1 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 척 (51) 은, 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32) 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 상면보다 상방으로 떨어트려 기판 (W) 을 유지한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 의 하면을 유지하여, 기판 (W) 을 반송한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 중 각 스테이지 (31, 32, 33) 와 대향하는 중앙 부분보다 Y 방향 외측 (Y 방향에 있어서의 외측) 의 주연부의 일부만을 유지한다. 이 때문에, 기판 (W) 의 중앙부는 주연부에 대하여 하방으로 휜다. 부상 스테이지부 (3) 는, 이 상태의 기판 (W) 의 중앙부에 부상력을 부여함으로써, 기판 (W) 의 연직 위치를 제어하고, 기판 (W) 을 수평 자세로 유지한다.
<측정기>
도포 장치 (1) 는, 복수 (여기서는 2 개) 의 측정기 (70) 를 구비한다. 측정기 (70) 는, 부상 스테이지부 (3) 에 의해 부상력이 부여되어 있는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다. 상세하게는, 측정기 (70) 는, 이미 정해진 연직 방향의 기준 위치로부터, 상면 (Wf) 의 연직 위치까지의 거리를 측정함으로써, 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다.
측정기 (70) 에 의해 측정되는 상면 (Wf) 의 연직 위치로부터, 도포 스테이지 (32) 의 상면의 높이 (연직 위치) 를 기준으로 한 상면 (Wf) 의 높이를 구할 수 있다. 또한, 이 상면 (Wf) 의 높이와, 기판 (W) 의 두께로부터 기판 (W) 의 부상량 (도포 스테이지 (32) 의 상면으로부터 부상 기판 (W) 의 하면까지의 거리) 을 구하는 것이 가능하다.
각 측정기 (70) 는, 소정 파장의 광을 출력하는 투광부 (70a) 와, 투광부 (70a) 로부터 출력되어 기판 (W) 에서 반사한 광을 검출하는 광 센서 (예를 들어, 라인 센서) 를 포함하는 수광부 (70b) 를 구비한다 (도 7 참조). 이와 같이, 각 측정기 (70) 는, 상면 (Wf) 의 연직 위치를 비접촉으로 측정할 수 있는 반사형 센서를 포함한다.
또한, 상면 (Wf) 의 연직 위치는, 광으로 측정되는 대신에 초음파로 측정되어도 된다. 이 경우, 각 측정기 (70) 는, 초음파를 출력하는 출력부와, 상면 (Wf) 에서 반사한 초음파를 검출하는 검출부를 구비하고 있으면 된다.
각 측정기 (70) 는, 연결구 (72) 를 통하여 노즐 (61) 에 연결되어 있다. 연결구 (72) 의 양측 단부 (X 방향에 있어서의 양측의 단부) 중, 일단부 (+X 측의 단부) 는 노즐 (61) 의 상류측 측면 (상류측의 측면) 에 장착 가능한 구조를 가지고 있고, 타단부 (-X 측의 단부) 는 측정기 (70) 에 장착 가능한 구조를 갖는다. 각 측정기 (70) 는, 연결구 (72) 에 지지됨으로써, 노즐 (61) 보다 상류측 (-X 측) 에 배치된다.
각 측정기 (70) 는, 연결구 (72) 를 통하여 노즐 (61) 에 연결되어 있기 때문에, 노즐 (61) 에 추종하여 이동한다. 즉, 노즐 (61) 이 이동 기구 (63) 에 의해 수평 방향 또는 연직 방향으로 이동하면, 각 측정기 (70) 도 이것에 추종하여 동일 방향으로 이동한다.
본 실시형태에서는, 이동 기구 (63) 의 동작에 의해, 각 측정기 (70) 는, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 측정 위치 (L21a, L21b) 및 상류 위치 (L22a, L22b) 에 위치 결정된다 (도 8 참조). 측정 위치 (L21a, L21b) 및 상류 위치 (L22a, L22b) 의 각각의 수평 위치는, 이미 정해진 수평 위치에 설정된다. 각 측정기 (70) 가 측정 위치 (L21a, L21b) 에 위치 결정된 상태에서, 각 측정기 (70) 는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다. 상류 위치 (L22a, L22b) 는, 측정 위치 (L21a, L21b) 로부터 제 1 방향 (D1) 의 상류측 (-X 측) 으로 떨어진 위치이다. 본 실시형태에서는, 노즐 (61) 이 하류 위치 (L12) 에 배치되면 각 측정기 (70) 가 측정 위치 (L21a, L21b) 에 배치되고, 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 배치되면 각 측정기 (70) 가 상류 위치 (L22a, L22b) 에 배치된다 (도 8 참조).
연결구 (72) 는, 본 실시형태와 같이 측정기 (70) 를 노즐 (61) 에 직접 연결해도 되지만, 당해 측정기 (70) 를 다른 부재를 통하여 노즐 (61) 에 간접적으로 연결해도 된다. 예를 들어, 연결구 (72) 는, 노즐 (61) 이 장착되는 빔 부재 (631) 에 장착 가능한 구조를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 연결구 (72) 는, 빔 부재 (631) 를 통하여 측정기 (70) 를 노즐 (61) 에 연결한다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 2 개의 측정기 (70) 는, 제 2 방향 (D2) 에 있어서, 기판 (W) 의 폭 (폭 방향의 길이) 보다 짧은 간격을 두고 형성되어 있다. 이 2 개의 측정기 (70) 를 구비함으로써, 기판 (W) 에 있어서의 폭 방향으로 상이한 2 개의 지점의 연직 위치를 측정하는 것이 가능하다. 또한, 측정기 (70) 의 수는, 2 개에 한정되는 것이 아니고, 단일이어도 되고, 혹은, 3 개 이상으로 해도 된다.
도 7 은, 실시형태의 제어 유닛 (9) 을 나타내는 개략 블록도이다. 도포 장치 (1) 는, 각 부의 동작을 제어하기 위한 제어 유닛 (9) 을 구비한다. 제어 유닛 (9) 의 하드웨어 구성은, 일반적인 컴퓨터와 동일하게 해도 된다. 제어 유닛 (9) 은, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU (91), 기본 프로그램을 기억하는 판독 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓰기 할 수 있는 메모리 (92), 각종 정보를 표시하는 디스플레이를 포함하는 표시부 (93) 를 구비한다. 메모리 (92) 로는, 주기억 장치 (RAM) 외에, 제어용 어플리케이션 (프로그램) 및 데이터 등을 기억하는 고정 디스크가 포함된다. 제어 유닛 (9) 은, 유저나 외부 장치와의 정보 교환을 담당하는 인터페이스부, 및, 가반성을 갖는 기억 매체 (광학식 미디어, 자기 미디어, 반도체 메모리 등) 에 보존된 정보 (프로그램) 를 판독하는 판독 장치를 구비하고 있어도 된다.
후술하는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 의 CPU (91) 는, 프로그램에 따라 동작함으로써, 2 개의 측정기 (70) 에 의해 측정된 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 있어서의 2 개 지점의 연직 위치의 차분치를 취득한다. 이와 같이, CPU (91) 는, 차분 취득부로서 기능한다. 또한, 차분 취득부는, 전용 회로로 구성되어 있어도 된다.
도 8 은, 실시형태의 도포 장치 (1) 가 실행하는 기판 처리 동작의 각 공정을 나타내는 도면이다. 기판 처리 동작은, 먼저, 도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 반송 공정 S11 을 포함한다. 반송 공정 S11 에서는, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부상력이 부여되어 있는 기판 (W) (이하, 「부상 기판 (W)」 이라고도 칭한다) 을, 제 1 방향 (D1) 의 하류측 (+X 방향) 을 향하여 반송한다. 요컨대, 이 때, 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) (제 1 주면) 은, 연직 방향의 상향이고, 부상 기판 (W) 의 하면 (제 2 주면) 에 부상 스테이지부 (3) 로부터 부상력이 부여되어 있다.
반송 공정 S11 은, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 정지 단계 S111 을 포함한다. 정지 단계 S111 에서는, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 을 이미 정해진 위치 (LW1) 까지 반송하여, 그 부상 기판 (W) 을 이미 정해진 위치 (LW1) 에서 정지시킨다.
여기서는, 이미 정해진 위치 (LW1) 에 배치되어 있는 부상 기판 (W) 은, 도포 스테이지 (32) 및 입구 부상 스테이지 (31) 에 걸쳐 있다. 또한, 이미 정해진 위치 (LW1) 에 배치되어 있는 부상 기판 (W) 의 상류측 단부 (상류측의 단부) 의 수평 위치 (수평 방향에 있어서의 위치) 는, 도포 스테이지 (32) 의 중앙보다 상류측이 되어 있다.
도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 정지 단계 S111 에 의해 부상 기판 (W) 이 이미 정해진 위치 (LW1) 에 정지하고 있는 상태에서, 측정 공정 S12 가 실시된다. 측정 공정 S12 는, 각 측정기 (70) 가, 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 공정이다. 각 측정기 (70) 는, 부상 기판 (W) 에 있어서의 측정 수평 위치 (XM1) 에서의 연직 위치를 측정한다. 측정 수평 위치 (XM1) 는, 측정 위치 (L21a, L21b) 에 배치되어 있는 각 측정기 (70) 가 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 영역의 제 1 방향 (D1) (X 방향) 에 있어서의 수평 위치이다. 여기서는, 측정 수평 위치 (XM1) 는, 부상 기판 (W) 을 정밀한 연직 위치에 유지할 수 있는 도포 스테이지 (32) (여기서는, 도포 스테이지 (32) 에 있어서의 제 1 방향 (D1) 의 중앙 위치) 에 설정되어 있다. 본 실시형태에서는, 정지한 상태의 부상 기판 (W) 에 대하여 연직 위치를 측정하기 때문에, 이동 중인 부상 기판 (W) 을 대상으로 하는 경우보다, 양호한 정밀도로 측정할 수 있다.
측정 공정 S12 후, 각 측정기 (70) 가 측정한 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 대하여 이상이 있는지 여부를 제어 유닛 (9) 이 판정하는 제 1 판정 공정이 실시되어도 된다. 각 측정기 (70) 가 측정한 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 값을 A1, A2 라고 한 경우, 제 1 판정 공정에서는, 이들 값 (A1, A2) 이 이미 정해진 기준 범위 내에 있는지 여부가 판정되는 것이 바람직하다. 값 (A1, A2) 중 어느 것, 또는, 쌍방이 기준 범위 외인 경우에는, 제어 유닛 (9) 이 소정의 출력 수단 (표시부 (93) 나 램프, 스피커 등) 으로 그 취지를 외부에 통지해도 된다. 또한, 이 때, 오퍼레이터가 확인할 수 있도록, 제어 유닛 (9) 이 도포 장치 (1) 의 동작을 정지시켜도 된다.
부상 기판 (W) 의 연직 위치가 이상인 이유로는, 예를 들어, 도포 스테이지 (32) 의 상면에 형성된 복수의 분출구 (321h) 또는 복수의 흡인구 (322h) 의 어느 것에 있어서의 막힘 등에 의한 부상 기판 (W) 의 부상량의 이상을 생각할 수 있다. 또한, 다른 이유로서, 부상 기판 (W) 의 두께 이상 (부상 기판 (W) 자체의 두께 이상 외에, 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 물리적으로 변동시키는 이상을 포함한다) 을 생각할 수 있다. 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 이상을 검출함으로써, 부상 기판 (W) 상에서의 처리액의 도포 불량의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 각 측정기 (70) 에 의해 제 2 방향 (D2) 으로 상이한 복수 지점에서 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정함으로써, 복수의 분출구 (321h) 또는 복수의 흡인구 (322h) 중 막힘이 발생해 있는 영역의 특정, 혹은, 두께 이상이 발생해 있는 부상 기판 (W) 의 부분의 특정을 용이하게 실시할 수 있다.
측정 공정 S12 후, 제어 유닛 (9) 이, 각 측정기 (70) 에 의해 측정된 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 값 (A1, A2) 으로부터 차분치를 구하고, 그 차분치가 기준 범위 내에 있는지 여부를 판정하는 제 2 판정 공정이 실시되어도 된다. 차분치에는, 값 (A1) 과 값 (A2) 의 차분의 값이 적용될 수 있다. 차분치를 취득함으로써, 연직 위치가 이상한 지점을 용이하게 특정할 수 있다. 제 2 판정 공정에 있어서, 차분치가 기준 범위 외에 있다고 제어 유닛 (9) 이 판정한 경우, 제어 유닛 (9) 이 소정의 출력 수단으로 그 취지를 외부에 통지해도 된다. 또한, 오퍼레이터가 확인할 수 있도록, 제어 유닛 (9) 이 도포 장치 (1) 의 동작을 정지시켜도 된다.
측정 공정 S12 가 완료되면, 도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 이 이동 공정 S13 을 실시한다. 이동 공정 S13 은, 측정기 이동 단계 S131 과, 노즐 이동 단계 S132 를 포함한다. 측정기 이동 단계 S131 에서는, 이동 기구 (63) 가, 각 측정기 (70) 를 측정 위치 (L21a, L21b) 와는 다른 위치인 상류 위치 (L22a, L22b) 를 향하여 이동시킨다. 노즐 이동 단계 S132 에서는, 이동 기구 (63) 가, 노즐 (61) 을 하류 위치 (L12) 로부터 측정 수평 위치 (XM1) 에 접근시킨다.
여기서는, 각 측정기 (70) 는, 각각 연결구 (72) 에 의해 노즐 (61) 의 상류측에 연결되어 있다. 이 때문에, 이동 기구 (63) 에 의해, 노즐 (61) 을 하류 위치 (L12) 로부터 상류측의 측정 수평 위치 (XM1) 에 접근시키는 노즐 이동 단계 S132 가 실행됨으로써, 각 측정기 (70) 가 상류측으로 이동하는 측정기 이동 단계 S131 도 동시 병행적으로 실행된다.
이 때, 노즐 (61) 의 토출구 (611) 의 제 1 방향 (D1) 에 있어서의 수평 위치가, 측정 수평 위치 (XM1) 에 일치된다.
이동 공정 S13 이 완료되면, 도 8(d) 에 나타내는 바와 같이, 도포 공정 S14 가 실시된다. 도포 공정 S14 에서는, 노즐 (61) 이 토출구 (611) 로부터 처리액을 토출하여, 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액이 공급됨과 함께, 반송 기구 (5) 가 부상 기판 (W) 을 제 1 방향 (D1) 으로 반송한다. 이에 의해, 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 중, 제 2 방향 (D2) 에 있어서의 규정폭의 영역 내에 처리액이 도포된다.
도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 여기서는, 이동 공정 S13 에 의해, 각 측정기 (70) 가 이미 정해진 상류 위치 (L22a, L22b) 에 도달하면, 노즐 (61) 의 토출구 (611) 의 제 1 방향 (D1) 에 있어서의 수평 위치가, 측정 수평 위치 (XM1) 에 일치된다. 여기서, 노즐 (61) 의 토출구 (611) 는, 연직 하향으로 개구하고 있기 때문에, 처리액은 연직 하향으로 토출된다. 그러면, 노즐 (61) 로부터 토출된 처리액이 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 부착하는 제 1 방향 (D1) 의 수평 위치인 부착 수평 위치는, 측정 수평 위치 (XM1) 와 일치한다 (연직 방향과 겹친다). 이와 같이, 본 실시형태에서는, 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정되는 영역에서, 부상 기판 (W) 에 처리액을 공급할 수 있기 때문에, 처리액을 부상 기판 (W) 에 대하여 양호하게 도포할 수 있다.
또한, 부착 수평 위치를 측정 수평 위치 (XM1) 와 일치시키는 것은 필수는 아니다. 부착 수평 위치를 측정 수평 위치 (XM1) 의 근처 (측정 수평 위치 (XM1) 를 중심으로 하는 일정한 영역 내) 로 해도 된다.
도 9 는, 실시형태의 도포 장치 (1) 의 동작의 변형예를 나타내는 도면이다. 이 변형예에서는, 이동 공정 S13 에 있어서, 측정기 이동 단계 S131 및 노즐 이동 단계 S132 후 (도 8(c) 참조), 도 9 에 나타내는 바와 같이, 노즐 연직 위치 조절 단계 S133 이 실시된다.
노즐 연직 위치 조절 단계 S133 에서는, 각 측정기 (70) 에 의해 측정된 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 따라, 노즐 (61) 의 연직 위치가 조절된다. 노즐 연직 위치 조절 단계 S133 에서는, 각 측정기 (70) 의 측정 결과로부터, 제어 유닛 (9) 의 CPU (91) 가 소정의 연산에 의해 상면 (Wf) 의 연직 위치를 산출한다. 연직 위치를 구하는 방법으로서, 예를 들어, 2 개의 측정기 (70) 에 의해 측정된 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 값을 A1, A2 라고 한 경우, 이들 값 (A1, A2) 의 평균치를 부상 기판 (W) 의 연직 위치로 하면 된다. 또는, 어느 일방의 값을 부상 기판 (W) 의 연직 위치로 해도 된다. 구해진 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 대하여 노즐 (61) 이 적합한 연직 위치에 배치되도록, 제어 유닛 (9) 이 승강 기구 (634, 635) 를 제어하여 빔 부재 (631) 를 승강시킨다. 노즐 연직 위치 조절 단계 S133 이 완료되면, 도 8(d) 에 나타내는 바와 같이, 도포 공정 S14 가 실시되는 것이 바람직하다.
노즐 연직 위치 조절 단계 S133 에 의해, 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 따라 노즐 (61) 의 연직 위치를 최적화할 수 있다. 이에 의해, 부상 기판 (W) 에 대하여 최적의 연직 위치로부터 처리액을 공급할 수 있기 때문에, 부상 기판 (W) 에 대하여 처리액을 양호하게 도포할 수 있다.
또한, 노즐 연직 위치 조절 단계 S133 은, 노즐 (61) 을 상류측으로 이동시키는 노즐 이동 단계 S132 보다 전 (여기서는, 측정기 이동 단계 S131 보다 전) 에 실시되어도 되고, 노즐 이동 단계 S132 와 병행 (여기서는, 측정기 이동 단계 S131 과 병행) 하여 실시되어도 된다. 후자의 경우에 있어서, 노즐 (61) 의 연직 위치를 조절할 필요가 있을 때, 노즐 (61) 은 수평 방향 및 연직 방향의 합성 방향으로 이동하게 된다.
도 10 은, 실시형태의 도포 장치 (1) 의 동작의 변형예를 나타내는 도면이다. 이 변형예에서는, 측정기 이동 단계 S131 에 있어서, 각 측정기 (70) 가, 측정 위치 (L21a, L21b) 로부터 상류 위치 (L22a, L22b) 로 이동하는 동안에, 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다. 이 경우, 측정 수평 위치 (XM1) 로부터 상류측의 소정 위치까지의 수평 범위에 있어서, 처리액이 미도포인 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있다. 이 수평 범위에 있어서 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 이상이 있는지 여부를 제어 유닛 (9) 이 판정하는 제 3 판정 공정이 실시되어도 된다. 예를 들어, 제어 유닛 (9) 이, 각 측정기 (70) 가 측정한 전체 지점에서의 연직 위치가, 이미 정해진 기준 범위 내에 있는지 여부를 판정하는 것이 바람직하다. 또한, 제어 유닛 (9) 은, 제 1 방향 (D1) 으로 상이한 지점간의 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 차분치를 구하여, 당해 차분치가 이미 정해진 기준 범위 내에 있는지 여부를 판정해도 된다.
본 실시형태에서는, 노즐 (61) 및 각 측정기 (70) 가 연결구 (72) 로 연결되어 있고, 이동 기구 (63) 가 이들을 일체로 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다. 그러나, 노즐 (61) 및 각 측정기 (70) 를 서로 분리하고, 이동 기구가 이들을 서로 간섭하지 않도록 개별적으로 이동시키도록 해도 된다. 단, 본 실시형태와 같이, 각 측정기 (70) 를 노즐 (61) 에 대하여 연결하여 일체로 이동시킴으로써, 이동 기구의 구성을 간략화할 수 있다.
이 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기의 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이고, 이 발명이 거기에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 이 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상정될 수 있는 것으로 해석된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나, 생략할 수 있다.
1 ; 도포 장치 (기판 처리 장치)
3 ; 부상 스테이지부 (부상 기구)
32 ; 도포 스테이지
31h, 321h, 33h ; 분출구
322h ; 흡인구
5 ; 반송 기구
51 ; 척
52 ; 흡착·주행 제어 기구
6 ; 도포 기구
61 ; 노즐
611 ; 토출구
63 ; 이동 기구
634, 635 ; 승강 기구
70 ; 측정기
70a ; 투광부
70b ; 수광부
72 ; 연결구
88L, 88R ; 리니어 모터
9 ; 제어 유닛
91 ; CPU
D1 ; 제 1 방향
D2 ; 제 2 방향
L11 ; 도포 위치
L12 ; 하류 위치
L21a, L21b ; 측정 위치
L22a, L22b ; 상류 위치
LW1 ; 이미 정해진 위치
S11 ; 반송 공정
S111 ; 정지 단계
S12 ; 측정 공정
S13 ; 이동 공정
S131 ; 측정기 이동 단계
S132 ; 노즐 이동 단계
S133 ; 노즐 연직 위치 조절 단계
S14 ; 도포 공정
W ; 기판, 부상 기판
Wf ; 상면 (제 1 주면)
XM1 ; 측정 수평 위치

Claims (15)

  1. 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향인 상기 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와,
    상기 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와,
    상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과,
    상기 부상 기판의 상기 제 1 주면의 연직 위치를 측정하는 측정기와,
    상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 상기 측정기가 상기 부상 기판의 상기 연직 위치를 미리 측정하는 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치에 가까워지도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는 이동 기구를 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이동 기구는, 상기 부착 수평 위치가 상기 측정 수평 위치에 일치하도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 부상 기구는,
    상면을 갖는 스테이지와,
    상기 상면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와,
    상기 상면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 이동 기구는, 상기 노즐을 이미 정해진 수평 위치인 도포 위치에 위치 결정함과 함께, 상기 노즐을 상기 도포 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동 가능한, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 이동 기구는, 상기 측정기를 이미 정해진 수평 위치인 측정 위치에 위치 결정함과 함께, 상기 측정기를 상기 측정 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동 가능한, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 노즐과 상기 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고,
    상기 이동 기구는 상기 연결구에 의해 연결된 상기 노즐과 상기 측정기를 일체로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 연결구는, 상기 측정기를 상기 노즐에 대하여 상기 제 1 방향의 상류측에 연결하고,
    상기 이동 기구는, 상기 노즐 및 상기 측정기를 상기 제 1 방향의 상기 상류측으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 측정기는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면에서 반사하는 광을 검출하는 반사형 센서를 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반송 기구는, 상기 부상 기판을 이미 정해진 위치까지 이동시키고 나서 정지시키고,
    상기 이동 기구는, 상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 부상 기판의 상기 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 다른 위치로 이동시킴과 함께, 상기 노즐을 상기 측정 수평 위치에 접근시키는, 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 이동 기구는, 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상기 부상 기판의 상기 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 상기 제 1 방향의 상류측의 위치로 이동시키고,
    상기 측정기는, 상기 제 1 방향의 상류측의 위치를 향하여 이동하는 동안에, 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는, 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 이동 기구는, 상기 측정기에 의해 측정된 상기 부상 기판의 연직 위치에 따라, 상기 노즐의 연직 위치를 변경하는, 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    복수의 상기 측정기가 상기 제 2 방향으로 간격을 두고 형성되어 있고,
    상기 복수의 측정기는, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향으로 상이한 복수 지점의 연직 위치를 측정 가능한, 기판 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 측정기에 의해 측정된 상기 복수 지점의 연직 위치의 차분치를 취득하는 차분 취득부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  14. 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향인 상태에서 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 공정과,
    상기 부상 기판의 상기 제 1 주면의 연직 위치를 측정하는 측정 공정과,
    상기 측정 공정 후에, 상기 반송 공정에 의해 상기 제 1 방향으로 이동되는 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면에 노즐로부터 처리액을 공급하는 도포 공정과,
    상기 측정 공정 후이고 또한 상기 도포 공정 전에, 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 상기 측정 공정에 있어서 측정기가 상기 부상 기판의 상기 연직 위치를 미리 측정한 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치에 가까워지도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 반송 공정은, 상기 부상 기판을 이미 정해진 위치까지 이동시키고 나서 정지시키는 단계를 포함하고,
    상기 이동 공정은,
    상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 측정 수평 위치에 있어서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 다른 위치로 이동시키는 단계와,
    상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 노즐을 상기 측정 수평 위치에 접근시키는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007111612A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Tokyo Electron Ltd 塗布方法及び塗布装置
KR20100108238A (ko) * 2009-03-27 2010-10-06 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 기판 도포 장치 및 기판 도포 방법
JP2012142583A (ja) 2012-02-15 2012-07-26 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
KR101276444B1 (ko) * 2005-10-13 2013-06-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 장치 및 도포 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101276444B1 (ko) * 2005-10-13 2013-06-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 장치 및 도포 방법
JP2007111612A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Tokyo Electron Ltd 塗布方法及び塗布装置
KR20100108238A (ko) * 2009-03-27 2010-10-06 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 기판 도포 장치 및 기판 도포 방법
JP2012142583A (ja) 2012-02-15 2012-07-26 Tokyo Electron Ltd 塗布装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11964471B2 (en) 2021-10-29 2024-04-23 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method using the same

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