KR102525265B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102525265B1
KR102525265B1 KR1020190078889A KR20190078889A KR102525265B1 KR 102525265 B1 KR102525265 B1 KR 102525265B1 KR 1020190078889 A KR1020190078889 A KR 1020190078889A KR 20190078889 A KR20190078889 A KR 20190078889A KR 102525265 B1 KR102525265 B1 KR 102525265B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
floating
nozzle
measuring
horizontal
Prior art date
Application number
KR1020190078889A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200004260A (ko
Inventor
유키오 도미후지
마사오 츠지
무네아키 오에
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20200004260A publication Critical patent/KR20200004260A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102525265B1 publication Critical patent/KR102525265B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

[과제] 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 처리액을 양호하게 도포하는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 도포 장치 (1) 는, 부상 스테이지부 (3) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 부상 기판 (W) 을 X 방향으로 이동시키는 반송 기구 (5) 와, 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 측정기 (72) 와, 측정기 (72) 를 Y 방향으로 이동시키는 측정기 이동부 (76) 를 구비한다. 측정기 (72) 는, Y 방향으로 이동됨으로써, Y 방향의 상이한 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이고, 특히, 부상력이 부여되어 반송되는 기판에의 처리액의 도포를 바람직하게 실시하는 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 기판, 액정 표시 장치 및 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 전자 부품 등의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 장치가 이용되고 있다. 이와 같은 도포 장치로서, 기판의 이면에 에어를 분무하여 기판을 부상시킨 상태에서 당해 기판을 반송하면서, 당해 기판의 표면 (기판의 주면 (主面) 에 상당) 에 대해 기판의 폭 방향으로 연장되는 노즐로부터 도포액을 토출하여 기판에 도포액을 도포하는 장치가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1).
특허문헌 1 에 기재된 기판 처리 장치에서는, 부상 스테이지 상에서 기판을 수평 자세로 부상시키면서, 기판의 주연부를 유지하여 수평 방향으로 주행시킴으로써 당해 기판을 반송하고, 기판 반송 경로의 상방에 배치된 슬릿 노즐로부터 도포액을 토출시킨다.
특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 기판의 상방에 있어서, 기판의 부상 높이를 측정하는 광학식 거리 센서가 구비되어 있다. 기판의 부상 높이에 따라 슬릿 노즐의 높이를 조정하면서 도포액을 공급하는 것이 가능하게 되어 있다.
일본 공개특허공보 2012-142583호
그러나, 특허문헌 1 에서는, 광학식 거리 센서는, 슬릿 노즐에 고정되어 있기 때문에, 반송 방향에 직교하는 횡 방향 (기판의 폭 방향) 에 관해서 고정된 위치에서밖에 기판의 부상 높이를 측정할 수 없다. 이 때문에, 기판의 횡 방향에 있어서의 부상 높이의 분포를 얻을 수 없었다. 예를 들어, 부상 스테이지의 부상력이 부족한 것 등에 의해, 횡 방향에 있어서의 기판의 부상 높이에 편차가 발생한 경우에, 처리액의 도포 불량이 일어날 우려가 있었다.
그래서, 본 발명은, 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 처리액을 양호하게 도포하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와, 상기 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과, 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기와, 상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시키는 측정기 이동 기구를 구비한다.
제 2 양태는, 제 1 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를 상기 제 2 방향 및 상기 제 1 방향의 상류측 및 하류측으로 이동시킨다.
제 3 양태는, 제 2 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 노즐에 대해 상기 제 1 방향의 상류측의 위치이고, 적어도 상기 노즐의 상기 토출구의 선단부와 수평 방향으로 겹치는 위치에 설치되는 완충부를 추가로 구비한다.
제 4 양태는, 제 3 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착되는 수평 위치인 부착 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치로부터, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출할 때의 상기 완충부의 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치까지의 사이에서 상기 제 2 방향으로 이동시킨다.
제 5 양태는, 제 1 양태 내지 제 4 양태의 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 제 2 방향의 상이한 위치에서 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 복수의 상기 측정기를 갖는다.
제 6 양태는, 제 5 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 복수의 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고, 상기 측정기 이동 기구는, 상기 연결구를 상기 제 2 방향으로 이동시킨다.
제 7 양태는, 제 1 양태 내지 제 6 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 부상 기구는, 수평면을 갖는 스테이지와, 상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와, 상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함한다.
제 8 양태는, 제 1 양태 내지 제 7 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 측정기 이동 기구는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 방향 하류측의 단부 (端部) 가 상기 스테이지의 상기 제 1 방향 하류측의 가장자리부에 배치된 상태에서, 상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시킨다.
제 9 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, (a) 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 공정과, (b) 상기 공정 (a) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 공정과, (c) 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기를, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향의 복수점에 있어서의 연직 위치를 측정하는 공정을 포함한다.
제 1 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기를 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 제 2 방향을 따라 연직 위치를 측정할 수 있다. 이 때문에, 기판의 제 2 방향을 따르는 복수점에서 연직 위치를 측정할 수 있다. 이로써, 제 2 방향에 있어서, 부상 기구에 의한, 기판의 부상 높이 이상을 검출할 수 있기 때문에, 기판에 처리액을 양호하게 도포할 수 있다.
제 2 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 제 1 방향 및 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 기판의 제 1 주면의 면내의 복수점의 연직 위치를 측정할 수 있다.
제 3 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기판 상의 이물질이 있던 경우에, 노즐의 토출구보다 먼저 완충부가 당해 이물질에 충돌한다. 이로써, 노즐의 선단부를 이물질로부터 보호할 수 있다.
제 4 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 노즐로부터 처리액을 토출할 때에 완충부가 배치되는 수평 위치에 있어서, 기판의 연직 위치를 측정할 수 있기 때문에, 완충부의 위치에 있어서의 부상 높이의 이상을 검출할 수 있다. 따라서, 도포 처리 시에, 기판이 완충부에 접촉하는 것을 저감할 수 있다.
제 5 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 동시에 복수점에서 부상 기판의 연직 위치를 측정할 수 있기 때문에, 단일의 측정기를 Y 방향으로 이동시키는 경우보다, 이동 거리를 짧게 할 수 있기 때문에, 측정 시간을 단축할 수 있다.
제 6 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 복수의 측정기를 일체로 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 복수의 측정기를 독립적으로 이동시키는 경우에 비해, 이동 기구의 구성을 간이화할 수 있다.
제 7 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 처리 대상인 기판에 에어를 분출하면서, 또한, 흡인함으로써, 정밀하게 반송할 수 있다.
제 8 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 부상 기판의 하류측의 단부가 스테이지의 하류측의 가장자리부에 배치되기 때문에, 스테이지의 하류측의 단부에 형성되어 있는 흡인구의 막힘에 의한, 기판의 부상 높이의 이상을 검출할 수 있다.
제 9 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 측정기를 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 제 2 방향을 따라 연직 위치를 측정할 수 있다. 이 때문에, 기판의 제 2 방향을 따르는 복수점에서 연직 위치를 측정할 수 있다. 이로써, 제 2 방향에 있어서, 부상 기구에 의한, 기판의 부상 높이 이상을 검출할 수 있기 때문에, 기판에 처리액을 양호하게 도포할 수 있다.
도 1 은 실시형태의 기판 처리 장치의 일례인 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 2 는 실시형태의 도포 장치 (1) 를 연직 방향 상측으로부터 본 개략 평면도이다.
도 3 은 실시형태의 도포 기구 (6) 를 제외한 도포 장치 (1) 를 나타내는 개략 평면도이다.
도 4 는 도 2 에 나타내는 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 도포 장치 (1) 의 개략 단면도이다.
도 5 는 실시형태의 부상 스테이지부 (3) 의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6 은 노즐 지지체 (601) 및 측정 유닛 (70) 을 나타내는 개략 평면도이다.
도 7 은 노즐 (61), 측정 유닛 (70) 및 완충부 (80) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 8 은 노즐 (61), 측정 유닛 (70) 및 완충부 (80) 를 나타내는 개략 정면도이다.
도 9 는 실시형태의 제어 유닛 (9) 을 나타내는 개략 블록도이다.
도 10 은 도포 장치 (1) 가 실행하는 연직 위치 측정 처리의 각 공정을 나타내는 도면이다.
도 11 은 도포 장치 (1) 가 실행하는 연직 위치 측정 처리의 각 공정을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이고, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해 용이를 위하여, 필요에 따라 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화하여 도시되어 있는 경우가 있다.
상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현 (예를 들어 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등) 은, 특별히 기재하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관해서 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 동일한 상태인 것을 나타내는 표현 (예를 들어 「동일」 「동일하다」 「균질」 「일치」 등) 은, 특별히 기재하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 동일한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현 (예를 들어, 「사각형상」 또는 「원통형상」등) 은, 특별히 기재하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들어 요철이나 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 「∼ 의 상」이란, 특별히 기재하지 않는 한, 2 개의 요소가 접하고 있는 경우 외에, 2 개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함한다.
<1. 제 1 실시형태>
도 1 은, 실시형태의 기판 처리 장치의 일례인 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 2 는, 실시형태의 도포 장치 (1) 를 연직 방향 상측으로부터 본 개략 평면도이다. 도 3 은, 실시형태의 도포 기구 (6) 를 제외한 도포 장치 (1) 를 나타내는 개략 평면도이다. 도 4 는, 도 2 에 나타내는 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 도포 장치 (1) 의 개략 단면도이다. 도 5 는, 실시형태의 부상 스테이지부 (3) 의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.
도포 장치 (1) 는, 사각형상의 기판 (W) 을 수평 자세 (기판 (W) 의 상면 (Wf) (제 1 주면) 및 하면 (제 2 주면) 이 수평면 (XY 평면) 에 대해 평행이 되는 자세) 로 반송함과 함께, 당해 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액 (도포액) 을 도포하는 슬릿 코터이다. 각 도면에 있어서, 도포 장치 (1) 의 각 부의 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 기판 (W) 이 반송되는 제 1 방향 D1 에 평행한 방향을 「X 방향」으로 하고, 입력 컨베이어 (100) 로부터 출력 컨베이어 (110) 를 향하는 방향을 「+X 방향」, 그 역방향을 「-X 방향」으로 한다. X 방향과 직교하는 수평 방향을 「Y 방향」으로 하고, 도 1 의 앞을 향하는 방향을 「-Y 방향」, 그 역방향을 「+Y 방향」으로 한다. X 방향 및 Y 방향에 직교하는 연직 방향을 Z 방향으로 하고, 부상 스테이지부 (3) 로부터 보아 도포 기구 (6) 측을 향하는 상향을 「+Z 방향」, 그 역방향을 「-Z 방향」으로 한다.
도포 장치 (1) 의 기본적 구성이나 동작 원리는, 일본 공개특허공보 2010-227850호, 일본 공개특허공보 2010-240550 공보에 기재된 것과, 부분적으로 공통 또는 유사하다. 그래서, 본 명세서에서는, 도포 장치 (1) 의 각 구성 중 이들 공지 문헌에 기재된 것과 동일 또는 기술 상식 등에 기초하여 용이하게 유추할 수 있는 구성에 대해서는, 적절히 생략하는 경우가 있다.
도포 장치 (1) 는, 기판 (W) 이 반송되는 제 1 방향 D1 (+X 방향) 을 따라, 순서대로, 입력 컨베이어 (100), 입력 이재부 (2), 부상 스테이지부 (3), 출력 이재부 (4), 출력 컨베이어 (110) 를 구비한다. 이들은, 서로 근접하도록 배치되어 있고, 이들에 의해, 기판 (W) 의 반송 경로가 형성된다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판의 반송 방향인 제 1 방향 D1 과 관련지어 위치 관계를 나타낼 때, 「제 1 방향의 상류측」 을 간단히 「상류측」으로, 「제 1 방향 D1 의 하류측」을 「하류측」으로 약기하는 경우가 있다. 본 예에서는, 어느 기준 위치로부터 보아, -X 측이 「상류측」 이고, +X 측이 「하류측」이다.
입력 컨베이어 (100) 는, 롤러 컨베이어 (101) 와, 롤러 컨베이어 (101) 를 회전 구동하는 회전 구동 기구 (102) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (101) 의 회전에 의해, 기판 (W) 은 수평 자세로 하류측 (+X 측) 으로 반송된다.
입력 이재부 (2) 는, 롤러 컨베이어 (21) 와, 롤러 컨베이어 (21) 를 회전시키는 회전 구동 기구 (22) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (21) 가 회전함으로써, 기판 (W) 은 +X 방향으로 반송된다. 또, 롤러 컨베이어 (21) 가 승강함으로써, 기판 (W) 의 연직 위치가 변경된다. 입력 이재부 (2) 의 동작에 의해, 기판 (W) 은, 입력 컨베이어 (100) 로부터 부상 스테이지부 (3) 로 이재된다.
부상 스테이지부 (3) 는, 제 1 방향 D1 을 따라, 3 개의 평판상의 스테이지를 포함한다. 구체적으로는, 부상 스테이지부 (3) 는, 제 1 방향 D1 을 따라 순서대로 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32), 출구 부상 스테이지 (33) 를 구비한다. 이들 각 스테이지의 상면은, 동일 평면 상에 있다.
입구 부상 스테이지 (31) 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 각각의 상면에는, 부상 제어 기구 (35) 로부터 공급되는 에어 (압축 공기) 를 분출하는 복수의 분출구 (31h, 33h) 가 매트릭스상으로 형성되어 있다. 복수의 분출구 (31h, 33h) 로부터 분출되는 압축 공기에 의해, 기판 (W) 에 부상력이 부력되고, 기판 (W) 의 하면 (제 2 주면) 과 각 스테이지 (31, 33) 의 상면으로부터 이간한 상태에서 수평 자세로 지지된다. 기판 (W) 의 하면과 스테이지 (31, 33) 의 상면의 거리는, 예를 들어 10 - 500 ㎛ (마이크로미터) 로 해도 된다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 도포 스테이지 (32) 의 상면에는, 에어 (압축 공기) 를 분출하는 복수의 분출구 (321h) 와, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 분위기를 흡인하는 복수의 흡인구 (322h) 가 형성되어 있다. 도포 스테이지 (32) 의 상면에서는, 분출구 (321h) 와 흡인구 (322h) 가, X 방향 및 Y 방향을 따라 교대로 형성되어 있다. 부상 제어 기구 (35) 가 각 분출구 (321h) 로부터의 압축 공기의 분출량과 각 흡인구 (322h) 로부터의 분위기의 흡인량이 밸런스를 이루도록 제어함으로써, 기판 (W) 의 하면과 도포 스테이지 (32) 의 상면의 거리가 정밀하게 제어된다. 이로써, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 통과하는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치가 기정값으로 제어된다. 부상 스테이지부 (3) 의 구성으로는, 일본 공개특허공보 2010-227850호에 기재된 것을 적용해도 된다.
도포 스테이지 (32) 는, +X 방향을 향해 순서대로, 상류 영역 (32A), 중간 영역 (32B), 및, 하류 영역 (32C) 을 가지고 있다. 여기서는, 도포 스테이지 (32) 의 상면을 X 방향으로 1/3 씩 분할함으로써 얻어지는 3 개의 영역 각각이 상류 영역 (32A), 중간 영역 (32B) 및 하류 영역 (32C) 이고, 중간 영역 (32B) 이 도포 스테이지 (32) 의 상면의 중앙을 차지하는 영역으로 되어 있다.
상류 영역 (32A) 및 하류 영역 (32C) 각각보다 중간 영역 (32B) 쪽에 있어서, 분출구 (321h) 및 흡인구 (322h) 의 분포 밀도 (단위면적당의 수량) 가 크게 되어 있다. 이 때문에, 중간 영역 (32B) 은, 상류 영역 (32A) 및 하류 영역 (32C) 각각보다, 기판 (W) 의 부상량을 정밀하게 제어하는 것이 가능하게 되어 있다.
중간 영역 (32B) 의 상방에 노즐 (61) 의 도포 위치 (L11) 가 설정된다. 즉, 중간 영역 (32B) 의 상방에 노즐 (61) 의 토출구 (611) 가 배치된 상태에서, 도포 스테이지 (32) 로부터 부상력이 부여된 기판 (W) (이하, 「부상 기판 (W)」이라고도 칭한다.) 에 토출구 (611) 로부터의 처리액이 공급된다. 그리고, 토출구 (611) 로부터 토출된 처리액이, 부상 기판 (W) 에 부착될 때의 수평 방향의 위치인 수평 위치도, 중간 영역 (32B) 의 상방으로 된다. 이와 같이, 부상량의 정밀한 제어가 가능한 중간 영역 (32B) 상에서 부상 기판 (W) 에 처리액을 공급함으로써, 도포 처리를 양호하게 실시할 수 있다.
입력 이재부 (2) 를 개재하여 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (W) 은, 롤러 컨베이어 (21) 의 회전에 의해, +X 방향으로의 추진력을 얻고, 입구 부상 스테이지 (31) 상으로 반송된다. 부상 스테이지부 (3) 에 있어서의 기판 (W) 의 반송은, 반송 기구 (5) 에 의해 실시된다.
반송 기구 (5) 는, 척 (51) 및 흡착·주행 제어 기구 (52) 를 구비한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 의 하면 주연부에 부분적으로 맞닿음으로써 기판 (W) 을 하방으로부터 지지한다. 흡착·주행 제어 기구 (52) 는, 척 (51) 상단의 지지 부위에 설치된 흡착 패드에 부압을 부여하여, 척 (51) 에 기판 (W) 을 흡착 유지시키는 기능을 구비한다. 또, 흡착·주행 제어 기구 (52) 는, 척 (51) 을 X 방향을 따라 직선상으로 왕복 주행시키는 기능을 구비한다.
척 (51) 이 기판 (W) 를 유지하는 상태에서는, 기판 (W) 의 하면은, 부상 스테이지부 (3) 의 각 스테이지 (31, 32, 33) 의 상면보다 +Z 측에 위치한다. 기판 (W) 은, 척 (51) 에 의해 주연부를 흡착 유지하고, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부여되는 부상력에 의해 전체적으로 수평 자세를 유지한다.
입력 이재부 (2) 로부터 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (W) 을 척 (51) 이 유지하고, 이 상태에서 척 (51) 이 +X 방향으로 이동함으로써, 기판 (W) 이 입구 부상 스테이지 (31) 의 상방으로부터, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 경유하여, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로 반송된다. 기판 (W) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 의 +X 측에 배치된 출력 이재부 (4) 로 건네진다.
출력 이재부 (4) 는, 롤러 컨베이어 (41) 와, 당해 롤러 컨베이어 (41) 를 회전 구동하는 회전 구동 기구 (42) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (41) 가 회전함으로써, 기판 (W) 에 +X 방향으로의 추진력이 부여되고, 기판 (W) 이 제 1 방향 D1 로 반송된다. 출력 이재부 (4) 의 동작에 의해, 기판 (W) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로부터 출력 컨베이어 (110) 로 이재된다.
출력 컨베이어 (110) 는, 롤러 컨베이어 (111) 를 회전시키는 회전 구동 기구 (112) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (111) 의 회전에 의해, 기판 (W) 은 +X 방향으로 반송되어 도포 장치 (1) 의 외부로 배출된다. 입력 컨베이어 (100) 및 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 일부로서 설치되어 있어도 되지만, 도포 장치 (1) 와는 별체여도 된다. 예를 들어, 입력 컨베이어 (100) 는, 도포 장치 (1) 의 상류측에 설치되는 별도 유닛의 기판 배출 기구여도 된다. 또, 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 하류측에 설치되는 별도 유닛의 기판 수용 기구여도 된다.
기판 (W) 의 반송 경로 상에는, 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액을 도포하는 도포 기구 (6) 가 설치되어 있다. 도포 기구 (6) 는, 처리액을 토출하는 노즐 (61) 을 포함하는 노즐 유닛 (60), 노즐 (61) 을 위치 결정하는 노즐 이동 기구 (63), 노즐 (61) 을 메인터넌스하는 메인터넌스 유닛 (65) 을 구비한다.
노즐 (61) 은, 제 1 방향 D1 에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향 D2 (Y 방향) 으로 연장되는 부재이다. 노즐 (61) 의 하단부는, 폭 방향으로 연장됨과 함께 하향으로 개구하는 토출구 (611) 를 갖는다. 토출구 (611) 로부터는, 처리액이 토출된다.
노즐 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 에 대해, X 방향 및 Z 방향으로 이동시켜 위치 결정한다. 노즐 이동 기구 (63) 의 동작에 의해, 노즐 (61) 은, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 도포 위치 (L11) 에 위치 결정된다. 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 위치 결정된 상태에서, 노즐 (61) 이 기판 (W) 의 상면 (Wf) 을 향하여 처리액을 토출함으로써, 기판 (W) 에 처리액이 도포된다. 이와 같이, 도포 위치 (L11) 는, 도포를 실행할 때의 노즐 (61) 의 위치이다.
노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 배치된 상태에서, 처리액이 기판 (W) 에 토출됨으로써, 기판 (W) 의 상면 (Wf) 중, 주연부를 제외한 내측의 도포 대상 영역에, 처리액의 도막이 형성된다.
메인터넌스 유닛 (65) 은, 배트 (651), 예비 토출 롤러 (652), 노즐 클리너 (653) 및 메인터넌스 제어 기구 (654) 를 구비한다. 배트 (651) 는, 노즐 (61) 의 세정에 사용되는 세정액을 저류한다. 메인터넌스 제어 기구 (654) 는, 예비 토출 롤러 (652) 및 노즐 클리너 (653) 를 제어한다. 메인터넌스 유닛 (65) 의 구성으로서, 예를 들어 일본 공개특허공보 2010-240550호에 기재된 구성을 적용해도 된다.
노즐 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 토출구 (611) 가 예비 토출 롤러 (652) 의 상방에서 그 표면에 대향하는 예비 토출 위치 (L13) 에 위치 결정한다. 노즐 (61) 은, 예비 토출 위치 (L13) 에서, 토출구 (611) 로부터 예비 토출 롤러 (652) 의 표면에 대해 처리액을 토출한다 (예비 토출 처리). 노즐 (61) 은, 상기 서술한 도포 위치 (L11) 에 위치 결정되기 전에 예비 토출 위치 (L13) 에 위치 결정되어 예비 토출 처리를 실행한다. 이로써, 기판 (W) 에 대한 처리액의 토출을, 초기 단계부터 안정시킬 수 있다. 메인터넌스 제어 기구 (654) 가 예비 토출 롤러 (652) 를 회전시키면, 노즐 (61) 로부터 토출된 처리액은, 배트 (651) 에 저류된 세정액에 혼합되어 회수된다.
노즐 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 그 선단부 (토출구 (611) 및 그 근방의 영역을 포함한다.) 가 노즐 클리너 (653) 의 상방에 대향하는 세정 위치 (L14) 에 위치 결정한다. 노즐 (61) 이 세정 위치 (L14) 에 있는 상태에서, 노즐 클리너 (653) 가 세정액을 토출하면서 노즐 (61) 의 폭 방향 (Y 방향) 으로 이동함으로써, 노즐 (61) 의 선단부에 부착된 처리액 등이 씻겨진다.
노즐 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 세정 위치 (L14) 보다 하방이고, 노즐 (61) 의 하단부가 배트 (651) 내에 수용되는 대기 위치에 위치 결정해도 된다. 도포 장치 (1) 에 있어서 노즐 (61) 을 사용한 도포 처리가 실행되지 않을 때에, 노즐 (61) 이 당해 대기 위치에 위치 결정되어도 된다. 도시를 생략하지만, 대기 위치에 위치 결정된 노즐 (61) 의 토출구 (611) 에 있어서의 처리액의 건조를 방지하기 위한 대기 포드가 구비되어 있어도 된다.
도 1 에서는, 예비 토출 위치 (L13) 에 있는 노즐 (61) 이 실선으로, 도포 위치 (L11), 하류 위치 (L12) 및 세정 위치 (L14) 에 있는 노즐 (61) 이 파선으로 각각 나타나 있다.
본 실시형태의 도포 기구 (6) 는, 1 개의 노즐 (61) 만을 구비하고 있지만, 복수의 노즐 (61) 을 구비하고 있어도 된다. 복수의 노즐 (61) 은, 제 1 방향 D1 을 따라 간격을 두고 구비되어 있어도 된다. 이 경우에 있어서, 복수의 노즐 (61) 에 대해 상이한 처리액을 공급함으로써, 상이한 처리액을 기판 (W) 에 도포하도록 해도 된다. 또, 각 노즐 (61) 에 대응하는 노즐 이동 기구 (63) 및 메인터넌스 유닛 (65) 을 각각 설치해도 된다. 또한, 메인터넌스 유닛 (65) 은, 2 개 이상의 노즐 (61) 이 공유하여 이용할 수 있도록 해도 된다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (60) 은, 부상 스테이지부 (3) 의 상방에서 Y 방향으로 연장되는 대들보 부재 (631) 와, 당해 대들보 부재 (631) 의 양측 단부를 지지하는 2 개의 기둥 부재 (632, 633) 를 포함하는 가교 구조를 갖는다. 기둥 부재 (632, 633) 는, 기대 (10) 로부터 상방으로 수직 형성되어 있다. 기둥 부재 (632) 에는 승강 기구 (634) 가 장착되어 있고, 기둥 부재 (633) 에는 승강 기구 (635) 가 장착되어 있다. 승강 기구 (634, 635) 는, 예를 들어 볼 나사 기구를 포함한다. 승강 기구 (634) 에는 대들보 부재 (631) 의 +Y 측 단부가, 승강 기구 (635) 에는 대들보 부재 (631) 의 -Y 측 단부가 장착되어 있고, 승강 기구 (634, 635) 에 의해 대들보 부재 (631) 가 지지된다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 승강 기구 (634, 635) 가 연동함으로써, 대들보 부재 (631) 가 수평 자세인 채 연직 방향 (Z 방향) 으로 이동한다.
도면에 나타내는 바와 같이, 대들보 부재 (631) 의 중앙 하부에는, Y 축 방향으로 연장되는 노즐 지지체 (601) 가 설치되어 있다. 도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 노즐 지지체 (601) 의 하부에는, -Y 쪽측으로부터 본 형상이 L 자상인 중간부 (603) 가 장착되어 있다. 노즐 (61) 은, 당해 중간부 (603) 의 수평으로 연장되는 부분의 하부에, 노즐 (61) 이 장착되어 있다. 노즐 (61) 은, 토출구 (611) 를 하향으로 한 자세로 노즐 지지체 (601) 에 장착되어 있다. 승강 기구 (634, 635) 가 작동함으로써, 노즐 지지체 (601) 및 노즐 (61) 이 연직 방향 (Z 방향) 으로 이동한다.
기둥 부재 (632, 633) 는, 기대 (10) 상에 있어서 이동 가능하게 구성되어 있다. X 방향으로 연장되는 2 개의 주행 가이드 (81L, 81R) 가, 기대 (10) 의 상면에 있어서의 +Y 측 단부 및 -Y 측 단부에 설치되어 있다. 기둥 부재 (632) 는 그 하부에 장착된 슬라이더 (636) 를 개재하여 +Y 측의 주행 가이드 (81L) 에 걸어맞춰져 있고, 기둥 부재 (633) 는 그 하부에 장착된 슬라이더 (637) 룰 개재하여 -Y 측의 주행 가이드 (81R) 에 걸어맞춰져 있다. 슬라이더 (636, 637) 는, 주행 가이드 (81L, 81R) 를 따라 X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있다.
기둥 부재 (632, 633) 는, 리니어 모터 (82L, 82R) 의 작동에 의해 X 방향으로 이동한다. 리니어 모터 (82L, 82R) 는, 고정자로서의 마그넷 모듈과, 이동자로서의 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은, 기대 (10) 에 설치되어 있고, X 방향으로 연장되어 있다. 코일 모듈은, 기둥 부재 (632, 633) 의 각각의 하부에 장착되어 있다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (82L, 82R) 의 이동자가 작동함으로써, 노즐 유닛 (60) 전체가 X 방향을 따라 이동한다. 이로써, 노즐 (61) 의 X 방향 (제 1 방향 D1) 으로의 이동이 실현된다. 기둥 부재 (632, 633) 의 X 방향 위치는, 슬라이더 (636, 637) 의 근방에 설치된 리니어 스케일 (83L, 83R) 에 의해 검출된다.
이와 같이, 노즐 지지체 (601) 및 노즐 (61) 은, 승강 기구 (634, 635) 의 작동에 의해 Z 방향으로 이동하고, 리니어 모터 (82L, 82R) 의 작동에 의해 X 방향으로 이동한다. 즉, 제어 유닛 (9) 이 승강 기구 (634, 635) 및 리니어 모터 (82L, 82R) 를 제어함으로써, 노즐 (61) 의 각 정지 위치 (L11-L14) 에의 위치 결정이 실현된다. 따라서, 승강 기구 (634, 635) 및 리니어 모터 (82L, 82R) 는, 노즐 이동 기구 (63) 로서 기능한다.
메인터넌스 유닛 (65) 으로는, 일본 공개특허공보 2010-240550호에 기재된 것을 채용해도 된다. 배트 (651) 는 Y 방향으로 연장되는 대들보 부재 (661) 에 의해 지지된다. 대들보 부재 (661) 의 양단부 중, 일단부는 기둥 부재 (662) 로 지지되고, 타단부는 기둥 부재 (663) 로 지지되고 있다. 기둥 부재 (662, 663) 는, Y 방향으로 연장되는 플레이트 (664) 의 Y 방향 양단부에 각각 장착되어 있다.
플레이트 (664) 의 양단부의 하방에는, 각각, X 방향으로 연장되는 2 개의 주행 가이드 (84L, 84R) 가 설치되어 있다. 2 개의 주행 가이드 (84L, 84R) 는, 기대 (10) 의 상면에 설치되어 있다. 플레이트 (664) 의 하면의 Y 방향 양단부 중, +Y 측 단부에는 슬라이더 (666) 가 설치되고, -Y 측 단부에는 슬라이더 (667) 가 설치되어 있다. 슬라이더 (666, 667) 는, 주행 가이드 (84L, 84R) 에 걸어맞춰지고, X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다.
플레이트 (664) 의 하방에는, 리니어 모터 (85) 가 설치되어 있다. 리니어 모터 (85) 는, 고정자인 마그넷 모듈 및 이동자인 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은 기대 (10) 에 설치되어 있고, X 방향으로 연장되어 있다. 코일 모듈은 메인터넌스 유닛 (65) (여기서는, 플레이트 (664)) 의 하부에 설치되어 있다.
제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (85) 가 작동함으로써, 메인터넌스 유닛 (65) 전체가 X 방향으로 이동한다. 메인터넌스 유닛 (65) 의 X 방향 위치는, 슬라이더 (666, 667) 의 근방에 설치된 리니어 스케일 (86) 에 의해 검출된다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 척 (51) 은, 2 개의 척 부재 (51L, 51R) 를 구비한다. 척 부재 (51L, 51R) 는, XZ 평면에 관해서 서로 대칭인 형상을 가지고 있고, Y 방향으로 떨어져 배치되어 있다.
+Y 측에 배치된 척 부재 (51L) 는, 기대 (10) 에 설치되고 X 방향으로 연장되는 주행 가이드 (87L) 에 지지된다. 척 부재 (51L) 는, X 방향으로 위치를 상이하게 하여 설치된 2 개의 수평인 플레이트부와, 이들 플레이트부를 접속하는 접속부를 포함하는 베이스부 (512) 를 구비한다 (도 2 참조). 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 하부에는 슬라이더 (511) 가 1 개씩 설치되어 있다. 슬라이더 (511) 는 주행 가이드 (87L) 에 걸어맞춰져 있고, 이로써 척 부재 (51L) 는 주행 가이드 (87L) 를 따라 X 방향으로 주행 가능하다.
베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 상부 각각에는, 지지부 (513) 가 1 개씩 설치되어 있다. 지지부 (513) 는, 상방으로 연장되어 있고, 그 상단부에 흡착 패드 (도시 생략) 를 갖는다. 베이스부 (512) 가 주행 가이드 (87L) 를 따라 X 방향으로 이동하면, 이것과 일체적으로 2 개의 지지부 (513) 가 X 방향으로 이동한다. 또한, 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트 부위는 서로 분리되고, 이들 플레이트 부위가 X 방향으로 일정한 거리를 유지하면서 이동함으로써, 외관상, 일체의 베이스부로서 기능하는 구조로 해도 된다. 이 거리를 기판의 길이에 따라 설정하면, 여러 가지 길이의 기판에 대응하는 것이 가능해진다.
척 부재 (51L) 는, 리니어 모터 (88L) 에 의해 X 방향으로 이동한다. 리니어 모터 (88) 는, 고정자인 마그넷 모듈 및 이동자인 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은 기대 (10) 에 설치되어 있고, X 방향으로 연장된다. 코일 모듈은 척 부재 (51L) 의 하부에 설치되어 있다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (88L) 가 작동함으로써, 척 부재 (51L) 가 X 방향을 따라 이동한다. 척 부재 (51L) 의 X 방향 위치는, 주행 가이드 (87L) 의 근방에 설치된 리니어 스케일 (89L) 에 의해 검출된다.
-Y 측에 설치된 척 부재 (51R) 는, 척 부재 (51L) 와 마찬가지로, 척 부재 (51R) 는, 베이스부 (512) 와, 2 개의 지지부 (513, 513) 를 구비하고 있다. 또한, 척 부재 (51R) 의 형상은, XZ 평면에 관해서 척 부재 (51L) 와는 대칭이다. 척 부재 (51R) 의 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 하부에는 슬라이더 (511) 가 1 개씩 설치되어 있다. 슬라이더 (511) 는 주행 가이드 (87R) 에 걸어맞춰져 있고, 이로써 척 부재 (51R) 는 주행 가이드 (87R) 를 따라 X 방향으로 주행 가능하다.
척 부재 (51R) 는, 리니어 모터 (88R) 에 의해 X 방향으로 이동 가능하다. 리니어 모터 (88R) 는, X 방향으로 연장됨과 함께 기대 (10) 에 설치된 고정자로서의 마그넷 모듈과, 척 부재 (51R) 의 하부에 설치된 이동자로서의 코일 모듈을 포함한다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (88R) 가 작동함으로써, 척 부재 (51R) 가 X 방향으로 이동한다. 척 부재 (51R) 의 X 방향 위치는, 주행 가이드 (87R) 의 근방에 설치된 리니어 스케일 (89R) 에 의해 검출된다.
제어 유닛 (9) 은, 척 부재 (51L, 51R) 가 X 방향에 있어서 항상 동일 위치가 되도록, 이들의 위치 제어를 실시한다. 이로써, 1 쌍의 척 부재 (51L, 51R) 가 외관상 일체의 척 (51) 으로서 이동하게 된다. 척 부재 (51L, 51R) 를 기계적으로 결합하는 경우에 비해, 척 (51) 과 부상 스테이지부 (3) 의 간섭이 용이하게 회피될 수 있다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 4 개의 지지부 (513) 는 각각, 유지되는 기판 (W) 의 네 모퉁이에 대응하여 배치된다. 즉, 척 부재 (51L) 의 2 개의 지지부 (513) 는, 기판 (W) 의 +Y 측 주연부이고 제 1 방향 D1 에 있어서의 상류측 단부와 하류측 단부를 각각 유지한다. 척 부재 (51R) 의 2 개의 지지부 (513, 513) 는, 기판 (W) 의 -Y 측 주연부이고 제 1 방향 D1 에 있어서의 상류측 단부와 하류측 단부를 각각 유지한다. 각 지지부 (513) 의 흡착 패드에는 필요에 따라 부압이 공급되고, 이로써 기판 (W) 의 네 모퉁이가 척 (51) 에 의해 하방으로부터 흡착 유지된다.
척 (51) 이 기판 (W) 을 유지하면서 X 방향으로 이동함으로써 기판 (W) 이 반송된다. 이와 같이, 리니어 모터 (88L 88R), 각 지지부 (513) 에 부압을 공급하기 위한 기구 (도시 생략) 는, 도 1 에 나타내는 흡착·주행 제어 기구 (52) 로서 기능한다.
도 1 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 척 (51) 은, 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32) 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 상면보다 상방으로 떨어져 기판 (W) 을 유지한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 의 하면을 유지하고, 기판 (W) 을 반송한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 중 각 스테이지 (31, 32, 33) 와 대향하는 중앙 부분보다 Y 방향 외측의 주연부의 일부만을 유지한다. 이 때문에, 기판 (W) 의 중앙부는 주연부에 대해 하방으로 휜다. 부상 스테이지부 (3) 는, 이 상태의 기판 (W) 의 중앙부에 부상력을 부여함으로써, 기판 (W) 의 연직 위치를 제어하여, 기판 (W) 을 수평 자세로 유지한다.
<측정 유닛 (70)>
도 6 은, 노즐 지지체 (601) 및 측정 유닛 (70) 을 나타내는 개략 평면도이다. 도 7 은, 노즐 (61), 측정 유닛 (70) 및 완충부 (80) 를 나타내는 개략 측면도이다. 도 8 은, 노즐 (61), 측정 유닛 (70) 및 완충부 (80) 를 나타내는 개략 정면도이다.
도포 장치 (1) 는, 측정 유닛 (70) 을 구비하고 있다. 측정 유닛 (70) 은, 복수 (여기서는 3 개) 의 측정기 (72) 를 구비하고 있다. 각 측정기 (72) 는, 부상 스테이지부 (3) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다. 상세하게는, 측정기 (72) 는, 기정의 연직 방향의 기준 위치로부터, 상면 (Wf) 의 연직 위치까지의 거리를 측정함으로써, 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다. 측정기 (72) 에 의해 측정되는 상면 (Wf) 의 연직 위치로부터, 도포 스테이지 (32) 의 상면의 높이 (연직 위치) 로부터 상면 (Wf) 의 높이를 구할 수 있다. 또한, 이 상면 (Wf) 의 높이와 기판 (W) 의 두께로부터, 기판 (W) 의 부상량 (도포 스테이지 (32) 의 상면으로부터 부상 기판 (W) 의 하면까지의 거리) 을 구하는 것이 가능하다.
각 측정기 (72) 는, 소정 파장의 광을 출력하는 투광부 (72a) 와, 투광부 (72a) 로부터 출력되고 기판 (W) 에서 반사한 광을 검출하는 광 센서 (예를 들어, 라인 센서) 를 포함하는 수광부 (72b) 를 구비하고 있다 (도 9 참조). 수광부 (72b) 는, 상면 (Wf) 의 연직 위치를 비접촉으로 측정하는 반사형 센서의 일례이다. 또한, 상면 (Wf) 의 연직 위치는, 광으로 측정되는 대신에 초음파로 측정되어도 된다. 이 경우, 각 측정기 (72) 는, 초음파를 출력하는 출력부와, 상면 (Wf) 에서 반사한 초음파를 검출하는 검출부를 구비하고 있으면 된다.
측정 유닛 (70) 은, 3 개의 측정기 (72) 를 서로 연결하는 연결구 (74) 를 구비하고 있다. 연결구 (74) 는, Y 방향으로 연장되는 판상의 부재이고, 연결구 (74) 의 상류측 (-X 측) 의 측면에 각 측정기 (72) 가 장착되어 있다. 여기서는, 3 개의 측정기 (72) 는, 제 2 방향 (Y 방향) 으로 간격을 둔 상태에서, 연결구 (74) 에 장착되어 있다.
측정 유닛 (70) 은, 측정기 이동부 (76) (측정기 이동 기구) 를 구비하고 있다. 측정기 이동부 (76) 는, 연결구 (74) 의 +X 측면에 연결되어 있다. 측정기 이동부 (76) 는, 리니어 모터 기구 또는 볼 나사 기구 등의 구동 기구를 구비하고 있다. 측정기 이동부 (76) 는, 노즐 지지체 (601) 의 -X 측면의 중앙부에 설치되어 있는 Y 방향으로 연장되는 가이드 레일부 (78) (도 8 참조) 를 따라, Y 방향으로 이동한다. 측정기 이동부 (76) 가 Y 방향으로 이동하면, 연결구 (74) 가 Y 방향으로 이동함으로써, 3 개의 측정기 (72) 가 일체적으로 Y 방향 (제 2 방향 D2) 으로 이동한다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 3 개의 측정기 (72) 가 Y 방향으로 각각 이동함으로써, 가장 +Y 측에 있는 측정기 (72) 가 Y 방향에 있어서의 측정 범위 (RY1) 에서, Y 방향 중앙에 있는 측정기 (72) 가 Y 방향에 있어서의 측정 범위 (RY2) 에서, -Y 측에 있는 측정기 (72) 가 Y 방향에 있어서의 측정 범위 (RY3) 에서, 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 각 측정 범위 (RY1, RY2, RY3) 는, Y 방향에 있어서 겹침을 가지고 있어도 되지만, 이것은 필수는 아니다.
3 개의 측정기 (72) 는, 노즐 (61) 에 대해 상류측 (-X 측) 에 설치되어 있다. 각 측정기 (72) 는, 노즐 지지체 (601) 에 연결되어 있기 때문에, 노즐 지지체 (601) 에 장착된 노즐 (61) 과 함께 이동한다. 즉, 노즐 (61) 이 노즐 이동 기구 (63) 에 의해 X 방향 및 Z 방향으로 이동하면, 각 측정기 (72) 도 노즐 (61) 에 추종하여 동일 방향으로 이동한다.
<완충부 (80)>
도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 노즐 지지체 (601) 의 -X 측의 측면에 있어서의 중앙부에는, 완충부 (80) 가 장착되어 있다. 완충부 (80) 는, Y 축 방향 (제 2 방향 D2) 으로 연장되는 판상의 부재이고, YZ 평면에 평행으로 배치되어 있다. 완충부 (80) 는, 토출구 (611) (노즐 (61) 의 하단부) 와 제 1 방향 D1 로 겹치는 위치에 설치되어 있다.
완충부 (80) 는, 노즐 (61) 보다 반송 방향인 제 1 방향 D1 의 상류측에 배치되어 있다. 이 때문에, 부상 기판 (W) 의 상부에 토출구 (611) 에 접촉할 수 있는 높이의 이물질이 부착되어 있던 경우, 당해 이물질이 토출구 (611) 에 접촉하기 전에 완충부 (80) 에 접촉한다. 이로써, 당해 이물질이 완충부 (80) 에 부착되어 부상 기판 (W) 으로부터 제거되고, 따라서, 당해 이물질이 토출구 (611) 에 접촉하는 것을 저감할 수 있다. 또한, 이물질이 완충부 (80) 에 접촉한 것을 검출하는 당해 진동 센서를 완충부 (80) 에 설치해도 된다. 그리고, 당해 진동 센서가 이물질의 접촉을 검출한 경우에, 제어 유닛 (9) 이, 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 의 반송을 정지시켜도 된다.
도 9 는, 실시형태의 제어 유닛 (9) 을 나타내는 개략 블록도이다. 도포 장치 (1) 는, 각 부의 동작을 제어하기 위한 제어 유닛 (9) 을 구비한다. 제어 유닛 (9) 의 하드웨어 구성은, 일반적인 컴퓨터와 동일하게 해도 된다. 제어 유닛 (9) 은, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU (91), 기본 프로그램을 기억하는 판독 출력 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 판독 기입할 수 있는 메모리 (92), 각종 정보를 표시하는 디스플레이를 포함하는 표시부 (93) 를 구비한다. 메모리 (92) 로는, 주기억 장치 (RAM) 외, 제어용 어플리케이션 (프로그램) 및 데이터 등을 기억하는 고정 디스크가 포함된다. 제어 유닛 (9) 은, 유저나 외부 장치와의 정보 교환을 담당하는 인터페이스부, 및, 가반성을 갖는 기억 매체 (광학식 미디어, 자기 미디어, 반도체 메모리 등) 에 보존된 정보 (프로그램) 를 판독하는 판독 장치를 구비하고 있어도 된다.
<연직 위치 측정 처리>
도포 장치 (1) 는, 도포 스테이지 (32) 에 의한 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득하는 검사 (이하, 연직 위치 측정 처리라고도 칭한다.) 를 실시한다. 상기 서술한 바와 같이, 도포 스테이지 (32) 에 있어서, 흡인구 (322h) 는, 분위기의 흡인을 실시하기 때문에, 이물질을 흡인하는 경우가 있다. 이 경우, 흡인구 (322h) 에 막힘이 일어남으로써, 부상 기판 (W) 의 부상 높이가 부족한 등, 부상 높이에 이상이 발생할 가능성이 있다. 연직 위치 측정 처리는, 이와 같은 부상 높이의 이상을 검출하기 위해서 실시된다. 연직 위치 측정 처리는, 도포 장치 (1) 에 있어서의 기판 (W) 의 제조 스케줄에 따라, 적절한 타이밍으로 실시되면 된다. 예를 들어, 로트의 선두 기판, 매일의 선두 기판, 매일 오후의 선두 기판을 도포 처리하는 타이밍으로 실시되어도 되고, 모든 기판 (W) 에 대해 도포 처리하는 타이밍으로 실시되어도 된다.
연직 위치 측정 처리는, 실제로 처리액을 도포하는 도포 대상인 기판 (W) 을 사용하여 실시되어도 되지만, 처리액이 도포되지 않는 비도포 대상인 기판 (W) (이하, 「더미의 기판 (W)」이라고도 칭한다.) 을 사용하여 실시되어도 된다. 이 더미의 기판 (W) 은, 상면 (Wf) 에 배선 패턴 등의 패턴이 형성되어 있지 않은 것이 바람직하다. 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 패턴이 있는 경우, 측정기 (72) 의 투광부 (72a) 로부터의 광이 패턴에서 반사되어, 수광부 (72b) 와는 상이한 방향을 향함으로써, 상면 (Wf) 으로부터의 반사광을 검출할 수 없는 경우가 있다. 그래서, 상면 (Wf) 에 패턴을 가지지 않는 더미의 기판 (W) 을 사용함으로써, 측정기 (72) 가 상면 (Wf) 으로부터의 반사광을 양호하게 검출할 수 있다. 따라서, 연직 위치의 측정을 바람직하게 실시할 수 있다.
도 10 은, 도포 장치 (1) 가 실행하는 연직 위치 측정 처리의 각 공정을 나타내는 도면이다. 도 10 은, 상기 더미의 기판 (W) 에 대해 실시되는 연직 위치 측정 처리의 양태를 나타내고 있다. 제어 유닛 (9) 은, 연직 위치 측정 처리를 개시하면, 반입 공정 S11 을 실시한다. 반입 공정 S11 에 있어서는, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부상력이 부여되고 있는 기판 (부상 기판) (W) 을, 제 1 방향 D1 의 하류측 (+X 방향) 을 향하여 반송한다.
반입 공정 S11 은, 정지 단계 S111 을 포함한다. 정지 단계 S111 은, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 을 기정 위치 (LW1) 까지 반송한 후, 부상 기판 (W) 을 기정 위치 (LW1) 에서 정지시키는 단계이다. 부상 기판 (W) 이 기정 위치 (LW1) 에 배치되면, 부상 기판 (W) 의 하류측 단부 (선두단) 의 수평 위치가, 도포 스테이지 (32) 의 하류측 단부 (가장자리부) 의 수평 위치와 동일하거나, 그것보다 약간 상류측의 위치가 된다.
제어 유닛 (9) 은, 정지 단계 S111 후, 측정 공정 S12 를 실시한다. 측정 공정 S12 는, Y 방향으로 배열되는 3 개의 측정기 (72) 에 의해, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (32UR) 에 있어서의 복수의 지점에서 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 공정이다. 상방 영역 (32UR) 은, 적어도 중간 영역 (32B) 전체의 상방을 덮는 영역이고, 본 예에서는, 중간 영역 (32B) 보다 상류측의 부분 (상류 영역 (32A) 의 일부) 및 중간 영역 (32B) 보다 하류측의 부분 (하류 영역 (32C) 의 일부) 의 상방을 덮는 영역이다.
측정 공정 S12 에 있어서는, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 은 반송 기구 (5) 를 제어하여, 3 개의 측정기 (72) 를, 기정 위치 (LW1) 에 있는 부상 기판 (W) 의 하류측 단부보다 약간 상류측의 수평 위치에 배치한다. 이로써, 3 개의 측정기 (72) 가 하류측 단부보다 조금 상류측의 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있는 상태가 된다. 이 상태에서, 제어 유닛 (9) 은 측정기 이동부 (76) 를 제어하여 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 (제 2 방향 D2) 으로 이동시킨다. 이 Y 방향 이동동안, 제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 각각에 소정 주기로 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정시킨다. 이로써, Y 방향으로 연장되는 일직선 상의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정된다. 이 3 개의 측정기 (72) 의 Y 방향 이동에 의해, 더미의 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 있어서의, 도포 대상 영역에 상당하는 영역뿐만 아니라, 그 영역으로부터 +Y 측 및 -Y 측으로 돌출된 부분에 있어서도, 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정되어도 된다.
제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 의 Y 방향 이동을 완료하면, 노즐 이동 기구 (63) 를 제어하여, 측정 유닛 (70) 을, 제 1 방향 D1 의 상류측 (-X 측) 을 향하여 이동시킨다 (X 방향 이동). 이때의 3 개의 측정기 (72) 의 이동량은, 도포 스테이지 (32) 의 X 방향의 치수, 보다 바람직하게는 중간 영역 (32B) 의 X 방향의 치수보다 작은 거리인 1 피치분만큼 이동시킨다. 그리고, 제어 유닛 (9) 은, 다시 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 이동으로 이동시키면서, 3 개의 측정기 (72) 각각에 Y 방향의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정시킨다.
이와 같이, 제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 의 X 방향 이동 및 Y 방향 이동을 교대로 실시함으로써, 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 및 X 방향으로 지그재그상으로 이동시킨다. 이로써, 제어 유닛 (9) 은, 도 10(c) 에 나타내는 바와 같이, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (32UR) 의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다. 이 측정 공정 S12 에 의해, 제어 유닛 (9) 은, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (32UR) 에 있어서의, 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득한다.
측정 공정 S12 후, 또는, 측정 공정 S12 의 중간에, 측정된 각 연직 위치가 정상인지 여부를 제어 유닛 (9) 이 판정해도 된다. 이 판정은, 측정값과 임계값을 비교해 실시하면 된다. 연직 위치가 이상이라고 판정된 경우, 제어 유닛 (9) 이 소정의 출력 수단 (표시부 (93) 나 램프, 스피커 등) 으로 그 취지를 외부에 통지해도 된다. 또, 연직 위치가 이상이라고 판정된 경우, 제어 유닛 (9) 이 도포 장치 (1) 의 동작을 정지시켜도 된다.
제어 유닛 (9) 은, 측정 공정 S12 를 완료하면, 제어 유닛 (9) 은 반출 공정 S13 을 실시한다. 측정 공정 S12 에서 사용되는 기판 (W) 은, 비도포 대상인 더미의 기판 (W) 이다. 이 때문에, 반출 공정 S13 은, 도 10(d) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 을 하류측으로 이동시킨다. 이로써, 부상 기판 (W) 이 도포 스테이지 (32) 상으로부터 하류측으로 반출된다. 이로써, 도포 대상이 되는 다음의 기판 (W) 이, 도포 스테이지 (32) 에 반입되는 것이 가능해진다.
도 10 에 나타내는 연직 위치 측정 처리는, 도포 대상인 기판 (W) 을 사용하여 실시되어도 된다. 이 경우, 도 10(c) 에 나타내는 측정 공정 S12 후, 제어 유닛 (9) 이 이동 기구 (63) 를 제어하여, 노즐 (61) 을 도포 위치 (L11) 로 이동시킨다. 도포 위치 (L11) 는, 노즐 (61) 로부터 토출되어 부상 기판 (W) 에 부착될 때의 처리액의 수평 위치가 중간 영역 (32B) 의 내측이 될 때의, 노즐 (61) 의 위치이다. 또, 제어 유닛 (9) 이 부상 기판 (W) 을 상류측으로 이동시켜, 부상 기판 (W) 이 도포를 개시할 때의 위치로 이동시킨다. 노즐 (61) 및 부상 기판 (W) 의 이동이 완료하면, 제어 유닛 (9) 은, 도포 기구 (6) 를 제어하여 노즐 (61) 로부터 처리액을 토출함과 함께, 반송 기구 (5) 를 제어하여 부상 기판 (W) 을 하류측으로 이동시킨다. 이로써, 도포 스테이지 (32) 의 중간 영역 (32B) 상에 있어서, 부상 기판 (W) 의 도포 대상 영역에 처리액이 도포된다.
본 실시형태에 있어서는, 측정기 (72) 를 Y 방향 (제 2 방향 D2) 으로 이동시킴으로써, Y 방향의 복수 지점의 연직 위치를 측정할 수 있다. 이로써, Y 방향에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득할 수 있기 때문에, 부상 기판 (W) 의 부상 높이의 이상을 양호하게 검출할 수 있다. 측정기 (72) 를 X 방향 (제 1 방향 D1) 으로도 이동시킴으로써, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (32UR) 에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득할 수 있다. 이로써, 도포에 영향을 줄 가능성이 있는 영역에 있어서의, 부상 기판 (W) 의 부상 높이의 이상을 양호하게 검출할 수 있다. 이로써, 도포 처리를 바람직하게 실시할 수 있다.
또, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 부상 기판 (W) 의 하류측 단부가 도포 스테이지 (32) 의 하류측 단부 (가장자리부) 에 배치된다. 이로써, 부상 기판 (W) 에 대해서는, 도포 스테이지 (32) 보다 상류측에 있는 출구 부상 스테이지 (33) 로부터의 부상력의 영향을 거의 받기 어렵다. 이 때문에, 도포 스테이지 (32) 의 하류측 단부에 형성된 흡인구 (322h) 의 막힘에 의한, 부상 기판 (W) 의 부상 높이의 이상을 검출할 수 있다.
도 11 은, 도포 장치 (1) 가 실행하는 연직 위치 측정 처리의 각 공정을 나타내는 도면이다. 도 11 은, 도포 대상인 부상 기판 (W) 에 대해 실시되는 연직 위치 측정 처리의 양태를 나타내고 있다. 제어 유닛 (9) 은, 연직 위치 측정 처리를 개시하면, 도 11(a) 에 나타내는 바와 같이, 반입 공정 S11 을 실시한다. 반입 공정 S11 은, 도 10(a) 에 나타내는 반입 공정과 동일하다.
반입 공정 S11 은, 정지 단계 S111a 를 포함한다. 정지 단계 S111a 는, 도 11(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 을 기정 위치 (LW2) 까지 반송한 후, 부상 기판 (W) 을 기정 위치 (LW2) 에서 정지시키는 단계이다. 부상 기판 (W) 이 기정 위치 (LW2) 에 배치되면, 부상 기판 (W) 의 하류측 단부의 수평 위치가, 하류 영역 (32C) 의 상방에 배치된다. 또한, 이때의 하류측 단부의 수평 위치는, 도포 스테이지 (32) 의 중간 영역 (32B) 의 상방으로 해도 되고, 중간 영역 (32B) 과 하류 영역 (32C) 의 경계 상으로 해도 된다.
제어 유닛 (9) 은, 정지 단계 S111a 후, 측정 공정 S12a 를 실시한다. 측정 공정 S12a 는, 측정 공정 S12 와 마찬가지로, Y 방향으로 배열되는 3 개의 측정기 (72) 에 의해, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (321UR) 에 있어서의 복수의 지점에서 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 공정이다. 상방 영역 (321UR) 은, 처리액의 도포가 실시되는 중간 영역 (32B), 및, 중간 영역 (32B) 보다 상류측의 부분 (상류 영역 (32A) 의 일부) 의 상방을 덮는 영역이다.
측정 공정 S12a 에 있어서는, 도 11(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 은 반송 기구 (5) 를 제어하여, 3 개의 측정기 (72) 를 기정 위치 (LW2) 에 있는 부상 기판 (W) 의 하류측 단부보다 조금 상류측의 수평 위치에 배치한다. 이로써, 3 개의 측정기 (72) 가 하류측 단부보다 조금 상류측의 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있는 상태가 된다. 이 상태에서, 제어 유닛 (9) 은 측정기 이동부 (76) 를 제어하여 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 (제 2 방향 D2) 으로 이동시킨다.
이 Y 방향 이동동안, 제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 각각에 소정 주기로 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정시킨다. 이로써, Y 방향으로 연장되는 일직선 상의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정된다.
제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 의 Y 방향 이동을 완료하면, 이동 기구 (63) 를 제어하여, 측정 유닛 (70) 을, 제 1 방향 D1 의 상류측 (-X 측) 을 향하여 이동시킨다 (X 방향 이동). 이때의 3 개의 측정기 (72) 의 이동량은, 도포 스테이지 (32) 의 X 방향의 치수, 보다 바람직하게는 중간 영역 (32B) 의 X 방향의 치수보다 작은 거리인 1 피치분만큼 이동시킨다. 그리고, 제어 유닛 (9) 은, 다시 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 이동으로 이동시키면서, 3 개의 측정기 (72) 각각에 Y 방향의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정시킨다.
이와 같이, 제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 의 X 방향 이동 및 Y 방향 이동을 교대로 실시함으로써, 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 및 X 방향으로 지그재그상으로 이동시킨다. 이로써, 제어 유닛 (9) 은, 도 11(c) 에 나타내는 바와 같이, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (321UR) 의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다. 이 측정 공정 S12a 에 의해, 제어 유닛 (9) 은, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (321UR) 에 있어서의, 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득한다.
측정 공정 S12a 후, 또는, 측정 공정 S12a 의 중간에, 측정된 각 연직 위치가 정상인지 여부를 제어 유닛 (9) 이 판정해도 된다. 이 판정은, 측정값과 임계값을 비교하여 실시하면 된다. 연직 위치가 이상이라고 판정된 경우, 제어 유닛 (9) 이 소정의 출력 수단 (표시부 (93) 나 램프, 스피커 등) 으로 그 취지를 외부에 통지해도 된다. 또, 연직 위치가 이상이라고 판정된 경우, 제어 유닛 (9) 이 도포 장치 (1) 의 동작을 정지시켜도 된다.
제어 유닛 (9) 은, 측정 공정 S12a 를 완료하면, 도포 공정 S14 를 실시한다. 도포 공정 S14 에 있어서는, 제어 유닛 (9) 은, 이동 기구 (63) 를 제어하여 노즐 (61) 을 도포 위치 (L11) 로 이동시킨다. 또한, 측정 공정 S12a 의 완료 시점에 있어서, 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 오도록, 각 측정기 (72) 의 X 방향 이동, 혹은, 노즐 (61) 과 측정기 (72) 사이의 거리의 설정이 실시되어도 된다. 이 경우, 측정 공정 S12a 후, 도포 공정 S14 로 이행할 때에 있어서의 노즐 (61) 의 이동을 생략할 수 있다. 또, 제어 유닛 (9) 은, 반송 기구 (5) 를 제어하여, 도포 위치 (L11) 의 노즐 (61) 로부터 처리액이 도포 대상 영역의 상류측 단부에 공급되는 기정의 공급 개시 위치로 부상 기판 (W) 을 이동시킨다. 또한, 기정 위치 (LW2) 가 이 공급 개시 위치에 일치하는 경우, 부상 기판 (W) 의 이동을 생략할 수 있다. 노즐 (61) 및 부상 기판 (W) 의 이동이 완료되면, 제어 유닛 (9) 은, 도포 기구 (6) 를 제어하여 노즐 (61) 로부터 처리액을 토출함과 함께, 반송 기구 (5) 를 제어하여 부상 기판 (W) 을 하류측으로 이동시킨다. 이로써, 도포 스테이지 (32) 의 중간 영역 (32B) 상에 있어서, 부상 기판 (W) 의 도포 대상 영역에 처리액이 도포된다.
도 11 에 나타내는 연직 위치 측정 처리에 의하면, 도포 스테이지 (32) 중, 도포 처리가 실시되는 중간 영역 (32B) 에 있어서, Y 방향에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득할 수 있다. 이로써, Y 방향에 대해, 부상 기판 (W) 에 부상량의 이상이 있는 지점을 양호하게 특정할 수 있기 때문에, 도포 불량의 발생을 저감할 수 있다. 또, 연직 위치의 분포를 취득하는 상방 영역 (321UR) 이, 도포 스테이지 (32) 의 대략 전체면에 대응하는 상방 영역 (32UR) 보다 작기 때문에, 측정 시간을 단축할 수 있다.
도 11 에 나타내는 예에서는, 각 측정기 (72) 는, 측정 공정 S12a 에 있어서, 측정 위치 (ML1) 로부터 측정 위치 (ML2) 를 포함하는 범위를 이동한다. 노즐 (61) 로부터의 처리액이 부상 기판 (W) 에 부착되는 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정 가능한 때의, 각 측정기 (72) 의 수평 위치이다. 또, 측정 위치 (ML2) 는, 노즐 (61) 이 처리액을 토출할 때 (즉, 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 배치되어 있을 때) 의 완충부 (80) 의 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정 가능한 때의, 각 측정기 (72) 의 수평 위치이다. 측정 위치 (ML2) 에 각 측정기 (72) 를 배치함으로써, 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 배치되었을 때의 완충부 (80) 의 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있기 때문에, 완충부 (80) 의 수평 위치에 있어서의 부상 높이의 이상을 검출할 수 있다. 따라서, 도포 처리 시에, 부상 기판 (W) 이 완충부 (80) 에 접촉하는 것을 저감할 수 있다.
<2. 변형예>
이상, 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기와 같은 것으로 한정되는 것이 아니고, 여러 가지 변형이 가능하다.
측정 유닛 (70) 이, 3 개의 측정기 (72) 를 구비하는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 측정 유닛 (70) 은, 2 개 혹은 4 개 이상의 측정기 (72) 를 구비하고 있어도 된다. 또, 측정 유닛 (70) 은, 단일의 측정기 (72) 를 구비하고 있어도 된다. 단, 복수의 측정기 (72) 를 Y 방향으로 간격을 두고 배치함으로써, Y 방향으로 상이한 복수의 위치에서 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있다. 이로써, 단일의 측정기 (72) 를 설치하는 경우보다, 각 측정기 (72) 의 이동거리를 단축할 수 있기 때문에, 측정 시간을 단축할 수 있다.
측정기 이동부 (76) (측정기 이동 기구) 가 3 개의 측정기 (72) 를 일체적으로 Y 방향으로 이동시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 3 개의 측정기 (72) 를 각각 개별적으로 Y 방향으로 이동시키는 측정기 이동 기구가 설치되어도 된다. 단, 복수의 측정기 (72) 를 일체로 이동시킴으로써, 측정기 (72) 를 이동시키는 구성을 간략화할 수 있다.
측정 유닛 (70) 을, 이동 기구 (63) 에 의해 노즐 (61) 과 일체로 X 방향으로 이동시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 측정 유닛 (70) 을, 노즐 (61) 로부터 독립적으로, X 방향으로 이동시키는 측정기 이동 기구가 설치되어도 된다. 단, 복수의 측정기 (72) 를 노즐 (61) 과 일체로 이동시킴으로써, 측정기 (72) 를 이동시키는 구성을 간략화할 수 있다.
측정 유닛 (70) 이, X 방향으로 일정한 간격을 두고 2 개 이상의 측정기 (72) 를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 각 측정기 (72) 의 Y 방향 이동에 의해, 2 개의 직선 상에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 동시에 측정할 수 있다.
측정 유닛 (70) 을 노즐 지지체 (601) 에 대해 장착하지 않고, 다른 가교 구조체를 별도로 설치하고, 이 가교 구조체에 측정 유닛 (70) 을 장착하여도 된다. 또, 메인터넌스 유닛 (65) 은 가교 구조체이므로, 메인터넌스 유닛 (65) 의 배트 (651) 에 대해 Y 방향 및 X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있게 측정 유닛 (70) 을 장착하여도 된다. 이 경우에 있어서, 구동부를 설치하지 않고, 측정 유닛 (70) 을 수동으로 이동시키는 구성으로 해도 된다.
본 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이고, 본 발명이 그것으로 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 본 발명의 범위로부터 벗어나는 일 없이 상정될 수 있는 것으로 이해된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나, 생략하거나 할 수 있다.
1 : 도포 장치
3 : 부상 스테이지부 (부상 기구)
31 : 입구 부상 스테이지
32 : 도포 스테이지
321h : 분출구
322h : 흡인구
33 : 출구 부상 스테이지
5 : 반송 기구
6 : 도포 기구
601 : 노즐 지지체
61 : 노즐
611 : 토출구
63 : 노즐 이동 기구
70 : 측정 유닛
72 : 측정기
72a : 투광부
72b : 수광부
74 : 연결구
76 : 측정기 이동부 (측정기 이동 기구)
80 : 완충부
9 : 제어 유닛
D1 : 제 1 방향
D2 : 제 2 방향
L11 : 도포 위치
L13 : 예비 토출 위치
L14 : 세정 위치
ML1, ML2 : 위치
S11 : 반입 공정
S12, S12a : 측정 공정
S13 : 반출 공정
S14 : 도포 공정
W : 기판, 부상 기판
Wf : 상면 (제 1 주면)

Claims (14)

  1. 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와,
    상기 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와,
    상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과,
    상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기와,
    상기 측정기를 상기 제 2 방향 및 상기 제 1 방향의 상류측 및 하류측으로 이동시키는 측정기 이동 기구와,
    상기 노즐에 대해 상기 제 1 방향의 상류측의 위치이고, 적어도 상기 노즐의 상기 토출구의 선단부와 수평 방향으로 겹치는 위치에 설치되는 완충부를 구비하고,
    상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착되는 수평 위치인 부착 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치로부터, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출할 때의 상기 완충부의 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치까지의 사이에서 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 방향의 상이한 위치에서 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 복수의 상기 측정기를 갖는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고,
    상기 측정기 이동 기구는, 상기 연결구를 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부상 기구는,
    수평면을 갖는 스테이지와,
    상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와,
    상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측정기 이동 기구는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 방향 하류측의 단부가 상기 부상 기구에 포함된 스테이지의 상기 제 1 방향 하류측의 가장자리부에 배치된 상태에서, 상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  6. 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와,
    상기 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와,
    상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과,
    상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기와,
    상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시키는 측정기 이동 기구를 구비하고,
    상기 측정기 이동 기구는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 방향 하류측의 단부가 상기 부상 기구에 포함된 스테이지의 상기 제 1 방향 하류측의 가장자리부에 배치된 상태에서, 상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를 상기 제 2 방향 및 상기 제 1 방향의 상류측 및 하류측으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 노즐에 대해 상기 제 1 방향의 상류측의 위치이고, 적어도 상기 노즐의 상기 토출구의 선단부와 수평 방향으로 겹치는 위치에 설치되는 완충부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착되는 수평 위치인 부착 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치로부터, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출할 때의 상기 완충부의 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치까지의 사이에서 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  10. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 방향의 상이한 위치에서 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 복수의 상기 측정기를 갖는, 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고,
    상기 측정기 이동 기구는, 상기 연결구를 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
  12. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부상 기구는,
    수평면을 갖는 상기 스테이지와,
    상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와,
    상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함하는, 기판 처리 장치.
  13. 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판 처리 방법은, 노즐 및 완충부를 갖는 기판 처리 장치를 사용하여 실시되고, 상기 기판 처리 방법은,
    (a) 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 공정과,
    (b) 상기 공정 (a) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 공정과,
    (c) 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기를, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향 및 상기 제 1 방향의 상류측 및 하류측으로 이동시킴으로써, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향의 복수점에 있어서의 연직 위치를 측정하는 공정을 포함하고,
    상기 노즐은, 상기 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능하고,
    상기 완충부는, 상기 노즐에 대해 상기 제 1 방향의 상류측의 위치이고, 적어도 상기 노즐의 상기 토출구의 선단부와 수평 방향으로 겹치는 위치에 설치되고,
    상기 공정 (c) 에 있어서, 상기 측정기는, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착되는 수평 위치인 부착 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치로부터, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출할 때의 상기 완충부의 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치까지의 사이에서 상기 제 2 방향으로 이동되는, 기판 처리 방법.
  14. 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판 처리 방법은, 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 상기 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구를 갖는 기판 처리 장치를 사용하여 실시되고, 상기 기판 처리 방법은,
    (a) 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 공정과,
    (b) 상기 공정 (a) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 공정과,
    (c) 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기를, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향의 복수점에 있어서의 연직 위치를 측정하는 공정을 포함하고,
    상기 공정 (c) 에 있어서, 상기 부상 기판의 상기 제 1 방향 하류측의 단부가, 상기 부상 기구에 포함된 스테이지의 상기 제 1 방향 하류측의 가장자리부에 배치된 상태에서, 상기 측정기가 상기 제 2 방향으로 이동되는, 기판 처리 방법.
KR1020190078889A 2018-07-03 2019-07-01 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102525265B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018126654A JP6722723B2 (ja) 2018-07-03 2018-07-03 基板処理装置および基板処理方法
JPJP-P-2018-126654 2018-07-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200004260A KR20200004260A (ko) 2020-01-13
KR102525265B1 true KR102525265B1 (ko) 2023-04-24

Family

ID=69068874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190078889A KR102525265B1 (ko) 2018-07-03 2019-07-01 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6722723B2 (ko)
KR (1) KR102525265B1 (ko)
CN (1) CN110676192A (ko)
TW (1) TWI760621B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7316331B2 (ja) * 2021-09-02 2023-07-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228881A (ja) 2004-02-12 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd 浮上式基板搬送処理方法及びその装置
JP2006297317A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd 塗工方法
JP2012134419A (ja) 2010-12-24 2012-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置及び塗布方法
JP2018043200A (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス 塗布装置および塗布方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4942589B2 (ja) * 2007-08-30 2012-05-30 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
KR101175284B1 (ko) * 2009-09-15 2012-08-21 주식회사 탑 엔지니어링 페이스트 디스펜서 및 그 제어방법
JP5486030B2 (ja) 2012-02-15 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
CN103383468B (zh) * 2013-06-28 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 封框胶涂布设备的检测***及检测方法、封框胶涂布机
WO2015158390A1 (en) * 2014-04-17 2015-10-22 Applied Materials, Inc. Carrier for substrates

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228881A (ja) 2004-02-12 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd 浮上式基板搬送処理方法及びその装置
JP2006297317A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd 塗工方法
JP2012134419A (ja) 2010-12-24 2012-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置及び塗布方法
JP2018043200A (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス 塗布装置および塗布方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110676192A (zh) 2020-01-10
JP6722723B2 (ja) 2020-07-15
JP2020006282A (ja) 2020-01-16
KR20200004260A (ko) 2020-01-13
TWI760621B (zh) 2022-04-11
TW202012291A (zh) 2020-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101299816B1 (ko) 도포 방법 및 도포 장치
JP5265099B2 (ja) 基板検査装置
JP5346643B2 (ja) 基板塗布装置および基板塗布方法
KR102039240B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5608469B2 (ja) 塗布装置
JP5303129B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP2009059823A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP5933920B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP5771432B2 (ja) 塗布装置
KR102525265B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102076900B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 이상 검지 방법
KR102308585B1 (ko) 스테이지 측정 지그, 도포 장치 및 스테이지 측정 방법
KR102474713B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5349770B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP6890438B2 (ja) 浮上量算出装置、塗布装置および塗布方法
KR20180082960A (ko) 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 그리고 기판 처리 장치
KR102305397B1 (ko) 기판 반송 장치 및 도포 장치
JP2012138481A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP2012253215A (ja) 塗布装置及び塗布方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant